[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP2000047259A - Liquid crystal display device - Google Patents

Liquid crystal display device

Info

Publication number
JP2000047259A
JP2000047259A JP21357998A JP21357998A JP2000047259A JP 2000047259 A JP2000047259 A JP 2000047259A JP 21357998 A JP21357998 A JP 21357998A JP 21357998 A JP21357998 A JP 21357998A JP 2000047259 A JP2000047259 A JP 2000047259A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
semiconductor element
crystal display
element group
display device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP21357998A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Koji Taniguchi
浩司 谷口
Masayuki Inoue
雅之 井上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP21357998A priority Critical patent/JP2000047259A/en
Publication of JP2000047259A publication Critical patent/JP2000047259A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a multi-function integrated liquid crystal display device wherein an area not directly contributing for display is reduced, and also the physical size of the device is reduced, while an area for forming a driving circuit comprising plural elements etc., is secured. SOLUTION: This liquid crystal display device has two facing substrates 1, 2, and at least a semiconductor device group arranged in a matrix form and pixel electrodes 8 connected with the semiconductor device group on one of the substrates, and a driving circuit 9 for driving the semiconductor device group is formed on each of the two facing substrates, respectively. Otherwise, on the substrate facing the substrate where the semiconductor device group is formed, a device forming area is formed where a drive circuit for driving the semiconductor device group or a circuit composed of the semiconductor device group having various functions or both are to be formed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置など
の画像表示装置に関するものであり、特に軽量、薄型を
実現するための液晶表示装置の構造に関するものであ
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an image display device such as a liquid crystal display device, and more particularly to a structure of a liquid crystal display device for realizing a light and thin device.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、IC、LSIなどに代表される半
導体素子や、これらの半導体素子を組み込んだ電子機器
あるいは家庭電化製品が開発製造され、市場で大量に販
売されている。現在ではテレビ受像機は勿論のこと、V
TRやパーソナルコンピュータなども広く一般に普及し
ている。そして、これらの機器は年々高性能化してお
り、情報化社会の進展に伴い利用者に多くの情報を提供
するツールとして現代社会において欠かすことのできな
いものとなっている。
2. Description of the Related Art In recent years, semiconductor devices typified by ICs and LSIs, and electronic devices and home appliances incorporating these semiconductor devices have been developed and manufactured, and sold in large quantities on the market. Currently, not only TV receivers, V
TRs, personal computers, and the like are also widely used. These devices have been improved in performance year by year, and have become indispensable in modern society as a tool for providing a lot of information to users with the progress of information society.

【0003】上述の機器類には、多くの情報を利用者に
的確に伝達するための情報を表示する手段、いわゆるデ
ィスプレイを備えているものが多いが、そのディスプレ
イの性能、特徴によって扱える情報の種類や情報量が左
右されてしまうため、その開発動向などには強い関心が
寄せられている。特に近年では薄型で軽量、かつ低消費
電力である利点を有したディスプレイとして液晶表示装
置、中でも各画素電極毎に薄膜トランジスタ(以下、T
FTと呼ぶ。)などの半導体素子を設け、各画素電極を
制御するようにしたアクティブマトリクス型液晶表示装
置が、解像度に優れ、鮮明な画像が得られるなどの理由
から注目されている。
[0003] Many of the above-mentioned devices are provided with a means for displaying information for accurately transmitting a large amount of information to a user, a so-called display. Since the type and amount of information are affected, there is a strong interest in the development trends and the like. In particular, in recent years, a liquid crystal display device, particularly a thin film transistor (hereinafter, referred to as a TFT) for each pixel electrode has a thin, lightweight, and low power consumption display.
Called FT. 2. Description of the Related Art Active matrix type liquid crystal display devices provided with a semiconductor element such as) and controlling each pixel electrode have been attracting attention because they have excellent resolution and can obtain clear images.

【0004】以下、この液晶表示装置を本発明の画像表
示装置の代表例として簡単に説明する。
Hereinafter, the liquid crystal display device will be briefly described as a typical example of the image display device of the present invention.

【0005】従来の半導体素子としては、非晶質シリコ
ン薄膜を用いたTFTが知られており、現在このTFT
を搭載したアクティブマトリクス型液晶表示装置が数多
く商品化されている。そして、この非晶質シリコン薄膜
を用いたTFTを搭載したアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、OA機器や民生機器のディスプレイとして
主流の位置を占めようとしている。
[0005] As a conventional semiconductor element, a TFT using an amorphous silicon thin film is known.
Many active matrix type liquid crystal display devices equipped with are commercially available. An active matrix type liquid crystal display device equipped with a TFT using the amorphous silicon thin film is going to occupy a mainstream position as a display of OA equipment and consumer equipment.

【0006】一方、この非晶質シリコン薄膜を用いたT
FTに代わる半導体素子として、画素電極を駆動させる
ための画素用TFTと、その画素用TFTを駆動させる
ためのTFTなどからなる駆動回路部とを一つの基板上
に一体形成することができる可能性の有る多結晶シリコ
ン薄膜を用いたTFTを形成する技術に大きな期待が寄
せられている。
On the other hand, T using this amorphous silicon thin film
Possibility that as a semiconductor element replacing FT, a pixel TFT for driving a pixel electrode and a driving circuit portion including a TFT for driving the pixel TFT can be integrally formed on one substrate. There is a great expectation for a technology for forming a TFT using a polycrystalline silicon thin film having a thin film.

【0007】多結晶シリコン薄膜は、従来のTFTに用
いられている非晶質シリコン薄膜に比べて高移動度を有
しており、高性能なTFTを形成することが可能となっ
ている。また、画素用TFTを駆動させるための駆動回
路部を一つの安価なガラス基板などの上に一体形成する
ことが実現されると、ICやLSIなどから構成される
駆動回路基板を別途取り付ける必要がなくなり、従来に
比べて製造コストが大幅に低減されることになる。
[0007] The polycrystalline silicon thin film has higher mobility than the amorphous silicon thin film used for the conventional TFT, and it is possible to form a high-performance TFT. In addition, if it is realized that a driving circuit portion for driving the pixel TFT is formed integrally on a single inexpensive glass substrate or the like, it is necessary to separately attach a driving circuit substrate composed of an IC, an LSI, or the like. As a result, the manufacturing cost is greatly reduced as compared with the related art.

【0008】このような多結晶シリコン薄膜を用いたT
FTの活性層となる多結晶シリコン薄膜をガラス基板な
どの上に作成する技術としては、ガラス基板などの上に
非晶質シリコン薄膜を堆積した後に、600℃程度の温
度で数時間〜数十時間熱処理して結晶化させる固相成長
法や、エキシマレーザなどのパルスレーザ光を照射し
て、その部分の非晶質シリコン薄膜を瞬時に溶融させ再
結晶化させるレーザ結晶化法などの方法が提案されてい
る。
[0008] T using such a polycrystalline silicon thin film
As a technique for forming a polycrystalline silicon thin film serving as an FT active layer on a glass substrate or the like, an amorphous silicon thin film is deposited on a glass substrate or the like, and then, at a temperature of about 600 ° C. for several hours to several tens of hours. A solid phase growth method that crystallizes by heat treatment for a long time, or a laser crystallization method that irradiates a pulse laser beam such as an excimer laser to instantly melt and recrystallize the amorphous silicon thin film in that part Proposed.

【0009】このアクティブマトリクス型液晶表示装置
には、画素電極にITO(indium tin ox
ide)などの透明導電性薄膜を用いた透過型液晶表示
装置と、画素電極に金属などからなる反射電極を用いた
反射型液晶表示装置とがある。
In this active matrix type liquid crystal display device, an ITO (indium tin ox) is applied to a pixel electrode.
There are a transmissive liquid crystal display device using a transparent conductive thin film such as (ide) and a reflective liquid crystal display device using a reflective electrode made of metal or the like for a pixel electrode.

【0010】本来、液晶表示装置は自発光型のディスプ
レイではないため、透過型液晶表示装置の場合には液晶
表示装置の背後に照明装置、いわゆるバックライトを配
置して、そこから入射される光によって表示を行ってい
る。また、反射型液晶表示装置の場合には外部からの入
射光を反射電極によって反射させることによって表示を
行っている。
Since a liquid crystal display device is not a self-luminous display, a transmissive liquid crystal display device is provided with an illuminating device, a so-called backlight, behind the liquid crystal display device so that light incident from the illuminating device can be used. Is displayed. Further, in the case of a reflection type liquid crystal display device, display is performed by reflecting external incident light by a reflection electrode.

【0011】透過型液晶表示装置の場合は、上述のよう
にバックライトを用いて表示を行うため、周囲の明るさ
などにさほど影響されることなく、明るく、高いコント
ラストを有する表示を行えるという利点があるものの、
この液晶表示装置を用いた機器は全体として消費電力は
大きなものとなってしまうという問題を有している。現
在は、この透過型液晶表示装置が数多く商品化されてい
る。
In the case of a transmissive liquid crystal display device, since display is performed using a backlight as described above, there is an advantage that a display having high brightness and high contrast can be performed without being greatly affected by ambient brightness and the like. Although there is
The device using this liquid crystal display device has a problem that the power consumption becomes large as a whole. At present, many transmissive liquid crystal display devices are commercialized.

【0012】一方、反射型液晶表示装置の場合は、上述
のようなバックライトを使用しないため、使用環境ある
いは使用条件、即ち周囲の明るさなどによって表示の明
るさやコントラストが左右されてしまうという問題を有
している。しかしながら、極端な場合を除き、実際の職
場や家庭での使用環境を考えると、その影響もそれほど
大きなものではないと考えられる。そして、この反射型
液晶表示装置を用いた機器は全体としての消費電力を極
めて小さくすることができるという利点を有しているた
め、携帯型情報機器などに応用する検討も進んでいる。
On the other hand, in the case of a reflection type liquid crystal display device, since the above-mentioned backlight is not used, the display brightness and contrast are affected by the use environment or use conditions, that is, the ambient brightness. have. However, except in extreme cases, considering the actual use environment at work or at home, it is considered that the effect is not so great. Since a device using the reflection type liquid crystal display device has an advantage that power consumption as a whole can be extremely reduced, application to a portable information device and the like has been studied.

【0013】以上のように、液晶表示装置は液晶パネル
自体の消費電力は微小であるものの、バックライトを用
いることによって、機器全体としての消費電力が大幅に
増大してしまっていた。従って、本来低消費電力である
液晶表示装置の利点を活かすために、反射型液晶表示装
置の実用化が急がれている。
As described above, in the liquid crystal display device, although the power consumption of the liquid crystal panel itself is very small, the use of the backlight greatly increases the power consumption of the entire device. Therefore, in order to take advantage of a liquid crystal display device that originally consumes low power, practical use of a reflective liquid crystal display device is urgent.

【0014】また、液晶表示装置のパネルの外形サイズ
に占める表示面積を大きくしつつ外形サイズを小さくす
る、いわゆる狭額縁化の努力も盛んになされている。こ
の狭額縁化は、一般的には液晶表示装置を駆動させるた
めの駆動回路を搭載した基板を接続する実装エリアの縮
小などにより実現されている。液晶表示装置の外部に取
り付けられる、いわゆる外付けとなる部品を減らすこと
は、パームトップ型の携帯型情報機器などを目指す場合
には特に重要である。
[0014] Also, efforts have been made actively to reduce the external size while increasing the display area occupying the external size of the panel of the liquid crystal display device, that is, to reduce the frame size. This narrowing of the frame is generally realized by reducing a mounting area for connecting a substrate on which a driving circuit for driving a liquid crystal display device is mounted. It is particularly important to reduce the number of external components that are attached to the outside of the liquid crystal display device when aiming for a palmtop-type portable information device or the like.

【0015】上述した駆動回路一体形成技術によれば、
液晶表示装置と外部回路との接続のための実装エリアを
最小にすることができるため、さらなる狭額縁化が促進
されることになる。
According to the above-described driving circuit integrated forming technology,
Since the mounting area for connecting the liquid crystal display device to an external circuit can be minimized, the frame is further narrowed.

【0016】しかしながら、一方では上述した駆動回路
一体形成技術によって表示あるいは表示を行うための駆
動回路以外にも、他の機能を有する回路を作り込み、液
晶表示装置の機能や性能を向上させることが要望されて
いる。
However, on the other hand, it is possible to improve the function and performance of the liquid crystal display device by creating a circuit having other functions in addition to the drive circuit for performing display or display by the above-described drive circuit integrated formation technology. Requested.

【0017】上述のように狭額縁化が進行すると、基板
上に駆動回路や他の機能を有する回路を作り込む領域が
不足してしまうことになる。
As described above, as the frame becomes narrower, a region for forming a drive circuit and a circuit having other functions on a substrate becomes insufficient.

【0018】そこで、これまでは、例えば特開平7−1
59802号公報あるいは特開平9−68726号公報
などに示されるように、駆動回路や他の機能を有する回
路を作り込む領域を確保できる液晶表示装置の構造など
が提案されている。
Thus, for example, Japanese Unexamined Patent Publication No.
As shown in 59802 or JP-A-9-68726, there has been proposed a structure of a liquid crystal display device which can secure a region for forming a driving circuit and a circuit having another function.

【0019】この特開平7−159802号公報には、
液晶表示装置を構成する一方の基板の内側に、反射電
極、反射電極に接続されるTFTなどを形成し、その外
側、即ち裏面側に、TFTなどを駆動するための駆動回
路を形成することが提案されている。
Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-159802 discloses that
A reflective electrode, a TFT connected to the reflective electrode, and the like are formed inside one substrate constituting a liquid crystal display device, and a drive circuit for driving the TFT and the like is formed outside, that is, on the back surface side. Proposed.

【0020】また、特開平9−68726号公報には、
反射電極に接続されるTFTをSOI型TFTで構成
し、駆動回路をバルクシリコン型TFTで構成し、それ
らを反射電極の下方にそれぞれ形成することにより、液
晶表示装置を微細化、高集積化することが提案されてい
る。
Also, Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-68726 discloses that
The TFT connected to the reflective electrode is constituted by an SOI type TFT, the driving circuit is constituted by a bulk silicon type TFT, and they are formed below the reflective electrode, respectively, so that the liquid crystal display device is miniaturized and highly integrated. It has been proposed.

【0021】[0021]

【発明が解決しようとする課題】このような従来の方法
によれば、画素電極を駆動させるTFT、およびそのT
FTを駆動させる駆動回路、あるいはその他の機能を有
する回路を一つの基板に効率よく集積化することがで
き、同時に狭額縁化を達成することが可能となってい
る。
According to such a conventional method, a TFT for driving a pixel electrode and a TFT for driving the pixel electrode are provided.
A driving circuit for driving the FT or a circuit having other functions can be efficiently integrated on one substrate, and a narrow frame can be achieved at the same time.

【0022】しかしながら、これら特開平7−1598
02号公報あるいは特開平9−68726号公報などに
示される方法によると、以下のような問題が生じること
が考えられる。
However, Japanese Unexamined Patent Publication No. Hei.
According to the method disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 02-206, Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-68726, or the like, the following problems may occur.

【0023】まず、特開平7−159802号公報に記
載の液晶表示装置は、液晶表示装置を構成する一方の基
板の内側に、反射電極、反射電極に接続されるTFTを
形成し、その外側、即ち裏面側に、TFTなどを駆動す
るための駆動回路を形成するというものであるが、この
場合、TFTと駆動回路との接続は、基板に設けられた
コンタクトホールによって行われている。通常、液晶表
示装置にはガラス基板が用いられることが多く、その厚
さは約1mmである。このガラス基板に機械的あるいは
エッチングの何れにしろ、微細なコンタクトホールを多
数開口することは決して容易なことではない。また、駆
動回路を構成するICなどを接続するための端子を基板
の裏面側に設けておくことが必要になると考えられる。
First, in the liquid crystal display device described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-159802, a reflection electrode and a TFT connected to the reflection electrode are formed inside one of the substrates constituting the liquid crystal display device. That is, a driving circuit for driving a TFT or the like is formed on the back surface side. In this case, the connection between the TFT and the driving circuit is made by a contact hole provided in the substrate. Usually, a glass substrate is often used for a liquid crystal display device, and its thickness is about 1 mm. It is not easy to open a large number of fine contact holes, whether mechanical or by etching, on this glass substrate. In addition, it is considered that it is necessary to provide a terminal for connecting an IC or the like constituting the drive circuit on the back surface side of the substrate.

【0024】さらに、基板の裏面側に配置する駆動回路
を反射電極に接続されたTFTと同様の薄膜素子で形成
しようとすれば、基板の両面に薄膜素子を形成しなくて
はならない。何れか一方の側を形成した後に他方を形成
するようにしたとしても、高度な製造方法を必要とし、
かつ製造方法が煩雑なものとなることが容易に想像され
る。
Further, if a drive circuit arranged on the back side of the substrate is to be formed by a thin film element similar to a TFT connected to the reflection electrode, the thin film element must be formed on both sides of the substrate. Even if one side is formed and then the other side is formed, an advanced manufacturing method is required,
And it is easily imagined that the manufacturing method becomes complicated.

【0025】また、特開平9−68726号公報に記載
の液晶表示装置は、反射電極に接続されるTFTをSO
I型TFTで構成、駆動回路をバルクシリコン型TFT
で構成し、それらを反射電極の下方にそれぞれ形成する
ことにより、液晶表示装置を微細化、高集積化するとい
うものであるが、この場合は、シリコン基板上にSOI
型TFTとバルクシリコン型TFTを作り分ける必要が
あり、その点においては製造方法が煩雑なものになると
考えられるが、TFTと駆動回路などが基板上のほぼ同
一面上に形成され、かつそれらを反射電極の下方に配置
していることによって、高集積化が実現されると考えら
れる。
In the liquid crystal display device described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-68726, the TFT connected to the
It is composed of an I-type TFT and the driving circuit is a bulk silicon type TFT
The liquid crystal display device is miniaturized and highly integrated by forming them below the reflective electrode. In this case, the SOI is formed on a silicon substrate.
Type TFT and bulk silicon type TFT, it is necessary to make them separately. In that respect, the manufacturing method is considered to be complicated. However, the TFT and the driving circuit are formed on almost the same surface on the substrate, and the It is considered that high integration is realized by arranging it below the reflective electrode.

【0026】しかしながら、TFTと駆動回路などが基
板上のほぼ同一面上に形成されているため、相当数の配
線などが基板面上に配置されることになり、それらの配
線などが錯綜する状況が想像され、駆動回路などを形成
する領域が自ずと制限されてしまうことになる。したが
って、TFTや駆動回路などを効率よく配置するために
は、これらのレイアウトに細心の配慮を行う必要があ
る。
However, since the TFT and the driving circuit are formed on substantially the same surface on the substrate, a considerable number of wirings and the like are arranged on the substrate surface, and the wirings and the like are complicated. Is imagined, and the area for forming the driving circuit and the like is naturally limited. Therefore, in order to efficiently arrange TFTs and drive circuits, it is necessary to pay close attention to these layouts.

【0027】また、上述したような従来の方法やそれ以
外の液晶表示装置の何れの手法においても、液晶表示装
置を構成する片方のガラス基板に、TFTアレイや駆動
回路を形成するというものであり、他方の基板には、カ
ラーフィルタ、透明電極、配向膜などを形成するだけ
で、薄膜素子などを形成しないのが一般的である。
Further, in the above-mentioned conventional method and other methods of the liquid crystal display device, a TFT array and a driving circuit are formed on one glass substrate constituting the liquid crystal display device. In general, only a color filter, a transparent electrode, an alignment film and the like are formed on the other substrate, and no thin film element or the like is formed.

【0028】本発明は、以上のような問題点に鑑みなさ
れたものであって、その目的とするところは、液晶表示
装置における直接表示に寄与しない領域の面積を小さく
して狭額縁化を図るとともに、複数の素子からなる駆動
回路などを形成する領域を確保して多機能集積型の液晶
表示装置を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above-described problems, and has as its object to reduce the area of a region not directly contributing to the display in a liquid crystal display device to achieve a narrower frame. Another object of the present invention is to provide a multifunctional integrated liquid crystal display device by securing a region for forming a drive circuit including a plurality of elements.

【0029】[0029]

【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、対向する2枚の基板のうちの一方の基板の内面に
は、少なくともマトリクス状に配置された半導体素子群
と、該半導体素子群に接続される画素電極とが形成さ
れ、該基板間に充填された液晶を該半導体素子群によっ
て動作させて表示を行う液晶表示装置において、前記対
向する2枚の基板の内面には、それぞれに前記半導体素
子群を駆動するための駆動回路が形成されていることを
特徴としており、そのことにより、上記目的は達成され
る。
According to a liquid crystal display device of the present invention, a semiconductor element group arranged at least in a matrix is provided on an inner surface of one of two opposing substrates. And a liquid crystal display device which performs display by operating the liquid crystal filled between the substrates by the semiconductor element group. A drive circuit for driving the semiconductor element group is formed, whereby the object is achieved.

【0030】また、本発明の液晶表示装置は、対向する
2枚の基板のうちの一方の基板の内面には、少なくとも
マトリクス状に配置された半導体素子群と、該半導体素
子群に接続される画素電極とが形成され、該基板間に充
填された液晶を該半導体素子群によって動作させて表示
を行う液晶表示装置において、前記半導体素子群が形成
された基板に対向する他方の基板の内面には、該半導体
素子群を駆動するための駆動回路、または該駆動回路と
異なる機能を有する半導体素子群から構成される回路、
あるいはその両方を形成したデバイス形成領域が設けら
れていることを特徴としており、そのことにより、上記
目的は達成される。
Further, in the liquid crystal display device of the present invention, at least the semiconductor element group arranged in a matrix and the semiconductor element group are connected to the inner surface of one of the two substrates facing each other. In a liquid crystal display device in which a pixel electrode is formed and a liquid crystal filled between the substrates is operated by the semiconductor element group to perform display, an inner surface of the other substrate facing the substrate on which the semiconductor element group is formed is provided. A driving circuit for driving the semiconductor element group, or a circuit including a semiconductor element group having a function different from that of the driving circuit;
Alternatively, a device formation region in which both are formed is provided, whereby the above object is achieved.

【0031】なお、このとき、前記デバイス形成領域上
には該デバイス形成領域を覆う層間絶縁膜が形成され、
該層間絶縁膜上には該デバイス形成領域を包含する金属
電極が形成されていることが望ましい。
At this time, an interlayer insulating film covering the device formation region is formed on the device formation region,
It is preferable that a metal electrode including the device forming region is formed on the interlayer insulating film.

【0032】また、本発明の液晶表示装置は、対向する
2枚の基板のうちの一方の基板の内面には、少なくとも
マトリクス状に配置された半導体素子群と、該半導体素
子群に接続される画素電極とが形成され、該基板間に充
填された液晶を該半導体素子群によって動作させて表示
を行う液晶表示装置において、前記半導体素子群が形成
された基板上の該半導体素子群が形成された領域の下方
には、該半導体素子群を駆動するための駆動回路、また
は該駆動回路と異なる機能を有する半導体素子群から構
成される回路、あるいはその両方を形成したデバイス形
成領域が設けられていることを特徴としており、そのこ
とにより、上記目的は達成される。
Further, in the liquid crystal display device of the present invention, at least the semiconductor element group arranged in a matrix and the semiconductor element group are connected to the inner surface of one of the two opposing substrates. In a liquid crystal display device in which a pixel electrode is formed and a liquid crystal filled between the substrates is operated by the semiconductor element group to perform display, the semiconductor element group is formed on the substrate on which the semiconductor element group is formed. A drive circuit for driving the semiconductor element group, a circuit including a semiconductor element group having a function different from that of the drive circuit, or a device formation area in which both are formed are provided below the region. Thus, the above object is achieved.

【0033】なお、このとき、前記デバイス形成領域上
には該デバイス形成領域を覆う層間絶縁膜が形成され、
該層間絶縁膜上には活性層が非晶質シリコン薄膜から構
成される前記半導体素子群が形成されていることが望ま
しい。
At this time, an interlayer insulating film covering the device formation region is formed on the device formation region,
It is preferable that the semiconductor element group whose active layer is formed of an amorphous silicon thin film is formed on the interlayer insulating film.

【0034】また、前記デバイス形成領域上に形成され
た層間絶縁膜上には、ほぼ平坦な表面を形成する平滑層
が設けられていることが望ましい。
Preferably, a smooth layer for forming a substantially flat surface is provided on the interlayer insulating film formed on the device formation region.

【0035】さらに、前記対向する2枚の基板は、シー
ル材によって貼り合わされるとともに、異方性導電材に
よって電気的に接続されてなり、該異方性導電材は該シ
ール部の一部に用いられていることが望ましい。
Further, the two opposing substrates are bonded together by a sealing material and are electrically connected by an anisotropic conductive material, and the anisotropic conductive material is attached to a part of the sealing portion. It is desirable that it be used.

【0036】以下、本発明の作用について説明する。The operation of the present invention will be described below.

【0037】本発明の液晶表示装置によれば、画像表示
に用いる半導体素子群を駆動するための駆動回路形成領
域を対向する2枚の基板の双方に設けることにより、一
枚の基板における駆動回路形成領域の面積を一段と縮小
することができ、液晶表示装置全体のサイズを効果的に
小型化することが可能となる。
According to the liquid crystal display device of the present invention, the drive circuit forming region for driving the semiconductor element group used for image display is provided on both of the two opposing substrates, so that the drive circuit on one substrate is provided. The area of the formation region can be further reduced, and the size of the entire liquid crystal display device can be effectively reduced.

【0038】また、画像表示に用いる半導体素子群を形
成した基板に対向する基板側の表示領域に相当する部分
にも半導体素子群を駆動するための駆動回路または駆動
回路と異なる機能を有する半導体素子群を形成すること
により、液晶表示装置全体のサイズを大きくすることな
く十分なデバイス形成領域を確保することが可能とな
る。
Also, a driving circuit for driving the semiconductor element group or a semiconductor element having a function different from that of the driving circuit is provided in a portion corresponding to a display area on the substrate facing the substrate on which the semiconductor element group used for image display is formed. By forming the groups, it is possible to secure a sufficient device formation area without increasing the size of the entire liquid crystal display device.

【0039】このとき、デバイス形成領域を覆うように
金属電極を設け、画像表示に用いる半導体素子群に接続
された画素電極によって反射表示を行うことにより、液
晶表示装置全体のサイズを大きくすることなく十分なデ
バイス形成領域を確保することが可能となる。
At this time, a metal electrode is provided so as to cover the device forming region, and reflection display is performed by a pixel electrode connected to a semiconductor element group used for image display, so that the size of the entire liquid crystal display device is not increased. It is possible to secure a sufficient device formation area.

【0040】また、画像表示に用いる半導体素子群を形
成した基板側であり、かつ半導体素子群の下方に半導体
素子群を駆動するための駆動回路または駆動回路と異な
る機能を有する半導体素子群を形成することにより、液
晶表示装置全体のサイズを大きくすることなく十分なデ
バイス形成領域を確保することが可能となる。
A driving circuit for driving the semiconductor element group or a semiconductor element group having a function different from that of the driving circuit is formed on the substrate side on which the semiconductor element group used for image display is formed and below the semiconductor element group. By doing so, it is possible to secure a sufficient device formation area without increasing the size of the entire liquid crystal display device.

【0041】このとき、デバイス形成領域上あるいは層
間絶縁膜上に有機絶縁膜あるいは無機絶縁膜からなる平
滑層を設けることにより、素子や配線などによる凹凸を
緩和され、表面を平坦にすることができるため、層間絶
縁膜上に形成される反射電極や半導体素子を容易に形成
することが可能となる。
At this time, by providing a smooth layer made of an organic insulating film or an inorganic insulating film on the device formation region or on the interlayer insulating film, unevenness due to elements, wirings and the like can be reduced, and the surface can be flattened. Therefore, a reflective electrode and a semiconductor element formed on the interlayer insulating film can be easily formed.

【0042】さらに、デバイス形成領域を覆う層間絶縁
膜上に形成される半導体素子群を非晶質シリコン薄膜に
よって実質的に低温で形成することにより、デバイス形
成領域の半導体素子群に与える熱的な影響が少なくな
り、不良や信頼性の低下などの問題を発生させることな
く多機能集積化が行え、液晶表示装置の高付加化が図ら
れる。
Further, by forming a semiconductor element group formed on the interlayer insulating film covering the device formation region at a substantially low temperature by using an amorphous silicon thin film, a thermal element applied to the semiconductor element group in the device formation region is provided. The influence is reduced, multifunctional integration can be performed without causing problems such as defects and reduced reliability, and the liquid crystal display device can be highly added.

【0043】[0043]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図を用いて説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0044】(実施の形態1)図1は、本発明の実施形
態1に係る液晶表示装置の構成を示した斜視図であり、
図2は、本発明の実施形態1に係る液晶表示装置の構成
を示した断面図である。
Embodiment 1 FIG. 1 is a perspective view showing a configuration of a liquid crystal display device according to Embodiment 1 of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a configuration of the liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention.

【0045】本実施形態1に係る液晶表示装置は、図1
に示すように、まずガラスなどからなる絶縁性を有する
基板1の表示領域3に、画素電極、各画素電極を駆動す
るTFTなどからなる表示用半導体素子群をマトリクス
状に配置し、これら表示用半導体素子群を駆動するため
のソース線駆動回路およびゲート線駆動回路を駆動回路
形成領域4に作り込む。これらの素子は、上述した多結
晶シリコン薄膜を用いることにより、容易に製造するこ
とが可能である。
The liquid crystal display device according to the first embodiment has the structure shown in FIG.
As shown in FIG. 2, a display semiconductor element group including a pixel electrode, a TFT for driving each pixel electrode, and the like are arranged in a matrix on a display region 3 of an insulating substrate 1 made of glass or the like. A source line drive circuit and a gate line drive circuit for driving the semiconductor element group are formed in the drive circuit formation region 4. These elements can be easily manufactured by using the above-described polycrystalline silicon thin film.

【0046】次に、基板1と同様に、ガラスなどからな
る絶縁性を有する基板2の駆動回路形成領域4に、ソー
ス線駆動回路またはゲート線駆動回路の一部、あるいは
双方の駆動回路の一部を形成する。このときの形成方法
については、基板1側に形成した素子と同様の方法を用
いることができる。
Next, similarly to the substrate 1, a part of the source line driving circuit or the gate line driving circuit, or one of the driving circuits of both of the driving circuits is formed in the driving circuit forming region 4 of the insulating substrate 2 made of glass or the like. Form a part. As a forming method at this time, the same method as that for the element formed on the substrate 1 side can be used.

【0047】さらに、基板2側の表示領域に対応する位
置には、カラーフィルタ5、ITOなどの透明導電性薄
膜からなる対向電極6などが形成されている。なお、駆
動回路の一部が形成される駆動回路形成領域4は、表示
領域以外の画像表示に影響を与えない領域であることは
いうまでもない。
Further, at a position corresponding to the display area on the substrate 2 side, a color filter 5, a counter electrode 6 made of a transparent conductive thin film such as ITO and the like are formed. It is needless to say that the drive circuit forming area 4 where a part of the drive circuit is formed is an area other than the display area which does not affect image display.

【0048】本実施形態1に係る液晶表示装置の各画素
電極を駆動するための表示用半導体素子7は、図2に示
すように、例えば多結晶シリコン薄膜からなるアイラン
ド状の半導体薄膜上に、シリコン酸化膜などからなるゲ
ート絶縁膜、Alなどからなるゲート電極を順次積層
し、ソース領域およびドレイン領域となる半導体薄膜に
イオンドーピング法により不純物を導入し、さらにシリ
コン窒化膜などからなる層間絶縁膜、ITOなどの透明
導電性薄膜または金属薄膜からなる画素電極8を順次積
層して形成する。
As shown in FIG. 2, a display semiconductor element 7 for driving each pixel electrode of the liquid crystal display device according to the first embodiment is formed on an island-like semiconductor thin film made of, for example, a polycrystalline silicon thin film. A gate insulating film made of a silicon oxide film or the like, a gate electrode made of Al or the like are sequentially stacked, impurities are introduced into a semiconductor thin film serving as a source region and a drain region by an ion doping method, and an interlayer insulating film made of a silicon nitride film or the like is further provided. And a pixel electrode 8 made of a transparent conductive thin film such as ITO or a metal thin film.

【0049】また、ソース線駆動回路およびゲート線駆
動回路を構成する駆動用半導体素子9は、図2に示すよ
うに、イオンドーピング法により、選択的にn型不純物
を導入した素子と、p型不純物を導入した素子とを形成
し、これらの半導体素子によって回路を構成する。
As shown in FIG. 2, the driving semiconductor element 9 constituting the source line driving circuit and the gate line driving circuit is composed of an element in which an n-type impurity is selectively introduced by an ion doping method and a p-type element. An element into which impurities are introduced is formed, and a circuit is formed by these semiconductor elements.

【0050】上述した表示用半導体素子7および駆動用
半導体素子9は、周知の方法や材料などを用いて形成す
ることができ、本実施形態1では、その製造工程の詳細
な説明に関しては省略する。また、これらの半導体素子
には、コプレーナ型TFT、逆スタガ型TFTなどを用
いることも可能である。そして、製造方法や素子の形状
などについては必要に応じて適宜決定すればよい。
The above-described display semiconductor element 7 and drive semiconductor element 9 can be formed by using a known method, material, or the like. In the first embodiment, a detailed description of the manufacturing process is omitted. . In addition, a coplanar TFT, an inverted staggered TFT, or the like can be used for these semiconductor elements. The manufacturing method and the shape of the element may be appropriately determined as needed.

【0051】最後に、基板1と基板2とを一定の間隔を
保ちつつ、シール材12を用いて貼り合わせ、2枚の基
板1、2間に液晶10を注入する。これらの工程も従来
行われている方法と同様である。なお、基板1と基板2
とに形成された駆動回路間の接続部11には、異方性導
電樹脂を用いることができ、シール部12の一部に利用
することによって、シール部12の強度を向上させ、補
強する効果も有している。
Finally, the substrate 1 and the substrate 2 are adhered to each other by using a sealing material 12 while keeping a constant interval, and a liquid crystal 10 is injected between the two substrates 1 and 2. These steps are also the same as the conventionally performed method. In addition, the substrate 1 and the substrate 2
Anisotropic conductive resin can be used for the connection portion 11 between the drive circuits formed in the above and the effect of improving the strength of the seal portion 12 and reinforcing it by using it for a part of the seal portion 12. Also have.

【0052】本実施形態1における液晶表示装置の一般
的な観察方向は、基板2側からとなる。本実施形態1で
は、駆動回路を形成する駆動回路形成領域4を基板1お
よび基板2に振り分けることにより、駆動回路が占める
領域の面積を従来よりも小さくすることができ、より一
層パネルの狭額縁化を図ることが可能となっている。
The general viewing direction of the liquid crystal display device according to the first embodiment is from the substrate 2 side. In the first embodiment, by dividing the drive circuit forming region 4 for forming the drive circuit into the substrate 1 and the substrate 2, the area of the region occupied by the drive circuit can be made smaller than that of the related art, and the panel has a narrower frame. Has become possible.

【0053】(実施の形態2)次に、本発明の実施形態
2について説明する。図3は、本発明の実施形態2に係
る液晶表示装置の構成を示した断面図である。
(Embodiment 2) Next, Embodiment 2 of the present invention will be described. FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a liquid crystal display device according to Embodiment 2 of the present invention.

【0054】本実施形態2に係る液晶表示装置は、図3
に示すように、まずガラスなどからなる絶縁性を有する
基板2のデバイス形成領域13に、液晶表示装置を動作
させるために必要な駆動回路あるいは液晶表示装置の動
作には直接関与しない独自の機能を有する機能デバイス
14を形成する。
The liquid crystal display device according to the second embodiment has the structure shown in FIG.
As shown in (1), first, a drive circuit necessary for operating the liquid crystal display device or a unique function not directly involved in the operation of the liquid crystal display device is provided in the device formation region 13 of the insulating substrate 2 made of glass or the like. To form a functional device 14 having the same.

【0055】この機能デバイス14としては、センサ、
メモリ、演算素子、光電変換装置、画像信号などの各種
信号の増幅、変調、変換などの処理を行うような回路お
よびこれらに付属する素子群や回路、あるいはこれらを
機能的に接続して形成されたデバイスが考えられる。
The functional device 14 includes a sensor,
A circuit for performing processing such as amplification, modulation, and conversion of various signals such as a memory, an arithmetic element, a photoelectric conversion device, and an image signal, and an element group and a circuit attached thereto, or formed by functionally connecting these. Devices are considered.

【0056】これらの素子や機能デバイス14は、上述
の実施形態1に示した多結晶シリコン薄膜およびそれを
用いた一連の半導体素子形成技術を用いて製造すること
ができる。その後、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜あ
るいはこれらの積層膜などからなる層間絶縁膜15を形
成し、その層間絶縁膜15上の大部分の領域、即ち表示
領域3に該当する部分に、金属薄膜からなる反射電極1
6を形成する。反射電極16には、反射率の高い金属薄
膜、例えば、Al、Agなどを用いるのが好ましい。こ
の反射電極16が液晶表示装置の一方の電極となる。
These elements and functional devices 14 can be manufactured using the polycrystalline silicon thin film shown in the first embodiment and a series of semiconductor element forming techniques using the same. Thereafter, an interlayer insulating film 15 made of a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a laminated film of these materials is formed, and most of the region on the interlayer insulating film 15, that is, a portion corresponding to the display region 3 is formed from a metal thin film. Reflective electrode 1
6 is formed. For the reflective electrode 16, it is preferable to use a metal thin film having a high reflectance, for example, Al, Ag, or the like. This reflective electrode 16 becomes one electrode of the liquid crystal display device.

【0057】次に、基板1にTFTなどからなる表示用
半導体素子7をマトリクス状に配置し、これら表示用半
導体素子7群を駆動するためのソース線駆動回路および
ゲート線駆動回路を駆動回路形成領域4に作り込む。ま
た、マトリクス状に配置した表示用半導体素子7群に
は、それぞれにITOなどの透明導電性薄膜からなる画
素電極8を接続する。
Next, the display semiconductor elements 7 composed of TFTs or the like are arranged in a matrix on the substrate 1, and a source line drive circuit and a gate line drive circuit for driving these display semiconductor elements 7 are formed in a drive circuit. Create in area 4. A pixel electrode 8 made of a transparent conductive thin film such as ITO is connected to each of the display semiconductor elements 7 arranged in a matrix.

【0058】最後に、基板1と基板2とを一定の間隔を
保ちつつ、シール材12を用いて貼り合わせ、2枚の基
板1、2間に液晶10を注入する。これらの工程も従来
行われている方法と同様である。なお、基板1と基板2
とに形成された駆動回路間の接続部11には、異方性導
電樹脂を用いることができ、シール部12の一部に利用
することによって、シール部12の強度を向上させ、補
強する効果も有している。
Finally, the substrate 1 and the substrate 2 are adhered to each other using a sealing material 12 while maintaining a constant interval, and a liquid crystal 10 is injected between the two substrates 1 and 2. These steps are also the same as the conventionally performed method. In addition, the substrate 1 and the substrate 2
Anisotropic conductive resin can be used for the connection portion 11 between the drive circuits formed in the above and the effect of improving the strength of the seal portion 12 and reinforcing it by using it for a part of the seal portion 12. Also have.

【0059】なお、カラーフィルタ5は、基板1の前
面、即ち画素電極を接続した表示用半導体素子7群を形
成した表面の反対面に貼り合わせるか、もしくは反射電
極16の上または表示用半導体素子7群に接続された画
素電極8にフォトリソ法、インクジェット法などによっ
て形成する。ただし、基板1の前面にカラーフィルタを
貼り合わせる方法によると、基板1、2間の間隔に比べ
て基板の厚みがはるかに大きいため、観測者の見る位置
によって視差が生じて隣の色が見えてしまうなどの色ず
れが発生し、表示品位の低下が起こる場合が考えられる
ため、カラーフィルタ5は、なるべく基板の内側に形成
する方が望ましい。本実施形態2では、反射電極16上
に形成した。
The color filter 5 is attached to the front surface of the substrate 1, that is, the surface opposite to the surface on which the group of display semiconductor elements 7 to which the pixel electrodes are connected is formed. The pixel electrodes 8 connected to the seventh group are formed by a photolithography method, an inkjet method, or the like. However, according to the method of attaching a color filter to the front surface of the substrate 1, since the thickness of the substrate is much larger than the distance between the substrates 1 and 2, a parallax is generated depending on the position seen by the observer, and the next color is seen. It is conceivable that color misregistration, such as color shift, may occur and display quality may deteriorate. Therefore, it is desirable that the color filter 5 be formed as much as possible inside the substrate. In the second embodiment, it is formed on the reflective electrode 16.

【0060】本実施形態2における液晶表示装置の一般
的な観察方向は、反射電極16によって入射光を反射さ
せて表示を行うため、基板1側からとなる。本実施形態
2では、基板2のほぼ全面に素子を形成し、その素子に
よって各種の回路などの機能デバイスを構成することが
可能となっており、また、これらの機能デバイスは、画
素電極を接続したマトリクス状の半導体素子群とは別の
基板に形成されているため、素子や回路あるいはそれら
を接続するための配線のレイアウトに余裕ができ、製造
も容易となっている。
The general viewing direction of the liquid crystal display device according to the second embodiment is from the substrate 1 side because the display is performed by reflecting the incident light by the reflective electrode 16. In the second embodiment, elements are formed on almost the entire surface of the substrate 2, and the elements can constitute functional devices such as various circuits. These functional devices connect pixel electrodes. Since the semiconductor elements are formed on a different substrate from the matrix-shaped semiconductor element group, the elements, circuits, or wiring for connecting the elements, circuits, and the like can be arranged with a sufficient margin, which facilitates manufacture.

【0061】(実施の形態3)次に、本発明の実施形態
3について説明する。図4は、本発明の実施形態3に係
る液晶表示装置の構成を示した断面図である。
Third Embodiment Next, a third embodiment of the present invention will be described. FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a liquid crystal display device according to Embodiment 3 of the present invention.

【0062】本実施形態3に係る液晶表示装置は、図4
に示すように、まずガラスなどからなる絶縁性を有する
基板1のデバイス形成領域13に、液晶表示装置を動作
させるために必要なソース線駆動回路およびゲート線駆
動回路、周辺回路あるいは液晶表示装置の動作には直接
関与しない独自の機能を有する機能デバイス14を形成
する。
The liquid crystal display device according to the third embodiment has the structure shown in FIG.
As shown in FIG. 1, first, a source line driving circuit and a gate line driving circuit necessary for operating the liquid crystal display device, a peripheral circuit or a liquid crystal display device are provided in the device forming region 13 of the insulating substrate 1 made of glass or the like. The functional device 14 having a unique function not directly involved in the operation is formed.

【0063】この機能デバイス14としては、センサ、
メモリ、演算素子、光電変換装置、画像信号などの各種
信号の増幅、変調、変換などの処理を行うような回路お
よびこれらに付属する素子群や回路、あるいはこれらを
機能的に接続して形成されたデバイスが考えられる。
The functional device 14 includes a sensor,
A circuit for performing processing such as amplification, modulation, and conversion of various signals such as a memory, an arithmetic element, a photoelectric conversion device, and an image signal, and an element group and a circuit attached thereto, or formed by functionally connecting these. Devices are considered.

【0064】これらの素子や機能デバイス14は、上述
の実施形態1に示した多結晶シリコン薄膜およびそれを
用いた一連の半導体素子形成技術を用いて製造すること
ができる。その後、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜あ
るいはこれらの積層膜などからなる層間絶縁膜15を形
成し、その層間絶縁膜15上に非晶質シリコン薄膜を堆
積させて表示用半導体素子7をマトリクス状に形成す
る。
These elements and functional devices 14 can be manufactured by using the polycrystalline silicon thin film described in the first embodiment and a series of semiconductor element forming techniques using the same. Thereafter, an interlayer insulating film 15 made of a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a laminated film thereof is formed, and an amorphous silicon thin film is deposited on the interlayer insulating film 15 to form the display semiconductor elements 7 in a matrix. Form.

【0065】次に、金属薄膜からなる反射電極16を形
成して表示用半導体素子7と接続する。この反射電極1
6には、反射率の高い金属薄膜、例えば、Al、Agな
どを用いるのが好ましい。この反射電極16が液晶表示
装置の一方の電極となる。また、表示用半導体素子7群
は、層間絶縁膜15に形成されたコンタクトホールなど
を介して、層間絶縁膜15の下方に形成された駆動回路
などに接続される。
Next, a reflective electrode 16 made of a metal thin film is formed and connected to the display semiconductor element 7. This reflection electrode 1
For 6, a metal thin film having high reflectivity, for example, Al, Ag, or the like is preferably used. This reflective electrode 16 becomes one electrode of the liquid crystal display device. The display semiconductor element group 7 is connected to a drive circuit and the like formed below the interlayer insulating film 15 through a contact hole and the like formed in the interlayer insulating film 15.

【0066】本実施形態3では、層間絶縁膜15上に非
晶質シリコン薄膜による表示用半導体素子7群を形成す
る構成としたが、この場合、非晶質シリコン薄膜以外に
多結晶シリコン薄膜などを用いることもできる。しかし
ながら、非晶質シリコン薄膜にレーザ照射などの加熱処
理を加えて結晶化して多結晶シリコン薄膜を得る場合に
は、熱履歴の上では非晶質シリコン薄膜に比べて高温工
程を経る必要が有るため、層間絶縁膜15の下方に形成
された素子や機能デバイス14に悪影響を与えることが
懸念される。従って、層間絶縁膜15上に素子を形成す
る場合には、非晶質シリコン薄膜を用いることが望まし
い。勿論効果的な断熱を行うなど、層間絶縁膜15の下
方に形成された素子や機能デバイス14に与える影響を
できるだけ少なくすることができれば、多結晶シリコン
薄膜を用いてもよいことは言うまでもない。
In the third embodiment, the configuration is such that a group of display semiconductor elements 7 made of an amorphous silicon thin film is formed on the interlayer insulating film 15. In this case, in addition to the amorphous silicon thin film, a polycrystalline silicon thin film or the like is used. Can also be used. However, when a polycrystalline silicon thin film is obtained by applying heat treatment such as laser irradiation to the amorphous silicon thin film to crystallize the amorphous silicon thin film, it is necessary to go through a higher temperature process than the amorphous silicon thin film in terms of thermal history. For this reason, there is a concern that an element formed below the interlayer insulating film 15 or the functional device 14 may be adversely affected. Therefore, when an element is formed on the interlayer insulating film 15, it is desirable to use an amorphous silicon thin film. Needless to say, a polycrystalline silicon thin film may be used as long as the effect on elements formed below the interlayer insulating film 15 and the functional device 14 can be reduced as much as possible by performing effective heat insulation.

【0067】次に、基板2の少なくとも表示領域に3に
対応する部分には、ITOなどの透明導電性薄膜からな
る対向電極6を形成する。なお、基板2の表示領域3に
対応する部分以外には、多結晶シリコン薄膜による周辺
回路、機能デバイスを形成するようにしても差し支えな
い。
Next, a counter electrode 6 made of a transparent conductive thin film such as ITO is formed on at least a portion corresponding to the display area 3 of the substrate 2. In addition to the portion corresponding to the display area 3 of the substrate 2, peripheral circuits and functional devices formed of a polycrystalline silicon thin film may be formed.

【0068】最後に、基板1と基板2とを一定の間隔を
保ちつつ、シール材12を用いて貼り合わせ、2枚の基
板1、2間に液晶10を注入する。これらの工程も従来
行われている方法と同様である。なお、基板1と基板2
とに形成された駆動回路間の接続部11には、異方性導
電樹脂を用いることができ、シール部12の一部に利用
することによって、シール部12の強度を向上させ、補
強する効果も有している。
Finally, the substrate 1 and the substrate 2 are adhered to each other by using a sealing material 12 while keeping a constant interval, and a liquid crystal 10 is injected between the two substrates 1 and 2. These steps are also the same as the conventionally performed method. In addition, the substrate 1 and the substrate 2
Anisotropic conductive resin can be used for the connection portion 11 between the drive circuits formed in the above and the effect of improving the strength of the seal portion 12 and reinforcing it by using it for a part of the seal portion 12. Also have.

【0069】なお、カラーフィルタ5は、基板2の前
面、即ち対向電極6を形成した表面の反対面に貼り合わ
せるか、もしくは基板2の内面に形成した後に対向電極
6に形成するようにしてもよく、さらには表示用半導体
素子7群に接続された反射電極16上にフォトリソ法、
インクジェット法などによって形成してもよい。ただ
し、基板2の前面にカラーフィルタを貼り合わせる方法
によると、基板1、2間の間隔に比べて基板の厚みがは
るかに大きいため、観測者の見る位置によって視差が生
じて隣の色が見えてしまうなどの色ずれが発生し、表示
品位の低下が起こる場合が考えられるため、カラーフィ
ルタ5は、なるべく基板の内側に形成する方が望まし
い。本実施形態3では、基板2の内面にカラーフィルタ
5を形成した後に対向電極6を形成した。
The color filter 5 may be bonded to the front surface of the substrate 2, that is, the surface opposite to the surface on which the counter electrode 6 is formed, or may be formed on the inner surface of the substrate 2 and then formed on the counter electrode 6. In addition, a photolithography method may be used on the reflective electrode 16 connected to the display semiconductor element 7 group.
It may be formed by an inkjet method or the like. However, according to the method of attaching a color filter to the front surface of the substrate 2, since the thickness of the substrate is much larger than the distance between the substrates 1 and 2, parallax is generated depending on the position viewed by the observer, and the next color is seen. It is conceivable that color misregistration, such as color shift, may occur and display quality may deteriorate. Therefore, it is desirable that the color filter 5 be formed as much as possible inside the substrate. In the third embodiment, the counter electrode 6 is formed after the color filter 5 is formed on the inner surface of the substrate 2.

【0070】本実施形態3における液晶表示装置の一般
的な観察方向は、反射電極16によって入射光を反射さ
せて表示を行うため、基板2側からとなる。本実施形態
3では、基板1のほぼ全面に素子を形成し、その素子に
よって各種の回路などの機能デバイスを構成することが
可能となっており、また、これらの機能デバイスは、画
素電極を接続したマトリクス状の半導体素子群とは別層
に形成されているため、素子や回路あるいはそれらを接
続するための配線のレイアウトに余裕ができ、製造も容
易となっている。さらに、上述した実施形態2では、基
板2に形成された半導体素子群の配線部分によって表示
領域における開口率が幾分低下してしまっていたが、本
実施形態3では、半導体素子群に直接反射電極を接続す
るため、開口率の低下を防止することも可能となってい
る。
The general observation direction of the liquid crystal display device according to the third embodiment is from the substrate 2 side because the display is performed by reflecting the incident light by the reflection electrode 16. In the third embodiment, elements are formed on almost the entire surface of the substrate 1, and the elements can constitute functional devices such as various circuits. These functional devices connect pixel electrodes. Since the semiconductor elements are formed in a different layer from the matrix-like semiconductor element group, the layout of the elements and circuits or the wiring for connecting the elements and circuits can be afforded, and the manufacture is easy. Further, in the above-described second embodiment, the aperture ratio in the display area is somewhat reduced due to the wiring portion of the semiconductor element group formed on the substrate 2, but in the third embodiment, the semiconductor element group is directly reflected by the semiconductor element group. Since the electrodes are connected, it is possible to prevent a decrease in the aperture ratio.

【0071】(実施の形態4)次に、本発明の実施形態
4について説明する。図5および図6は、本発明の実施
形態4に係る液晶表示装置の素子部分の構成を示した断
面図である。
(Embodiment 4) Next, Embodiment 4 of the present invention will be described. FIGS. 5 and 6 are cross-sectional views showing the configuration of the element portion of the liquid crystal display device according to Embodiment 4 of the present invention.

【0072】本実施形態4に係る液晶表示装置は、図5
に示すように、まずガラスなどからなる絶縁性を有する
基板1のデバイス形成領域13に、液晶表示装置を動作
させるために必要なソース線駆動回路およびゲート線駆
動回路、周辺回路あるいは液晶表示装置の動作には直接
関与しない独自の機能を有する機能デバイス14を形成
する。これらは上述した他の実施形態と同様であるた
め、詳細な説明については省略する。
The liquid crystal display device according to the fourth embodiment has the structure shown in FIG.
As shown in FIG. 1, first, a source line driving circuit and a gate line driving circuit necessary for operating the liquid crystal display device, a peripheral circuit or a liquid crystal display device are provided in the device forming region 13 of the insulating substrate 1 made of glass or the like. The functional device 14 having a unique function not directly involved in the operation is formed. Since these are the same as the other embodiments described above, detailed description will be omitted.

【0073】続いて、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜
あるいはこれらの積層膜などからなる層間絶縁膜15を
形成し、その後、アクリル樹脂やポリイミド樹脂などを
塗布して平滑層17を形成する。この平滑層17は、層
間絶縁膜15の表面の凹凸を平坦にすることが目的であ
り、約1μm〜2μmの膜厚になるように形成する。な
お、平滑層17の膜厚は、下層の凹凸の程度によって適
宜決定すればよく、上述した値は一例であり、これに限
定されるものではない。
Subsequently, an interlayer insulating film 15 made of a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a laminated film thereof is formed, and thereafter, an acrylic resin or a polyimide resin is applied to form a smooth layer 17. The purpose of this smooth layer 17 is to flatten the unevenness of the surface of the interlayer insulating film 15 and is formed to have a thickness of about 1 μm to 2 μm. Note that the thickness of the smooth layer 17 may be appropriately determined according to the degree of unevenness of the lower layer, and the above-described values are examples, and are not limited thereto.

【0074】次に、平滑層17上に反射電極16を形成
する。平滑層17によって反射電極16の表面はほぼ平
坦な状態となる。したがって、入射した光がどの領域で
も一様に反射されるようになるため、表示を行った場合
に均一な明るさ、色再現性などを実現することが可能と
なっている。
Next, the reflection electrode 16 is formed on the smoothing layer 17. Due to the smoothing layer 17, the surface of the reflective electrode 16 becomes substantially flat. Therefore, the incident light is uniformly reflected in any region, so that it is possible to realize uniform brightness, color reproducibility, and the like when performing display.

【0075】ここで、図6は、平滑層18上に表示用半
導体素子7を形成した場合の構成例を示したものであ
り、この場合、平滑層18は、シリコン酸化膜、シリコ
ン窒化膜などの無機絶縁膜を用い、堆積された無機絶縁
膜をエッチングによって凹部に絶縁膜を埋め込むように
形成した。この平滑層17としては、上述したように、
アクリル樹脂やポリイミド樹脂などを用いて形成した。
FIG. 6 shows an example of a configuration in which the display semiconductor element 7 is formed on the smoothing layer 18. In this case, the smoothing layer 18 is made of a silicon oxide film, a silicon nitride film, or the like. The deposited inorganic insulating film was formed by etching so as to fill the concave portion with the insulating film. As described above, as the smooth layer 17,
It was formed using an acrylic resin or a polyimide resin.

【0076】また、平滑層18には、ポリイミド樹脂な
どのある程度耐熱性を有する材料を用いることも可能で
あり、ポリイミド樹脂などは約350℃の耐熱性を有し
ており、平滑層18上に形成する表示用半導体素子7を
非晶質シリコン薄膜を用いたTFTなどで構成すれば、
プロセスの最高温度350℃程度、あるいはそれ以下で
形成することも可能である。したがって、平滑層18を
損なうことなく、その上に表示用半導体素子7を形成す
ることが可能となっている。
It is also possible to use a material having a certain degree of heat resistance such as a polyimide resin for the smooth layer 18. The polyimide resin has a heat resistance of about 350 ° C. If the display semiconductor element 7 to be formed is constituted by a TFT or the like using an amorphous silicon thin film,
It is also possible to form at a maximum process temperature of about 350 ° C. or lower. Therefore, it is possible to form the display semiconductor element 7 thereon without damaging the smooth layer 18.

【0077】なお、平滑層17、18としてアクリル樹
脂やポリイミド樹脂を示したが、その材料については適
宜決定すればよく、これらに限定されるものではない。
また、本実施形態4においては、平滑層17、18は高
耐熱性を有していることが好ましい。
Although acrylic resin and polyimide resin are shown as the smooth layers 17 and 18, the material may be determined as appropriate, and is not limited to these.
In the fourth embodiment, it is preferable that the smooth layers 17 and 18 have high heat resistance.

【0078】[0078]

【発明の効果】上述したように、本発明によれば、液晶
表示装置を構成する2枚の基板の双方に表示用半導体素
子を駆動するための駆動回路を形成する駆動回路形成領
域を設ける、あるいは表示用半導体素子を形成した基板
と対向する基板側に駆動回路や機能デバイスを形成する
デバイス形成領域を設ける、あるいは表示用半導体素子
を形成する表示領域の下方に駆動回路や機能デバイスを
形成するデバイス形成領域を設けることにより、従来に
比べて表示用半導体素子を駆動するための駆動回路を形
成する領域の面積を縮小することが可能となっている。
As described above, according to the present invention, a drive circuit forming region for forming a drive circuit for driving a display semiconductor element is provided on both of two substrates constituting a liquid crystal display device. Alternatively, a device formation region for forming a drive circuit or a functional device is provided on a substrate side opposite to a substrate on which a display semiconductor element is formed, or a drive circuit or a function device is formed below a display region for forming a display semiconductor element. By providing the device formation region, it is possible to reduce the area of a region where a drive circuit for driving a display semiconductor element is formed as compared with the related art.

【0079】また、液晶表示装置の外形寸法を小さくす
ることが可能であり、対向する基板側の表示領域に相当
する部分あるいは表示領域に形成された表示用半導体素
子群の下方に駆動回路や機能デバイスを形成するデバイ
ス形成領域を設けることにより、表示装置としての機能
以外にも様々な機能を集積化することが可能であるた
め、液晶表示装置の外形寸法を必要以上に大きくするこ
となく、多機能化を実現することが可能となっている。
Further, the external dimensions of the liquid crystal display device can be reduced, and a driving circuit and a function are provided below a portion corresponding to a display region on the opposite substrate side or a display semiconductor element group formed in the display region. By providing a device formation region for forming a device, various functions can be integrated in addition to the function as a display device. Therefore, without increasing the external dimensions of the liquid crystal display device more than necessary, Functionalization can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】図1は、本発明の実施形態1に係る液晶表示装
置の構成を示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view illustrating a configuration of a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図2は、本発明の実施形態1に係る液晶表示装
置の構成を示す断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a liquid crystal display device according to Embodiment 1 of the present invention.

【図3】図3は、本発明の実施形態2に係る液晶表示装
置の構成を示す断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.

【図4】図4は、本発明の実施形態3に係る液晶表示装
置の構成を示す断面図である。
FIG. 4 is a sectional view illustrating a configuration of a liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention.

【図5】図5は、本発明の実施形態4に係る液晶表示装
置の構成を示す断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a liquid crystal display device according to Embodiment 4 of the present invention.

【図6】図6は、本発明の実施形態4に係る液晶表示装
置の構成を示す断面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a liquid crystal display device according to Embodiment 4 of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 基板 3 表示領域 4 駆動回路形成領域 5 カラーフィルタ 6 対向電極 7 表示用半導体素子 8 画素電極 9 駆動用半導体素子 10 液晶 11 接続部 12 シール部 13 デバイス形成領域 14 機能デバイス 15 層間絶縁膜 16 反射電極 17 平滑層 18 平滑層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Substrate 3 Display area 4 Driving circuit formation area 5 Color filter 6 Counter electrode 7 Display semiconductor element 8 Pixel electrode 9 Driving semiconductor element 10 Liquid crystal 11 Connection part 12 Seal part 13 Device formation area 14 Functional device 15 Interlayer insulating film 16 reflective electrode 17 smooth layer 18 smooth layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H089 PA04 QA11 TA05 TA09 TA12 2H092 GA38 GA48 GA59 HA17 JA24 JB07 JB56 JB58 KA04 KA05 KA12 KA18 KB13 KB25 MA17 MA27 MA37 NA07 NA19 NA25 PA04 PA06 PA08 5G435 AA07 AA18 BB12 BB16 CC09 EE32 EE37 FF03 GG43 HH13 HH14 KK09 LL07  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F-term (reference) 2H089 PA04 QA11 TA05 TA09 TA12 2H092 GA38 GA48 GA59 HA17 JA24 JB07 JB56 JB58 KA04 KA05 KA12 KA18 KB13 KB25 MA17 MA27 MA37 NA07 NA19 NA25 PA04 PA06 PA08 5G435 AA32 BB EE BB12 FF03 GG43 HH13 HH14 KK09 LL07

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 対向する2枚の基板のうちの一方の基板
の内面には、少なくともマトリクス状に配置された半導
体素子群と、該半導体素子群に接続される画素電極とが
形成され、該基板間に充填された液晶を該半導体素子群
によって動作させて表示を行う液晶表示装置において、 前記対向する2枚の基板の内面には、それぞれに前記半
導体素子群を駆動するための駆動回路が形成されている
ことを特徴とする液晶表示装置。
At least one semiconductor element group arranged in a matrix and a pixel electrode connected to the semiconductor element group are formed on an inner surface of one of two opposing substrates. In a liquid crystal display device which performs display by operating a liquid crystal filled between substrates by the semiconductor element group, a driving circuit for driving the semiconductor element group is provided on each of inner surfaces of the two opposite substrates. A liquid crystal display device characterized by being formed.
【請求項2】 対向する2枚の基板のうちの一方の基板
の内面には、少なくともマトリクス状に配置された半導
体素子群と、該半導体素子群に接続される画素電極とが
形成され、該基板間に充填された液晶を該半導体素子群
によって動作させて表示を行う液晶表示装置において、 前記半導体素子群が形成された基板に対向する他方の基
板の内面には、該半導体素子群を駆動するための駆動回
路、または該駆動回路と異なる機能を有する半導体素子
群から構成される回路、あるいはその両方を形成したデ
バイス形成領域が設けられていることを特徴とする液晶
表示装置。
2. A semiconductor element group arranged at least in a matrix and a pixel electrode connected to the semiconductor element group are formed on an inner surface of one of two opposing substrates. In a liquid crystal display device that performs display by operating a liquid crystal filled between substrates by the semiconductor element group, the semiconductor element group is driven on an inner surface of the other substrate facing the substrate on which the semiconductor element group is formed. A liquid crystal display device provided with a device formation region in which a driving circuit for performing the driving, a circuit including a semiconductor element group having a function different from that of the driving circuit, or both of them are provided.
【請求項3】 前記デバイス形成領域上には該デバイス
形成領域を覆う層間絶縁膜が形成され、該層間絶縁膜上
には該デバイス形成領域を包含する金属電極が形成され
ていることを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装
置。
3. An inter-layer insulating film covering the device forming region is formed on the device forming region, and a metal electrode including the device forming region is formed on the inter-layer insulating film. The liquid crystal display device according to claim 2.
【請求項4】 対向する2枚の基板のうちの一方の基板
の内面には、少なくともマトリクス状に配置された半導
体素子群と、該半導体素子群に接続される画素電極とが
形成され、該基板間に充填された液晶を該半導体素子群
によって動作させて表示を行う液晶表示装置において、 前記半導体素子群が形成された基板上の該半導体素子群
が形成された領域の下方には、該半導体素子群を駆動す
るための駆動回路、または該駆動回路と異なる機能を有
する半導体素子群から構成される回路、あるいはその両
方を形成したデバイス形成領域が設けられていることを
特徴とする液晶表示装置。
4. A semiconductor element group arranged at least in a matrix and a pixel electrode connected to the semiconductor element group are formed on an inner surface of one of the two substrates facing each other. In a liquid crystal display device which performs display by operating the liquid crystal filled between the substrates by the semiconductor element group, the semiconductor element group is formed on a substrate below a region where the semiconductor element group is formed on the substrate. A liquid crystal display provided with a device formation region in which a driving circuit for driving a semiconductor element group, a circuit including a semiconductor element group having a function different from that of the driving circuit, or both of them is provided. apparatus.
【請求項5】 前記デバイス形成領域上には該デバイス
形成領域を覆う層間絶縁膜が形成され、該層間絶縁膜上
には活性層が非晶質シリコン薄膜から構成される前記半
導体素子群が形成されていることを特徴とする請求項4
に記載の液晶表示装置。
5. An interlayer insulating film covering the device forming region is formed on the device forming region, and the semiconductor element group in which an active layer is formed of an amorphous silicon thin film is formed on the interlayer insulating film. 5. The method according to claim 4, wherein
3. The liquid crystal display device according to 1.
【請求項6】 前記デバイス形成領域上に形成された層
間絶縁膜上には、ほぼ平坦な表面を形成する平滑層が設
けられていることを特徴とする請求項2乃至5に記載の
液晶表示装置。
6. The liquid crystal display according to claim 2, wherein a smooth layer that forms a substantially flat surface is provided on the interlayer insulating film formed on the device formation region. apparatus.
【請求項7】 前記対向する2枚の基板は、シール材に
よって貼り合わされるとともに、異方性導電材によって
電気的に接続されてなり、該異方性導電材は該シール部
の一部に用いられていることを特徴とする請求項1乃至
6に記載の液晶表示装置。
7. The two opposing substrates are bonded together by a sealant and electrically connected by an anisotropic conductive material, and the anisotropic conductive material is attached to a part of the seal portion. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the liquid crystal display device is used.
JP21357998A 1998-07-29 1998-07-29 Liquid crystal display device Pending JP2000047259A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21357998A JP2000047259A (en) 1998-07-29 1998-07-29 Liquid crystal display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21357998A JP2000047259A (en) 1998-07-29 1998-07-29 Liquid crystal display device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000047259A true JP2000047259A (en) 2000-02-18

Family

ID=16641549

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP21357998A Pending JP2000047259A (en) 1998-07-29 1998-07-29 Liquid crystal display device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000047259A (en)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002063387A1 (en) * 2001-02-08 2002-08-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Display device
JP2003344876A (en) * 2002-03-19 2003-12-03 Seiko Epson Corp Liquid crystal display device, electro-optical device and manufacturing method therefor, and electronic equipment
JP2006189777A (en) * 2004-12-31 2006-07-20 Lg Philips Lcd Co Ltd Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
JP2008003640A (en) * 2002-03-19 2008-01-10 Seiko Epson Corp Liquid crystal display device, electro-optical device and method for producing the same, and electronic apparatus
JP2017037341A (en) * 2016-10-27 2017-02-16 株式会社半導体エネルギー研究所 Display device
KR20180004868A (en) * 2016-07-04 2018-01-15 삼성디스플레이 주식회사 Display device
WO2018033817A1 (en) * 2016-08-17 2018-02-22 株式会社半導体エネルギー研究所 Display device and electronic apparatus
JP2018141985A (en) * 2018-03-28 2018-09-13 株式会社半導体エネルギー研究所 Display device
JP2020129119A (en) * 2020-04-14 2020-08-27 株式会社半導体エネルギー研究所 Display device

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002063387A1 (en) * 2001-02-08 2002-08-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Display device
JP2003344876A (en) * 2002-03-19 2003-12-03 Seiko Epson Corp Liquid crystal display device, electro-optical device and manufacturing method therefor, and electronic equipment
JP2008003640A (en) * 2002-03-19 2008-01-10 Seiko Epson Corp Liquid crystal display device, electro-optical device and method for producing the same, and electronic apparatus
US7379139B2 (en) 2002-03-19 2008-05-27 Seiko Epson Corporation Liquid crystal display and electro-optical devices with a function element
JP2006189777A (en) * 2004-12-31 2006-07-20 Lg Philips Lcd Co Ltd Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
US7595859B2 (en) 2004-12-31 2009-09-29 Lg Display Co., Ltd. Liquid crystal display device and method of fabricating the same
KR102655677B1 (en) 2016-07-04 2024-04-11 티씨엘 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 Display device
KR20180004868A (en) * 2016-07-04 2018-01-15 삼성디스플레이 주식회사 Display device
KR20190035799A (en) * 2016-08-17 2019-04-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 Display and electronic devices
KR102433524B1 (en) * 2016-08-17 2022-08-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 Display devices and electronic devices
WO2018033817A1 (en) * 2016-08-17 2018-02-22 株式会社半導体エネルギー研究所 Display device and electronic apparatus
JPWO2018033817A1 (en) * 2016-08-17 2019-08-15 株式会社半導体エネルギー研究所 Display device and electronic device
US10642110B2 (en) 2016-08-17 2020-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic appliance
JP2022176195A (en) * 2016-08-17 2022-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 Display
US11086175B2 (en) 2016-08-17 2021-08-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic appliance
JP2021185411A (en) * 2016-08-17 2021-12-09 株式会社半導体エネルギー研究所 Display device
JP2017037341A (en) * 2016-10-27 2017-02-16 株式会社半導体エネルギー研究所 Display device
JP2018141985A (en) * 2018-03-28 2018-09-13 株式会社半導体エネルギー研究所 Display device
JP2021119385A (en) * 2020-04-14 2021-08-12 株式会社半導体エネルギー研究所 Display device
JP7118202B2 (en) 2020-04-14 2022-08-15 株式会社半導体エネルギー研究所 Display device
JP2020129119A (en) * 2020-04-14 2020-08-27 株式会社半導体エネルギー研究所 Display device
JP7544948B2 (en) 2020-04-14 2024-09-03 株式会社半導体エネルギー研究所 Display device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8576348B2 (en) Reflective liquid crystal display panel and device using same
JP4700156B2 (en) Semiconductor device
EP1564713A2 (en) Active matrix liquid crystal display with pixel capacitor
JP3297385B2 (en) Liquid crystal display
US8525817B2 (en) Pixel array module and flat display apparatus
US8586987B2 (en) Active matrix substrate and active matrix display device
JPH1031235A (en) Liquid crystal display device
JP2001051303A (en) Liquid crystal display device and its production
KR20010031885A (en) Substrate for liquid crystal panel, liquid crystal panel, electronic apparatus comprising the panel, and method for manufacturing substrate for liquid crystal panel
JP2000227611A (en) Liquid crystal display device and its production
JP4542492B2 (en) Electro-optical device and manufacturing method thereof, electronic apparatus, and semiconductor device
JP2000047259A (en) Liquid crystal display device
KR20030074285A (en) Liquid crystal display device
JP2006250985A (en) Electrooptical apparatus and electronic device
US8786582B2 (en) Display panel and display apparatus
JP3775071B2 (en) ELECTRO-OPTICAL DEVICE SUBSTRATE, ELECTRO-OPTICAL DEVICE, ELECTRO-OPTICAL DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND ELECTRONIC DEVICE USING ELECTRO-OPTICAL DEVICE
JP3645667B2 (en) Liquid crystal display
JP2002296619A (en) Active matrix type display device
WO2018225645A1 (en) Liquid crystal display device
JPH11109319A (en) Liquid crystal display device
JP2008282897A (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof, and electro-optical device
JP2006250984A (en) Electrooptical apparatus, manufacturing method for the same and electronic equipment
JPH1048660A (en) Liquid crystal display device
US20080252837A1 (en) Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
US9064756B2 (en) Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof