JP2000113981A - Manufacture of organic el display - Google Patents
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、有機電界発光素子
を備えてなる有機EL(Electroluminescence )ディス
プレイの製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing an organic EL (Electroluminescence) display having an organic electroluminescent device.
【0002】[0002]
【従来の技術】有機電界発光素子(以下、有機EL素子
と称する)から構成された多数の画素を備えてなる有機
ELディスプレイは、有機EL素子に電圧が印加される
ことにより、その陰極から電子が、また陽極から正孔が
それぞれ有機発光層に注入され、この有機発光層中で電
子−正孔の再結合が起こることにより発光が生じる。2. Description of the Related Art An organic EL display comprising a large number of pixels composed of an organic electroluminescent device (hereinafter referred to as an organic EL device) is configured such that when a voltage is applied to the organic EL device, electrons are emitted from a cathode of the organic EL device. In addition, holes are injected from the anode into the organic light emitting layer, and light is generated by recombination of electrons and holes in the organic light emitting layer.
【0003】このような有機ELディスプレイに備えら
れる有機EL素子としては、例えば図4に示すシングル
ヘテロ型有機EL素子がある。この有機EL素子は、ガ
ラス基板等の透明基板1上にITO(Indium tin oxid
e)等の透明導電膜からなる陽極2が設けられ、その上
に正孔輸送層3および発光層4からなる有機層5、アル
ミニウム等からなる陰極6がこの順に設けられることに
より、構成されたものである。As an organic EL element provided in such an organic EL display, there is, for example, a single hetero organic EL element shown in FIG. This organic EL element is formed by indium tin oxide (ITO) on a transparent substrate 1 such as a glass substrate.
e) and the like, an anode 2 made of a transparent conductive film is provided, and an organic layer 5 made of a hole transport layer 3 and a light emitting layer 4 and a cathode 6 made of aluminum or the like are provided thereon in this order. Things.
【0004】そして、このような構成のもとに有機EL
素子は、陽極2に正の電圧、陰極6に負の電圧が印加さ
れると、陽極2から注入された正孔が正孔輸送層3を経
て発光層4に、また陰極6から注入された電子が発光層
4にそれぞれ到達し、発光層4内で電子−正孔の再結合
が生じる。このとき、所定の波長を持った光が発生し、
図4中矢印で示すように透明基板1側から外に出射す
る。[0004] Under such a configuration, the organic EL
In the device, when a positive voltage was applied to the anode 2 and a negative voltage was applied to the cathode 6, holes injected from the anode 2 were injected into the light emitting layer 4 via the hole transport layer 3 and from the cathode 6. The electrons reach the light emitting layer 4 respectively, and electron-hole recombination occurs in the light emitting layer 4. At this time, light having a predetermined wavelength is generated,
The light exits from the transparent substrate 1 side as shown by the arrow in FIG.
【0005】したがって、この有機EL素子を例えばマ
トリックス状に多数配列することにより、前述したよう
に有機ELディスプレイが形成されるのである。図5
に、このような従来の有機ELディスプレイの一例を示
す。図5に示した有機ELディスプレイは、透明基板7
上にストライプ状の透明電極8…が陽極として設けら
れ、その上に正孔輸送層と発光層とからなるストライプ
状の有機層9a、9b、9c…が透明電極8と直交した
状態に設けられ、さらにこれら有機層9a、9b、9c
…上にそれぞれ該有機層9a(9b、9c)と略同寸法
のストライプ状の陰極10が設けられた構成となってい
る。ここで、前記有機層9a、9b、9cは、それぞれ
赤(R)、緑(G)、青(B)のうちの一つに対応する
発光特性を有しており、これによって有機ELディスプ
レイはフルカラーまたはマルチカラーのディスプレイと
なっている。Therefore, by arranging a large number of such organic EL elements in a matrix, for example, an organic EL display is formed as described above. FIG.
FIG. 1 shows an example of such a conventional organic EL display. The organic EL display shown in FIG.
The transparent electrodes 8 in the form of stripes are provided thereon as anodes, and the organic layers 9a, 9b, 9c in the form of stripes comprising a hole transport layer and a light emitting layer are provided thereon in a state perpendicular to the transparent electrodes 8. , And these organic layers 9a, 9b, 9c
.. Have a stripe-shaped cathode 10 having substantially the same dimensions as the organic layers 9a (9b, 9c). Here, the organic layers 9a, 9b, and 9c have emission characteristics corresponding to one of red (R), green (G), and blue (B), respectively. It is a full-color or multi-color display.
【0006】このようなカラー有機ELディスプレイに
よる画像表示を説明すると、このカラー有機ELディス
プレイでは、図6に示すように透明電極8に走査回路1
1が接続され、陰極10に輝度信号回路12が接続され
る。そして、走査回路11および輝度信号回路12によ
って透明電極8と陰極10との交差位置における有機層
9a〜9cに時系列に信号電圧が印加されることによ
り、有機層9a〜9cがそれぞれに発光するようになっ
ている。したがって、このような制御によって有機EL
ディスプレイは、画像再生装置としても機能するものと
なっているのである。An image display by such a color organic EL display will be described. In this color organic EL display, as shown in FIG.
1 is connected, and the luminance signal circuit 12 is connected to the cathode 10. The scanning circuit 11 and the luminance signal circuit 12 apply a signal voltage in a time series to the organic layers 9a to 9c at the intersections between the transparent electrode 8 and the cathode 10, so that the organic layers 9a to 9c emit light respectively. It has become. Therefore, by such control, the organic EL
The display also functions as an image reproducing device.
