JP2000012478A - 基板熱処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 昇温中の基板に処理ガスが触れて熱衝撃によ
り基板に欠陥が発生するのを助長したり昇温後の基板に
処理ガスが触れて基板面内における温度分布が悪くなり
均一な熱処理を行えなくなることを防止できる装置を提
供する。 【解決手段】 熱処理炉１０内へ処理ガスを供給するガ
ス供給路１６に誘導加熱ガスヒータ２８を介在して設け
た。誘導加熱ガスヒータ２８は、非磁性体材料で形成さ
れた密閉構造を有する容器３０の外面にコイル３２を巻
装し、容器３０の内部に導電性材料で形成された発熱体
３２を配設して構成した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、例えばランプア
ニール装置やＣＶＤ装置などのように、熱処理炉内に基
板を収容し、熱処理炉内へ処理ガスを供給し、熱処理炉
内の基板を光照射等によって加熱することにより、基板
に対しアニール、酸窒化、成膜などの熱処理を施す基板
熱処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】この種の基板熱処理装置、例えばランプ
アニール装置においては、石英ガラス等によって扁平状
に形成された熱処理炉内へ開口を通して基板を１枚ずつ
搬入し、開口を閉塞した後、ガス供給ユニットから酸
素、窒素、アルゴン、アンモニア、一酸化窒素などの活
性または不活性なガスを熱処理炉内へ供給し、熱処理炉
内に収容された基板を光照射により加熱して、基板を熱
処理するようにしている。従来のランプアニール装置の
概略構成の１例を図７に示す。

【０００３】熱処理炉１０は、石英ガラス等によって扁
平状に形成され、図示を省略したが、基板Ｗの搬出入用
の開口を有しており、その開口を閉塞することにより密
閉することが可能である。また、熱処理炉１０には、ガ
ス供給口１２およびガス排出口１４が形成されており、
ガス供給口１２に、図示しないガス供給ユニットに接続
されたガス供給路１６が連通し、ガス供給路１６には、
マスフローコントローラ（ＭＦＣ）１８および電磁開閉
弁２０が介在して設けられている。基板Ｗは、１枚ずつ
サセプタ２２によって複数点、例えば４点で支持され、
熱処理炉１０内へ搬入され熱処理中は水平姿勢に保持さ
れ熱処理炉１０内から搬出される。熱処理炉１０の外側
には、熱処理炉１０の上壁面に近接して複数本の基板加
熱用のランプヒータ２４が列設されており、ランプヒー
タ２４の背面側（上方側）には水冷反射板２６が配設さ
れている。

【０００４】また、図８に示すように、熱処理炉１の一
部にガス流路２を形成し、そのガス流路２の一端をガス
供給口３としてガス供給路１６に連通させ、ガス流路２
の他端をガス吹出し口４として熱処理炉１の内部にその
一端側で開口させ、熱処理炉１の他端側（ガス供給口３
が形成された側）にガス排出口５を設けたランプアニー
ル装置もある。このような構成の装置では、ガス供給ユ
ニットからガス供給路１６を通して熱処理炉１へ供給さ
れた処理ガスは、ガス流路２内を流れる間にランプヒー
タ２４からの輻射伝熱および基板Ｗの処理空間からの対
流伝熱によって加熱され、ある程度予熱された状態で基
板Ｗの表面へ供給されることになる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】図７に示したような従
来のランプアニール装置では、熱処理炉１０内に収容さ
れた基板Ｗがランプヒータ２４により加熱されて基板Ｗ
の温度が上昇中に、熱処理炉１０内へ低温の処理ガスが
供給されることになる。そして、昇温中の基板Ｗに低温
ガスが触れることになり、この結果、基板Ｗに熱衝撃が
加わり、最悪の場合には、スリップ（薄膜の結晶欠陥）
等の欠陥の発生を助長することになる。また、昇温後の
基板Ｗについてみても、低温の処理ガスによって基板Ｗ
が冷却され、このとき、ガス供給口１２に近い部分ほど
冷却されて温度が下がるため、基板Ｗの面内における温
度分布が悪くなって均一な熱処理を行うことができなく
なる、といった問題点があった。

