JP2000109647A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置Info
- Publication number
- JP2000109647A JP2000109647A JP28517798A JP28517798A JP2000109647A JP 2000109647 A JP2000109647 A JP 2000109647A JP 28517798 A JP28517798 A JP 28517798A JP 28517798 A JP28517798 A JP 28517798A JP 2000109647 A JP2000109647 A JP 2000109647A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy resin
- resin composition
- semiconductor
- metal hydrate
- less
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 title claims abstract description 28
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 19
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title abstract description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 39
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 12
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 9
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 claims description 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims description 2
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims description 2
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 claims description 2
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 abstract description 17
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 abstract description 3
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- -1 peracetic acid Chemical class 0.000 description 6
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 6
- 150000004677 hydrates Chemical class 0.000 description 5
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 4
- SJRJJKPEHAURKC-UHFFFAOYSA-N N-Methylmorpholine Chemical compound CN1CCOCC1 SJRJJKPEHAURKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000007561 laser diffraction method Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 3
- KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 1-naphthol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1 KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N 2-naphthol Chemical compound C1=CC=CC2=CC(O)=CC=C21 JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N Beryllium oxide Chemical compound O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N Peracetic acid Chemical compound CC(=O)OO KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBBJYMSMWIIQGU-UHFFFAOYSA-N Propionic aldehyde Chemical compound CCC=O NBBJYMSMWIIQGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Chemical compound O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N benzaldehyde Chemical compound O=CC1=CC=CC=C1 HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 2
- RXPAJWPEYBDXOG-UHFFFAOYSA-N hydron;methyl 4-methoxypyridine-2-carboxylate;chloride Chemical compound Cl.COC(=O)C1=CC(OC)=CC=N1 RXPAJWPEYBDXOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Chemical compound OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 2
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N o-cresol Chemical compound CC1=CC=CC=C1O QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- SMQUZDBALVYZAC-UHFFFAOYSA-N salicylaldehyde Chemical compound OC1=CC=CC=C1C=O SMQUZDBALVYZAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical compound [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- USFPINLPPFWTJW-UHFFFAOYSA-N tetraphenylphosphonium Chemical compound C1=CC=CC=C1[P+](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 USFPINLPPFWTJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N triethylenediamine Chemical compound C1CN2CCN1CC2 IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BIKXLKXABVUSMH-UHFFFAOYSA-N trizinc;diborate Chemical compound [Zn+2].[Zn+2].[Zn+2].[O-]B([O-])[O-].[O-]B([O-])[O-] BIKXLKXABVUSMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001993 wax Substances 0.000 description 2
- BLBVJHVRECUXKP-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethoxy-1,4-dimethylbenzene Chemical group COC1=C(C)C=CC(C)=C1OC BLBVJHVRECUXKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHDSRXYHVZECER-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-tris[(dimethylamino)methyl]phenol Chemical compound CN(C)CC1=CC(CN(C)C)=C(O)C(CN(C)C)=C1 AHDSRXYHVZECER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTWBFUCJVWKCCK-UHFFFAOYSA-N 2-heptadecyl-1h-imidazole Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC1=NC=CN1 YTWBFUCJVWKCCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYOXIFXYEIILLY-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound N1C(C)=CN=C1C1=CC=CC=C1 TYOXIFXYEIILLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 5K8XI641G3 Chemical compound CCC1=NC=C(C)N1 ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100028175 Abasic site processing protein HMCES Human genes 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100022210 COX assembly mitochondrial protein 2 homolog Human genes 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N Epichlorohydrin Chemical compound ClCC1CO1 BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100321669 Fagopyrum esculentum FA02 gene Proteins 0.000 description 1
- 101001006387 Homo sapiens Abasic site processing protein HMCES Proteins 0.000 description 1
- 101000900446 Homo sapiens COX assembly mitochondrial protein 2 homolog Proteins 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N N-dimethylaminoethanol Chemical compound CN(C)CCO UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- 229910020781 SixOy Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IKHGUXGNUITLKF-XPULMUKRSA-N acetaldehyde Chemical compound [14CH]([14CH3])=O IKHGUXGNUITLKF-XPULMUKRSA-N 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004844 aliphatic epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001343 alkyl silanes Chemical class 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- PEEDYJQEMCKDDX-UHFFFAOYSA-N antimony bismuth Chemical compound [Sb].[Bi] PEEDYJQEMCKDDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001463 antimony compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940049676 bismuth hydroxide Drugs 0.000 description 1
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- TZSXPYWRDWEXHG-UHFFFAOYSA-K bismuth;trihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Bi+3] TZSXPYWRDWEXHG-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001642 boronic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N butyric aldehyde Natural products CCCC=O ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000378 calcium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910052918 calcium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N calcium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Ca+2].[O-][Si]([O-])=O OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000002301 combined effect Effects 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910002026 crystalline silica Inorganic materials 0.000 description 1
- RGBIPJJZHWFFGE-UHFFFAOYSA-N cyclohexa-2,5-diene-1,4-dione;triphenylphosphane Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RGBIPJJZHWFFGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960002887 deanol Drugs 0.000 description 1
- PWZFXELTLAQOKC-UHFFFAOYSA-A dialuminum;hexamagnesium;carbonate;hexadecahydroxide;tetrahydrate Chemical compound O.O.O.O.[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Al+3].[Al+3].[O-]C([O-])=O PWZFXELTLAQOKC-UHFFFAOYSA-A 0.000 description 1
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical class C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N dimethylbenzylamine Chemical compound CN(C)CC1=CC=CC=C1 XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZZTCPWRAHWXWCH-UHFFFAOYSA-N diphenylmethanediamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(N)(N)C1=CC=CC=C1 ZZTCPWRAHWXWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N dipotassium dioxido(oxo)titanium Chemical compound [K+].[K+].[O-][Ti]([O-])=O NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001545 hydrotalcite Drugs 0.000 description 1
- 229910001701 hydrotalcite Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N methanone Chemical compound O=[14CH2] WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- UJNZOIKQAUQOCN-UHFFFAOYSA-N methyl(diphenyl)phosphane Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(C)C1=CC=CC=C1 UJNZOIKQAUQOCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- LIBWSLLLJZULCP-UHFFFAOYSA-N n-(3-triethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCNC1=CC=CC=C1 LIBWSLLLJZULCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N n-(3-trimethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC1=CC=CC=C1 KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQKOSCFDFJKWOX-UHFFFAOYSA-N n-[3-[diethoxy(methyl)silyl]propyl]aniline Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCNC1=CC=CC=C1 NQKOSCFDFJKWOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZPARGTXKUIJLJ-UHFFFAOYSA-N n-[3-[dimethoxy(methyl)silyl]propyl]aniline Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCNC1=CC=CC=C1 YZPARGTXKUIJLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NXPPAOGUKPJVDI-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2-diol Chemical compound C1=CC=CC2=C(O)C(O)=CC=C21 NXPPAOGUKPJVDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004780 naphthols Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 150000002924 oxiranes Chemical class 0.000 description 1
- QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N para-ethylbenzaldehyde Natural products CCC1=CC=C(C=O)C=C1 QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 150000004965 peroxy acids Chemical class 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 150000003003 phosphines Chemical class 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000011417 postcuring Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001755 resorcinol Drugs 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007873 sieving Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- IYMSIPPWHNIMGE-UHFFFAOYSA-N silylurea Chemical compound NC(=O)N[SiH3] IYMSIPPWHNIMGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N tributylphosphine Chemical compound CCCCP(CCCC)CCCC TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QLAGHGSFXJZWKY-UHFFFAOYSA-N triphenylborane;triphenylphosphane Chemical compound C1=CC=CC=C1B(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 QLAGHGSFXJZWKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UKRDPEFKFJNXQM-UHFFFAOYSA-N vinylsilane Chemical compound [SiH3]C=C UKRDPEFKFJNXQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003739 xylenols Chemical class 0.000 description 1
- 125000006839 xylylene group Chemical group 0.000 description 1
- BNEMLSQAJOPTGK-UHFFFAOYSA-N zinc;dioxido(oxo)tin Chemical compound [Zn+2].[O-][Sn]([O-])=O BNEMLSQAJOPTGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 description 1
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】臭素系難燃剤、アンチモンを含有しない、成形
性、信頼性、並びに難燃性に優れた半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置を提供するこ
と。 【解決手段】(A)エポキシ樹脂(B)硬化剤(C)硬
化促進剤(D)金属水和物および(E)無機充填材を必
須成分とし、(D)の金属水和物が、中心粒径14〜2
5μm、且つ10μm以下の粒子の割合が30重量%以
下、且つ5μm以下の粒子の割合を5重量%以下とした
封止材により半導体素子を封止する。
性、信頼性、並びに難燃性に優れた半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置を提供するこ
と。 【解決手段】(A)エポキシ樹脂(B)硬化剤(C)硬
化促進剤(D)金属水和物および(E)無機充填材を必
須成分とし、(D)の金属水和物が、中心粒径14〜2
5μm、且つ10μm以下の粒子の割合が30重量%以
下、且つ5μm以下の粒子の割合を5重量%以下とした
封止材により半導体素子を封止する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、難燃性、成形性、
信頼性に優れた封止材及びそれを用いた半導体装置に関
する。
信頼性に優れた封止材及びそれを用いた半導体装置に関
する。
【0002】
【従来の技術】半導体素子の封止は、生産性、コスト等
の面から樹脂封止が主流となっている。この封止用樹脂
としては、電気的特性、コスト、作業性等に優れるエポ
キシ樹脂組成物が主に用いられている。しかし、エポキ
シ樹脂は難燃性が不充分なので通常臭素化エポキシ樹脂
や三酸化アンチモン等の難燃剤を添加して難燃性の向上
を図っている。しかしながら、これら難燃剤は燃焼時に
発生するガスが環境に悪影響を及ぼすとして問題視され
つつあり、近年環境保護の観点から、これらの使用規制
の要求が強まりつつある。この要求に対し、これまでに
種々の代替難燃剤が検討されてきた。例えば、赤燐系難
燃剤を半導体封止用エポキシ樹脂に適用することについ
て、既に各種の提案が成されている。例えば表面層をS
ixOyとする赤燐系難燃剤を用いるもの(特開平7−
157542号)、ビスマス、硝酸ビスマス混合物を被
覆してなる赤燐系難燃剤を用いるもの(特開平8−15
1427号)、赤燐系難燃剤、ホウ素系難燃剤を用いる
もの(特開平8−151505号)、表面をフェノール
樹脂と水酸化アルミニウムで被覆した赤燐を用いるもの
(特開平9−165495号)、表面をフェノール樹脂
と水酸化アルミニウムで被覆した赤燐を用い、且つエポ
キシ/硬化剤当量比、ガラス転移温度、熱膨張係数を規
定した樹脂組成物(特開平9−227765号)等が提
案されているが、半導体用途の厳しい要求を必ずしも満
足するものではなかった。表面層をSixOyや酸化ビ
スマス、水酸化ビスマス、硝酸ビスマス混合物で被覆す
るだけでは赤燐から溶出するリン酸イオンによる耐湿性
の低下を免れないし、イオン補足剤を用いても十分な効
果を得ることは困難である。表面を水酸化アルミニウム
とフェノール樹脂で被覆した赤燐単独では、上記と同様
に耐湿性、高温放置性等が低下し、半導体用途としては
不適当である。一方、水酸化アルミニウム、水酸化マグ
ネシウム等の金属水和物を難燃剤として用いることで耐
湿性、高温放置性を向上させる提案は既になされている
(特開昭64−73651号、特開平9−241483
号等)。しかし、金属水和物系難燃剤を得る為には多量
の添加が必要であり、成形品の機械的特性が低下するた
め半導体封止用途には不適当であった。この問題に対
し、従来は金属水和物の粒径を細かくすることで難燃性
を向上させ、添加量を削減できると考えられていた(合
成樹脂1996.Nov Vol.42 No.11 プラスチック難燃化技術
の最新動向)。しかし、粒径の細かい金属水和物の添加
は流動性、硬化性等の低下を招くため半導体封止用途に
は不適当であった。また、金属酸化物と金属水和物の併
用効果は従来から報告されており(昭和63年4月三菱
電線工業時報 第75号、International Wire&Cable S
ymposium Proceeding 1986)、周期律表の特定の族の酸
化物と水和物を併用したエポキシ樹脂組成物(特開平9
−100337号)が提案されているが、難燃性と成形
性の両立が困難で半導体封止用としての要求に堪えるも
のはない。
の面から樹脂封止が主流となっている。この封止用樹脂
としては、電気的特性、コスト、作業性等に優れるエポ
キシ樹脂組成物が主に用いられている。しかし、エポキ
シ樹脂は難燃性が不充分なので通常臭素化エポキシ樹脂
や三酸化アンチモン等の難燃剤を添加して難燃性の向上
を図っている。しかしながら、これら難燃剤は燃焼時に
発生するガスが環境に悪影響を及ぼすとして問題視され
つつあり、近年環境保護の観点から、これらの使用規制
の要求が強まりつつある。この要求に対し、これまでに
種々の代替難燃剤が検討されてきた。例えば、赤燐系難
燃剤を半導体封止用エポキシ樹脂に適用することについ
て、既に各種の提案が成されている。例えば表面層をS
ixOyとする赤燐系難燃剤を用いるもの(特開平7−
157542号)、ビスマス、硝酸ビスマス混合物を被
覆してなる赤燐系難燃剤を用いるもの(特開平8−15
1427号)、赤燐系難燃剤、ホウ素系難燃剤を用いる
もの(特開平8−151505号)、表面をフェノール
樹脂と水酸化アルミニウムで被覆した赤燐を用いるもの
(特開平9−165495号)、表面をフェノール樹脂
と水酸化アルミニウムで被覆した赤燐を用い、且つエポ
キシ/硬化剤当量比、ガラス転移温度、熱膨張係数を規
定した樹脂組成物(特開平9−227765号)等が提
案されているが、半導体用途の厳しい要求を必ずしも満
足するものではなかった。表面層をSixOyや酸化ビ
スマス、水酸化ビスマス、硝酸ビスマス混合物で被覆す
るだけでは赤燐から溶出するリン酸イオンによる耐湿性
の低下を免れないし、イオン補足剤を用いても十分な効
果を得ることは困難である。表面を水酸化アルミニウム
とフェノール樹脂で被覆した赤燐単独では、上記と同様
に耐湿性、高温放置性等が低下し、半導体用途としては
不適当である。一方、水酸化アルミニウム、水酸化マグ
ネシウム等の金属水和物を難燃剤として用いることで耐
湿性、高温放置性を向上させる提案は既になされている
(特開昭64−73651号、特開平9−241483
号等)。しかし、金属水和物系難燃剤を得る為には多量
の添加が必要であり、成形品の機械的特性が低下するた
め半導体封止用途には不適当であった。この問題に対
し、従来は金属水和物の粒径を細かくすることで難燃性
を向上させ、添加量を削減できると考えられていた(合
成樹脂1996.Nov Vol.42 No.11 プラスチック難燃化技術
の最新動向)。しかし、粒径の細かい金属水和物の添加
は流動性、硬化性等の低下を招くため半導体封止用途に
は不適当であった。また、金属酸化物と金属水和物の併
用効果は従来から報告されており(昭和63年4月三菱
電線工業時報 第75号、International Wire&Cable S
ymposium Proceeding 1986)、周期律表の特定の族の酸
化物と水和物を併用したエポキシ樹脂組成物(特開平9
−100337号)が提案されているが、難燃性と成形
性の両立が困難で半導体封止用としての要求に堪えるも
のはない。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる状況
に鑑みなされたもので、臭素系難燃剤、アンチモンを含
有しない、成形性、信頼性、並びに難燃性に優れた半導
体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装
置を提供することを目的とする。臭素系難燃剤の代替材
の一つとして、金属水和物が挙げられる。金属水和物系
難燃剤としては、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシ
ウム等が広く知られており、特に水酸化アルミニウムに
ついては、種々の粒度の製品が上市されている。しか
し、これらの金属水和物を単独で用いて難燃性を満足さ
せるには多量の添加が必要であり、半導体封止用エポキ
シ樹脂においては硬化性、離型性が低下し量産への適用
は困難であった。これらの問題点を解決すべく本発明者
らが鋭意研究を重ねた結果、金属水和物の粒度をある特
定の範囲とすることで難燃性が高くなり、且つ従来品の
欠点であった流動性、硬化性の低下を防止できることを
見出した。また、金属水和物の表面に特定の表面処理を
行うことで更に分散性が向上し、難燃性、流動性を向上
することができることを見出し本発明に至った。
に鑑みなされたもので、臭素系難燃剤、アンチモンを含
有しない、成形性、信頼性、並びに難燃性に優れた半導
体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装
置を提供することを目的とする。臭素系難燃剤の代替材
の一つとして、金属水和物が挙げられる。金属水和物系
難燃剤としては、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシ
ウム等が広く知られており、特に水酸化アルミニウムに
ついては、種々の粒度の製品が上市されている。しか
し、これらの金属水和物を単独で用いて難燃性を満足さ
せるには多量の添加が必要であり、半導体封止用エポキ
シ樹脂においては硬化性、離型性が低下し量産への適用
は困難であった。これらの問題点を解決すべく本発明者
らが鋭意研究を重ねた結果、金属水和物の粒度をある特
定の範囲とすることで難燃性が高くなり、且つ従来品の
欠点であった流動性、硬化性の低下を防止できることを
見出した。また、金属水和物の表面に特定の表面処理を
行うことで更に分散性が向上し、難燃性、流動性を向上
することができることを見出し本発明に至った。
【0004】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、エポ
キシ樹脂、フェノール硬化剤及び無機充填材を主成分と
する封止材において、難燃剤として中心粒径が14〜2
5μmで、且つ10μm以下の粒子の割合が組成物全体
の30重量%以下、且つ5μm以下の粒子の割合が5重
量%以下とした特定の粒度を持つ金属水和物を用いるこ
とを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそ
れを用いた半導体装置に関する。
キシ樹脂、フェノール硬化剤及び無機充填材を主成分と
する封止材において、難燃剤として中心粒径が14〜2
5μmで、且つ10μm以下の粒子の割合が組成物全体
の30重量%以下、且つ5μm以下の粒子の割合が5重
量%以下とした特定の粒度を持つ金属水和物を用いるこ
とを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそ
れを用いた半導体装置に関する。
【0005】
【発明の実施の形態】本発明において用いられるエポキ
シ樹脂としては、電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料
で一般に使用されているものを用いることができ、それ
を例示すればフェノールノボラック型エポキシ樹脂、オ
ルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂をはじめとす
るフェノール類とアルデヒド類のノボラック樹脂をエポ
キシ化したもの、ビスフェノールA、ビスフェノール
F、ビスフェノールS、アルキル置換ビフェノール等の
ジグリシジルエーテル、ジアミノジフェニルメタン、イ
ソシアヌル酸等のポリアミンとエピクロルヒドリンの反
応により得られるグリシジルアミン型エポキシ樹脂、オ
レフィン結合を過酢酸等の過酸で酸化して得られる線状
脂肪族エポキシ樹脂、及び脂環族エポキシ樹脂等があ
り、これらを適宜何種類でも併用することができる。
シ樹脂としては、電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料
で一般に使用されているものを用いることができ、それ
を例示すればフェノールノボラック型エポキシ樹脂、オ
ルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂をはじめとす
るフェノール類とアルデヒド類のノボラック樹脂をエポ
キシ化したもの、ビスフェノールA、ビスフェノール
F、ビスフェノールS、アルキル置換ビフェノール等の
ジグリシジルエーテル、ジアミノジフェニルメタン、イ
ソシアヌル酸等のポリアミンとエピクロルヒドリンの反
応により得られるグリシジルアミン型エポキシ樹脂、オ
レフィン結合を過酢酸等の過酸で酸化して得られる線状
脂肪族エポキシ樹脂、及び脂環族エポキシ樹脂等があ
り、これらを適宜何種類でも併用することができる。
【0006】本発明において用いられる(B)成分の硬
化剤としては、酸無水物類、アミン類、フェノール化合
物等が使用でき、中でもフェノール化合物が好適であ
る。これらフェノール化合物としては、フェノール、ク
レゾール、キシレノール、レゾルシン、カテコール、ビ
スフェノールA、ビスフェノールF等のフェノール類、
又はα−ナフトール、β−ナフトール、ジヒドロキシナ
フタレン等のナフトール類とホルムアルデヒド、アセト
アルデヒド、プロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒ
ド、サリチルアルデヒド等のアルデヒド類とを酸性触媒
下で縮合させて得られる樹脂、ポリパラビニルフェノー
ル樹脂、フェノール類とジメトキシパラキシレンから合
成されるキシリレン基を有するフェノール・アラルキル
樹脂等があり、単独又は2種類以上併用してもよい。ま
た、(A)のエポキシ樹脂と(B)の硬化剤の当量比
は、それぞれの未反応分を少なく抑えるために0.7〜
1.3の範囲に設定することが好ましい。
化剤としては、酸無水物類、アミン類、フェノール化合
物等が使用でき、中でもフェノール化合物が好適であ
る。これらフェノール化合物としては、フェノール、ク
レゾール、キシレノール、レゾルシン、カテコール、ビ
スフェノールA、ビスフェノールF等のフェノール類、
又はα−ナフトール、β−ナフトール、ジヒドロキシナ
フタレン等のナフトール類とホルムアルデヒド、アセト
アルデヒド、プロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒ
ド、サリチルアルデヒド等のアルデヒド類とを酸性触媒
下で縮合させて得られる樹脂、ポリパラビニルフェノー
ル樹脂、フェノール類とジメトキシパラキシレンから合
成されるキシリレン基を有するフェノール・アラルキル
樹脂等があり、単独又は2種類以上併用してもよい。ま
た、(A)のエポキシ樹脂と(B)の硬化剤の当量比
は、それぞれの未反応分を少なく抑えるために0.7〜
1.3の範囲に設定することが好ましい。
【0007】本発明において用いられる(C)成分のエ
ポキシ樹脂と硬化剤の反応を促進するために硬化促進剤
としては、一般的なものを広く使用できるが、特に硬化
剤としてフェノール化合物を使用する場合の硬化促進剤
としては、例えば、1,8−ジアザビシクロ(5,4,
0)ウンデセン−7等のジアザビシクロアルケン及びそ
の誘導体、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルア
ミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノー
ル、トリス(ジメチルアミノメチル)フェノール等の三
級アミン類、2−メチルイミダゾール、2−フェニルイ
ミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、
2−ヘプタデシルイミダゾール等のイミダゾール類、ト
リブチルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、ト
リフェニルホスフィン等の有機ホスフィン類、トリフェ
ニルホスホニウム−トリフェニルボラン、トリフェニル
ホスフィン−ベンゾキノン付加物、トリパラトリルフォ
スフィン−ベンゾキノン付加物、テトラフェニルホスホ
ニウム・テトラフェニルボレート等のテトラ置換ホスホ
ニウム・テトラ置換ボレート、2−エチル−4−メチル
イミダゾール・テトラフェニルボレート、N−メチルモ
ルホリン・テトラフェニルボレート等のテトラフェニル
ボロン塩等があり、単独又は併用して使用することがで
きる。中でも、特性のバランスの点で1,8−ジアザビ
シクロ(5,4,0)ウンデセン−7等のジアザビシク
ロアルケン及びその誘導体が好適である。
ポキシ樹脂と硬化剤の反応を促進するために硬化促進剤
としては、一般的なものを広く使用できるが、特に硬化
剤としてフェノール化合物を使用する場合の硬化促進剤
としては、例えば、1,8−ジアザビシクロ(5,4,
0)ウンデセン−7等のジアザビシクロアルケン及びそ
の誘導体、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルア
ミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノー
ル、トリス(ジメチルアミノメチル)フェノール等の三
級アミン類、2−メチルイミダゾール、2−フェニルイ
ミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、
