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JP2000011450A - Optical information recording medium - Google Patents

Optical information recording medium

Info

Publication number
JP2000011450A
JP2000011450A JP10178460A JP17846098A JP2000011450A JP 2000011450 A JP2000011450 A JP 2000011450A JP 10178460 A JP10178460 A JP 10178460A JP 17846098 A JP17846098 A JP 17846098A JP 2000011450 A JP2000011450 A JP 2000011450A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
component
recording
protective layer
recording medium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10178460A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Itsuro Nakamura
逸郎 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Victor Company of Japan Ltd
Original Assignee
Victor Company of Japan Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Victor Company of Japan Ltd filed Critical Victor Company of Japan Ltd
Priority to JP10178460A priority Critical patent/JP2000011450A/en
Publication of JP2000011450A publication Critical patent/JP2000011450A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a phase transition type optical disk having excellent overwriting characteristics. SOLUTION: This phase-change type optical information recording medium DD is constituted by laminating a first dielectric protective layer 2, a recording layer 3 consisting of a phase transition material, a second dielectric protective layer 4 and a reflection layer 5 on a transparent substrate 1 and records information by subjecting the recording layer 3 to temp. elevation liquid phasing by irradiation with a writing laser beam from the disk surface 1a side, then causing a change in reflectivity by rapid non-crystallization. The second dielectric protective layer 4 of this recording medium consists of a mixture composed of a first component and a second component. This first component is ZnS and this second component is an oxide of at least one kind among Al2O3, Ta2O5, SiO2, ZrO2, TiO2, BeO, MgO, Y2O3 and HfO2. The mixture described above has a compsn. gradient approximately not contg. ZnS in approximately the central part (b) in the thickness direction (a) of the second dielectric protective layer 4.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザー光の照射
により情報の記録再生を行う相変化型の光学情報記録媒
体に関し、特に記録、再生、消去の繰り返し特性(オー
バーライト特性)が優れた高密度記録に適する光学情報
記録媒体に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a phase change type optical information recording medium for recording and reproducing information by irradiating a laser beam, and more particularly to a high-performance optical recording medium having excellent repetition characteristics of recording, reproduction and erasing (overwrite characteristics). The present invention relates to an optical information recording medium suitable for density recording.

【0002】[0002]

【従来の技術】相変化型光ディスクDの構造は、図1に
示すように、書き込み又は読み出しレーザー光が照射さ
れるディスク面1aを有する透明基板1上に、第一誘電
体保護層2、相変化材料からなる記録層3、第二誘電体
保護層4、反射層5、保護層6を順次積層した光ディス
クである。そして、記録層3の光学定数が結晶質状態と
非晶質状態との間で可逆的に変化することを利用して記
録、再生、消去を行う方式を利用する光ディスクであ
る。詳しくは、書き込みレーザー光の照射により、記録
層3を構成する相変化材料を昇温液相化させ、この後、
急速に冷却され非晶質化して光学定数が変化することに
より、情報の書き込み(記録)を行う。記録層3の光学
定数のこの変化を、読み出しレーザー光の照射により、
記録層3の反射率の変化として検出することによって、
情報の読み出し(再生)を行う。
2. Description of the Related Art As shown in FIG. 1, a structure of a phase change type optical disk D is such that a first dielectric protective layer 2 and a first dielectric protective layer 2 are formed on a transparent substrate 1 having a disk surface 1a to which a write or read laser beam is irradiated. This is an optical disc in which a recording layer 3, a second dielectric protective layer 4, a reflective layer 5, and a protective layer 6 made of a variable material are sequentially laminated. The optical disc uses a method of recording, reproducing, and erasing by utilizing the fact that the optical constant of the recording layer 3 reversibly changes between a crystalline state and an amorphous state. More specifically, the phase change material constituting the recording layer 3 is heated to a liquid phase by irradiating a writing laser beam.
Information is written (recorded) by being cooled rapidly and becoming amorphous to change the optical constant. This change in the optical constant of the recording layer 3 is obtained by irradiating the read laser beam.
By detecting the change in the reflectance of the recording layer 3,
Read (reproduce) information.