【０００６】また、図８に示したような構成のランプア
ニール装置では、熱処理炉１へ供給された処理ガスは、
ガス流路２内を流れる間に加熱されて、ある程度予熱さ
れた状態で基板Ｗの表面に供給されることになるため、
図７に示した装置に比べると、処理ガスが基板Ｗに与え
る影響は少なくなる。しかしながら、処理ガスは、ラン
プヒータ２４からの輻射伝熱によっては余り温度が上昇
せず、また、基板Ｗの処理空間からの対流伝熱によって
も、伝熱面積がそれほどとれないために昇温が不十分と
なる。この結果、低温の処理ガスによって昇温後の基板
Ｗが冷却され、基板Ｗの面内における温度分布が悪くな
って均一な熱処理を行うことができない、といった問題
点は依然として残ることになる。

【０００７】この発明は、以上のような事情に鑑みてな
されたものであり、昇温中の基板に処理ガスが触れるこ
とによって基板に欠陥が発生するのを助長したり、昇温
後の基板に処理ガスが触れることによって基板面内にお
ける温度分布が悪くなって均一な熱処理を行うことがで
きなくなる、といったことを防止することができる基板
熱処理装置を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
ガス供給路を通して熱処理炉内へ処理ガスを供給し、熱
処理炉内に収容された基板を加熱手段により加熱して、
基板を熱処理する基板熱処理装置において、前記ガス供
給路に介在された誘導加熱ガスヒータを備え、前記誘導
加熱ガスヒータは、少なくとも一部が非磁性体材料によ
って形成され、ガス導入口およびガス流出口を有する密
閉構造である容器と、前記容器の外面の非磁性材料によ
って形成された部分に巻装されたコイルと、前記容器の
内部において前記コイルが巻装された部分に対応する位
置に設けられ、導電性材料によって形成された発熱体と
を備えたことを特徴とする。

【０００９】請求項２に係る発明は、請求項１記載の基
板熱処理装置において、誘導加熱ガスヒータのコイルを
冷却する冷却手段を付設したことを特徴とする。

【００１０】請求項３に係る発明は、請求項１または請
求項２記載の基板熱処理装置において、熱処理炉内にお
けるガス吹き出し口が前記熱処理炉内に収容された基板
の中心部に対向するように配置された第１ガス供給管
と、前記熱処理炉内におけるガス吹き出し口が前記熱処
理炉内に収容された基板の周辺部に対向するように配置
された第２ガス供給管とを備え、前記第１ガス供給管と
前記第２ガス供給管のそれぞれには、前記誘導加熱ガス
ヒータを介在したガス供給路が接続されており、前記熱
処理炉内に収容された基板の中心部および周辺部へ異な
る温度の処理ガスが供給されることを特徴とする。

【００１１】請求項１に係る発明の基板熱処理装置にお
いては、ガス供給路を通して熱処理炉内へ供給される処
理ガスが、ガス供給路に介在して設けられた誘導加熱ガ
スヒータを通過する間に加熱され、十分に加熱された状
態で熱処理炉内へ供給される。このため、昇温中の基板
に処理ガスが触れても、基板に対して熱衝撃が加わる心
配が無い。また、昇温後の基板に処理ガスが触れても、
基板が冷却されることはないので、基板面内における温
度分布が悪くなる心配も無い。そして、誘導加熱ガスヒ
ータにおいては、容器の外面に巻装されたコイルに高周
波電流が流されると、磁束が発生し、磁界内にある容器
内部の発熱体に渦電流が生じ、発熱体を形成している導
電性材料の固有抵抗によるジュール熱が発生して、発熱
体が発熱する。したがって、ガス導入口を通って容器内
へ流入した処理ガスは、容器内を通過する際に発熱体に
よって直接的に加熱され、この加熱により十分に昇温し
た状態でガス流出口を通って容器内から流出し、熱処理
炉内へ供給されることとなる。

【００１２】請求項２に係る発明の基板熱処理装置で
は、誘導加熱ガスヒータのコイルに高周波電流が流され
ることによりコイルが発熱しても、冷却手段によってコ
イルが冷却されることにより、コイルの温度が上昇する
ことが防止される。

【００１３】請求項３に係る発明の基板熱処理装置で
は、第１ガス供給管を通って供給された処理ガスが、ガ
ス吹出し口から基板の中心部に向けて流出するととも
に、第２ガス供給管を通って供給された処理ガスが、ガ
ス吹出し口から基板の周辺部に向けて流出する。ここ
で、熱処理炉内に収容されて加熱手段によって加熱され
ている基板は、通常、基板の中心部の温度が基板の周辺
部の温度に比べて高くなっている。この装置では、第１
ガス供給管と第２ガス供給管とは、別々の誘導加熱ガス
ヒータが介在されたガス供給管に接続しており、それぞ
れのガス供給管内を通って供給される処理ガスの温度を
変えることにより、すなわち、基板の中心部に向けて流
出する処理ガスの温度を基板の周辺部に向けて流出する
処理ガスの温度に比べて低くすることにより、基板の中
心部の温度と基板の周辺部の温度とが等しくなるように
することが可能になる。この結果、基板の面内における
温度均一性がより向上することになる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態
について図１ないし図６を参照しながら説明する。

【００１５】図１は、この発明の実施形態の１例を示
し、ランプアニール装置の概略構成を示す模式図であ
る。熱処理炉などの基本構成自体は、図７に示した従来
のランプアニール装置と特に変わるところが無いので、
それぞれの構成要素に図７で使用した符号と同一符号を
付して、それらの説明を省略する。

【００１６】このランプアニール装置には、熱処理炉１
０のガス供給口１２に連通したガス供給路１６に、熱処
理炉１０へ供給される処理ガスを加熱するための誘導加
熱ガスヒータ２８が介在して設けられている。誘導加熱
ガスヒータ２８は、内部を処理ガスが流通する容器３
０、この容器３０に巻装されたコイル３２、このコイル
３２に高周波電流を流す電源装置３４、および、容器３
０の内部に配設された発熱体３６を備えている。

【００１７】容器３０は、誘導加熱ガスヒータ２８の構
成の１例を図２に要部縦断面図で示すように、密閉され
た円筒形状を有し、ガス供給路１６にそれぞれ連通され
るガス導入口３８およびガス流出口４０が形成されてい
る。この容器３０は、非磁性体材料、例えば石英ガラ
ス、フッ化樹脂等のプラスチック材料、セラミック材料
などで形成されている。なお、容器３０の全体が非磁性
体材料で形成されている必要は必ずしも無く、少なくと
もコイル３２が巻装される円筒面が非磁性体材料で形成
されておればよい。また、容器の形状は、円筒に限らず
種々の形状であってもよい。

【００１８】そして、この実施形態では、容器３０は、
その外周面全体を水冷ジャケット４２によって被覆され
ており、容器３０の外周面に巻装されたコイル３２が容
器３０の外周面と水冷ジャケット４２の内周面との間に
挟まれた状態となっている。水冷ジャケット４２は、金
属材料で形成されており、内部全体に空隙状の水路４４
が形成されている。なお、図２では、水路４４にそれぞ
れ連通し図示しない給水路および排水路に接続される給
水口および排水口の図示を省略している。

【００１９】容器３０の内部に配設された発熱体３６
は、コイル３２が巻装された部分に対応した位置に保持
される。この発熱体３６は、導電性材料、例えばステン
レス鋼等の高融点の金属材料、高融点のカーボンやシリ
コンカーバイトなどによって形成されている。発熱体３
６の構造は、ガスの通路が確保されてガスとの接触面積
が或る程度かせげるものであればどのようなものでもよ
く、例えば、複数枚の薄板を、間隔をあけて互いに平行
にかつ容器３０の軸線方向に沿って並列させた構造や、
ハニカム構造などが採用される。なお、処理ガスが腐食
性を有しているような場合には、発熱体３６の外面を石
英等で被覆して保護するようにするとよい。

【００２０】以上のような構成の誘導加熱ガスヒータ２
８においては、電源装置３４によりコイル３２に高周波
電流が流されると、磁束が発生して、容器３０の内部の
発熱体３６に渦電流を生じ、材料の固有抵抗によって発
熱体３６にジュール熱が発生して、発熱体３６が発熱す
る。この際、容器３０は、非磁性体材料によって形成さ
れているため、それ自身が発熱することはない。そし
て、発熱体３６が発熱することにより、ガス供給路１６
からガス導入口３８を通って容器３０内に流入した処理
ガスは、容器３０の内部を通過する際に、発熱体３６か
らの熱伝達により直接的に加熱される。発熱体３６から
の熱伝達により加熱されて十分に昇温した処理ガスは、
容器３０内からガス流出口４０を通って流出する。な
お、この際に、コイル３２に高周波電流が流されること
により、コイル３２自体が発熱してその温度が上昇し、
また、容器３０の内部からの熱伝達により容器３０の外
面の温度が上昇するが、容器３０およびコイル３２は、
その外側を水冷ジャケット４２によって覆われているた
め、水冷ジャケット４２の水路４４内を流れる冷却水に
よって冷却され、温度上昇が抑えられる。

【００２１】誘導加熱ガスヒータ２８内を通過する間に
加熱されて十分に昇温した処理ガスは、ガス供給路１６
を通り熱処理炉１０内へ供給される。このように、熱処
理炉１０内へ供給される処理ガスが十分に加熱されてい
るため、熱処理炉１０内に収容された昇温中の基板Ｗに
処理ガスが触れても、基板Ｗに対して熱衝撃が加わる心
配が無くなる。また、昇温後の基板Ｗに処理ガスが触れ
ても、基板Ｗが冷却されることはないので、基板Ｗの面
内における温度分布が悪くなる心配も無くなる。

【００２２】図３は、誘導加熱ガスヒータの別の構成例
を示す要部縦断面図である。この誘導加熱ガスヒータ４
６は、図２に示した誘導加熱ガスヒータ２８と同様に、
内部を処理ガスが流通する容器４８、この容器４８に巻
装されたコイル５０、このコイル５０に高周波電流を流
す電源装置（図示せず）、および、容器４８の内部に配
設された発熱体５２を備えているが、容器４８の構成
が、図２に示したものとは異なる。

【００２３】すなわち、図３に示した誘導加熱ガスヒー
タ４６の容器４８は、ガス供給路にそれぞれ連通される
ガス導入口５４およびガス流出口５６が形成され密閉さ
れた円筒形状を有しているが、非磁性体材料、例えば石
英ガラスで形成された容器４８の壁面内部の、コイル５
０が巻装された部分に空隙が形成されて、その空隙部分
が水路５８となっている。そして、この誘導加熱ガスヒ
ータ４６では、コイル５０に高周波電流が流されること
により、コイル５０自体が発熱してその温度が上昇し、
また、容器４８の内部からの熱伝達により容器４８の外
面の温度が上昇しようとすると、容器４８の壁面内部の
水路５８内に冷却水が流されることにより、温度上昇が
抑えられる。これ以外の構成は、図２に示した誘導加熱
ガスヒータ２８と同様であり、作用も同じである。な
お、図３では、水路５８にそれぞれ連通し図示しない給
水路および排水路に接続される給水口および排水口の図
示を省略している。

【００２４】なお、図２および図３にそれぞれ示した誘
導加熱ガスヒータ２８、４６では、容器３０、４８が、
コイル３２、５０が巻かれ内部に発熱体３６、５２が配
設された部分の内径寸法をガス導入口３８、５４および
ガス流出口４０、５６の内径寸法より大きくした円筒形
状に形成されているため、ガス導入口３８、５４から容
器３０、４８内へ導入された処理ガスが発熱体３６、５
２に向かって均等に流れにくいことがある。このような
場合には、ガス導入口３８、５４の付近に、例えば旋回
羽根を取り付けたり邪魔板を配設したり粒状物を充填し
たりするなどして、ガス導入口３８、５４から発熱体３
６、５２の方へ向かうガスの流れを拡散させるようにす
るとよい。

【００２５】また、図２および図３に示したように、誘
導加熱ガスヒータ２８、４６の容器３０、４８のガス導
入口３８、５４付近、ガス流出口４０、５６付近、コイ
ル３２、５０および発熱体３６、５２にそれぞれ温度セ
ンサ６０を付設し、あるいは、それらのうちの１個所も
しくは複数個所に温度センサ６０を付設し、温度センサ
６０からの検出信号に基づいて温度コントローラ６２に
より、誘導加熱ガスヒータ２８、４６のコイル３２、５
０に流される電流値を制御するような構成とすることが
できる。この場合において、容器３０、４８のガス導入
口３８、５４付近に温度センサ６０を付設したときは、
温度センサ６０からの検出信号に基づいて温度コントロ
ーラ６２により、誘導加熱ガスヒータ２８、４６を通過
する処理ガスの温度をフィードフォワード制御し、容器
３０、４８のガス流出口４０、５６付近に温度センサ６
０を付設したときは、温度センサ６０からの検出信号に
基づいて温度コントローラ６２により、誘導加熱ガスヒ
ータ２８、４６を通過する処理ガスの温度をフィードバ
ック制御する。また、コイル３２、５０や発熱体３６、
５２に温度センサ６０を付設したときは、コイル３２、
５０の温度が上がり過ぎたり発熱体３６、５２の温度が
上がり過ぎたりしないように、コイル３２、５０や発熱
体３６、５２を保護するための制御を行う。

【００２６】次に、図４は、ランプアニール装置におけ
る制御系統の１例を示す模式図である。このランプアニ
ール装置には、熱処理炉１０内に収容され熱処理される
基板Ｗの温度を非接触で測定するパイロメータ６４が設
けられている。また、電源装置６６からランプヒータ２
４に供給される電力量を調節するためのサイリスタ６
８、および、電源装置３４から誘導加熱ガスヒータ２８
のコイル３２に供給される電力量を調節するためのサイ
リスタ７０がそれぞれ設けられており、また、パイロメ
ータ６４からの検出信号に基づいてそれぞれのサイリス
タ６８、７０を制御する温度コントローラ７２、７４が
それぞれ設けられている。さらに、誘導加熱ガスヒータ
２８の出口側におけるガス供給路１６に、誘導加熱ガス
ヒータ２８から熱処理炉１０へ送給される処理ガスの温
度を検出する温度センサ７６が設置されており、この温
度センサ７６の検出信号が温度コントローラ７４に入力
するようになっている。

【００２７】図４に示した構成のランプアニール装置で
は、パイロメータ６４による検出信号に基づいて温度コ
ントローラ７２によりサイリスタ６８を制御することに
より、基板Ｗの温度が所定温度となるように、電源装置
６６からランプヒータ２４に供給される電力量が調節さ
れる。それと同時に、パイロメータ６４による検出信号
および温度センサ７６による検出信号に基づいて温度コ
ントローラ７４によりサイリスタ７０を制御することに
より、誘導加熱ガスヒータ２８から熱処理炉１０へ送給
される処理ガスの温度が、昇温中の基板Ｗの温度と同じ
温度となるように、電源装置３４から誘導加熱ガスヒー
タ２８のコイル３２に供給される電力量が調節される。
このように、熱処理炉１０内へ供給される処理ガスの温
度が昇温中の基板Ｗの温度と同じ温度となるように制御
されるため、昇温中の基板Ｗに処理ガスが触れても、基
板Ｗに対して熱衝撃が加わる心配が全く無くなる。