2−ヘプタデシルイミダゾール等のイミダゾール類、ト
リブチルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、ト
リフェニルホスフィン等の有機ホスフィン類、トリフェ
ニルホスホニウム−トリフェニルボラン、トリフェニル
ホスフィン−ベンゾキノン付加物、トリパラトリルフォ
スフィン−ベンゾキノン付加物、テトラフェニルホスホ
ニウム・テトラフェニルボレート等のテトラ置換ホスホ
ニウム・テトラ置換ボレート、2−エチル−4−メチル
イミダゾール・テトラフェニルボレート、N−メチルモ
ルホリン・テトラフェニルボレート等のテトラフェニル
ボロン塩等があり、単独又は併用して使用することがで
きる。中でも、特性のバランスの点で1,8−ジアザビ
シクロ(5,4,0)ウンデセン−7等のジアザビシク
ロアルケン及びその誘導体が好適である。
【0008】また、充填剤としては、吸湿性の低減及び
強度向上の観点から無機充填剤を用いることが必要であ
る。無機充填剤としては、溶融シリカ、結晶シリカ、ア
ルミナ、ジルコン、珪酸カルシウム、炭酸カルシウム、
炭化珪素、窒化ホウ素、ベリリア、ジルコニア等の粉
体、又はこれらを球形化したビーズ、チタン酸カリウ
ム、炭化珪素、窒化珪素、アルミナ等の単結晶繊維、ガ
ラス繊維等を1種類以上配合することができる。さら
に、難燃効果のある無機充填剤として硼酸亜鉛が挙げら
れ、これらを単独または併用することができる。無機充
填剤の配合量としては、吸湿性、線膨張係数の低減及び
強度向上の観点から70重量%以上が好ましい。上記の
無機充填剤の中で、線膨張係数低減の観点からは溶融シ
リカが、高熱伝導性の観点からはアルミナが好ましく、
充填剤形状は成形時の流動性及び金型摩耗性の点から球
形が好ましい。その他の添加剤として高級脂肪族、高級
脂酸金属塩、エステル系ワックス、ポリオレフィン系ワ
ックス等の離型剤、カーボンブラック等の着色剤、エポ
キシシラン、アミノシラン、ウレイドシラン、ビニルシ
ラン、アルキルシラン、有機チタネート、アルミニウム
アルコレート等のカップリング剤等を用いることができ
る。上記のカップリング剤の中で、難燃性、硬化性の観
点からはアミノシランが好ましく、中でもγ−アニリノ
プロピルトリメトキシシラン、γ−アニリノプロピルト
リエトキシシラン、γ−アニリノプロピルメチルジメト
キシシラン、γ−アニリノプロピルメチルジエトキシシ
ランがリードフレームとの接着性、耐湿性、成形性の観
点から特に好ましい。
強度向上の観点から無機充填剤を用いることが必要であ
る。無機充填剤としては、溶融シリカ、結晶シリカ、ア
ルミナ、ジルコン、珪酸カルシウム、炭酸カルシウム、
炭化珪素、窒化ホウ素、ベリリア、ジルコニア等の粉
体、又はこれらを球形化したビーズ、チタン酸カリウ
ム、炭化珪素、窒化珪素、アルミナ等の単結晶繊維、ガ
ラス繊維等を1種類以上配合することができる。さら
に、難燃効果のある無機充填剤として硼酸亜鉛が挙げら
れ、これらを単独または併用することができる。無機充
填剤の配合量としては、吸湿性、線膨張係数の低減及び
強度向上の観点から70重量%以上が好ましい。上記の
無機充填剤の中で、線膨張係数低減の観点からは溶融シ
リカが、高熱伝導性の観点からはアルミナが好ましく、
充填剤形状は成形時の流動性及び金型摩耗性の点から球
形が好ましい。その他の添加剤として高級脂肪族、高級
脂酸金属塩、エステル系ワックス、ポリオレフィン系ワ
ックス等の離型剤、カーボンブラック等の着色剤、エポ
キシシラン、アミノシラン、ウレイドシラン、ビニルシ
ラン、アルキルシラン、有機チタネート、アルミニウム
アルコレート等のカップリング剤等を用いることができ
る。上記のカップリング剤の中で、難燃性、硬化性の観
点からはアミノシランが好ましく、中でもγ−アニリノ
プロピルトリメトキシシラン、γ−アニリノプロピルト
リエトキシシラン、γ−アニリノプロピルメチルジメト
キシシラン、γ−アニリノプロピルメチルジエトキシシ
ランがリードフレームとの接着性、耐湿性、成形性の観
点から特に好ましい。
【0009】必須成分(D)である金属水和物として
は、アルミニウム、マグネシウム、カルシウム、ニッケ
ル、鉄、銅、等の水和物、硼酸亜鉛、錫酸亜鉛等の複合
金属の水和物が挙げられる。中でも水酸化アルミニウム
が好適に用いられる。金属水和物はその粒径が、平均粒
径が14〜25μmであり、且つ10μm以下の粒子の
割合が30重量%以下、且つ5μm以下の粒径の割合が
5重量%以下であるものを用いる。特に好ましくは平均
粒径14〜25μm、且つ10μm以下の粒径の粒子の
割合が10重量%以下、且つ5μm以下の粒子の割合が
1重量%以下であるものを用いる。ここで言う平均粒径
とは、レーザー回折法で測定した粒度分布において積算
重量が50%になる粒径であり、また5μm、10μm
以下の粒子の割合についてもレーザー回折法で測定した
粒度分布において、それぞれの粒径以下での積算重量%
を言う。金属水和物はステアリン酸、シランカップリン
グ剤、ポリアミド等により表面処理を行ったものを用い
ることがより好ましい。金属水和物の配合量は、組成物
全体の5〜40重量%が好ましい。5重量%よりも少な
ければ充分な難燃性が得られないし、40重量%よりも
多ければ硬化性、流動性に問題が出やすい。10〜30
重量%の範囲が特に好適である。
は、アルミニウム、マグネシウム、カルシウム、ニッケ
ル、鉄、銅、等の水和物、硼酸亜鉛、錫酸亜鉛等の複合
金属の水和物が挙げられる。中でも水酸化アルミニウム
が好適に用いられる。金属水和物はその粒径が、平均粒
径が14〜25μmであり、且つ10μm以下の粒子の
割合が30重量%以下、且つ5μm以下の粒径の割合が
5重量%以下であるものを用いる。特に好ましくは平均
粒径14〜25μm、且つ10μm以下の粒径の粒子の
割合が10重量%以下、且つ5μm以下の粒子の割合が
1重量%以下であるものを用いる。ここで言う平均粒径
とは、レーザー回折法で測定した粒度分布において積算
重量が50%になる粒径であり、また5μm、10μm
以下の粒子の割合についてもレーザー回折法で測定した
粒度分布において、それぞれの粒径以下での積算重量%
を言う。金属水和物はステアリン酸、シランカップリン
グ剤、ポリアミド等により表面処理を行ったものを用い
ることがより好ましい。金属水和物の配合量は、組成物
全体の5〜40重量%が好ましい。5重量%よりも少な
ければ充分な難燃性が得られないし、40重量%よりも
多ければ硬化性、流動性に問題が出やすい。10〜30
重量%の範囲が特に好適である。
【0010】その他の添加物として、着色剤(カーボン
ブラック等)、改質剤(シリコーン、シリコーンゴム
等)、イオントラッパー(ハイドロタルサイト、アンチ
モン−ビスマス等)を用いることができる。以上のよう
な原材料を用いて成形材料を作成する一般的な方法とし
ては、所定の配合量の原材料混合物をミキサー等によっ
て充分混合した後、熱ロール、押出機等によって混練
し、冷却、粉砕、することによって成形材料を得ること
かできる。
ブラック等)、改質剤(シリコーン、シリコーンゴム
等)、イオントラッパー(ハイドロタルサイト、アンチ
モン−ビスマス等)を用いることができる。以上のよう
な原材料を用いて成形材料を作成する一般的な方法とし
ては、所定の配合量の原材料混合物をミキサー等によっ
て充分混合した後、熱ロール、押出機等によって混練
し、冷却、粉砕、することによって成形材料を得ること
かできる。
【0011】本発明で得られるエポキシ樹脂組成物を用
いて、電子部品を封止する方法としては、低圧トランス
ファ成形法が最も一般的であるが、インジェクション成
形、圧縮成形、注型等の方法によっても可能である。上
記した手段を用いて製造したエポキシ樹脂組成物は、臭
素系難燃剤、アンチモン化合物を含有しないため環境に
優しく、且つ成形性、信頼性に優れておりトランジス
タ、IC、LSI等の封止に好適に用いることができ
る。
いて、電子部品を封止する方法としては、低圧トランス
ファ成形法が最も一般的であるが、インジェクション成
形、圧縮成形、注型等の方法によっても可能である。上
記した手段を用いて製造したエポキシ樹脂組成物は、臭
素系難燃剤、アンチモン化合物を含有しないため環境に
優しく、且つ成形性、信頼性に優れておりトランジス
タ、IC、LSI等の封止に好適に用いることができ
る。
【0012】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明
