[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP2000113811A - Forming method of cathode ray tube panel having conductive film - Google Patents

Forming method of cathode ray tube panel having conductive film

Info

Publication number
JP2000113811A
JP2000113811A JP11312951A JP31295199A JP2000113811A JP 2000113811 A JP2000113811 A JP 2000113811A JP 11312951 A JP11312951 A JP 11312951A JP 31295199 A JP31295199 A JP 31295199A JP 2000113811 A JP2000113811 A JP 2000113811A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductive film
fine particles
film
solution
metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP11312951A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3308511B2 (en
Inventor
Keisuke Abe
啓介 阿部
Yasuhiro Sanada
恭宏 真田
Manami Hiroya
真奈美 廣谷
Kenji Ishizeki
健二 石関
Takeshi Morimoto
剛 森本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AGC Inc
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=18035448&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP2000113811(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Asahi Glass Co Ltd filed Critical Asahi Glass Co Ltd
Priority to JP31295199A priority Critical patent/JP3308511B2/en
Publication of JP2000113811A publication Critical patent/JP2000113811A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3308511B2 publication Critical patent/JP3308511B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
  • Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To form a conductive film having high efficiency by low-temperature heat treatment by coating fluid containing sols of Ru metallic fine particles to a cathode ray tube panel, heating it, forming a conductive film, and forming a film having the index of refraction lower than that of the conductive film on the connective film. SOLUTION: Metal to be used to form a conductive film is Ru metal, and the Ru metal is used as fine particles. As metallic fine particles, metallic fine particles formed by evaporative condensation of metal or metallic fine particles formed by chemically reducing metallic salt are used. Coating fluid for forming the conductive film is prepared by uniformly dispersing Ru metallic fine particles to water or organic solvent in the form of sols. The coating fluid is applied on a base body so as to have the specified thickness after drying and heated to form the conductive film. A low reflection film is formed on the formed conductive film by making use of the interference action of light, and therefore, the index of refraction can be reduced.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、導電膜付きブラウ
ン管パネルを形成する方法に関する。
The present invention relates to a method for forming a cathode ray tube panel with a conductive film.

【0002】[0002]

【従来の技術】ブラウン管パネルは高電圧で作動するた
めに、起動時または終了時にその表面に静電気が誘発さ
れる。この静電気によりブラウン管パネル表面にほこり
が付着してコントラスト低下を引き起こしたり、ブラウ
ン管パネルに直接手を触れた際に軽い電気ショックによ
る不快感を生じたりすることが多い。
2. Description of the Related Art Since a cathode ray tube panel operates at a high voltage, static electricity is induced on its surface at the time of start-up or termination. Dust adheres to the surface of the CRT panel due to the static electricity, causing a decrease in contrast, and when the CRT panel is directly touched with the hand, a slight electric shock often causes discomfort.

【0003】上述の現象を防止するために、ブラウン管
パネル表面に帯電防止膜を付与する試みが種々検討さ
れ、例えば、特開昭63−76247号公報には、ブラ
ウン管パネル表面を350℃程度に加熱し、該表面にC
VD法により酸化スズおよび酸化インジウムなどの導電
性酸化物層を設ける方法が開示されている。
In order to prevent the above-mentioned phenomenon, various attempts have been made to apply an antistatic film to the surface of the CRT panel. For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-76247 discloses that the surface of a CRT panel is heated to about 350 ° C. And the surface has C
A method of providing a conductive oxide layer such as tin oxide and indium oxide by a VD method is disclosed.

【0004】しかし、この方法では成膜装置にコストが
かかることに加え、ブラウン管パネル表面を高温に加熱
するため、ブラウン管内の蛍光体の脱落を生じたり、寸
法精度が低下するなどの問題があった。また、導電層に
用いる材料としては酸化スズが最も一般的であるが、酸
化スズの場合、低温処理では高性能な膜が得にくい欠点
があった。
[0004] However, in this method, in addition to the cost of the film forming apparatus, the surface of the CRT panel is heated to a high temperature, so that the phosphor in the CRT may fall off or the dimensional accuracy may be reduced. Was. In addition, tin oxide is most commonly used as a material used for the conductive layer. However, in the case of tin oxide, there is a disadvantage that it is difficult to obtain a high-performance film by low-temperature treatment.

【0005】また、近年、電磁波の遮蔽も求められてい
る。導電性塗膜をブラウン管パネル表面に介在させるこ
とにより、導電性塗膜に電磁波が当たり、塗膜内に渦電
流を誘導して、この作用で電磁波を反射する。導電性塗
膜は高い電界強度に耐え得る良導電性であることが必要
であるが、それほどの良導電性の膜を得ることはさらに
困難であった。
[0005] In recent years, shielding of electromagnetic waves has also been required. By interposing the conductive coating on the surface of the cathode ray tube panel, the conductive coating is irradiated with electromagnetic waves and induces an eddy current in the coating, thereby reflecting the electromagnetic waves. It is necessary that the conductive coating film has good conductivity to withstand high electric field strength, but it has been more difficult to obtain a film having such good conductivity.

【0006】一方、導電膜の製造法としては、例えば、
特開平6−310058号公報などに記載されているよ
うに、ブラウン管パネル表面に金属塩と還元剤の混合液
を塗布して導電膜を形成させる方法があるが、この方法
では金属導電膜はガラス面にメッキされた状態となり、
膜の強度が著しく弱く、かつ該導電膜を洗浄して副生成
塩を除去する工程が必要となる問題があった。
On the other hand, as a method of manufacturing a conductive film, for example,
As described in JP-A-6-310058 and the like, there is a method in which a mixed solution of a metal salt and a reducing agent is applied to the surface of a cathode ray tube panel to form a conductive film. It becomes a state plated on the surface,
There is a problem that the strength of the film is extremely weak and a step of cleaning the conductive film to remove by-product salts is required.

