JP2000182394A - Redundancy circuit and semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ヒューズを利用し
て特定の入力アドレス信号に対してはスペアのメモリセ
ルを使用させるリダンダンシ回路及びこのリダンダンシ
回路を搭載した半導体装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a redundancy circuit for using a spare memory cell for a specific input address signal using a fuse, and a semiconductor device equipped with the redundancy circuit.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来より、半導体メモリなどの半導体装
置では、あるアドレスのメモリセルに欠陥がある場合、
ヒューズを使用して前記アドレスをプログラムすること
により、前記アドレスに対してはリダンダンシメモリ
(スペアのメモリ)を使用させる制御を行うリダンダン
シ回路を搭載している。2. Description of the Related Art Conventionally, in a semiconductor device such as a semiconductor memory, when a memory cell at a certain address has a defect,
A redundancy circuit for controlling the use of a redundancy memory (spare memory) for the address by programming the address using a fuse is mounted.
【0003】図7は従来のリダンダンシ回路の概略構成
例を示したブロック図である。リダンダンシ回路は主に
コンパレータ回路1と複数のヒューズ回路が集合して成
るヒューズ回路部2とから成っている。FIG. 7 is a block diagram showing a schematic configuration example of a conventional redundancy circuit. The redundancy circuit mainly includes a comparator circuit 1 and a fuse circuit section 2 in which a plurality of fuse circuits are assembled.
【0004】図8は図7の詳細回路図である。入力アド
レス信号と、不良アドレスをヒューズ回路部2のヒュー
ズの溶断の有無でプログラムした信号(ヒューズ信号)
X1、X2、…Xnとをコンパレータ回路1によって比
較し、入力されたアドレス信号で指定されるメモリセル
が欠陥アドレスであった場合、ヒット信号を発生する。
このヒット信号はスペアのメモリセルへのアクセスの有
無を判断する信号で、ヒット信号がある場合は前記アド
レスでスペアのメモリセルをアクセスすることになる。FIG. 8 is a detailed circuit diagram of FIG. A signal (fuse signal) in which an input address signal and a defective address are programmed based on whether or not a fuse in the fuse circuit unit 2 is blown.
Xn, X2,... Xn are compared by the comparator circuit 1. If the memory cell specified by the input address signal is a defective address, a hit signal is generated.
This hit signal is a signal for judging whether or not there is access to the spare memory cell. If there is a hit signal, the spare memory cell is accessed at the address.
【0005】上記構成では、コンパレータ回路1に入力
されるN本のアドレス信号に対し、コンパレータ回路1
とヒューズ回路部2を接続する信号線はリダンダンシの
独立セット数分(N×セット数分)必要となり、通常は
かなりの数となる。In the above configuration, the comparator circuit 1 responds to N address signals input to the comparator circuit 1.
The number of signal lines connecting the fuse circuit unit 2 and the fuse circuit unit 2 is required for the number of independent sets of redundancy (N × the number of sets), and is usually a considerable number.
【0006】コンパレータ回路1は図9に示すように排
他的論理和回路91で構成され、又、ヒューズ回路部2
の各ヒューズ回路は図10に示すように2個のインバー
タ41で構成されるメモリ回路とヒューズ42から構成
されており、対応するアドレスが不良アドレスである場
合はヒューズ42が溶断されていて、メモリ回路に保持
されているデータを反転させる。The comparator circuit 1 comprises an exclusive OR circuit 91 as shown in FIG.
Each of the fuse circuits is composed of a memory circuit composed of two inverters 41 and a fuse 42 as shown in FIG. 10, and if the corresponding address is a defective address, the fuse 42 is blown. Invert the data held in the circuit.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】上記した従来のリダン
ダンシ回路を搭載した半導体装置のレイアウトにおい
て、スタンダードセル方式のような小ブロックをアレイ
状に配置する図11に示すような場合について考える。
小ブロック61のレイアウトでは、通常、アルミ配線が
全体に亙り引き回されるため、配線領域62の両側に沿
って、複数の小ブロック61が配置される。In the layout of the above-described conventional semiconductor device equipped with a redundancy circuit, consider a case as shown in FIG. 11 in which small blocks are arranged in an array as in a standard cell system.
In the layout of the small blocks 61, the aluminum wiring is usually routed over the entirety, so that a plurality of small blocks 61 are arranged along both sides of the wiring region 62.
【0008】例えば、上記したコンパレータ回路1を小
ブロック上に配置した場合、図12に示すように小ブロ
ック61の表面に電源線611を被せた構成をとれる
が、小ブロック61上にヒューズ回路を配置した場合、
ヒューズをブローできるように、小ブロック61の表面
にヒューズ42が図13に示すように配置される必要が
ある。For example, when the above-described comparator circuit 1 is arranged on a small block, a configuration in which a power supply line 611 is placed on the surface of the small block 61 as shown in FIG. If placed,
The fuse 42 needs to be arranged on the surface of the small block 61 as shown in FIG. 13 so that the fuse can be blown.
【0009】このため、別途、電源線を配線するスペー
スを確保するため、図14に示すように、ヒューズ回路
を配置した小ブロック61(黒で図示)が他の小ブロッ
ク61よりも大きくなり、配線領域62に食い込んで、
配線領域62が減少してしまう。特に、自動配線CAD
等では、配線アルゴリズムによる配線領域の制約から図
15に示すように大幅に配線領域62が減少することも
あり、それに伴って無駄な領域63が増えるという不具
合が発生する。For this reason, as shown in FIG. 14, a small block 61 (shown in black) in which a fuse circuit is arranged becomes larger than the other small blocks 61, as shown in FIG. Biting into the wiring area 62,
The wiring area 62 is reduced. In particular, automatic wiring CAD
In such a case, as shown in FIG. 15, the wiring area 62 may be greatly reduced due to the restriction of the wiring area by the wiring algorithm, and a problem that the useless area 63 is increased accordingly.