【0003】この相変化型光ディスクDは、1本のレー
ザー光のパワーを2つのレベル間で変化させることによ
り、記録層3の結晶化、非晶質化を行う。すなわち、記
録層3を構成する相変化材料の融点以上に上昇させる高
パワーのレーザー光を記録層3に照射することにより、
記録層3はレーザー光のエネルギーを吸収し、溶融液相
化し、急速に冷却された後、非晶質状態となる。また、
記録層3を結晶化温度以上、融点以下の温度領域に達す
るような低パワーのレーザー光を照射したとき照射部
分、すなわち非晶質部は結晶状態になる。
[0003] In this phase change optical disk D, the recording layer 3 is crystallized and made amorphous by changing the power of one laser beam between two levels. That is, by irradiating the recording layer 3 with a high-power laser beam that raises the melting point of the phase change material constituting the recording layer 3 or more,
The recording layer 3 absorbs the energy of the laser beam, turns into a molten liquid phase, and after being rapidly cooled, becomes in an amorphous state. Also,
When the recording layer 3 is irradiated with a low-power laser beam that reaches a temperature range between the crystallization temperature and the melting point, the irradiated portion, that is, the amorphous portion is in a crystalline state.

【0004】従来、相変化型光ディスクDの反射層5
は、記録層3を構成する相変化材料を結晶状態から溶融
状態を経て非晶質状態へ変化させる際の冷却速度を上げ
るための役割を担っており、また、記録層3上の第二誘
電体保護層4は断熱層として作用する。このため、断熱
層である第二誘電体保護層4の厚さ及び熱特性を最適に
設定することは、相変化型光ディスクDの記録、再生、
消去特性を確保する上で極めて重要となる。
Conventionally, the reflection layer 5 of the phase change type optical disc D
Plays a role in increasing the cooling rate when changing the phase change material constituting the recording layer 3 from the crystalline state to the amorphous state via the molten state, and the second dielectric material on the recording layer 3 The body protection layer 4 functions as a heat insulating layer. Therefore, optimally setting the thickness and the thermal characteristics of the second dielectric protection layer 4 which is a heat insulating layer requires recording, reproduction, and reproduction of the phase change optical disc D.
This is extremely important in securing the erasing characteristics.

【0005】さて、相変化材料層である記録層3には、
カルコゲナイド系材料であるGeSbTe系、InSb
Te系、InSe系などが用いられ、主にスパッタリン
グ法、電子ビーム真空蒸着法、もしくはそれらを組み合
わせた成層法で成膜される。また、第一及び第二誘電体
保護層2,4はZnSとSiO2 の混合物が同様の成膜
法で成膜される。しかし、一般的に生産性を考慮すると
スパッタリング法が多く利用されている。成膜直後の記
録層3の状態は、一種の非晶質状態であり、この記録層
3に記録を行って非晶質状態の記録部を形成するため
に、記録層3全体を結晶質状態にしておく初期化処理が
行われる。すなわち、記録はこの結晶質状態の中に非晶
質部分を形成することにより達成される。
The recording layer 3 which is a phase change material layer includes:
GeSbTe-based chalcogenide-based material, InSb
Te-based, InSe-based, and the like are used, and are mainly formed by a sputtering method, an electron beam vacuum evaporation method, or a layered method combining these. The first and second dielectric protection layers 2 and 4 are formed of a mixture of ZnS and SiO2 by the same film formation method. However, in general, sputtering is widely used in consideration of productivity. The state of the recording layer 3 immediately after film formation is a kind of amorphous state. In order to perform recording on this recording layer 3 to form a recording part in an amorphous state, the entire recording layer 3 is in a crystalline state. Is performed. That is, recording is achieved by forming an amorphous portion in this crystalline state.

【0006】相変化型光ディスクDでは、記録時に前記
のように記録層3が融点を越えて溶融し冷却される。従
って、記録層3を挟む第一及び第二誘電体保護層2,4
は記録層3の加熱、溶融、冷却というヒートモード記録
に際し、繰り返し熱的なストレスを受ける。このため、
第一及び第二誘電体保護層2,4は耐熱性が考慮されZ
nS−SiO2 が使用される。
In the phase-change type optical disk D, the recording layer 3 is melted above the melting point and cooled during recording as described above. Therefore, the first and second dielectric protection layers 2 and 4 sandwiching the recording layer 3
Are subjected to thermal stress repeatedly during heat mode recording of heating, melting and cooling of the recording layer 3. For this reason,
The first and second dielectric protection layers 2 and 4 are made of Z in consideration of heat resistance.
nS-SiO2 is used.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとしている課題】上述したように、
相変化型光ディスクDは、書き込みレーザー光の照射に
よって記録層3が溶融、冷却非晶質化し記録マークが形
成され、その記録マークと記録マーク以外の部分との反
射率の違いを、読み出しレーザー光の照射によって信号
として検出する。従来、記録層3を挟む第一及び第二誘
電体保護膜2,4には耐熱性を備えたZnSとSiO2
の混合物が用いられ、優れた記録、消去特性を示した。
As described above, as described above,
In the phase-change type optical disc D, the recording layer 3 is melted and cooled to become amorphous by irradiation of a writing laser beam to form a recording mark, and the difference in reflectance between the recording mark and a portion other than the recording mark is determined by reading laser beam. Is detected as a signal by irradiation. Conventionally, the first and second dielectric protective films 2 and 4 sandwiching the recording layer 3 are made of ZnS and SiO2 having heat resistance.
Was used, and showed excellent recording and erasing characteristics.

【0008】しかし、繰り返しオーバーライトを行う
と、記録層3の溶融、冷却の繰り返しによって記録層3
自身の流動が引き起こされ、その結果、記録層3の膜厚
が変動し、反射率が低下するという現象が起こり、信号
振幅が低下した。また、溶融、冷却の繰り返しによって
第一及び第二誘電体保護膜2,4が熱的なダメージを受
けて変形し、記録層3にダメージを与えジッターが増大
する原因となっていた。以上の理由によって、相変化型
光ディスクDは繰り返しオーバーライト特性が劣化する
という課題があった。
However, when overwriting is repeatedly performed, the recording layer 3 is repeatedly melted and cooled.
The flow of the recording medium 3 itself was caused, and as a result, a phenomenon that the film thickness of the recording layer 3 fluctuated and the reflectivity was reduced occurred, and the signal amplitude was reduced. In addition, the repetition of melting and cooling causes the first and second dielectric protection films 2 and 4 to be thermally damaged and deformed, damaging the recording layer 3 and increasing jitter. For the above reasons, the phase change type optical disc D has a problem that the overwrite characteristics are repeatedly deteriorated.

【0009】本発明はの目的は、上記の課題を解決し、
繰り返しオーバーライト特性の優れた、相変化型の光学
的情報記録媒体を提供することである。
[0009] The object of the present invention is to solve the above problems,
An object of the present invention is to provide a phase change type optical information recording medium having excellent repetitive overwrite characteristics.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記した課題を解決する
ために、本発明は、下記する構成を有する光学的情報記
録媒体を提供する。
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides an optical information recording medium having the following configuration.