【００２８】次に、図５に模式図を示したランプアニー
ル装置は、熱処理炉７８の内部に２本のガス供給管８０
ａ、８０ｂが挿入され、一方のガス供給管８０ａは、そ
のガス吹出し口８２ａが熱処理炉７８内の基板Ｗの中心
部に対向するように配置されており、他方のガス供給管
８０ｂは、そのガス吹出し口８２ｂが基板Ｗの周辺部に
対向するように配置された構成を有している。熱処理炉
７８のガス排出口８４は、熱処理炉７８の底部に形成さ
れている。一方のガス供給管８０ａは、低温側誘導加熱
ガスヒータ２８ａに接続されており、他方のガス供給管
８０ｂは、高温側誘導加熱ガスヒータ２８ｂに接続され
ている。そして、それぞれの誘導加熱ガスヒータ２８
ａ、２８ｂが介在して設けられたガス供給路８６ａ、８
６ｂには、それぞれ電磁開閉弁８８ａ、８８ｂおよびマ
スフローコントローラ９０ａ、９０ｂが介在して設けら
れていて、それぞれのガス供給路８６ａ、８６ｂは、同
一種類の処理ガスのガス供給ユニット（図示せず）に接
続されている。

【００２９】図５に示した構成のランプアニール装置で
は、熱処理炉７８の内部に挿入された一方のガス供給管
８０ａには、低温側誘導加熱ガスヒータ２８ａによって
加熱された処理ガスが供給され、他方のガス供給管８０
ｂには、高温側誘導加熱ガスヒータ２８ｂによって加熱
され一方のガス供給管８０ａへ供給された処理ガスの温
度に比べて高温の処理ガスが供給される。そして、一方
のガス供給管８０ａのガス吹出し口８２ａからは、基板
Ｗの中心部に向けて比較的低温の処理ガスが流出し、他
方のガス供給管８０ｂのガス吹出し口８２ｂからは、基
板Ｗの周辺部に向けて高温の処理ガスが流出する。この
ため、熱処理炉７８内に収容されてランプヒータ２４に
より加熱されている基板Ｗは、通常、中心部の温度が周
辺部の温度に比べて高くなっているが、基板Ｗの中心部
に向けて流出する処理ガスの温度を基板Ｗの周辺部に向
けて流出する処理ガスの温度に比べて低くすることによ
り、基板Ｗの中心部の温度と基板Ｗの周辺部の温度とが
等しくなる。この結果、基板Ｗの面内における温度均一
性がより向上することになる。また、昇温中は、温度分
布が逆になるので、それぞれのヒータの制御温度を逆に
すればよい。

【００３０】また、図６に流路構成図を示したランプア
ニール装置では、熱処理炉１０のガス供給口に連通した
ガス供給路９２に誘導加熱ガスヒータ９４が介在して設
けられ、ガス供給路９２が、誘導加熱ガスヒータ９４の
ガス導入側において処理ガス供給路９６とパージガス供
給路９８とに分岐している。分岐したそれぞれのガス供
給路９６、９８には、電磁開閉弁１００、１０２および
マスフローコントローラ１０４、１０６が介在して設け
られていて、処理ガス供給路９６は、処理ガス、例えば
酸素のガス供給ユニット（図示せず）に接続され、パー
ジガス供給路９８は、パージガス、例えば窒素のガス供
給ユニット（図示せず）に接続されている。このような
構成のランプアニール装置では、２つの電磁開閉弁１０
０、１０２の開閉動作を切り替えることにより、熱処理
炉１０内へ供給される処理ガスを誘導加熱ガスヒータ９
４によって加熱するだけでなく、処理ガスの導入の前後
において熱処理炉１０内へ導入されるパージガスを必要
に応じて加熱することができる。

【００３１】なお、上記した実施形態では、この発明を
ランプアニール装置に適用した場合について説明した
が、この発明は、ランプアニール装置に限らず各種の基
板熱処理装置、例えば酸化、ＣＶＤ等の枚葉式の熱処理
装置（成膜装置）や横型あるいは縦型の熱処理炉（成膜
装置）などにも適用することが可能である。

【００３２】

【発明の効果】請求項１に係る発明の基板熱処理装置を
使用すると、昇温中の基板に処理ガスが触れることによ
って基板に欠陥が発生するのを助長したり昇温後の基板
に処理ガスが触れることにより基板面内における温度分
布が悪くなって均一な熱処理を行うことができなくな
る、といったことを防止することができ、このため、製
品の歩留まりを向上させるとともに、製品の品質を向上
させることができる。

【００３３】請求項２に係る発明の基板熱処理装置で
は、誘導加熱ガスヒータのコイルに高周波電流が流され
ることによりコイルが発熱しても、コイルの温度上昇を
抑えることができるので、安全である。

【００３４】請求項３に係る発明の基板熱処理装置で
は、基板の面内における温度均一性をより向上させるこ
とができるので、製品の品質を高めることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施形態の１例を示し、ランプアニ
ール装置の概略構成を示す模式図である。

【図２】図１に示したランプアニール装置の構成要素の
１つである誘導加熱ガスヒータの構成の１例を示す要部
縦断面図である。

【図３】同じく、誘導加熱ガスヒータの別の構成例を示
す要部縦断面図である。

【図４】この発明に係るランプアニール装置における制
御系統の１例を示す模式図である。

【図５】この発明の別の実施形態を示すランプアニール
装置の模式図である。

【図６】この発明のさらに別の実施形態を示すランプア
ニール装置の流路構成図である。

【図７】従来のランプアニール装置の概略構成の１例を
示す模式図である。

【図８】従来のランプアニール装置の概略構成の別の例
を示す模式図である。

【符号の説明】

Ｗ 基板 １０、７８ 熱処理炉 １２ 熱処理炉のガス供給口 １４、８４ 熱処理炉のガス排出口 １６、８６ａ、８６ｂ、９２ ガス供給路 ２２ サセプタ ２４ ランプヒータ ２８、４６、２８ａ、２８ｂ、９４ 誘導加熱ガスヒー
タ ３０、４８ 容器 ３２、５０ コイル ３４ 電源装置 ３６、５２ 発熱体 ３８、５４ 容器のガス導入口 ４０、５６ 容器のガス流出口 ４２ 水冷ジャケット ４４ 水冷ジャケットの水路 ５８ 水路 ６０、７６ 温度センサ ６２ 温度コントローラ ６４ パイロメータ ６６ ランプヒータの電源装置 ６８、７０ サイリスタ ７２、７４ 温度コントローラ ８０ａ、８０ｂ ガス供給管 ８２ａ、８２ｂ ガス供給管のガス吹出し口 ９６ 処理ガス供給路 ９８ パージガス供給路

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ガス供給路を通して熱処理炉内へ処理ガ
   スを供給し、熱処理炉内に収容された基板を加熱手段に
   より加熱して、基板を熱処理する基板熱処理装置におい
   て、 前記ガス供給路に介在された誘導加熱ガスヒータを備
   え、 前記誘導加熱ガスヒータは、 少なくとも一部が非磁性体材料によって形成され、ガス
   導入口およびガス流出口を有する密閉構造である容器
   と、 前記容器の外面の非磁性材料によって形成された部分に
   巻装されたコイルと、 前記容器の内部において前記コイルが巻装された部分に
   対応する位置に設けられ、導電性材料によって形成され
   た発熱体とを備えたことを特徴とする基板熱処理装置。
2. 【請求項２】 誘導加熱ガスヒータのコイルを冷却する
   冷却手段が付設された請求項１記載の基板熱処理装置。
3. 【請求項３】 熱処理炉内におけるガス吹き出し口が前
   記熱処理炉内に収容された基板の中心部に対向するよう
   に配置された第１ガス供給管と、前記熱処理炉内におけ
   るガス吹き出し口が前記熱処理炉内に収容された基板の
   周辺部に対向するように配置された第２ガス供給管とを
   備え、 前記第１ガス供給管と前記第２ガス供給管のそれぞれに
   は、前記誘導加熱ガスヒータを介在したガス供給路が接
   続されており、 前記熱処理炉内に収容された基板の中心部および周辺部
   へ異なる温度の処理ガスが供給される請求項１または請
   求項２記載の基板熱処理装置。