【0007】ところで、図5に示した有機ELディスプ
レイを製造するには、従来、まず透明基板7上に透明導
電膜からなるストライプ状の透明電極8を複数本並列し
て形成する。透明導電膜の成膜には、スパッタ法などの
物理的成膜法がよく用いられる。また、この透明導電膜
に対するストライプ状の加工は、従来公知のリソグラフ
ィ技術やエッチング技術によって行われる。By the way, in order to manufacture the organic EL display shown in FIG. 5, conventionally, a plurality of stripe-shaped transparent electrodes 8 made of a transparent conductive film are formed on a transparent substrate 7 in parallel. For forming a transparent conductive film, a physical film forming method such as a sputtering method is often used. The processing of the transparent conductive film into a stripe shape is performed by a conventionally known lithography technique or etching technique.
【0008】このようにして透明電極8…を形成した
ら、次に、該透明電極8…とほぼ直交するようにして有
機層9a〜9cおよび陰極10をそれぞれ複数本ずつ形
成する。これら有機層9a〜9c…および陰極10…の
形成については、ストライプ状の開口をもつマスクを通
して真空蒸着することにより行う。図5に示した有機E
Lディスプレイのごとくカラーディスプレイの場合、例
えば、赤色(R)に対応する有機層9aおよびその上の
陰極10を同一マスクを用いて蒸着し、その後マスクを
交換して(あるいはマスクを移動することで)緑色
(G)および青色(B)に対応する有機層9b、9cお
よびその上の陰極10を同様に形成する。After the formation of the transparent electrodes 8 in this manner, a plurality of organic layers 9a to 9c and a plurality of cathodes 10 are respectively formed so as to be substantially orthogonal to the transparent electrodes 8. The organic layers 9a to 9c and the cathodes 10 are formed by vacuum deposition through a mask having a stripe-shaped opening. Organic E shown in FIG.
In the case of a color display like the L display, for example, the organic layer 9a corresponding to red (R) and the cathode 10 thereon are deposited using the same mask, and then the mask is exchanged (or by moving the mask). 3) Organic layers 9b and 9c corresponding to green (G) and blue (B) and the cathode 10 thereon are formed in the same manner.
【0009】[0009]
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
従来の製造方法では、有機層9a〜9c…および陰極1
0…のパターン形成にマスク蒸着法を用いていることか
ら以下に述べる不都合がある。すなわち、マスク蒸着法
によるパターン形成はマスクの合わせ精度およびマスク
自体の加工精度に限界があり、微細パターンの作製が難
しいことから、高精細ディスプレイを作ることが困難に
なっている。However, in such a conventional manufacturing method, the organic layers 9a to 9c...
Since the mask vapor deposition method is used for forming the pattern of 0 ..., there are inconveniences described below. That is, the pattern formation by the mask vapor deposition method has a limitation in mask alignment accuracy and processing accuracy of the mask itself, and it is difficult to produce a fine pattern, so that it is difficult to produce a high-definition display.
【0010】このような不都合を解消すべく、微細パタ
ーンを精度良く形成し得るようにした有機ELディスプ
レイの製造方法として、特開平9−293589号公報
に開示された技術が知られている。この方法は、透明導
電材料からなる陽極(透明電極)を形成した透明基板上
に、有機膜、陰極材料膜、保護膜を順次成膜して積層す
る成膜積層工程と、前記保護膜上に所望形状のレジスト
パターンを形成するレジストパターン形成工程と、レジ
ストパターンをマスクにして有機膜と陰極材料膜と保護
膜とからなる積層膜をドライエッチング法で加工し、所
望形状の有機層、陰極、保護層を形成するパターニング
工程とを備えた方法であり、保護膜上にレジストを塗布
し積層膜をドライエッチング法で加工する工程を1回以
上繰り返すことにより、有機層や陰極の高精細なパター
ニングを可能にしたものである。As a method of manufacturing an organic EL display capable of forming a fine pattern with high accuracy in order to solve such a disadvantage, a technique disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-293589 is known. This method includes a film forming and laminating step of sequentially forming and stacking an organic film, a cathode material film, and a protective film on a transparent substrate on which an anode (transparent electrode) made of a transparent conductive material is formed; A resist pattern forming step of forming a resist pattern having a desired shape, and a laminated film including an organic film, a cathode material film, and a protective film is processed by a dry etching method using the resist pattern as a mask, and an organic layer having a desired shape, a cathode, And a patterning step of forming a protective layer. The step of applying a resist on the protective film and processing the laminated film by a dry etching method is repeated at least once so that a high-definition patterning of the organic layer and the cathode is performed. Is made possible.
【0011】しかしながら、このような方法にあっても
以下に述べる不都合がある。透明導電膜からなる陽極を
形成した透明基板上に、1回目の成膜積層工程、レジス
トパターン形成工程、パターニング工程を行った後、こ
れらの工程を繰り返した場合、2回目以降となる繰り返
し工程では、前回に形成した有機EL素子の有機層の側
壁が露出した状態となっている。したがって、繰り返し
工程のドライエッチング時において、露出した有機層が
その露出した側壁から浸食されてしまう可能性があるの
である。なお、このような露出した有機層の側壁からの
浸食については、垂直性の優れた反応性イオンエッチン
グを用いた場合でも、これを完全に防止することは不可
能である。However, even such a method has the following disadvantages. After performing the first film deposition and lamination step, the resist pattern formation step, and the patterning step on the transparent substrate on which the anode made of a transparent conductive film is formed, if these steps are repeated, the second and subsequent repetition steps In this state, the side wall of the organic layer of the organic EL element formed last time is exposed. Therefore, during the dry etching in the repetitive process, the exposed organic layer may be eroded from the exposed side wall. In addition, it is impossible to completely prevent such erosion from the exposed side wall of the organic layer even when reactive ion etching having excellent perpendicularity is used.