するが、本発明はこれに限定されるものではない。 金属水和物の粒度調整 住友化学(株)製水酸化アルミニウムCL−310を用
い、篩分けにより以下の粒度に調整した。 *1 レーザー回折法による
するが、本発明はこれに限定されるものではない。 金属水和物の粒度調整 住友化学(株)製水酸化アルミニウムCL−310を用
い、篩分けにより以下の粒度に調整した。 *1 レーザー回折法による
【0013】実施例1〜5 比較例1〜6 まず、表1に示す各種の素材を用い、各素材を予備混合
(ドライブレンド)した後、二軸ロール(ロール表面温
度約80℃)で10分間混練し、冷却粉砕して製造し
た。
(ドライブレンド)した後、二軸ロール(ロール表面温
度約80℃)で10分間混練し、冷却粉砕して製造し
た。
【0014】
【表1】
【0015】
【表2】
【0016】この封止材をトランスファー成形機を用
い、金型温度180℃、成形圧力70kgf/cm2 、
硬化時間90秒の条件で各試験を行った。スパイラルフ
ローは、EMMI1−66により測定した。熱時硬度は
ショア硬度計にて測定した。また、この封止材を用い
て、半導体素子をトランスファー成形機で同様の条件で
成形し、ポストキュア(175℃/5h)後耐湿性を評
価した。耐湿性の測定に用いた半導体装置は、SOP−
28ピンであり、85℃/85RH%72時間、耐湿+
215℃/90秒(VPS)の前処理後、PCT(12
1℃/2気圧)に放置してチップ上配線の断線の有無を
評価した。高温放置性に用いた半導体装置は、SOP−
28ピンであり、175℃にて所定の時間放置後の金線
の接合強度を測定し判定した。上記の試験結果をまとめ
て表3に示す。本発明にかかる実施例は、比較例にくら
べいづれも優れた特性を示した。
い、金型温度180℃、成形圧力70kgf/cm2 、
硬化時間90秒の条件で各試験を行った。スパイラルフ
ローは、EMMI1−66により測定した。熱時硬度は
ショア硬度計にて測定した。また、この封止材を用い
て、半導体素子をトランスファー成形機で同様の条件で
成形し、ポストキュア(175℃/5h)後耐湿性を評
価した。耐湿性の測定に用いた半導体装置は、SOP−
28ピンであり、85℃/85RH%72時間、耐湿+
215℃/90秒(VPS)の前処理後、PCT(12
1℃/2気圧)に放置してチップ上配線の断線の有無を
評価した。高温放置性に用いた半導体装置は、SOP−
28ピンであり、175℃にて所定の時間放置後の金線
の接合強度を測定し判定した。上記の試験結果をまとめ
て表3に示す。本発明にかかる実施例は、比較例にくら
べいづれも優れた特性を示した。
【0017】
【表3】
【0018】
【発明の効果】本発明は、エポキシ樹脂、フェノール硬
化剤及び無機充填材を主成分とする半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物において、難燃剤として特定の粒度を持つ
金属水和物を必須成分として配合することにより成形
性、信頼性に優れ、且つ環境に対する影響が極めて小さ
い成形材料を提供することができる。また、この成形材
料を用いて半導体素子を封止することで、信頼性、難燃
性に優れた半導体装置が得られる。
化剤及び無機充填材を主成分とする半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物において、難燃剤として特定の粒度を持つ
金属水和物を必須成分として配合することにより成形
性、信頼性に優れ、且つ環境に対する影響が極めて小さ
い成形材料を提供することができる。また、この成形材
料を用いて半導体素子を封止することで、信頼性、難燃
性に優れた半導体装置が得られる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 23/29 H01L 23/30 R 23/31 (72)発明者 千濱 淳一 茨城県結城市大字鹿窪1772−1 日立化成 工業株式会社下館工場内 Fターム(参考) 4J002 BC12X CC03X CC04X CC05X CC06X CD01W CD02W CD03W CD05W CD06W CD11W CD13W CE00X DE077 DE087 DE097 DE098 DE117 DE147 DE148 DE187 DE188 DE238 DJ008 DJ018 DK007 DK008 DL008 EN026 EN036 EN106 EU116 EW016 EY016 FA048 FA088 FB097 FB237 FB267 FD018 FD030 FD090 FD137 FD14X FD156 FD160 FD200 GJ02 GQ00 4J036 AD04 AD08 AD21 AF06 AF07 AH07 AH20 AJ09 AK01 DA01 DA02 DA04 DC02 DC12 DC13 DC41 DC46 FA01 FA02 FA05 FA12 FB07 FB08 GA04 JA07 4M109 AA01 BA01 CA21 EA02 EB02 EB04 EB07 EB08 EB09 EB12 EB16 EC20
Claims (6)
- 【請求項1】(A)エポキシ樹脂(B)硬化剤(C)硬
化促進剤(D)金属水和物および(E)無機充填材を必
須成分とし、(D)の金属水和物が、中心粒径14〜2
5μmで、且つ10μm以下の粒子の割合が30重量%
以下、且つ5μm以下の粒子の割合が5重量%以下とし
たことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項2】(D)の金属水和物が、中心粒径14〜2
5μmで、且つ10μm以下の粒子の割合が10重量%
以下、且つ5μm以下の粒子の割合が1重量%以下とし
たものである請求項1記載の半導体封止用エポキシ樹脂
組成物。 - 【請求項3】(D)の金属水和物が表面をカップリング
剤、またはステアリン酸、またはポリアミドで被覆され
ていることを特徴とする請求項1または2記載の半導体
封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項4】(D)の金属水和物が水酸化アルミニウム
である請求項1乃至3のいづれかに記載の半導体封止用
エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項5】(C)の硬化促進剤が、ジアザビシクロア
ルケンまたはその誘導体である請求項1乃至4のいづれ
かに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項6】請求項1乃至5のいづれかに記載の封止用
エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる
樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28517798A JP2000109647A (ja) | 1998-10-07 | 1998-10-07 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28517798A JP2000109647A (ja) | 1998-10-07 | 1998-10-07 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000109647A true JP2000109647A (ja) | 2000-04-18 |
Family
ID=17688106
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28517798A Pending JP2000109647A (ja) | 1998-10-07 | 1998-10-07 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000109647A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000302948A (ja) * | 1999-04-19 | 2000-10-31 | Toshiba Chem Corp | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 |