【0010】そこで、上記のような不都合を回避するに
は、ヒューズ回路の小ブロックを図11に示した小ブロ
ックアレイ上に配置しなければよいが、これにはヒュー
ズ回路の小ブロック61に関しては、前記アレイ上以外
の位置ヘコンパレータ回路の小ブロック61と引き離し
て配置する方法が考えられる。尚、コンパレータ回路の
小ブロック61の位置は動作スピードへの影響からクリ
ティカルパスから離して配置することはできないため、
前記小ブロックアレイ上に配置しなければならない。Therefore, in order to avoid the above-mentioned inconvenience, the small blocks of the fuse circuit need not be arranged on the small block array shown in FIG. A method may be considered in which a small block 61 of the comparator circuit is separated from a position other than on the array. Note that the position of the small block 61 of the comparator circuit cannot be located away from the critical path due to the effect on the operation speed.
It must be placed on the small block array.
【0011】しかし、上記のようにヒューズ回路の小ブ
ロック61を離して配置すると、コンパレータ回路1と
ヒューズ回路部2間の信号線の本数は、前述したように
アドレス線N本に対し、N×リダンダンシ独立セット数
分必要となり、この本数分のバスラインに相当する配線
領域がコンパレータ回路1とヒューズ回路部2間に必要
となり、全体配線領域がかなり増加し、そのマイナス面
が非常に大きくなるいう不具合が発生する。However, when the small blocks 61 of the fuse circuit are arranged apart from each other as described above, the number of signal lines between the comparator circuit 1 and the fuse circuit unit 2 becomes N × N × the number of address lines as described above. The required number of redundancy independent sets is required, and a wiring area corresponding to this number of bus lines is required between the comparator circuit 1 and the fuse circuit section 2, so that the entire wiring area is considerably increased, and the minus side becomes very large. Failure occurs.
【0012】しかも、コンパレータ回路1とヒューズ回
路部2間の信号線の本数は今後増える傾向にあるため、
前記マイナス面も大きくなる傾向にある。Further, since the number of signal lines between the comparator circuit 1 and the fuse circuit unit 2 tends to increase in the future,
The minus side also tends to increase.
【0013】本発明は、上述の如き従来の課題を解決す
るためになされたもので、その目的は、配線領域をほと
んど増加させることなく、コンパレータ回路に対してヒ
ューズ回路を離して配置することができるリダンダンシ
回路及びこのリダンダンシ回路を搭載した半導体装置を
提供することである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems. An object of the present invention is to dispose a fuse circuit apart from a comparator circuit without increasing the wiring area. An object of the present invention is to provide a redundancy circuit that can be used and a semiconductor device equipped with the redundancy circuit.
【0014】[0014]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1の発明の特徴は、アドレス信号毎にスペア
のメモリセルへのアクセスの有無を知らせるパラレルの
ヒューズ信号を発生するヒューズ回路群と、入力アドレ
ス信号とヒューズ信号とを比較して、前記スペアのメモ
リセルへのアクセスを指示するヒット信号を発生する比
較回路とを有し、特定のアドレス信号に対しては前記ス
ペアのメモリセルを使用させるリダンダンシ回路におい
て、前記パラレルのヒューズ信号をシリアルのヒューズ
信号に変換して前記比較回路に伝送する伝送手段を具備
することにある。In order to achieve the above object, a feature of the present invention is to provide a fuse circuit for generating a parallel fuse signal for indicating whether or not a spare memory cell is accessed for each address signal. And a comparison circuit for comparing the input address signal and the fuse signal to generate a hit signal for instructing access to the spare memory cell, wherein the spare memory is provided for a specific address signal. In a redundancy circuit using cells, transmission means for converting the parallel fuse signal into a serial fuse signal and transmitting the serial fuse signal to the comparison circuit is provided.
【0015】この請求項1の発明によれば、スタンダー
ドセル方式のような小ブロックアレイ上に比較回路を配
置した場合、多層配線のレイアウトによる制約からヒュ
ーズ回路群は他の小ブロックと同様なレイアウト構成が
とれないので、上記した小ブロックアレイ上に配置する
ことができず、ヒューズ回路群は前記比較回路から離し
て配置される。この時、ヒューズ回路群のパラレルのヒ
ューズ信号はシリアル化されて1本の信号線で比較回路
側に送られるため、ヒューズ信号を伝送する配線面積の
増大は大幅に抑えられ、従って、比較回路とヒューズ回
路群を離して配置しても配線面積の増大は大幅に抑えら
れることになる。According to the first aspect of the present invention, when a comparison circuit is arranged on a small block array as in the standard cell system, the fuse circuit group has the same layout as the other small blocks due to restrictions due to the layout of the multilayer wiring. Since the configuration cannot be taken, it cannot be arranged on the small block array described above, and the fuse circuit group is arranged away from the comparison circuit. At this time, since the parallel fuse signals of the fuse circuit group are serialized and sent to the comparison circuit side by one signal line, an increase in the wiring area for transmitting the fuse signal is greatly suppressed. Even if the fuse circuit groups are arranged apart from each other, the increase in the wiring area can be greatly suppressed.
【0016】請求項2の発明の特徴は、アドレス信号毎
にスペアのメモリセルへのアクセスの有無を知らせるパ
ラレルのヒューズ信号を発生するヒューズ回路群と、入
力アドレス信号とヒューズ信号とを比較して、スペアの
メモリセルへのアクセスを指示するヒット信号を発生す
る比較回路とを有し、特定の入力アドレス信号に対して
は前記スペアのメモリセルを使用させるリダンダンシ回
路において、前記パラレルのヒューズ信号をシリアルの
ヒューズ信号に変換する第1の信号変換手段と、前記シ
リアルのヒューズ信号をパラレルのヒューズ信号に変換
する第2の信号変換手段と、前記第1の信号変換手段に
より得られたシリアルのヒューズ信号を前記第2の信号
変換手段へ伝送する信号線と、を具備することにある。A second feature of the present invention is that a fuse circuit group for generating a parallel fuse signal for notifying the presence or absence of access to a spare memory cell for each address signal is compared with an input address signal and a fuse signal. And a comparison circuit for generating a hit signal instructing access to a spare memory cell. In a redundancy circuit for using the spare memory cell for a specific input address signal, the parallel fuse signal is First signal conversion means for converting a serial fuse signal into a serial fuse signal, second signal conversion means for converting the serial fuse signal into a parallel fuse signal, and a serial fuse obtained by the first signal conversion means And a signal line for transmitting a signal to the second signal conversion means.
【0017】請求項3の発明の前記第1、第2の信号変
換回路は、第1、第2のシフトレジスタ回路であり、前
記第1のシフトレジスタ回路から前記信号線を通して伝
送されてきた前記シリアルのヒューズ信号を前記第2の
シフトレジスタ回路に丁度入力し終わったタイミングを
検出する検出手段と、前記タイミングが検出されると、
前記第1のシフトレジスタ回路からの前記シリアルのヒ
ューズ信号の送出を停止する伝送制御手段と、を具備す
る。According to a third aspect of the present invention, the first and second signal conversion circuits are first and second shift register circuits, and the first and second signal conversion circuits are transmitted from the first shift register circuit through the signal lines. Detecting means for detecting the timing when the serial fuse signal has just been input to the second shift register circuit; and
Transmission control means for stopping transmission of the serial fuse signal from the first shift register circuit.
【0018】請求項4の発明の前記伝送制御手段は、前
記第1、第2のシフトレジスタ回路の保存信号をシフト
して前記信号線上に送出させるクロック信号の発生を停
止することにより、前記第1のシフトレジスタ回路から
の前記シリアルのヒューズ信号の送出を停止する。According to a fourth aspect of the present invention, the transmission control means shifts the stored signal of the first and second shift register circuits and stops generating a clock signal to be sent out on the signal line, so that the transmission control means stops the generation of the clock signal. The transmission of the serial fuse signal from the first shift register circuit is stopped.
【0019】請求項5の発明の前記検出手段は、前記第
1のシフトレジスタ回路から前記信号線へ送出されるヒ
ューズ信号に特定信号を付加し、前記信号線を通して前
記第2のシフトレジスタ回路側に送られてきた前記特定
信号を検出することにより、前記シリアルのヒューズ信
号が前記第2のシフトレジスタ回路に丁度入力し終わっ
たタイミングを検出する。According to a fifth aspect of the present invention, the detecting means adds a specific signal to a fuse signal transmitted from the first shift register circuit to the signal line, and supplies the specific signal to the second shift register circuit side through the signal line. , The timing at which the serial fuse signal has just been input to the second shift register circuit is detected.
【0020】請求項6の発明の特徴は、前記ヒューズ回
路群と前記比較回路とを離して配置したことにある。A feature of the invention according to claim 6 is that the fuse circuit group and the comparison circuit are arranged apart from each other.
【0021】請求項7の発明の前記第1、第2の信号変
換回路は、第1、第2のシフトレジスタ回路であり、前
記パラレルのヒューズ信号を前記第1のシフトレジスタ
回路に所定期間だけロードするロード手段と、前記所定
期間以降、前記第1のシフトレジスタ回路の保存信号を
シフトして前記信号線上に送出させるクロックを発生す
るクロック発生手段と、を具備する。According to a seventh aspect of the present invention, the first and second signal conversion circuits are first and second shift register circuits, and apply the parallel fuse signal to the first shift register circuit for a predetermined period. Load means for loading, and clock generating means for generating a clock for shifting a save signal of the first shift register circuit after the predetermined period and transmitting the signal on the signal line.
【0022】請求項8の発明の前記所定の期間は電源投
入時直後の一定の期間であることにある。The predetermined period of the invention according to claim 8 is that the predetermined period is a predetermined period immediately after power-on.
【0023】請求項9の発明の特徴は、請求項1乃至8
いずれかに記載のリダンダンシ回路を搭載し、このリダ
ンダンシ回路によって特定の入力アドレス信号に対して
はスペアのメモリセルをアクセスさせる機能を有するこ
とにある。The feature of the ninth aspect of the present invention is that
A redundancy circuit according to any one of the above embodiments is mounted, and the redundancy circuit has a function of accessing a spare memory cell for a specific input address signal.
【0024】[0024]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。図1は、本発明のリダンダンシ回
路の一実施の形態を示したブロック図である。リダンダ
ンシ回路は、入力アドレス信号50とヒューズ回路部1
2から入力されるヒューズ信号X1、X2、…Xnを比
較して、スペアのメモリセルへのアクセスを指示するヒ
ット信号を発生するコンパレータ回路11と、アドレス
信号対応でスペアのメモリセルへのアクセスの有無をプ
ログラムしたヒューズ回路部12、ヒューズ回路部12
のパラレルのヒューズ信号X1、X2、…Xnをシリア
ル信号に変換するシフトレジスタ回路13、シフトレジ
スタ回路13から送られてきたシリアル信号を元のパラ
レルのヒューズ信号X1、X2、…Xnに戻すシフトレ
ジスタ回路14、シフトレジスタ回路13の動作クロッ
クを発生するクロック発生回路15及びシフトレジスタ
回路13とシフトレジスタ回路14を接続する1本のデ
ータ信号線16と、1本のクロック信号線17から成っ
ている。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of the redundancy circuit of the present invention. The redundancy circuit includes an input address signal 50 and a fuse circuit 1.
, Xn input from the comparator circuit 2 to generate a hit signal instructing access to the spare memory cell, and a comparator circuit 11 for accessing the spare memory cell corresponding to the address signal. Fuse circuit section 12 programmed for presence / absence, fuse circuit section 12
, Xn into a serial signal, and a shift register for returning the serial signal sent from the shift register circuit 13 to the original parallel fuse signals X1, X2,. The circuit 14 includes a clock generation circuit 15 for generating an operation clock of the shift register circuit 13, one data signal line 16 connecting the shift register circuit 13 and the shift register circuit 14, and one clock signal line 17. .
【0025】図2は図1に示したリダンダンシ回路のレ
イアウト例を示したブロック図である。コンパレータ回
路11及びシフトレジスタ回路14は配線領域62に隣
接した小ブロック61上に配置されている。一方、ヒュ
ーズ回路部12、シフトレジスタ回路13及びクロック
発生回路15はコンパレータ回路11及びシフトレジス
タ回路14から離れた別の場所に配置されている。FIG. 2 is a block diagram showing a layout example of the redundancy circuit shown in FIG. The comparator circuit 11 and the shift register circuit 14 are arranged on the small block 61 adjacent to the wiring area 62. On the other hand, the fuse circuit section 12, the shift register circuit 13, and the clock generation circuit 15 are arranged at different places away from the comparator circuit 11 and the shift register circuit 14.
【0026】図3は図1に示したリダンダンシ回路のシ
フトレジスタ回路13、14及びその周辺回路の詳細構
成例をブロック図である。シフトレジスタ回路13はセ
ットラッチ18を介して、シフトレジスタ回路14にデ
ータ信号線16で接続されている。シフトレジスタ回路
14はリセットラッチ19、インバータ20を介して、
クロック発生回路15に制御信号線23で接続されてい
る。クロック発生回路15はパルス生成回路21から発
生されたパルスAをトリガとしてクロックCKを発生す
る。パルス生成回路21は遅延回路22により遅延され
たパワーオンリセット信号101の入力により1パルス
Aをクロック発生回路15に出力する。又、このパワー
オンリセット信号100は直接クロック発生回路15に
入力されている。FIG. 3 is a block diagram showing a detailed configuration example of the shift register circuits 13 and 14 of the redundancy circuit shown in FIG. 1 and its peripheral circuits. The shift register circuit 13 is connected to the shift register circuit 14 via a set latch 18 via a data signal line 16. The shift register circuit 14 is connected via a reset latch 19 and an inverter 20 to
The control signal line 23 is connected to the clock generation circuit 15. The clock generation circuit 15 generates a clock CK using the pulse A generated from the pulse generation circuit 21 as a trigger. The pulse generation circuit 21 outputs one pulse A to the clock generation circuit 15 in response to the input of the power-on reset signal 101 delayed by the delay circuit 22. The power-on reset signal 100 is directly input to the clock generation circuit 15.
【0027】次に本実施の形態の動作について説明す
る。電源投入時、図6(A)に示すようにパワーオンリ
セット信号100が発生し、これが図3のクロック発生
回路15に直接入力されると共に、図6(B)に示すよ
うに遅延回路22により遅延されて遅延パワーオンリセ
ット信号101となり、これがパルス生成回路21に入
力される。Next, the operation of this embodiment will be described. When the power is turned on, a power-on reset signal 100 is generated as shown in FIG. 6 (A), which is directly input to the clock generation circuit 15 of FIG. 3, and by the delay circuit 22 as shown in FIG. 6 (B). The signal is delayed and becomes a delayed power-on reset signal 101, which is input to the pulse generation circuit 21.
【0028】図4はクロック発生回路15の詳細構成例
を示した回路図である。上記したパワーオンリセット信
号100はトランジスタ24のゲートに入力されると共
に、RSラッチ回路25のリセット端子Rに入力され
る。これにより、トランジスタ24がオンして、クロッ
ク発生回路15の出力端子を接地し、又、RSラッチ回
路25がリセットされ、このリセット期間中に、ヒュー
ズセット信号(ローアクティブ)200が発生されて、
シフトレジスタ回路13に出力される。FIG. 4 is a circuit diagram showing a detailed configuration example of the clock generation circuit 15. The above-described power-on reset signal 100 is input to the gate of the transistor 24 and also to the reset terminal R of the RS latch circuit 25. As a result, the transistor 24 is turned on, the output terminal of the clock generation circuit 15 is grounded, the RS latch circuit 25 is reset, and a fuse set signal (low active) 200 is generated during this reset period.
It is output to the shift register circuit 13.
【0029】図5はシフトレジスタ回路13の詳細構成
例を示した回路図である。インバータ51とスイッチド
インバータ52により1ビット分のレジスタが構成さ
れ、このレジスタの入力部にはパストラ53が接続され
ている。FIG. 5 is a circuit diagram showing a detailed configuration example of the shift register circuit 13. As shown in FIG. The inverter 51 and the switched inverter 52 constitute a 1-bit register, and a paster 53 is connected to an input portion of the register.
【0030】このパストラ53にヒューズセット信号2
00が入力されている間のみ、このパストラ53は導通
して、ヒューズ回路121からのヒューズ信号がレジス
タに入力されて保持され、その後、リセット期間が過ぎ
ると、前記ヒューズセット信号200がハイレベルとな
ってパストラ53が遮断するため、これ以降、シフトレ
ジスタ回路13に、ヒューズ回路121のヒューズ信号
が入力されることはない。A fuse set signal 2 is applied to the paster 53.
Only when the signal 00 is input, the paster 53 conducts, the fuse signal from the fuse circuit 121 is input to the register and held, and thereafter, after a reset period, the fuse set signal 200 becomes high level. As a result, since the paster 53 is cut off, the fuse signal of the fuse circuit 121 is not input to the shift register circuit 13 thereafter.
【0031】即ち、ヒューズセット信号200が出力さ
れている期間のみ、シフトレジスタ回路13はヒューズ
回路部12のパラレルヒューズ信号をロードする。That is, the shift register circuit 13 loads the parallel fuse signal of the fuse circuit section 12 only while the fuse set signal 200 is being output.
【0032】又、パワーオンリセット信号100が入力
されて前記RSラッチ回路25がリセットされている期
間は、図6(B)に示すように、パワーオンリセット信
号100が遅延されて、パルス生成回路21に入力され
ないため、パルス生成回路21からパルスAは発生され
ておらず、しかも、RSラッチ回路25がリセットされ
ているため、RSラッチ回路25の出力はローレベルで
ナンド回路26が遮断されている。During the period when the power-on reset signal 100 is input and the RS latch circuit 25 is reset, as shown in FIG. 6B, the power-on reset signal 100 is delayed and the pulse generation circuit is reset. The pulse A is not generated from the pulse generation circuit 21, and the pulse A is not generated from the pulse generation circuit 21. Further, since the RS latch circuit 25 is reset, the output of the RS latch circuit 25 is at low level and the NAND circuit 26 is cut off. I have.
【0033】これにより、クロック発生回路15からク
ロックCKが発生されることはなく、シフトレジスタ回
路13に出力されることもない。又、上記したようにク
ロック発生回路15の出力端子がトランジスタ24を介
して接地されるため、クロック信号もどきのノイズがシ
フトレジスタ回路13に出力されることもない。Thus, the clock CK is not generated from the clock generation circuit 15 and is not output to the shift register circuit 13. Further, since the output terminal of the clock generation circuit 15 is grounded via the transistor 24 as described above, noise such as a clock signal is not output to the shift register circuit 13.
【0034】その後、図6(A)に示すようにパワーオ
ンリセット信号100がなくなると、図6(B)に示す
ように遅延パワーオンリセット信号101がパルス生成
回路21に入力されて、パルス生成回路21からパルス
AがRSラッチ回路25のセット端子Sに入力され、R
Sラッチ回路25をセットし、その出力をハイレベルと
するため、ナンド回路26が導通し、クロックCKの発
生が開始される。発生されたクロックCKはシフトレジ
スタ回路13に出力される。After that, when the power-on reset signal 100 disappears as shown in FIG. 6A, the delayed power-on reset signal 101 is inputted to the pulse generation circuit 21 as shown in FIG. The pulse A is input from the circuit 21 to the set terminal S of the RS latch circuit 25, and R
In order to set the S latch circuit 25 and set its output to the high level, the NAND circuit 26 is turned on and the generation of the clock CK is started. The generated clock CK is output to the shift register circuit 13.
【0035】これにより、シフトレジスタ回路13は既
に保存されているnビットのヒューズ信号を順番にシフ
トして、1個ずつセットラッチ18を介してデータ線上
16に送り出す。Thus, the shift register circuit 13 sequentially shifts the stored n-bit fuse signals one by one and sends them out to the data lines 16 via the set latches 18 one by one.
【0036】ここで、セットラッチ18には、“1”が
予め設定されているため、前記シフトレジスタ回路13
から順番に出力されるnビットのヒューズ信号の先頭は
“1”となる。このnビットのヒューズ信号はデータ線
16を通してシフトレジスタ回路14に順番に入力さ
れ、シフトレジスタ回路14にnビットのヒューズ信号
が丁度入力された時、先頭の“1”はリセットラッチ1
9にラッチされ、このリセットラッチ19の出力を
“1”とする。但し、電源投入時、リセットラッチ19
は“0”となっており、インバータ20から“1”の信
号が発生されている。この“1”の信号はクロック発生
回路15のナンド回路26に入力されて、このナンド回
路26を導通可能状態としている。Since "1" is set in the set latch 18 in advance, the shift register circuit 13
The head of the n-bit fuse signal output in order from "1" is "1". The n-bit fuse signal is sequentially input to the shift register circuit 14 through the data line 16. When the n-bit fuse signal is input to the shift register circuit 14, the leading “1” becomes the reset latch 1.
9, the output of the reset latch 19 is set to "1". However, when the power is turned on, the reset latch 19
Is "0", and a signal of "1" is generated from the inverter 20. The signal of "1" is input to the NAND circuit 26 of the clock generation circuit 15 to make the NAND circuit 26 conductive.
【0037】上記したリセットラッチ19の出力が
“1”となると、インバータ20から“0”のクロック
ストップ信号が発生され、クロック発生回路15のナン
ドゲート26に入力される。このため、ナンドゲート2
6は遮断し、クロックCKの発生が停止され、シフトレ
ジスタ回路13からのヒューズ信号の送出が停止され
る。この時、シフトレジスタ回路14にはnビットのヒ
ューズ信号が保存されており、これらnビットのヒュー
ズ信号が、パラレル信号となってコンパレータ回路11
に入力される。When the output of the reset latch 19 becomes "1", a clock stop signal of "0" is generated from the inverter 20 and input to the NAND gate 26 of the clock generation circuit 15. Therefore, NAND gate 2
6 is cut off, the generation of the clock CK is stopped, and the transmission of the fuse signal from the shift register circuit 13 is stopped. At this time, an n-bit fuse signal is stored in the shift register circuit 14, and the n-bit fuse signal is converted into a parallel signal to become a comparator signal.
Is input to
【0038】以降、コンパレータ回路11は、入力アド
レス信号とヒューズ信号とを比較し、ヒューズ信号が前
記アドレス信号のアクセス先のメモリセルが欠陥アドレ
スであることを示していると、ヒット信号60を出力し
て、前記入力アドレス信号でスペアメモリセルをアクセ
スするようにする。Thereafter, the comparator circuit 11 compares the input address signal with the fuse signal, and outputs a hit signal 60 if the fuse signal indicates that the memory cell to which the address signal is accessed is a defective address. Then, the spare memory cell is accessed by the input address signal.
【0039】本実施の形態によれば、コンパレータ回路
11に対してヒューズ回路部12を離して配置し、しか
も、ヒューズ回路部12からのパラレルのヒューズ信号
をシリアル信号に変換してコンパレータ回路11へ送る
ことにより、コンパレータ回路11とヒューズ回路部1
2間に接続された1本のデータ信号線16及び1本のク
ロック信号線17でヒューズ信号を送くることができ
る。According to the present embodiment, the fuse circuit section 12 is arranged apart from the comparator circuit 11, and the parallel fuse signal from the fuse circuit section 12 is converted into a serial signal to the comparator circuit 11. By sending, the comparator circuit 11 and the fuse circuit unit 1
A fuse signal can be sent by one data signal line 16 and one clock signal line 17 connected between the two.
【0040】これにより、コンパレータ回路11の小ブ
ロック61に隣接する配線領域62が減少したり、或い
は無駄な領域が生じることがなくなる。しかも、ヒュー
ズ信号を送るための信号線16、17が占める配線領域
は僅かなため、配線領域の増大無しに、コンパレータ回
路11に対してヒューズ回路部12を離して配置するこ
とができる。As a result, the wiring area 62 adjacent to the small block 61 of the comparator circuit 11 is prevented from being reduced or an unnecessary area is not generated. Moreover, since the wiring area occupied by the signal lines 16 and 17 for transmitting the fuse signal is small, the fuse circuit section 12 can be arranged away from the comparator circuit 11 without increasing the wiring area.
【0041】又、シフトレジスタ回路13、14が増え
た分、回路面積増は避けられないが、これらシフトレジ
スタ回路13、14の入出力信号線16、17はチップ
本体のスピードには影響を与えないパスなので、回路自
体大きな駆動力を必要とせず、小規模な回路で設計で
き、僅かな面積増で済ますことができる。Although the increase in the shift register circuits 13 and 14 inevitably increases the circuit area, the input / output signal lines 16 and 17 of these shift register circuits 13 and 14 affect the speed of the chip body. Since there is no path, the circuit itself does not require a large driving force, can be designed with a small circuit, and requires only a small area increase.
【0042】従って、コンパレータ回路11とヒューズ
回路部12とを離して配置しても、データ信号線16、
クロック信号線17などの配線領域は僅かで済ますこと
ができると共に、引き回す信号線の数が少ないため、ヒ
ューズ回路部12を容易に離して配置することができ、
半導体装置全体のレイアウトの自由度を向上させること
ができる。Therefore, even if the comparator circuit 11 and the fuse circuit section 12 are arranged apart from each other, the data signal lines 16 and
The wiring area for the clock signal line 17 and the like can be small, and the number of signal lines to be routed is small, so that the fuse circuit section 12 can be easily separated.
The degree of freedom in the layout of the entire semiconductor device can be improved.
【0043】更に、自動配線CADでは、配線アルゴリ
ズムによる配線領域の制約による配線領域の大幅減少が
従来問題となっていたが、本例のようにヒューズ回路部
12を離して配置することにより、配線領域62の配線
自由度の妨害を回避することができるため、理想的な配
線領域を容易に確保することができる。Further, in the automatic wiring CAD, the wiring area is largely reduced due to the restriction of the wiring area by the wiring algorithm. However, as shown in this example, the wiring is reduced by disposing the fuse circuit section 12 apart. Since the hindrance of the degree of freedom of wiring in the region 62 can be avoided, an ideal wiring region can be easily secured.
【0044】[0044]
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、配線領域をほとんど増加させることなく、コンパ
レータ回路に対してヒューズ回路を離して配置すること
ができる。これにより、スタンダードセル方式のような
小ブロックアレイ上にコンパレータ回路を配置した場
合、前記小ブロックアレイからヒューズ回路を離して配
置でき、小ブロックアレイに隣接する配線領域の減少や
無駄な領域の発生をなくして、理想的な配線領域を容易
に確保することができる。As described above in detail, according to the present invention, the fuse circuit can be arranged apart from the comparator circuit without increasing the wiring area. Accordingly, when the comparator circuit is arranged on the small block array as in the standard cell system, the fuse circuit can be arranged apart from the small block array, and the wiring area adjacent to the small block array can be reduced and unnecessary area can be generated. And an ideal wiring area can be easily secured.
【図1】本発明のリダンダンシ回路の一実施の形態を示
したブロック図である。FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of a redundancy circuit of the present invention.
【図2】図1に示したリダンダンシ回路の具体的な配置
例を示したブロック図である。FIG. 2 is a block diagram showing a specific arrangement example of the redundancy circuit shown in FIG. 1;
【図3】図1に示したリダンダンシ回路のシフトレジス
タ回路及びその周辺回路の詳細構成例をブロック図であ
る。FIG. 3 is a block diagram showing a detailed configuration example of a shift register circuit and its peripheral circuits of the redundancy circuit shown in FIG. 1;
【図4】図3に示したクロック発生回路の詳細回路構成
例を示した回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram showing a detailed circuit configuration example of the clock generation circuit shown in FIG. 3;
【図5】図3に示したシフトレジスタ回路13の詳細構
成例を示した回路図である。FIG. 5 is a circuit diagram showing a detailed configuration example of a shift register circuit 13 shown in FIG. 3;
【図6】図3に示したシフトレジスタ回路の起動及び動
作を説明するタイミングチャートである。FIG. 6 is a timing chart illustrating activation and operation of the shift register circuit illustrated in FIG. 3;
【図7】従来のリダンダンシ回路の概略構成例を示した
ブロック図である。FIG. 7 is a block diagram showing a schematic configuration example of a conventional redundancy circuit.
【図8】図7に示したリダンダンシ回路の詳細構成例を
示したブロック図である。FIG. 8 is a block diagram showing a detailed configuration example of the redundancy circuit shown in FIG. 7;
【図9】図8に示したコンパレータ回路の具体例を示し
た回路図である。FIG. 9 is a circuit diagram showing a specific example of the comparator circuit shown in FIG.
【図10】図8に示したヒューズ回路部を構成するヒュ
ーズ回路の具体例を示した回路図である。FIG. 10 is a circuit diagram showing a specific example of a fuse circuit constituting the fuse circuit unit shown in FIG.
【図11】スタンダードセル方式のような小ブロックを
アレイ状に配置した際のレイアウト例を示した概略図で
ある。FIG. 11 is a schematic diagram showing a layout example when small blocks are arranged in an array as in the standard cell system.
【図12】図11に示した小ブロックの構成例を示した
図である。FIG. 12 is a diagram illustrating a configuration example of a small block illustrated in FIG. 11;
【図13】ヒューズ回路を小ブロック化した場合の構成
例を示した図である。FIG. 13 is a diagram showing a configuration example when a fuse circuit is made into small blocks.
【図14】小ブロック化したヒューズ回路の配置と配線
領域との関係を示した図である。FIG. 14 is a diagram showing the relationship between the arrangement of the fuse circuits in small blocks and the wiring area.
【図15】小ブロック化したヒューズ回路を配置した場
合の自動配線アルゴリズムによる配線領域の減少を示し
た図である。FIG. 15 is a diagram showing a reduction in a wiring area by an automatic wiring algorithm when a fuse circuit divided into small blocks is arranged.
11 コンパレータ回路 12 ヒューズ回路部 13、14 シフトレジスタ回路 15 クロック発生回路 16 データ信号線 17 クロック信号線 18 セットラッチ 19 リセットラッチ 20、51 インバータ 21 パルス生成回路 22 遅延回路 23 制御信号線 24 トランジスタ 25 RSラッチ回路 26 ナンド回路 52 スイッチドインバータ 53 パストラ 121 ヒューズ回路 122 ヒューズ DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Comparator circuit 12 Fuse circuit part 13, 14 Shift register circuit 15 Clock generation circuit 16 Data signal line 17 Clock signal line 18 Set latch 19 Reset latch 20, 51 Inverter 21 Pulse generation circuit 22 Delay circuit 23 Control signal line 24 Transistor 25 RS Latch circuit 26 NAND circuit 52 Switched inverter 53 Pastora 121 Fuse circuit 122 Fuse
フロントページの続き Fターム(参考) 5F064 AA04 DD04 DD24 DD26 EE15 FF02 FF27 FF36 HH03 5F083 GA09 LA10 LA11 ZA10 5L106 CC04 GG06 Continued on the front page F term (reference) 5F064 AA04 DD04 DD24 DD26 EE15 FF02 FF27 FF36 HH03 5F083 GA09 LA10 LA11 ZA10 5L106 CC04 GG06
Claims (9)
のアクセスの有無を知らせるパラレルのヒューズ信号を
発生するヒューズ回路群と、 入力アドレス信号とヒューズ信号とを比較して、前記ス
ペアのメモリセルへのアクセスを指示するヒット信号を
発生する比較回路とを有し、 特定のアドレス信号に対しては前記スペアのメモリセル
を使用させるリダンダンシ回路において、 前記パラレルのヒューズ信号をシリアルのヒューズ信号
に変換して前記比較回路に伝送する伝送手段を具備する
ことを特徴とするリダンダンシ回路。1. A fuse circuit group for generating a parallel fuse signal for notifying the presence or absence of access to a spare memory cell for each address signal, and an input address signal and a fuse signal are compared with each other. And a comparison circuit for generating a hit signal instructing access to the memory. In a redundancy circuit for using the spare memory cell for a specific address signal, the parallel fuse signal is converted into a serial fuse signal. A transmission circuit for transmitting the data to the comparison circuit.
のアクセスの有無を知らせるパラレルのヒューズ信号を
発生するヒューズ回路群と、 入力アドレス信号とヒューズ信号とを比較して、スペア
のメモリセルへのアクセスを指示するヒット信号を発生
する比較回路とを有し、 特定の入力アドレス信号に対しては前記スペアのメモリ
セルを使用させるリダンダンシ回路において、 前記パラレルのヒューズ信号をシリアルのヒューズ信号
に変換する第1の信号変換手段と、 前記シリアルのヒューズ信号をパラレルのヒューズ信号
に変換する第2の信号変換手段と、 前記第1の信号変換手段により得られたシリアルのヒュ
ーズ信号を前記第2の信号変換手段へ伝送する信号線
と、 を具備することを特徴とするリダンダンシ回路。2. A fuse circuit group for generating a parallel fuse signal for notifying the presence / absence of access to a spare memory cell for each address signal, and an input address signal and a fuse signal are compared. A redundancy circuit for generating a hit signal for instructing access, wherein the redundancy circuit uses the spare memory cell for a specific input address signal, and converts the parallel fuse signal into a serial fuse signal. A first signal converter, a second signal converter for converting the serial fuse signal into a parallel fuse signal, and a second signal converter for converting the serial fuse signal obtained by the first signal converter into the second signal. And a signal line for transmitting to the conversion means.
