JP2000098228A - 投影露光装置及び露光方法、並びに反射縮小投影光学系 - Google Patents
投影露光装置及び露光方法、並びに反射縮小投影光学系Info
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70233—Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】より少ない反射面で優れた光学性能を得る
【解決手段】反射縮小投影光学系100は、第1面11
上の物体を第2面12上に結像する第1反射光学系10
と、第2面上の像を第3面13上に結像する第2反射光
学系20とを備え、第3面上に第1面上の物体の縮小像
を形成する。第1反射光学系は2つのミラーからなる第
1ミラー対M1,M2からなり、第2反射光学系は凸面
鏡及び凹面鏡からなる第2ミラー対M3,M4からな
る。
上の物体を第2面12上に結像する第1反射光学系10
と、第2面上の像を第3面13上に結像する第2反射光
学系20とを備え、第3面上に第1面上の物体の縮小像
を形成する。第1反射光学系は2つのミラーからなる第
1ミラー対M1,M2からなり、第2反射光学系は凸面
鏡及び凹面鏡からなる第2ミラー対M3,M4からな
る。
Description
【0001】
【発明が属する技術分野】本発明は、半導体素子や液晶
表示素子、または薄膜磁気ヘッドなどのデバイスをリソ
グラフィ工程により製造する際に用いられる露光装置及
び露光方法、これらの露光装置及び方法に好適な反射縮
小投影光学系に関する。
表示素子、または薄膜磁気ヘッドなどのデバイスをリソ
グラフィ工程により製造する際に用いられる露光装置及
び露光方法、これらの露光装置及び方法に好適な反射縮
小投影光学系に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体の製造や半導体チップ実装
基板の製造ではますます微細化しており、これらのパタ
ーンを焼き付ける露光装置はより解像力の高いものが要
求されてきている。この要求を満足するためには、光源
の波長を短波長化し、かつ NA(光学系の開口数)を
大きくしなければならない。しかしながら、波長が短く
なると光の吸収のため実用に耐える光学ガラスが限られ
てくる。さらに、短波長の紫外線やX線になると、使用
できる光学ガラスは存在しなくなる。このような場合、
屈折光学系だけか、または反射屈折光学系で縮小投影光
学系を構成することは、まったく不可能となる。
基板の製造ではますます微細化しており、これらのパタ
ーンを焼き付ける露光装置はより解像力の高いものが要
求されてきている。この要求を満足するためには、光源
の波長を短波長化し、かつ NA(光学系の開口数)を
大きくしなければならない。しかしながら、波長が短く
なると光の吸収のため実用に耐える光学ガラスが限られ
てくる。さらに、短波長の紫外線やX線になると、使用
できる光学ガラスは存在しなくなる。このような場合、
屈折光学系だけか、または反射屈折光学系で縮小投影光
学系を構成することは、まったく不可能となる。
【0003】そのため、反射系のみで投影光学系を構成
する反射縮小光学系が例えば特開平9-211332号公報に提
案されている。
する反射縮小光学系が例えば特開平9-211332号公報に提
案されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記特開平9-211332号
公報に開示されている投影光学系は、凹凸凹の反射鏡か
らなる2組の光学系により構成されており、2組の縮小
投影系の間に中間像を形成するものである。特開平9-21
1332号の投影光学系は、全体として6面の反射面を有し
ているため、収差補正の自由度は高いが、反射面の数が
多すぎるため光量ロスが多い問題点がある。さらに投影
光学系全体の結像性能は、各反射面の製造誤差により発
生する収差により低下するため、反射面の数が多すぎる
と各反射面の公差を極めて厳しく抑えなければならず、
製造が困難である問題点がある。従って、光学設計上で
の結像性能は高いが実際に製造されたものの結像性能が
十分でなくなる恐れがある。
公報に開示されている投影光学系は、凹凸凹の反射鏡か
らなる2組の光学系により構成されており、2組の縮小
投影系の間に中間像を形成するものである。特開平9-21
1332号の投影光学系は、全体として6面の反射面を有し
ているため、収差補正の自由度は高いが、反射面の数が
多すぎるため光量ロスが多い問題点がある。さらに投影
光学系全体の結像性能は、各反射面の製造誤差により発
生する収差により低下するため、反射面の数が多すぎる
と各反射面の公差を極めて厳しく抑えなければならず、
製造が困難である問題点がある。従って、光学設計上で
の結像性能は高いが実際に製造されたものの結像性能が
十分でなくなる恐れがある。
【0005】そこで、本発明は、比較的に反射面の数が
少なく抑えつつも極めて優れた結像性能を達成し、さら
に実際に製造されたものの結像性能も向上させることを
目的とする。
少なく抑えつつも極めて優れた結像性能を達成し、さら
に実際に製造されたものの結像性能も向上させることを
目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明の請求項1にかかる反射縮小投影光学系
は、第1面上の物体を第2面上に結像する第1反射光学
系と、前記第2面上の像を第3面上に結像する第2反射
光学系とを備え、第3面上に第1面上の物体の縮小像を
形成する反射縮小投影光学系であって、前記第1反射光
学系は2つのミラーからなる第1ミラー対からなり、前
記第2反射光学系は凸面鏡及び凹面鏡からなる第2ミラ
ー対からなり、前記第1及び第2ミラー対は、前記第1
面からの光が前記第1ミラー対を経由した後に前記第2
面上に中間像を形成し、該中間像からの光が前記凸面鏡
及び前記凹面鏡の順で前記第2ミラー対を通過して前記
第3面へ向かうように位置決めされるものである。
めに、本発明の請求項1にかかる反射縮小投影光学系
は、第1面上の物体を第2面上に結像する第1反射光学
系と、前記第2面上の像を第3面上に結像する第2反射
光学系とを備え、第3面上に第1面上の物体の縮小像を
形成する反射縮小投影光学系であって、前記第1反射光
学系は2つのミラーからなる第1ミラー対からなり、前
記第2反射光学系は凸面鏡及び凹面鏡からなる第2ミラ
ー対からなり、前記第1及び第2ミラー対は、前記第1
面からの光が前記第1ミラー対を経由した後に前記第2
面上に中間像を形成し、該中間像からの光が前記凸面鏡
及び前記凹面鏡の順で前記第2ミラー対を通過して前記
第3面へ向かうように位置決めされるものである。
【0007】また、本発明の請求項2にかかる反射縮小
投影光学系は、第2面上に視野絞りが配置されるもので
ある。また、本発明の請求項3にかかる反射縮小投影光
学系では、前記第1反射光学系が縮小倍率を有するもの
である。また、本発明の請求項4にかかる反射縮小投影
光学系では、前記第2反射光学系が縮小倍率を有するも
のである。
投影光学系は、第2面上に視野絞りが配置されるもので
ある。また、本発明の請求項3にかかる反射縮小投影光
学系では、前記第1反射光学系が縮小倍率を有するもの
である。また、本発明の請求項4にかかる反射縮小投影
光学系では、前記第2反射光学系が縮小倍率を有するも
のである。
【0008】また、本発明の請求項5にかかる反射縮小
投影光学系では、前記第1ミラー対を構成する2つのミ
ラーのそれぞれの頂点の間に位置する開口絞りをさらに
有し、該開口絞りは、該開口絞りに入射する光束の全周
を囲む形状を有するものである。また、本発明の請求項
6にかかる反射縮小光学系では、前記開口絞りは、前記
第3面側がテレセントリックとなるように位置決めされ
る。
投影光学系では、前記第1ミラー対を構成する2つのミ
ラーのそれぞれの頂点の間に位置する開口絞りをさらに
有し、該開口絞りは、該開口絞りに入射する光束の全周
を囲む形状を有するものである。また、本発明の請求項
6にかかる反射縮小光学系では、前記開口絞りは、前記
第3面側がテレセントリックとなるように位置決めされ
る。
【0009】また、本発明の請求項7にかかる反射縮小
光学系では、前記第1ミラー対は、前記中間像側に凹面
を向けた凹面鏡を有するものである。また、本発明の請
求項8にかかる反射縮小光学系では、前記第1ミラー対
を構成する2つのミラーの曲率をそれぞれC1、C2とし、
前記第2ミラー対中の前記凸面鏡の曲率をC3、前記第2
ミラー対中の前記凹面鏡の曲率をC4とするとき、 (1) - 0.005 < ( C1 - C2 ) < 0.005 (2) - 0.005 < ( C3 - C4 ) < 0.005 (3) - 0.005 < ( C1 - C2 ) + ( C3 - C4 ) < 0.005 の条件式を満足するものである。
光学系では、前記第1ミラー対は、前記中間像側に凹面
を向けた凹面鏡を有するものである。また、本発明の請
求項8にかかる反射縮小光学系では、前記第1ミラー対
を構成する2つのミラーの曲率をそれぞれC1、C2とし、
前記第2ミラー対中の前記凸面鏡の曲率をC3、前記第2
ミラー対中の前記凹面鏡の曲率をC4とするとき、 (1) - 0.005 < ( C1 - C2 ) < 0.005 (2) - 0.005 < ( C3 - C4 ) < 0.005 (3) - 0.005 < ( C1 - C2 ) + ( C3 - C4 ) < 0.005 の条件式を満足するものである。
【0010】また、本発明の請求項9にかかる反射縮小
光学系では、前記第1反射光学系は2枚のミラーのみか
らなり、前記第2反射光学系は2枚のミラーのみからな
るものである。また、本発明の請求項10にかかる反射
縮小投影光学系では、前記第1のミラー対を構成するミ
ラーと前記第2のミラー対を構成するミラーとは、共通
の光軸に沿って配置されるものである。
光学系では、前記第1反射光学系は2枚のミラーのみか
らなり、前記第2反射光学系は2枚のミラーのみからな
るものである。また、本発明の請求項10にかかる反射
縮小投影光学系では、前記第1のミラー対を構成するミ
ラーと前記第2のミラー対を構成するミラーとは、共通
の光軸に沿って配置されるものである。
【0011】また、本発明の請求項11にかかる反射縮
小投影光学系では、前記第1反射光学系と前記第2反射
光学系とは、光軸方向にそって所定の間隔を持つように
配置されるものである。また、本発明の請求項12にか
かる反射縮小投影光学系では、反射縮小投影光学系を構
成する複数のミラーのうち、少なくとも2つのミラーは
該ミラーの基準軸に関して対称な外径を有しているもの
である。
小投影光学系では、前記第1反射光学系と前記第2反射
光学系とは、光軸方向にそって所定の間隔を持つように
配置されるものである。また、本発明の請求項12にか
かる反射縮小投影光学系では、反射縮小投影光学系を構
成する複数のミラーのうち、少なくとも2つのミラーは
該ミラーの基準軸に関して対称な外径を有しているもの
である。
【0012】また、本発明の請求項13にかかる投影露
光装置は、所定波長の光を投影原版へ導く照明光学系
と、該照明光学系からの光に基づいて、前記投影原版の
縮小像を感光性基板上に形成する投影光学系とを備える
ものであって、投影光学系は、請求項1乃至12の何れ
か一項記載の反射縮小投影光学系であり、前記反射縮小
投影光学系に対して前記投影原版及び前記感光性基板を
相対的に移動させつつ露光を行うものである。
光装置は、所定波長の光を投影原版へ導く照明光学系
と、該照明光学系からの光に基づいて、前記投影原版の
縮小像を感光性基板上に形成する投影光学系とを備える
ものであって、投影光学系は、請求項1乃至12の何れ
か一項記載の反射縮小投影光学系であり、前記反射縮小
投影光学系に対して前記投影原版及び前記感光性基板を
相対的に移動させつつ露光を行うものである。
【0013】また、本発明の請求項14にかかる露光方
法は、所定波長の光を投影原版へ導き、該光に基づいて
前記投影原版の縮小像を感光性基板上に形成する露光方
法であって、請求項1乃至12の何れか一項記載の反射
縮小投影光学系を用いて前記縮小像を前記感光性基板上
に形成し、該縮小像を前記感光性基板上で走査させるも
のである。
法は、所定波長の光を投影原版へ導き、該光に基づいて
前記投影原版の縮小像を感光性基板上に形成する露光方
法であって、請求項1乃至12の何れか一項記載の反射
縮小投影光学系を用いて前記縮小像を前記感光性基板上
に形成し、該縮小像を前記感光性基板上で走査させるも
のである。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、本発明の基本的な構成につ
いて図1を参照して説明する。図1は後述の第1実施例
にかかる反射縮小投影光学系の横断面の光路図であり、
図1では光束の幅は横断面のみを表してある。図1に示
すように、本発明の反射縮小投影光学系100は、第1
面11上の物体を第2面12上に結像する第1反射光学
系10と、第2面12上の像を第3面13上に結像する
第2反射光学系20とを備える構成を基本とし、第3面
13上に第1面11上の物体の縮小像を形成するもので
ある。そして、第1反射光学系10は2つのミラーから
なる第1ミラー対M1,M2からなり、第2反射光学系
20は凸面鏡M3及び凹面鏡M4からなる第2ミラー対
からなる。
いて図1を参照して説明する。図1は後述の第1実施例
にかかる反射縮小投影光学系の横断面の光路図であり、
図1では光束の幅は横断面のみを表してある。図1に示
すように、本発明の反射縮小投影光学系100は、第1
面11上の物体を第2面12上に結像する第1反射光学
系10と、第2面12上の像を第3面13上に結像する
第2反射光学系20とを備える構成を基本とし、第3面
13上に第1面11上の物体の縮小像を形成するもので
ある。そして、第1反射光学系10は2つのミラーから
なる第1ミラー対M1,M2からなり、第2反射光学系
20は凸面鏡M3及び凹面鏡M4からなる第2ミラー対
からなる。
【0015】そして、第1面11からの光は、第1ミラ
ー対M1,M2を経由した後に第2面12上に中間像を
形成し、この中間像からの光は凸面鏡M3及び凹面鏡M
4の順で第2ミラー対M3,M4を通過して第3面13
へ向かう。このように構成することにより、第2面12
上に視野絞りFSを配置することが可能となり、また、
第1ミラー対M1,M2の頂点(反射面上において反射
面の基準軸と交差する点)の間に開口絞りASを配置す
ることが可能となる。
ー対M1,M2を経由した後に第2面12上に中間像を
形成し、この中間像からの光は凸面鏡M3及び凹面鏡M
4の順で第2ミラー対M3,M4を通過して第3面13
へ向かう。このように構成することにより、第2面12
上に視野絞りFSを配置することが可能となり、また、
第1ミラー対M1,M2の頂点(反射面上において反射
面の基準軸と交差する点)の間に開口絞りASを配置す
ることが可能となる。
【0016】ここで、第1面12上に視野絞りFSを配
置した場合には、第1面11上を照明する照明系中の視
野絞りを設ける必要がなくなる。また、本発明において
は、開口絞りASは、第1面11と第1ミラー対中で最
も第1面11側の反射面M1との間の光路中に配置され
ることが好ましい。この場合、本発明の光学系が全体と
して縮小倍率を有していることから、第1面側では光束
の幅は狭く抑えられており、この部分に開口絞りASを
配置できると、開口絞りASを保持する機械部品による
投影光路への干渉を避けることが可能である。さらにこ
の場合には、開口絞りASの開口部形状を、開口絞りA
Sを通過する光束の全周を囲む形状とすることができ、
通常の開口絞りの構成を採用することができる。このと
き、開口絞りASの光軸方向の位置は、第3面13側が
テレセントリックとなるように位置決めされることが好
ましい。
置した場合には、第1面11上を照明する照明系中の視
野絞りを設ける必要がなくなる。また、本発明において
は、開口絞りASは、第1面11と第1ミラー対中で最
も第1面11側の反射面M1との間の光路中に配置され
ることが好ましい。この場合、本発明の光学系が全体と
して縮小倍率を有していることから、第1面側では光束
の幅は狭く抑えられており、この部分に開口絞りASを
配置できると、開口絞りASを保持する機械部品による
投影光路への干渉を避けることが可能である。さらにこ
の場合には、開口絞りASの開口部形状を、開口絞りA
Sを通過する光束の全周を囲む形状とすることができ、
通常の開口絞りの構成を採用することができる。このと
き、開口絞りASの光軸方向の位置は、第3面13側が
テレセントリックとなるように位置決めされることが好
ましい。
【0017】また、本発明においては、第1反射光学系
10が縮小倍率を有することが好ましく、第2反射光学
系20が縮小倍率を有することが好ましい。このように
構成することにより、全体の反射縮小光学系の縮小倍率
を各反射光学系で分担できるため、各反射光学系の負担
を軽くすることができる。また、本発明においては、第
1ミラー対M1,M2は、中間像側(第2面12側)に
凹面を向けた凹面鏡M2を有することが好ましい。
10が縮小倍率を有することが好ましく、第2反射光学
系20が縮小倍率を有することが好ましい。このように
構成することにより、全体の反射縮小光学系の縮小倍率
を各反射光学系で分担できるため、各反射光学系の負担
を軽くすることができる。また、本発明においては、第
1ミラー対M1,M2は、中間像側(第2面12側)に
凹面を向けた凹面鏡M2を有することが好ましい。
【0018】この構成の場合、凹面鏡M2、凸面鏡M3
及び凹面鏡M4が見かけ上オフナー型光学系に近くなる
が、この構成の場合では凹面鏡M2から凸面鏡M3まで
の間に中間像を形成する構成であるため、オフナー型光
学系とは収差の補正原理が異なる。すなわち、オフナー
型光学系を変形して縮小倍率で用いるようにした光学系
(以下、変形オフナー型縮小光学系と呼ぶ)では、凹凸
凹の反射面のそれぞれで生じる収差を互いに相殺するよ
うに構成されている。しかしながら、本発明が上記構成
をとる場合には、第1面側の凹面鏡M2へ入射する光線
の角度は、変形オフナー型光学系と比較して、凹面鏡M
2の光軸(基準軸)に対してさらに角度がつくように入
射する。つまり、凹面鏡M2への入射光線と凹面鏡M2
からの射出光線とがなす角度が変形オフナー型光学系と
は全く逆方向となる。
及び凹面鏡M4が見かけ上オフナー型光学系に近くなる
が、この構成の場合では凹面鏡M2から凸面鏡M3まで
の間に中間像を形成する構成であるため、オフナー型光
学系とは収差の補正原理が異なる。すなわち、オフナー
型光学系を変形して縮小倍率で用いるようにした光学系
(以下、変形オフナー型縮小光学系と呼ぶ)では、凹凸
凹の反射面のそれぞれで生じる収差を互いに相殺するよ
うに構成されている。しかしながら、本発明が上記構成
をとる場合には、第1面側の凹面鏡M2へ入射する光線
の角度は、変形オフナー型光学系と比較して、凹面鏡M
2の光軸(基準軸)に対してさらに角度がつくように入
射する。つまり、凹面鏡M2への入射光線と凹面鏡M2
からの射出光線とがなす角度が変形オフナー型光学系と
は全く逆方向となる。
【0019】このことから、上記構成の場合では、第1
ミラー対中の凹面鏡M2の反射面での入射及び射出光線
の振る舞いが、凸面鏡M3及び凹面鏡M4で発生する収
差を凹面鏡M2で相殺するような補正の仕方をする変形
オフナー型光学系とは全く逆方向となる。この構成にお
いて、第1ミラー対中の凹面鏡M2は、第1ミラー対中
の別のミラーM1と第2面12との間の光路中に配置さ
れることが好ましい。上述のように凹面鏡M2に対して
光軸との角度をつけるように光線を入射させる場合に
は、ミラーM1での反射により、第1面11からミラー
M1へ向かう光束と、ミラーM1から凹面鏡M2へ向か
う光束及び凹面鏡M2から第2面へ向かう光束とを物理
的に分離しやすくなる。これにより、第1面11からミ
ラーM1へ向かう光路中に開口絞りASを配置すること
が容易となる。
ミラー対中の凹面鏡M2の反射面での入射及び射出光線
の振る舞いが、凸面鏡M3及び凹面鏡M4で発生する収
差を凹面鏡M2で相殺するような補正の仕方をする変形
オフナー型光学系とは全く逆方向となる。この構成にお
いて、第1ミラー対中の凹面鏡M2は、第1ミラー対中
の別のミラーM1と第2面12との間の光路中に配置さ
れることが好ましい。上述のように凹面鏡M2に対して
光軸との角度をつけるように光線を入射させる場合に
は、ミラーM1での反射により、第1面11からミラー
M1へ向かう光束と、ミラーM1から凹面鏡M2へ向か
う光束及び凹面鏡M2から第2面へ向かう光束とを物理
的に分離しやすくなる。これにより、第1面11からミ
ラーM1へ向かう光路中に開口絞りASを配置すること
が容易となる。
【0020】さて、本発明において、さらなる光学性能
を達成するためには、像面のコンロロールを行うことが
望ましい。この像面をなるべく平坦にするためには、各
反射光学系10,20のペッツバール和を極力小さくす
ることが良い。従って、第1反射光学系10に関して
は、第1ミラー対を構成する2つのミラーM1,M2の
曲率をそれぞれC1、C2とするとき、 (1) - 0.005 < ( C1 - C2 ) < 0.005 を満足することが好ましい。
を達成するためには、像面のコンロロールを行うことが
望ましい。この像面をなるべく平坦にするためには、各
反射光学系10,20のペッツバール和を極力小さくす
ることが良い。従って、第1反射光学系10に関して
は、第1ミラー対を構成する2つのミラーM1,M2の
曲率をそれぞれC1、C2とするとき、 (1) - 0.005 < ( C1 - C2 ) < 0.005 を満足することが好ましい。
【0021】ここで、上記条件式(1)の下限を逸脱す
ると、第2面12に形成される中間像面が凹に湾曲しす
ぎ、第2反射光学系20中の凸面鏡M3で補正できる範
囲を越えてしまうことになり、視野絞りの像の劣化をも
たらす。また、条件式(1)の上限を逸脱すると、第2
面12上の中間像面が凸に湾曲しすぎ、第2反射光学系
20中の凹面鏡M4で補正できる範囲を越えてしまうこ
とになり、視野絞りの像の劣化をもたらす。
ると、第2面12に形成される中間像面が凹に湾曲しす
ぎ、第2反射光学系20中の凸面鏡M3で補正できる範
囲を越えてしまうことになり、視野絞りの像の劣化をも
たらす。また、条件式(1)の上限を逸脱すると、第2
面12上の中間像面が凸に湾曲しすぎ、第2反射光学系
20中の凹面鏡M4で補正できる範囲を越えてしまうこ
とになり、視野絞りの像の劣化をもたらす。
【0022】また、第2反射光学系20に関しては、第
2ミラー対中の凸面鏡M3の曲率をC3、第2ミラー対中
の凹面鏡の曲率をC4とするとき、 (2) - 0.005 < ( C3 - C4 ) < 0.005 を満足することが好ましい。上記条件式(2)の下限を
逸脱すると、第3面上の像面が凹に湾曲しすぎ、第2ミ
ラー対中の凸面鏡M3で補正できる範囲を越えてしまう
ことになる。一方、条件式(2)の上限を逸脱すると、
第3面の像面が凸に湾曲しすぎ、両ミラー対の中の凹面
鏡M4で補正できる範囲を越えてしまうことになる。
2ミラー対中の凸面鏡M3の曲率をC3、第2ミラー対中
の凹面鏡の曲率をC4とするとき、 (2) - 0.005 < ( C3 - C4 ) < 0.005 を満足することが好ましい。上記条件式(2)の下限を
逸脱すると、第3面上の像面が凹に湾曲しすぎ、第2ミ
ラー対中の凸面鏡M3で補正できる範囲を越えてしまう
ことになる。一方、条件式(2)の上限を逸脱すると、
第3面の像面が凸に湾曲しすぎ、両ミラー対の中の凹面
鏡M4で補正できる範囲を越えてしまうことになる。
【0023】そして、反射縮小投影光学系100全体で
は、2つのミラー対10,20にて発生するペッツバー
ル和を互いに相殺するように構成することが好ましく、 (3) - 0.005 < ( C1 - C2 ) + ( C3 - C4 ) < 0.005 を満足することが好ましい。上記条件式(3)の下限を
逸脱すると、像面が凹に湾曲しすぎ、凸面鏡M3で補正
できる範囲を越えてしまうことになる。また、条件式
(3)の上限を逸脱すると、像面が凸に湾曲しすぎ、凹
面鏡M2,M4で補正できる範囲を越えてしまうことに
なる。
は、2つのミラー対10,20にて発生するペッツバー
ル和を互いに相殺するように構成することが好ましく、 (3) - 0.005 < ( C1 - C2 ) + ( C3 - C4 ) < 0.005 を満足することが好ましい。上記条件式(3)の下限を
逸脱すると、像面が凹に湾曲しすぎ、凸面鏡M3で補正
できる範囲を越えてしまうことになる。また、条件式
(3)の上限を逸脱すると、像面が凸に湾曲しすぎ、凹
面鏡M2,M4で補正できる範囲を越えてしまうことに
なる。
【0024】ここで、以上の条件式(1)〜(3)を同
時に満足する構成とした場合には、像面の湾曲を極めて
良好に補正することができる。また、本発明において
は、第1反射光学系10は2枚のミラーM1,M2のみ
からなり、第2反射光学系20は2枚のミラーM3,M
4のみからなることが好ましい。これにより、本発明の
反射縮小投影光学系100を、波長5〜15nmの軟X
線領域の光(本明細書では、この光を「EUV(Extreme
Ultra Violet)光」と呼ぶ)や、この波長以下の硬X線
領域の光を露光光として用いる投影露光装置に適用した
場合、当該波長域における反射膜の反射率が低くても、
反射面の数が4面だけなので実用上十分な光量を確保す
ることができる。さらに、反射面の面形状誤差による結
像性能の劣化を招く恐れが少なくなる利点もある。
時に満足する構成とした場合には、像面の湾曲を極めて
良好に補正することができる。また、本発明において
は、第1反射光学系10は2枚のミラーM1,M2のみ
からなり、第2反射光学系20は2枚のミラーM3,M
4のみからなることが好ましい。これにより、本発明の
反射縮小投影光学系100を、波長5〜15nmの軟X
線領域の光(本明細書では、この光を「EUV(Extreme
Ultra Violet)光」と呼ぶ)や、この波長以下の硬X線
領域の光を露光光として用いる投影露光装置に適用した
場合、当該波長域における反射膜の反射率が低くても、
反射面の数が4面だけなので実用上十分な光量を確保す
ることができる。さらに、反射面の面形状誤差による結
像性能の劣化を招く恐れが少なくなる利点もある。
【0025】また、本発明においては、第1のミラー対
を構成するミラーM1,M2と、第2のミラー対を構成
するミラーM3,M4とは、共通の光軸Axに沿って配
置されることが好ましい。これにより、各ミラーM1〜
M4の鏡筒組み込み・調整が容易となる。また、本発明
においては、第1反射光学系10と第2反射光学系20
とは、光軸方向にそって所定の間隔を持つように配置さ
れることが好ましい。これにより、各ミラーM1〜M4
の間に形成される往復光路を少なくすることができるた
め、結果としてオフ・アクシス形状(基準軸に対して非
対称な外形を有する形状)のミラーを少なくすることが
できる。
を構成するミラーM1,M2と、第2のミラー対を構成
するミラーM3,M4とは、共通の光軸Axに沿って配
置されることが好ましい。これにより、各ミラーM1〜
M4の鏡筒組み込み・調整が容易となる。また、本発明
においては、第1反射光学系10と第2反射光学系20
とは、光軸方向にそって所定の間隔を持つように配置さ
れることが好ましい。これにより、各ミラーM1〜M4
の間に形成される往復光路を少なくすることができるた
め、結果としてオフ・アクシス形状(基準軸に対して非
対称な外形を有する形状)のミラーを少なくすることが
できる。
【0026】また、本発明においては、反射縮小投影光
学系100を構成する複数のミラーM1〜M4のうち、
少なくとも2つのミラーM1,M4はこれらミラーの基
準軸に関して対称な外径を有していることが好ましい。
これにより、ミラー製造時の作業の困難性が減り、かつ
組み込み・調整作業が容易となる。また、本発明におい
ては、複数のミラーの全ての表面形状を回転対称な非球
面形状とすることが好ましい。
学系100を構成する複数のミラーM1〜M4のうち、
少なくとも2つのミラーM1,M4はこれらミラーの基
準軸に関して対称な外径を有していることが好ましい。
これにより、ミラー製造時の作業の困難性が減り、かつ
組み込み・調整作業が容易となる。また、本発明におい
ては、複数のミラーの全ての表面形状を回転対称な非球
面形状とすることが好ましい。
【0027】次に、図2を参照して、本発明にかかる反
射縮小投影光学系100を組み込んだ投影露光装置につ
いて説明する。図2には、本発明にかかる反射縮小光学
系100を組み込んだ投影露光装置EXの全体構成が概
略的に示されている。この投影露光装置EXは、露光用
の照明光として波長5〜15nm程度の軟X線領域の光
(EUV光)を用いて、ステップ・アンド・スキャン方
式により露光動作を行う投影露光装置である。なお、図
2においては、投影原版としての反射型レチクルRの縮
小像をウエハW上に形成する反射縮小投影光学系系の光
軸方向をZ方向とし、このZ方向と直交する紙面内方向
をY方向とし、これらYZ方向と直交する紙面垂直方向
をX方向とする。
射縮小投影光学系100を組み込んだ投影露光装置につ
いて説明する。図2には、本発明にかかる反射縮小光学
系100を組み込んだ投影露光装置EXの全体構成が概
略的に示されている。この投影露光装置EXは、露光用
の照明光として波長5〜15nm程度の軟X線領域の光
(EUV光)を用いて、ステップ・アンド・スキャン方
式により露光動作を行う投影露光装置である。なお、図
2においては、投影原版としての反射型レチクルRの縮
小像をウエハW上に形成する反射縮小投影光学系系の光
軸方向をZ方向とし、このZ方向と直交する紙面内方向
をY方向とし、これらYZ方向と直交する紙面垂直方向
をX方向とする。
【0028】この投影露光装置EXは、投影原版(マス
ク)としての反射型レチクルRに描画された回路パター
ンの一部の像を反射縮小投影光学系100を介して感光
性基板としてのウエハW上に投影しつつ、レチクルRと
ウエハWとを反射縮小投影光学系100に対して1次元
方向(ここではY軸方向)に相対走査することによっ
て、反射型レチクルRの回路パターンの全体をウエハW
上の複数のショット領域の各々にステップアンドスキャ
ン方式で転写するものである。
ク)としての反射型レチクルRに描画された回路パター
ンの一部の像を反射縮小投影光学系100を介して感光
性基板としてのウエハW上に投影しつつ、レチクルRと
ウエハWとを反射縮小投影光学系100に対して1次元
方向(ここではY軸方向)に相対走査することによっ
て、反射型レチクルRの回路パターンの全体をウエハW
上の複数のショット領域の各々にステップアンドスキャ
ン方式で転写するものである。
【0029】ここで、本実施形態における露光用の照明
光であるEUV光は、大気に対する透過率が低いため、
EUV光が通過する光路は真空チャンバーVCにより覆
われて外気より遮断されている。まず、図2における照
明光学系系について説明する。レーザ光源30は、赤外
域〜可視域の波長のレーザ光を供給する機能を有し、例
えば半導体レーザ励起によるYAGレーザやエキシマレ
ーザなどを適用できる。このレーザ光は集光光学系31
により集光されて、位置32に集光する。ノズル33は
気体状の物体を位置32へ向けて噴出し、この噴出され
た物体は位置32において高照度のレーザ光を受ける。
このとき、噴出された物体がレーザ光のエネルギで高温
になり、プラズマ状態に励起され、低ポテンシャル状態
へ遷移する際にEUV光を放出する。
光であるEUV光は、大気に対する透過率が低いため、
EUV光が通過する光路は真空チャンバーVCにより覆
われて外気より遮断されている。まず、図2における照
明光学系系について説明する。レーザ光源30は、赤外
域〜可視域の波長のレーザ光を供給する機能を有し、例
えば半導体レーザ励起によるYAGレーザやエキシマレ
ーザなどを適用できる。このレーザ光は集光光学系31
により集光されて、位置32に集光する。ノズル33は
気体状の物体を位置32へ向けて噴出し、この噴出され
た物体は位置32において高照度のレーザ光を受ける。
このとき、噴出された物体がレーザ光のエネルギで高温
になり、プラズマ状態に励起され、低ポテンシャル状態
へ遷移する際にEUV光を放出する。
【0030】この位置32の周囲には、集光光学系を構
成する楕円鏡34が配置されており、この楕円鏡34
は、その第1焦点が位置32とほぼ一致するように位置
決めされている。楕円鏡34の内表面には、EUV光を
反射するための多層膜が設けられており、ここで反射さ
れたEUV光は、楕円鏡34の第2焦点で一度集光した
後、集光光学系を構成する放物面鏡35へ向かう。放物
面鏡35は、その焦点が楕円鏡34の第2焦点位置とほ
ぼ一致するように位置決めされており、その内表面に
は、EUV光を反射するための多層膜が設けられてい
る。
成する楕円鏡34が配置されており、この楕円鏡34
は、その第1焦点が位置32とほぼ一致するように位置
決めされている。楕円鏡34の内表面には、EUV光を
反射するための多層膜が設けられており、ここで反射さ
れたEUV光は、楕円鏡34の第2焦点で一度集光した
後、集光光学系を構成する放物面鏡35へ向かう。放物
面鏡35は、その焦点が楕円鏡34の第2焦点位置とほ
ぼ一致するように位置決めされており、その内表面に
は、EUV光を反射するための多層膜が設けられてい
る。
【0031】放物面鏡35から射出されるEUV光は、
ほぼコリメートされた状態でオプティカルインテグレー
タとしての反射型フライアイ光学系36へ向かう。反射
型フライアイ光学系36は、複数の反射面を集積してな
る第1の反射素子群36aと、第1の反射素子群36a
の複数の反射面と対応した複数の反射面を有する第2の
反射素子群36bとで構成されている。これら第1及び
第2の反射素子群36a,36bを構成する複数の反射
面上にもEUV光を反射させるための多層膜が設けられ
ている。
ほぼコリメートされた状態でオプティカルインテグレー
タとしての反射型フライアイ光学系36へ向かう。反射
型フライアイ光学系36は、複数の反射面を集積してな
る第1の反射素子群36aと、第1の反射素子群36a
の複数の反射面と対応した複数の反射面を有する第2の
反射素子群36bとで構成されている。これら第1及び
第2の反射素子群36a,36bを構成する複数の反射
面上にもEUV光を反射させるための多層膜が設けられ
ている。
【0032】放物面鏡35からのコリメートされたEU
V光は、第1の反射素子群36aにより波面分割され、
各々の反射面からのEUV光が集光されて複数の光源像
が形成される。これら複数の光源像が形成される位置の
近傍のそれぞれには、第2の反射素子群36bの複数の
反射面が位置決めされており、これら第2の反射素子群
36bの複数の反射面は、実質的にフィールドミラーの
機能を果たす。このように、反射型フライアイ光学系3
6は、放物面鏡35からの略平行光束に基づいて、2次
光源としての多数の光源像を形成する。尚、このような
反射型フライアイ光学系36については、本願出願人に
よる特願平10-47400号に提案されている。
V光は、第1の反射素子群36aにより波面分割され、
各々の反射面からのEUV光が集光されて複数の光源像
が形成される。これら複数の光源像が形成される位置の
近傍のそれぞれには、第2の反射素子群36bの複数の
反射面が位置決めされており、これら第2の反射素子群
36bの複数の反射面は、実質的にフィールドミラーの
機能を果たす。このように、反射型フライアイ光学系3
6は、放物面鏡35からの略平行光束に基づいて、2次
光源としての多数の光源像を形成する。尚、このような
反射型フライアイ光学系36については、本願出願人に
よる特願平10-47400号に提案されている。
【0033】本実施形態では、2次光源の形状を制御す
るために、第2の反射素子36b近傍にσ絞りAS1が
設けられている。このσ絞りAS1は、例えば互いに形
状が異なる複数の開口部をターレット上に設けたものか
らなる。そして、σ絞り制御ユニットASC1により、
どの開口部を光路内に配置するのかの制御が行われる。
るために、第2の反射素子36b近傍にσ絞りAS1が
設けられている。このσ絞りAS1は、例えば互いに形
状が異なる複数の開口部をターレット上に設けたものか
らなる。そして、σ絞り制御ユニットASC1により、
どの開口部を光路内に配置するのかの制御が行われる。
【0034】さて、反射型フライアイ光学系36により
形成された2次光源からのEUV光は、この2次光源位
置の近傍が焦点位置となるように位置決めされたコンデ
ンサミラー37へ向かい、このコンデンサミラー37に
て反射集光された後に、光路折り曲げミラー38を介し
て、反射型レチクルR上に達する。これらコンデンサミ
ラー37及び光路折り曲げミラー38の表面には、EU
V光を反射させる多層膜が設けられている。そして、コ
ンデンサミラー37は、2次光源から発するEUV光を
集光して、反射型レチクルRを重畳的に均一照明する。
形成された2次光源からのEUV光は、この2次光源位
置の近傍が焦点位置となるように位置決めされたコンデ
ンサミラー37へ向かい、このコンデンサミラー37に
て反射集光された後に、光路折り曲げミラー38を介し
て、反射型レチクルR上に達する。これらコンデンサミ
ラー37及び光路折り曲げミラー38の表面には、EU
V光を反射させる多層膜が設けられている。そして、コ
ンデンサミラー37は、2次光源から発するEUV光を
集光して、反射型レチクルRを重畳的に均一照明する。
【0035】なお、本実施形態では、反射型レチクルR
へ向かう照明光と、該反射型レチクルRにて反射されて
投影系9へ向かうEUV光との光路分離を空間的に行う
ために、照明系は非テレセントリック系であり、かつ反
射縮小投影光学系100もレチクル側非テレセントリッ
クな光学系としている。さて、反射型レチクルR上に
は、EUV光を反射する多層膜からなる反射膜が設けら
れており、この反射膜は、感光性基板としてのウエハW
上へ転写すべきパターンの形状に応じたパターンとなっ
ている。この反射型レチクルRにて反射されて、反射型
レチクルRのパターン情報を含むEUV光は、反射縮小
投影光学系系100に入射する。
へ向かう照明光と、該反射型レチクルRにて反射されて
投影系9へ向かうEUV光との光路分離を空間的に行う
ために、照明系は非テレセントリック系であり、かつ反
射縮小投影光学系100もレチクル側非テレセントリッ
クな光学系としている。さて、反射型レチクルR上に
は、EUV光を反射する多層膜からなる反射膜が設けら
れており、この反射膜は、感光性基板としてのウエハW
上へ転写すべきパターンの形状に応じたパターンとなっ
ている。この反射型レチクルRにて反射されて、反射型
レチクルRのパターン情報を含むEUV光は、反射縮小
投影光学系系100に入射する。
【0036】反射縮小投影光学系100は、前述におい
て説明した通り、ミラーM1〜M4の4枚構成からな
り、ミラーM1と反射型レチクルRとの間の光路中(ミ
ラーM1とミラーM2との頂点の間)に可変開口絞りA
S2が配置されている。この可変開口絞りAS2は、そ
の開口部の口径が可変となるように構成されており、そ
の口径は可変開口絞り制御ユニットASC2により制御
される。
て説明した通り、ミラーM1〜M4の4枚構成からな
り、ミラーM1と反射型レチクルRとの間の光路中(ミ
ラーM1とミラーM2との頂点の間)に可変開口絞りA
S2が配置されている。この可変開口絞りAS2は、そ
の開口部の口径が可変となるように構成されており、そ
の口径は可変開口絞り制御ユニットASC2により制御
される。
【0037】また、ミラーM2とミラーM3との間の光
路中の中間像形成位置には視野絞りFSが配置されてい
る。なお、反射縮小投影光学系100を構成するミラー
M1〜M4は、基材上にEUV光を反射する多層膜を設
けたものからなる。反射型レチクルRにて反射されたE
UV光は、反射縮小投影光学系100を通過して、ウエ
ハW上の円弧形状の露光領域内に、所定の縮小倍率β
(例えば|β|=1/4,1/5,1/6)のもとで反
射型レチクルRのパターンの縮小像を形成する。なお、
本実施形態においては、露光領域の形状は、反射縮小投
影光学系100内に設けられた視野絞り100により規
定される。
路中の中間像形成位置には視野絞りFSが配置されてい
る。なお、反射縮小投影光学系100を構成するミラー
M1〜M4は、基材上にEUV光を反射する多層膜を設
けたものからなる。反射型レチクルRにて反射されたE
UV光は、反射縮小投影光学系100を通過して、ウエ
ハW上の円弧形状の露光領域内に、所定の縮小倍率β
(例えば|β|=1/4,1/5,1/6)のもとで反
射型レチクルRのパターンの縮小像を形成する。なお、
本実施形態においては、露光領域の形状は、反射縮小投
影光学系100内に設けられた視野絞り100により規
定される。
【0038】また、反射型レチクルRは少なくともY方
向に沿って移動可能なレチクルステージRSにより支持
されており、ウエハWはXYZ方向に沿って移動可能な
ウエハステージWSにより支持されている。これらのレ
チクルステージRS及びウエハステージWSの移動は、
それぞれレチクルステージ制御ユニットRSC及びウエ
ハステージ制御ユニットWSCにより制御される。露光
動作の際には、照明系により反射型レチクルRに対して
EUV光を照射しつつ、反射縮小投影光学系100に対
して反射型レチクルR及びウエハWを、投影系の縮小倍
率により定まる所定の速度比で移動させる。これによ
り、ウエハW上の所定のショット領域内には、反射型レ
チクルRのパターンが走査露光される。
向に沿って移動可能なレチクルステージRSにより支持
されており、ウエハWはXYZ方向に沿って移動可能な
ウエハステージWSにより支持されている。これらのレ
チクルステージRS及びウエハステージWSの移動は、
それぞれレチクルステージ制御ユニットRSC及びウエ
ハステージ制御ユニットWSCにより制御される。露光
動作の際には、照明系により反射型レチクルRに対して
EUV光を照射しつつ、反射縮小投影光学系100に対
して反射型レチクルR及びウエハWを、投影系の縮小倍
率により定まる所定の速度比で移動させる。これによ
り、ウエハW上の所定のショット領域内には、反射型レ
チクルRのパターンが走査露光される。
【0039】なお、本実施形態において、σ絞りAS
1、可変開口絞りAS2、視野絞りFSは、EUV光を
十分に遮光するために、Au、Ta、Wなどの金属から
構成されることが好ましい。
1、可変開口絞りAS2、視野絞りFSは、EUV光を
十分に遮光するために、Au、Ta、Wなどの金属から
構成されることが好ましい。
【0040】
【実施例】以下、本発明にかかる反射縮小投影光学系の
数値実施例について説明する。図1は第1実施例の反射
縮小投影光学系の横断面の光路図であり、図4は第2実
施例の反射縮小投影光学系の横断面の光路図である。な
お、図1及び図4において、横断面における光束の幅の
みを示している。
数値実施例について説明する。図1は第1実施例の反射
縮小投影光学系の横断面の光路図であり、図4は第2実
施例の反射縮小投影光学系の横断面の光路図である。な
お、図1及び図4において、横断面における光束の幅の
みを示している。
【0041】第1及び第2実施例の反射縮小投影光学系
100は、第1面11上の物体の縮小像を第2面12上
に結像する第1反射光学系10と、第2面12上の像を
第3面13上に縮小結像する第2反射光学系20とを有
している。第1反射光学系10は、2つのミラーM1,
M2からなる第1ミラー対を有しており、第2反射光学
系20は、それぞれ回転対称非球面形状の凸面鏡M3及
び凹面鏡M4からなる第2ミラー対を有している。ここ
で、ミラーM1は、図1の第1実施例では近軸上におい
てパワーを有しない回転対称非球面形状であり、図4の
第2実施例では凸面形状を有する回転対称非球面であ
る。また、ミラーM2は凹面形状を有する回転対称非球
面である。
100は、第1面11上の物体の縮小像を第2面12上
に結像する第1反射光学系10と、第2面12上の像を
第3面13上に縮小結像する第2反射光学系20とを有
している。第1反射光学系10は、2つのミラーM1,
M2からなる第1ミラー対を有しており、第2反射光学
系20は、それぞれ回転対称非球面形状の凸面鏡M3及
び凹面鏡M4からなる第2ミラー対を有している。ここ
で、ミラーM1は、図1の第1実施例では近軸上におい
てパワーを有しない回転対称非球面形状であり、図4の
第2実施例では凸面形状を有する回転対称非球面であ
る。また、ミラーM2は凹面形状を有する回転対称非球
面である。
【0042】ここで、各ミラーM1〜M4は、共通の光
軸Ax上に沿って互いに共軸となるように配置されてお
り、この光軸Ax上であって第1面11とミラーM1と
の間の光路中には開口絞りASが配置される。そして、
第1面11からの光は、開口絞りAS、ミラーM1、ミ
ラーM2を順に通過して第2面12上に縮小像を形成
し、この縮小像からの光は、ミラーM3、ミラーM4を
順に通過して第3面13に達し、この第3面上に縮小像
を形成する。
軸Ax上に沿って互いに共軸となるように配置されてお
り、この光軸Ax上であって第1面11とミラーM1と
の間の光路中には開口絞りASが配置される。そして、
第1面11からの光は、開口絞りAS、ミラーM1、ミ
ラーM2を順に通過して第2面12上に縮小像を形成
し、この縮小像からの光は、ミラーM3、ミラーM4を
順に通過して第3面13に達し、この第3面上に縮小像
を形成する。
【0043】上述の通り、第1及び第2実施例における
ミラーM1〜M4は非球面形状を有しているが、この非
球面形状は次式で表される。
ミラーM1〜M4は非球面形状を有しているが、この非
球面形状は次式で表される。
【0044】
【数1】
【0045】ここで、 Y は中心接平面から非球面までの距離、 cは中心曲率 r は光軸からの距離 k はコニック定数 A は4次の非球面係数 B は6次の非球面係数 C は8次の非球面係数 D は10次の非球面係数 である。
【0046】なお、第1実施例の反射縮小投影光学系
は、縮小倍率|β|が1/4倍、像側の開口数NAが
0.1 、最大物体高は 120mmであり、露光領域は
半径30mmで幅1mmの輪帯形状を有している。ここ
で、走査露光を行うことにより、全体として26×33
mmのショット領域に対して露光を行うことができる。
また、物体面としての第1面と最終像面としての第3面
との間の距離は1451mmであり、複数のミラーM1
〜M4の有効径のうち、最大有効径は542mmであ
る。
は、縮小倍率|β|が1/4倍、像側の開口数NAが
0.1 、最大物体高は 120mmであり、露光領域は
半径30mmで幅1mmの輪帯形状を有している。ここ
で、走査露光を行うことにより、全体として26×33
mmのショット領域に対して露光を行うことができる。
また、物体面としての第1面と最終像面としての第3面
との間の距離は1451mmであり、複数のミラーM1
〜M4の有効径のうち、最大有効径は542mmであ
る。
【0047】また、第2実施例の反射縮小投影光学系
は、縮小倍率|β|が1/4倍、像側の開口数NAが
0.1 、最大物体高は 60mmであり、露光領域は半
径15mmで幅1mmの輪帯形状を有している。ここ
で、走査露光を行うことにより、全体として26×33
mmのショット領域に対して露光を行うことができる。
また、物体面としての第1面と最終像面としての第3面
との間の距離は1279mmであり、複数のミラーM1
〜M4の有効径のうち、最大有効径は306mmであ
る。
は、縮小倍率|β|が1/4倍、像側の開口数NAが
0.1 、最大物体高は 60mmであり、露光領域は半
径15mmで幅1mmの輪帯形状を有している。ここ
で、走査露光を行うことにより、全体として26×33
mmのショット領域に対して露光を行うことができる。
また、物体面としての第1面と最終像面としての第3面
との間の距離は1279mmであり、複数のミラーM1
〜M4の有効径のうち、最大有効径は306mmであ
る。
【0048】以下の表1乃至表4に第1及び第2実施例
の反射縮小投影光学系の諸元の値を掲げる。表1及び表
3において、左端には各反射面の面番号を示し、RDY
は各光学面の曲率半径、THIは各反射面間の面間隔を
示す。そして、RDYの列に各反射面の近軸曲率半径を
表し、THIの列に各面間隔を表している。また、表1
及び表3中において、D0は第1面11(レチクル面)
から最も第1面側の光学面までの距離、WDは最も第3
面側の光学面から第3面(最終像面)までの距離、βは
第1面側から反射縮小投影光学系へ光が入射するときの
反射縮小投影光学系系の横倍率、NAは第3面側の開口
数をそれぞれ表している。なお、表1及び表2におい
て、近軸曲率半径RDYの符号は第1面11側に向けて
凸となる場合を正とし、面間隔THIは反射面の前後で
符号が反転するものとしている。
の反射縮小投影光学系の諸元の値を掲げる。表1及び表
3において、左端には各反射面の面番号を示し、RDY
は各光学面の曲率半径、THIは各反射面間の面間隔を
示す。そして、RDYの列に各反射面の近軸曲率半径を
表し、THIの列に各面間隔を表している。また、表1
及び表3中において、D0は第1面11(レチクル面)
から最も第1面側の光学面までの距離、WDは最も第3
面側の光学面から第3面(最終像面)までの距離、βは
第1面側から反射縮小投影光学系へ光が入射するときの
反射縮小投影光学系系の横倍率、NAは第3面側の開口
数をそれぞれ表している。なお、表1及び表2におい
て、近軸曲率半径RDYの符号は第1面11側に向けて
凸となる場合を正とし、面間隔THIは反射面の前後で
符号が反転するものとしている。
【0049】また、表2及び表4には、第1及び第2実
施例の各ミラーM1〜M4の非球面データを示す。
施例の各ミラーM1〜M4の非球面データを示す。
【0050】
【表1】 [第1実施例] D0 = 430.079395 WD = 642.640534 |β|= 0.2498 NA = 0.1 面番号 RDY THI 0 ∞ 430.079395 第1面11(物体面) 1 ∞ 328.252083 開口絞りAS 2 ∞ -567.459189 ミラーM1 3 1042.96191 871.304731 ミラーM2 4 ∞ 293.356081 第2面12(中間像面) 5 409.29671 -547.201623 ミラーM3 6 655.87223 642.640534 ミラーM4 7 ∞ 第3面13(最終像面)
【0051】
【表2】
【0052】
【表3】 [第2実施例] D0 = 421.533199 WD = 626.912313 |β|= 0.2500 NA = 0.1 面番号 RDY THI 0 ∞ 421.533199 第1面11(物体面) 1 ∞ 195.113908 開口絞りAS 2 2430.13474 -533.860357 ミラーM1 3 894.29705 851.779609 ミラーM2 4 ∞ 271.729305 第2面12(中間像面) 5 449.09562 -553.918512 ミラーM3 6 651.05560 626.912313 ミラーM4 7 ∞ 第3面13(最終像面)
【0053】
【表4】
【0054】以下の表5に第1及び第2実施例の反射縮
小投影光学系の条件対応数値を掲げる。
小投影光学系の条件対応数値を掲げる。
【0055】
【表5】 第1実施例 第2実施例 C1 0.000000 0.0004115 C2 0.0009588 0.0011182 C3 0.0024432 0.0022267 C4 0.0015246 0.0015359 (1) (C1-C2) -0.000959 -0.000707 (2) (C3-C4) 0.000919 0.000691 (3) (C1-C2)+(C3-C4) -0.000040 -0.000016 図3及び図5に、第1及び第2実施例の反射縮小投影光
学系の第1面上でのコマ収差図を示す。このコマ収差図
は、波長13.4nmの光を用いて第3面側から光線追
跡することにより得られている。ここで、図3(a)は
物体高Y=122mmにおけるメリジオナル方向のコマ
収差図、図3(b)は物体高Y=120mmにおけるメ
リジオナル方向のコマ収差図、図3(c)は物体高Y=
118mmにおけるメリジオナル方向のコマ収差図、図
3(d)は物体高Y=122mmにおけるサジタル方向
のコマ収差図、図3(e)は物体高Y=120mmにお
けるサジタル方向のコマ収差図、図3(f)は物体高Y
=118mmにおけるサジタル方向のコマ収差図であ
る。また、図5(a)は物体高Y=62mmにおけるメ
リジオナル方向のコマ収差図、図5(b)は物体高Y=
60mmにおけるメリジオナル方向のコマ収差図、図5
(c)は物体高Y=58mmにおけるメリジオナル方向
のコマ収差図、図5(d)は物体高Y=62mmにおけ
るサジタル方向のコマ収差図、図5(e)は物体高Y=
60mmにおけるサジタル方向のコマ収差図、図5
(f)は物体高Y=58mmにおけるサジタル方向のコ
マ収差図である。
学系の第1面上でのコマ収差図を示す。このコマ収差図
は、波長13.4nmの光を用いて第3面側から光線追
跡することにより得られている。ここで、図3(a)は
物体高Y=122mmにおけるメリジオナル方向のコマ
収差図、図3(b)は物体高Y=120mmにおけるメ
リジオナル方向のコマ収差図、図3(c)は物体高Y=
118mmにおけるメリジオナル方向のコマ収差図、図
3(d)は物体高Y=122mmにおけるサジタル方向
のコマ収差図、図3(e)は物体高Y=120mmにお
けるサジタル方向のコマ収差図、図3(f)は物体高Y
=118mmにおけるサジタル方向のコマ収差図であ
る。また、図5(a)は物体高Y=62mmにおけるメ
リジオナル方向のコマ収差図、図5(b)は物体高Y=
60mmにおけるメリジオナル方向のコマ収差図、図5
(c)は物体高Y=58mmにおけるメリジオナル方向
のコマ収差図、図5(d)は物体高Y=62mmにおけ
るサジタル方向のコマ収差図、図5(e)は物体高Y=
60mmにおけるサジタル方向のコマ収差図、図5
(f)は物体高Y=58mmにおけるサジタル方向のコ
マ収差図である。
【0056】図3及び図5からも明らかな通り、第1及
び第2実施例の反射縮小投影光学系は、EUV光の1
3.4nmの単波長において、球面収差、コマ収差とも
ほぼ無収差に近い状態まで良好に補正され、かつ露光領
域内におけるディストーションも良好に補正されてい
る。さて、上記第1及び第2実施例では、各ミラーM1
〜M4を光軸回転対称な高次非球面形状として、各ミラ
ーM1〜M4にて発生する高次収差を補正して良好な結
像性能を達成している。ここで、各ミラーの反射面の面
形状誤差や反射縮小投影光学系の製造時における組み立
て誤差等に起因する回転非対称な収差成分を補正するた
めに、回転対称非球面を回転非対称な非球面としても良
い。
び第2実施例の反射縮小投影光学系は、EUV光の1
3.4nmの単波長において、球面収差、コマ収差とも
ほぼ無収差に近い状態まで良好に補正され、かつ露光領
域内におけるディストーションも良好に補正されてい
る。さて、上記第1及び第2実施例では、各ミラーM1
〜M4を光軸回転対称な高次非球面形状として、各ミラ
ーM1〜M4にて発生する高次収差を補正して良好な結
像性能を達成している。ここで、各ミラーの反射面の面
形状誤差や反射縮小投影光学系の製造時における組み立
て誤差等に起因する回転非対称な収差成分を補正するた
めに、回転対称非球面を回転非対称な非球面としても良
い。
【0057】また、上述の第1及び第2実施例では、使
用波長としてEUV光の13.4nmを用いているが、
本発明にかかる反射縮小投影光学系はEUV光のもとで
の使用には限られない。本発明にかかる反射縮小投影光
学系は、例えば5nm以下の硬X線領域や、100nm
〜200nmの真空紫外領域においても使用可能であ
る。ここで、硬X線領域の光源としては、例えばシンク
ロトロン放射光などが使用でき、真空紫外領域の光源と
しては、ArFエキシマレーザ(波長193nm)、F
2エキシマレーザ(波長157nm)などを用いること
ができる。
用波長としてEUV光の13.4nmを用いているが、
本発明にかかる反射縮小投影光学系はEUV光のもとで
の使用には限られない。本発明にかかる反射縮小投影光
学系は、例えば5nm以下の硬X線領域や、100nm
〜200nmの真空紫外領域においても使用可能であ
る。ここで、硬X線領域の光源としては、例えばシンク
ロトロン放射光などが使用でき、真空紫外領域の光源と
しては、ArFエキシマレーザ(波長193nm)、F
2エキシマレーザ(波長157nm)などを用いること
ができる。
【0058】また、上述の第1及び第2実施例では、第
1反射光学系を縮小倍率とし、第2反射光学系を縮小倍
率としているが、例えば第1反射光学系を縮小倍率と
し、第2反射光学系を等倍または拡大倍率とすること
や、第1反射光学系を等倍または拡大倍率とし、第2反
射光学系を縮小倍率としても良い。さて、上述の各実施
例では、第1面11とミラーM1との間の光路中に開口
絞りを配置する構成としたが、第1面11からミラーM
1へ向かう光路とミラーM1からミラーM2へ向かう光
路との光軸直交方向の間隔が狭くなる場合には、光束の
全周を覆う形状の開口絞り(円形開口を持つ開口絞り)
を配置することが困難となる場合がある。この場合に
は、例えば特開平6-230287号公報において提案されてい
るように、第1反射光学系10中に光束の周縁の一部を
規定する開口絞りを設け、第2反射光学系20中に光束
の周縁の他部を規定する開口絞りを設ければ良い。この
とき、図6に示す如く、第1反射光学系10中の開口絞
りS1は図1の反射縮小投影光学系の開口絞り位置に配
置すれば良く、第2反射光学系20中の開口絞りS2は
ミラーM3からミラーM4へ向かう光束中の主光線が光
軸Axを横切る位置近傍に配置すれば良い。
1反射光学系を縮小倍率とし、第2反射光学系を縮小倍
率としているが、例えば第1反射光学系を縮小倍率と
し、第2反射光学系を等倍または拡大倍率とすること
や、第1反射光学系を等倍または拡大倍率とし、第2反
射光学系を縮小倍率としても良い。さて、上述の各実施
例では、第1面11とミラーM1との間の光路中に開口
絞りを配置する構成としたが、第1面11からミラーM
1へ向かう光路とミラーM1からミラーM2へ向かう光
路との光軸直交方向の間隔が狭くなる場合には、光束の
全周を覆う形状の開口絞り(円形開口を持つ開口絞り)
を配置することが困難となる場合がある。この場合に
は、例えば特開平6-230287号公報において提案されてい
るように、第1反射光学系10中に光束の周縁の一部を
規定する開口絞りを設け、第2反射光学系20中に光束
の周縁の他部を規定する開口絞りを設ければ良い。この
とき、図6に示す如く、第1反射光学系10中の開口絞
りS1は図1の反射縮小投影光学系の開口絞り位置に配
置すれば良く、第2反射光学系20中の開口絞りS2は
ミラーM3からミラーM4へ向かう光束中の主光線が光
軸Axを横切る位置近傍に配置すれば良い。
【0059】このように本発明は上述の実施形態に限定
されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を
とり得る。
されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を
とり得る。
【0060】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、従来のオ
フナー型や変形オフナー型とは異なる収差補正原理を用
いることにより、比較的に反射面の数が少なく抑えつつ
も極めて優れた結像性能を達成し、さらに実際に製造さ
れたものの結像性能も向上させることができる。
フナー型や変形オフナー型とは異なる収差補正原理を用
いることにより、比較的に反射面の数が少なく抑えつつ
も極めて優れた結像性能を達成し、さらに実際に製造さ
れたものの結像性能も向上させることができる。
【図1】第1実施例の反射縮小投影光学系の横断面の光
路図である。
路図である。
【図2】本発明の反射縮小投影光学系を備えた露光装置
の構成を示す図である。
の構成を示す図である。
【図3】第1実施例のコマ収差図である。
【図4】第2実施例の反射縮小投影光学系の横断面の光
路図である。
路図である。
【図5】第2実施例のコマ収差図である。
【図6】反射縮小投影光学系の変形例の光路図である。
10 :第1反射光学系 11 :第1面 12 :第2面 13 :第3面 20 :第2反射光学系 100:反射縮小投影光学系 AS :開口絞り Ax :光軸 FS :視野絞り M1〜M4:ミラー
Claims (14)
- 【請求項1】第1面上の物体を第2面上に結像する第1
反射光学系と、前記第2面上の像を第3面上に結像する
第2反射光学系とを備え、第3面上に第1面上の物体の
縮小像を形成する反射縮小投影光学系において、 前記第1反射光学系は2つのミラーからなる第1ミラー
対からなり、 前記第2反射光学系は凸面鏡及び凹面鏡からなる第2ミ
ラー対からなり、 前記第1及び第2ミラー対は、前記第1面からの光が前
記第1ミラー対を経由した後に前記第2面上に中間像を
形成し、該中間像からの光が前記凸面鏡及び前記凹面鏡
の順で前記第2ミラー対を通過して前記第3面へ向かう
ように位置決めされていることを特徴とする反射縮小投
影光学系。 - 【請求項2】前記第2面上には、視野絞りが配置されて
いることを特徴とする請求項1記載の反射縮小投影光学
系。 - 【請求項3】前記第1反射光学系は、縮小倍率を有する
ことを特徴とする請求項1または2記載の反射縮小投影
光学系。 - 【請求項4】前記第2反射光学系は、縮小倍率を有する
ことを特徴とする請求項1乃至3の何れか一項記載の反
射縮小投影光学系。 - 【請求項5】前記第1ミラー対を構成する2つのミラー
のそれぞれの頂点の間に位置する開口絞りをさらに有
し、 該開口絞りは、該開口絞りに入射する光束の全周を囲む
形状であることを特徴とする請求項1乃至4の何れか一
項記載の反射縮小投影光学系。 - 【請求項6】前記開口絞りは、前記第3面側がテレセン
トリックとなるように位置決めされることを特徴とする
請求項5記載の反射縮小投影光学系。 - 【請求項7】前記第1ミラー対は、前記中間像側に凹面
を向けた凹面鏡を有することを特徴とする請求項1乃至
6の何れか一項記載の反射縮小投影光学系。 - 【請求項8】前記第1ミラー対を構成する2つのミラー
の曲率をそれぞれC1、C2とし、前記第2ミラー対中の前
記凸面鏡の曲率をC3、前記第2ミラー対中の前記凹面鏡
の曲率をC4とするとき、 以下の条件を満足することを特徴とする請求項1乃至7
の何れか一項記載の反射縮小投影光学系。 - 0.005 < ( C1 - C2 ) < 0.005 - 0.005 < ( C3 - C4 ) < 0.005 - 0.005 < ( C1 - C2 ) + ( C3 - C4 ) < 0.005 - 【請求項9】前記第1反射光学系は2枚のミラーのみか
らなり、 前記第2反射光学系は2枚のミラーのみからなることを
特徴とする請求項1乃至8の何れか一項記載の反射縮小
投影光学系。 - 【請求項10】前記第1のミラー対を構成するミラーと
前記第2のミラー対を構成するミラーとは、共通の光軸
に沿って配置されていることを特徴とする請求項1乃至
9の何れか一項記載の反射縮小投影光学系。 - 【請求項11】前記第1反射光学系と前記第2反射光学
系とは、光軸方向にそって所定の間隔を持つように配置
されることを特徴とする請求項1乃至10の何れか一項
記載の反射縮小投影光学系。 - 【請求項12】前記反射縮小投影光学系を構成する複数
のミラーのうち、少なくとも2つのミラーは該ミラーの
基準軸に関して対称な外径を有していることを特徴とす
る請求項1乃至11の何れか一項記載の反射縮小投影光
学系。 - 【請求項13】所定波長の光を投影原版へ導く照明光学
系と、 該照明光学系からの光に基づいて、前記投影原版の縮小
像を感光性基板上に形成する投影光学系とを備え、 前記投影光学系は、請求項1乃至12の何れか一項記載
の反射縮小投影光学系であり、 前記反射縮小投影光学系に対して前記投影原版及び前記
感光性基板を相対的に移動させつつ露光を行うことを特
徴とする投影露光装置。 - 【請求項14】所定波長の光を投影原版へ導き、該光に
基づいて前記投影原版の縮小像を感光性基板上に形成す
る露光方法において、 請求項1乃至12の何れか一項記載の反射縮小投影光学
系を用いて前記縮小像を前記感光性基板上に形成し、該
縮小像を前記感光性基板上で走査させることを特徴とす
る露光方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10266129A JP2000098228A (ja) | 1998-09-21 | 1998-09-21 | 投影露光装置及び露光方法、並びに反射縮小投影光学系 |
US09/397,883 US6213610B1 (en) | 1998-09-21 | 1999-09-17 | Catoptric reduction projection optical system and exposure apparatus and method using same |
US09/760,891 US6302548B2 (en) | 1998-09-21 | 2001-01-17 | Catoptric reduction projection optical system and exposure apparatus and method using same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10266129A JP2000098228A (ja) | 1998-09-21 | 1998-09-21 | 投影露光装置及び露光方法、並びに反射縮小投影光学系 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000098228A true JP2000098228A (ja) | 2000-04-07 |
Family
ID=17426743
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10266129A Pending JP2000098228A (ja) | 1998-09-21 | 1998-09-21 | 投影露光装置及び露光方法、並びに反射縮小投影光学系 |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000098228A (ja) |
Cited By (11)
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-
1998
- 1998-09-21 JP JP10266129A patent/JP2000098228A/ja active Pending
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