【0012】そして、有機層の側壁からの浸食が重度に
なると、この側壁からアンダーカットが入ってしまい、
これに起因して陰極−陽極間に短絡が起こり易くなって
しまう。また、浸食が軽度であっても、有機層は浸食を
受けた箇所が発光しなくなることから、その発光面積が
小さくなってしまう。したがって、前記繰り返し工程の
繰り返し回数が多くなると、最初に形成した有機層はほ
とんど浸食されて発光自体が起きなくなる可能性も高く
なる。When the erosion from the side wall of the organic layer becomes severe, an undercut is formed from the side wall, and
As a result, a short circuit easily occurs between the cathode and the anode. In addition, even if the erosion is slight, the eroded area of the organic layer is reduced because the eroded portion does not emit light. Therefore, as the number of repetitions of the repetition step increases, the possibility that the organic layer formed first is almost eroded and light emission itself does not occur increases.
【0013】したがって、前記特開平9−293589
号公報に開示された技術に基づく製造方法によっても、
得られる有機ELディスプレイはその表示特性が不十分
になり、ディスプレイとして十分機能しないものとなっ
てしまうおそれがある。本発明は前記事情に鑑みてなさ
れたもので、その目的とするところは、側壁からの有機
層の浸食を防止し、これにより表示特性を高めることの
できる、有機ELディスプレイの製造方法とを提供する
ことにある。Accordingly, Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-293589
The manufacturing method based on the technology disclosed in
The obtained organic EL display may have insufficient display characteristics and may not function sufficiently as a display. The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a method of manufacturing an organic EL display which can prevent erosion of an organic layer from a side wall and thereby enhance display characteristics. Is to do.
【0014】[0014]
【課題を解決するための手段】本発明の有機ELディス
プレイの製造方法では、透光性基板上に透明導電材料か
らなる第1の電極を形成する電極形成工程と、第1の電
極を形成した前記透光性基板上に、少なくとも有機発光
材料からなる膜を有した有機膜と第2の電極材料膜と保
護膜とをこの順に成膜積層する積層工程と、前記保護膜
上に所望形状のレジストパターンを形成するレジストパ
ターン形成工程と、前記レジストパターンをマスクにし
て有機膜と第2の電極材料膜と保護膜とからなる積層膜
をエッチングし、所望形状の有機層、第2の電極、保護
層を形成するパターニング工程とを備え、前記積層工程
とレジストパターン形成工程とパターニング工程とを順
次繰り返して有機層を形成する有機ELディスプレイの
製造方法において、前記パターニング工程後これに続く
繰り返しの積層工程に先立ち、前回のパターニング工程
で得られた有機層の側壁を少なくとも覆う側壁保護膜を
形成する側壁保護膜形成工程を有してなることを前記課
題の解決手段とした。According to the method of manufacturing an organic EL display of the present invention, an electrode forming step of forming a first electrode made of a transparent conductive material on a translucent substrate, and the first electrode is formed. A laminating step of sequentially laminating an organic film having a film made of at least an organic light emitting material, a second electrode material film and a protective film on the translucent substrate in this order; A resist pattern forming step of forming a resist pattern, and etching the laminated film including the organic film, the second electrode material film, and the protective film using the resist pattern as a mask, and forming an organic layer having a desired shape, a second electrode, A method of manufacturing an organic EL display, comprising: a patterning step of forming a protective layer, wherein the laminating step, the resist pattern forming step, and the patterning step are sequentially repeated to form an organic layer. Prior to the repetitive laminating step following the patterning step, prior to the repetitive laminating step, the method further comprises a side wall protective film forming step of forming a side wall protective film that covers at least the side wall of the organic layer obtained in the previous patterning step. The solution.
【0015】この製造方法によれば、パターニング工程
後これに続く繰り返しの積層工程に先立ち、前回のパタ
ーニング工程で得られた有機層の側壁を少なくとも覆う
側壁保護膜を形成するので、繰り返しのパターニング工
程において積層膜をエッチングした際、先に得られた有
機層はその側壁が側壁保護膜によって覆われ保護されて
いることにより、このエッチングによって浸食を受ける
ことがほとんどなくなる。According to this manufacturing method, after the patterning step, prior to the repetitive laminating step, the side wall protective film covering at least the side wall of the organic layer obtained in the previous patterning step is formed. When the laminated film is etched in the above, the organic layer obtained earlier is hardly eroded by this etching because the side wall is covered and protected by the side wall protective film.
【0016】[0016]
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施形態例により
詳しく説明する。図1(a)〜(e)、図2(a)〜
(d)は、本発明の有機ELディスプレイの製造方法を
工程順に説明するための図であり、特に、本発明を単純
マトリクス方式のフルカラー有機ELディスプレイの製
造方法に適用した場合の一実施形態例を示す図である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to embodiments. 1 (a) to 1 (e), 2 (a) to
(D) is a figure for demonstrating the manufacturing method of the organic EL display of this invention in order of a process. Especially, one embodiment of the case where this invention is applied to the manufacturing method of the full color organic EL display of a simple matrix system. FIG.
【0017】本実施形態例では、まず、図1(a)に示
すように透光性基板、すなわち透明基板20を用意し、
この透明基板20上に透明導電材料からなるストライプ
状の透明電極(第1の電極)21を複数並列した状態に
形成する。ここで、透明基板20としては、その材質に
ついて特に限定されることはないものの、光透過性に優
れていることが望ましく、本例ではガラス基板を用いて
いる。また、陽極として機能する透明電極21の材料
(透明導電材料)としては、光透過性に優れ、かつ良好
な電気伝導度を持つものが望ましく、本例ではITOを
用いている。そして、このようなITOから透明電極2
1を形成するには、前記透明基板20上にスパッタ等の
物理的成膜法によってITO膜を形成し、さらにこのI
TO膜をリソグラフィー技術およびエッチング技術によ
ってストライプ状にパターニングすることで形成する。In this embodiment, first, as shown in FIG. 1A, a transparent substrate, that is, a transparent substrate 20 is prepared.
On the transparent substrate 20, a plurality of stripe-shaped transparent electrodes (first electrodes) 21 made of a transparent conductive material are formed in parallel. Here, the material of the transparent substrate 20 is not particularly limited, but is preferably excellent in light transmittance. In this example, a glass substrate is used. Further, as a material (transparent conductive material) of the transparent electrode 21 functioning as an anode, a material having excellent light transmittance and good electric conductivity is desirable. In this example, ITO is used. And, from such ITO, the transparent electrode 2
1 is formed on the transparent substrate 20 by a physical film forming method such as sputtering or the like.
The TO film is formed by patterning the TO film into a stripe by a lithography technique and an etching technique.
【0018】次に、図1(b)に示すように真空蒸着法
によって赤色(R)に対応する有機膜22aを、前記透
明電極21…を覆った状態で透明基板20上に形成す
る。この有機膜22aは、少なくとも正孔輸送層と有機
発光材料からなる発光層と電子輸送層とを有した積層体
によって構成したもので、本例では100nm程度の厚
さに形成している。Next, as shown in FIG. 1B, an organic film 22a corresponding to red (R) is formed on the transparent substrate 20 in a state of covering the transparent electrodes 21 by vacuum evaporation. The organic film 22a is formed of a laminate having at least a hole transport layer, a light emitting layer made of an organic light emitting material, and an electron transport layer, and is formed to a thickness of about 100 nm in this example.
【0019】続いて、この有機膜22a上に陰極材料
(第2の電極材料)を成膜し、さらにこの陰極材料膜
(第2の電極材料膜)23上に保護膜24を形成する。
そして、このように前記有機膜22a上に陰極材料膜2
3、保護膜24を成膜積層することにより、積層膜25
aを得る。ここで、陰極材料としてはアルミニウムまた
はその合金が好適に用いられ、本例においてはアルミニ
ウムを用いている。また、保護層21としては、緻密
性、撥水性、および下地との密着性に優れ、かつ電気伝
導性を有した材料が望ましく、本例では高濃度の不純物
としてリン(P)を含有した非晶質ケイ素を用いてい
る。Subsequently, a cathode material (second electrode material) is formed on the organic film 22a, and a protective film 24 is formed on the cathode material film (second electrode material film) 23.
Then, the cathode material film 2 is formed on the organic film 22a.
3. The protective film 24 is deposited and laminated to form a laminated film 25.
Obtain a. Here, aluminum or an alloy thereof is suitably used as a cathode material, and in this example, aluminum is used. The protective layer 21 is preferably made of a material having excellent denseness, water repellency, and adhesion to the base and having electrical conductivity. In this example, a material containing phosphorus (P) as a high-concentration impurity is used. Crystalline silicon is used.
【0020】陰極材料膜23の形成は真空蒸着法によっ
て行われ、保護層24の形成は被覆特性が良好なCVD
法によって行われる。このCVD法の反応性ガスとして
は、モノシランと水素とフォスフィンの混合ガスが用い
られる。なお、保護層24の形成については、スパッタ
法などのCVD法以外の成膜法を採用することもでき
る。The cathode material film 23 is formed by a vacuum deposition method, and the protective layer 24 is formed by CVD having good coating characteristics.
Done by law. As a reactive gas of the CVD method, a mixed gas of monosilane, hydrogen, and phosphine is used. For forming the protective layer 24, a film forming method other than the CVD method such as a sputtering method can be adopted.
【0021】次いで、保護膜24上にフォトレジストを
塗布して厚さ1.0μm程度のレジスト膜を形成し、さ
らに得られたレジスト膜を露光・現像することによって
パターニングし、図1(c)に示すように所望形状、す
なわち前記透明電極21…とほぼ直交するストライプ状
のレジストパターン26を複数並列して形成する。Next, a photoresist is applied on the protective film 24 to form a resist film having a thickness of about 1.0 μm, and the obtained resist film is patterned by exposing and developing the resist film, as shown in FIG. As shown in FIG. 7, a plurality of striped resist patterns 26 having a desired shape, that is, substantially perpendicular to the transparent electrodes 21 are formed in parallel.
【0022】ここで、陰極材料膜23を形成するアルミ
ニウムなどは、薄膜である場合その膜中にピンホールが
生じ易くなる。したがって、このような陰極材料膜23
上に直接フォトレジストを塗布すると、陰極材料膜23
にわずかでもピンホールが存在している場合に、フォト
レジスト中の有機溶剤がピンホールを通って有機膜22
aに達し、該有機膜22aを浸食してしまう。しかし
て、本例では、ピンホールが極めて発生し難い非晶質ケ
イ素からなる保護膜24によって陰極材料膜23を覆っ
ているので、前述したような有機溶剤による有機膜22
aの浸食が防止されているのである。Here, when aluminum or the like forming the cathode material film 23 is a thin film, pinholes are easily generated in the film. Therefore, such a cathode material film 23
When a photoresist is applied directly on the cathode material film 23,
In the case where even a small number of pinholes are present, the organic solvent in the photoresist passes through the pinholes and the organic film 22 is removed.
a, and erodes the organic film 22a. In this embodiment, since the cathode material film 23 is covered with the protective film 24 made of amorphous silicon in which pinholes are hardly generated, the organic film 22 made of the organic solvent as described above is used.
The erosion of a is prevented.
【0023】次いで、レジストパターン26をマスクに
して積層膜25a、すなわち非晶質ケイ素からなる保護
膜24、アルミニウムからなる陰極材料膜23、有機膜
22aをRIE(反応性イオンエッチング)法でこの順
にエッチングしてパターニングし、図1(d)に示すよ
うに保護層27、陰極(第2の電極)28、有機層29
aをそれぞれ得る。エッチングガスとしては、非晶質ケ
イ素からなる保護膜24、およびアルミニウムからなる
陰極材料膜23に対しては三塩化ホウ素と塩素との混合
ガスが用いられ、有機膜22aに対しては酸素が用いら
れる。Next, using the resist pattern 26 as a mask, the laminated film 25a, ie, the protective film 24 made of amorphous silicon, the cathode material film 23 made of aluminum, and the organic film 22a are formed in this order by RIE (reactive ion etching). After etching and patterning, as shown in FIG. 1D, the protective layer 27, the cathode (second electrode) 28, and the organic layer 29 are formed.
a respectively. As an etching gas, a mixed gas of boron trichloride and chlorine is used for the protective film 24 made of amorphous silicon and the cathode material film 23 made of aluminum, and oxygen is used for the organic film 22a. Can be
【0024】このようにしてパターニングすると、RI
E法は異方性エッチングであるため、レジストパターン
26とほぼ同寸法の保護層27、陰極28、有機層29
aを得ることができる。ここで、レジストパターン26
については、有機膜22a(有機層29a)のエッチン
グ時に同時に除去される。なお、有機膜22aは酸素に
極めて弱いため、酸素プラズマでエッチングされて露出
した側壁からエッチング中に若干浸食されてしまう可能
性があるが、エッチング条件を最適化することにより、
その影響を最小限に抑えることが可能である。By patterning in this manner, RI
Since the method E is anisotropic etching, the protective layer 27, the cathode 28, and the organic layer 29 having substantially the same dimensions as the resist pattern 26 are used.
a can be obtained. Here, the resist pattern 26
Is simultaneously removed when the organic film 22a (organic layer 29a) is etched. In addition, since the organic film 22a is extremely weak to oxygen, there is a possibility that the organic film 22a is slightly eroded during the etching from the side wall exposed by etching with oxygen plasma. However, by optimizing the etching conditions,
The effect can be minimized.
【0025】しかしながら、このようなエッチング工程
が次の緑色の有機層形成、青色の有機層形成と繰り返さ
れると、最初に形成された赤色有機層29aの露出した
側壁は、エッチング工程のたびに酸素プラズマに曝され
るため、この酸素プラズマによる浸食が無視できなくな
る。そこで、本発明では、このような酸素プラズマによ
る浸食を防止するべく、以下に述べるように有機層29
aを側壁保護膜で覆うのである。However, when such an etching step is repeated for forming the next green organic layer and then for forming the blue organic layer, the exposed side walls of the first formed red organic layer 29a are exposed to oxygen every time the etching step is performed. Because of exposure to the plasma, erosion by the oxygen plasma cannot be ignored. Therefore, in the present invention, in order to prevent such erosion by oxygen plasma, as described below, the organic layer 29 is formed.
a is covered with a side wall protective film.
【0026】次に、保護層27、陰極28、有機層29
aからなる積層体全体を覆って側壁保護膜(図示略)を
成膜し、さらにこれをパターニングして図1(e)に示
すように積層体全体を覆い、これにより露出していた有
機層29aの側壁を確実に覆う側壁保護層30aを形成
する。この側壁保護膜30aの成膜については、アンモ
ニア、窒素、モノシランの混合ガスを用いたCVD法を
採用し、これにより膜厚100nm程度の窒化ケイ素膜
を形成した。また、パターニングについては、フォトリ
ソグラフィによって窒化ケイ素膜上にレジストパターン
(図示略)を形成し、このレジストパターンをマスクに
して、四フッ化炭素および酸素の混合ガスを用いたRI
E法でエッチングすることにより行った。Next, the protective layer 27, the cathode 28, the organic layer 29
A sidewall protection film (not shown) is formed so as to cover the entire laminate made of a, and is further patterned to cover the entire laminate as shown in FIG. A side wall protective layer 30a that covers the side wall 29a reliably is formed. The sidewall protective film 30a was formed by a CVD method using a mixed gas of ammonia, nitrogen, and monosilane, thereby forming a silicon nitride film having a thickness of about 100 nm. For patterning, a resist pattern (not shown) is formed on the silicon nitride film by photolithography, and using this resist pattern as a mask, RI using a mixed gas of carbon tetrafluoride and oxygen is used.
The etching was performed by the E method.
【0027】次に、前述した赤色の有機層29aの形成
と同様にしてこの有機層の形成工程を繰り返し、緑色の
有機層29b、青色の有機層29cを順次形成する。す
なわち、まず図2(a)に示すように緑色(G)に対応
する有機膜22bを真空蒸着法によって透明基板20上
に形成する。この緑色の有機膜22bも、赤色の有機膜
22aと同様に、少なくとも正孔輸送層と有機発光材料
からなる発光層と電子輸送層とを有した積層体によって
構成したもので、本例では100nm程度の厚さに形成
している。Next, in the same manner as the formation of the red organic layer 29a, this organic layer forming step is repeated to sequentially form a green organic layer 29b and a blue organic layer 29c. That is, first, as shown in FIG. 2A, an organic film 22b corresponding to green (G) is formed on the transparent substrate 20 by a vacuum evaporation method. Like the red organic film 22a, the green organic film 22b is also formed of a laminate having at least a hole transport layer, a light emitting layer made of an organic light emitting material, and an electron transport layer. It is formed to a thickness of about.