1、第2のシフトレジスタ回路であり、 前記第1のシフトレジスタ回路から前記信号線を通して
伝送されてきた前記シリアルのヒューズ信号を前記第2
のシフトレジスタ回路に丁度入力し終わったタイミング
を検出する検出手段と、 前記タイミングが検出されると、前記第1のシフトレジ
スタ回路からの前記シリアルのヒューズ信号の送出を停
止する伝送制御手段と、 を具備することを特徴とする請求項2に記載のリダンダ
ンシ回路。3. The first and second signal conversion circuits are first and second shift register circuits, and the serial fuse signal transmitted from the first shift register circuit through the signal line. The second
Detection means for detecting the timing just input to the shift register circuit, and transmission control means for stopping transmission of the serial fuse signal from the first shift register circuit when the timing is detected, 3. The redundancy circuit according to claim 2, comprising:
レジスタ回路の保存信号をシフトして前記信号線上に送
出させるクロック信号の発生を停止することにより、前
記第1のシフトレジスタ回路からの前記シリアルのヒュ
ーズ信号の送出を停止することを特徴とする請求項3記
載のリダンダンシ回路。4. The transmission control means according to claim 1, wherein said transmission control means shifts a signal stored in said first shift register circuit and stops generating a clock signal to be sent out on said signal line, whereby said first shift register circuit outputs said signal. 4. The redundancy circuit according to claim 3, wherein the transmission of the serial fuse signal is stopped.
スタ回路から前記信号線へ送出されるヒューズ信号に特
定信号を付加し、前記信号線を通して前記第2のシフト
レジスタ回路側に送られてきた前記特定信号を検出する
ことにより、前記シリアルのヒューズ信号が前記第2の
シフトレジスタ回路に丁度入力し終わったタイミングを
検出することを特徴とする請求項3記載のリダンダンシ
回路。5. The detection means adds a specific signal to a fuse signal sent from the first shift register circuit to the signal line, and is sent to the second shift register circuit side through the signal line. 4. The redundancy circuit according to claim 3, wherein a timing at which the serial fuse signal has just been input to the second shift register circuit is detected by detecting the specific signal.
離して配置したことを特徴とする請求項1又は2記載の
リダンダンシ回路。6. The redundancy circuit according to claim 1, wherein the fuse circuit group and the comparison circuit are separated from each other.
1、第2のシフトレジスタ回路であり、 前記パラレルのヒューズ信号を前記第1のシフトレジス
タ回路に所定期間だけロードするロード手段と、 前記所定期間以降、前記第1のシフトレジスタ回路の保
存信号をシフトして前記信号線上に送出させるクロック
を発生するクロック発生手段と、 を具備することを特徴とする請求項2又は3記載のリダ
ンダンシ回路。7. The load means for loading the parallel fuse signal into the first shift register circuit for a predetermined period, wherein the first and second signal conversion circuits are first and second shift register circuits. 4. A clock generating means for generating a clock for shifting a signal stored in the first shift register circuit and transmitting the signal on the signal line after the predetermined period. Redundancy circuit.
の期間であることを特徴とする請求項7記載のリダンダ
ンシ回路。8. The redundancy circuit according to claim 7, wherein said predetermined period is a certain period immediately after power-on.
ダンシ回路を搭載し、このリダンダンシ回路によって特
定の入力アドレス信号に対してはスペアのメモリセルを
アクセスさせる機能を有することを特徴とする半導体装
置。9. A semiconductor device comprising the redundancy circuit according to claim 1, wherein the redundancy circuit has a function of accessing a spare memory cell with respect to a specific input address signal. apparatus.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10353448A JP2000182394A (en) | 1998-12-11 | 1998-12-11 | Redundancy circuit and semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP10353448A JP2000182394A (en) | 1998-12-11 | 1998-12-11 | Redundancy circuit and semiconductor device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000182394A true JP2000182394A (en) | 2000-06-30 |
Family
ID=18430926
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Country | Link |
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JP (1) | JP2000182394A (en) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002109899A (en) * | 2000-07-26 | 2002-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor storage device and semiconductor integrated circuit device equipped with the same |
JP2004055081A (en) * | 2002-07-23 | 2004-02-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Nonvolatile semiconductor memory device |
US6937533B2 (en) | 2003-12-08 | 2005-08-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor integrated circuit provided with semiconductor memory circuit having redundancy function and method for transferring address data |
US7184353B2 (en) | 2004-11-30 | 2007-02-27 | Elpida Memory, Inc. | Semiconductor device |
JP2007179697A (en) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Toshiba Corp | Semiconductor integrated circuit and its inspection method |
US7254069B2 (en) | 2002-07-30 | 2007-08-07 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor memory device storing redundant replacement information with small occupation area |
JP2007242069A (en) * | 2006-03-03 | 2007-09-20 | Sony Corp | Circuit and method for transferring serial data |
JP2007250127A (en) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
JP2009500780A (en) * | 2005-06-29 | 2009-01-08 | マイクロン テクノロジー, インク. | Repair device and repair method for semiconductor memory |
-
1998
- 1998-12-11 JP JP10353448A patent/JP2000182394A/en active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002109899A (en) * | 2000-07-26 | 2002-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor storage device and semiconductor integrated circuit device equipped with the same |
JP2004055081A (en) * | 2002-07-23 | 2004-02-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Nonvolatile semiconductor memory device |
US7254069B2 (en) | 2002-07-30 | 2007-08-07 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor memory device storing redundant replacement information with small occupation area |
US7433251B2 (en) | 2002-07-30 | 2008-10-07 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor memory device storing redundant replacement information with small occupation area |
US6937533B2 (en) | 2003-12-08 | 2005-08-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor integrated circuit provided with semiconductor memory circuit having redundancy function and method for transferring address data |
US7184353B2 (en) | 2004-11-30 | 2007-02-27 | Elpida Memory, Inc. | Semiconductor device |
JP2009500780A (en) * | 2005-06-29 | 2009-01-08 | マイクロン テクノロジー, インク. | Repair device and repair method for semiconductor memory |
KR101317034B1 (en) * | 2005-06-29 | 2013-10-11 | 마이크론 테크놀로지, 인크. | Apparatus and method for repairing a semiconductor memory |
JP2007179697A (en) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Toshiba Corp | Semiconductor integrated circuit and its inspection method |
JP2007242069A (en) * | 2006-03-03 | 2007-09-20 | Sony Corp | Circuit and method for transferring serial data |
JP2007250127A (en) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
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