JP2000091291A - Washing method of silicon wafer - Google Patents
Washing method of silicon waferInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】 本発明は、シリコンウエハ
表面の清浄化と酸化膜耐圧特性を改善するためのシリコ
ンウエハの洗浄方法に関する。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a method of cleaning a silicon wafer for cleaning the surface of the silicon wafer and improving the withstand voltage characteristics of an oxide film.
【０００２】[0002]
【従来の技術】 近年、半導体デバイスの高集積化に伴
うチップサイズの大型化が進むに従って、シリコンウエ
ハ表面の清浄度に加えて、大面積にわたって耐圧不良の
ない電気的絶縁性の優れた高品質の酸化膜を形成するこ
とが要求されている。このとき、シリコンウエハ表面上
の有機化合物を除去することと、遷移金属不純物（特
に、Ｃｕ）の除去および再付着の防止することが、半導
体デバイスの電気的特性を向上させる上で必要不可欠で
ある。2. Description of the Related Art In recent years, as the chip size has increased with the increase in the degree of integration of semiconductor devices, in addition to the cleanliness of the silicon wafer surface, high quality with excellent electrical insulation properties without a breakdown voltage over a large area. It is required to form an oxide film. At this time, it is indispensable to remove the organic compound on the surface of the silicon wafer and to remove transition metal impurities (especially, Cu) and to prevent reattachment, in order to improve the electrical characteristics of the semiconductor device. .
【０００３】 このため、従来から用いられてきたＨＦ
−Ｈ2Ｏ2混合液（ＤＨＦ）、Ｈ2ＳＯ4−Ｈ2Ｏ2混合液
（ＳＰＭ）、ＨＣｌ−Ｈ2Ｏ2混合液（ＨＰＭ）等による
洗浄により、上記の目的を達成しようと試みられてき
た。しかしながら、上記の方法では、シリコンウエハ表
面上の有機化合物を除去することや、遷移金属不純物
（特に、Ｃｕ）を十分に除去することが難しいという問
題点があった。[0003] For this reason, the conventionally used HF
-H 2 O 2 mixture (DHF), by washing with H 2 SO 4 -H 2 O 2 mixture (SPM), HCl-H 2 O 2 mixture (HPM) such as, attempts to achieve the above I have been. However, the above method has a problem that it is difficult to remove the organic compound on the surface of the silicon wafer and to sufficiently remove transition metal impurities (particularly, Cu).
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】 本発明は上記した従
来の課題に鑑みてなされたものであり、その目的とする
ところは、有機化合物の分解・除去及び遷移金属不純物
（特に、Ｃｕ）の除去に優れたオゾン添加超純水洗浄
と、洗浄効果に優れたＮＨ4ＯＨ−Ｈ2Ｏ2−Ｈ2Ｏ混合液
による洗浄を組み合わせることにより、シリコンウエハ
表面の酸化膜耐圧特性と清浄度の両方を一挙に改善する
ことができるシリコンウエハの洗浄方法を提供するもの
である。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional problems, and has as its object to decompose and remove organic compounds and remove transition metal impurities (particularly, Cu). excellent ozone added ultrapure water cleaning were, by combining the washing with an excellent cleaning effect NH 4 OH-H 2 O 2 -H 2 O mixture, both the oxide dielectric breakdown voltage characteristics and the cleanliness of the surface of the silicon wafer It is intended to provide a method for cleaning a silicon wafer, which can improve all at once.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】 すなわち、本発明によ
れば、シリコンウエハ表面の清浄化と酸化膜耐圧特性を
改善するためのシリコンウエハの洗浄方法であって、
（ａ）オゾン添加超純水でシリコンウエハを洗浄し、
（ｂ）３０〜７０℃のＮＨ4ＯＨ−Ｈ2Ｏ2−Ｈ2Ｏ混合液
でシリコンウエハを洗浄した後、（ｃ）更に、オゾン添
加超純水でシリコンウエハを洗浄し、（ｄ）４０〜８０
℃のＮＨ4ＯＨ−Ｈ2Ｏ2−Ｈ2Ｏ混合液でシリコンウエハ
を洗浄することを特徴とするシリコンウエハの洗浄方法
が提供される。That is, according to the present invention, there is provided a silicon wafer cleaning method for cleaning a silicon wafer surface and improving an oxide film breakdown voltage characteristic,
(A) cleaning the silicon wafer with ozone-added ultrapure water,
(B) After cleaning the silicon wafer with a mixed solution of NH 4 OH—H 2 O 2 —H 2 O at 30-70 ° C., (c) further cleaning the silicon wafer with ozone-added ultrapure water; 40-80
° C. NH 4 cleaning method of silicon wafers, characterized by washing the silicon wafer with OH-H 2 O 2 -H 2 O mixture are provided.
【０００６】 また、本発明においては、オゾン添加超
純水のオゾン濃度が、５〜２０ｐｐｍであり、ＮＨ4Ｏ
Ｈ−Ｈ2Ｏ2−Ｈ2Ｏ混合液のＮＨ4ＯＨ：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏ
（体積比）が、１：５：１００〜１：１０：１００であ
ることが好ましい。[0006] In the present invention, the ozone concentration of the ozonated ultrapure water, a 5 to 20 ppm, NH 4 O
NH 4 OH in H-H 2 O 2 -H 2 O mixture: H 2 O 2: H 2 O
(Volume ratio) is preferably from 1: 5: 100 to 1: 10: 100.
【０００７】 更に、本発明においては、工程（ｂ）及
び工程（ｄ）の後に、シリコンウエハをリンスすること
が好ましい。Further, in the present invention, it is preferable to rinse the silicon wafer after the steps (b) and (d).
【０００８】[0008]
【発明の実施の形態】 本発明のシリコンウエハの洗浄
方法は、シリコンウエハ表面の清浄化と酸化膜耐圧特性
を改善するためのシリコンウエハの洗浄方法であって、
オゾン添加超純水でシリコンウエハを洗浄し、３０〜７
０℃のＮＨ4ＯＨ−Ｈ2Ｏ2−Ｈ2Ｏ混合液でシリコンウエ
ハを洗浄した後、更に、オゾン添加超純水でシリコンウ
エハを洗浄し、４０〜８０℃のＮＨ4ＯＨ−Ｈ2Ｏ2−Ｈ2
Ｏ混合液でシリコンウエハを洗浄するものである。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A silicon wafer cleaning method of the present invention is a silicon wafer cleaning method for cleaning a silicon wafer surface and improving an oxide film breakdown voltage characteristic,
Clean the silicon wafer with ozone-added ultrapure water,
After cleaning the silicon wafer with a mixed solution of NH 4 OH—H 2 O 2 —H 2 O at 0 ° C., the silicon wafer is further cleaned with ozone-added ultrapure water, and the NH 4 OH—H 2 at 40 to 80 ° C. O 2 -H 2
This is for cleaning a silicon wafer with an O mixed solution.
【０００９】 上記のようなシリコンウエハの洗浄方法
は、有機化合物の分解・除去及び遷移金属不純物（特
に、Ｃｕ）の除去に優れたオゾン添加超純水洗浄と、洗
浄効果に優れたＮＨ4ＯＨ−Ｈ2Ｏ2−Ｈ2Ｏ混合液による
洗浄を組み合わせることにより、シリコンウエハ表面の
酸化膜耐圧特性と清浄度の両方を一挙に改善することが
できる。The method for cleaning a silicon wafer as described above includes cleaning with ozone-added ultrapure water excellent in decomposing and removing organic compounds and removing transition metal impurities (particularly Cu), and NH 4 OH excellent in cleaning effect. By combining the cleaning with the -H 2 O 2 -H 2 O mixed solution, both the oxide film breakdown voltage characteristics and the cleanliness of the silicon wafer surface can be improved at once.
【００１０】 次に、本発明のシリコンウエハの洗浄方
法について詳細に説明する。本発明のシリコンウエハの
洗浄方法の主な特徴は、シリコンウエハをオゾン添加超
純水で洗浄した後、ＮＨ4ＯＨ−Ｈ2Ｏ2−Ｈ2Ｏ混合液
（ＡＰＭ［ＳＣ−１］）で洗浄する工程を少なくとも２
回繰り返すことにある。これにより、１回目の洗浄工程
で、予めシリコンウエハ表面の遷移金属不純物（特に、
Ｃｕ）、有機汚染物及びパーティクルをある程度除去し
た後、２回目の洗浄工程で、１回目の洗浄工程で除去し
きれなかったシリコンウエハ表面の遷移金属不純物（特
に、Ｃｕ）、有機汚染物及びパーティクルを確実に除去
することができるため、前記洗浄工程を１回行う時と比
較して、シリコンウエハ表面の酸化膜耐圧特性と清浄度
の両方を大幅に改善することができる。Next, the method for cleaning a silicon wafer of the present invention will be described in detail. Key features of the silicon wafer cleaning method of the present invention, after cleaning the silicon wafer with ozone added ultrapure water, NH 4 OH-H 2 O 2 -H 2 O mixture (APM [SC-1]) At least two washing steps
To repeat times. Thereby, in the first cleaning step, transition metal impurities (particularly,
After removing Cu), organic contaminants and particles to some extent, in the second cleaning step, transition metal impurities (especially Cu), organic contaminants and particles on the silicon wafer surface that could not be completely removed in the first cleaning step Can be surely removed, so that both the oxide film breakdown voltage characteristic and the cleanliness of the silicon wafer surface can be significantly improved as compared with the case where the cleaning step is performed once.
【００１１】 このとき、本発明のシリコンウエハの洗
浄方法は、オゾン添加超純水でシリコンウエハを洗浄す
ることが重要である。これにより、従来の方法と比較し
て、有機化合物及び遷移金属不純物（特に、Ｃｕ）を確
実に除去できることができる。At this time, in the method for cleaning a silicon wafer of the present invention, it is important to clean the silicon wafer with ozone-added ultrapure water. Thereby, the organic compound and the transition metal impurities (particularly, Cu) can be surely removed as compared with the conventional method.
【００１２】 次に、オゾン添加超純水洗浄によるシリ
コンウエハ表面の遷移金属不純物の付着防止メカニズム
について、Ｃｕを例にとって説明する。オゾンが超純水
中に存在しないときには、Ｃｕ2+イオンは、シリコンウ
エハ表面のＳｉから電子を受け取り付着するが、オゾン
を添加すると、オゾンがＣｕ2+イオンより優先的にＳｉ
から電子を奪うため、シリコンウエハ表面のＳｉはオゾ
ンにより酸化され、ＣｕがＣｕ2+イオンとして超純水中
に残り、Ｓｉとの付着を防止することができる。また、
仮にシリコンウエハ表面のＳｉにＣｕが付着した場合で
あっても、酸化剤であるオゾンが、Ｃｕから電子を奪
い、イオン化することにより、Ｃｕ2+イオンとして超純
水中に再溶解させることができる。更に、シリコンウエ
ハ表面のＳｉが酸化され、シリコンウエハ表面が酸化膜
で覆われていくに従い、Ｃｕ2+イオンとＳｉとの電子の
交換が起こり難くなるため、シリコンウエハ表面上への
Ｃｕの付着を更に抑制することができる。Next, a mechanism of preventing transition metal impurities from adhering to the silicon wafer surface by cleaning with ozone-added ultrapure water will be described using Cu as an example. When ozone is not present in ultrapure water, Cu 2+ ions receive and attach electrons from Si on the surface of the silicon wafer. However, when ozone is added, ozone is given priority over Cu 2+ ions.
Si on the surface of the silicon wafer is oxidized by ozone, and Cu remains as Cu 2+ ions in the ultrapure water to prevent the adhesion with Si. Also,
Even if Cu adheres to Si on the silicon wafer surface, ozone, which is an oxidizing agent, deprives Cu of electrons and ionizes it, so that it can be redissolved in ultrapure water as Cu 2+ ions. it can. Further, as the silicon on the silicon wafer surface is oxidized and the silicon wafer surface is covered with the oxide film, the exchange of electrons between Cu 2+ ions and Si becomes less likely to occur, so that Cu adheres to the silicon wafer surface. Can be further suppressed.
【００１３】 また、シリコンウエハをオゾン添加超純
水で洗浄することにより、フォトレジスト以外の有機物
を室温で効果的に除去することができるだけでなく、シ
リコンウエハ表面のマイクロラフネスを抑制する効果も
ある。Further, by cleaning the silicon wafer with ozone-added ultrapure water, not only organic substances other than the photoresist can be effectively removed at room temperature, but also there is an effect of suppressing micro roughness on the silicon wafer surface. .
【００１４】 更に、予めシリコンウエハをオゾン添加
超純水で洗浄しておくことにより、ＮＨ4ＯＨ−Ｈ2Ｏ2
−Ｈ2Ｏ混合液（ＡＰＭ［ＳＣ−１］）による洗浄を高
温（６０〜８０℃）で行っても、シリコンウエハ表面の
酸化膜耐圧特性を劣化させることがないため、シリコン
ウエハ表面の清浄度（特に、パーティクルの洗浄効果）
を向上させることができる。Further, by previously cleaning the silicon wafer with ozone-added ultrapure water, NH 4 OH—H 2 O 2
Be performed -H 2 O mixture was washed by (APM [SC-1]) at high temperature (60-80 ° C.), since there is no degrade the oxide dielectric breakdown voltage characteristics of the silicon wafer surface, cleaning of the surface of the silicon wafer Degree (especially particle cleaning effect)
Can be improved.
【００１５】 尚、前記のような効果を十分に発揮させ
るためには、オゾン添加超純水のオゾン濃度が、５〜２
０ｐｐｍであることが好ましい。In order to sufficiently exhibit the above-mentioned effects, the ozone concentration of the ozone-added ultrapure water must be 5 to 2
It is preferably 0 ppm.
【００１６】 また、本発明のシリコンウエハの洗浄方
法は、上記に示したように、１回目の洗浄工程と２回目
の洗浄工程で用いるＮＨ4ＯＨ−Ｈ2Ｏ2−Ｈ2Ｏ混合液
（ＳＣ−１）の温度を変えている点が重要である。１回
目の洗浄工程で用いるＮＨ4ＯＨ−Ｈ2Ｏ2−Ｈ2Ｏ混合液
（３０〜７０℃）は、２回目の洗浄工程の負担を軽減す
るために、予めシリコンウエハ表面の有機汚染物、パー
ティクル及び遷移金属不純物（特に、Ｃｕ）をある程度
除去することが目的である。Further, as described above, the silicon wafer cleaning method of the present invention employs a NH 4 OH—H 2 O 2 —H 2 O mixed solution (used in the first cleaning step and the second cleaning step). It is important that the temperature of SC-1) is changed. The NH 4 OH—H 2 O 2 —H 2 O mixed solution (30 to 70 ° C.) used in the first cleaning step is used to reduce the burden of the second cleaning step on organic contaminants on the silicon wafer surface in advance. It is an object to remove particles and transition metal impurities (especially Cu) to some extent.
【００１７】 次に、２回目の洗浄工程で用いるＮＨ4
ＯＨ−Ｈ2Ｏ2−Ｈ2Ｏ混合液（４０〜８０℃）は、非選
択化学エッチング性と洗浄効果（特に、パーティクル）
を強化したものであり、１回目の洗浄工程で除去しきれ
なかったシリコンウエハ表面の遷移金属不純物（特に、
Ｃｕ）及びパーティクルを確実に除去することが目的で
ある。このとき、前記ＮＨ4ＯＨ−Ｈ2Ｏ2−Ｈ2Ｏ混合液
の温度が、４０℃未満である場合、パーティクルの洗浄
効果が十分でなく、８０℃を超過する場合、Ｈ2Ｏ2がす
ぐ分解してしまい、その酸化力を持続することが困難で
あることから、７０〜７５℃であることが望ましい。Next, NH 4 used in the second cleaning step
OH-H 2 O 2 -H 2 O mixture (40 to 80 ° C.) is a non-selective chemical etching of the cleaning effect (particularly, particles)
Transition metal impurities on the silicon wafer surface that could not be completely removed in the first cleaning step (particularly,
The purpose is to reliably remove Cu) and particles. At this time, if the temperature of the NH 4 OH—H 2 O 2 —H 2 O mixed solution is less than 40 ° C., the effect of cleaning particles is not sufficient, and if the temperature exceeds 80 ° C., H 2 O 2 is reduced. The temperature is desirably 70 to 75 ° C. because it is quickly decomposed and it is difficult to maintain its oxidizing power.
【００１８】 尚、このとき用いるＮＨ4ＯＨ−Ｈ2Ｏ2
−Ｈ2Ｏ混合液（ＳＣ−１）は、ＮＨ4ＯＨ：Ｈ2Ｏ2：Ｈ
2Ｏ（体積比）が１：５：１００〜１：１０：１００で
あることが好ましいが、ＮＨ4ＯＨ：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏ（体
積比）が１：１：１０〜１：１０：１０であってもよ
い。The NH 4 OH—H 2 O 2 used at this time is
-H 2 O mixture (SC-1) are, NH 4 OH: H 2 O 2: H
2 O is (volume ratio) 1: 5: 100: 10: is preferably a 100, NH 4 OH: H 2 O 2: H 2 O ( by volume) of 1: 1: 10-1: It may be 10:10.
【００１９】[0019]
【実施例】 本発明を実施例に基づいて、更に詳細に説
明するが、本発明はこれらの実施例に限られるものでは
ない。尚、シリコンウエハ表面の酸化膜耐圧特性および
清浄度は、以下に示す方法により評価した。EXAMPLES The present invention will be described in more detail based on examples, but the present invention is not limited to these examples. The oxide film breakdown voltage characteristics and cleanliness of the silicon wafer surface were evaluated by the following methods.
【００２０】 （シリコンウエハ表面の酸化膜耐圧特性
の評価方法）ゲート酸化膜２００オングストローム、キ
ャパシタ面積１ｍｍ2の条件で、酸化膜破壊電荷量が、
０．０００１クーロン以下であるものを不良とし、試験
を行った。シリコンウエハ上の全測定点に対する発生不
良個数の割合を不良率として評価した。(Evaluation Method of Oxide Film Withstand Voltage Characteristics on Silicon Wafer Surface) Under the conditions of a gate oxide film of 200 Å and a capacitor area of 1 mm 2 , the oxide film breakdown charge amount becomes
The test was performed with a test piece having a value of 0.0001 coulomb or less as bad. The ratio of the number of occurrence failures to all the measurement points on the silicon wafer was evaluated as a failure rate.
【００２１】 （シリコンウエハ表面の清浄度の評価方
法） 日立電子エンジニアリング社製：ＬＳ６０００を用いて
測定したＬＰＤ（≧０．２μｍ）に基づいてシリコンウ
エハ表面の清浄度の評価を行った。尚、ＬＰＤ（ライト
・ポイント・ディフェクト）とは、集光下で輝点として
観察できる欠陥、パーティクルおよび結晶欠陥等を表し
たものである。(Method for Evaluating Cleanliness of Silicon Wafer Surface) The cleanliness of the silicon wafer surface was evaluated based on LPD (≧ 0.2 μm) measured by LS6000 manufactured by Hitachi Electronics Engineering Co., Ltd. Note that LPD (light point defect) represents defects, particles, crystal defects, and the like that can be observed as bright spots under condensed light.
【００２２】 （実施例１〜４、比較例１〜４）ポリッ
シング後のシリコンウエハ（サイズ：２００ｍｍ）を、
表１に示す条件でそれぞれ洗浄した時におけるシリコン
ウエハ表面の酸化膜耐圧特性および清浄度をそれぞれ測
定した（実施例１〜４、比較例１〜４）。得られた結果
を表２に示す。(Examples 1 to 4, Comparative Examples 1 to 4) A silicon wafer (size: 200 mm) after polishing was
The oxide film breakdown voltage characteristics and cleanliness of the silicon wafer surface when each was cleaned under the conditions shown in Table 1 were measured (Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 4). Table 2 shows the obtained results.
【００２３】[0023]
【表１】 [Table 1]
【００２４】[0024]
【表２】 [Table 2]
【００２５】 （考察）表２の結果から、実施例１〜４
は、比較例１〜４と比較して、シリコンウエハ表面の酸
化膜耐圧特性を十分満足することが判明した。また、実
施例１〜２（ＳＴＥＰ４で用いるＳＣ−１の液温が７５
℃の場合）は、シリコンウエハ表面の酸化膜耐圧特性だ
けでなく、清浄度も同時に満足することができた。(Consideration) From the results in Table 2, Examples 1 to 4
Was found to sufficiently satisfy the oxide film breakdown voltage characteristics on the surface of the silicon wafer as compared with Comparative Examples 1 to 4. Further, in Examples 1 and 2 (the liquid temperature of SC-1 used in STEP 4 was 75
In the case of (° C.), not only the oxide film withstand voltage characteristic of the silicon wafer surface but also the cleanliness could be satisfied at the same time.
【００２６】[0026]
【発明の効果】 以上の説明から明らかなように、本発
明のシリコンウエハの洗浄方法は、有機化合物の分解・
除去及び遷移金属不純物（特に、Ｃｕ）の除去に優れた
オゾン添加超純水洗浄と、洗浄効果に優れたＮＨ4ＯＨ
−Ｈ2Ｏ2−Ｈ2Ｏ混合液による洗浄を組み合わせること
により、シリコンウエハ表面の酸化膜耐圧特性と清浄度
の両方を一挙に改善することができる。また、従来の洗
浄方法と比較して、ＨＦ，Ｈ2ＳＯ4，ＨＣｌ等の化学薬
品の使用量を大幅に削減することができるため、コスト
削減と環境汚染の防止に寄与することができる。As is clear from the above description, the method for cleaning a silicon wafer according to the present invention is capable of decomposing and decomposing an organic compound.
Ozone-added ultrapure water cleaning excellent in removal and removal of transition metal impurities (especially Cu), and NH 4 OH excellent in cleaning effect
By combining the cleaning with the -H 2 O 2 -H 2 O mixed solution, both the oxide film breakdown voltage characteristics and the cleanliness of the silicon wafer surface can be improved at once. In addition, compared with the conventional cleaning method, the amount of use of chemicals such as HF, H 2 SO 4 , and HCl can be significantly reduced, which can contribute to cost reduction and prevention of environmental pollution.
Claims (4)
圧特性を改善するためのシリコンウエハの洗浄方法であ
って、 （ａ）オゾン添加超純水でシリコンウエハを洗浄し、 （ｂ）３０〜７０℃のＮＨ4ＯＨ−Ｈ2Ｏ2−Ｈ2Ｏ混合液
でシリコンウエハを洗浄した後、 （ｃ）更に、オゾン添加超純水でシリコンウエハを洗浄
し、 （ｄ）４０〜８０℃のＮＨ4ＯＨ−Ｈ2Ｏ2−Ｈ2Ｏ混合液
でシリコンウエハを洗浄することを特徴とするシリコン
ウエハの洗浄方法。1. A method for cleaning a silicon wafer for cleaning the surface of the silicon wafer and improving the withstand voltage characteristics of an oxide film, comprising: (a) cleaning the silicon wafer with ozone-added ultrapure water; After cleaning the silicon wafer with a mixed solution of NH 4 OH—H 2 O 2 —H 2 O at 70 ° C., (c) further cleaning the silicon wafer with ozone-added ultrapure water; NH 4 OH-H 2 O 2 -H 2 O mixture method of cleaning a silicon wafer, characterized by washing the silicon wafer with.
２０ｐｐｍである請求項１に記載のシリコンウエハの洗
浄方法。2. The ozone concentration of ozone-added ultrapure water is 5 to 5.
2. The method for cleaning a silicon wafer according to claim 1, wherein the amount is 20 ppm.
4ＯＨ：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏ（体積比）が、１：５：１００〜
１：１０：１００である請求項１又は２に記載のシリコ
ンウエハの洗浄方法。3. The NH 4 OH—H 2 O 2 —H 2 O mixed solution of NH 4 OH—H 2 O 2 —H 2 O
4 OH: H 2 O 2 : H 2 O (volume ratio) is 1: 5: 100-
3. The method for cleaning a silicon wafer according to claim 1, wherein the ratio is 1: 10: 100.
コンウエハをリンスする請求項１〜３のいずれか１項に
記載のシリコンウエハの洗浄方法。4. The method for cleaning a silicon wafer according to claim 1, wherein the silicon wafer is rinsed after the steps (b) and (d).
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060110 |