JP2002187999A (ja) * | 2000-12-20 | 2002-07-05 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
KR20030050122A (ko) * | 2001-12-18 | 2003-06-25 | 대우종합기계 주식회사 | 전자부품 봉입용 에폭시 수지 조성물 |
JP2006241411A (ja) * | 2005-03-07 | 2006-09-14 | Nitto Denko Corp | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびその製法ならびにそれを用いた半導体装置 |
JP2007009166A (ja) * | 2005-06-03 | 2007-01-18 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 |
JP2011122030A (ja) * | 2009-12-09 | 2011-06-23 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物、このエポキシ樹脂組成物が使用された半導体装置、有機修飾無機充填材、エポキシ樹脂組成物の製造方法 |
CN102504484A (zh) * | 2011-10-11 | 2012-06-20 | 国电联合动力技术(连云港)有限公司 | 新型胶衣树脂及其制备方法 |
JP2020132723A (ja) * | 2019-02-15 | 2020-08-31 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体封止用樹脂組成物および半導体装置 |
-
1998
- 1998-10-07 JP JP28517798A patent/JP2000109647A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000302948A (ja) * | 1999-04-19 | 2000-10-31 | Toshiba Chem Corp | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 |
JP2002187999A (ja) * | 2000-12-20 | 2002-07-05 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
KR20030050122A (ko) * | 2001-12-18 | 2003-06-25 | 대우종합기계 주식회사 | 전자부품 봉입용 에폭시 수지 조성물 |
JP2006241411A (ja) * | 2005-03-07 | 2006-09-14 | Nitto Denko Corp | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびその製法ならびにそれを用いた半導体装置 |
JP2007009166A (ja) * | 2005-06-03 | 2007-01-18 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 |
JP2011122030A (ja) * | 2009-12-09 | 2011-06-23 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物、このエポキシ樹脂組成物が使用された半導体装置、有機修飾無機充填材、エポキシ樹脂組成物の製造方法 |
CN102504484A (zh) * | 2011-10-11 | 2012-06-20 | 国电联合动力技术(连云港)有限公司 | 新型胶衣树脂及其制备方法 |
JP2020132723A (ja) * | 2019-02-15 | 2020-08-31 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体封止用樹脂組成物および半導体装置 |
JP7255227B2 (ja) | 2019-02-15 | 2023-04-11 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体封止用樹脂組成物および半導体装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3783312B2 (ja) | 電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品 | |
JP3295643B2 (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 | |
JP2000103939A (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 | |
JP2024026589A (ja) | 封止用樹脂組成物、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法 | |
JP2010195997A (ja) | 高誘電性エポキシ樹脂組成物及び高周波デバイス | |
JP7388160B2 (ja) | 封止用樹脂組成物、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法 | |
JP4314538B2 (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 | |
JP2000109647A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 | |
JPH05331263A (ja) | 樹脂組成物 | |
JP3295629B2 (ja) | 電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品 | |
JP3994500B2 (ja) | 電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品 | |
JP3257426B2 (ja) | 電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品 | |
JP3714399B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP3994511B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 | |
JP3890681B2 (ja) | 電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品 | |
JPH11269349A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 | |
KR20200013385A (ko) | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 장치 | |
JP4325000B2 (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 | |
JP2001002895A (ja) | 半導体用封止材の製造法及び樹脂封止型半導体装置 | |
JP3295630B2 (ja) | 電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品 | |
JPH11269347A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 | |
JPH11269346A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 | |
JP2000309679A (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 | |
JP3966289B2 (ja) | 電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品 | |
JP2006077096A (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |