JP2000133451A - 有機電界発光素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】素子生産性を向上し、コストダウンが可能な有
機電界発光素子の製造方法を提供する。 【解決手段】本発明は、基板上に形成された第一電極上
に、少なくとも有機化合物からなる発光層を含む薄膜層
を前記基板上に形成する工程と、前記薄膜層上に第二電
極を形成する工程を含む有機電界発光素子の製造方法で
あって、前記薄膜層と前記第二電極の少なくとも一方を
ｎ枚（ｎは２以上の整数）の基板上に同時に形成するこ
とで、生産効率の向上を達成することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、表示素子、フラッ
トパネルディスプレイ、バックライト、照明、インテリ
ア、標識、看板、電子写真機などの分野に利用可能な、
電気エネルギーを光に変換できる有機電界発光素子の製
造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】陰極から注入された電子と陽極から注入
された正孔とが、両極に挟まれた有機蛍光体内で再結合
して発光するという有機電界発光素子の研究が近年活発
に行われるようになってきた。この素子は、薄型、低駆
動電圧下での高輝度発光、蛍光材料を選ぶことによる多
色発光が特徴であり注目を集めている。

【０００３】有機電界発光素子が低電圧で高輝度に発光
することは、イーストマン・コダック社のC.W.Tangらに
よって初めて示された(Appl.Phys.Lett.,51(12)913(198
7).)。ここに示された有機電界発光素子の代表的な構成
は、ＩＴＯ透明電極膜が形成されたガラス基板上に、蒸
着法によって正孔輸送性のジアミン化合物、発光層であ
る８−ヒドロキシキノリンアルミニウム、そして陰極と
してＭｇ：Ａｇを順次設けたものであり、１０Ｖ程度の
駆動電圧で１０００ｃｄ／ｍ²の緑色発光が可能であっ
た。現在の有機電界発光素子は、上記の素子構成要素の
他に電子輸送層を設けるなど構成を変えているものもあ
るが、基本的にはC.W.Tangらの構成を踏襲している。

【０００４】高輝度および多色発光が可能であるこれら
の有機電界発光素子を表示素子などに利用する検討も盛
んであり、フルカラーディスプレイの場合には、所定の
位置に赤(Ｒ)，緑(Ｇ)，青(Ｂ)の発光層を形成する。従
来、このようなパターン加工はフォトリソグラフィ法に
代表されるウエットプロセスによって達成されたが、有
機電界発光素子を形成する有機膜は水分や有機溶媒、薬
液に対する耐久性に乏しい。特開平６−２３４９６９号
公報に代表されるように、有機材料を工夫することによ
りウエットプロセスの可能な素子が得られることも示さ
れているが、このような方法では素子に用いる有機材料
が限定されてしまう。さらに、表示素子に必要な有機層
上部の電極のパターン加工についても同様の問題があ
る。

【０００５】このような理由から蒸着法に代表されるド
ライプロセスによって有機電界発光素子を製造し、パタ
ーン加工にはマスク蒸着法を利用し、実現することが多
い。つまり、素子の基板前方にシャドーマスクを配置し
て、シャドーマスク開口部のみに有機層あるいは電極を
蒸着するものである。

【０００６】さらに、ウエットプロセスを用いないパタ
ーニング法として、特開平５−２７５１７２号公報、特
開平５−２５８８５９号公報、特開平５−２５８８６０
号公報などに開示されている隔壁法が知られている。第
一電極パターニング後の基板上に平行に配置したストラ
イプ状の隔壁を作製し、その基板に隔壁に対して垂直方
向、基板面に対して斜めの方向から発光材料や第二電極
材料を蒸着することによってパターニングする方法であ
る。また、特開平８−３１５９８１号公報に開示されて
いる隔壁法では、Ｔ字断面形状または断面形状の１部も
しくは全部が逆テーパーであるオーバーハング部を有す
る隔壁が形成された基板に垂直に蒸着して第二電極をパ
ターニングしている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】発光層を含む薄膜層や
その上に形成する第二電極は、マスク蒸着法を用いる場
合にも、隔壁法を用いる場合にも真空装置内の作業工程
を経ることが不可欠であり、これらの工程が発光素子の
生産性を決める要素となり、素子の生産コストに重要な
影響を与える。本発明はかかる問題を解決し、素子生産
性を向上し、コストダウンが可能な有機電界発光素子の
製造方法を提供する。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に形成
された第一電極上に少なくとも有機化合物からなる発光
層を含む薄膜層を形成する工程と、この薄膜層上に第二
電極を形成する工程を含む有機電界発光素子の製造方法
であって、前記薄膜層および前記第二電極の少なくとも
一方をｎ枚（ｎは２以上の整数）の基板上に同時に形成
することを特徴とする有機電界発光素子の製造方法であ
る。

【０００９】

【発明の実施の形態】本発明における有機電界発光素子
とは、陽極と陰極との間に少なくとも有機化合物からな
る発光層が存在し、電気エネルギーにより発光する素子
である。

【００１０】本発明の有機電界発光素子の製造方法は、
薄膜層と第二電極の少なくとも一方をｎ枚（ｎは２以上
の整数）の基板上に同時に形成するものである。用いる
基板上には、第一電極または第一電極と少なくとも一部
分が薄膜層の厚さを上回る高さをもつスペーサーとが形
成されていている。この製造方法は、単一発光素子、セ
グメント型、単純マトリクス型、アクティブマトリクス
型などの発光装置の形式や、カラー、モノクロなどの発
光色数を問わず任意の構造の有機電界発光素子に適用す
ることが可能である。

【００１１】本発明では、ｍ枚（ｍは２以上の整数）の
有機電界発光素子に対応する第一電極の形成または第一
電極とスペーサーの形成を１枚の基板上で行った後、ｍ
枚に切断分離し、発光層を含む薄膜層と第二電極の形成
を行う真空工程の作業ではｎ枚（ｎは２以上の整数）を
同時に処理する方法を用いることもできる。

【００１２】第一電極の形成工程およびスペーサー形成
工程は、フォトリソグラフィ法による加工であり、感光
性成分の塗布、フォトマスクを介してのパターン露光、
現像、必要に応じて感光性成分パターンを利用してのエ
ッチングおよび感光性成分パターンの除去などで行われ
る。

【００１３】第一電極の形成後に、少なくとも一部分が
薄膜層の厚さを上回る高さをもつスペーサーを基板上に
形成することができる。このスペーサーは、隔壁法にお
ける隔壁として機能させたり、マスク蒸着法においてシ
ャドーマスクが薄膜層を傷つけることを防止する層とし
て機能させたり、発光領域を規定したり、第一電極のエ
ッジ部分を覆うための絶縁層として機能させることがで
きる。

【００１４】１枚の基板上にｍ枚（ｍは２以上の整数）
の有機電界発光素子に対応する第一電極のパターニング
は、１枚のフォトマスクにｍ枚分の第一電極パターニン
グに相当する配置で作製されたパターンを有するフォト
マスクを用いて、露光・現像、ＩＴＯのエッチングおよ
びレジスト除去の工程で行うことができる。または、１
枚分の第一電極パターニングに対応するフォトマスクを
用意し、このフォトマスクを介して露光をｍ回繰り返し
てｍ個の第一電極のパターニングを行った後、現像し、
ＩＴＯエッチングおよびレジスト除去の工程を行うな
ど、種々の手順で行うことができる。このように１枚の
基板上にｍ枚分の第一電極の形成または第一電極の形成
とスペーサーを形成した基板をｍ枚に切断して、それ以
後の製作工程に供することが好ましい。

【００１５】第一電極パターニングに対応して、少なく
とも有機化合物からなる発光層を含む薄膜層および第二
電極を形成して有機電界発光素子を形成する。本発明で
は、薄膜層と第二電極の少なくとも一方はｎ枚（ｎは２
以上の整数）の基板上に同時に形成することを特徴とし
ている。薄膜層を形成する場合には、それを構成する層
すべてをｎ枚の基板上に形成することに限定されるわけ
ではなく、例えば、正孔輸送層はｎ枚の基板上に同時に
形成して、発光層はそれぞれ１枚ずつの基板上に形成し
てもよい。第二電極についても複数層からなる場合には
同様である。

【００１６】薄膜層もしくは第二電極の形成はドライプ
ロセスで行われ、作業が真空装置内で実施されるので、
その作業を効率的に進行させるには、ｎ枚の基板を同時
に真空装置内にセットして１回の蒸着工程でｎ枚の有機
電界発光素子に対する製作工程を行うことが好ましい。
薄膜層の形成、第二電極の形成さらに保護層の形成など
ドライプロセスで形成される構成機能は多数になるの
で、ｎ枚を一括処理する方法の採用は、有機電界発光素
子の製造方法を効率化することができる。

【００１７】発光層および第二電極のパターニング法は
限定されるものではなく、隔壁法を用いることもできる
が、少なくとも一方をマスク蒸着法によってパターニン
グすることが好ましい。マスク蒸着法を用いる工程の選
択は、形成しようとする発光素子の機能に対応して行う
ことができる。例えば、モノクロ発光素子においては、
第二電極の形成工程が適当である。また、カラーディス
プレイにおいては、いずれか一方の工程でマスク蒸着を
行い、他方は隔壁法を用いることもできるし、両方をマ
スク蒸着法で実施することもできる。また、第二電極の
パターニングを隔壁法で行う場合でも、蒸着エリアを規
制するためにシャドーマスクを併用することが多い。

【００１８】第二電極のパターニング方法は限定される
ものではなく、隔壁法、マスク蒸着法、レーザーアブレ
ーション法などの公知技術が利用できるが、なかでも広
い電極形成条件に対応できるマスク蒸着法が好ましい。

【００１９】マスク蒸着法では、目的とするパターニン
グに対応した開口部とマスク部を形成したシャドーマス
クを基板の前面に配置してそれぞれの材料を蒸着する。
本発明では、ｎ枚の基板に対してｎ個のシャドーマスク
をそれぞれ配置させた状態で発光層もしくは第二電極の
少なくとも一方をパターニングする方法と、ｎ個の開口
部が存在するフレームに取り付けられたシャドーマスク
を用いて、発光層もしくは第二電極の少なくとも一方を
パターニングする方法を用いることが好ましい。

【００２０】シャドーマスク自体は剛直性や機械的強度
が十分でない場合が多いので、通常同じサイズを有し、
機械的強度の十分な材料でできたフレームに取り付けて
用いられる。本発明では、ｎ枚の基板それぞれに対し
て、フレームに取り付けたシャドーマスクｎ個を配置さ
せた状態で、発光層もしくは第二電極の少なくとも一方
をパターニングして有機電界発光素子を製造する方法が
好ましく用いられる。これを「分割タイプ」と呼称す
る。この場合、それぞれ独立したｎ個のシャドーマスク
を用いるので、マスクの取り替えの自由度が大きく、ま
たマスクはそれぞれ個別に位置合わせすることができる
ので精度の高いパターニングが可能になる。

【００２１】もう一つの好ましい方法は「障子タイプ」
と呼称することができるものである。すなわち、ｎ個の
開口部が存在するフレームに取り付けられたシャドーマ
スクを用いて発光層もしくは第二電極の少なくとも一方
をパターニングするものである。シャドーマスク上のｎ
面の相対的な位置はマスクの作製時点で決められている
ので、ｎ枚の基板を相対的に移動して、それぞれの基板
の位置合わせを行うことができる。このタイプのシャド
ーマスクを用いることで、マスク全体の強度が向上する
こと、基板の配置をコンパクトにすることで処理枚数を
多くできるという利点がある。

【００２２】「分割タイプ」を用いるか、「障子タイ
プ」を用いるかの選別は、作製する有機電界発光素子の
サイズ、同時に形成する素子の数、それぞれの素子の精
細度、素子のタイプなどを考慮して決められる。それぞ
れが前記のような特徴を有するので、それらの特徴を生
かすような選択が好ましい。

【００２３】本発明はｎ枚（ｎは２以上の整数）の基板
上に発光層を含んだ薄膜層、もしくは第二電極の少なく
とも一方を同時に形成して有機電界発光素子を作製する
ものであるが、素子作製の手順や用いる方法と材料は１
面ずつの作製の場合と全く同様である。形成する有機電
界発光素子の代表的な構造の平面図と断面図を図１と図
２に示す。ガラス基板１に形成された透明な第一電極
（陽極）２上に正孔輸送層５、発光層６、電子輸送層
７、第二電極（陰極）８が積層されている。さらに第二
電極の上に保護層が形成される場合がある。