【0007】また、低反射性導電膜のコーティング法に
よる形成は、従来より光学機器においては言うまでもな
く、民生用機器、特にTV、コンピュータ端末のCRT
に関して数多くの検討がなされてきた。従来の方法は、
例えば、特開昭61−118931号公報に記載のよう
に、ブラウン管パネル表面に防眩効果を持たせるために
表面に微細な凹凸を有するSiO2層を付着させたり、
フッ酸により表面をエッチングして凹凸を設けるなどの
方法が採られてきた。しかし、これらの方法は、外部光
を散乱させるノングレア処理と呼ばれ、本質的に低反射
性層を設ける方法でないため、反射率の低減には限界が
あり、また、ブラウン管パネルなどにおいては、解像度
を低下させる原因ともなっている。
[0007] The formation of a low-reflection conductive film by a coating method is not limited to conventional optical devices, but also to consumer devices, particularly TVs and CRTs of computer terminals.
Numerous studies have been made on. The traditional method is
For example, as described in JP-A-61-118931, an SiO 2 layer having fine irregularities is attached to the surface of a cathode ray tube panel so as to have an antiglare effect,
A method has been adopted in which the surface is etched with hydrofluoric acid to form irregularities. However, these methods are called non-glare treatment that scatters external light, and are not essentially a method of providing a low-reflection layer. Therefore, there is a limit in reducing the reflectance. It is also the cause of lowering.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来技術が
有していた上述の導電膜および低反射性導電膜の欠点を
解消しようとするものであり、低温熱処理により形成が
可能な高性能導電膜を有するブラウン管パネルの形成方
法および低反射性導電膜を有するブラウン管パネルの形
成方法を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is to solve the above-mentioned drawbacks of the conductive film and the low-reflective conductive film of the prior art. An object of the present invention is to provide a method for forming a CRT panel having a conductive film and a method for forming a CRT panel having a low-reflection conductive film.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明は、Ru金属微粒
子のゾルを含む塗布液をブラウン管パネルに塗布して加
熱することを特徴とする導電膜付きブラウン管パネルの
形成方法を提供する。本発明の特徴は、導電膜を形成す
るにあたり、金属微粒子をゾルの形で含有する塗布液を
使用することであり、この塗布液を基体上に塗布して導
電膜を形成させた場合、従来のメッキ膜とは異なり、微
少な孔が導電膜中に導入される。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a method of forming a CRT panel with a conductive film, which comprises applying a coating solution containing a sol of Ru metal fine particles to a CRT panel and heating the coating solution. A feature of the present invention is to use a coating solution containing metal fine particles in the form of a sol in forming a conductive film. When this coating solution is applied on a substrate to form a conductive film, a conventional method is used. Unlike the plating film described above, minute holes are introduced into the conductive film.

【0010】そして、当該導電膜の上にケイ素化合物を
形成するシリコンアルコキシドの加水分解物を含有する
塗布液を塗布した場合に、この孔にケイ素化合物が侵入
し、膜強度が著しく向上する。また、本発明において
は、金属塩と還元液からなる塗布液を使用する前記の従
来法とは異なり、導電膜の形成時に副生成物が生成せ
ず、導電膜とその上に形成される膜との間での膜強度の
劣化も生じない。したがって本発明によれば、ブラウン
管パネル面に、前述の問題点を解決した導電膜、または
導電膜を少なくとも1層含む低反射性導電膜を形成でき
る。
When a coating solution containing a hydrolyzate of a silicon alkoxide forming a silicon compound is applied on the conductive film, the silicon compound penetrates into the pores, and the film strength is remarkably improved. Further, in the present invention, unlike the above-mentioned conventional method using a coating solution composed of a metal salt and a reducing solution, by-products are not generated during the formation of the conductive film, and the conductive film and the film formed thereon are not formed. There is no deterioration in film strength between the two. Therefore, according to the present invention, it is possible to form a conductive film that solves the above-mentioned problem or a low-reflective conductive film that includes at least one conductive film on the surface of a CRT panel.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】次に発明の実施の形態を挙げて本
発明をさらに詳しく説明する。本発明で導電膜を形成す
るために使用する金属は、Ru金属であり、Ru金属は
微粒子として用いられる。金属微粒子としては、例え
ば、上記金属の蒸発凝縮により生成される金属微粒子、
または上記金属の塩を化学還元することにより生成する
金属微粒子が好適に使用される。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Next, the present invention will be described in more detail with reference to embodiments of the present invention. The metal used to form the conductive film in the present invention is Ru metal, and Ru metal is used as fine particles. As the metal fine particles, for example, metal fine particles generated by evaporation and condensation of the metal,
Alternatively, metal fine particles produced by chemically reducing the metal salt are preferably used.

【0012】本発明において化学還元による金属微粒子
の生成に用いられる金属塩としては、例えば、ニトロソ
硝酸ルテニウムなどの硝酸塩;塩化ルテニウム、塩化ル
テニウムアンモニウム、塩化ルテニウムカリウム、塩化
ルテニウムナトリウムなどの塩化物;酢酸ルテニウムな
どの酢酸塩などが挙げられる。
The metal salt used in the present invention for producing metal fine particles by chemical reduction includes, for example, nitrates such as ruthenium nitroso nitrate; chlorides such as ruthenium chloride, ruthenium ammonium chloride, ruthenium potassium chloride and ruthenium sodium chloride; acetic acid Acetates such as ruthenium;

【0013】上記金属塩の還元剤としては、例えば、水
素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素カリウム、水素化
ナトリウム、水素化リチウムなどの水素化物や、ギ酸、
シュウ酸、ホスフィン酸、ホスフィン酸ナトリウムなど
の有機酸、無機酸、塩が使用できる。金属微粒子の還元
析出法は、特に限定されないが、例えば、金属塩を水ま
たは有機溶媒に溶解させ、必要に応じアンモニアなどで
pHを調整した後、還元剤を添加する方法が使用でき
る。この方法においては、金属塩の種類により反応温度
を調整することが好ましい。生成した金属微粒子は、適
宜洗浄および乾燥される。以上のようにして得られる金
属微粒子の粉体体積抵抗は、0.01Ω・cm以下であ
ることが好ましい。
Examples of the metal salt reducing agent include hydrides such as sodium borohydride, potassium borohydride, sodium hydride and lithium hydride, formic acid,
Organic acids such as oxalic acid, phosphinic acid and sodium phosphinate, inorganic acids and salts can be used. The method for reducing and depositing the metal fine particles is not particularly limited. For example, a method of dissolving a metal salt in water or an organic solvent, adjusting the pH with ammonia or the like as necessary, and then adding a reducing agent can be used. In this method, it is preferable to adjust the reaction temperature depending on the type of the metal salt. The generated metal fine particles are appropriately washed and dried. The powder volume resistance of the metal fine particles obtained as described above is preferably 0.01 Ω · cm or less.

【0014】導電性膜を形成するための塗布液は、Ru
金属微粒子を水や有機溶媒などにゾルの形に均一に分散
させることによって調製される。金属微粒子の粉末は、
粒子径があまり大きいと分散しにくくなるため、平均粒
径は100nm以下であることが好ましい。さらに好ま
しくは5〜80nmである。また、金属微粒子の分散性
向上のために、加熱、紫外線の照射、酸化剤への浸漬な
どにより金属微粒子の表面を一部酸化してもよい。塗布
液中の金属微粒子の含有量は、特に限定されないが、通
常は0.05〜10重量%程度であり、形成される導電
膜が所定の厚さとなるように含有量を調整する。
The coating liquid for forming the conductive film is Ru.
It is prepared by uniformly dispersing metal fine particles in the form of a sol in water or an organic solvent. Metal fine powder
If the particle size is too large, dispersion becomes difficult, so the average particle size is preferably 100 nm or less. More preferably, it is 5 to 80 nm. Further, in order to improve the dispersibility of the metal fine particles, the surface of the metal fine particles may be partially oxidized by heating, irradiation with ultraviolet rays, immersion in an oxidizing agent, or the like. The content of the metal fine particles in the coating liquid is not particularly limited, but is usually about 0.05 to 10% by weight, and the content is adjusted so that the formed conductive film has a predetermined thickness.

【0015】塗布液の調製においては金属微粒子を水や
有機溶媒などに均一に分散させることが重要である。そ
のためには、溶媒と金属微粒子との接触を容易ならしめ
るために十分な撹拌を行なうことが必要である。撹拌手
段としては、例えば、コロイドミル、ボールミル、サン
ドミル、ホモミキサーなどの市販の粉砕・分散機を使用
できる。また、分散させる際には、20〜200℃の範
囲で加熱することもできる。溶媒の沸点以上で撹拌する
場合には、加圧して液層が保持できるようにする。かく
して、Ru金属微粒子がコロイド粒子として分散した水
性ゾルまたはオルガノゾルが得られる。
In preparing a coating solution, it is important to uniformly disperse metal fine particles in water, an organic solvent, or the like. For this purpose, it is necessary to perform sufficient stirring to facilitate the contact between the solvent and the metal fine particles. As the stirring means, for example, a commercially available pulverizer / disperser such as a colloid mill, a ball mill, a sand mill, and a homomixer can be used. Moreover, when dispersing, it can also be heated in the range of 20 to 200 ° C. When stirring at a temperature higher than the boiling point of the solvent, the pressure is increased so that the liquid layer can be maintained. Thus, an aqueous sol or organosol in which Ru metal fine particles are dispersed as colloid particles is obtained.

【0016】本発明においては、水性ゾルをそのまま塗
布液として用いることもできるが、基体に対する塗布性
を増すために、金属微粒子を有機溶媒に分散させるか、
または水性ゾルの水分を有機溶媒で置換して用いること
もできる。
In the present invention, the aqueous sol can be used as a coating solution as it is. However, in order to enhance the coating property on the substrate, metal fine particles may be dispersed in an organic solvent,
Alternatively, the water of the aqueous sol can be replaced with an organic solvent before use.

【0017】オルガノゾルの形成および上記の媒体の置
換などに使用される有機溶媒としては、親水性有機溶媒
が好ましく、例えば、メタノール、エタノール、プロピ
ルアルコール、ブタノールなどのアルコール類;エチル
セロソルブ、メチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、プ
ロピレングリコールメチルエーテルなどのエーテル類;
2,4−ペンタジオン、ジアセトンアルコールなどのケ
トン類;乳酸エチル、乳酸メチルなどのエステル類がな
どが挙げられる。
The organic solvent used for the formation of the organosol and the replacement of the above-mentioned medium is preferably a hydrophilic organic solvent, for example, alcohols such as methanol, ethanol, propyl alcohol and butanol; ethyl cellosolve, methyl cellosolve, Ethers such as butyl cellosolve and propylene glycol methyl ether;
Ketones such as 2,4-pentadione and diacetone alcohol; and esters such as ethyl lactate and methyl lactate.

【0018】Ru金属微粒子が分散したゾルを含む塗布
液には、液の粘度、表面張力、広がり性等を調整する点
から、Si(OR)y・R’4-y(yは3または4。R、
R’はアルキル基。)などの加水分解性ケイ素化合物、
またはその部分加水分解物を添加することもできる。金
属微粒子に対して該ケイ素化合物は任意の割合で添加で
きるが、導電性および導電膜の強度を考慮すると、金属
微粒子/SiO2換算の該ケイ素化合物(重量比)は1
/6〜10/1が好ましく、さらに好ましくは1/4〜
5/1程度である。
In order to adjust the viscosity, surface tension, spreadability, etc. of the solution, Si (OR) y · R ′ 4-y (where y is 3 or 4) R,
R 'is an alkyl group. ) And other hydrolyzable silicon compounds,
Alternatively, a partial hydrolyzate thereof can be added. The silicon compound can be added at an arbitrary ratio to the metal fine particles. However, considering the conductivity and the strength of the conductive film, the metal compound / silicon compound (weight ratio) in terms of SiO 2 is 1
/ 6 to 10/1, more preferably 1/4 to
It is about 5/1.

【0019】また、塗布液には、導電膜の膜厚調整など
のために、Sn、Sb、In、Zn、Ga、Alおよび
Ruからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属の酸
化物を金属微粒子と同様なゾルの形で含有させることも
できる。金属酸化物は金属微粒子に対して任意の割合で
使用できるが、好ましい金属微粒子/金属酸化物(重量
比)は99/1〜60/40であり、さらに好ましくは
95/5〜70/30である。さらに、基体との濡れ性
を向上させるために種々の界面活性剤を塗布液に添加で
きる。金属微粒子とともにケイ素化合物や金属酸化物な
どを含む場合の塗布液の濃度(固形分)は、0.05〜
10重量%程度が好ましい。
The coating solution contains at least one oxide of a metal selected from the group consisting of Sn, Sb, In, Zn, Ga, Al and Ru in order to adjust the thickness of the conductive film. It can be contained in the form of a sol similar to the fine particles. The metal oxide can be used at an arbitrary ratio to the metal fine particles, but a preferable metal fine particle / metal oxide (weight ratio) is 99/1 to 60/40, more preferably 95/5 to 70/30. is there. Further, various surfactants can be added to the coating solution in order to improve the wettability with the substrate. The concentration (solid content) of the coating solution when a silicon compound or a metal oxide is contained together with the metal fine particles is 0.05 to
About 10% by weight is preferable.

【0020】こうして得られた塗布液を基体上に、乾燥
後に所定の厚さとなるように塗布し、加熱して導電膜を
形成させる。導電膜の厚さは、特に限定されないが、通
常は50〜150nm程度である。
The coating solution thus obtained is applied on a substrate to a predetermined thickness after drying, and heated to form a conductive film. The thickness of the conductive film is not particularly limited, but is usually about 50 to 150 nm.

【0021】塗布液を基体に塗布する方法は、特に限定
されないが、例えば、スピンコート、ディップコート、
スプレーコートなどの方法が好ましい。また、スプレー
コート法を用いて表面に凹凸を形成し、防眩効果を付与
してもよく、また、その上にシリカ被膜などのハードコ
ートを設けてもよい。さらには、本発明における導電膜
をスピンコートまたはスプレーコートのいずれかの方法
で形成し、その上に上記のシリコンアルコキシドを含む
溶液をスプレーコートして、表面に凹凸を有するシリカ
被膜のノングレアコートを設けてもよい。
The method of applying the coating solution to the substrate is not particularly limited, and examples thereof include spin coating, dip coating,
A method such as spray coating is preferred. In addition, the surface may be formed to have an anti-glare effect by using a spray coating method, and a hard coat such as a silica coating may be provided thereon. Further, the conductive film of the present invention is formed by either a spin coating method or a spray coating method, and the solution containing the silicon alkoxide is spray-coated thereon to form a non-glare coat of a silica coating having irregularities on the surface. It may be provided.

【0022】本発明におけるRu金属微粒子ゾルを含む
塗布液に、低沸点溶媒を用いる場合には、室温での乾燥
で均一な塗膜が得られるが、沸点が100〜250℃の
範囲にある中〜高沸点溶媒を用いる場合には、室温乾燥
では溶媒が塗膜中に残留するため、加熱処理を行う。加
熱温度の上限は基体であるブラウン管パネルの軟化点に
よって決定される。この点も考慮すると好ましい加熱温
度範囲は100〜500℃である。
When a solvent having a low boiling point is used in the coating solution containing the Ru metal fine particle sol in the present invention, a uniform coating film can be obtained by drying at room temperature, but a medium having a boiling point in the range of 100 to 250 ° C. When a high-boiling solvent is used, heat treatment is performed because the solvent remains in the coating film at room temperature. The upper limit of the heating temperature is determined by the softening point of the CRT panel as the substrate. Considering this point, a preferable heating temperature range is 100 to 500 ° C.

【0023】本発明においては、上記方法で形成した導
電膜の上に、光の干渉作用を利用して低反射性膜を形成
できる。例えば、基体がガラスの場合(屈折率n=1.
52)、導電膜の上に、n(導電膜)/n(低屈折率
膜)の比の値が約1.23となるような低屈折率膜を形
成することによって反射率を最も低減させることができ
る。反射率の低減には可視光領域において、特に555
nmの光の反射率を低減させることが好ましいが、実用
上は反射外観などを考慮して適宜決定することが好まし
い。
In the present invention, a low-reflection film can be formed on the conductive film formed by the above method by utilizing the interference effect of light. For example, when the substrate is glass (refractive index n = 1.
52) The reflectance is reduced most by forming a low refractive index film such that the ratio of n (conductive film) / n (low refractive index film) is about 1.23 on the conductive film. be able to. To reduce the reflectance, in the visible light region, especially 555
Although it is preferable to reduce the reflectance of light having a wavelength of nm, it is preferable to determine the reflectance appropriately in consideration of the reflection appearance and the like in practical use.

【0024】このような2層からなる低反射性導電膜の
最外層の低屈折率膜は、MgF2ゾルを含む溶液やシリ
コンアルコキシドを含む溶液から選ばれる少なくとも1
種の溶液を用いて形成した膜が好ましい。屈折率の点で
は上記材料の内ではMgF2が最も低く、反射率低減の
ためにはMgF2ゾルを含む溶液を用いることが好まし
いが、膜の硬度や耐擦傷性の点ではSiO2を主成分と
する膜が好ましい。
The outermost low-refractive-index film of such a two-layer low-reflection conductive film has at least one layer selected from a solution containing MgF 2 sol and a solution containing silicon alkoxide.
Films formed using seed solutions are preferred. MgF 2 is the lowest among the above materials in terms of refractive index, and it is preferable to use a solution containing MgF 2 sol to reduce the reflectance. However, SiO 2 is mainly used in terms of film hardness and scratch resistance. A membrane as a component is preferred.

【0025】このような低屈折率膜形成用のシリコンア
ルコキシドを含む溶液としては種々のものが使用できる
が、Si(OR)y・R’4-y(yは3または4。R、
R’はアルキル基。)で示されるシリコンアルコキシド
またはその部分加水分解物を含む液が好ましい。シリコ
ンアルコキシドとしては、例えば、シリコンエトキシ
ド、シリコンメトキシド、シリコンイソプロポキシド、
シリコンブトキシドなどのモノマー、またはそれらの重
合体が好ましい。
Various solutions can be used as a solution containing a silicon alkoxide for forming such a low refractive index film, but Si (OR) y .R ′ 4-y (y is 3 or 4. R,
R 'is an alkyl group. )), A liquid containing a silicon alkoxide or a partial hydrolyzate thereof is preferable. As the silicon alkoxide, for example, silicon ethoxide, silicon methoxide, silicon isopropoxide,
Monomers such as silicon butoxide or polymers thereof are preferred.

【0026】シリコンアルコキシドは、通常アルコー
ル、エステル、エーテルなどに溶解して用いられるが、
また、前記溶液に塩酸、硝酸、硫酸、酢酸、ギ酸、マレ
イン酸、フッ酸、またはアンモニア水溶液を添加して加
水分解して用いることもできる。溶液中のシリコンアル
コキシドの含有量は特に限定されないが、固形分量が多
すぎると保存安定性が低下するので溶媒に対して30重
量%以下の固形分量で使用することが好ましい。
The silicon alkoxide is usually used by dissolving it in alcohol, ester, ether or the like.
In addition, hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid, acetic acid, formic acid, maleic acid, hydrofluoric acid, or an aqueous ammonia solution may be added to the above-mentioned solution for hydrolysis. The content of the silicon alkoxide in the solution is not particularly limited, but if the solid content is too large, the storage stability is reduced. Therefore, it is preferable to use the silicon alkoxide at a solid content of 30% by weight or less based on the solvent.

【0027】また、低屈折率膜形成用にMgF2を使用
する場合には、MgF2の微粒子を用い、前記と同様に
して該微粒子を水や有機溶媒などの溶媒に安定なコロイ
ド粒子として均一に分散させた水性ゾル、またはオルガ
ノゾルして使用する。分散液中のMgF2の好ましい濃
度はシリコンアルコキシドの場合と同様である。有機溶
媒としては前記の有機溶媒が使用できる。
When MgF 2 is used for forming a low refractive index film, MgF 2 fine particles are used, and the fine particles are uniformly formed as colloid particles stable in a solvent such as water or an organic solvent in the same manner as described above. Used as an aqueous sol or an organosol. The preferred concentration of MgF 2 in the dispersion is the same as in the case of silicon alkoxide. As the organic solvent, the above-mentioned organic solvents can be used.

【0028】また、上記の溶液または分散液には、膜の
強度を向上させるために、バインダーとしてZr、T
i、Sn、Alなどのアルコキシドや、これらの部分加
水分解物を添加して、ZrO2、TiO2、SnO2、A
23などの1種、または2種以上の複合物をMgF2
やSiO2と同時に析出させてもよい。上記溶液または
分散液へのこれらのアルコキシドなどの添加量は、シリ
コンアルコキシドおよび/またはMgF2に対して0.
1〜10重量%程度が好ましい。
In order to improve the strength of the film, the above solution or dispersion contains Zr and T as binders.
Addition of alkoxides such as i, Sn, Al and the like and partial hydrolysates thereof to form ZrO 2 , TiO 2 , SnO 2 , A
l 2 O 3 1 species, such as, or two or more composite MgF 2
Or SiO 2 may be precipitated at the same time. The addition amount of these alkoxides and the like to the above solution or dispersion may be set to 0.1 to silicon alkoxide and / or MgF 2 .
About 1 to 10% by weight is preferable.

【0029】さらに、必要により、基体との濡れ性を向
上させるために、上記の溶液または分散液に界面活性剤
を添加してもよい。添加される界面活性剤としては、例
えば、直鎖アルキルベンゼンスルホン酸ナトリウム、ア
ルキルエーテル硫酸エステルなどが挙げられる。以上の
低屈折率膜形成用溶液または分散液を用い、導電膜形成
の場合と同様の方法で導電膜上に低屈折率膜を形成させ
る。
Further, if necessary, a surfactant may be added to the above solution or dispersion in order to improve the wettability with the substrate. Examples of the surfactant to be added include sodium linear alkylbenzene sulfonate, alkyl ether sulfate, and the like. Using the above solution or dispersion for forming a low refractive index film, a low refractive index film is formed on the conductive film in the same manner as in the case of forming the conductive film.

【0030】本発明における低反射性導電膜の形成方法
は、多層干渉効果による低反射性の導電膜にも応用でき
る。反射防止性能を有する多層の低反射性膜の構成とし
ては、例えば、反射防止をしたい光の波長をλとして、
基体側より、高屈折率層−低屈折率層を光学厚みλ/2
−λ/4、またはλ/4−λ/4で形成した2層の低反
射性膜、基体側より中屈折率層−高屈折率層−低屈折率
層を光学厚みλ/4−λ/2−λ/4で形成した3層の
低反射性膜、基体側より低屈折率層−中屈折率層−高屈
折率層−低屈折率層を光学厚みλ/2−λ/2−λ/2
−λ/4で形成した4層の低反射性膜などが典型的な例
として知られている。
The method for forming a low-reflection conductive film according to the present invention can be applied to a low-reflection conductive film by a multilayer interference effect. As a configuration of a multilayer low-reflective film having anti-reflection performance, for example, λ is the wavelength of light to be anti-reflective,
From the substrate side, the high-refractive-index layer-low-refractive-index layer is formed with an optical thickness of λ / 2.
A two-layer low-reflection film formed at λ / 4 or λ / 4-λ / 4, a medium refractive index layer, a high refractive index layer, and a low refractive index layer formed from the substrate side with an optical thickness of λ / 4-λ / 3-Layer low-reflection film formed at λ / 4, and optical thickness λ / 2-λ / 2-λ of low refractive index layer-medium refractive index layer-high refractive index layer-low refractive index layer from substrate side / 2
A four-layer low-reflection film formed at -λ / 4 is known as a typical example.

【0031】以上のように本発明の方法により、Ru金
属微粒子を含有する導電膜は、可視光領域全般にわたっ
て吸収を生じるため、コントラストの向上にも寄与す
る。
As described above, according to the method of the present invention, the conductive film containing the Ru metal fine particles absorbs over the entire visible light region, thereby contributing to the improvement of contrast.

【0032】[0032]

【実施例】以下に実施例および比較例を挙げて本発明を
さらに具体的に説明するが、本発明はこれらの例に限定
されない。なお、実施例および比較例における使用割合
および%は重量基準である。また、実施例および比較例
において得られた膜の評価方法は次のとおりである。
The present invention will be described more specifically with reference to examples and comparative examples, but the present invention is not limited to these examples. The percentages and percentages used in the examples and comparative examples are on a weight basis. The evaluation methods of the films obtained in Examples and Comparative Examples are as follows.

【0033】1)導電性評価 ローレスタ抵抗測定器(三菱化学製)により膜表面の表
面抵抗を測定した。 2)耐擦傷性 擦傷性測定器(LION社製50−50)により1kg
荷重下で、膜表面を50回往復後、その表面の傷付きを
目視で判断した。評価基準は以下のとおりとした。 ○:傷が全く付かない △:傷が多少付く ×:一部に膜剥離が生じる 3)鉛筆硬度 1kg荷重下において、種々の硬度の鉛筆で膜表面を走
査し、その後目視により表面に傷が生じ始める鉛筆の硬
度を膜の鉛筆硬度と判断した。
1) Evaluation of conductivity The surface resistance of the film surface was measured by a Loresta resistance measuring device (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation). 2) Scratch resistance 1 kg with a scratch resistance measuring device (50-50 manufactured by LION)
After the film surface was reciprocated 50 times under a load, scratches on the surface were visually determined. The evaluation criteria were as follows. ○: No scratches at all △: Some scratches at all ×: Partial film peeling 3) Pencil hardness Under a 1 kg load, the film surface is scanned with pencils of various hardness, and then the surface is visually scratched. The pencil hardness that began to develop was determined to be the pencil hardness of the film.

【0034】4)視感反射率 GAMMA分光反射率スペクトル測定器により多層膜の
400〜700nmでの視感反射率を測定した。 5)視感透過率 日立製作所製Spectrophotometer U
−3500により380〜780nmでの視感透過率を
測定した。また、得られた金属微粒子の粉体体積抵抗は
4端子法により測定し、得られたゾルの平均粒径は大塚
電子製レーザー回折式粒径測定装置LPA−3100に
より測定した。
4) Luminous reflectance The luminous reflectance of the multilayer film at 400 to 700 nm was measured using a GAMMA spectral reflectance spectrum measuring instrument. 5) Luminous transmittance Spectrophotometer U manufactured by Hitachi, Ltd.
The luminous transmittance at 380 to 780 nm was measured according to -3500. The powder volume resistance of the obtained metal fine particles was measured by a four-terminal method, and the average particle size of the obtained sol was measured by a laser diffraction particle size analyzer LPA-3100 manufactured by Otsuka Electronics.

【0035】例1 三塩化ルテニウム水溶液(固形分10%)に水素化ホウ
素ナトリウム液をルテニウムに対して4倍モル添加して
金属ルテニウムを還元析出させた。この金属ルテニウム
を充分洗浄した後、100℃で24時間乾燥を行い金属
ルテニウム粉末を得た。この金属ルテニウム粉末をサン
ドミルで20分間粉砕した。このときの液中の金属ルテ
ニウムの平均粒経は89nmであった。その後濃縮を行
ない固形分5%の分散液を得た。これをA液とする。
Example 1 A sodium borohydride solution was added to a ruthenium trichloride aqueous solution (solid content: 10%) at a molar ratio of 4 times the amount of ruthenium, to thereby reduce and precipitate metal ruthenium. After sufficiently washing the metal ruthenium, it was dried at 100 ° C. for 24 hours to obtain a metal ruthenium powder. This metal ruthenium powder was ground with a sand mill for 20 minutes. At this time, the average particle size of the metal ruthenium in the liquid was 89 nm. Thereafter, concentration was performed to obtain a dispersion having a solid content of 5%. This is designated as solution A.

【0036】ケイ酸エチルをエタノールに溶かし塩酸酸
性水溶液で加水分解を行なわせ、SiO2換算で5%と
なるようにエタノールで調整した。これをB液とする。
A液とB液をA液/B液=8/2となるように混合し、
その後超音波を1時間照射して混合液を得た。これをC
液とする。水:エタノール:メタノール:プロピレング
リコールモノメチルエーテルが50:42:5:3から
なる溶液を調製した。これをD液とする。C液をD液で
固形分が1.0%となるように希釈した。これをE液と
する。E液を14インチブラウン管パネル表面にスピン
コート法で塗布し、180℃で30分間加熱して導電膜
を形成させた。
Ethyl silicate was dissolved in ethanol, hydrolyzed with an aqueous hydrochloric acid solution, and adjusted to 5% in terms of SiO 2 with ethanol. This is designated as solution B.
A solution and B solution are mixed so that A solution / B solution = 8/2,
Thereafter, ultrasonic waves were irradiated for 1 hour to obtain a mixed solution. This is C
Liquid. A solution comprising 50: 42: 5: 3 of water: ethanol: methanol: propylene glycol monomethyl ether was prepared. This is designated as solution D. The solution C was diluted with the solution D so that the solid content became 1.0%. This is designated as solution E. Solution E was applied to the surface of a 14-inch CRT panel by spin coating, and heated at 180 ° C. for 30 minutes to form a conductive film.

【0037】例2 イソプロピルアルコール:プロピレングリコールモノメ
チルエーテルアセテート:ジアセトンアルコールが6:
3:1からなる溶液を調製した。これをU1液とする。
前記A液をD液で固形分が0.8%となるように希釈
し、この液を14インチブラウン管パネル表面にスピン
コート法で塗布し、60℃で10分間乾燥させて導電膜
を形成させた。その後、この膜の上にB液をU1液で
0.85%に希釈した液をスピンコート法で塗布し、1
60℃で30分間焼成して低反射性導電膜を形成させ
た。
Example 2 Isopropyl alcohol: propylene glycol monomethyl ether acetate: diacetone alcohol 6:
A solution consisting of 3: 1 was prepared. This is designated as U1 liquid.
The solution A was diluted with the solution D to a solid content of 0.8%, and the solution was applied to the surface of a 14-inch CRT panel by spin coating, and dried at 60 ° C. for 10 minutes to form a conductive film. Was. Thereafter, a solution obtained by diluting the solution B to a concentration of 0.85% with the U1 solution is applied on the film by a spin coating method.
The resultant was baked at 60 ° C. for 30 minutes to form a low-reflection conductive film.

【0038】例3 塩化スズと塩化アンチモンをSn/Sb=85/15と
なるように混合し、この溶液をアンモニア水でpH10
に調整し、50℃に保持した溶液中に添加し、沈殿析出
させた。この沈殿物を洗浄、濾別し、100℃で12時
間乾燥後650℃で3時間大気中で焼成し、アンチモン
ドープ酸化スズ微粒子を得た。この微粒子をサンドミル
で2時間粉砕した。このときの液中のアンチモンドープ
酸化スズ微粒子の平均粒径は65nmであった。その後
濃縮を行ない固形分が5%の液を得た。この液をD液で
固形分1.2%に希釈し、14インチブラウン管パネル
表面にスピンコートした。さらにこの膜の上にB液をU
1液で0.9%に希釈した液をスピンコート法で塗布
し、160℃で20分間焼成し2層膜を形成させた。
Example 3 Tin chloride and antimony chloride were mixed so that Sn / Sb = 85/15, and the solution was adjusted to pH 10 with aqueous ammonia.
And added to the solution maintained at 50 ° C. to precipitate. This precipitate was washed, separated by filtration, dried at 100 ° C. for 12 hours, and then calcined at 650 ° C. for 3 hours in the atmosphere to obtain antimony-doped tin oxide fine particles. These fine particles were pulverized with a sand mill for 2 hours. At this time, the average particle size of the antimony-doped tin oxide fine particles in the liquid was 65 nm. Thereafter, concentration was performed to obtain a liquid having a solid content of 5%. This solution was diluted with solution D to a solid content of 1.2%, and spin-coated on the surface of a 14-inch CRT panel. Then, add B solution onto this film with U
A solution diluted to 0.9% with one solution was applied by a spin coating method, and baked at 160 ° C. for 20 minutes to form a two-layer film.

【0039】以上において例1、例2が実施例で、例3
が比較例である。これらの例1〜3の導電膜および低反
射性導電膜を評価した。結果を表1に示す。
In the above, Examples 1 and 2 are examples, and Example 3
Is a comparative example. The conductive films and low-reflective conductive films of Examples 1 to 3 were evaluated. Table 1 shows the results.

【0040】[0040]

【表1】 [Table 1]

【0041】[0041]

【発明の効果】本発明によれば、スプレーまたはスピン
コートなどの簡便な方法により効率よく優れた導電膜を
提供できる。本発明は金属微粒子による導電膜を提供す
るため、電磁波を容易にシールドでき、かつ比較的安価
に製造できる。特に、ブラウン管パネルといった大面積
の基体に充分適用でき、量産も可能であるため工業的価
値は非常に高い。
According to the present invention, an excellent conductive film can be efficiently provided by a simple method such as spraying or spin coating. Since the present invention provides a conductive film made of metal fine particles, it can easily shield electromagnetic waves and can be manufactured relatively inexpensively. In particular, it can be sufficiently applied to a large-area substrate such as a cathode ray tube panel, and can be mass-produced.

─────────────────────────────────────────────────────
────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成11年11月4日(1999.11.
4)
[Submission date] November 4, 1999 (1999.11.
4)

【手続補正1】[Procedure amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0035[Correction target item name] 0035

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【0035】三塩化ルテニウム水溶液(固形分10%)
に水素化ホウ素ナトリウム液をルテニウムに対して4倍
モル添加して金属ルテニウムを還元析出させた。この金
属ルテニウムを充分洗浄した後、100℃で24時間乾
燥を行い金属ルテニウム粉末を得た。この金属ルテニウ
ム粉末をサンドミルで20分間粉砕した。このときの液
中の金属ルテニウムの平均粒は89nmであった。そ
の後濃縮を行ない固形分5%の分散液を得た。これをA
液とする。
Ruthenium trichloride aqueous solution (solid content 10%)
The sodium ruthenium hydride solution was added at a molar ratio of 4 times the amount of ruthenium to reduce and precipitate metal ruthenium. After sufficiently washing the metal ruthenium, it was dried at 100 ° C. for 24 hours to obtain a metal ruthenium powder. This metal ruthenium powder was ground with a sand mill for 20 minutes. At this time, the average particle size of the metal ruthenium in the liquid was 89 nm. Thereafter, concentration was performed to obtain a dispersion having a solid content of 5%. This is A
Liquid.

フロントページの続き (72)発明者 石関 健二 神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地 旭硝子株式会社中央研究所内 (72)発明者 森本 剛 神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地 旭硝子株式会社中央研究所内Continuing from the front page (72) Inventor Kenji Ishiseki 1150 Hazawa-cho, Kanagawa-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Inside the Asahi Glass Co., Ltd.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】Ru金属微粒子のゾルを含む塗布液をブラ
ウン管パネルに塗布して加熱することを特徴とする導電
膜付きブラウン管パネルの形成方法。
1. A method of forming a CRT panel with a conductive film, comprising applying a coating solution containing a sol of Ru metal fine particles to a CRT panel and heating the coating solution.
【請求項2】導電膜上に、該導電膜より低屈折率の膜を
形成することを特徴とする請求項1記載の導電膜付きブ
ラウン管パネルの形成方法。
2. The method according to claim 1, wherein a film having a lower refractive index than the conductive film is formed on the conductive film.
JP31295199A 1999-11-02 1999-11-02 Method of forming CRT panel with conductive film Expired - Fee Related JP3308511B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31295199A JP3308511B2 (en) 1999-11-02 1999-11-02 Method of forming CRT panel with conductive film

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31295199A JP3308511B2 (en) 1999-11-02 1999-11-02 Method of forming CRT panel with conductive film

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP29598195A Division JP3697760B2 (en) 1995-10-20 1995-10-20 Coating liquid

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000113811A true JP2000113811A (en) 2000-04-21
JP3308511B2 JP3308511B2 (en) 2002-07-29

Family

ID=18035448

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP31295199A Expired - Fee Related JP3308511B2 (en) 1999-11-02 1999-11-02 Method of forming CRT panel with conductive film

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3308511B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6902815B2 (en) 2001-06-04 2005-06-07 Asahi Glass Company, Limited Coating liquid for forming colored transparent conductive film, substrate with colored transparent conductive film and method for its production, and display device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6902815B2 (en) 2001-06-04 2005-06-07 Asahi Glass Company, Limited Coating liquid for forming colored transparent conductive film, substrate with colored transparent conductive film and method for its production, and display device

Also Published As

Publication number Publication date
JP3308511B2 (en) 2002-07-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3302186B2 (en) Substrate with transparent conductive film, method for producing the same, and display device provided with the substrate
JP3697760B2 (en) Coating liquid
JP3473272B2 (en) Coating liquid for conductive film formation and conductive film
US20040197549A1 (en) Conductive film, manufactruing method thereof, substrate having the same
JP3219450B2 (en) Method for producing conductive film, low reflection conductive film and method for producing the same
JPH05107403A (en) High refractivity conductive film or low reflective anti-static film and manufacture thereof
JP3308511B2 (en) Method of forming CRT panel with conductive film
KR100996052B1 (en) Coating agent for forming transparent film, transparent film coated substrate and display
JP3449123B2 (en) Coating solution for forming low-resistance film or low-refractive-index film, and method for producing low-resistance film or low-reflection low-refractive-index film
JP3315673B2 (en) CRT with conductive film
JP3979967B2 (en) Manufacturing method of low reflection low resistance film
JP2002367428A (en) Application liquid for forming colored transparent conductive film, base body with the colored transparent conductive film, method of manufacture and display device
JP3288417B2 (en) CRT panel having low reflection conductive film formed thereon and method of manufacturing the same
JP2000153223A (en) Formation of low reflective conductive film
JP3356968B2 (en) Transparent conductive film, method of manufacturing the same, and display device
JP3484903B2 (en) Coating liquid for forming low-resistance film, low-resistance film and method for manufacturing the same, and low-reflection low-resistance film and method for manufacturing the same
JP3520705B2 (en) Coating liquid for forming conductive film, conductive film and method for manufacturing the same
JP3661244B2 (en) Method for forming conductive film and low reflective conductive film
JPH05166423A (en) Manufacture of conductive film and low reflective conductive film
JPH115929A (en) Coating liquid for use in forming electrically conductive film, method for forming electrically conductive film, and method for forming electrically conductive film of low reflectivity
JP2004190142A (en) Coating liquid for forming electroconductive film, electroconductive film, and production method therefor
JPH0687632A (en) Low-reflection conductive film having antidazzle effect and its production
JPH08290943A (en) Coating liquid for forming electroconductive film, production of electroconductive film, electroconductive film and glass article having electroconductive film formed thereon
JPH09188545A (en) Electroconductive film, its production and glass article
JPH0611602A (en) Low-refractive-index film, low-reflectance film, low-reflectance conductive film and low-reflectance glare-proof conductive film

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees