JP2000252062A - 発光ディスプレイパネルの製造方法 - Google Patents
発光ディスプレイパネルの製造方法Info
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 安価で容易に製造できる発光ディスプレイパ
ネルの製造方法を提供する。 【解決手段】 基板上に透明電極層を形成する透明電極
形成工程と、金属電極パターニング用の溝に対応する位
置に溶解層を形成する溶解層形成工程と、前記基板上に
絶縁膜層を成膜する絶縁膜成膜工程と、前記絶縁膜層に
前記透明電極層の画素領域を露出する画素開口と前記溶
解層を露出される溝開口とを形成する開口形成工程と、
前記溶解層を溶解し前記金属電極パターニング用の溝を
形成する溝形成工程と、少なくとも前記画素領域におい
て前記発光層を形成する工程と、前記溝において分割さ
れるように複数の金属電極を形成する金属電極形成工程
と、を含む。
ネルの製造方法を提供する。 【解決手段】 基板上に透明電極層を形成する透明電極
形成工程と、金属電極パターニング用の溝に対応する位
置に溶解層を形成する溶解層形成工程と、前記基板上に
絶縁膜層を成膜する絶縁膜成膜工程と、前記絶縁膜層に
前記透明電極層の画素領域を露出する画素開口と前記溶
解層を露出される溝開口とを形成する開口形成工程と、
前記溶解層を溶解し前記金属電極パターニング用の溝を
形成する溝形成工程と、少なくとも前記画素領域におい
て前記発光層を形成する工程と、前記溝において分割さ
れるように複数の金属電極を形成する金属電極形成工程
と、を含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機ＥＬ（Electr
oluminecsence ）ディスプレイ等の発光ディスプレイパ
ネルの製造方法に関する。
oluminecsence ）ディスプレイ等の発光ディスプレイパ
ネルの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、透明基板上に形成した有機材料か
らなる発光体に電流を流して発光させる有機ＥＬ（エレ
クトロルミネッセンス）ディスプレイパネルが知られて
いる。
らなる発光体に電流を流して発光させる有機ＥＬ（エレ
クトロルミネッセンス）ディスプレイパネルが知られて
いる。
【０００３】図９はこの種のディスプレイパネルのうち
のマトリクス表示タイプのものを示しており、透明な基
板６上に、複数の透明電極層（第１電極層）２と、有機
化合物からなる発光層３と、透明電極層２に交差する複
数の金属電極層（第２電極層）１とが順次積層されて構
成される。
のマトリクス表示タイプのものを示しており、透明な基
板６上に、複数の透明電極層（第１電極層）２と、有機
化合物からなる発光層３と、透明電極層２に交差する複
数の金属電極層（第２電極層）１とが順次積層されて構
成される。
【０００４】図９に示されるように、複数の透明電極層
２は、その各々が帯状に形成されるとともに、所定の間
隔をおいて互いに平行となるように配列されており、複
数の金属電極層１は、その各々が透明電極層２に交差す
るように帯状に形成されるとともに、所定の間隔をおい
て互いに平行となるように配列されている。
２は、その各々が帯状に形成されるとともに、所定の間
隔をおいて互いに平行となるように配列されており、複
数の金属電極層１は、その各々が透明電極層２に交差す
るように帯状に形成されるとともに、所定の間隔をおい
て互いに平行となるように配列されている。
【０００５】これら透明電極層２と金属電極層１とが交
差する領域、すなわち、透明電極層２と金属電極層１と
が発光層３を挟んでいる領域が発光領域となり、マトリ
クスの１画素に対応している。また、図１０、図１１に
は、金属電極層１の縁部に沿って絶縁膜層９を形成した
発光ディスプレイパネルを示している。ここで図１０は
平面図であり、図１１は図１０におけるＡＡ′断面を示
す図である。なお、図１０においては、基板と発光層は
省略されている。図示されるように、絶縁膜層９は透明
電極層２と発光層３に挟まれるよう位置し、金属電極層
１の縁部に沿ってこれを覆うように延在している。
差する領域、すなわち、透明電極層２と金属電極層１と
が発光層３を挟んでいる領域が発光領域となり、マトリ
クスの１画素に対応している。また、図１０、図１１に
は、金属電極層１の縁部に沿って絶縁膜層９を形成した
発光ディスプレイパネルを示している。ここで図１０は
平面図であり、図１１は図１０におけるＡＡ′断面を示
す図である。なお、図１０においては、基板と発光層は
省略されている。図示されるように、絶縁膜層９は透明
電極層２と発光層３に挟まれるよう位置し、金属電極層
１の縁部に沿ってこれを覆うように延在している。
【０００６】このように絶縁膜層を配置することによ
り、発光画素に隣接した非発光画素が発光する現象、い
わゆるクロストーク現象を防止している。すなわち、電
流の漏洩しやすい電極層の縁部近傍に絶縁膜層を配する
ことにより、電極層の縁部から漏洩した電流が隣接する
非発光画素の発光層に流れ込むことを防止しているので
ある。
り、発光画素に隣接した非発光画素が発光する現象、い
わゆるクロストーク現象を防止している。すなわち、電
流の漏洩しやすい電極層の縁部近傍に絶縁膜層を配する
ことにより、電極層の縁部から漏洩した電流が隣接する
非発光画素の発光層に流れ込むことを防止しているので
ある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述した発光ディスプ
レイパネルにおいて、金属電極層は蒸着により形成され
るのが一般的であるが、マトリクスディスプレイの場合
は、金属電極層は複数に分離された状態で形成される必
要があるため、蒸着の際に、メタルマスクを用いてパタ
ーニング形成する必要がある。そのため、金属電極層の
形成作業が繁雑になるという問題があった。また、メタ
ルマスクに損傷があるとパターニングが不完全になるた
め、その都度新しいメタルマスクに取り替えなければな
らず、コスト高になるという問題があった。
レイパネルにおいて、金属電極層は蒸着により形成され
るのが一般的であるが、マトリクスディスプレイの場合
は、金属電極層は複数に分離された状態で形成される必
要があるため、蒸着の際に、メタルマスクを用いてパタ
ーニング形成する必要がある。そのため、金属電極層の
形成作業が繁雑になるという問題があった。また、メタ
ルマスクに損傷があるとパターニングが不完全になるた
め、その都度新しいメタルマスクに取り替えなければな
らず、コスト高になるという問題があった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明において
は、基板上に形成された複数の透明電極層と、前記透明
電極層の画素領域を露出する画素開口を有し金属電極パ
ターニング用の溝とを有する絶縁膜層と、少なくとも前
記画素領域において形成される発光層と、前記溝により
複数に分割されるとともに少なくとも画素領域を覆うよ
うに形成された金属電極層と、を有する発光ディスプレ
イパネルの製造方法であって、基板上に前記透明電極層
を形成する透明電極形成工程と、前記溝に対応する位置
に溶解層を形成する溶解層形成工程と、前記基板上に前
記絶縁膜層を成膜する絶縁膜成膜工程と、前記絶縁膜層
に前記透明電極層の画素領域を露出する画素開口と前記
溶解層を露出される溝開口とを形成する開口形成工程
と、前記溶解層を溶解し前記金属電極パターニング用の
溝を形成する溝形成工程と、少なくとも前記画素領域に
おいて前記発光層を形成する工程と、前記溝において分
割されるように複数の金属電極を形成する金属電極形成
工程と、を含む。
は、基板上に形成された複数の透明電極層と、前記透明
電極層の画素領域を露出する画素開口を有し金属電極パ
ターニング用の溝とを有する絶縁膜層と、少なくとも前
記画素領域において形成される発光層と、前記溝により
複数に分割されるとともに少なくとも画素領域を覆うよ
うに形成された金属電極層と、を有する発光ディスプレ
イパネルの製造方法であって、基板上に前記透明電極層
を形成する透明電極形成工程と、前記溝に対応する位置
に溶解層を形成する溶解層形成工程と、前記基板上に前
記絶縁膜層を成膜する絶縁膜成膜工程と、前記絶縁膜層
に前記透明電極層の画素領域を露出する画素開口と前記
溶解層を露出される溝開口とを形成する開口形成工程
と、前記溶解層を溶解し前記金属電極パターニング用の
溝を形成する溝形成工程と、少なくとも前記画素領域に
おいて前記発光層を形成する工程と、前記溝において分
割されるように複数の金属電極を形成する金属電極形成
工程と、を含む。
【０００９】請求項２の発明においては、前記絶縁膜層
はポリイミドとする。請求項３の発明においては、前記
開口形成工程は、前記絶縁膜層の上にレジスト層を成膜
するレジスト層形成工程と、前記レジスト層のうち前記
画素開口と前記溝開口に対応した領域のみ露光する露光
工程と、前記レジスト層の露光された領域とこれに対応
する絶縁膜層の領域を除去する現像工程と、を含む。
はポリイミドとする。請求項３の発明においては、前記
開口形成工程は、前記絶縁膜層の上にレジスト層を成膜
するレジスト層形成工程と、前記レジスト層のうち前記
画素開口と前記溝開口に対応した領域のみ露光する露光
工程と、前記レジスト層の露光された領域とこれに対応
する絶縁膜層の領域を除去する現像工程と、を含む。
【００１０】請求項４の発明においては、前記開口形成
工程において、前記溝開口は前記溶解層の上面の一部分
を露出させるものとして形成させる。請求項５の発明に
おいては、前記溶解層はクロームからなり、前記溝形成
工程において、前記溶解層は過塩素酸と硫酸アンモニウ
ムセリウムまたは硝酸アンモニウムセリウムと硝酸の混
合液によりエッチングされて除去する。
工程において、前記溝開口は前記溶解層の上面の一部分
を露出させるものとして形成させる。請求項５の発明に
おいては、前記溶解層はクロームからなり、前記溝形成
工程において、前記溶解層は過塩素酸と硫酸アンモニウ
ムセリウムまたは硝酸アンモニウムセリウムと硝酸の混
合液によりエッチングされて除去する。
【００１１】請求項６の発明においては、前記金属電極
層は蒸着により形成させる。また、請求項７の発明にお
いては、前記溶解層形成工程で形成する前記溶解層の断
面形状が矩形または台形とする。
層は蒸着により形成させる。また、請求項７の発明にお
いては、前記溶解層形成工程で形成する前記溶解層の断
面形状が矩形または台形とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づき本発明の実施
形態について説明する。図１、図２は本発明の第１実施
形態を示すものであり、図１は発光ディスプレイパネル
の平面図、図２は図１におけるＢＢ′断面を示すもので
ある。なお、図１においては透明基板及び発光層は省略
してある。
形態について説明する。図１、図２は本発明の第１実施
形態を示すものであり、図１は発光ディスプレイパネル
の平面図、図２は図１におけるＢＢ′断面を示すもので
ある。なお、図１においては透明基板及び発光層は省略
してある。
【００１３】基板６の一面上には、複数の透明電極層
（第１電極層）２が形成されている。これら透明電極層
２は、その各々が略帯状に形成され、且つ、所定の間隔
をおいて互いに平行となるように配列されている。
（第１電極層）２が形成されている。これら透明電極層
２は、その各々が略帯状に形成され、且つ、所定の間隔
をおいて互いに平行となるように配列されている。
【００１４】透明電極層２の上には複数の絶縁膜層１０
９が形成される。これら絶縁膜層１０９は、その各々が
透明電極層２と直交する方向に伸長する略帯状に形成さ
れ、且つ、所定の間隔をおいて互いに平行となるように
配列されている。
９が形成される。これら絶縁膜層１０９は、その各々が
透明電極層２と直交する方向に伸長する略帯状に形成さ
れ、且つ、所定の間隔をおいて互いに平行となるように
配列されている。
【００１５】これにより、絶縁膜層１０９は透明電極層
２の一部を覆うとともに一部を露出するようになってい
る。ここで絶縁膜層１０９の上部側（基板６と反対とな
る側）の略中央には、絶縁膜層１０９の伸長方向に沿っ
た溝１０７が形成されている。
２の一部を覆うとともに一部を露出するようになってい
る。ここで絶縁膜層１０９の上部側（基板６と反対とな
る側）の略中央には、絶縁膜層１０９の伸長方向に沿っ
た溝１０７が形成されている。
【００１６】この溝１０７は金属電極層１０１を複数に
分離させるようにパターニング形成するためのものであ
り、その断面形状は、図２に示すように、上辺が下辺よ
りも短い断面形状とされる。金属電極層１０１のパター
ニング形成については後述する。
分離させるようにパターニング形成するためのものであ
り、その断面形状は、図２に示すように、上辺が下辺よ
りも短い断面形状とされる。金属電極層１０１のパター
ニング形成については後述する。
【００１７】絶縁膜層１０９の間隙から露出する透明電
極層２の上には有機化合物からなる発光層１０３が形成
される。この発光層１０３は、必要に応じて電子輸送
層、正孔輸送層等を含んで形成される。この発光層１０
３の上には複数の金属電極層（第２電極層）１０１が形
成される。
極層２の上には有機化合物からなる発光層１０３が形成
される。この発光層１０３は、必要に応じて電子輸送
層、正孔輸送層等を含んで形成される。この発光層１０
３の上には複数の金属電極層（第２電極層）１０１が形
成される。
【００１８】これらの金属電極層１０１は、各々が透明
電極層２に直交する方向に伸長する略帯状に形成されて
絶縁膜層１０９の間隙に配されており、所定の間隙をお
いて互いに平行となるように配列されている。これによ
り、透明電極層２と金属電極層１０１とが交差する領域
において発光層１０３を挟みこむようになっており、こ
の交差領域の一つがマトリクスの１画素に対応するよう
になっている。
電極層２に直交する方向に伸長する略帯状に形成されて
絶縁膜層１０９の間隙に配されており、所定の間隙をお
いて互いに平行となるように配列されている。これによ
り、透明電極層２と金属電極層１０１とが交差する領域
において発光層１０３を挟みこむようになっており、こ
の交差領域の一つがマトリクスの１画素に対応するよう
になっている。
【００１９】また金属電極層１０１は、後述する製法に
より、隣り合う金属電極層１０１が絶縁膜層１０９の溝
１０７によって分断されるようにパターニング形成され
るので、金属電極層１０１の縁部は絶縁膜層１０９の縁
部を覆うように配される。これにより、前述したクロス
トーク発光が防止されるようになっている。
より、隣り合う金属電極層１０１が絶縁膜層１０９の溝
１０７によって分断されるようにパターニング形成され
るので、金属電極層１０１の縁部は絶縁膜層１０９の縁
部を覆うように配される。これにより、前述したクロス
トーク発光が防止されるようになっている。
【００２０】図３は本発明の第２実施形態を示すもので
ある。同図は発光ディスプレイパネルを平面から示した
ものであり、透明基板及び発光層は省略されている。本
実施形態は絶縁膜層の構造において第１実施形態と相違
しており、絶縁膜層以外の構成は第１実施形態と同一で
ある。
ある。同図は発光ディスプレイパネルを平面から示した
ものであり、透明基板及び発光層は省略されている。本
実施形態は絶縁膜層の構造において第１実施形態と相違
しており、絶縁膜層以外の構成は第１実施形態と同一で
ある。
【００２１】すなわち、図３に示す絶縁膜層３０９は、
透明電極層２と金属電極層１０１が交差する領域のみを
露出すべく、該交差領域に対応する部分に略矩形状の開
口３０３が形成されるように構成したものであり、透明
電極層２に直交する方向（図のｘ方向）に伸長しその各
々が所定間隔をおいて互いに平行である複数の第１方向
伸長部３０１と、透明電極層２に平行な方向（図のｙ方
向）に伸長しその各々が隣り合う金属電極層１０１の間
隙領域に位置する複数の第２方向伸長部３０２とからな
る、全体が略格子状の構造となっている。
透明電極層２と金属電極層１０１が交差する領域のみを
露出すべく、該交差領域に対応する部分に略矩形状の開
口３０３が形成されるように構成したものであり、透明
電極層２に直交する方向（図のｘ方向）に伸長しその各
々が所定間隔をおいて互いに平行である複数の第１方向
伸長部３０１と、透明電極層２に平行な方向（図のｙ方
向）に伸長しその各々が隣り合う金属電極層１０１の間
隙領域に位置する複数の第２方向伸長部３０２とからな
る、全体が略格子状の構造となっている。
【００２２】尚、開口３０３は、図示されるように、前
記交差領域に収まる大きさに形成される。これにより、
透明電極層２および金属電極層１０１の縁部は絶縁膜に
確実に覆われるため、クロストークが確実に防止され
る。
記交差領域に収まる大きさに形成される。これにより、
透明電極層２および金属電極層１０１の縁部は絶縁膜に
確実に覆われるため、クロストークが確実に防止され
る。
【００２３】また、第１方向伸長部３０１の上部側（基
板と反対となる側）の略中央には、絶縁膜層３０９の伸
長方向に沿った溝３０７が形成されているが、これは第
１実施形態と同様に、金属電極層１０１を複数に分離さ
せるようにパターニング形成するためのものである。
板と反対となる側）の略中央には、絶縁膜層３０９の伸
長方向に沿った溝３０７が形成されているが、これは第
１実施形態と同様に、金属電極層１０１を複数に分離さ
せるようにパターニング形成するためのものである。
【００２４】次に本発明の発光ディスプレイパネルの製
造方法について説明する。まずガラス等からなる透明基
板の一面にＩＴＯ等からなる透明電極層をスパッタリン
グ法等によって所定の形状にパターン形成する。次に、
透明電極層の上に絶縁膜層を所定の形状に形成する。こ
こで、絶縁膜層の材料はＳｉＯ2 等の無機物やポリイミ
ド等の有機物が用いられ、パターニング形成はエッチン
グ法等で行われる。
造方法について説明する。まずガラス等からなる透明基
板の一面にＩＴＯ等からなる透明電極層をスパッタリン
グ法等によって所定の形状にパターン形成する。次に、
透明電極層の上に絶縁膜層を所定の形状に形成する。こ
こで、絶縁膜層の材料はＳｉＯ2 等の無機物やポリイミ
ド等の有機物が用いられ、パターニング形成はエッチン
グ法等で行われる。
【００２５】絶縁膜層を成膜した後は、絶縁膜層の所定
の位置に溝を形成する。この溝形成は、反応性ガスのイ
オンと中性な活性種の相互作用によりエッチングを進行
させるといわれる反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ）
等によって行われる。
の位置に溝を形成する。この溝形成は、反応性ガスのイ
オンと中性な活性種の相互作用によりエッチングを進行
させるといわれる反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ）
等によって行われる。
【００２６】例えば、絶縁膜層をポリイミドで形成する
場合は、まず図４に示すように、絶縁膜層４０９の上に
溝に対応する開口が形成されたマスク４０１を配置し、
これをＯ2 雰囲気中またはＯ2 とＨｅの混合雰囲気中に
配するとともに、高周波等のプラズマ発生手段により該
雰囲気中に活性ガスプラズマを発生させ、これが分離し
て発生するイオンと活性種により、ポリイミドのマスク
４０１の開口から露出された部分からエッチングを進行
させる。
場合は、まず図４に示すように、絶縁膜層４０９の上に
溝に対応する開口が形成されたマスク４０１を配置し、
これをＯ2 雰囲気中またはＯ2 とＨｅの混合雰囲気中に
配するとともに、高周波等のプラズマ発生手段により該
雰囲気中に活性ガスプラズマを発生させ、これが分離し
て発生するイオンと活性種により、ポリイミドのマスク
４０１の開口から露出された部分からエッチングを進行
させる。
【００２７】雰囲気の圧力の調整により溝形状のエッチ
ングの進行状況が変わるため、これを適宜設定すること
により所望の溝形状を得ることが可能とされる。図２に
示した上辺が下辺よりも短い略台形状を得るには、雰囲
気の圧力を高くするか、または、一旦低圧力のもとで略
矩形状の仮溝を形成し、その後図５に示すように、仮溝
の底面にマスク５０１を施し、再度エッチングを行うと
いった方法がある。
ングの進行状況が変わるため、これを適宜設定すること
により所望の溝形状を得ることが可能とされる。図２に
示した上辺が下辺よりも短い略台形状を得るには、雰囲
気の圧力を高くするか、または、一旦低圧力のもとで略
矩形状の仮溝を形成し、その後図５に示すように、仮溝
の底面にマスク５０１を施し、再度エッチングを行うと
いった方法がある。
【００２８】溝が形成された後はマスクを除去する工程
が行われる。その後、有機化合物を蒸着法等により所定
の位置に積層することで発光層を形成し、更に、金属材
料を蒸着法により所定の位置に積層することで金属電極
層を形成する。このとき、図２にも示すように、積層さ
れる金属材料は絶縁膜層１０９に形成された溝１０７に
よって分断されるため、金属電極層１０１は各々が略帯
状である複数に分離された状態にパターニング形成され
る。なお、金属電極層１０１を確実に分離するために
は、溝１０７の深さ幅が発光層１０３と金属電極層１０
１の厚み幅よりも大きくすることが望ましい。
が行われる。その後、有機化合物を蒸着法等により所定
の位置に積層することで発光層を形成し、更に、金属材
料を蒸着法により所定の位置に積層することで金属電極
層を形成する。このとき、図２にも示すように、積層さ
れる金属材料は絶縁膜層１０９に形成された溝１０７に
よって分断されるため、金属電極層１０１は各々が略帯
状である複数に分離された状態にパターニング形成され
る。なお、金属電極層１０１を確実に分離するために
は、溝１０７の深さ幅が発光層１０３と金属電極層１０
１の厚み幅よりも大きくすることが望ましい。
【００２９】このように本発明は、金属電極層のパター
ニング形成を絶縁膜層に形成した溝によって行うため、
パターニング専用のメタルマスク等を用いる必要がなく
なり、またメタルマスクの欠損による不完全なパターニ
ングといった不具合を回避することができ、金属電極層
のパターニング形成を確実に行うことができる。
ニング形成を絶縁膜層に形成した溝によって行うため、
パターニング専用のメタルマスク等を用いる必要がなく
なり、またメタルマスクの欠損による不完全なパターニ
ングといった不具合を回避することができ、金属電極層
のパターニング形成を確実に行うことができる。
【００３０】なお、溝の断面形状は上辺が下辺よりも短
い略台形状としたが、これに限られることはなく、蒸着
により積層される金属材料を分断できるものであればど
のような断面形状でも良い。ただし、溝の側壁に金属材
料が付着すると金属電極層のパターニングが不完全とな
り、隣り合う金属電極層がショートする恐れがあるた
め、これを回避するためには溝の断面形状を上辺が下辺
よりも短い略台形状とすることが望ましい。
い略台形状としたが、これに限られることはなく、蒸着
により積層される金属材料を分断できるものであればど
のような断面形状でも良い。ただし、溝の側壁に金属材
料が付着すると金属電極層のパターニングが不完全とな
り、隣り合う金属電極層がショートする恐れがあるた
め、これを回避するためには溝の断面形状を上辺が下辺
よりも短い略台形状とすることが望ましい。
【００３１】また、蒸着方向（金属材料が基板に対して
飛んでくる方向）を考慮して側壁に金属材料が付着しな
いように、側壁の形状、及び傾斜角度を適宜設定しても
よい。例えば、図６は、溝６０７の側壁を略曲面状にす
ることで蒸着方向に対して影になる範囲を設け、積層さ
れる金属材料を分断した例を示すものである。また、溝
を形成した後になされるマスクを除去する工程は省略す
ることが可能である。
飛んでくる方向）を考慮して側壁に金属材料が付着しな
いように、側壁の形状、及び傾斜角度を適宜設定しても
よい。例えば、図６は、溝６０７の側壁を略曲面状にす
ることで蒸着方向に対して影になる範囲を設け、積層さ
れる金属材料を分断した例を示すものである。また、溝
を形成した後になされるマスクを除去する工程は省略す
ることが可能である。
【００３２】つぎに図７および図８を参照して本発明に
おける第２の発光ディスプレイパネルの製造方法を説明
する。なお図７および図８は図１のＢＢ′線断面を示し
ている。図７（Ａ）において、６は基板、２は透明電極
層、７０１は溶解層、７０２は絶縁膜層、７０３はレジ
スト層、７０４はマスク、７０４ａおよび７０４ｂはマ
スク７０４に設けられた開口である。
おける第２の発光ディスプレイパネルの製造方法を説明
する。なお図７および図８は図１のＢＢ′線断面を示し
ている。図７（Ａ）において、６は基板、２は透明電極
層、７０１は溶解層、７０２は絶縁膜層、７０３はレジ
スト層、７０４はマスク、７０４ａおよび７０４ｂはマ
スク７０４に設けられた開口である。
【００３３】すなわち、基板６上にＩＴＯによる透明電
極層２を形成し、形成された透明電極層２の上に透明電
極層２と直交して図１の溝１０７の位置に例えばクロー
ムによる溶解層７０１を複数平行に形成し、その上にポ
リイミドによる絶縁膜層７０２を形成し、絶縁膜層７０
２の表面にレジスト層７０３を形成し、マスク７０４を
配置する。
極層２を形成し、形成された透明電極層２の上に透明電
極層２と直交して図１の溝１０７の位置に例えばクロー
ムによる溶解層７０１を複数平行に形成し、その上にポ
リイミドによる絶縁膜層７０２を形成し、絶縁膜層７０
２の表面にレジスト層７０３を形成し、マスク７０４を
配置する。
【００３４】マスク７０４に設けられた開口７０４ａは
図１の金属電極層１０１が形成される位置に、すなわち
溶解層７０１間の中央に溶解層７０１間の間隔より狭い
巾で透明電極層２と直交して設けられており、また開口
７０４ｂは溶解層７０１の上に溶解層７０１の巾より狭
い巾で設けられている。
図１の金属電極層１０１が形成される位置に、すなわち
溶解層７０１間の中央に溶解層７０１間の間隔より狭い
巾で透明電極層２と直交して設けられており、また開口
７０４ｂは溶解層７０１の上に溶解層７０１の巾より狭
い巾で設けられている。
【００３５】マスク７０４を介してレジストに光を照射
させ、アルカリ水溶液等による現像液に浸すとレジスト
層７０３の露光された部分が溶解して絶縁膜層７０２の
ポリイミドが露出し、更に現像液に浸し続けるとポリイ
ミドも溶け、その後、レジスト層を剥離すると、図７
（Ｂ）に示されるように、透明電極層２の画素部分と溶
解層７０１の一部が露出する。
させ、アルカリ水溶液等による現像液に浸すとレジスト
層７０３の露光された部分が溶解して絶縁膜層７０２の
ポリイミドが露出し、更に現像液に浸し続けるとポリイ
ミドも溶け、その後、レジスト層を剥離すると、図７
（Ｂ）に示されるように、透明電極層２の画素部分と溶
解層７０１の一部が露出する。
【００３６】つぎにクロームで形成された溶解層７０１
を溶解するために過塩素酸と硫酸アンモニウムセリウム
または硝酸アンモニウムセリウムと硝酸の混合液に浸
し、溶解層７０１のみを溶解させる。溶解層７０１を溶
解すると、図７（Ｃ）に示すように、溶解層７０１の所
に図１の溝１０７に対応する溝７０５が形成される。
を溶解するために過塩素酸と硫酸アンモニウムセリウム
または硝酸アンモニウムセリウムと硝酸の混合液に浸
し、溶解層７０１のみを溶解させる。溶解層７０１を溶
解すると、図７（Ｃ）に示すように、溶解層７０１の所
に図１の溝１０７に対応する溝７０５が形成される。
【００３７】溝７０５が形成されると、図８（Ｄ）に示
されるように、全面に発光層７０６を蒸着して形成す
る。発光層７０６が形成されると、図８（Ｅ）に示され
るように、全面に金層を蒸着させて金属電極層７０７を
形成する。
されるように、全面に発光層７０６を蒸着して形成す
る。発光層７０６が形成されると、図８（Ｅ）に示され
るように、全面に金層を蒸着させて金属電極層７０７を
形成する。
【００３８】金属電極層７０７が形成されると、図８
（Ｆ）に示されるように、全面に封止層７０８を形成し
て完成する。なお実施例では溶解層７０１の断面が矩形
であるが、台形断面としてもよく、この場合はマスク７
０４の開口７０４の巾を台形の上面の巾と等しくして露
光させてもよい。
（Ｆ）に示されるように、全面に封止層７０８を形成し
て完成する。なお実施例では溶解層７０１の断面が矩形
であるが、台形断面としてもよく、この場合はマスク７
０４の開口７０４の巾を台形の上面の巾と等しくして露
光させてもよい。
【００３９】また実施例としては溶解層７０１をクロー
ムで形成させるようにしていたが、透明電極層および絶
縁膜層７０２は溶解せずに溶解層７０１のみが溶解する
材料および溶解液を用いて図７（Ｃ）で説明したように
溝７０５を形成させるようにしてもよい。なおこの場合
溶解層の材料が絶縁材料で形成される場合は、溶解層の
溶解を透明電極層が表れるまで溶解する必要はない。
ムで形成させるようにしていたが、透明電極層および絶
縁膜層７０２は溶解せずに溶解層７０１のみが溶解する
材料および溶解液を用いて図７（Ｃ）で説明したように
溝７０５を形成させるようにしてもよい。なおこの場合
溶解層の材料が絶縁材料で形成される場合は、溶解層の
溶解を透明電極層が表れるまで溶解する必要はない。
【００４０】以上においては、発光層が有機化合物から
なる有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル
を例にあげて説明したが、本発明はこれに限られるもの
ではなく、絶縁膜層を有し金属電極層をパターン形成す
る必要のあるディスプレイパネルであれば適用すること
ができる。
なる有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル
を例にあげて説明したが、本発明はこれに限られるもの
ではなく、絶縁膜層を有し金属電極層をパターン形成す
る必要のあるディスプレイパネルであれば適用すること
ができる。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明の発光ディ
スプレイ及びその製造方法においては、絶縁膜層の上部
に形成した溝によって金属電極層を複数に分離して形成
することができるので、メタルマスク等を用いることが
なくコスト安になるとともに、金属電極層のパターニン
グ形成を良好に行うことができる。
スプレイ及びその製造方法においては、絶縁膜層の上部
に形成した溝によって金属電極層を複数に分離して形成
することができるので、メタルマスク等を用いることが
なくコスト安になるとともに、金属電極層のパターニン
グ形成を良好に行うことができる。
【図１】本発明における発光ディスプレイパネルの第１
の実施形態の構造を示す部分平面図である。
の実施形態の構造を示す部分平面図である。
【図２】図１に示す発光ディスプレイパネルのＢＢ′断
面を示すものである。
面を示すものである。
【図３】本発明における発光ディスプレイパネルの第２
実施形態の構造を示す部分平面図である。
実施形態の構造を示す部分平面図である。
【図４】本発明における発光ディスプレイパネルの製造
工程を示す部分断面図である。
工程を示す部分断面図である。
【図５】本発明における発光ディスプレイパネルの製造
工程を示す部分断面図である。
工程を示す部分断面図である。
【図６】本発明における発光ディスプレイパネルの形成
過程を示す部分断面図である。
過程を示す部分断面図である。
【図７】本発明における第２の発光ディスプレイパネル
の製造工程を示す部分断面図である。
の製造工程を示す部分断面図である。
【図８】本発明における第２の発光ディスプレイパネル
の製造工程を示す部分断面図である。
の製造工程を示す部分断面図である。
【図９】従来における発光ディスプレイパネルの構造を
示す部分斜視図である。
示す部分斜視図である。
【図１０】従来における発光ディスプレイパネルの構造
を示す部分平面図である。
を示す部分平面図である。
【図１１】従来における発光ディスプレイパネルの構造
を示す部分断面図である。
を示す部分断面図である。
１０１，７０７ 金属電極層 ２ 透明電極層 １０３，７０６ 発光層 ６ 基板 １０７，３０７，６０７，７０５ 溝 １０９，３０９，４０９，７０２ 絶縁膜層 ３０１ 第１方向伸長部 ３０２ 第２方向伸長部 ３０３，７０４ａ，７０４ｂ 開口 ４０１，５０１，７０４ マスク ７０１ 溶解層 ７０３ レジスト層 ７０８ 封止層
Claims (7)
- 【請求項１】 基板上に形成された複数の透明電極層
と、前記透明電極層の画素領域を露出する画素開口を有
し金属電極パターニング用の溝とを有する絶縁膜層と、
少なくとも前記画素領域において形成される発光層と、
前記溝により複数に分割されるとともに少なくとも画素
領域を覆うように形成された金属電極層と、を有する発
光ディスプレイパネルの製造方法であって、 基板上に前記透明電極層を形成する透明電極形成工程
と、 前記溝に対応する位置に溶解層を形成する溶解層形成工
程と、 前記基板上に前記絶縁膜層を成膜する絶縁膜成膜工程
と、 前記絶縁膜層に前記透明電極層の画素領域を露出する画
素開口と前記溶解層を露出される溝開口とを形成する開
口形成工程と、 前記溶解層を溶解し前記金属電極パターニング用の溝を
形成する溝形成工程と、 少なくとも前記画素領域において前記発光層を形成する
工程と、 前記溝において分割されるように複数の金属電極を形成
する金属電極形成工程と、を含むことを特徴とする発光
ディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項２】 前記絶縁膜層はポリイミドであることを
特徴とする請求項１記載の発光ディスプレイパネルの製
造方法。 - 【請求項３】 前記開口形成工程は、前記絶縁膜層の上
にレジスト層を成膜するレジスト層形成工程と、前記レ
ジスト層のうち前記画素開口と前記溝開口に対応した領
域のみ露光する露光工程と、前記レジスト層の露光され
た領域とこれに対応する絶縁膜層の領域を除去する現像
工程と、を含むことを特徴とする請求項１または２記載
の発光ディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項４】 前記開口形成工程において、前記溝開口
は前記溶解層の上面の一部分を露出させるものとして形
成されることを特徴とする請求項１，２または３記載の
発光ディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項５】 前記溶解層はクロームからなり、前記溝
形成工程において、前記溶解層は過塩素酸と硫酸アンモ
ニウムセリウムまたは硝酸アンモニウムセリウムと硝酸
の混合液によりエッチングされて除去されることを特徴
とする請求項１，２，３または４記載の発光ディスプレ
イパネルの製造方法。 - 【請求項６】 前記金属電極層は蒸着により形成される
ことを特徴とする請求項１，２，３，４または５記載の
発光ディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項７】 前記溶解層形成工程で形成する前記溶解
層の断面形状が矩形または台形であることを特徴とする
請求項１，２，３，４，５または６記載の発光ディスプ
レイパネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11056635A JP2000252062A (ja) | 1999-03-04 | 1999-03-04 | 発光ディスプレイパネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11056635A JP2000252062A (ja) | 1999-03-04 | 1999-03-04 | 発光ディスプレイパネルの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000252062A true JP2000252062A (ja) | 2000-09-14 |
Family
ID=13032795
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11056635A Withdrawn JP2000252062A (ja) | 1999-03-04 | 1999-03-04 | 発光ディスプレイパネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000252062A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003045670A (ja) * | 2001-07-30 | 2003-02-14 | Toyota Industries Corp | 有機ｅｌディスプレイパネル及びその製造方法 |
| JP2004171943A (ja) * | 2002-11-20 | 2004-06-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法 |
| JP2005197228A (ja) * | 2003-12-30 | 2005-07-21 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 有機電界発光素子とその製造方法 |
| KR100768710B1 (ko) | 2006-02-15 | 2007-10-19 | 주식회사 대우일렉트로닉스 | 유기 발광 소자의 제조 방법 |
| WO2009084209A1 (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-09 | Panasonic Corporation | 有機ｅｌデバイスおよび有機ｅｌディスプレイパネル、ならびにそれらの製造方法 |
| KR101143356B1 (ko) | 2005-06-30 | 2012-05-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 |
| WO2016042638A1 (ja) * | 2014-09-18 | 2016-03-24 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
| CN107078464A (zh) * | 2014-10-20 | 2017-08-18 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 用于对层序列进行结构化的方法和半导体激光器设备 |
| CN108352147A (zh) * | 2015-11-13 | 2018-07-31 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 用于视频墙的模块 |
-
1999
- 1999-03-04 JP JP11056635A patent/JP2000252062A/ja not_active Withdrawn
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| KR101143356B1 (ko) | 2005-06-30 | 2012-05-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 |
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| US10312664B2 (en) | 2014-10-20 | 2019-06-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for patterning a sequence of layers and semiconductor laser device |
| CN108352147A (zh) * | 2015-11-13 | 2018-07-31 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 用于视频墙的模块 |
| CN108352147B (zh) * | 2015-11-13 | 2021-02-26 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 用于视频墙的模块 |
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