【0011】透明基板1上に、第一誘電体保護層2、相
変化材料からなる記録層3、第二誘電体保護層4、反射
層5を積層してなり、(ディスク面1a側からの)書き
込みレーザー光の照射により前記記録層3を昇温液相化
した後に急冷非晶質化して反射率を変化させることによ
り情報を記録する相変化型の光学情報記録媒体DDにお
いて、前記第二誘電体保護層4は、第一成分と第二成分
との混合物からなり、前記第一成分はZnSであり、前
記第二成分はAl2 O3 、Ta2 O5 、SiO2 、Zr
O2 、TiO2 、BeO、MgO、Y2 O3 、HfO2
のうちの少なくとも一種類の酸化物であり、かつ、前記
混合物は、前記第二誘電体保護層4の厚さ方向aの略中
心部bにおいて、ZnSを略含有しない組成勾配を有す
ることを特徴とする光学情報記録媒体。
A first dielectric protection layer 2, a recording layer 3 made of a phase-change material, a second dielectric protection layer 4, and a reflection layer 5 are laminated on a transparent substrate 1 (from the disk surface 1a side). In the phase-change type optical information recording medium DD which records information by changing the reflectance by changing the temperature of the recording layer 3 to a temperature-raising liquid phase by irradiating a writing laser beam and then rapidly amorphizing the same, The dielectric protective layer 4 is composed of a mixture of a first component and a second component, wherein the first component is ZnS, and the second component is Al2 O3, Ta2 O5, SiO2, Zr.
O2, TiO2, BeO, MgO, Y2 O3, HfO2
Wherein the mixture has a composition gradient substantially free of ZnS at a substantially central portion b in the thickness direction a of the second dielectric protection layer 4. Optical information recording medium.

【0012】[0012]

【作用】前記した構成の第二誘電体保護層4の機械的強
度を上げることによって、記録層3の溶融、冷却の繰り
返しによって引き起こされる第二誘電体保護層4の変形
を抑え、またその熱伝導率を上げることによって放熱特
性を改善することにより、第二誘電体保護層4のダメー
ジ、さらには第二誘電体保護層4のダメージによる記録
層3自身へのダメージを抑制し、結果的にオーバーライ
ト時の信号振幅の減少、ジッターの増加を抑え、繰り返
しオーバーライト特性の向上を実現することができる。
By increasing the mechanical strength of the second dielectric protection layer 4 having the above-described structure, the deformation of the second dielectric protection layer 4 caused by the repetition of melting and cooling of the recording layer 3 is suppressed. By improving the heat dissipation characteristics by increasing the conductivity, damage to the second dielectric protection layer 4 and further damage to the recording layer 3 itself due to damage to the second dielectric protection layer 4 are suppressed. It is possible to suppress a decrease in signal amplitude and an increase in jitter at the time of overwriting, and to achieve an improvement in repeated overwriting characteristics.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下、本発明の光学的情報記録媒
体の実施例について、図1、図2を用いて説明する。図
2は第二誘電体層を構成する混合物の組成勾配を説明す
るための図である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the optical information recording medium of the present invention will be described below with reference to FIGS. FIG. 2 is a diagram for explaining the composition gradient of the mixture constituting the second dielectric layer.

【0014】本発明の相変化型光学的情報記録媒体(光
ディスク)DDは、図1、図2に示すように、透明基板
1上に、第一誘電体保護層2、相変化材料からなる記録
層3、第二誘電体保護層4、反射層5を積層してなり、
ディスク面1a側からの書き込みレーザー光の照射によ
り記録層3を昇温液相化した後に急冷非晶質化して反射
率を変化させることにより情報を記録する相変化型の光
ディスクにおいて、第二誘電体保護層4は、第一成分と
第二成分との混合物からなり、第一成分はZnSであ
り、第二成分はAl2 O3 、Ta2 O5 、SiO2 、Z
rO2 、TiO2、BeO、MgO、Y2 O3 、HfO2
のうちの少なくとも一種類の酸化物であり、かつ、前
記混合物は、第二誘電体保護層4の厚さ方向aの略中心
部bにおいて、ZnSを略含有しない組成勾配を有する
光ディスクである。
As shown in FIGS. 1 and 2, a phase change type optical information recording medium (optical disk) DD of the present invention comprises a transparent substrate 1 on which a first dielectric protection layer 2 and a phase change material are recorded. A layer 3, a second dielectric protection layer 4, and a reflection layer 5,
In a phase-change type optical disk in which information is recorded by changing the reflectance by changing the temperature of the recording layer 3 to a temperature-raising liquid phase by irradiating a writing laser beam from the disk surface 1a and then rapidly amorphizing the recording layer 3, The body protective layer 4 is composed of a mixture of a first component and a second component, the first component being ZnS, and the second component being Al2 O3, Ta2 O5, SiO2, Z
rO2, TiO2, BeO, MgO, Y2O3, HfO2
And the mixture is an optical disk having a composition gradient substantially free of ZnS at a substantially central portion b in the thickness direction a of the second dielectric protection layer 4.

【0015】透明基板1は、同心円状又は螺旋状のグル
ーブ(溝)を有しており、材質としてはポリカーボネイ
ト系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、石
英、ガラス等が使用できる。記録層3は、例えばカルコ
ゲナイド系材料であるGeSbTe系、InSbTe
系、InSe系、InSb系、GeTe系などの相変化
材料が使用可能であり、また、これらの相変化材料に金
属を添加した組成構成の材料も使用可能である。
The transparent substrate 1 has concentric or spiral grooves (grooves), and can be made of polycarbonate resin, polyolefin resin, acrylic resin, quartz, glass, or the like. The recording layer 3 is made of, for example, a chalcogenide-based material such as GeSbTe-based or InSbTe-based material.
A phase change material such as a system, an InSe system, an InSb system, and a GeTe system can be used, and a material having a composition in which a metal is added to these phase change materials can also be used.

【0016】第一及び第二誘電体保護層2,4は、主
に、第一成分であるZnSと、Al2O3 、Ta2 O5
、SiO2 、ZrO2 、TiO2 、BeO、MgO、
Y2 O3、HfO2 等の酸化物のうちの少なくとも一種
類の酸化物を第二成分とする混合物を含む誘電体材料が
使用可能である。望ましくは、ZnS−SiO2 の混合
物が良い。さらに、第二誘電体保護層4は、図2に示す
ように、前記した混合物における第二成分の組成比が、
膜厚方向(誘電体保護層の厚さ方向)aの略中心部bに
おいて、ZnSを略含有しない組成勾配を有する光ディ
スクである。
The first and second dielectric protection layers 2 and 4 are mainly composed of ZnS as a first component, Al 2 O 3 and Ta 2 O 5.
, SiO2, ZrO2, TiO2, BeO, MgO,
A dielectric material containing a mixture containing at least one oxide of oxides such as Y2 O3 and HfO2 as a second component can be used. Desirably, a mixture of ZnS—SiO 2 is good. Further, as shown in FIG. 2, the second dielectric protective layer 4 has a composition ratio of the second component in the mixture described above,
The optical disc has a composition gradient substantially free of ZnS at a substantially central portion b in a film thickness direction (a thickness direction of the dielectric protection layer) a.

【0017】反射層5には、照射レーザー光の反射率が
良好な金属膜、例えばAlを主成分とし、Cu、Cr、
Ni、Ti、Mo、W等の金属との混合物、あるいは、
Au等が使用可能である。保護層6としては、熱硬化も
しくは紫外線硬化樹脂を反射層5上に使用できる。
The reflective layer 5 is made of a metal film having a good reflectivity of an irradiation laser beam, for example, containing Al as a main component, Cu, Cr,
A mixture with a metal such as Ni, Ti, Mo, W, or
Au or the like can be used. As the protective layer 6, a thermosetting or ultraviolet curable resin can be used on the reflective layer 5.

【0018】以上のような構成を有する相変化型光ディ
スクDDの製作を、具体的な実施例によって詳細に説明
する。
The production of the phase-change optical disk DD having the above-described configuration will be described in detail with reference to specific examples.

【0019】厚さ1.2mm、トラックピッチ1.6μ
mの連続溝を有するポリカーボネイト製ディスク透明基
板1上に第一誘電体保護層2、記録層3、第二誘電体保
護層4、反射層5を順次積層して、相変化型光ディスク
DDを形成した。
Thickness 1.2 mm, track pitch 1.6 μ
A phase-change optical disk DD is formed by sequentially laminating a first dielectric protection layer 2, a recording layer 3, a second dielectric protection layer 4, and a reflection layer 5 on a polycarbonate disk transparent substrate 1 having m continuous grooves. did.

【0020】まず、ZnS、SiO2 の2成分よりなる
ターゲット(組成比80:20、mol%)を用い、R
Fスパッタリング法により100nmの第一誘電体保護
層2を形成した。次に、この第一誘電体保護層2上に、
記録層3を構成する相変化材料としてGeSbTe系合
金をDCスパッタリング法で20nm成膜した。次に、
ZnS、SiO2 の2成分よりなるターゲット(組成比
80:20、mol%)と、SiO2 ターゲットを用意
し、RFスパッタリング法により組成勾配を有する第二
誘電体保護層4を20nm形成した。
First, using a target (composition ratio: 80:20, mol%) composed of two components of ZnS and SiO 2, R
The first dielectric protection layer 2 having a thickness of 100 nm was formed by the F sputtering method. Next, on the first dielectric protection layer 2,
A GeSbTe-based alloy was deposited to a thickness of 20 nm by a DC sputtering method as a phase change material constituting the recording layer 3. next,
A target (composition ratio: 80:20, mol%) composed of two components of ZnS and SiO2 and a SiO2 target were prepared, and a second dielectric protective layer 4 having a composition gradient of 20 nm was formed by RF sputtering.

【0021】即ち、本実施例では、第二誘電体保護層4
の厚さ方向aのほぼ中央bにSiO2 層を形成し、その
両側に組成勾配を持つZnS−SiO2 層を形成した
(図2に図示)。形成方法としては、第二誘電体保護層
4の成膜開始時と終了時において、SiO2 ターゲット
のRF投入パワーが0となり、かつ層の厚さ方向aのほ
ぼ中央bでSiO2 層のみが一定の膜厚形成されるよう
に、RF投入パワーを適宜コントロールし成膜を行う。
That is, in the present embodiment, the second dielectric protection layer 4
An SiO2 layer was formed substantially at the center b in the thickness direction a, and ZnS-SiO2 layers having a composition gradient were formed on both sides thereof (shown in FIG. 2). As a formation method, at the start and end of the formation of the second dielectric protection layer 4, the RF input power of the SiO2 target becomes 0, and only the SiO2 layer is constant at almost the center b in the thickness direction a of the layer. The film is formed by appropriately controlling the RF input power so that the film is formed.

【0022】さらに、この第二誘電体保護層4上に、A
l合金の反射層5を150nm形成した。最後にこの反
射層5上に、紫外線硬化樹脂をスピンコート法により5
〜10μm塗布し紫外線硬化させて保護層6を形成し
た。記録層3は成膜直後、一種の非晶質状態であるため
結晶状態にする初期化処理を行った。以上の経過を経
て、相変化型光ディスクDDを作製した。
Further, on the second dielectric protection layer 4, A
A reflective layer 5 of 1 alloy was formed to a thickness of 150 nm. Finally, an ultraviolet curable resin is applied on the reflective layer 5 by spin coating.
Protective layer 6 was formed by applying a coating of 10 μm to 10 μm and curing with ultraviolet rays. Immediately after film formation, the recording layer 3 was in a kind of amorphous state, and thus was subjected to an initialization process for changing to a crystalline state. Through the above process, a phase-change optical disk DD was manufactured.

【0023】このようにして作製した相変化型光ディス
クDDを回転し、動的な測定評価を行った。照射レーザ
ー光の波長は685nm、対物レンズの開口数NAは
0.60、線速6.0m/s、記録パワー11.0m
W、消去パワー4.5mWとし8−16変調のランダム
信号を記録した。再生パワーは1.0mWとした。繰り
返しオーバーライト特性は多数回記録、消去を行った後
で最短マークである3T信号(T:チャンネルクロック
周期)のジッター(σ)を測定し、オーバーライト回数
による変化の様子を観測した。その結果、本実施例で作
製した相変化型光ディスクDDはオーバーライト回数が
105 回を越えてもジッターの増加が従来に較べ顕著に
少ない優れた特性を示した。
The phase-change optical disk DD manufactured as described above was rotated, and dynamic measurement and evaluation were performed. The wavelength of the irradiation laser light is 685 nm, the numerical aperture NA of the objective lens is 0.60, the linear velocity is 6.0 m / s, and the recording power is 11.0 m.
W and an erasing power of 4.5 mW, and a random signal of 8-16 modulation was recorded. The reproduction power was 1.0 mW. After repeated recording and erasing, the jitter (σ) of the 3T signal (T: channel clock period), which is the shortest mark, was measured after repeated recording and erasing, and the state of change due to the number of overwrites was observed. As a result, the phase-change optical disk DD manufactured in this example exhibited excellent characteristics in which the increase in jitter was remarkably small as compared with the related art even when the number of overwrites exceeded 105 times.

【0024】[0024]

【発明の効果】本発明によれば、第二誘電体保護層を組
成勾配を有するZnSと酸化物の混合物から構成し、か
つ第二誘電体保護層の厚さ方向の中央部にZnSを含有
しない酸化物層を有する構成とすることによって、繰り
返しオーバーライト特性を向上させることができ、結果
として高い信頼性を備えた相変化型光ディスクを提供す
ることができる。
According to the present invention, the second dielectric protective layer is composed of a mixture of ZnS and an oxide having a composition gradient, and contains ZnS in the center of the second dielectric protective layer in the thickness direction. With a configuration having an oxide layer which is not used, overwrite characteristics can be repeatedly improved, and as a result, a phase-change optical disc having high reliability can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】相変化型光ディスクの構造を説明するための図
である。
FIG. 1 is a diagram for explaining a structure of a phase change optical disk.

【図2】第二誘電体層を構成する混合物の組成勾配を説
明するための図である。
FIG. 2 is a diagram for explaining a composition gradient of a mixture constituting a second dielectric layer.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 透明基板 2 第一誘電体保護層 3 記録層 4 第二誘電体保護層 5 反射層 a 誘電体保護層の厚さ方向 b 中心部 D,DD 相変化型光ディスク DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Transparent substrate 2 First dielectric protection layer 3 Recording layer 4 Second dielectric protection layer 5 Reflective layer a Thickness direction of dielectric protection layer b Central part D, DD Phase change optical disk

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】透明基板上に、第一誘電体保護層、相変化
材料からなる記録層、第二誘電体保護層、反射層を積層
してなり、書き込みレーザー光の照射により前記記録層
を昇温液相化した後に急冷非晶質化して反射率を変化さ
せることにより情報を記録する相変化型の光学情報記録
媒体において、 前記第二誘電体保護層は、第一成分と第二成分との混合
物からなり、前記第一成分はZnSであり、前記第二成
分はAl2 O3 、Ta2 O5 、SiO2 、ZrO2 、T
iO2 、BeO、MgO、Y2 O3 、HfO2 のうちの
少なくとも一種類の酸化物であり、かつ、前記混合物
は、前記第二誘電体保護層の厚さ方向の略中心部におい
て、ZnSを略含有しない組成勾配を有することを特徴
とする光学情報記録媒体。
A first dielectric protective layer, a recording layer made of a phase change material, a second dielectric protective layer, and a reflective layer are laminated on a transparent substrate, and the recording layer is irradiated with a writing laser beam. In a phase-change optical information recording medium that records information by changing the reflectance by rapidly cooling and amorphizing after liquid-phase heating, the second dielectric protective layer includes a first component and a second component. Wherein the first component is ZnS and the second component is Al2 O3, Ta2 O5, SiO2, ZrO2, T
at least one oxide of iO2, BeO, MgO, Y2O3, and HfO2, and the mixture is substantially free of ZnS in a substantially central portion in a thickness direction of the second dielectric protection layer. An optical information recording medium having a composition gradient.
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