【0028】続いて、この有機膜22b上に陰極材料
(第2の電極材料)を成膜し、さらにこの陰極材料膜
(第2の電極材料膜)23上に保護膜24を形成する。
そして、このように前記有機膜22b上に陰極材料膜2
3、保護膜24を成膜積層することにより、積層膜25
bを得る。さらに、保護膜24上にストライプ状のレジ
ストパターン26を、前記透明電極21…とほぼ直交し
た状態に複数並列して形成する。Subsequently, a cathode material (second electrode material) is formed on the organic film 22b, and a protective film 24 is formed on the cathode material film (second electrode material film) 23.
Then, as described above, the cathode material film 2 is formed on the organic film 22b.
3. The protective film 24 is formed and laminated to form a laminated film 25.
Obtain b. Further, a plurality of stripe-shaped resist patterns 26 are formed on the protective film 24 in parallel with each other in a state substantially orthogonal to the transparent electrodes 21.
【0029】次いで、レジストパターン26をマスクに
して積層膜25b、すなわち保護膜24、陰極材料膜2
3、有機膜22bをRIE(反応性イオンエッチング)
法でこの順にエッチングしてパターニングし、図2
(b)に示すように保護層27、陰極(第2の電極)2
8、有機層29aをそれぞれ得る。このようにしてエッ
チングを行うと、先に加工され形成された有機層22a
はその側壁が側壁保護膜30aで覆われているので、エ
ッチング時の酸素プラズマによって浸食を受けることが
ない。Next, using the resist pattern 26 as a mask, the laminated film 25b, that is, the protective film 24, the cathode material film 2
3. RIE (reactive ion etching) of the organic film 22b
Etching and patterning in this order by the method shown in FIG.
As shown in (b), the protective layer 27, the cathode (second electrode) 2
8. An organic layer 29a is obtained. When etching is performed in this manner, the previously processed and formed organic layer 22a is formed.
Since its side wall is covered with the side wall protective film 30a, it is not eroded by oxygen plasma at the time of etching.
【0030】次いで、保護層27、陰極28、有機層2
9bからなる積層体全体を覆って先の場合と同様に側壁
保護膜(図示略)を成膜し、さらにこれをパターニング
して図2(c)に示すように積層体全体を覆い、これに
より露出していた有機層29bの側壁を確実に覆う側壁
保護層30aを形成する。Next, the protective layer 27, the cathode 28, the organic layer 2
A side wall protective film (not shown) is formed in the same manner as in the previous case so as to cover the entire laminate made of 9b, and is further patterned to cover the entire laminate as shown in FIG. A side wall protective layer 30a that reliably covers the exposed side walls of the organic layer 29b is formed.
【0031】次いで、同様にして図2(d)に示すよう
に保護層27、陰極28、青色の有機層29cからなる
積層体を形成し、さらにこれを覆って側壁保護膜30c
を形成する。なお、前記青色の有機層29cも、赤色の
有機層29a、緑色の有機層29bと同様に、少なくと
も正孔輸送層と有機発光材料からなる発光層と電子輸送
層とを有した積層体によって形成されたもので、本例で
は120nm程度の厚さに形成されている。Next, similarly, as shown in FIG. 2D, a laminated body including the protective layer 27, the cathode 28, and the blue organic layer 29c is formed.
To form The blue organic layer 29c is also formed of a laminate having at least a hole transport layer, a light-emitting layer made of an organic light-emitting material, and an electron transport layer, like the red organic layer 29a and the green organic layer 29b. In this embodiment, the thickness is about 120 nm.
【0032】その後、各積層体を覆う側壁保護膜30
a、30b、30cをさらに覆って絶縁保護膜(図示
略)等を形成し、フルカラーの有機ELディスプレイを
得る。なお、最後の有機層、本例では青色の有機層29
cを形成した後には、これ以降に有機層を加工形成する
工程がないので、該有機層29cを覆う側壁保護層30
cの形成を省略してもよい。After that, the side wall protective film 30 covering each laminated body
a, 30b, and 30c are further covered with an insulating protective film (not shown) and the like to obtain a full-color organic EL display. The last organic layer, in this example, the blue organic layer 29
After the formation of the organic layer 29c, there is no step of processing and forming the organic layer thereafter.
The formation of c may be omitted.
【0033】このような製造方法にあっては、所望形状
の有機層29a(29b)をパターニングした後、これ
ら工程を繰り返して別の有機層29b(29c)等を形
成するに先立ち、前回のパターニング工程で得られた有
機層29a(29b)の側壁を覆う側壁保護膜30a
(30b)を形成するので、繰り返しのパターニング工
程において積層膜25b(25c)をエッチングした
際、先に得られた有機層29a(29b)はその側壁が
側壁保護膜30a(30b)によって覆われ保護されて
いることにより、このエッチングによって浸食を受ける
ことがなくなり、したがって表示特性の低下を防止する
ことができる。In such a manufacturing method, after patterning the organic layer 29a (29b) having a desired shape, these steps are repeated before forming another organic layer 29b (29c) or the like. Side wall protective film 30a covering the side wall of organic layer 29a (29b) obtained in the step
Since (30b) is formed, when the laminated film 25b (25c) is etched in the repetitive patterning step, the side wall of the organic layer 29a (29b) obtained earlier is covered with the side wall protective film 30a (30b) for protection. As a result, erosion is not caused by this etching, and therefore, deterioration of display characteristics can be prevented.
【0034】なお、前記実施形態例では透明電極21…
上に直接有機層29a、29b、29c…を設けたが、
図3に示すようにこれら透明電極21…と有機層29
a、29b、29c…との間に、開口部31を有する絶
縁層32を設けてもよい。ここで、絶縁層32は透明電
極21上にて開口部31を有したものとなっており、こ
れにより有機層29a(29b、29c)は、この開口
部31内に露出する透明電極21と直接接するようにな
っている。このような絶縁層32を設ければ、透明電極
21と陰極28とは該絶縁層32の開口部31以外の箇
所において確実に絶縁されるので、側壁保護層30a
(30b、30c)として電気伝導性を有する材料を用
いることができる。In the embodiment, the transparent electrodes 21.
The organic layers 29a, 29b, 29c ... are provided directly on the
As shown in FIG. 3, these transparent electrodes 21.
a, 29b, 29c,..., an insulating layer 32 having an opening 31 may be provided. Here, the insulating layer 32 has an opening 31 on the transparent electrode 21, whereby the organic layer 29 a (29 b, 29 c) is directly connected to the transparent electrode 21 exposed in the opening 31. It comes into contact. If such an insulating layer 32 is provided, the transparent electrode 21 and the cathode 28 are surely insulated at locations other than the openings 31 of the insulating layer 32, so that the side wall protective layer 30a
As (30b, 30c), a material having electrical conductivity can be used.
【0035】また、前記実施形態例では、有機層29
a、29b、29cおよび陰極28をストライプ状に形
成しているが、本発明はこれに限定されることなくその
他の形状でもよく、例えば、これら有機層29a、29
b、29cや陰極28を独立した島状のパターンに形成
してもよい。また、透明電極21についても、ストライ
プ状に限定されることなく、種々の形状(パターン)が
採用可能である。In the above embodiment, the organic layer 29
Although the a, 29b, 29c and the cathode 28 are formed in a stripe shape, the present invention is not limited to this, and may have other shapes. For example, these organic layers 29a, 29c
The b, 29c and the cathode 28 may be formed in independent island patterns. Further, the transparent electrode 21 is not limited to the stripe shape, and various shapes (patterns) can be adopted.
【0036】また、有機層29a、29b、29cを独
立した島状に形成し、これを有機ディスプレイの単位画
素ごとに配置する場合にも、本発明の製造方法を適用す
ることができる。例えば、有機層29a、29b、29
cの平面視形状を四角形とすれば、その各辺を形成する
有機層29a(29b、29c)の側壁を覆うようにし
て、側壁保護膜30a(30b、30c)を形成すれば
よい。また、有機層29a(29b、29c)上の陰極
28と電気的な接触をとる場合には、側壁保護膜30a
(30b、30c)の上面に、陰極に通じる貫通孔を設
ければよい。The manufacturing method of the present invention can also be applied to a case where the organic layers 29a, 29b and 29c are formed in independent islands and are arranged for each unit pixel of the organic display. For example, the organic layers 29a, 29b, 29
If the plan view shape of c is a quadrangle, the side wall protective films 30a (30b, 30c) may be formed so as to cover the side walls of the organic layers 29a (29b, 29c) forming the respective sides. When making electrical contact with the cathode 28 on the organic layer 29a (29b, 29c), the side wall protective film 30a
On the upper surface of (30b, 30c), a through hole communicating with the cathode may be provided.
【0037】また、前記実施形態例では、本発明の有機
ELディスプレイをフルカラータイプのものに適用した
場合の例について説明したが、モノクロタイプの有機E
Lディスプレイにも適用可能であり、さらに、単純マト
リックス駆動方式の有機ELディスプレイでなく、TF
T駆動などによるアクティブマトリクス方式の有機EL
ディスプレイにも適用可能である。In the above-described embodiment, an example in which the organic EL display of the present invention is applied to a full-color type organic EL display has been described.
L display, and not only a simple matrix driven organic EL display but also TF
Active matrix organic EL by T drive
It is also applicable to displays.
【0038】また、本発明の有機ELディスプレイは、
例えば文字盤などの光源に光学素子として利用すること
も可能であり、その場合にこの光学素子となる有機EL
ディスプレイをマトリックス状に構成する必要はない。
また、色度を調整するためのフィルタや光通信機器など
の自発光学素子に適用することもでき、さらには、入射
光を電気信号に変換する場合の応用として、撮像素子な
どに適用することもできる。Further, the organic EL display of the present invention comprises:
For example, it can be used as an optical element for a light source such as a dial, and in that case, an organic EL which becomes this optical element
It is not necessary to arrange the display in a matrix.
In addition, it can be applied to self-luminous elements such as filters for adjusting chromaticity and optical communication devices, and further to an image pickup element as an application when converting incident light into an electric signal. it can.
【0039】[0039]
【発明の効果】以上説明したように本発明の有機ELィ
スプレイの製造方法は、パターニング工程後これに続く
繰り返しの積層工程に先立ち、前回のパターニング工程
で得られた有機層の側壁を少なくとも覆う側壁保護膜を
形成する方法であるから、繰り返しのパターニング工程
において積層膜をエッチングした際、先に得られた有機
層はその側壁が側壁保護膜によって覆われ保護されてい
ることにより、このエッチングによって浸食を受けるこ
とがほとんどなくなり、したがって表示特性の低下を防
止することができる。また、側壁保護膜は全製造工程終
了後も有機層の側壁を覆った状態で残ることから、該有
機層の大気などからの浸食を保護するものとして機能す
るようになり、したがって、光学素子あるいは有機EL
ディスプレイの長寿命化を図ることができる。As described above, according to the method of manufacturing an organic EL display of the present invention, after the patterning step, prior to the repeated laminating step, at least the side wall covering at least the side wall of the organic layer obtained in the previous patterning step. Since this is a method of forming a protective film, when the laminated film is etched in a repeated patterning step, the organic layer obtained earlier is eroded by this etching because its side wall is covered and protected by the side wall protective film. The display is hardly affected, so that the display characteristics can be prevented from deteriorating. Further, since the side wall protective film remains in a state of covering the side wall of the organic layer even after completion of all the manufacturing steps, the side wall protective film functions as a layer for protecting the organic layer from erosion from the air or the like. Organic EL
The life of the display can be extended.