【００２４】本発明では、第一電極を所定の間隔をあけ
て配置された複数のストライプ状電極にパターニング
し、第二電極は前記第一電極に交差する複数のストライ
プ状電極にパターニングすることが好ましく、第一電極
と第二電極の交差部が発光領域となり、マトリクスが形
成される。第一電極と第二電極の交差の角度は限定され
るものではないが、多くの場合、直交させている。

【００２５】有機電界発光素子の第二電極パターニング
形成まで行って、大気中に取り出す場合、外気の水分や
酸素による発光特性の劣化が起こる。これを防止するた
め第二電極形成工程後に保護層をｎ枚の基板上に同時に
形成することが好ましい。

【００２６】保護層の材料としては、酸化珪素、酸化ガ
リウム、酸化チタン、窒化珪素などの無機材料、各種高
分子材料、有機電界発光素子を構成する有機材料を用い
ることができる。なかでも窒化珪素は水分に対するバリ
ア性に優れた好適な保護層材料である。これらの保護層
は蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法などによって形
成されるが、用いる材料によってはマスク蒸着法など既
知の方法で保護層をパターニングして形成することもで
きる。また、公知技術を用いて発光領域を封止してもよ
い。

【００２７】本発明においては、ＩＴＯ膜を間隔をあけ
て配置された複数のストライプ状電極にパターニングし
て第一電極を形成することが好ましいが、１枚の基板上
にｍ枚（ｍは２以上の整数）の有機電界発光素子に対応
した第一電極を形成するため、１枚の基板をｍ分割した
配置でパターニングすることが好ましく、さらにスペー
サーを形成して、それ以後にｍ枚に切断し分離する。

【００２８】第一電極と第二電極は素子の発光のために
十分な電流を供給する役割を有するものであり、光を取
り出すために少なくとも一方は透明であることが望まし
い。通常、基板に接して形成される第一電極を透明電極
とし、これを陽極とする。

【００２９】好ましい透明電極材料としては、酸化錫、
酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化バナジウム、酸化錫イ
ンジウム（以下ＩＴＯ）などをあげることができる。パ
ターニングを施す目的からは、加工性に優れたＩＴＯを
用いることが好ましい。

【００３０】第一電極をパターニングする工程には、ウ
エットエッチングを伴うフォトリソグラフィ法を用いる
ことができる。第一電極のパターン形状は特に限定され
ず、用途によって最適パターンを選択すればよい。本発
明では、一定の間隔をあけて配置された複数のストライ
プ状電極にパターニングすることが好ましい。

【００３１】透明電極の表面抵抗を下げたり、電圧降下
抑制のために、ＩＴＯには少量の銀や金などの金属が含
まれていてもよく、また、錫、金、銀、亜鉛、インジウ
ム、アルミニウム、クロム、ニッケルをＩＴＯのガイド
電極として使用することも可能である。特に、クロムは
ブラックマトリックスとガイド電極の両方の機能を持た
せることができることから好適な金属である。素子の消
費電力の観点からは、ＩＴＯは低抵抗であることが望ま
しい。例えば、３００Ω／□以下のＩＴＯ基板(ＩＴＯ
薄膜を形成した透明基板）であれば素子電極として機能
するが、現在では１０Ω／□程度のＩＴＯ基板の供給も
可能になっていることから、低抵抗品を使用することが
特に望ましい。ＩＴＯの厚みは抵抗値に合わせて選ぶこ
とができるが、通常１００〜３００ｎｍである。ＩＴＯ
膜形成方法は、電子ビーム法、スパッタリング法、化学
反応法など特に制限を受けるものではない。

【００３２】透明電極は可視光線透過率が３０％以上あ
れば使用に大きな障害はないが、理想的には１００％に
近い方が好ましい。基本的には可視光全域において同程
度の透過率をもつことが好ましいが、発光色を変化させ
たい場合には積極的に光吸収性を付与させることも可能
である。このような場合にはカラーフィルターや干渉フ
ィルターを用いて変色させる方法が技術的に容易であ
る。

【００３３】基板の材料は、表示または発光素子として
機能するに適した光学的透明性、機械的強度、耐熱性な
どを有するものであれば、材質は特に限定されない。ポ
リメチルメタクリレート、ポリカーボネート、無定形ポ
リオレフィンなどのプラスチック板やフィルム類を用い
ることができるが、ガラス板を用いるのが最も好まし
い。ガラスの材質については、無アルカリガラスや酸化
珪素膜などのバリアコートを施したソーダライムガラス
などが使用できる。厚みは機械的強度を保つのに十分な
厚みがあればよいので、０．５ｍｍ以上あれば十分であ
る。

【００３４】上記第一電極もしくは基板には、公知技術
を用いて反射防止機能を付加することができる。

【００３５】スペーサーは第一電極に接する状態で形成
されることが多いために、十分な電気絶縁性を有するこ
とが好ましい。導電性のスペーサーを用いることもでき
るが、その場合は電極間の短絡を防止するための電気絶
縁性部分を形成すればよい。スペーサー材料としては公
知の材料を用いることが可能であり、無機物では酸化珪
素をはじめとする酸化物材料、ガラス材料、セラミック
ス材料などを、有機物では、ポリビニル系、ポリイミド
系、ポリスチレン系、アクリル系、ノボラック系、シリ
コーン系などのポリマー系樹脂材料を好ましい例として
挙げることができる。さらに、スペーサーの全体、もし
くは基板あるいは第一電極と接する部分を黒色化するこ
とで、有機電界発光装置の表示コントラスト向上に寄与
するブラックマトリクス的な機能をスペーサーに付加す
ることもできる。このような場合のスペーサー材料とし
ては、無機物では珪素、砒化ガリウム、二酸化マンガ
ン、酸化チタンや酸化クロムと金属クロムとの積層膜な
どを、有機物では上記樹脂材料に、電気絶縁性を高める
ために表面処理の施されたカーボンブラック系、フタロ
シアニン系、アントラキノン系、モノアゾ系、ジアゾ
系、金属錯塩型モノアゾ系、トリアリルメタン系、アニ
リン系などの公知の顔料や染料、あるいは上記無機材料
粉末を混合した材料を好ましい例として挙げることがで
きる。

【００３６】スペーサーのパターニング方法は特に限定
されないが、第一電極のパターニング工程後に基板全面
にスペーサー層を形成し、公知のフォトリソ法を用いて
パターニングする方法が工程的に容易である。フォトレ
ジストを使用したエッチング法あるいはリフトオフ法に
よってスペーサーをパターニングしてもよいし、例示し
た上記樹脂材料に感光性を付与した感光性スペーサー材
料を用い、スペーサー層を直接露光・現像することでパ
ターニングすることもできる。

【００３７】有機電界発光素子に含まれる薄膜層として
は、１）正孔輸送層／発光層、２）正孔輸送層／発光層
／電子輸送層、３）発光層／電子輸送層、そして４）以
上の組合せ物質を一層に混合した形態の発光層、のいず
れであってもよい。すなわち、素子構成として有機化合
物からなる発光層が存在していれば、上記１）〜３）の
多層積層構造の他に４）のように発光材料単独または発
光材料と正孔輸送材料や電子輸送材料を含む発光層を一
層設けるだけでも良い。

【００３８】正孔輸送層は正孔輸送性物質単独で、ある
いは正孔輸送性物質と高分子結着剤により形成される。
正孔輸送性物質としては、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，
Ｎ’−ジ（３−メチルフェニル）−１，１’−ジフェニ
ル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）やＮ，Ｎ’−ジフェ
ニル−Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−１，１’−ジフェニル−
４，４’−ジアミン（ＮＰＤ）などに代表されるトリフ
ェニルアミン類、Ｎ−イソプロピルカルバゾール、ビス
カルバゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、スチルベン系
化合物、ヒドラゾン系化合物、オキサジアゾール誘導体
やフタロシアニン誘導体に代表される複素環化合物、ポ
リマー系では前記単量体を側鎖に有するポリカーボネー
トやポリスチレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポ
リシラン、ポリフェニレンビニレンなどが好ましいが、
特に限定されるものではない。

【００３９】第一電極上にパターニングして形成される
発光層の材料は、アントラセンやピレン、そして８−ヒ
ドロキシキノリンアルミニウムの他には、例えば、ビス
スチリルアントラセン誘導体、テトラフェニルブタジエ
ン誘導体、クマリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、
ジスチリルベンゼン誘導体、ピロロピリジン誘導体、ペ
リノン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、チアジアゾ
ロピリジン誘導体、ポリマー系では、ポリフェニレンビ
ニレン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、そしてポリ
チオフェン誘導体などが使用できる。また、発光層に添
加するドーパントとしては、ルブレン、キナクリドン誘
導体、フェノキサゾン６６０、ＤＣＭ１、ペリノン、ペ
リレン、クマリン５４０、ジアザインダセン誘導体など
がそのまま使用できる。

【００４０】電子輸送性物質としては、電界を与えられ
た電極間において陰極からの電子を効率よく輸送するこ
とが必要で、電子注入効率が高く、注入された電子を効
率よく輸送することが望ましい。そのためには電子親和
性が大きく、しかも電子移動度が大きく、さらに安定性
に優れ、トラップとなる不純物が製造時および使用時に
発生しにくい物質であることが要求される。このような
条件を満たす物質として８−ヒドロキシキノリンアルミ
ニウム、ヒドロキシベンゾキノリンベリリウム、２−
（４−ビフェニル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）
−１，３，４−オキサジアゾール（ｔ−ＢｕＰＢＤ）な
どのオキサジアゾール系誘導体、薄膜安定性を向上させ
たオキサジアゾール二量体系誘導体の１，３−ビス（４
−ｔ−ブチルフェニル−１，３，４−オキサジゾリル）
ビフェニレン（ＯＸＤ−１）、１，３−ビス（４−ｔ−
ブチルフェニル−１，３，４−オキサジゾリル）フェニ
レン（ＯＸＤ−７）、トリアゾール系誘導体、フェナン
トロリン系誘導体などがある。

【００４１】以上の正孔輸送層、発光層、電子輸送層に
用いられる材料は単独で各層を形成することができる
が、高分子結着剤としてポリ塩化ビニル、ポリカーボネ
ート、ポリスチレン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾー
ル）、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリ
レート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレン
エーテル、ポリブタジエン、炭化水素樹脂、ケトン樹
脂、フェノキシ樹脂、ポリウレタン樹脂などの溶剤可溶
性樹脂や、フェノール樹脂、キシレン樹脂、石油樹脂、
ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、
アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などの硬
化性樹脂などに分散させて用いることも可能である。

【００４２】上記正孔輸送層、発光層、電子輸送層など
の有機層の形成方法は、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸
着、スパッタリング法などがある。特に限定されるもの
ではないが、通常は、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着な
どの蒸着法が特性面で好ましい。層の厚みは、有機層の
抵抗値にもよるので限定することはできないが、１０〜
１０００ｎｍの間から選ばれる。

【００４３】第二電極となる陰極は、電子を本素子の発
光層に効率よく注入できる物質であれば特に限定されな
い。従って、アルカリ金属などの低仕事関数金属の使用
も可能であるが、電極の安定性を考えると、白金、金、
銀、銅、鉄、錫、アルミニウム、マグネシウム、インジ
ウムなどの金属、またはこれら金属と低仕事関数金属と
の合金などが好ましい例として挙げられる。また、あら
かじめ有機層に低仕事関数金属を微量ドーピングしてお
き、その後に比較的安定な金属を陰極として成膜するこ
とで、電極注入効率を高く保ちながら安定な電極を得る
こともできる。これらの電極の作製法も抵抗加熱蒸着、
電子ビーム蒸着、スパッタリング、イオンプレーティン
グ法などのドライプロセスが好ましい。

【００４４】電気エネルギーとは主として直流電流を指
すが、パルス電流や交流電流を用いることも可能であ
る。電流値および電圧値は特に制限はないが、素子の消
費電力、寿命を考慮するとできるだけ低いエネルギーで
最大の輝度が得られるようにするべきである。

【００４５】シャドーマスクには蒸着部分となる開口部
と非蒸着部分となるマスク部分が存在するが、例えば、
ストライプ状の第二電極パターンに対応するシャドーマ
スクにおいては、マスク部分が糸のように細くなり、撓
みなどによって開口部形状が変形するという問題があ
る。このような問題に対しては、ストライプ状開口部の
変形を防止するために開口部を横切るように補強線を導
入してシャドーマスクの強度を向上させる手段が採用さ
れている。マトリクス状に形成される発光層形成に用い
るシャドーマスクに配置される補強線とストライプ状で
連続した導線として機能する第二電極の形成に用いるシ
ャドーマスクに配置される補強線とは、設置する位置が
異なり、それぞれ支障のないように工夫される。図３に
発光層パターニングに用いるシャドーマスクの一例を示
し、図４および図５に第二電極パターニングに用いるシ
ャドーマスクの一例を示したが、これらに限定されるも
のではない。

【００４６】このような微細なパターンに対応するシャ
ドーマスクは、非蒸着部となるマスク部分の機械的強度
が不足するので、ｎ枚の有機電界発光素子に対応するシ
ャドーマスクを１個の開口部を有するフレームに取り付
けたようなものよりも、１面のシャドーマスクを１個の
フレームに取り付けて用いるか、ｎ個の開口部を有する
フレームにｎ枚分のマスク部を設けた１枚のシャドーマ
スクを取り付けて用いる本発明の方法が、シャドーマス
クの強度や精度を保持するのに効果的であり、結果とし
て有機電界発光素子の製造歩留まりを高くすることにな
る。

【００４７】発光層および第二電極のマスク蒸着法に用
いられるシャドーマスクは、ステンレス鋼、銅合金、鉄
ニッケル合金、アルミニウム合金などの金属系材料、各
種樹脂系材料を用いて作製されるが、特に限定されるも
のではない。パターンが微細なためマスクの強度が十分
ではなく、有機電界発光素子の基板との密着性を磁力に
よって向上させることが必要な場合には、マスク材とし
て磁性材料を用いることが好ましい。その材料として
は、純鉄、炭素鋼、Ｗ鋼、Ｃｒ鋼、Ｃｏ鋼、ＫＳ鋼など
の焼入硬化磁石材料、ＭＫ鋼、Ａｌｎｉｃｏ鋼、ＮＫＳ
鋼、Ｃｕｎｉｃｏ鋼などの析出硬化磁石材料、ＯＰフェ
ライト、Ｂａフェライトなどの焼結磁石材料、ならびに
Ｓｍ−Ｃｏ系やＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系に代表される各種希土
類磁石材料、珪素鋼板、Ａｌ−Ｆｅ合金、Ｎｉ−Ｆｅ合
金（パーマロイ）などの金属磁心材料、Ｍｎ−Ｚｎ系、
Ｎｉ−Ｚｎ系、Ｃｕ−Ｚｎ系などのフェライト磁心材
料、カーボニル鉄、Ｍｏパーマロイ、センダストなどの
微粉末を結合材と共に圧縮成型させた圧粉磁心材料が挙
げられる。これらの磁性材料を薄い板状に成形したもの
からマスクを作製することが望ましいが、ゴムや樹脂に
磁性材料の粉末を混入してフィルム状に成形したものを
用いることもできる。

【００４８】シャドーマスクの製造方法は、特に限定さ
れるものではなく、機械的研磨法、サンドブラスト法、
焼結法、レーザー加工法などの方法を利用することがで
きるが、加工精度に優れるエッチング法、電鋳法、フォ
トリソグラフィ法を利用することが好ましい。中でも電
鋳法はマスク部分を比較的容易に成形できるので特に好
ましいシャドーマスクの製造方法である。

【００４９】フルカラー表示の有機電界発光素子は、赤
（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色の領域に発光ピーク
波長を有する３つの発光色に対応してパターニングされ
た３種類の発光層を有する。このようなフルカラー有機
電界発光素子の１つの発光層パターニングは、開口部を
第一電極のピッチで３ピッチ毎に形成したシャドーマス
クを用いて行う。第１の色の発光層をパターニングした
後、１ピッチ分だけ基板とシャドーマスクの相対位置を
動かして第２の色の発光層を作製し、さらに１ピッチ分
だけ相対位置を動かして第３の色の発光層を形成する。
しかし、フルカラー有機電界発光素子の発光層の形成
も、この方法に限定されることはなく、１つの発光層の
マスク蒸着を２回以上に分割して実施するなどの方法を
用いることもある。

【００５０】

【実施例】以下、実施例をあげて本発明を説明するが、
本発明はこれらの例によって限定されるものではない。

【００５１】実施例１ 外寸３６０ｍｍ×３００ｍｍ、厚さ１．１ｍｍの無アル
カリガラス表面にスパッタリング法によって厚さ１３０
ｎｍのＩＴＯ透明電極膜が形成されたＩＴＯガラス基板
（ジオマテック社製）を用意した。このＩＴＯ膜をフォ
トリソ法を用いてパターニングした後に切断した。この
ようにして、中央部に幅１２ｍｍのＩＴＯ膜(第一電
極）を有する、４６ｍｍ×３８ｍｍの大きさの基板を４
９枚作製した。

【００５２】発光層用シャドーマスクは、厚さ０．２ｍ
ｍのステンレス鋼製板の中央部に１５ｍｍ角の開口部を
形成したもので、幅２ｍｍのステンレス鋼製フレームを
有する。

【００５３】第二電極用シャドーマスクは、厚さ０．２
ｍｍのステンレス鋼製板にサイズ５ｍｍ×１２ｍｍの開
口部４つをマスク中心に縦横２ｍｍの間隔をあけて配置
したもので、幅２ｍｍのステンレス鋼製フレームを有す
る。

【００５４】パターン化されたＩＴＯ基板４枚を洗浄し
た後に蒸着機内にセットし、真空度を２×１０^-4Ｐａ以
下にして、それぞれの基板前面に該発光層用シャドーマ
スクを配置し、密着させた。この状態で、水晶振動子に
よる膜厚モニター表示値で銅フタロシアニン２０ｎｍ、
Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−１，
１’−ジフェニル−４，４’−ジアミン（ＮＰＤ）１０
０ｎｍおよびＡｌｑ₃１００ｎｍを蒸着した。その後、
薄膜層をリチウム蒸気に曝してドーピング（膜厚換算量
０．５ｎｍ）した。

【００５５】次に、該第二電極用シャドーマスクに交換
して、真空度３×１０^-4Ｐａ以下でアルミニウムを２０
０ｎｍの厚さに蒸着して、第二電極をパターニングし
た。

【００５６】これにより、基板上にそれぞれ４つの緑色
発光素子があるものが同時に４枚処理することができ
る。

【００５７】実施例２ 発光層パターニング用として、図３(ELX-2の図３)に示
したようにマスク部分と補強線とが同一平面内に形成さ
れたシャドーマスクを作製した。１枚のシャドーマスク
の外形は１２０×８４ｍｍ、マスク部分31の厚さは２５
μｍであり、長さ６４ｍｍ、幅１００μｍのストライプ
状開口部32がピッチ３００μｍで２７２本配置されてい
る。各ストライプ状開口部には、開口部と直交する幅２
０μｍ、厚さ２５μｍの補強線33が１．８ｍｍ間隔に形
成されている。それぞれのシャドーマスクは外形が等し
い幅４ｍｍのステンレス鋼製フレーム34に固定されてい
る。このように作製した12枚のシャドーマスクを４枚づ
つ３組に分けて用いる。本実施例はｎ＝４で、「分割タ
イプ」による有機電界発光素子の作製を行う。

【００５８】第二電極パターニング用として、図４およ
び図５に示すようにマスク部分３１の一方の面３５と補
強線３３との間に隙間３６が存在する構造の同一のシャ
ドーマスクを４枚用意した。シャドーマスクの外形は１
２０×８４ｍｍ、マスク部分の厚さは１００μｍであ
り、長さ１００ｍｍ、幅２５０μｍのストライプ状開口
部３２がピッチ３００μｍで２００本配置されている。
マスク部分の上には、幅４０μｍ、厚さ３５μｍ、対向
する二辺の間隔が２００μｍの正六角形構造からなるメ
ッシュ状の補強線が形成されている。隙間の高さはマス
ク部分の厚さと等しく１００μｍである。各々のシャド
ーマスクは発光層用シャドーマスクと同様のステンレス
鋼製のフレームに固定して用いられる。

【００５９】第一電極は以下の通りパターニングした。
厚さ１．１ｍｍの無アルカリガラス基板表面にスパッタ
リング蒸着法によって厚さ１３０ｎｍのＩＴＯ透明電極
膜が形成されたＩＴＯガラス基板（ジオマテック社製）
を２４０×２００ｍｍの大きさに切断した。ＩＴＯ基板
上にフォトレジストを塗布して、通常のフォトリソグラ
フィ法による露光、現像によってフォトレジストをパタ
ーニングした。本実施例ではｍ＝４の有機電界発光素子
を形成することを目的としているので、それに対応する
配置で第一電極のパターニングを行う必要があり、パタ
ーン露光に用いるフォトマスクは４枚の有機電界発光素
子に対応する第一電極パターンがまとめられたものを用
いた。また、４枚のそれぞれについて、パターン露光を
繰り返してパターニングすることもできる。ＩＴＯの不
要部分をエッチングして除去した後、フォトレジストを
除去することで、４枚の有機電界発光素子に対応してＩ
ＴＯ膜を長さ９０ｍｍ、幅７０μｍのストライプ形状に
パターニングした。１枚当たりのストライプ状第一電極
は１００μｍピッチで８１６本配置されている。

【００６０】スペーサーは以下のように形成した。ポリ
イミド系の感光性コーティング剤(東レ社製、ＵＲ−３
１００）をスピンコート法により前記第一電極を形成し
た基板上に塗布して、クリーンオーブンによる窒素雰囲
気下で８０℃、１時間プリベーキングした。この塗布膜
にフォトマスクを介してパターン露光を行うが、この場
合も前記の第一電極パターニングと同様に４枚の有機電
界発光素子に対応する位置合わせを行って、１枚のフォ
トマスクを用いるか、個別にパターン露光を行って感光
性コーティング剤のパターニングを行う。現像には東レ
社製ＤＶ−５０５を用い、その後、クリーンオーブン中
で１８０℃、３０分間、さらに２５０℃、３０分間ベー
キングして、第一電極に直交するスペーサーを形成し
た。この透明なスペーサーは、長さ９０ｍｍ、幅５０μ
ｍ、高さ４μｍであり、３００μｍピッチで２０１本配
置されている。このスペーサーの電気絶縁性は良好であ
った。

【００６１】前記第一電極パターニングを行いスペーサ
ーを形成した基板を４枚に切断しこれを洗浄した後、真
空蒸着機内にセットした。本蒸着機では、真空中におい
てそれぞれ１０μｍ程度の精度で基板とマスクの位置合
わせができ、マスクを交換することが可能である。

【００６２】発光層を含む薄膜層は、抵抗線加熱方式に
よる真空蒸着法によって以下のように形成した。なお、
蒸着時の真空度は２×１０^-4Ｐａ以下であり、蒸着中は
蒸着源に対して基板を回転させた。

【００６３】まず、図６に示すような配置において、水
晶振動子による膜厚モニター表示値で、銅フタロシアニ
ンを３０ｎｍ、ビス（Ｎ−エチルカルバゾール）を１２
０ｎｍ基板全面に蒸着して正孔輸送層５を形成した。

【００６４】次に、４枚の発光層用マスクを、それぞれ
の第一電極とスペーサーが形成された基板前方に配置し
て両者を密着させ、基板後方にはフェライト系板磁石
（日立金属社製、ＹＢＭ−１Ｂ）を配置した。この際、
図７および図８に示したように、ストライプ状第一電極
２がシャドーマスクのストライプ状開口部３２の中心に
位置し、補強線３３がスペーサー４の位置と一致し、か
つ補強線とスペーサーが接触するように、配置される。
４枚のシャドーマスクは個々に精度高く位置合わせを行
う。この状態で、０．３ｗｔ％の１，３，５，７，８−
ペンタメチル−４，４−ジフロロ−４−ボラ−３ａ，４
ａ−ジアザ−ｓ−インダセン（ＰＭ５４６）をドーピン
グした８−ヒドロキシキノリン−アルミニウム錯体（Ａ
ｌｑ₃）を４３ｎｍ蒸着し、緑色発光層をパターニング
した。

【００６５】次に、前記緑色発光層のパターニングと同
様にして、シャドーマスクを交換して、発光層用マスク
４枚を取り付け、１ピッチ分ずらした位置の第一電極パ
ターンに位置合わせして、１ｗｔ％の４−（ジシアノメ
チレン）−２−メチル−６−（ジュロリジルスチリル）
ピラン（ＤＣＪＴ）をドーピングしたＡｌｑ₃を３０ｎ
ｍ蒸着して、赤色発光層をパターニングした。

【００６６】さらに、シャドーマスクを交換し、第三の
発光層用シャドーマスク４面を取り付け、さらに１ピッ
チ分ずらした一の第一電極パターンに位置合わせして、
４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）ジフェ
ニル（ＤＰＶＢｉ）を４０ｎｍ蒸着して、青色発光層を
パターニングした。緑色、赤色、青色それぞれの発光層
は、ストライプ状第一電極の３本ごとに配置され、第一
電極の露出部分を完全に覆っている。

【００６７】次に、図９に示したような配置において、
ＤＰＶＢｉを７０ｎｍ、Ａｌｑ₃を２０ｎｍ基板全面に
蒸着した。この後に、薄膜層をリチウム蒸気に曝してド
ーピング（膜厚換算量０．５ｎｍ）した。

【００６８】第二電極は抵抗線加熱方式による真空蒸着
法によって以下のように形成した。なお、蒸着時の真空
度は３×１０^-4Ｐａ以下であり、蒸着中は２つの蒸着源
に対して基板を回転させた。

【００６９】前記発光層のパターニングと同様に、第二
電極用マスク４枚をそれぞれの薄膜層までが形成された
基板前方に配置して両者を密着させ、基板後方には磁石
を配置した。この際、図１０および図１１に示すよう
に、スペーサー４がマスク部分３１の位置と一致するよ
うに両者は配置される。４枚のシャドーマスクは個々に
位置合わせをチェックして精度を向上させた。この状態
でアルミニウムを４００ｎｍの厚さに蒸着して第二電極
８をパターニングした。第二電極は、間隔をあけて配置
された複数のストライプ状にパターニングされている第
一電極と直交する配置で、間隔をあけて配置された複数
のストライプ状にパターニングされている。

【００７０】最後に、図９に示したような配置におい
て、一酸化珪素を２００ｎｍ電子ビーム蒸着法によって
基板全面に蒸着して、保護層を形成した。

【００７１】幅７０μｍ、ピッチ１００μｍ、本数８１
６本のＩＴＯストライプ状第一電極上に、パターニング
された緑色発光層、赤色発光層および青色発光層が形成
され、第一電極と直交するように幅２５０μｍ、ピッチ
３００μｍのストライプ状第二電極が２００本配置され
た単純マトリクス型カラー有機電界発光素子４枚が作製
できた。赤、緑、青の３つの発光領域が１画素を形成す
るので、本発光素子は３００μｍピッチで２７２×２０
０画素を有する。

【００７２】本実施例により明らかなように、それぞれ
のパターニングに必要な蒸着工程を４枚の基板に対して
同時に行うことができ、効率的に有機電界発光素子が製
造できた。

【００７３】実施例３ 正孔輸送層を形成し、緑色発光層および赤色発光層のパ
ターニングまでは実施例２と同様に行った。その後、図
１２に示したような配置において、ＤＰＶＢｉを１００
ｎｍ，Ａｌｑ₃を２０ｎｍ基板全面に蒸着して青色発光
層を兼用した電子輸送層７を形成した。すなわち、本実
施例では、青色発光層のパターニングは行わなかった。
この後に、薄膜層をリチウム蒸気に曝してドーピング
（膜厚換算量０．５ｎｍ）した。

【００７４】その後の第二電極のパターニングおよび保
護層の形成は実施例２と同様に行った。実施例２と同様
の３００μｍピッチで２７２×２００画素を有する有機
電界発光素子を４枚を同時に作製することができた。

【００７５】作製された発光素子の発光領域は７０×２
５０μｍの大きさで緑、赤、青それぞれ独立の色で均一
に発光した。

【００７６】本実施例を繰り返すことで、各工程毎に４
枚ずつの有機電界発光素子が製造できるが、途中で１枚
のシャドーマスクに損傷が発生したが、このシャドーマ
スクだけの交換を行うことにより作業が繰り返し継続で
きた。

【００７７】実施例４ 電子輸送層の形成までは実施例２と同様に行った。第二
電極の形成においては、第一電極と直交して形成され、
３００μｍピッチで２０１本存在するスペーサーを隔壁
法における隔壁として利用し、隔壁が存在する領域にア
ルミニウムを蒸着して第二電極パターニングを行った。
その後の保護層形成は実施例１と同様に行って、４枚の
有機電界発光素子を得た。このように比較的簡便な工程
により同時に複数個の有機電界発光素子を得ることがで
き、効率的製造が可能になる。

【００７８】実施例５ 第一電極のパターニングとスペーサー形成を実施例２と
同様に行って、ｍ＝４枚の有機電界発光素子に対応して
配置されたパターニングされたＩＴＯ基板を作製した。

【００７９】発光層用シャドーマスク３枚および第二電
極用シャドーマスク１枚を「障子タイプ」として以下の
ように作製した。

【００８０】発光層パターニング用として、実施例１で
用いたシャドーマスクと同様のマスク部分と補強線とが
同一平面内にあり、マスク部分厚み２５μｍ、長さ６４
ｍｍ、幅１００μｍのストライプ状開口部がピッチ３０
０μｍで２７２本配置されたものが、第一電極のパター
ニングに用いたフォトマスクとほぼ同一配置で４面形成
されているシャドーマスクを作製した。シャドーマスク
全体の外形は２４０×１８４ｍｍで、同じ外形を有する
ステンレス鋼製のフレームに固定して用いる。このフレ
ームは、縦および横に開口部を２分するための幅４ｍｍ
の仕切（障子の桟に相当する）を取り付けている。

【００８１】第二電極パターニング用としても、実施例
２で用いたと同様のマスク部分の一方の面と補強線との
間に隙間が存在する構造で、マスク部分の厚さ１００μ
ｍ、長さ１００ｍｍ、幅２５０μｍのストライプ状開口
部がピッチ３００μｍで２００本配置されたものが、第
一電極のパターニングに用いたフォトマスクとほぼ同一
配置で４面形成されているシャドーマスクを作製した。
マスク部分の上には、幅４０μｍ、厚さ３５μｍ、対向
する二辺の間隔が２００μｍの正六角形構造からなるメ
ッシュ状の補強線が形成されている。このシャドーマス
ク全体の外形は２４０×１６８ｍｍであり、発光層用パ
ターニングのシャドーマスクと同様にステンレス鋼製の
４つの開口部を有するフレームに固定されている。

【００８２】第一電極のパターニングおよびスペーサー
形成をしたＩＴＯ基板を切断して洗浄した後、真空蒸着
機内にセットし、さらに、前記の通り作製した４面の有
機電界発光素子に対応した発光層用シャドーマスク３枚
と第二電極用のシャドーマスク１枚を真空蒸着機内にセ
ットした。

【００８３】正孔輸送層の形成、緑色発光層、赤色発光
層および青色発光層のパターニング、さらに、電子輸送
層の形成は実施例２に準じて実施した。さらに、第二電
極のパターニングと保護層の形成を実施例２と同様に行
って、４枚の有機電界発光素子を同時に作製することが
できた。この「障子タイプ」のシャドーマスクを用いる
ことにより、効率のよい素子製造が可能であった。

【００８４】

【発明の効果】本発明は、基板上に形成された第一電極
上に、少なくとも有機化合物からなる発光層を含む薄膜
層を前記基板上に形成する工程と、前記薄膜層上に第二
電極を形成する工程を含む有機電界発光素子の製造方法
であって、前記薄膜層と前記第二電極の少なくとも一方
をｎ枚（ｎは２以上の整数）の基板上に同時に形成する
ことで、生産効率の向上を達成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明で製造される有機電界発光素子の一例を
示す平面図。

【図２】図１のＸＸ’断面図。

【図３】本発明に使用される発光層パターニング用シャ
ドーマスクの一例を示す平面図。

【図４】本発明に使用される第二電極パターニング用シ
ャドーマスクの一例を示す平面図。

【図５】図４のＸＸ’断面図。

【図６】正孔輸送層の形成方法の一例を説明するＸＸ’
断面図。

【図７】本発明の発光層パターニング方法の一例を説明
するＸＸ’断面図。

【図８】本発明の発光層パターニング方法の一例を説明
するＹＹ’断面図。

【図９】電子輸送層の形成方法の一例を説明するＸＸ’
断面図。

【図１０】本発明の第二電極パターニング方法の一例を
説明するＸＸ’断面図。

【図１１】本発明の第二電極パターニング方法の一例を
説明するＹＹ’断面図。

【図１２】電子輸送層の形成方法の別の一例を説明する
ＸＸ’断面図。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 第一電極 ４ スペーサー ５ 正孔輸送層 ６ 発光層 ７ 電子輸送層 ８ 第二電極 １０ 薄膜層 １１ 正孔輸送材料 １２ 発光材料 １３ 電子輸送材料 １４ 第二電極材料 ３０ シャドーマスク ３１ マスク部分 ３２ 開口部 ３３ 補強線 ３４ フレーム ３５ マスク部分の一方の面 ３６ 隙間

フロントページの続き Ｆターム(参考） 3K007 AB02 AB04 AB06 AB18 BA06 BB00 BB06 CA01 CA05 CA06 CB01 DA00 DB03 EB00 FA00 FA01 5C096 AA27 BA04 BC06 CC07 CC23 CH01 EA06 EB13 FA02 FA03 5G435 AA17 BB05 CC09 FF11

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板上に形成された第一電極上に少なくと
   も有機化合物からなる発光層を含む薄膜層を前記基板上
   に形成する工程と、前記薄膜層上に第二電極を形成する
   工程とを含む有機電界発光素子の製造方法であって、前
   記薄膜層と前記第二電極の少なくとも一方をｎ枚（ｎは
   ２以上の整数）の基板上に同時に形成することを特徴と
   する有機電界発光素子の製造方法。
2. 【請求項２】第一電極をパターニングした後に１枚の基
   板をｍ枚(ｍは２以上の整数）に切断することを特徴と
   する請求項１記載の有機電界発光素子の製造方法。
3. 【請求項３】薄膜層形成工程前に少なくとも一部分が薄
   膜層の厚さを上回る高さをもつスペーサーを前記基板上
   に形成し、前記スペーサー形成工程後に１枚の基板をｍ
   枚(ｍは２以上の整数）に切断することを特徴とする請
   求項１記載の有機電界発光素子の製造方法。
4. 【請求項４】発光層もしくは第二電極の少なくとも一方
   をマスク蒸着法によりパターニングすることを特徴とす
   る請求項１記載の有機電界発光素子の製造方法。
5. 【請求項５】ｎ枚の基板に対してｎ個のシャドーマスク
   をそれぞれ配置させた状態で発光層もしくは第二電極の
   少なくとも一方をパターニングすることを特徴とする請
   求項４記載の有機電界発光素子の製造方法。
6. 【請求項６】ｎ個の開口部が存在するフレームに取り付
   けられたシャドーマスクを用いて発光層もしくは第二電
   極の少なくとも一方をパターニングすることを特徴とす
   る請求項４記載の有機電界発光素子の製造方法。
7. 【請求項７】第一電極を間隔をあけて配置された複数の
   ストライプ状電極にパターニングし、第二電極を前記第
   一電極に交差する複数のストライプ状電極にパターニン
   グすることを特徴とする請求項１記載の有機電界発光素
   子の製造方法。
8. 【請求項８】第二電極形成工程後に保護層をｎ枚の基板
   上に同時に形成することを特徴とする請求項１記載の有
   機電界発光素子の製造方法。