JP2000260827A - 半導体チップ実装用加熱装置及び加熱方法 - Google Patents
半導体チップ実装用加熱装置及び加熱方法Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 フリップチップ実装において、回路基板と半
導体チップとが有する電極同士を電気的に接続する際
に、回路基板と半導体チップとの熱膨張係数の差に起因
する反りを抑制する半導体チップ実装用加熱装置を実現
する。 【解決手段】 加熱装置に、回路基板２を保持するステ
ージ１と、半導体チップ７を保持する真空チャック６
と、半導体チップ７を加熱するセラミックヒータ５と、
回路基板２に対して半導体チップ７を圧接する圧接ツー
ル４と、ステージ１に対してエアブロー１０を吹き付け
る冷却装置９とを備える。これにより、半導体チップ７
と回路基板２との電極同士を接続する際に、セラミック
ヒータ５から半導体チップ７を介して伝導した熱が、回
路基板２から冷却されたステージ１へと速やかに拡散さ
れる。したがって、回路基板２の温度が半導体チップ７
の温度よりも低く維持されるので、反りが抑制される。
導体チップとが有する電極同士を電気的に接続する際
に、回路基板と半導体チップとの熱膨張係数の差に起因
する反りを抑制する半導体チップ実装用加熱装置を実現
する。 【解決手段】 加熱装置に、回路基板２を保持するステ
ージ１と、半導体チップ７を保持する真空チャック６
と、半導体チップ７を加熱するセラミックヒータ５と、
回路基板２に対して半導体チップ７を圧接する圧接ツー
ル４と、ステージ１に対してエアブロー１０を吹き付け
る冷却装置９とを備える。これにより、半導体チップ７
と回路基板２との電極同士を接続する際に、セラミック
ヒータ５から半導体チップ７を介して伝導した熱が、回
路基板２から冷却されたステージ１へと速やかに拡散さ
れる。したがって、回路基板２の温度が半導体チップ７
の温度よりも低く維持されるので、反りが抑制される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣ等の半導体チ
ップを回路基板に実装する際に使用される加熱装置であ
って、特に、半導体チップと回路基板との電極同士を対
向して接続する際に使用される加熱装置及び加熱方法に
関するものである。
ップを回路基板に実装する際に使用される加熱装置であ
って、特に、半導体チップと回路基板との電極同士を対
向して接続する際に使用される加熱装置及び加熱方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、製品の小型化という要請に対応す
るために、いわゆるフリップチップボンディングが使用
されている。フリップチップボンディングにおいては、
半導体チップの電極と回路基板の電極とが、対向して位
置合わせされた後に半田バンプをはさんで接している。
そして、加熱装置としてリフロー炉を使用して、リフロ
ー炉中において所定温度の雰囲気中を通過する際に、半
田バンプが溶融し、その後に冷却されて硬化することに
よって、回路基板と半導体チップとの電極同士が電気的
に接続される。
るために、いわゆるフリップチップボンディングが使用
されている。フリップチップボンディングにおいては、
半導体チップの電極と回路基板の電極とが、対向して位
置合わせされた後に半田バンプをはさんで接している。
そして、加熱装置としてリフロー炉を使用して、リフロ
ー炉中において所定温度の雰囲気中を通過する際に、半
田バンプが溶融し、その後に冷却されて硬化することに
よって、回路基板と半導体チップとの電極同士が電気的
に接続される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の加熱装置を使用する場合には、回路基板と半導体チ
ップとが、同じ温度の高温雰囲気中（例えば２００℃〜
２３０℃程度）を通過する。ここで、ガラスエポキシ基
板からなる回路基板とシリコンからなる半導体チップと
の熱膨張係数については、ガラスエポキシ基板の方が大
きい値を有する。したがって、熱膨張係数の差に起因し
て、回路基板と半導体チップとが一体となった製品にお
いて反りが発生する。そして、発生した反りによる応力
が半田バンプの根元に集中するので、回路基板と半導体
チップとの間における電気的接触不良の発生や、製品の
短寿命という信頼性の問題があった。
来の加熱装置を使用する場合には、回路基板と半導体チ
ップとが、同じ温度の高温雰囲気中（例えば２００℃〜
２３０℃程度）を通過する。ここで、ガラスエポキシ基
板からなる回路基板とシリコンからなる半導体チップと
の熱膨張係数については、ガラスエポキシ基板の方が大
きい値を有する。したがって、熱膨張係数の差に起因し
て、回路基板と半導体チップとが一体となった製品にお
いて反りが発生する。そして、発生した反りによる応力
が半田バンプの根元に集中するので、回路基板と半導体
チップとの間における電気的接触不良の発生や、製品の
短寿命という信頼性の問題があった。
【０００４】本発明は、上述の課題を解決するためにな
されたものであり、回路基板と半導体チップとの電気的
な接続において、信頼性を確保できる半導体チップ実装
用加熱装置及び加熱方法を提供することを目的とする。
されたものであり、回路基板と半導体チップとの電気的
な接続において、信頼性を確保できる半導体チップ実装
用加熱装置及び加熱方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上述の技術的課題を解決
するために、本発明に係る半導体チップ実装用加熱装置
は、半導体チップの電極と回路基板の電極とを電気的に
接続する際に使用される半導体チップ実装用加熱装置で
あって、第１の温度を維持しながら回路基板を保持する
保持手段と、回路基板に半導体チップを圧接する圧接手
段と、第１の温度よりも高い第２の温度によって半導体
チップを加熱する加熱手段とを備えたことを特徴とする
ものである。
するために、本発明に係る半導体チップ実装用加熱装置
は、半導体チップの電極と回路基板の電極とを電気的に
接続する際に使用される半導体チップ実装用加熱装置で
あって、第１の温度を維持しながら回路基板を保持する
保持手段と、回路基板に半導体チップを圧接する圧接手
段と、第１の温度よりも高い第２の温度によって半導体
チップを加熱する加熱手段とを備えたことを特徴とする
ものである。
【０００６】また、本発明に係る半導体チップ実装用加
熱装置は、上述の加熱装置において保持手段は気体によ
って冷却されることを特徴とするものである。
熱装置は、上述の加熱装置において保持手段は気体によ
って冷却されることを特徴とするものである。
【０００７】また、本発明に係る半導体チップ実装用加
熱装置は、上述の加熱装置において保持手段は液体によ
って冷却されることを特徴とするものである。
熱装置は、上述の加熱装置において保持手段は液体によ
って冷却されることを特徴とするものである。
【０００８】また、本発明に係る半導体チップ実装用加
熱方法は、半導体チップの電極と回路基板の電極とを電
気的に接続するための半導体チップ実装用加熱方法であ
り、ステージによって回路基板を保持する工程と、半導
体チップと回路基板との電極同士を対向させた後に位置
合わせする工程と、半導体チップを所定の温度に加熱す
る工程と、保持された回路基板に半導体チップを圧接す
る工程と、ステージを冷却する工程とを備えたことを特
徴とするものである。
熱方法は、半導体チップの電極と回路基板の電極とを電
気的に接続するための半導体チップ実装用加熱方法であ
り、ステージによって回路基板を保持する工程と、半導
体チップと回路基板との電極同士を対向させた後に位置
合わせする工程と、半導体チップを所定の温度に加熱す
る工程と、保持された回路基板に半導体チップを圧接す
る工程と、ステージを冷却する工程とを備えたことを特
徴とするものである。
【０００９】
【作用】本発明に係る半導体チップ実装用加熱装置によ
れば、半導体チップと回路基板との電極同士の電気的接
続を確保するために必要な温度を維持しつつ、回路基板
を、半導体チップを加熱する第２の温度よりも低い第１
の温度に維持することができる。これにより、半導体チ
ップと回路基板との熱膨張係数の差に起因する反りを抑
制することができる。また、回路基板を保持する保持手
段が気体又は液体によって強制的に冷却されるので、半
導体チップを加熱する際の熱が保持手段に伝導してきた
場合においても、保持手段の温度を確実に第１の温度に
維持することができる。また、本発明に係る半導体チッ
プ実装用加熱方法によれば、加熱された半導体チップか
ら回路基板を介して熱がステージに伝導した場合に、ス
テージを冷却することにより回路基板の温度上昇を抑制
する。これにより、半導体チップと回路基板との熱膨張
係数の差に起因する反りを抑制することができる。
れば、半導体チップと回路基板との電極同士の電気的接
続を確保するために必要な温度を維持しつつ、回路基板
を、半導体チップを加熱する第２の温度よりも低い第１
の温度に維持することができる。これにより、半導体チ
ップと回路基板との熱膨張係数の差に起因する反りを抑
制することができる。また、回路基板を保持する保持手
段が気体又は液体によって強制的に冷却されるので、半
導体チップを加熱する際の熱が保持手段に伝導してきた
場合においても、保持手段の温度を確実に第１の温度に
維持することができる。また、本発明に係る半導体チッ
プ実装用加熱方法によれば、加熱された半導体チップか
ら回路基板を介して熱がステージに伝導した場合に、ス
テージを冷却することにより回路基板の温度上昇を抑制
する。これにより、半導体チップと回路基板との熱膨張
係数の差に起因する反りを抑制することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】（第１の実施形態）以下、本発明
の第１の実施形態について、図面を参照しながら説明す
る。図１は、本実施形態に係る半導体チップ実装用加熱
装置を使用したフリップチップボンディングの説明図で
ある。
の第１の実施形態について、図面を参照しながら説明す
る。図１は、本実施形態に係る半導体チップ実装用加熱
装置を使用したフリップチップボンディングの説明図で
ある。
【００１１】図１において、ステージ１は、上面が水平
になるように設けられている。回路基板２は、例えばガ
ラスエポキシ基板であって、ステージ１の上面に吸着に
よって保持されている。回路基板２上には、電極３が設
けられている。圧接ツール４には、セラミックヒータ５
と真空チャック６とが固定されている。半導体チップ７
は、真空チャック６によって保持されながらセラミック
ヒータ５によって加熱され、更に圧接ツール４によって
回路基板２に対して圧接される。半導体チップ７の電極
（図示なし）上には、半田バンプ８が設けられている。
つまり、圧接ツール４により半導体チップ７が回路基板
２に圧接される際には、半田バンプ８が電極３に圧接さ
れることになる。冷却装置９は、エアブロー１０によっ
てステージ１を冷却するための冷却手段である。
になるように設けられている。回路基板２は、例えばガ
ラスエポキシ基板であって、ステージ１の上面に吸着に
よって保持されている。回路基板２上には、電極３が設
けられている。圧接ツール４には、セラミックヒータ５
と真空チャック６とが固定されている。半導体チップ７
は、真空チャック６によって保持されながらセラミック
ヒータ５によって加熱され、更に圧接ツール４によって
回路基板２に対して圧接される。半導体チップ７の電極
（図示なし）上には、半田バンプ８が設けられている。
つまり、圧接ツール４により半導体チップ７が回路基板
２に圧接される際には、半田バンプ８が電極３に圧接さ
れることになる。冷却装置９は、エアブロー１０によっ
てステージ１を冷却するための冷却手段である。
【００１２】本実施形態に係る半導体チップ実装用加熱
装置を使用する場合の動作を、説明する。まず、ステー
ジ１上に回路基板２を保持し、真空チャック６によって
半導体チップ７を保持する。次に、セラミックヒータ５
によって半導体チップ７を加熱するとともに、回路基板
２の電極３に対して半導体チップ７の半田バンプ８を位
置合わせする。次に、圧接ツール４によって回路基板２
に対して半導体チップ７を圧接するとともに、冷却装置
９によってエアブロー１０をステージ１に吹き付けてス
テージ１を冷却する。ここで、セラミックヒータ５か
ら、真空チャック６と半導体チップ７とを順次介して回
路基板２に伝導した熱は、冷却されたステージ１に速や
かに拡散される。したがって、回路基板２の温度が、加
熱された半導体チップ７の温度よりも低い温度に一定に
維持されながら、溶融した半田バンプ８が半導体チップ
７の電極（図示なし）と回路基板２の電極３とを電気的
に接続する。
装置を使用する場合の動作を、説明する。まず、ステー
ジ１上に回路基板２を保持し、真空チャック６によって
半導体チップ７を保持する。次に、セラミックヒータ５
によって半導体チップ７を加熱するとともに、回路基板
２の電極３に対して半導体チップ７の半田バンプ８を位
置合わせする。次に、圧接ツール４によって回路基板２
に対して半導体チップ７を圧接するとともに、冷却装置
９によってエアブロー１０をステージ１に吹き付けてス
テージ１を冷却する。ここで、セラミックヒータ５か
ら、真空チャック６と半導体チップ７とを順次介して回
路基板２に伝導した熱は、冷却されたステージ１に速や
かに拡散される。したがって、回路基板２の温度が、加
熱された半導体チップ７の温度よりも低い温度に一定に
維持されながら、溶融した半田バンプ８が半導体チップ
７の電極（図示なし）と回路基板２の電極３とを電気的
に接続する。
【００１３】本実施形態に係る半導体チップ実装用加熱
装置の特徴は、半導体チップ７の半田バンプ８が溶融し
て回路基板２の電極３に接続される際に、回路基板２の
温度が、半導体チップ７の温度よりも低い一定の温度に
保たれることである。このことにより、半導体チップ７
に比べて大きい熱膨張係数を有する回路基板２の熱膨張
が抑制されるので、回路基板２と半導体チップ７とが一
体となった製品における反りが抑制される。したがっ
て、反りによって発生し半田バンプ８の根元に集中する
応力が軽減されるので、回路基板２と半導体チップ７と
の間の電気的な接触不良を防止できるとともに製品の長
寿命化が可能になる。
装置の特徴は、半導体チップ７の半田バンプ８が溶融し
て回路基板２の電極３に接続される際に、回路基板２の
温度が、半導体チップ７の温度よりも低い一定の温度に
保たれることである。このことにより、半導体チップ７
に比べて大きい熱膨張係数を有する回路基板２の熱膨張
が抑制されるので、回路基板２と半導体チップ７とが一
体となった製品における反りが抑制される。したがっ
て、反りによって発生し半田バンプ８の根元に集中する
応力が軽減されるので、回路基板２と半導体チップ７と
の間の電気的な接触不良を防止できるとともに製品の長
寿命化が可能になる。
【００１４】なお、エアブローによるステージの冷却に
ついて説明したが、冷却用のガスとしては、製造工程に
おいて容易に入手できる他の気体、例えばＮ2 ガスを使
用してもよい。更に、冷却用のガスに対して冷却器を使
用して、更に冷却効果を高めることもできる。
ついて説明したが、冷却用のガスとしては、製造工程に
おいて容易に入手できる他の気体、例えばＮ2 ガスを使
用してもよい。更に、冷却用のガスに対して冷却器を使
用して、更に冷却効果を高めることもできる。
【００１５】（第２の実施形態）以下、本発明の第２の
実施形態について、図面を参照しながら説明する。図２
は、本実施形態に係る半導体チップ実装用加熱装置を使
用したフリップチップボンディングの説明図である。
実施形態について、図面を参照しながら説明する。図２
は、本実施形態に係る半導体チップ実装用加熱装置を使
用したフリップチップボンディングの説明図である。
【００１６】図２において、ステージ１の内部であって
回路基板２が保持される面の近傍には、冷却液用配管１
１が設けられている。冷却液用配管１１の内部には、例
えば水からなる冷却液１２が封入されている。そして、
加熱された半導体チップ７が回路基板２に対して圧接さ
れる際に、冷却液１２が冷却液用配管１１内を循環する
ことによって、ステージ１が冷却される。したがって、
回路基板２の温度が、加熱された半導体チップ７の温度
よりも低い温度に一定に維持されつつ、溶融した半田バ
ンプ８が、半導体チップ７の電極（図示なし）と回路基
板２の電極３とを電気的に接続する。
回路基板２が保持される面の近傍には、冷却液用配管１
１が設けられている。冷却液用配管１１の内部には、例
えば水からなる冷却液１２が封入されている。そして、
加熱された半導体チップ７が回路基板２に対して圧接さ
れる際に、冷却液１２が冷却液用配管１１内を循環する
ことによって、ステージ１が冷却される。したがって、
回路基板２の温度が、加熱された半導体チップ７の温度
よりも低い温度に一定に維持されつつ、溶融した半田バ
ンプ８が、半導体チップ７の電極（図示なし）と回路基
板２の電極３とを電気的に接続する。
【００１７】本実施形態によっても、半導体チップ７に
比べて大きい熱膨張係数を有する回路基板２の熱膨張が
抑制されるので、回路基板２と半導体チップ７とが一体
となった製品における反りが抑制される。したがって、
反りによって発生し半田バンプ８の根元に集中する応力
が軽減されるので、回路基板２と半導体チップ７との間
の電気的な接触不良を防止できるとともに製品の長寿命
化が可能になる。
比べて大きい熱膨張係数を有する回路基板２の熱膨張が
抑制されるので、回路基板２と半導体チップ７とが一体
となった製品における反りが抑制される。したがって、
反りによって発生し半田バンプ８の根元に集中する応力
が軽減されるので、回路基板２と半導体チップ７との間
の電気的な接触不良を防止できるとともに製品の長寿命
化が可能になる。
【００１８】なお、以上説明した各実施形態において
は、ステージ１にヒータを内蔵させて温度制御し、冷却
と併用することもできる。この場合には、回路基板２と
半導体チップ７との熱膨張係数の差を考慮してステージ
１の温度を設定し、冷却とヒータによる温度制御との条
件を決定すればよい。
は、ステージ１にヒータを内蔵させて温度制御し、冷却
と併用することもできる。この場合には、回路基板２と
半導体チップ７との熱膨張係数の差を考慮してステージ
１の温度を設定し、冷却とヒータによる温度制御との条
件を決定すればよい。
【００１９】また、セラミックヒータ５を温度制御し
て、半田バンプ８を溶融・硬化させる際の温度プロファ
イルを設定することもできる。この場合には、温度プロ
ファイルに応じて、冷却の条件を制御することが好まし
い。例えば、加熱前の半導体チップ７を回路基板２に圧
接した後に、温度プロファイルにおける高温の部分では
エアブローや冷却液の流量を増加させることによって、
良好な接続と高信頼性とを有する製品が得られる。
て、半田バンプ８を溶融・硬化させる際の温度プロファ
イルを設定することもできる。この場合には、温度プロ
ファイルに応じて、冷却の条件を制御することが好まし
い。例えば、加熱前の半導体チップ７を回路基板２に圧
接した後に、温度プロファイルにおける高温の部分では
エアブローや冷却液の流量を増加させることによって、
良好な接続と高信頼性とを有する製品が得られる。
【００２０】また、回路基板２としてガラスエポキシ基
板を使用したが、これに限らず、シリコンよりも大きい
熱膨張係数を有する、例えばガラス、セラミック、金属
等をベース材とした回路基板を使用してもよい。
板を使用したが、これに限らず、シリコンよりも大きい
熱膨張係数を有する、例えばガラス、セラミック、金属
等をベース材とした回路基板を使用してもよい。
【００２１】また、半導体チップ７の電極上に予め半田
バンプ８を設けた構成について説明したが、これに代え
て、導電性物質として例えばＡｇ−Ｐｄの微粒子を混入
した導電性樹脂を使用してもよく、更に、回路基板２の
電極３上に予め導電性物質を設けてもよい。
バンプ８を設けた構成について説明したが、これに代え
て、導電性物質として例えばＡｇ−Ｐｄの微粒子を混入
した導電性樹脂を使用してもよく、更に、回路基板２の
電極３上に予め導電性物質を設けてもよい。
【００２２】更に、回路基板２と半導体チップ７との電
極同士に予めＡｕめっきを施し、電極同士を圧接した状
態で半導体チップ７の周囲に熱硬化性樹脂を塗布した後
に、本発明に係る半導体チップ実装用加熱装置を使用し
て熱硬化性樹脂を硬化させることもできる。この場合に
は、硬化した樹脂の応力によって、電極同士の電気的な
接続が確保される。
極同士に予めＡｕめっきを施し、電極同士を圧接した状
態で半導体チップ７の周囲に熱硬化性樹脂を塗布した後
に、本発明に係る半導体チップ実装用加熱装置を使用し
て熱硬化性樹脂を硬化させることもできる。この場合に
は、硬化した樹脂の応力によって、電極同士の電気的な
接続が確保される。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、半導体チップと回路基
板との電極同士を電気的に接続する際に、回路基板を、
半導体チップを加熱する第２の温度よりも低い第１の温
度に確実に維持することができる。これによって、半導
体チップと回路基板との熱膨張係数の差に起因する反り
を抑制することができるので、電極同士の接続部に印加
される応力が低減される。したがって、高信頼性を実現
する半導体チップ実装用加熱装置を提供できるという、
優れた実用的な効果を奏するものである。また、本発明
によれば、加熱された半導体チップから回路基板を介し
て熱がステージに伝導した場合に、ステージを冷却する
ことにより回路基板の温度上昇を抑制する。これによ
り、半導体チップと回路基板との熱膨張係数の差に起因
する反りを抑制することができるので、電極同士の接続
部に印加される応力が低減される。したがって、高信頼
性を実現する半導体チップ実装用加熱方法を提供できる
という、優れた実用的な効果を奏するものである
板との電極同士を電気的に接続する際に、回路基板を、
半導体チップを加熱する第２の温度よりも低い第１の温
度に確実に維持することができる。これによって、半導
体チップと回路基板との熱膨張係数の差に起因する反り
を抑制することができるので、電極同士の接続部に印加
される応力が低減される。したがって、高信頼性を実現
する半導体チップ実装用加熱装置を提供できるという、
優れた実用的な効果を奏するものである。また、本発明
によれば、加熱された半導体チップから回路基板を介し
て熱がステージに伝導した場合に、ステージを冷却する
ことにより回路基板の温度上昇を抑制する。これによ
り、半導体チップと回路基板との熱膨張係数の差に起因
する反りを抑制することができるので、電極同士の接続
部に印加される応力が低減される。したがって、高信頼
性を実現する半導体チップ実装用加熱方法を提供できる
という、優れた実用的な効果を奏するものである
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体チップ実
装用加熱装置を使用したフリップチップボンディングの
説明図である。
装用加熱装置を使用したフリップチップボンディングの
説明図である。
【図２】本発明の第２の実施形態に係る半導体チップ実
装用加熱装置を使用したフリップチップボンディングの
説明図である。
装用加熱装置を使用したフリップチップボンディングの
説明図である。
１ ステージ（保持手段） ２ 回路基板 ３ 電極 ４ 圧接ツール（圧接手段） ５ セラミックヒータ（加熱手段） ６ 真空チャック ７ 半導体チップ ８ 半田バンプ ９ 冷却装置 １０ エアブロー １１ 冷却液用配管 １２ 冷却液
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体チップの電極と回路基板の電極と
を電気的に接続する際に使用される半導体チップ実装用
加熱装置であって、 第１の温度を維持しながら前記回路基板を保持する保持
手段と、 前記回路基板に前記半導体チップを圧接する圧接手段
と、 前記第１の温度よりも高い第２の温度によって前記半導
体チップを加熱する加熱手段とを備えたことを特徴とす
る半導体チップ実装用加熱装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体チップ実装用加熱
装置において、 前記保持手段は気体によって冷却されることを特徴とす
る半導体チップ実装用加熱装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の半導体チップ実装用加熱
装置において、 前記保持手段は液体によって冷却されることを特徴とす
る半導体チップ実装用加熱装置。 - 【請求項４】 半導体チップの電極と回路基板の電極と
を電気的に接続するための半導体チップ実装用加熱方法
であって、 ステージによって前記回路基板を保持する工程と、 前記半導体チップと回路基板との電極同士を対向させた
後に位置合わせする工程と、 前記半導体チップを所定の温度に加熱する工程と、 前記保持された回路基板に前記半導体チップを圧接する
工程と、 前記ステージを冷却する工程とを備えたことを特徴とす
る半導体チップ実装用加熱方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11065908A JP2000260827A (ja) | 1999-03-12 | 1999-03-12 | 半導体チップ実装用加熱装置及び加熱方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11065908A JP2000260827A (ja) | 1999-03-12 | 1999-03-12 | 半導体チップ実装用加熱装置及び加熱方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000260827A true JP2000260827A (ja) | 2000-09-22 |
Family
ID=13300542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11065908A Pending JP2000260827A (ja) | 1999-03-12 | 1999-03-12 | 半導体チップ実装用加熱装置及び加熱方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000260827A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100433246C (zh) * | 2004-06-24 | 2008-11-12 | 夏普株式会社 | 接合装置、接合方法和用于制造半导体器件的方法 |
| US8067835B2 (en) | 2007-11-27 | 2011-11-29 | Renesas Electronics Corporation | Method and apparatus for manufacturing semiconductor module |
| JP2012104792A (ja) * | 2010-11-11 | 2012-05-31 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 半導体パッケージ基板の製造方法 |
| US9606456B2 (en) | 2014-05-21 | 2017-03-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Lithography apparatus, determination method, and method of manufacturing article |
| CN110654030A (zh) * | 2018-06-28 | 2020-01-07 | 松下知识产权经营株式会社 | 部件压接装置、片材设置单元及片材设置单元的安装方法 |
-
1999
- 1999-03-12 JP JP11065908A patent/JP2000260827A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| KR101751593B1 (ko) * | 2014-05-21 | 2017-06-27 | 캐논 가부시끼가이샤 | 리소그래피 장치, 결정 방법 및 물품의 제조 방법 |
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