[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP2000251769A - Image display device - Google Patents

Image display device

Info

Publication number
JP2000251769A
JP2000251769A JP11049199A JP4919999A JP2000251769A JP 2000251769 A JP2000251769 A JP 2000251769A JP 11049199 A JP11049199 A JP 11049199A JP 4919999 A JP4919999 A JP 4919999A JP 2000251769 A JP2000251769 A JP 2000251769A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
image display
display device
electron
adhesive
envelope
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP11049199A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Mitsutoshi Hasegawa
光利 長谷川
Hiroharu Ueda
弘治 上田
Kazuya Shigeoka
和也 重岡
Yoshitaka Arai
由高 荒井
Kazuo Koyanagi
和夫 小▲柳▼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP11049199A priority Critical patent/JP2000251769A/en
Publication of JP2000251769A publication Critical patent/JP2000251769A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an enclosure for an image display device less in brightness reduction or life shortening, and sufficient in getter effect, by realizing an adhesion process at a temperature about 400 deg.C or below required at the minimum for a frit adhesion (sealing) process. SOLUTION: A rear plate 2 and a face plate 4 are joined respectively at joining parts to an outer frame 3 through polymer thermoplastic adhesives 9, 14 containing a polyphenyl compound. As the adhesives, a polymer thermoplastic adhesive containing polyether, polysulfone or polyether ketone, of the like is named. Especially a polymer thermoplastic sheet-shaped adhesive mainly composed of polyether ketone is used and heated to 330 deg.C or higher, to soften and crimp the adhesive, and the adhesive is hardened and bonded in a temperature-lowering process. Polyether ketone is preferable compared with other adhesives, especially from the viewpoint of a small quantity of emission gas in a vacuum baking process.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明が属する技術分野】本発明は、ガラス部材を接合
剤を用いて接合した外囲器、及びこの外囲器を用いた画
像表示装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an envelope in which glass members are joined by using a joining agent, and an image display device using the envelope.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、内部を真空に維持することを可能
にする外囲器において、フェースプレート(蛍光体基
板)とリアプレート(電子放出基板)と外枠の接合部分
に、接合剤としてフリット(低融点ガラス)が用いられ
ている。
2. Description of the Related Art Conventionally, in an envelope capable of maintaining the inside thereof in a vacuum, a frit is used as a bonding agent at a joint between a face plate (phosphor substrate), a rear plate (electron emission substrate) and an outer frame. (Low-melting glass).

【0003】すなわち、接合剤として、接合部分にフリ
ットの層を形成し、次いで焼成することにより、接合部
分が気密に接着され、内部を真空維持可能な外囲器が構
成される。このフリットを用いたガラスの接着は、大気
中(常圧)において、およそ400〜500℃での焼成
が必要である。
[0003] That is, a frit layer is formed on a joint portion as a joining agent and then fired, whereby the joint portion is air-tightly bonded to form an envelope capable of maintaining the inside in a vacuum. Bonding of glass using this frit requires firing at about 400 to 500 ° C. in the atmosphere (normal pressure).

【0004】又、一般に電子を利用した画像表示装置に
おいては、ガラス部材であるフェースプレート、リアプ
レート及び外枠からなる真空(減圧)雰囲気を維持する
外囲器、電子を放出させるための電子源とその駆動回
路、電子の衝突により発光する蛍光体等を有する画像形
成部材、電子を画像形成部材に向けて加速するための加
速電極とその高圧電源等が必要である。
In general, in an image display device using electrons, an envelope for maintaining a vacuum (reduced pressure) atmosphere comprising a face plate, a rear plate and an outer frame, which are glass members, and an electron source for emitting electrons. And a driving circuit therefor, an image forming member having a phosphor or the like which emits light by collision of electrons, an accelerating electrode for accelerating electrons toward the image forming member, a high-voltage power supply, and the like.

【0005】図16は、特開平8−83578号公報に
開示された電子放出素子を用いた画像表示装置の斜視図
である。
FIG. 16 is a perspective view of an image display device using an electron-emitting device disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-83578.

【0006】図17は、図16に示されたこの画像表示
装置のB−B′断面図である。図17に示すように、フ
リット1704,1705を介して、リアプレート(電
子放出素子基板)1701及びフェースプレート170
2は外枠1703との接合部分において、それぞれ接合
(もしくは封着)されている。図中、1701は青板ガ
ラスからなるリアプレート、1702は青板ガラスから
なるフェースプレート、1703は青板ガラスからなる
外枠、1706は上配線、1707は素子電極(上配線
側)、1708は電子放出部を含む導電性薄膜、170
9は蛍光体、1710はメタルバックである。なお、下
配線及び素子電極(下配線側)は図示していない。
FIG. 17 is a sectional view taken along the line BB 'of the image display device shown in FIG. As shown in FIG. 17, a rear plate (electron-emitting device substrate) 1701 and a face plate 170 are interposed via frits 1704 and 1705.
Numerals 2 are joined (or sealed) at joints with the outer frame 1703. In the drawing, 1701 is a rear plate made of soda lime glass, 1702 is a face plate made of soda lime glass, 1703 is an outer frame made of soda lime glass, 1706 is an upper wiring, 1707 is an element electrode (upper wiring side), and 1708 is an electron emitting portion. A conductive thin film comprising: 170
9 is a phosphor, and 1710 is a metal back. The lower wiring and the element electrode (lower wiring side) are not shown.

【0007】また、例えば、特開平9−082245号
公報に開示されているように、薄型画像表示装置のよう
に偏平な外囲器を用いる画像表示装置においては、ゲッ
タを真空維持のために設置することがある。
For example, in an image display apparatus using a flat envelope such as a thin image display apparatus as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-082245, a getter is provided for maintaining a vacuum. May be.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来例の
画像表示装置をはじめとする外囲器の接合部分に、接合
剤としてフリット接着(封着)が用いられた場合には、
最低およそ400℃での焼成が必要であるため、以下の
ような問題点があった。
However, when frit bonding (sealing) is used as a bonding agent at a bonding portion of an envelope including the above-described conventional image display device,
Since firing at a temperature of at least about 400 ° C. is required, there are the following problems.

【0009】(1)フリット接着工程では、通常、仮焼
成工程を行った後、接着工程を行うという2度の焼成工
程が必要とされるために、より低温で1工程で行える接
着工程に比べて、温度が高く、より多くの時間を要す
る。
(1) In the frit bonding step, usually, a calcination step is performed, and then a bonding step is performed twice. Therefore, compared to a bonding step which can be performed at a lower temperature in a single step. Therefore, the temperature is high and it takes more time.

【0010】(2)電子放出素子を用いた画像表示装置
では、予めフォーミング・活性化を行った後、フリット
接着(封着)を行うと、接着温度が高温であるほど熱に
よる特性劣化すなわち電子放出電流の低下による輝度低
下や寿命短縮が起きることがある。
(2) In an image display device using an electron-emitting device, if frit bonding (sealing) is performed after forming and activating beforehand, the higher the bonding temperature is, the more the characteristic deterioration due to heat, that is, electron Luminance and life may be shortened due to a decrease in emission current.

【0011】(3)ゲッタを用いた場合に、400℃程
度の高温になると、ゲッタ材の酸化等が進行しゲッタリ
ング効果が、低下することがある。
(3) When a getter is used, if the temperature is raised to about 400 ° C., the getter material may be oxidized and the gettering effect may be reduced.

【0012】そこで、本発明は、フリット接着(封着)
工程に必要な最低およそ400℃を下回る接着工程を実
現し、輝度低下や寿命短縮のより小さい、さらには表示
品位が高く、ゲッタ効果も充分な画像表示装置に適した
外囲器を提供することを課題としている。
Therefore, the present invention provides frit bonding (sealing).
To provide an envelope suitable for an image display device which realizes an adhesion process lower than at least about 400 ° C. necessary for the process, has less luminance reduction and shorter life, and has a high display quality and a sufficient getter effect. Is an issue.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めの本発明は、フェースプレートと、前記フェースプレ
ートと対向して配置されたリアプレートと、前記フェー
スプレートと前記リアプレートとの間にあって周囲を包
囲する外枠と、前記外枠と前記フェースプレートと前記
外枠と前記リアプレートとをそれぞれ接合する接合剤と
からなる外囲器において、前記接合剤のうち少なくとも
一つは、ポリフェニル化合物を含む高分子熱可塑性接着
剤である。
According to the present invention, there is provided a face plate, a rear plate disposed opposite to the face plate, and a rear plate disposed between the face plate and the rear plate. An outer frame surrounding the periphery, and an outer package including a bonding agent for bonding the outer frame, the face plate, the outer frame, and the rear plate, wherein at least one of the bonding agents is polyphenyl It is a polymer thermoplastic adhesive containing a compound.

【0014】すなわち、本発明においては、接合剤とし
てポリフェニル化合物を有する高分子系熱可塑性接着剤
を用いることにより、最高熱処理温度が370℃の1回
の接着工程で外囲器を作成している。
That is, in the present invention, by using a polymer-based thermoplastic adhesive having a polyphenyl compound as a bonding agent, an envelope can be formed in one bonding step at a maximum heat treatment temperature of 370 ° C. I have.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】本発明の画像表示装置に適用可能
な接着剤の条件は、以下の通りである。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The conditions of the adhesive applicable to the image display device of the present invention are as follows.

【0016】1.真空中ベーク工程における耐熱性が要
求される。
1. Heat resistance in the baking step in vacuum is required.

【0017】2.高真空維持のために、真空リークやガ
ス透過が極小であることが要求される。但し、真空維持
が必要な個所のみに対して要求される。
2. In order to maintain a high vacuum, it is required that vacuum leak and gas permeation are extremely small. However, it is required only for the places where vacuum maintenance is required.

【0018】3.ガラス部材との接着性が要求される。3. Adhesion with glass members is required.

【0019】4.高真空維持のために放出ガスが低いこ
とが要求される。
4. Low outgassing is required to maintain high vacuum.

【0020】5.熱処理温度:最高熱処理温度がフリッ
ト接着(封着)工程のおよそ400℃よりも低温である
ことが要求される。
[5] Heat treatment temperature: The maximum heat treatment temperature is required to be lower than about 400 ° C. in the frit bonding (sealing) step.

【0021】6.任意の外枠形状に適合させやすく、接
着温度付近で流動化しないことが必要とされる。
6. It is necessary to be able to easily adapt to an arbitrary outer frame shape and not to be fluidized near the bonding temperature.

【0022】上記の条件を満たす接着剤としては、ポリ
エーテル、ポリスルホン、ポリエーテルケトンを有する
高分子系熱可塑性接着剤等があげられる。
Examples of the adhesive satisfying the above conditions include a high molecular thermoplastic adhesive containing polyether, polysulfone, and polyether ketone.

【0023】特に、ポリエーテルケトンを有する高分子
系熱可塑性接着剤は他の接着剤に比べ、特に真空ベーク
工程における放出ガスが少ない点で好ましい。
In particular, a high molecular thermoplastic adhesive containing polyether ketone is preferable as compared with other adhesives, because the amount of released gas in a vacuum baking step is small.

【0024】ポリエーテルケトンを主成分とする高分子
系熱可塑性のシート状の接着剤を用いると、任意の形状
に成型し、330℃以上まで加熱することにより接着剤
を軟化させ、圧着し、降温過程で接着剤を硬化すること
によって接着させ、前記1〜6の条件を満たすことがで
きる。
When a high molecular thermoplastic sheet adhesive mainly composed of polyetherketone is used, the adhesive is molded into an arbitrary shape, heated to 330 ° C. or more to soften the adhesive, and then press-bonded. The adhesive can be adhered by curing the adhesive during the temperature decreasing process, and the above conditions 1 to 6 can be satisfied.

【0025】また、ポリエーテル、ポリスルホンを有す
る高分子系熱可塑性接着剤も好適である。任意の形状に
成型しポリエーテル、ポリスルホンを有する高分子系熱
可塑性のシート状の接着剤を用いると、それぞれ230
℃、300℃以上まで加熱することにより接着剤を軟化
させ、圧着し、降温過程で接着剤を硬化することによっ
て接着させる。
Further, a polymeric thermoplastic adhesive having polyether and polysulfone is also suitable. When molded into an arbitrary shape and using a polymer thermoplastic sheet adhesive having polyether and polysulfone, 230
The adhesive is softened by heating to a temperature of 300 ° C. or more, and then pressed, and bonded by hardening the adhesive in a temperature decreasing process.

【0026】さらに、上記ポリエーテル、ポリスルホン
を有するペースト状の高分子系熱可塑性接着剤は、それ
ぞれディッピング、スプレー、ディスペンサ塗布、スク
リーン印刷等の公知のコーティング法で任意の形状にガ
ラス部材にコーティングし、脱法し、溶剤を蒸発させた
のち、熱処理により軟化させ、圧着し、降温過程で接着
剤を硬化することによって接着させる。
Further, the above-mentioned paste-like polymer-based thermoplastic adhesive containing polyether and polysulfone is coated on a glass member in a desired shape by a known coating method such as dipping, spraying, dispensing, and screen printing. After removing the method and evaporating the solvent, the adhesive is softened by heat treatment, pressed, and adhered by curing the adhesive in the course of cooling.

【0027】上記のポリフェニル化合物を有する高分子
系熱可塑性接着剤は、最高熱処理温度が400℃以下の
一回の接着工程であるので、電力コストを下げ、輝度低
下や寿命短縮の少ない、さらに表示品位が高く、ゲッタ
効果も充分な画像表示装置をはじめとする外囲器を提供
することができる。
The polymer thermoplastic adhesive having the above-mentioned polyphenyl compound has a maximum heat treatment temperature of 400 ° C. or lower in a single bonding step. It is possible to provide an envelope including an image display device having high display quality and a sufficient getter effect.

【0028】本発明の外囲器は、画像表示装置に使用す
ることが可能であり、好ましくは外囲器のフェースプレ
ートには蛍光体及び電子加速電極が形成され、リアプレ
ートには電子源が形成されている画像表示装置に用いら
れる。この電子源は、表面伝導型の電子放出素子が好ま
しい。
The envelope of the present invention can be used for an image display device. Preferably, a phosphor and an electron accelerating electrode are formed on a face plate of the envelope, and an electron source is formed on a rear plate. Used for the formed image display device. This electron source is preferably a surface conduction electron-emitting device.

【0029】以下、図面を参照して、本発明の外囲器及
びこれを用いた画像表示装置について説明する。
Hereinafter, an envelope of the present invention and an image display device using the same will be described with reference to the drawings.

【0030】図1は、本発明の画像表示装置の斜視図で
ある。1は電子源で、複数の電子放出素子を基板上に配
置し、適当な配線を施したものである。2はリアプレー
ト、3は外枠、4はフェースプレート、9,14は、接
着剤である。
FIG. 1 is a perspective view of the image display device of the present invention. Reference numeral 1 denotes an electron source in which a plurality of electron-emitting devices are arranged on a substrate, and are appropriately wired. 2 is a rear plate, 3 is an outer frame, 4 is a face plate, and 9, 14 are adhesives.

【0031】図2は、図1のC−C′断面図である。図
2に示すように、ポリフェニル化合物を有する高分子系
熱可塑性の接着剤9,14を介して、リアプレート2及
びフェースプレート4は、外枠3との接合部において、
それぞれ接合されている。
FIG. 2 is a sectional view taken along the line CC 'of FIG. As shown in FIG. 2, the rear plate 2 and the face plate 4 are connected to the outer frame 3 via polymer thermoplastic adhesives 9 and 14 having a polyphenyl compound.
Each is joined.

【0032】なお、あらかじめ外枠とフェースプレー
ト、または外枠とリアプレートを一本化したものを用い
る場合でも、本発明が有効であることは言うまでもな
い。
It is needless to say that the present invention is effective even when the outer frame and the face plate or the outer frame and the rear plate are integrated into one.

【0033】フェースプレート4は、ガラス基体6の上
に蛍光膜7、メタルバック8が形成されてなり、この部
分は画像表示領域となる。蛍光膜7は白黒画像の場合に
は、蛍光体のみからなるが、カラー画像を表示する場合
には、赤、緑、青の3原色の蛍光体によりピクセルが形
成され、その間を黒色導電材で分離した構造とする。黒
色導電材はその形状により、ブラックストライプ、ブラ
ックマトリクスなどと呼ばれる。
The face plate 4 has a fluorescent film 7 and a metal back 8 formed on a glass substrate 6, and this portion becomes an image display area. The phosphor film 7 is made of only a phosphor in the case of a black-and-white image, but in the case of displaying a color image, pixels are formed by phosphors of three primary colors of red, green and blue, and a black conductive material is used between the pixels. Separate structure. The black conductive material is called a black stripe, a black matrix, or the like, depending on its shape.

【0034】メタルバック8はAlなどの導電性薄膜に
より構成される。メタルバック8は、蛍光体から発生し
た光のうち、電子源1の方に進む光をガラス基体6の方
向に反射して輝度を向上させるとともに、外囲器5内に
残留したガスが、電子線により電離され生成したイオン
の衝撃によって、蛍光体が損傷を受けるのを防止する働
きもある。またフェースプレート4の画像表示領域に導
電性を与えて、電荷が蓄積されるのを防ぎ、電子源1に
対してアノード電極の役割を果たすものである。
The metal back 8 is formed of a conductive thin film such as Al. The metal back 8 reflects light traveling toward the electron source 1 out of the light emitted from the phosphor toward the glass substrate 6 to improve the brightness, and the gas remaining in the envelope 5 reduces the electron emission. It also serves to prevent the phosphor from being damaged by the impact of ions generated by ionization by the wire. Further, it provides conductivity to the image display area of the face plate 4 to prevent charge from being accumulated, and serves as an anode electrode for the electron source 1.

【0035】続いて蛍光膜7について説明する。Next, the fluorescent film 7 will be described.

【0036】図3(a)は、蛍光体13がストライプ状
に並べられた場合で、赤(R)、緑(G)、青(B)の
3原色の蛍光体13が順に形成され、その間が黒色導電
材12によって分離されている。この場合、黒色導電材
12の部分はブラックストライプと呼ばれる。
FIG. 3A shows a case where the phosphors 13 are arranged in a stripe pattern, and the phosphors 13 of three primary colors of red (R), green (G), and blue (B) are formed in this order. Are separated by the black conductive material 12. In this case, the portion of the black conductive material 12 is called a black stripe.

【0037】図3(b)は蛍光体13のドットが格子状
に並び、その間を黒色導電材12によって分離したもの
である。この場合には、黒色導電材12はブラックマト
リクスと呼ばれる。蛍光体13の各色の配置方法は数種
あり、これに応じてドットの並び型は、図示した三角格
子のほか、正方格子などを採用する場合もある。
FIG. 3B shows a state in which the dots of the phosphor 13 are arranged in a lattice, and the dots are separated by the black conductive material 12. In this case, the black conductive material 12 is called a black matrix. There are several methods of arranging each color of the phosphor 13, and accordingly, the arrangement of the dots may employ a square lattice or the like in addition to the illustrated triangular lattice.

【0038】ガラス基体6上への黒色導電材12と蛍光
体13のパターニング法としては、スラリー法や印刷法
などが使用できる。蛍光膜7を形成した後、さらにAl
などの金属を形成し、メタルバック8とする。
As a method for patterning the black conductive material 12 and the phosphor 13 on the glass substrate 6, a slurry method, a printing method, or the like can be used. After the fluorescent film 7 is formed,
The metal back 8 is formed.

【0039】図4は、マトリクス配線で接続された2次
元配置の電子源の模式図である。
FIG. 4 is a schematic view of a two-dimensionally arranged electron source connected by matrix wiring.

【0040】図5は図4のA−A′に沿った断面図であ
る。72はX方向配線(上配線)、73はY方向配線
(下配線)で、電子放出素子78にそれぞれ接続されて
いる。Y方向配線73は絶縁性基体71上に設置され、
さらにその上に絶縁層74が形成され、その上にX方向
配線72、電子放出素子78、が形成され、Y方向配線
73と電子放出素子78はコンタクトホール77を介し
て接続される。
FIG. 5 is a sectional view taken along the line AA 'of FIG. Reference numeral 72 denotes an X-direction wiring (upper wiring), and 73 denotes a Y-direction wiring (lower wiring), which are connected to the electron-emitting devices 78, respectively. The Y-direction wiring 73 is provided on the insulating base 71,
Further, an insulating layer 74 is formed thereon, and an X-directional wiring 72 and an electron-emitting device 78 are formed thereon. The Y-directional wiring 73 and the electron-emitting device 78 are connected via a contact hole 77.

【0041】上記各種配線は、スパッタ法、真空蒸着
法、メッキ法などの各種薄膜堆積法と、フォトリソグラ
フィー技術の組み合わせ、あるいは印刷法などにより形
成される。
The above various wirings are formed by a combination of various thin film deposition methods such as a sputtering method, a vacuum evaporation method, a plating method and the like, and a photolithography technique, or a printing method.

【0042】フェースプレート4と、外枠3、リアプレ
ート2と、電子源1やその他の構造体と組み合わせ、外
枠3と、フェースプレート4、リアプレート2を接合す
る。接合は、ポリフェニル化合物を有する高分子系熱可
塑性の接着剤を任意の形状に成型し、Arなどの不活性
ガス中または真空中で400℃以下の加熱処理により接
着剤を軟化させ、圧着にし、降温過程で接着剤を硬化す
ることによって接着させる(封着工程)。電子源1など
の内部構造体の固定も同ように行う。この時の接着時の
酸素濃度と温度は可能な範囲で下げることが望ましい。
The face plate 4, the outer frame 3, the rear plate 2, and the electron source 1 and other structures are combined, and the outer frame 3, the face plate 4, and the rear plate 2 are joined. For bonding, a polymer-based thermoplastic adhesive having a polyphenyl compound is molded into an arbitrary shape, and the adhesive is softened by heat treatment at 400 ° C. or less in an inert gas such as Ar or in a vacuum, followed by pressure bonding. Then, the adhesive is cured by curing the adhesive during the cooling process (sealing step). The internal structure such as the electron source 1 is fixed in the same manner. At this time, it is desirable to lower the oxygen concentration and the temperature at the time of bonding as much as possible.

【0043】この後、外囲器5の内部を一度排気して
(真空形成工程)、電子源1の活性化処理など必要な処
理を行う。続いて排気と加熱脱ガス、すなわちベーキン
グ工程により、外囲器5の内部に十分な真空を確保し、
さらに図示しない真空度排気管をバーナーで加熱して封
じ切る。
Thereafter, the inside of the envelope 5 is evacuated once (vacuum forming step), and necessary processing such as activation of the electron source 1 is performed. Subsequently, a sufficient vacuum is secured inside the envelope 5 by evacuation and heating degassing, that is, a baking process,
Further, a vacuum exhaust pipe (not shown) is heated and closed with a burner.

【0044】こうして作成した画像表示装置は、輝度低
下や寿命短縮が少なく、さらに表示品位が高く、ゲッタ
効果も充分なので、外囲器内の真空度が良好に維持され
るので、電子放出素子からの電子放出量が安定する。
The image display device thus produced has little luminance reduction and shortened life, has high display quality, and has a sufficient getter effect, so that the degree of vacuum in the envelope can be maintained well. Stabilizes the electron emission amount.

【0045】図6は、上記の画像表示装置により、NT
SC方式のテレビ信号に基づいたテレビジョン表示を行
う為の駆動回路のブロック図である。81は画像表示装
置、82は走査回路、83は制御回路、84はシフトレ
ジスタである。85はラインメモリ、86は同期信号分
離回路、87は変調信号発生器、Vx 及びVa は直
流電圧源である。
FIG. 6 shows the image display device using NT.
FIG. 3 is a block diagram of a drive circuit for performing television display based on SC television signals. 81 is an image display device, 82 is a scanning circuit, 83 is a control circuit, and 84 is a shift register. 85 is a line memory, 86 is a synchronizing signal separation circuit, 87 is a modulation signal generator, and Vx and Va are DC voltage sources.

【0046】画像表示装置81は、端子Doxl乃至D
oxm、端子Doyl乃至Doyn、及び高圧端子Hv
を介して外部の電気回路と接続している。端子Doxl
乃至Doxmには、画像表示装置内に設けられている電
子源、即ち、m行n列の行列状にマトリクス配線された
表面伝導型電子放出素子群を一行当たりn素子ずつ順次
駆動する為の走査信号が印加される。
The image display device 81 has terminals Doxl to D
oxm, terminals Doyl to Doyn, and high voltage terminal Hv
Connected to an external electric circuit via Terminal Doxl
Scanning for sequentially driving electron sources provided in the image display apparatus, that is, a group of surface conduction electron-emitting devices arranged in a matrix of m rows and n columns, n elements per row. A signal is applied.

【0047】端子Doyl乃至Doynには、前記走査
信号により選択された一行の表面伝導型電子放出素子の
各素子の出力電子ビームを制御する為の変調信号が印加
される。高圧端子Hvには、直流電圧源Va より、例
えば10kVの直流電圧が供給されるが、これは表面伝
導型電子放出素子から放出される電子ビームに蛍光体を
励起するのに十分なエネルギーを付与する為の加速電圧
である。
To the terminals Doyl to Doyn, a modulation signal for controlling an output electron beam of each element of the surface conduction electron-emitting device in one row selected by the scanning signal is applied. The high-voltage terminal Hv is supplied with a DC voltage of, for example, 10 kV from the DC voltage source Va, which applies sufficient energy to the electron beam emitted from the surface conduction electron-emitting device to excite the phosphor. This is the accelerating voltage to perform.

【0048】走査回路82について説明する。同回路
は、内部にm個のスイッチング素子を備えたものであ
り、図中、S1ないしSmで模式的に示してある。各ス
イッチング素子は、直流電圧源Vx の出力電圧もしく
は0V(グランドレベル)のいずれか一方を選択し、画
像表示装置81の端子DoxlないしDoxmと電気的
に接続される。S1乃至Smの各スイッチング素子は、
制御回路83が出力する制御信号Tscanに基づいて
動作するものであり、例えばFETのようなスイッチン
グ素子を組み合わせることにより構成することができ
る。
The scanning circuit 82 will be described. This circuit has m switching elements inside, and is schematically indicated by S1 to Sm in the figure. Each switching element selects either the output voltage of the DC voltage source Vx or 0 V (ground level), and is electrically connected to the terminals Doxl to Doxm of the image display device 81. Each of the switching elements S1 to Sm is:
It operates based on a control signal Tscan output from the control circuit 83, and can be configured by combining switching elements such as FETs, for example.

【0049】直流電圧源Vxは、本例の場合には表面伝
導型電子放出素子の特性(電子放出しきい値電圧)に基
づき走査されていない素子に印加される駆動電圧が電子
放出しきい値電圧以下となるような一定電圧を出力する
よう設定されている。
In the case of the present embodiment, the DC voltage source Vx uses a driving voltage applied to an unscanned element based on the characteristics of the surface conduction electron-emitting device (electron emission threshold voltage). It is set to output a constant voltage that is equal to or lower than the voltage.

【0050】制御回路83は、外部より入力する画像信
号に基づいて適切な表示が行なわれるように各部の動作
を整合させる機能を有する。制御回路83は、同期信号
分離回路86より送られる同期信号Tsyncに基づい
て、各部に対してTscan及びTsft及びTmry
の各制御信号を発生する。
The control circuit 83 has a function of matching the operation of each unit so that appropriate display is performed based on an image signal input from the outside. The control circuit 83 sends Tscan, Tsft, and Tmry to each unit based on the synchronization signal Tsync sent from the synchronization signal separation circuit 86.
Are generated.

【0051】同期信号分離回路86は、外部から入力さ
れるNTSC方式のテレビ信号から同期信号成分と輝度
信号成分とを分離する為の回路で、一般的な周波数分離
(フィルター)回路等を用いて構成できる。同期信号分
離回路86により分離された同期信号は、垂直同期信号
と水平同期信号より成るが、ここでは説明の便宜上Ts
ync信号として図示した。前記テレビ信号から分離さ
れた画像の輝度信号成分は便宜上DATA信号と表し
た。該DATA信号はシフトレジスタ84に入力され
る。
The synchronizing signal separating circuit 86 is a circuit for separating a synchronizing signal component and a luminance signal component from an NTSC television signal input from the outside, and uses a general frequency separating (filter) circuit or the like. Can be configured. The synchronizing signal separated by the synchronizing signal separating circuit 86 is composed of a vertical synchronizing signal and a horizontal synchronizing signal.
This is shown as a SYNC signal. The luminance signal component of the image separated from the television signal is referred to as a DATA signal for convenience. The DATA signal is input to the shift register 84.

【0052】シフトレジスタ84は、時系列的にシリア
ルに入力される前記DATA信号を、画像の1ライン毎
にシリアル/パラレル変換するためのもので、前記制御
回路83より送られる制御信号Tsftに基づいて動作
する(即ち、制御信号Tsftは、シフトレジスタ84
のシフトクロックであるということもできる。)。シリ
アル/パラレル変換された画像1ライン分(電子放出素
子N素子分の駆動データに相当)のデータは、Id1乃
至IdnのN個の並列信号として前記シフトレジスタ8
4より出力される。
The shift register 84 is for serially / parallel converting the DATA signal input serially in time series for each line of an image, and is based on a control signal Tsft sent from the control circuit 83. (Ie, the control signal Tsft is supplied to the shift register 84
It can be said that it is a shift clock. ). The data of one line of the serial / parallel-converted image (corresponding to the drive data of N electron-emitting devices) is converted into N parallel signals Id1 to Idn as the shift register 8.
4 is output.

【0053】ラインメモリ85は、画像1ライン分のデ
ータを必要時間の間だけ記憶する為の記憶装置であり、
制御回路83より送られる制御信号Tmryに従って適
宜Id1ないしIdnの内容を記憶する。記憶された内
容は、I′d1乃至I′dnとして出力され、変調信号
発生器87に入力される。
The line memory 85 is a storage device for storing data for one line of an image for a required time only.
The contents of Id1 to Idn are stored as appropriate according to the control signal Tmry sent from the control circuit 83. The stored contents are output as I'd1 to I'dn and input to the modulation signal generator 87.

【0054】変調信号発生器87は、画像データI′d
1乃至I′dnの各々に応じて表面伝導型電子放出素子
の各々を適切に駆動変調する為の信号源であり、その出
力信号は、端子Doy1乃至Doynを通じて表示パネ
ル81内の表面伝導型電子放出素子に印加される。
The modulation signal generator 87 outputs the image data I'd
1 to I′dn are signal sources for appropriately driving and modulating each of the surface conduction electron-emitting devices in accordance with each of the surface conduction electron-emitting devices in the display panel 81 through terminals Doy1 to Doyn. Applied to the emitting element.

【0055】本発明を適用可能な電子放出素子は放出電
流Ieに対して以下の基本特性を有している。即ち、電
子放出には明確なしきい値電圧Vthがあり、Vth以
上の電圧を印加された時のみ電子放出が生じる。電子放
出しきい値以上の電圧に対しては、素子への印加電圧の
変化に応じて放出電流も変化する。このことから、本素
子にパルス状の電圧を印加する場合、例えば電子放出閾
値以下の電圧を印加しても電子放出は生じないが、電子
放出閾値以上の電圧を印加する場合には電子ビームが出
力される。その際、パルスの波高値Vmを変化させる事
により出力電子ビームの強度を制御することが可能であ
る。また、パルスの幅Pwを変化させることにより出力
される電子ビームの電荷の総量を制御する事が可能であ
る。
The electron-emitting device to which the present invention can be applied has the following basic characteristics with respect to the emission current Ie. That is, electron emission has a clear threshold voltage Vth, and electron emission occurs only when a voltage equal to or higher than Vth is applied. For a voltage equal to or higher than the electron emission threshold, the emission current also changes according to the change in the voltage applied to the device. From this, when a pulse-like voltage is applied to this element, for example, when a voltage lower than the electron emission threshold is applied, electron emission does not occur, but when a voltage higher than the electron emission threshold is applied, the electron beam is emitted. Is output. At that time, the intensity of the output electron beam can be controlled by changing the pulse peak value Vm. In addition, it is possible to control the total amount of charges of the output electron beam by changing the pulse width Pw.

【0056】従って、入力信号に応じて、電子放出素子
を変調する方式としては、電圧変調方式、パルス幅変調
方式等が採用できる。電圧変調方式を実施するに際して
は、変調信号発生器87として、一定長さの電圧パルス
を発生し、入力されるデータに応じて適宜パルスの波高
値を変調するような電圧変調方式の回路を用いることが
できる。
Therefore, as a method of modulating the electron-emitting device according to the input signal, a voltage modulation method, a pulse width modulation method, or the like can be employed. In implementing the voltage modulation method, a circuit of a voltage modulation method that generates a voltage pulse of a fixed length and modulates the peak value of the pulse appropriately according to input data is used as the modulation signal generator 87. be able to.

【0057】パルス幅変調方式を実施するに際しては、
変調信号発生器87として、一定の波高値の電圧パルス
を発生し、入力されるデータに応じて適宜電圧パルスの
幅を変調するようなパルス幅変調方式の回路を用いるこ
とができる。シフトレジスタ84やラインメモリ85
は、デジタル信号式のものをもアナログ信号式のものを
も採用できる。画像信号のシリアル/パラレル変換や記
憶が所定の速度で行なわれれば良いからである。
When implementing the pulse width modulation method,
As the modulation signal generator 87, a pulse width modulation circuit that generates a voltage pulse having a constant peak value and appropriately modulates the width of the voltage pulse according to input data can be used. Shift register 84 and line memory 85
The digital signal type and the analog signal type can be adopted. This is because the serial / parallel conversion and storage of the image signal may be performed at a predetermined speed.

【0058】デジタル信号式を用いる場合には、同期信
号分離回路86の出力信号DATAをデジタル信号化す
る必要があるが、これには86の出力部にA/D変換器
を設ければ良い。これに関連してラインメモリ85の出
力信号がデジタル信号かアナログ信号かにより、変調信
号発生器87に用いられる回路が若干異なったものとな
る。即ち、デジタル信号を用いた電圧変調方式の場合、
変調信号発生器87には、例えばD/A変換回路を用
い、必要に応じて増幅回路などを付加する。パルス幅変
調方式の場合、変調信号発生器87には、例えば高速の
発振器及び発振器の出力する波数を計数する計数器(カ
ウンタ)及び計数器の出力値と前記メモリの出力値を比
較する比較器(コンパレータ)を組み合せた回路を用い
る。必要に応じて、比較器の出力するパルス幅変調され
た変調信号を表面伝導型電子放出素子の駆動電圧にまで
電圧増幅するための増幅器を付加することもできる。
When the digital signal system is used, it is necessary to convert the output signal DATA of the synchronizing signal separation circuit 86 into a digital signal. For this purpose, an A / D converter may be provided at the output section of the circuit 86. In connection with this, the circuit used for the modulation signal generator 87 differs slightly depending on whether the output signal of the line memory 85 is a digital signal or an analog signal. That is, in the case of the voltage modulation method using a digital signal,
For example, a D / A conversion circuit is used as the modulation signal generator 87, and an amplification circuit and the like are added as necessary. In the case of the pulse width modulation method, the modulation signal generator 87 includes, for example, a high-speed oscillator, a counter for counting the number of waves output from the oscillator, and a comparator for comparing the output value of the counter with the output value of the memory. (Comparator) is used. If necessary, an amplifier for voltage-amplifying the pulse width modulated signal output from the comparator to the drive voltage of the surface conduction electron-emitting device can be added.

【0059】アナログ信号を用いた電圧変調方式の場
合、変調信号発生器87には、例えばオペアンプなどを
用いた増幅回路を採用でき、必要に応じてレベルシフト
回路などを付加することもできる。パルス幅変調方式の
場合には、例えば、電圧制御型発振回路(VOC)を採
用でき、必要に応じて表面伝導型電子放出素子の駆動電
圧まで電圧増幅するための増幅器を付加することもでき
る。
In the case of the voltage modulation system using an analog signal, the modulation signal generator 87 can employ, for example, an amplifier circuit using an operational amplifier or the like, and can add a level shift circuit or the like as necessary. In the case of the pulse width modulation method, for example, a voltage-controlled oscillation circuit (VOC) can be employed, and an amplifier for amplifying the voltage up to the drive voltage of the surface conduction electron-emitting device can be added as necessary.

【0060】このような構成をとり得る本発明の画像表
示装置においては、各電子放出素子に、容器外端子Do
x1乃至Doxm、Doy1乃至Doynを介して電圧
を印加することにより、電子放出が生ずる。高圧端子H
vを介してメタルバック8、あるいは透明電極(不図
示)に高圧を印加し、電子ビームを加速する。加速され
た電子は、蛍光膜7に衝突し、発光が生じて画像が形成
される。
In the image display device of the present invention which can take such a configuration, each of the electron-emitting devices is provided with an external terminal Do.
By applying a voltage via x1 to Doxm and Doy1 to Doyn, electron emission occurs. High voltage terminal H
A high voltage is applied to the metal back 8 or a transparent electrode (not shown) through the v to accelerate the electron beam. The accelerated electrons collide with the fluorescent film 7 and emit light to form an image.

【0061】ここで述べた画像表示装置の構成は、本発
明を適用可能な画像表示装置の一例であり、発明の技術
思想に基づいて種々の変形が可能である。入力信号につ
いては、NTSC方式を挙げたが入力信号はこれに限ら
れるものではなく、PAL,SECAM方式の他、これ
らよりも多数の走査線からなるTV信号、例えば、MU
SE方式をはじめとする高品位TV方式をも採用でき
る。
The configuration of the image display device described here is an example of an image display device to which the present invention can be applied, and various modifications can be made based on the technical idea of the present invention. For the input signal, the NTSC system has been described, but the input signal is not limited to this. In addition to the PAL and SECAM systems, a TV signal including a larger number of scanning lines, such as an MU, may be used.
A high-definition TV system such as the SE system can also be adopted.

【0062】又、本発明の画像表示装置は、テレビジョ
ン放送の表示装置、テレビ会議システムやコンピュータ
ー等の表示装置の他、感光性ドラム等を用いて構成され
た光プリンターとしての画像表示装置等としても用いる
ことができる。
The image display device according to the present invention includes a display device for a television broadcast, a display device such as a video conference system and a computer, and an image display device as an optical printer using a photosensitive drum or the like. Can also be used.

【0063】[0063]

【実施例】以下、好ましい実施例を挙げて、本発明を更
に詳述するが、本発明はこれら実施例に限定されるもの
ではなく、本発明の目的が達成される範囲内での各要素
の置換や設計変更がなされたものを包含する。
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to preferred embodiments. However, the present invention is not limited to these embodiments, and each element within a range in which the object of the present invention is achieved. And those in which the design has been replaced or changed.

【0064】[実施例1]本実施例の画像表示装置は、
図1に模式的に示された装置と同様の構成を有し、1は
電子源で、複数の電子放出素子を基板上に配置し、適当
な配線を施したものである。2はリアプレート、3は外
枠、4はフェースプレート、9,14は、接着剤であ
る。
[Embodiment 1] The image display apparatus of this embodiment is
It has a configuration similar to that of the device schematically shown in FIG. 1, and reference numeral 1 denotes an electron source, in which a plurality of electron-emitting devices are arranged on a substrate and appropriately wired. 2 is a rear plate, 3 is an outer frame, 4 is a face plate, and 9, 14 are adhesives.

【0065】図2のC−C′断面図に示すように、ポリ
フェニル化合物を有する高分子系熱可塑性の接着剤9,
14を介して、リアプレート2及びフェースプレート4
は、外枠3との接合部において、それぞれ接合されてい
る。
As shown in the cross-sectional view taken along the line CC ′ of FIG. 2, the high-molecular thermoplastic adhesive 9 having a polyphenyl compound,
14, the rear plate 2 and the face plate 4
Are joined at the joint with the outer frame 3.

【0066】また、本実施例の画像表示装置は、基板上
に、複数(240行×720列)の表面伝導型電子放出
素子が、単純マトリクス配線された電子源1を備えてい
る。
The image display device of this embodiment has an electron source 1 in which a plurality of (240 rows × 720 columns) surface conduction electron-emitting devices are arranged in a simple matrix on a substrate.

【0067】図7は、電子源1の平面図である。FIG. 7 is a plan view of the electron source 1.

【0068】又、図8は、図7のB−B′断面図であ
る。図7、図8で、同じ記号を付したものは同じ物を示
す。101は電子源基板、102は図1のDoxmに対
応するX方向配線(上配線とも呼ぶ)、103は図1の
Doynに対応するY方向配線(下配線とも呼ぶ)、1
08は電子放出部を含む導電性膜、105,106は素
子電極、104は層間絶縁層、107は素子電極105
と下配線103と電気的接続のためのコンタクトホール
である。
FIG. 8 is a sectional view taken along the line BB 'of FIG. 7 and 8, the same reference numerals denote the same components. Reference numeral 101 denotes an electron source substrate, 102 denotes an X-direction wiring (also referred to as an upper wiring) corresponding to Doxm in FIG. 1, 103 denotes a Y-direction wiring (also referred to as a lower wiring) corresponding to Doyn in FIG.
08 is a conductive film including an electron emitting portion, 105 and 106 are device electrodes, 104 is an interlayer insulating layer, and 107 is a device electrode 105.
And a contact hole for electrical connection with the lower wiring 103.

【0069】図9は、本実施例の画像表示装置の製造工
程図である。
FIG. 9 is a manufacturing process diagram of the image display device of this embodiment.

【0070】工程−a 基板1を洗剤、純水及び有機溶剤を用いて十分に洗浄し
た。この上に厚さ0.5μmのシリコン酸化膜をスパッ
タ法で形成し、電子源基板1とした。この上にホトレジ
スト(AZ1370ヘキスト社製)をスピンナーにより
回転塗布、ベークした後、ホトマスク像を露光、現像し
て、下配線103のレジストパターンを形成した。さら
に、真空蒸着により、厚さ5nmのCr、厚さ600n
mのAuを順次積層した後、Au/Cr堆積膜をリフト
オフにより不要の部分を除去して、所望の形状の下配線
103を形成した(図9(a))。
Step-a The substrate 1 was sufficiently washed with a detergent, pure water and an organic solvent. A 0.5 μm thick silicon oxide film was formed thereon by a sputtering method to obtain an electron source substrate 1. After a photoresist (manufactured by AZ1370 Hoechst) was spin-coated and baked thereon, a photomask image was exposed and developed to form a resist pattern of the lower wiring 103. Further, Cr having a thickness of 5 nm and a thickness of 600 n were formed by vacuum evaporation.
After sequentially stacking m Au, unnecessary portions of the Au / Cr deposited film were removed by lift-off to form a lower wiring 103 having a desired shape (FIG. 9A).

【0071】工程−b 次に、厚さ1.0μmのシリコン酸化膜からなる層間絶
縁膜104をRFスパッタ法により堆積する(図9
(b))。
Step-b Next, an interlayer insulating film 104 made of a silicon oxide film having a thickness of 1.0 μm is deposited by RF sputtering (FIG. 9).
(B)).

【0072】工程−c 前記工程bで堆積したシリコン酸化膜にコンタクトホー
ル107を形成するためのホトレジストパターンを作
り、これをマスクとして層間絶縁層104をエッチング
してコンタクトホール107を形成する。エッチングは
CF4とH2ガスを用いたRIE(Reactive I
on Etching:反応性イオンエッチング)によ
る(図9(c))。
Step-c A photoresist pattern for forming the contact hole 107 is formed in the silicon oxide film deposited in the step b, and the interlayer insulating layer 104 is etched using the photoresist pattern as a mask to form the contact hole 107. Etching is performed by RIE (Reactive I) using CF 4 and H 2 gas.
on Etching: reactive ion etching) (FIG. 9C).

【0073】工程−d コンタクトホール107部分以外にレジストを塗布する
ようなパターンを形成し、真空蒸着により厚さ5nmの
Ti、厚さ500nmのAuを順次堆積した。リフトオ
フにより不要の部分を除去することにより、コンタクト
ホール107を埋め込んだ(図9(d))。
Step-d A pattern was formed such that a resist was applied to portions other than the contact hole 107, and 5 nm thick Ti and 500 nm thick Au were sequentially deposited by vacuum evaporation. Unnecessary portions were removed by lift-off to bury the contact holes 107 (FIG. 9D).

【0074】工程−e その後、素子電極105と素子電極間ギャップGとなる
べきパターンをホトレジスト(RD−2000N−41
日立化成社製)で形成し、真空蒸着法により、厚さ5n
mのTi、厚さ100nmのNiを順次堆積した。ホト
レジストパターンを有機溶剤で溶解し、Ni/Ti堆積
膜をリフトオフし、素子電極間隔Gは3μm、素子電極
の幅は300μmとし、素子電極105,106を形成
した(図9(e))。
Step-e Thereafter, a pattern to be a gap G between the device electrode 105 and the device electrode is formed by photoresist (RD-2000N-41).
Hitachi Chemical Co., Ltd.) and a thickness of 5 n
m of Ti and 100 nm of Ni were sequentially deposited. The photoresist pattern was dissolved with an organic solvent, the Ni / Ti deposited film was lifted off, and the device electrodes 105 and 106 were formed with the device electrode gap G of 3 μm and the device electrode width of 300 μm (FIG. 9E).

【0075】工程−f 素子電極105,106の上に上配線102のホトレジ
ストパターンを形成した後、厚さ5nmのTi、厚さ5
00nmのAuを順次、真空蒸着により堆積し、リフト
オフにより不要の部分を除去して、所望の形状の幅40
0μmの上配線102を形成した(図9(f))。
Step-f After a photoresist pattern of the upper wiring 102 is formed on the device electrodes 105 and 106, Ti having a thickness of 5 nm and a thickness of 5
00 nm of Au is sequentially deposited by vacuum evaporation, unnecessary portions are removed by lift-off, and a width 40 of a desired shape is obtained.
The upper wiring 102 of 0 μm was formed (FIG. 9F).

【0076】工程−g 膜厚100nmのCr膜1019を真空蒸着により堆積
・パターニングし、その上にPdアミン錯体の溶液(c
cp4230奥村製薬(株)社製)をスピンナーにより
回転塗布、300℃で10分間の加熱焼成処理をした。
また、こうして形成された、主元素としてPdよりなる
微粒子からなる電子放出部形成用の導電性膜108の膜
厚は8.5nm、シート抵抗値は3.9×104 Ω/
□であった。なおここで述べる微粒子膜とは、複数の微
粒子が集合した膜であり、その微細構造として、微粒子
が個々に分散配置した状態のみならず、微粒子が互いに
隣接、あるいは重なり合った状態(島状も含む)の膜を
さし、その粒径とは、前記状態で粒子形状が認識可能な
微粒子についての径を言う(図9(g))。
Step-g A 100 nm-thick Cr film 1019 is deposited and patterned by vacuum evaporation, and a Pd amine complex solution (c
cp4230 manufactured by Okumura Pharmaceutical Co., Ltd.) was spin-coated with a spinner and heated and baked at 300 ° C. for 10 minutes.
Further, the thus formed conductive film 108 for forming an electron emission portion composed of fine particles made of Pd as a main element has a thickness of 8.5 nm and a sheet resistance of 3.9 × 104 Ω /.
It was □. Note that the fine particle film described here is a film in which a plurality of fine particles are aggregated, and has a fine structure not only in a state where the fine particles are individually dispersed and arranged, but also in a state where the fine particles are adjacent to each other or overlapped (including an island shape). ), And the particle size refers to the diameter of the fine particles whose particle shape can be recognized in the above state (FIG. 9 (g)).

【0077】工程−h Cr膜1019及び焼成後の電子放出部形成用の導電性
膜108を酸エッチャントによりエッチングして所望の
パターンを形成した。(図9(h))。
Step-h A desired pattern was formed by etching the Cr film 1019 and the conductive film 108 for forming the electron emission portion after firing with an acid etchant. (FIG. 9 (h)).

【0078】以上の工程により電子源基板101上に複
数(240行×720列)の電子放出部形成用の導電性
膜108が、上配線102と下配線103よりなる単純
マトリクスに、接続されたものとした。
Through the above steps, a plurality of (240 rows × 720 columns) conductive films 108 for forming electron-emitting portions are connected to the electron source substrate 101 in a simple matrix including the upper wiring 102 and the lower wiring 103. It was taken.

【0079】工程−i 次に、図1に示すフェースプレート4を、以下のように
作成した。ガラス基体6を洗剤、純水及び有機溶剤を用
いて十分に洗浄した。この上に、スパッタ法によりIT
Oを0.1μm堆積し、透明電極1011を形成した。
続いて、印刷法により蛍光膜7を塗布し、表面の平滑化
処理(通常、「フィルミング」と呼ばれる。)して、蛍
光体部を形成した。なお、蛍光膜7はストライプ状の蛍
光体(R,G,B)13と、黒色導電材(ブラックスト
ライプ)12とが交互に配列された図3(a)に示され
る蛍光膜とした。更に、蛍光膜7の上に、Al薄膜より
なるメタルバック8をスパッタリング法により0.1μ
mの厚さに形成した。
Step-i Next, the face plate 4 shown in FIG. 1 was prepared as follows. The glass substrate 6 was sufficiently washed using a detergent, pure water and an organic solvent. On top of this, the IT
O was deposited to a thickness of 0.1 μm to form a transparent electrode 1011.
Subsequently, a phosphor film 7 was applied by a printing method, and the surface was smoothed (generally called “filming”) to form a phosphor portion. The fluorescent film 7 is a fluorescent film shown in FIG. 3A in which stripe-shaped phosphors (R, G, B) 13 and black conductive materials (black stripes) 12 are alternately arranged. Further, a metal back 8 made of an Al thin film is formed on the fluorescent film 7 by a sputtering method to a thickness of 0.1 μm.
m.

【0080】工程−j 次に、図1に示す外囲器5を、以下のように作成した。Step-j Next, the envelope 5 shown in FIG. 1 was prepared as follows.

【0081】前述の工程により作成された電子源1をリ
アプレート2に固定した後、外枠3、上記フェースプレ
ート4、及び電子源1を組み合わせ、電子源1の下配線
103及び上配線102を行選択用端子10及び信号入
力端子11と各々接続し、電子源1とフェースプレート
4の位置を厳密に調整し、接着して外囲器5を形成し
た。
After fixing the electron source 1 formed by the above-described process to the rear plate 2, the outer frame 3, the face plate 4, and the electron source 1 are combined to form the lower wiring 103 and the upper wiring 102 of the electron source 1. The envelope 5 was formed by connecting to the row selection terminal 10 and the signal input terminal 11, strictly adjusting the positions of the electron source 1 and the face plate 4, and bonding them.

【0082】接着は、ポリエーテルケトンを主成分とす
る高分子系熱可塑性のシート状の接着剤9,14:テク
ノアルファ(株)製品名 ステイスティック451を外
枠の形状に成型し、設置した後、Arなどの不活性ガス
中で350℃の加熱処理により接着剤を軟化させ、圧着
(0.3kg/cm2 )し、降温過程で接着剤を硬化す
ることによって接着を行った。電子源1などの内部構造
体の固定も同ように行う。また、リアプレート2とフェ
ースプレート4を配置する際には、同時に画像表示領域
外にBaを主成分とする蒸発型ゲッタのリング状ゲッタ
16配置した。
Adhesion was performed by bonding a polymer thermoplastic sheet adhesive mainly composed of polyether ketone 9, 14: Stay Stick 451 (product name, Techno Alpha Co., Ltd.) in the shape of an outer frame, and placed. Thereafter, the adhesive was softened by a heat treatment at 350 ° C. in an inert gas such as Ar, pressure-bonded (0.3 kg / cm 2 ), and the adhesive was cured in the course of cooling to effect bonding. The internal structure such as the electron source 1 is fixed in the same manner. When the rear plate 2 and the face plate 4 were arranged, a ring-shaped getter 16 of an evaporative getter containing Ba as a main component was simultaneously arranged outside the image display area.

【0083】図10は、これ以後の工程にて用いられた
真空装置の概念図である。
FIG. 10 is a conceptual diagram of a vacuum device used in the subsequent steps.

【0084】画像表示装置121は、排気管122を介
して真空容器123に接続され、該真空容器123に
は、排気装置125が接続されており、その間にゲート
バルブ124が設けられている。真空容器123には、
圧力計126、四重極質量分析器(Q−mass)12
7が取り付けられており、内部の圧力及び、残留ガスの
各分圧をモニタできるようになっている。外囲器5内の
圧力や分圧を直接測定することは困難なので、真空容器
123の圧力と分圧を測定し、この値を外囲器5内のも
のとみなす。排気装置125はソープションポンプとイ
オンポンプからなる超高真空用排気装置である。真空容
器123には、複数のガス導入装置が接続されており、
物質源129に蓄えられた物質を導入することができ
る。導入物質はその種類に応じて、ボンベまたはアンプ
ルに充填されており、ガス導入量制御手段128によっ
て導入量が制御できる。ガス導入量制御手段128は、
導入物質の種類、流量、必要な制御精度などに応じて、
ニードルバルブ、マスフローコントローラーなどが用い
られる。本実施例では、ガラスアンプルに入れたベンゾ
ニトリルを物質源129として用い、ガス導入量制御手
段128として、スローリークバルブを使用した。以上
の真空処理装置を用いて以後の工程を行った。
The image display device 121 is connected to a vacuum vessel 123 via an exhaust pipe 122. The vacuum vessel 123 is connected to an exhaust device 125, and a gate valve 124 is provided therebetween. In the vacuum container 123,
Pressure gauge 126, quadrupole mass analyzer (Q-mass) 12
7 is attached so that the internal pressure and each partial pressure of the residual gas can be monitored. Since it is difficult to directly measure the pressure and the partial pressure in the envelope 5, the pressure and the partial pressure of the vacuum vessel 123 are measured, and these values are regarded as those in the envelope 5. The exhaust device 125 is an ultra-high vacuum exhaust device including a sorption pump and an ion pump. A plurality of gas introduction devices are connected to the vacuum container 123,
The substance stored in the substance source 129 can be introduced. The introduced substance is filled in a cylinder or an ampoule according to the type, and the introduced amount can be controlled by the gas introduced amount control means 128. The gas introduction amount control means 128
Depending on the type of introduced substance, flow rate, required control accuracy, etc.,
Needle valves, mass flow controllers and the like are used. In this embodiment, benzonitrile contained in a glass ampule was used as the substance source 129, and a slow leak valve was used as the gas introduction amount control means 128. The subsequent steps were performed using the above vacuum processing apparatus.

【0085】工程−k 外囲器5の内部を排気し、圧力を1×10−3Pa以下
にし、電子源基板101上に配列された前述の複数の電
子放出部形成用の導電性膜108(図9(k))に、電
子放出部を形成するための以下の処理(フォーミングと
呼ぶ)を行った。図11に示すように、Y方向配線10
3を共通結線してグランドに接続する。131は制御装
置で、パルス発生器132とライン選択装置134を制
御する。133は電流計である。ライン選択装置134
により、X方向配線103から1ラインを選択し、これ
にパルス電圧を印加する。フォーミング処理はX方向の
素子行に対し、300素子からなる1行毎に行った。
Step-k The inside of the envelope 5 is evacuated, the pressure is reduced to 1 × 10 −3 Pa or less, and the above-mentioned conductive films 108 (for forming a plurality of electron emitting portions) arranged on the electron source substrate 101 are formed. In FIG. 9 (k), the following process (called forming) for forming an electron-emitting portion was performed. As shown in FIG.
3 are connected in common and connected to the ground. A control device 131 controls the pulse generator 132 and the line selection device 134. 133 is an ammeter. Line selection device 134
As a result, one line is selected from the X-direction wiring 103, and a pulse voltage is applied thereto. The forming process was performed on the element rows in the X direction for each row of 300 elements.

【0086】図12は、印加したパルスの波形図であ
る。図12に示すような三角波パルスで、波高値を徐々
に上昇させた。パルス幅T1=1msec、パルス間隔
T2=10msecとした。また、三角波パルスの間
に、波高値0.1Vの矩形波パルスを挿入し、電流を測
ることにより各行の抵抗値を測定した。抵抗値が3.3
kΩ(1素子当たり1MΩ)を越えたところで、その行
のフォーミングを終了し、次の行の処理に移った。これ
をすべての行について行い、すべての前記導電性膜(電
子放出部形成用の導電性膜108)のフォーミングを完
了し、各導電性膜に電子放出部を形成して、複数の表面
伝導型電子放出素子が、単純マトリクスに配線された電
子源1を作成した。
FIG. 12 is a waveform diagram of the applied pulse. With a triangular wave pulse as shown in FIG. 12, the peak value was gradually increased. The pulse width T1 was 1 msec, and the pulse interval T2 was 10 msec. Further, a rectangular wave pulse having a peak value of 0.1 V was inserted between the triangular wave pulses, and the current was measured to measure the resistance value of each row. Resistance value is 3.3
When kΩ (1 MΩ per element) was exceeded, the forming of the row was terminated, and the processing of the next row was started. This process is performed for all the rows to complete the forming of all the conductive films (the conductive films 108 for forming the electron emission portions), and to form the electron emission portions in each of the conductive films. An electron source was formed in which the electron-emitting devices were wired in a simple matrix.

【0087】工程−l 真空容器123内に、ベンゾニトリルを導入し、圧力が
1.3×10−3Paとなるように調整し、素子電流I
fを測定しながら上記電子源1にパルスを印加して、各
電子放出素子の活性化処理を行った。
Step-1 Benzonitrile was introduced into the vacuum vessel 123, and the pressure was adjusted to 1.3 × 10 −3 Pa.
A pulse was applied to the electron source 1 while measuring f to activate each electron-emitting device.

【0088】図13は、パルス発生器132により生成
したパルスの波形図である。図13に示した矩形波で、
波高値は14V、パルス幅T1=100μsec、パル
ス間隔は167μsecである。ライン選択装置134
により、167μsec毎に選択ラインをDx1からD
x100まで順次切り替え、この結果、各素子行にはT
1=100μsec、T2=16.7msecの矩形波
が行毎に位相を少しずつシフトされて印加されることに
なる。
FIG. 13 is a waveform diagram of a pulse generated by the pulse generator 132. With the rectangular wave shown in FIG.
The peak value is 14 V, the pulse width T1 = 100 μsec, and the pulse interval is 167 μsec. Line selection device 134
As a result, the selection line is changed from Dx1 to D every 167 μsec.
x100, so that each element row has T
A rectangular wave of 1 = 100 μsec and T2 = 16.7 msec is applied with the phase slightly shifted for each row.

【0089】電流計133は、矩形波パルスのオン状態
(電圧が14Vになっている時)での電流値の平均を検
知するモードで使用し、この値が600mA(1素子当
たり2mA)となったところで、活性化処理を終了し、
外囲器5内を排気した。
The ammeter 133 is used in a mode for detecting the average of the current value in the ON state of the rectangular wave pulse (when the voltage is 14 V), and this value becomes 600 mA (2 mA per element). At this point, the activation process ends,
The inside of the envelope 5 was evacuated.

【0090】工程−m 排気を続けながら、不図示の加熱装置により、画像表示
装置121及び真空容器123の全体を300℃に、1
0時間保持した。この処理により、外囲器5及び真空容
器123の内壁などに吸着されていたと思われるベンゾ
ニトリル及びその分解物が除去された。これはQ−ma
ss127による観察で確認された。
Step-m While the evacuation is continued, the whole of the image display device 121 and the vacuum vessel 123 is brought to 300 ° C. by a heating device (not shown).
Hold for 0 hours. By this treatment, benzonitrile and its decomposed products, which are considered to have been adsorbed on the envelope 5 and the inner wall of the vacuum vessel 123, were removed. This is Q-ma
It was confirmed by observation with ss127.

【0091】工程−n 圧力が1.3×10−5Pa以下となったことを確認し
てから、排気管をバーナーで加熱して封じ切る。続い
て、画像表示領域外に設置されたリング状の蒸発型ゲッ
タ16高周波加熱でフラッシュさせた。
Step-n After confirming that the pressure is 1.3 × 10 −5 Pa or less, the exhaust pipe is heated and closed with a burner. Subsequently, the ring-shaped evaporable getter 16 placed outside the image display area was flashed by high frequency heating.

【0092】以上により本実施例の画像表示装置を作成
した。
Thus, the image display device of this embodiment was prepared.

【0093】[実施例2]本実施例は、実施例1の工程
の工程−jの接着剤として、ポリスルホンを主成分とす
る高分子系熱可塑性のシート状の接着剤9,14:テク
ノアルファ(株)製品名 ステイスティック415を用
い、加熱処理温度が300℃である点が実施例1と異な
る。工程−j以外は実施例1と同ように画像表示装置を
作成した。
[Example 2] In this example, a polymer-based thermoplastic sheet-like adhesive containing polysulfone as a main component 9, 14: Techno Alpha The product name is different from that of the first embodiment in that a stay stick 415 is used and the heat treatment temperature is 300 ° C. An image display device was prepared in the same manner as in Example 1 except for the step-j.

【0094】[実施例3]本実施例は、実施例1の工程
の工程−jの接着剤として、ポリスルホンを主成分とす
る高分子系熱可塑性のシート状の接着剤9,14:テク
ノアルファ(株)製品名 ステイスティック401を用
い、加熱処理温度が250℃である点が実施例1と異な
る。工程−j以外は実施例1と同ように画像表示装置を
作成した。
Embodiment 3 In this embodiment, as the adhesive in Step-j of the process of Embodiment 1, a polymer-based thermoplastic sheet adhesive mainly composed of polysulfone 9, 14: Techno Alpha Product name is different from that of the first embodiment in that a stay stick 401 is used and a heat treatment temperature is 250 ° C. An image display device was prepared in the same manner as in Example 1 except for the step-j.

【0095】[実施例4]本実施例は、実施例1の工程
の工程−jの接着剤として、ポリスルホンを主成分とす
る高分子系熱可塑性のペースト状の接着剤9,14:テ
クノアルファ(株)製品名 ステイスティック301を
用い、ディスペンサ塗布法で任意の形状にガラス部材に
コーティングし、脱法し、150℃で溶剤を蒸発させた
のち、加熱処理温度が300℃である点が実施例1と異
なる。
[Embodiment 4] In this embodiment, as the adhesive in the step-j of the process of the embodiment 1, a high-molecular thermoplastic paste adhesive containing polysulfone as a main component 9, 14: Techno Alpha The product name is that the glass material is coated in an arbitrary shape by a dispenser application method using a stay stick 301, degassing is performed, the solvent is evaporated at 150 ° C., and the heat treatment temperature is 300 ° C. in the embodiment. Different from 1.

【0096】工程−j以外は実施例1と同ように画像表
示装置を作成した。
An image display device was prepared in the same manner as in Example 1 except for the step-j.

【0097】[実施例5]本実施例は、接着工程前にフ
ォーミング・活性化を行った点が実施例1と異なる。本
実施例では、実施例1の工程の工程−hを行なった後、
工程−k、lを行い、その後工程−i、jを行い、次に
工程m、nを行った。
[Embodiment 5] This embodiment is different from Embodiment 1 in that forming and activation are performed before the bonding step. In this embodiment, after performing the step-h of the process of the first embodiment,
Steps -k and 1 were performed, then steps -i and j were performed, and then steps m and n were performed.

【0098】以上により本実施例の画像表示装置を作成
した。
As described above, the image display device of the present embodiment was prepared.

【0099】[比較例1]実施例1と類似の画像表示装
置を作成した。但し、本比較例においては、接着剤とし
てフリットを用い、接着温度が410℃で形成する工程
を行った。
Comparative Example 1 An image display device similar to that of Example 1 was produced. However, in this comparative example, a step of forming at a bonding temperature of 410 ° C. was performed using a frit as an adhesive.

【0100】以上で述べた実施例1から実施例5及び比
較例1の画像表示装置の比較評価を行った。評価は単純
マトリクス駆動を行い、画像表示装置を全面発光させ、
輝度の経時変化を測定した。その結果、初期の輝度は夫
々異なるが、輝度の経時変化は同等であった。
The image display devices of Examples 1 to 5 and Comparative Example 1 described above were compared and evaluated. For evaluation, simple matrix drive was performed, and the image display device was made to emit light over the entire surface.
The change in luminance over time was measured. As a result, the initial luminance was different from each other, but the temporal change of the luminance was equivalent.

【0101】以上説明したように、接着剤としてポリフ
ェニル化合物を有する接着剤を用いた接着工程は、熱処
理温度が350℃以下の1回の接着工程であるので、電
力コストを下げ、画像表示装置をはじめとする外囲器を
提供することができた。
As described above, since the bonding step using an adhesive having a polyphenyl compound as the adhesive is a single bonding step at a heat treatment temperature of 350 ° C. or lower, the power cost can be reduced and the image display device can be reduced. And other envelopes.

【0102】更に、実施例5では、通電フォーミング及
び活性化処理は外囲器接着前に行っているため、従来
は、フォーミング・活性化を行った後、410℃のフリ
ット接着を行うと熱による特性劣化すなわち電子放出電
流の低下による輝度低下や寿命短縮が起きてしまう場合
があったのに対し、輝度低下や寿命短縮は、ほとんど見
られなかった。また、通電フォーミング及び活性化処理
は外囲器接着前に真空チャンバー内で行っているため
に、ガス導入が外囲器接着後に比べて容易であること及
び万一通電フォーミング及び活性化処理に不具合があっ
た場合でも、外囲器としてではなく、リアプレート単体
が無駄になるだけで済む利点を有する。
Further, in the fifth embodiment, since the energization forming and the activation process are performed before the enclosing of the envelope, conventionally, if the frit bonding at 410 ° C. is performed after the forming and the activation are performed, heat is applied. Degradation of characteristics, that is, a decrease in luminance and a shortened life due to a decrease in electron emission current sometimes occurred, whereas a decrease in luminance and a shortened life were hardly observed. In addition, since the energization forming and activation processing is performed in the vacuum chamber before bonding the envelope, gas introduction is easier than after adhesion of the enclosure, and there is a defect in the energization forming and activation processing. In this case, there is an advantage that only the rear plate alone is wasted instead of as an envelope.

【0103】[実施例6]本実施例の画像表示装置を図
14に示す。
Embodiment 6 FIG. 14 shows an image display device of this embodiment.

【0104】又、図15は、図14のC−C’断面図で
ある。
FIG. 15 is a sectional view taken along the line CC 'of FIG.

【0105】本実施例は、画像表示装置内に非蒸発型ゲ
ッタを設置した点が実施例1と異なる。
The present embodiment is different from the first embodiment in that a non-evaporable getter is provided in the image display device.

【0106】本実施例では、ゲッタ工程−hの後、工程
−xを行った後、工程−i〜nを行った以外は、実施例
1と同ように画像表示装置を作成した。
In this embodiment, an image display device was prepared in the same manner as in Embodiment 1, except that after the getter step-h, the step-x was performed, and then the steps-i to n were performed.

【0107】但し、本実施例の工程−mにおいては、画
像表示装置の加熱/排気保持により、内部からのガスの
除去が行われるだけでなく、ゲッタの活性化処理も兼ね
て行われる。
However, in the step-m of this embodiment, not only the removal of gas from the inside but also the activation of the getter is performed by heating / exhausting the image display apparatus.

【0108】工程−x メタルマスクを用いて画像表示領域内の上配線102上
に、スパッタリング法によりZr−V−Fe合金よりな
るゲッタ層17を形成する。使用したスパッタリングタ
ーゲットの組成は、Zr;70%、V;25%、Fe;
5%(重量比)である(図9(x))。
Step-x A getter layer 17 made of a Zr-V-Fe alloy is formed on the upper wiring 102 in the image display area by using a metal mask by a sputtering method. The composition of the sputtering target used was as follows: Zr; 70%, V; 25%, Fe;
It is 5% (weight ratio) (FIG. 9 (x)).

【0109】以上により、ゲッタ17備えた電子源1を
形成した。
As described above, the electron source 1 provided with the getter 17 was formed.

【0110】[比較例2]実施例6と類似の画像表示装
置を作成した。本比較例においては、接着剤としてフリ
ットを用い、接着温度が420℃で形成する工程を行っ
た。
Comparative Example 2 An image display device similar to that of Example 6 was produced. In this comparative example, a step of forming at a bonding temperature of 420 ° C. using a frit as an adhesive was performed.

【0111】実施例6と比較例2の画像表示装置の比較
評価を行った。評価は単純マトリクス駆動を行い、画像
表示装置を全面発光させ、輝度の経時変化を測定した。
その結果、初期の輝度は夫々異なるが、実施例6の画像
表示装置では、ゲッタが充分に機能し、長時間動作させ
た場合でも、輝度の低下はほとんど見られなかった。一
方、比較例2では、相対的に輝度は徐々に低下した。そ
の低下の度合いはゲッタの配置していない比較例1とほ
ぼ同等だった。
The image display devices of Example 6 and Comparative Example 2 were compared and evaluated. For evaluation, simple matrix driving was performed, the image display device was made to emit light over the entire surface, and a change in luminance over time was measured.
As a result, although the initial luminance was different, the getter functioned sufficiently in the image display device of Example 6 and almost no decrease in luminance was observed even when the getter was operated for a long time. On the other hand, in Comparative Example 2, the luminance gradually decreased relatively. The degree of the decrease was almost equal to Comparative Example 1 in which no getter was provided.

【0112】[0112]

【発明の効果】以上説明した本発明によれば、接合剤と
してポリフェニル化合物を有する接着剤を用いることに
より、電力コストを下げ、輝度低下や寿命短縮、ゲッタ
の機能の劣化は、ほとんど見られない外囲器を提供する
ことができる。またこの外囲器を画像表示装置に適用し
た場合には、輝度低下や寿命短縮が少なく、さらに表示
品位が高く、ゲッタの機能も充分であるという効果が得
られる。
According to the present invention described above, by using an adhesive having a polyphenyl compound as a bonding agent, power cost is reduced, luminance is reduced, life is shortened, and getter function is hardly deteriorated. No envelope can be provided. Further, when this envelope is applied to an image display device, there are obtained effects such that a decrease in luminance and a reduction in life are small, the display quality is high, and the function of the getter is sufficient.

【0113】なお、本発明は、電子源と画像形成部材の
間に、制御電極などの電極構造体を有しない画像表示装
置において特に有効であるが、制御電極などを有する画
像表示装置に対して本発明を適用した場合にも、同よう
の効果が当然期待される。
The present invention is particularly effective in an image display device having no electrode structure such as a control electrode between an electron source and an image forming member. The same effect is naturally expected when the present invention is applied.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の画像表示装置の斜視図FIG. 1 is a perspective view of an image display device of the present invention.

【図2】図1のC−C’断面図FIG. 2 is a sectional view taken along the line C-C 'of FIG.

【図3】蛍光体の配列図FIG. 3 is an array diagram of phosphors.

【図4】マトリクス配線の電子源の模式図FIG. 4 is a schematic view of a matrix wiring electron source.

【図5】図4のA−A’断面図FIG. 5 is a sectional view taken along line A-A ′ of FIG. 4;

【図6】NTSC信号を表示する駆動回路のブロック図FIG. 6 is a block diagram of a driving circuit for displaying an NTSC signal;

【図7】240行×720列の表面伝導型電子放出素子
による電子源の一部平面図
FIG. 7 is a partial plan view of an electron source using a surface conduction electron-emitting device of 240 rows × 720 columns.

【図8】図7のB−B’断面図8 is a sectional view taken along the line B-B 'of FIG.

【図9】電子源の製造工程図FIG. 9 is a manufacturing process diagram of the electron source.

【図10】フォーミング工程及び活性化工程において用
いる真空装置の概念図
FIG. 10 is a conceptual diagram of a vacuum device used in a forming step and an activation step.

【図11】フォーミング及び活性化を行うシステムのブ
ロック図
FIG. 11 is a block diagram of a forming and activating system.

【図12】フォーミング電圧の波形図FIG. 12 is a waveform diagram of a forming voltage.

【図13】活性化電圧の波形図FIG. 13 is a waveform diagram of an activation voltage.

【図14】非蒸発型ゲッタを備えた実施例6の画像表示
装置の斜視図
FIG. 14 is a perspective view of an image display device according to a sixth embodiment including a non-evaporable getter.

【図15】図14のC−C’断面図15 is a sectional view taken along the line C-C 'of FIG.

【図16】従来の画像表示装置の斜視図FIG. 16 is a perspective view of a conventional image display device.

【図17】図16のB−B’断面図17 is a sectional view taken along the line B-B 'in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 電子源基板 2 リアプレート 3 外枠 4 フェースプレート 5 外囲器 6 ガラス基体 7 蛍光体 8 メタルバック 9,14 接着剤 10 行選択用端子 11 信号入力端子 12 黒色導電材 13 蛍光体パターン 16,17 ゲッタ 71 ガラス基体 72 上配線(X方向配線) 73 下配線(Y方向配線) 74 層間絶縁膜 75,76 素子電極 77 コンタクトホール 78 電子放出部 81 画像表示装置 82 走査回路 83 制御回路 84 シフトレジスタ 85 ラインメモリ 86 同期信号分離回路 87 変調信号発生器 101 ガラス基体 102 上配線 103 下配線 104 層間絶縁層 105,106 素子電極 107 コンタクトホール 108 電子放出部 121 画像表示装置 122 排気管 123 真空容器 124 ゲートバルブ 125 排気装置 126 圧力計 127 Q−mass 128 ガス導入量制御手段 129 物質源 131 制御装置 132 パルス発生器 133 電流計 134 ライン選択装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Electron source board 2 Rear plate 3 Outer frame 4 Face plate 5 Enclosure 6 Glass base 7 Phosphor 8 Metal back 9, 14 Adhesive 10 Row selection terminal 11 Signal input terminal 12 Black conductive material 13 Phosphor pattern 16, 17 Getter 71 Glass substrate 72 Upper wiring (X-direction wiring) 73 Lower wiring (Y-direction wiring) 74 Interlayer insulating film 75, 76 Device electrode 77 Contact hole 78 Electron emission section 81 Image display device 82 Scanning circuit 83 Control circuit 84 Shift register 85 Line memory 86 Synchronous signal separation circuit 87 Modulation signal generator 101 Glass substrate 102 Upper wiring 103 Lower wiring 104 Interlayer insulating layer 105, 106 Device electrode 107 Contact hole 108 Electron emission part 121 Image display device 122 Exhaust pipe 123 Vacuum container 124 Gate Valve 125 exhaust Apparatus 126 Pressure gauge 127 Q-mass 128 Gas introduction amount control means 129 Substance source 131 Controller 132 Pulse generator 133 Ammeter 134 Line selector

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 重岡 和也 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 荒井 由高 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 小▲柳▼ 和夫 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 Fターム(参考) 4J040 EA011 EE061 EJ031 EL031 LA08 NA01 NA13 PB11 5C032 BB18 BB20 5C036 EE01 EE17 EF01 EF06 EF09 EG06 EH11  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Kazuya Shigeoka 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Inside Canon Inc. (72) Inventor Yoshitaka Arai 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Within Canon Inc. (72) Inventor Kazuo Koyanagi ▼ 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo F-term within Canon Inc. (reference) 4J040 EA011 EE061 EJ031 EL031 LA08 NA01 NA13 PB11 5C032 BB18 BB20 5C036 EE01 EE17 EF01 EF06 EF09 EG06 EH11

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 フェースプレートと、前記フェースプレ
ートと対向して配置されたリアプレートと、前記フェー
スプレートと前記リアプレートとの間にあって周囲を包
囲する外枠と、前記外枠と前記フェースプレートと前記
外枠と前記リアプレートとをそれぞれ接合する接合剤と
からなる外囲器において、 前記接合剤のうち少なくとも一つは、ポリフェニル化合
物を含む高分子熱可塑性接着剤であることを特徴とする
外囲器。
1. A face plate, a rear plate disposed to face the face plate, an outer frame between the face plate and the rear plate, surrounding the periphery, the outer frame and the face plate, In an envelope comprising a bonding agent for bonding the outer frame and the rear plate, at least one of the bonding agents is a polymer thermoplastic adhesive containing a polyphenyl compound. Envelope.
【請求項2】 内部にゲッタを配置することを特徴とす
る請求項1記載の外囲器。
2. The envelope according to claim 1, wherein a getter is disposed inside.
【請求項3】 請求項1、2のいずれか一つに記載され
た外囲器を用いた画像表示装置であって、 前記フェースプレートに蛍光体及び電子加速電極を形成
し、 前記リアプレートに電子源を形成することを特徴とする
画像表示装置。
3. An image display device using the envelope according to claim 1, wherein a phosphor and an electron accelerating electrode are formed on the face plate, and the rear plate is provided on the rear plate. An image display device comprising an electron source.
【請求項4】 前記電子源は、表面伝導型の電子放出素
子であることを特徴とする請求項3記載の画像表示装
置。
4. The image display device according to claim 3, wherein said electron source is a surface conduction electron-emitting device.
JP11049199A 1999-02-25 1999-02-25 Image display device Withdrawn JP2000251769A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11049199A JP2000251769A (en) 1999-02-25 1999-02-25 Image display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11049199A JP2000251769A (en) 1999-02-25 1999-02-25 Image display device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000251769A true JP2000251769A (en) 2000-09-14

Family

ID=12824341

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11049199A Withdrawn JP2000251769A (en) 1999-02-25 1999-02-25 Image display device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000251769A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100504034B1 (en) * 2001-06-15 2005-07-27 캐논 가부시끼가이샤 Method for fabricating vacuum container and method for fabricating image-forming apparatus using the vacuum container

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100504034B1 (en) * 2001-06-15 2005-07-27 캐논 가부시끼가이샤 Method for fabricating vacuum container and method for fabricating image-forming apparatus using the vacuum container
US7081029B2 (en) 2001-06-15 2006-07-25 Canon Kabushiki Kaisha Method for fabricating vacuum container and method for fabricating image-forming apparatus using the vacuum container
US7662010B2 (en) 2001-06-15 2010-02-16 Canon Kabushiki Kaisha Method for fabricating vacuum container and method for fabricating image-forming apparatus using the vacuum container

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3423511B2 (en) Image forming apparatus and getter material activation method
US6396207B1 (en) Image display apparatus and method for producing the same
JP3605037B2 (en) Envelope and image forming apparatus using the same
JP3548498B2 (en) Electron source forming substrate, electron source using the substrate, and image display device
JP3100131B1 (en) Image forming device
JP3530800B2 (en) Electron source forming substrate, electron source using the substrate, and image display device
EP0896357B1 (en) Method for producing image-forming apparatus
JP2001319564A (en) Substrate for forming electron source, electron source and picture display device using this substrate
JP2000133136A (en) Image forming device and manufacture thereof
JP2000251769A (en) Image display device
JP3122880B2 (en) Method of manufacturing image display device
JP2000251787A (en) Image forming device and activation method of getter material
JP2001076650A (en) Image display device and its manufacture
JP2000082428A (en) Image displaying device
JP2001052634A (en) Image forming device and manufacture of the same
JP2002313220A (en) Electron emission element, manufacturing method of electron source and imaging device
JP3595651B2 (en) Image forming device
JP2000251656A (en) Airtight vessel, electron source, and image forming device
JP2000243326A (en) Image forming device and inspection method of degree of vacuum inside of image forming device
JP2000123735A (en) Manufacture of image forming device
JP3524392B2 (en) Image forming apparatus manufacturing method
JP2000251788A (en) Image display device and its manufacture
JP2000243238A (en) Electron source and image forming device
JP2000195446A (en) Image forming device and manufacture thereof
JP2000251714A (en) Manufacture for image forming device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20051209

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20070221