JP2000047043A - フィルタ挿入型導波路デバイスとその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 溝加工時のブレードの摩耗を抑制し得る、大
量生産に適したフィルタ挿入型導波路デバイスとその製
造方法を提供すること。 【解決手段】 シリコン基板１上に形成された石英系ガ
ラス光導波路（第１および第２の入出力導波路３，４、
導波路５）を横切って溝１３を形成し、この溝に誘電体
多層膜フィルタ１４を挿入し、樹脂で固定する。溝１３
に沿い前記石英系ガラス光導波路のコアおよびその近傍
のガラス以外のガラスを除去しＳｉテラス２１の露出し
た突出部２３を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光通信あるいは光情
報処理用の光部品に関するものであり、さらに詳しくは
シリコン基板上に形成された石英系光導波路を用いたフ
ィルタ挿入型導波路デバイス、（特にフィルタ反射型光
合分波器）に関するものである。さらに、本発明はその
ようなフィルタ挿入型導波路デバイス、（特にフィルタ
反射型光合分波器）の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、石英系プレーナ光波回路（以下、
ＰＬＣと略す）上にレーザダイオード（以下、ＬＤと略
す）やフォトダイオード（以下、ＰＤと略す）を半田を
用いて接着固定するＰＬＣハイブリッド集積技術を用い
て、加入者用の光送受信モジュールが作製報告されてい
る（例えば、井上、山田、柳澤、福田、内田、松井、堀
口、“ＰＬＣハイブリッド集積型ＷＤＭ光送受信モジュ
ール”、ＮＴＴ Ｒ＆Ｄ、ｖｏｌ．４６，Ｎｏ．５，ｐ
ｐ．４７３−３８６，１９９７）。その構成を図１２に
示す。図１２のモジュールはＳｉ基板１上に導波路層２
を設け、導波路層２は第１の入出力導波路３、第２の入
出力導波路４および導波路５を含む。導波路５はＹ分岐
６により分岐して一方の導波路６ａが送信用ＬＤ７に他
方の導波路６ｂが受信用ＰＤ９にそれぞれ対向してい
る。送信用ＬＤ７、モニターＰＤ８および受信用ＰＤ９
はぞれぞれガラスの除去されたＬＤ／ＰＤ搭載部１０上
に配置されている。電気配線１１，１２が送信用ＬＤ７
および受信用ＰＤ９にそれぞれ接続している。導波路層
２とＳｉ基板１には第１および第２の入出力導波路３，
４および導波路５を隔てるように溝１３が設けられてお
り、この溝１３内に誘電体多層膜フィルタ１４が接着剤
（図示しない）で固定されている。第１の入出力導波路
３はコモンポート１５に、第２の入出力導波路４は１．
５５ポート１６にそれぞれ接続されている。Ｓｉ基板お
よび導波路層２の端面はファイバアレイ１８の端面に当
接している。ファイバアレイ１８には１．３１／１．５
５μｍ光が伝搬される第１のファイバ１９と１．５５μ
ｍ光が伝搬される第２のファイバ２０が第１および第２
の入出力導波路３，４にそれぞれ当接している。

【０００３】このモジュールでは、コモンポート１５か
ら入射された１．５５μｍ光は、誘電体多層膜フィルタ
１４により反射されて１．５５μｍポート１６から出力
される。１．３１μｍ光と１．５５μｍ光を合分波する
素子はフィルタ反射型光波長合分波器として、Ｙ．Ｉｎ
ｏｕｅ，Ｔ．Ｏｇｕｃｈｉ，Ｙ．Ｈｉｂｉｎｏ，Ｓ．Ｓ
ｕｚｕｋｉ，Ｍ．Ｙａｎａｇｉｓａｗａ，Ｋ．Ｍｏｒｉ
ｗａｋｉ，ａｎｄ Ｙ．Ｙａｍａｄａ，“Ｆｉｌｔｅｒ
−ｅｍｂｅｄｄｅｄ ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ−ｄｉｖｉ
ｓｉｏｎ ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｅｒ ｆｏｒ ｈｙｂｒ
ｉｄ−ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｔｒａｎｓｃｅｉｖｅｒ
ｂａｓｅｄ ｏｎ ｓｉｌｉｃａ−ｂａｓｅｄ ＰＬ
Ｃ，”ＩＥＥ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｌｅｔｔ．，Ｖｏ
ｌ．３２，Ｎｏ．９，ｐｐ．８４７−８４８，Ａｐｒ．
１９９６に報告されている。図１２に示す光部品は将来
の加入者用光送受信モジュールとしてその重要性が高ま
っている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】図１２に示す光送受信
モジュールでは、フィルタ反射型光波長合分波器を作製
するために導波路作製後、ダイシングソーを用いて溝加
工を行っていた。一般に、ダイシングソーで溝加工をす
る場合、サンプルの材質によりブレード（ダイシングソ
ーの歯）の摩耗量が大きく変化する。石英系ガラスはシ
リコンに比べてブレードの摩耗量が著しく大きい。この
ため、図１２に示す溝を加工するとブレードの摩耗が大
きく、数多くのサンプルを作製することが難しい。従っ
て、本発明の課題は、溝加工時のブレードの摩耗を抑制
し得る、大量生産に適したフィルタ挿入型導波路デバイ
スとその製造方法を提供することである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の手段として、溝加工する位置の石英系ガラスをあらか
じめ例えば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により除
去しておく。これにより、ブレードが切削するガラスの
量が減少するため、ブレードの摩耗が抑制できる。ま
た、石英ガラスの除去を必須工程として含む光送受信モ
ジュールの場合、このガラスの除去が付加的なプロセス
としてではなく、光送受信モジュールを作製する工程の
一部を兼ねることにより作製工程の負担を増加させるこ
となく石英系ガラスの除去を実現する。

【０００６】すなわち、請求項１記載の発明に係るフィ
ルタ挿入型導波路デバイスは、シリコン基板上に形成さ
れた石英系ガラス光導波路と、前記石英系ガラス光導波
路を横切って形成された溝と、前記溝に挿入された誘電
体多層膜フィルタと、前記誘電体多層膜フィルタを前記
溝に固定するための樹脂とから構成されるフィルタ挿入
型導波路デバイスにおいて、前記溝に沿い前記石英系ガ
ラス光導波路のコアおよびその近傍のガラス以外のガラ
スが除去されていることを特徴とする。

【０００７】請求項２記載の発明に係るフィルタ挿入型
導波路デバイスは、請求項１記載のフィルタ挿入型導波
路デバイスにおいて、前記ガラスが除去される部分のシ
リコン基板上に凸部が形成されていることを特徴とす
る。

【０００８】請求項３記載の発明に係るフィルタ挿入型
導波路デバイスは、請求項１または２に記載のフィルタ
挿入型導波路デバイスにおいて、前記ガラス除去部の先
端形状が鋭角になっていることを特徴とする。

【０００９】請求項４記載の発明に係るフィルタ挿入型
導波路デバイスの製造方法は、シリコン基板上に石英系
ガラス光導波路を形成し、前記石英系ガラス光導波路を
横切って溝を形成し、前記溝に誘電体多層膜フィルタを
挿入し、前記誘電体多層膜フィルタを前記溝に樹脂で固
定するフィルタ挿入型導波路デバイスの製造方法におい
て、前記溝に沿い前記石英系ガラス光導波路のコアおよ
びその近傍のガラス以外のガラスを除去する工程を備え
ることを特徴とする。

【００１０】請求項５記載の発明に係るフィルタ挿入型
導波路デバイスの製造方法は、請求項４記載のフィルタ
挿入型導波路デバイスの製造方法において、ハイブリッ
ド集積型光モジュール内に作製されるフィルタ挿入型導
波路デバイスの製造において、光素子搭載用の基板凸部
を形成する際に同時に前記ガラス除去部に対応した領域
に基板凸部を形成する工程と、光素子搭載部形成のため
のガラス除去を行う際に同時にフィルタ挿入用溝に沿っ
てガラス除去部を形成する工程とを備えることを特徴と
する。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明は、導波路の途中に溝を設
けてこの溝にフィルタを挿入するフィルタ挿入型導波路
デバイスに広く適用できるが、ハイブリッド集積型光モ
ジュール内に作製されるフィルタ挿入型導波路デバイス
に適用するのが特に有効である。

【００１２】以下に、図面を参照しながら本発明をフィ
ルタ反射型光合分波器に適用した場合について具体的に
説明するが、本発明はこれに限定されることなく、一般
にフィルタ挿入型導波路デバイスに広く適用できること
はもちろんである。

【００１３】本発明のフィルタ挿入型導波路デバイスお
よびその製造方法は、上述の溝加工をダイシングソーで
行う際のブレード摩耗を抑制すると共にブレードにかか
る負荷を低減することを目的としている。上記溝は光の
放射損失を抑制するため、幅が２０μｍ、深さが１５０
μｍときわめて細い。よって、使用するブレードの厚み
はきわめて薄い。このため、薄いブレードにかかる負荷
により溝の形状が変形することが問題である。一方、石
英系ガラスはシリコンに比べて強度が高くブレードに与
える負荷が大きい。実際にシリコンと石英系ガラスにそ
れぞれ溝加工した場合の、延べ溝加工長さ（ｍ）と溝幅
（μｍ）の関係を図１に示す。石英系ガラスを加工した
場合、ブレードが急速に摩耗することが分かる。すなわ
ち、溝加工を行う場合、加工にかかる石英系ガラスの量
を低減することによりブレードの負荷を低減できること
が分かる。

【００１４】図２は本発明のフィルタ反射型光合分波器
を用いたＷＤＭ光送受信モジュールを示す斜視図であ
る。図３は図２のＡＡ′線に沿った拡大断面図、図４は
図２のＢＢ′線に沿った拡大断面図、図５は図２のＣ
Ｃ′線に沿った拡大断面図、図６は図２のＤＤ′線に沿
った拡大断面図である。

【００１５】図２に示す本発明のＷＤＭ光送受信モジュ
ールの構成は図１２に示す従来の光送受信モジュールと
大部分共通しており、同じまたは同等の部材には同じ符
号を付してある。本発明のＷＤＭ光送受信モジュールで
は溝１３は基板上の凸部であるＳｉテラス２１のほぼ中
心に設けられている。溝１３の両側面に対向する導波路
層２の端部２２は一部を除いてＳｉテラス２１の頂部に
は存在しないため、突出部２３が形成されている。すな
わち、溝１３の長さ方向において、導波路のコア部とそ
の近傍領域を除くその他の領域で一定幅でガラスが除去
されてＳｉテラス２１が露出している。ここで、このガ
ラスが除去される幅は、溝加工時のブレードがかからな
い程度に大きければよい。

【００１６】図３に示すように、図２のＡＡ′線に沿っ
た断面では、導波路層２は下部クラッド層２４、第２下
部クラッド層２５および上部クラッド層２６からなり、
下部クラッド層２４とＳｉテラス２１の頂面とは同じ高
さであり、溝１３に誘電体多層膜フィルタ１４を挿入し
た残りの空隙とガラス除去部（露出テラス面と第２下部
クラッド層２５および上部クラッド層２６の合計高さに
よって規定される空間から誘電体多層膜フィルタの占め
る部分を除いた空間）とを接着剤２７で埋めて誘電体多
層膜フィルタ１４を固定してある。テラス２１の露出幅
Ｗは、モジュール作製時の溝加工でブレードにかかる負
荷が大きくなり過ぎず、安定した品質のモジュールが得
られる大きさであればよい。

【００１７】図４に示すように、図２のＢＢ′線に沿っ
た断面では、Ｓｉテラス２１は設けられておらず、導波
路層２の端面２２は溝１３の側面１３ａと同一面を形成
している（図７（ｂ）および図８の符号２４ａ参照）。

【００１８】図５に示すように、露出したＳｉテラス２
１を通る、図２のＣＣ′線に沿った断面では、導波路層
２の突出部２３は下部クラッド層２４，第２下部クラッ
ド層２５、上部クラッド層２６および上部クラッド層２
６に埋設されたコア２８からなる。すなわち、コア２８
とその近傍の導波路層（下部クラッド層２４、第２下部
クラッド層２５および上部クラッド層２６）のみ導波路
層を構成するガラスが存在し、両側はＳｉ基板１と同物
質のＳｉテラス２１が露出している。突出部２３の溝１
３の長さ方向に沿った長さＬは光の伝搬損失を考慮して
５０μｍ以上にする必要がある。

【００１９】図６に示すように、図２のＤＤ′線に沿っ
た断面では、受信用ＰＤ９は電気配線および半田１１ａ
を介してＳｉテラス２１と下部クラッド層２４上に搭載
されている。ここには図示しないが、送信用ＬＤ７とモ
ニターＰＤ８も同様に電気配線および半田１１ａを介し
てＳｉテラス２１と下部クラッド層２４上に搭載されて
いる。すなわち、図２のＬＤ／ＰＤ搭載部１０はＳｉテ
ラス２１と下部クラッド層２４の上に電気配線および半
田を設けたものである。

【００２０】つぎに、図７（ａ）〜（ｆ）および図８を
参照して図２のＷＤＭ光送受信モジュールの作製方法に
ついて簡単に説明する。まず、平坦なシリコン基板１を
パターン化して、基板上の凸部としてのＳｉテラス２
１、すなわちＬＤ／ＰＤ搭載部（図２の符号１０）用Ｓ
ｉテラス２１ａおよび溝加工部用Ｓｉテラス２１ｂ、以
外の部分を一定の深さ（例えば約３０μｍ）にエッチン
グする。この上に下部クラッド層２４となるガラス層を
火炎堆積法で形成する（図７（ａ））。この後、Ｓｉテ
ラス２１ａ，２１ｂのシリコンが表面に露出するまで平
坦化研磨を行う（図７（ｂ））。この研磨面２９がＬＤ
／ＰＤを実装する場合の導波路に対する高さ基準面にな
る。この状態での上面図を図８に示す。図８に示すよう
に、Ｓｉテラス２１ａの頂部はシリコン露出部２１ｃで
あり、ＬＤ／ＰＤ搭載部のスペースとなる。溝加工部に
相当する部分はその一部にＳｉテラス２１ｂが存在せ
ず、Ｓｉテラス２１ｂの頂部に相当するシリコン露出部
２１ｄは上述の研磨面（基準面）２９まで存在する下部
クラッド層２４により分離されている。すなわち、下部
クラッド層２４は幅Ｌのブリッジ２４ａで連絡してい
る。Ｌの値は上述の通りである。続いて、高さ調整層と
なる第２下部クラッド層２５、そしてコア層２８ａを例
えば約７μｍ堆積する（図７（ｃ））。コア層２８ａを
導波路パターンにエッチング加工してコア２８を形成し
た後、上部クラッド層２６を堆積する。コア２８はＳｉ
テラス２１ｂを越え、Ｓｉテラス２１ａの直前まで延び
ている（図７（ｄ））。ここでは、すべてクラッド層お
よびコア層の堆積は火炎堆積法を用いた。引き続き、Ｌ
Ｄ／ＰＤ搭載部１０（図８の２１ｃ）および溝加工部
（図８の２１ｄ）のシリコンが再度露出するまでガラス
をエッチングし、ＬＤ／ＰＤの電極配線および搭載用半
田１１ａを堆積する（図７（ｅ））。

【００２１】最後に、誘電体多層膜フィルタを挿入する
ための溝１３を加工し（図７（ｆ））、その溝１３に誘
電体多層膜フィルタを挿入し、接着剤で固定すると図２
に示す光送受信モジュールとなる。

【００２２】図９に本発明の第２の実施形態によるＷＤ
Ｍ光送受信モジュールを示す。本実施形態では、溝加工
部の石英系ガラスを除去するパターンとして矩形ではな
く、先端を鋭角にしていることが図２に示すＷＤＭ光送
受信モジュールの構成と異なる。すなわち、突出部２３
ａは台形をしており、この上底（先端側）の長さＬ１が
下底（基底側）の長さＬ２よりも小さく（Ｌ１＜Ｌ２）
してある。

【００２３】図１０に本発明の第３の実施形態による、
ＬＤ／ＰＤを含んでいない導波路に誘電体多層膜フィル
タが挿入された導波路型フィルタモジュールの例を示
す。図２に示す部材と同じまたは同等の部材は同じ符号
を付し、詳細な説明は省略した。図１０において、３０
は１．３１ポート、３１はファイバアレイ、３２は１．
３１μｍ光が伝搬される第３のファイバである。このモ
ジュールでは、コモンポート１５より第１の入出力導波
路を伝搬する１．３１／１．５５μｍ混合光は誘電体多
層膜フィルタ１４により１．５５μｍ光が反射され、反
射光は１．５５ポートから第２のファイバを通って伝搬
し、誘電体多層膜フィルタ１４を透過した１．３１μｍ
光は１．３１ポート３０を経て第３のファイバ３２より
外部に取り出されるようになっている。本実施形態では
ＬＤ／ＰＤ搭載用のＳｉテラスは必要ないので、フィル
タ搭載部（溝加工部）にもＳｉテラスは設けられておら
ず、図１０に示すように導波路はＳｉ基板の平坦な面に
形成されている。そして、導波路を横断する溝１３に誘
電体多層膜フィルタ１４が挿入され、該フィルタ周辺部
の石英ガラスが図２に示すモジュールの場合と同様に除
去されている。

【００２４】本実施形態の導波路型フィルタモジュール
の作製工程を図１１（ａ）〜（ｅ）に示す。Ｓｉ基板１
上に下部クラッド層２４を形成し（図１１（ａ））、下
部クラッド層２４上にコア層２８を形成し（図１１
（ｂ））、さらにこの上に上部クラッド層２６を形成し
て、Ｓｉ基板１、下部クラッド層２４、コア層２８ａお
よび上部クラッド層２６からなる石英ガラス導波路を形
成し（図１１（ｃ））する。ついで、誘電体多層膜フィ
ルムを搭載すべき部分、すなわち溝加工部分の領域の石
英ガラス導波路層をＳｉ基板１が露出するまでエッチン
グしてガラスを除去し（図１１（ｄ））、最後にブレー
ドで溝１３を形成した（図１１（ｅ））。石英系ガラス
導波路層のエッチングでは、図７に示す方法の場合と比
べて、下部クラッド層が厚い分エッチング時間は増加し
た。反面、厚い石英系ガラス層を除去したことでブレー
ドへの負荷が著しく低減される。

【００２５】なお、本実施形態においてはフィルタ搭載
部にＳｉテラスが無い場合を示したが、図７に示す工程
を用いて、フィルタ搭載部にもＳｉテラスを設けたもの
も作製可能である。さらに、図９に示すように、突出部
２３の形状を台形にすることにより、さらにブレードに
対する負荷を低減し、溝の形状変形を抑制することがで
きる。

【００２６】ダイシングソーで溝加工する領域の石英系
ガラスの除去は、あらかじめ別の手法、例えば反応性イ
オンエッチング、で除去してもよい。しかし、実際に
は、この石英系ガラスの除去工程が新たなプロセス負担
になるような応用よりも、上述の実施形態で示したＷＤ
Ｍ光送受信モジュールの応用例のように石英系ガラスの
除去が新たなプロセス負担にならない応用例の方がより
有効である。

【００２７】上述の実施形態では波長号分波機能を有す
るフィルタ反射型光号分波器の例を示したが、光合分波
器としては、光パワーを一定の比率で分岐するものも使
用できる。

【００２８】

【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はこれらの実施例に限定されない。

【００２９】（実施例１）本実施例では、図１に示す構
成のフィルタ反射型合分波器を、チップ幅３ｍｍ、溝の
幅２０μｍ、深さ１５０μｍで作製し、この３ｍｍのチ
ップ幅の内、導波路の部分の１００μｍを除いて（すな
わち、図７でＬ＝１００μｍとして）、溝加工にかかる
石英系ガラスを上述の方法により除去した。

【００３０】これにより、ブレードの負荷が低減でき、
ブレードの摩耗が抑制されるとともに、溝形状の変形が
抑制できた。

【００３１】（実施例２）図９に示す構成の、第２の実
施例によるＷＤＭ光送受信モジュールを作製した。本実
施例では、溝加工部の石英系ガラスを除去するパターン
として矩形ではなく、先端を鋭角にしていることが図１
に示すＷＤＭ光送受信モジュールの構成と異なる。すな
わち、突出部２３ａは台形をしており、この上底（先端
側）の長さＬ１、下底（基底側）の長さＬ２を、Ｌ１＜
Ｌ２となるようにした。このように突出部の形状を決め
てガラスをエッチングすることによりブレードにかかる
負担がさらに低減し、誘電体多層膜フィルタを細い溝に
挿入する工程がさらに容易になった。

【００３２】（実施例３）図１０に示す構成の、ＬＤ／
ＰＤを含んでいない導波路に誘電体多層膜フィルタが挿
入された導波路型フィルタモジュールを作製した。石英
系ガラス導波路層のエッチングでは下部クラッド層が厚
い分エッチング時間は増加したが、その反面、厚い石英
系ガラス層を除去したことでブレードへの負荷が著しく
低減され、上記の２０μｍという薄いブレードを使用し
ても形状変化のない溝作製が可能であった。

【００３３】

【発明の効果】本発明のフィルタ挿入型導波路デバイス
およびその製造方法は、溝加工部に沿い石英系ガラス光
導波路のコアおよびその近傍のガラス以外のガラスを除
去することにより、溝加工時のブレードの摩耗を抑制し
得る、大量生産に適したフィルタ挿入型導波路デバイス
とその製造方法を提供でき、低コストなＷＤＭ光送受信
モジュールを実現することができた。

【００３４】さらに、シリコン基板上に形成されたＬＤ
／ＰＤ搭載用のＳｉテラスと同時形成されたＳｉテラス
を誘電体多層膜フィルタ搭載部に設けることにより、プ
ロセス負担の少ないガラスの除去が可能となり、さらに
大量生産に適したフィルタ挿入型導波路デバイスおよび
その製造方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】延べ加工溝長さによる溝幅の変化を示すグラフ
である。

【図２】本発明のフィルタ反射型光合分波器を用いたＷ
ＤＭ光送受信モジュールを示す斜視図である。

【図３】図２のＡＡ′線に沿った拡大断面図である。

【図４】図２のＢＢ′線に沿った拡大断面図である。

【図５】図２のＣＣ′線に沿った拡大断面図である。

【図６】図２のＤＤ′線に沿った拡大断面図である。

【図７】本発明の第１の実施形態によるフィルタ挿入型
導波路デバイス（ＷＤＭ光送受信モジュール）の作製工
程を示す断面図であり、（ａ）はＳｉテラスを形成した
基板に下部クラッド層を堆積した段階の素子、（ｂ）は
平坦化研磨してシリコンを露出した段階の素子、（ｃ）
は第２下部クラッド層（高さ調整層）とコア層を堆積し
た段階の素子、（ｄ）はコアを形成し上部クラッドを堆
積した段階の素子、（ｅ）はＬＤ／ＰＤ用の電極配線お
よび搭載用半田を堆積した段階の素子、（ｆ）は溝加工
した段階の素子を示す。

【図８】図７（ｂ）の段階における素子の上面図であ
る。

【図９】本発明の第２の実施形態によるＷＤＭ光送受信
モジュールを示す斜視図である。

【図１０】本発明の第３の実施形態によるＷＤＭ光送受
信モジュールを示す斜視図である。

【図１１】本発明の第３の実施形態によるＷＤＭ光送受
信モジュールの作製工程示す断面図であり、（ａ）は下
部クラッド層を堆積した段階の素子、（ｂ）はコア層を
堆積した段階の素子、（ｃ）は上部クラッド層を堆積し
た段階の素子、（ｄ）はコア近傍のガラスを除去した段
階の素子、（ｅ）は溝加工した段階の素子を示す。

【図１２】従来の光送受信モジュールの構成を示す斜視
図である。

【符号の説明】

１ Ｓｉ基板 ２ 導波路層 ３ 第１の入出力導波路 ４ 第２の入出力導波路 ５ 導波路 ６ Ｙ分岐 ６ａ，６ｂ 導波路 ７ 送信用ＬＤ ８ モニターＰＤ ９ 受信用ＰＤ １０ ＬＤ／ＰＤ搭載部 １１、１２ 電気配線 １１ａ 電気配線および半田 １３ 溝 １３ａ 溝の側面 １４ 誘電体多層膜フィルタ １５ コモンポート １６ １．５５ポート １７ 補強ガラス １８ ファイバアレイ １９ 第１のファイバ ２０ 第２のファイバ ２１、２１ａ、２１ｂ Ｓｉテラス ２１ｃ，２１ｄ シリコン露出部 ２２ 端部 ２３、２３ａ 突出部 ２４ 下部クラッド層 ２４ａ ブリッジ ２５ 第２下部クラッド層（高さ調整層） ２６ 上部クラッド層 ２７ 接着剤 ２８ コア ２８ａ コア層 ２９ 研磨面 ３０ １．３１ポート ３１ ファイバアレイ ３２ 第３のファイバ Ｌ 突出部の溝に沿う方向の長さ Ｌ１ 突出部の上底の長さ Ｌ２ 突出部の下底の長さ Ｗ テラスの露出幅

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 シリコン基板上に形成された石英系ガラ
   ス光導波路と、前記石英系ガラス光導波路を横切って形
   成された溝と、前記溝に挿入された誘電体多層膜フィル
   タと、前記誘電体多層膜フィルタを前記溝に固定するた
   めの樹脂とから構成されるフィルタ挿入型導波路デバイ
   スにおいて、前記溝に沿い前記石英系ガラス光導波路の
   コアおよびその近傍のガラス以外のガラスが除去されて
   いることを特徴とするフィルタ挿入型導波路デバイス。
2. 【請求項２】 前記ガラスが除去される部分のシリコン
   基板上に凸部が形成されていることを特徴とする請求項
   １記載のフィルタ挿入型導波路デバイス。
3. 【請求項３】 前記ガラス除去部の先端形状が鋭角にな
   っていることを特徴とする請求項１または２に記載のフ
   ィルタ挿入型導波路デバイス。
4. 【請求項４】 シリコン基板上に石英系ガラス光導波路
   を形成し、前記石英系ガラス光導波路を横切って溝を形
   成し、前記溝に誘電体多層膜フィルタを挿入し、前記誘
   電体多層膜フィルタを前記溝に樹脂で固定するフィルタ
   挿入型導波路デバイスの製造方法において、前記溝に沿
   い前記石英系ガラス光導波路のコアおよびその近傍のガ
   ラス以外のガラスを除去する工程を備えることを特徴と
   するフィルタ挿入型導波路デバイスの製造方法。
5. 【請求項５】 ハイブリッド集積型光モジュール内に作
   製されるフィルタ挿入型導波路デバイスの製造におい
   て、光素子搭載用の基板凸部を形成する際に同時に前記
   ガラス除去部に対応した領域に基板凸部を形成する工程
   と、光素子搭載部形成のためのガラス除去を行う際に同
   時にフィルタ挿入用溝に沿ってガラス除去部を形成する
   工程とを備えることを特徴とする請求項４記載のフィル
   タ挿入型導波路デバイスの製造方法。