【図1】(a)〜(e)は、本発明の有機ELディスプ
レイの製造方法の一実施形態例を工程順に説明するため
の要部側断面図である。FIGS. 1A to 1E are cross-sectional side views of a main part for describing an embodiment of a method for manufacturing an organic EL display according to the present invention in the order of steps.
【図2】(a)〜(d)は、本発明の有機ELディスプ
レイの製造方法の一実施形態例を説明するための図であ
り、図1(e)に続く工程を順に説明するための要部側
断面図である。FIGS. 2A to 2D are views for explaining an embodiment of a method for manufacturing an organic EL display of the present invention, and are for sequentially explaining steps following FIG. 1E. It is principal part sectional drawing.
【図3】本発明の製造方法の、変形例を説明するための
要部側断面図である。FIG. 3 is a side sectional view of a main part for describing a modification of the manufacturing method of the present invention.
【図4】従来のシングルヘテロ型有機EL素子の概略構
成を示す側断面図である。FIG. 4 is a side sectional view showing a schematic configuration of a conventional single hetero type organic EL element.
【図5】従来の有機ELディスプレイの一例の概略構成
を示す斜視図である。FIG. 5 is a perspective view showing a schematic configuration of an example of a conventional organic EL display.
【図6】図5に示した有機ELディスプレイの、駆動回
路を接続した状態を示す斜視図である。6 is a perspective view showing a state where a driving circuit is connected to the organic EL display shown in FIG. 5;
20…透明基板、21…透明電極、22a,22b…有
機膜、23…陰極材料膜、24…保護膜、25a,25
b,25c…積層膜、26…レジストパターン、27…
保護層、28…陰極、29a,29b,29c…有機
層、30a,30b,30c…側壁保護膜Reference numeral 20: transparent substrate, 21: transparent electrode, 22a, 22b: organic film, 23: cathode material film, 24: protective film, 25a, 25
b, 25c: laminated film, 26: resist pattern, 27:
Protective layer, 28: cathode, 29a, 29b, 29c: organic layer, 30a, 30b, 30c: sidewall protective film
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 関谷 光信 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 佐野 直樹 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 中山 徹生 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内 Fターム(参考) 3K007 AB00 AB01 AB04 BA06 BB00 CA01 CB01 DA00 DB03 EB00 FA00 FA01 FA03 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Mitsunobu Sekiya 6-7-35 Kita-Shinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo Inside Sony Corporation (72) Inventor Naoki Sano 6-35, Kita-Shinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo Inside Sony Corporation (72) Inventor Tetsuo Nakayama 6-7-35 Kita Shinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo F-term inside Sony Corporation (reference) 3K007 AB00 AB01 AB04 BA06 BB00 CA01 CB01 DA00 DB03 EB00 FA00 FA01 FA03
Claims (2)
1の電極を形成する電極形成工程と、第1の電極を形成
した前記透光性基板上に、少なくとも有機発光材料から
なる膜を有した有機膜と第2の電極材料膜と保護膜とを
この順に成膜積層する積層工程と、前記保護膜上に所望
形状のレジストパターンを形成するレジストパターン形
成工程と、前記レジストパターンをマスクにして有機膜
と第2の電極材料膜と保護膜とからなる積層膜をエッチ
ングし、所望形状の有機層、第2の電極、保護層を形成
するパターニング工程とを備え、前記積層工程とレジス
トパターン形成工程とパターニング工程とを順次繰り返
して有機層を形成する有機ELディスプレイの製造方法
において、 前記パターニング工程後これに続く繰り返しの積層工程
に先立ち、前回のパターニング工程で得られた有機層の
側壁を少なくとも覆う側壁保護膜を形成する側壁保護膜
形成工程を有してなることを特徴とする有機ELディス
プレイの製造方法。1. An electrode forming step of forming a first electrode made of a transparent conductive material on a light-transmitting substrate, and a film made of at least an organic light-emitting material on the light-transmitting substrate on which the first electrode is formed. A laminating step of forming and laminating an organic film having a second electrode material film and a protective film in this order, a resist pattern forming step of forming a resist pattern having a desired shape on the protective film, A patterning step of etching a laminated film including an organic film, a second electrode material film, and a protective film as a mask to form an organic layer having a desired shape, a second electrode, and a protective layer; In a method for manufacturing an organic EL display in which an organic layer is formed by sequentially repeating a resist pattern forming step and a patterning step, prior to a subsequent laminating step following the patterning step , The method of manufacturing the organic EL display characterized by comprising a side wall protective film forming step of forming at least covers the side wall protective film side wall of the obtained organic layer in the previous patterning steps.
保護膜を、無機絶縁材料によって形成することを特徴と
する請求項1記載の有機ELディスプレイの製造方法。2. The method for manufacturing an organic EL display according to claim 1, wherein the sidewall protective film formed in the sidewall protective film forming step is formed of an inorganic insulating material.
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