DISPOSITIF INCLUANT UNE DIODE ELECTROLUMINESCENTE ET UN TRANSFORMATEUR ASSOCIE L'invention concerne l'éclairage par diodes électroluminescentes, et en particulier les dispositifs d'éclairage à diodes électroluminescentes destinés à 5 être connectés à un réseau de distribution électrique public. La diffusion de dispositifs d'éclairage à diodes électroluminescentes pour l'éclairage domestique est en croissance, notamment du fait du rendement énergétique relativement élevé procuré par de tels dispositifs. Cependant, les diodes électroluminescentes sont usuellement conçues 10 pour être alimentées par des tensions continues comprises entre 5 et 15 V à leurs bornes, alors que les niveaux de tension disponibles sur les réseaux électriques publics sont usuellement soit de 110 V, soit de 220V en alternatif. Par conséquent, les dispositifs d'éclairage à diodes électroluminescentes diffusées incluent nécessairement des convertisseurs permettant de redresser 15 la tension et d'appliquer un niveau de tension approprié aux bornes de la diode électroluminescente et permettant de protéger celle-ci. Pour éviter l'utilisation de transformateurs, la conversion est généralement réalisée en disposant une ou plusieurs diodes électroluminescentes dans un diviseur de tension. La réalisation de 20 convertisseurs pour des dispositifs d'éclairage à diodes électroluminescentes fait usuellement appel à une combinaison de composants montés en surface connectés à la diode électroluminescente. Ces montages font appel à des résistances de forte valeur ou à des condensateurs présentant une capacité de plusieurs centaines de nF. De tels composants montés en surface constituent 25 un coût non négligeable pour le dispositif d'éclairage. Par ailleurs, les condensateurs montés en surface sont les composants les plus sensibles au vieillissement du dispositif d'éclairage. En outre, de tels dispositifs d'éclairage nécessitent des radiateurs coûteux et volumineux pour évacuer la chaleur du circuit de conversion et éviter la destruction de celui-ci. 30 L'invention vise à résoudre un ou plusieurs de ces inconvénients. L'invention porte ainsi sur un dispositif d'éclairage, incluant: -un convertisseur alternatif/continu abaisseur de tension, comportant : -une interface d'entrée de tension alternative, et une interface de sortie ; -une diode électroluminescente connectée entre des bornes de 35 l'interface de sortie; -une résistance connectée pour former un diviseur de tension avec la diode électroluminescente par rapport à une tension appliquée à l'interface d'entrée ; -un circuit de régulation de tension ; 40 -ladite résistance incluant un premier transistor à heterojonction à effet de champ et le circuit de régulation incluant un second transistor à hétérojonction ICG10903 FR Depot Texte.doc à effet de champ, les premier et second transistors comportant une couche de GaN, une couche de AIGaN, et un gaz d'électrons à l'interface entre ces couches, la diode électroluminescente étant formée sur ladite couche de AIGaN. Selon une variante, les premier et second transistors comportent chacun 5 une grille, une source et un conducteur électrique raccordant cette grille et cette source. Selon une autre variante, ledit premier transistor à heterojonction présente une tension de seuil négative. Selon encore une variante, ladite résistance inclut un troisième transistor 10 à heterojonction à effet de champ connecté en série avec le premier transistor à heterojonction et présentant une tension de seuil négative, les sources ou les drains desdits premier et troisième transistors étant connectés ensemble. Selon encore une autre variante, ledit premier transistor à heterojonction présente deux grilles. 15 Selon une variante, ladite résistance est dimensionnée pour que la tension entre les bornes de l'interface de sortie soit inférieure au tiers de la tension sur l'interface d'entrée. Selon une autre variante, le circuit de régulation est connecté en parallèle de ladite diode électroluminescente. 20 Selon encore une variante, ledit deuxième transistor à heterojonction présente une tension de seuil positive. Selon encore une autre variante, le dispositif d'éclairage comprend plusieurs diodes électroluminescentes connectées en parallèle entre les bornes de ladite interface de sortie. 25 Selon une variante, le dispositif d'éclairage comprend en outre un circuit de redressement comprenant des quatrième, cinquième, sixième et septième transistors à hétérojonction à effet de champ comportant chacun une grille, une source, un drain et un conducteur électrique raccordant leur grille et leur source respectives, lesdits quatrième à septième transistors présentant une tension de 30 seuil nulle, lesdits quatrième à septième transistors étant connectés en pont de diodes. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront clairement de la description qui en est faite ci-après, à titre indicatif et nullement 35 limitatif, en référence aux dessins annexés, dans lesquels : -la figure 1 est un schéma électrique simplifié d'un premier mode de réalisation d'un dispositif d'éclairage selon l'invention ; -la figure 2 est une vue en coupe d'un transistor à hétérojonction à effet de champ pouvant être utilisé dans un convertisseur d'un dispositif selon 40 l'invention ; ICG10903 FR Depot Texte.doc -la figure 3 illustre des exemples de caractéristiques électriques de transistors à heterojonction tels qu'illustrés à la figure 1 ; -la figure 4 est un schéma électrique simplifié d'un second mode de réalisation d'un dispositif d'éclairage selon l'invention ; -la figure 5 illustre une variante de transistor à heterojonction pouvant être utilisé dans un dispositif d'éclairage selon l'invention ; -la figure 6 illustre un exemple de caractéristique électrique du transistor de la figure 5 ; -la figure 7 est un schéma électrique simplifié d'un troisième mode de 10 réalisation d'un dispositif d'éclairage selon l'invention ; -la figure 8 est une vue de dessus schématique d'un exemple d'agencement des transistors à heterojonction du troisième mode de réalisation; -la figure 9 est un exemple d'un circuit de redressement pouvant être utilisé dans un dispositif d'éclairage selon l'invention ; 15 -la figure 10 est une vue de dessus schématique d'un exemple d'agencement des transistors à heterojonction du circuit de redressement de la figure 9. La figure 1 est un schéma électrique simplifié d'un premier mode de 20 réalisation d'un dispositif d'éclairage 1. Le dispositif d'éclairage 1 comporte un module d'éclairage 2 incluant une diode électroluminescente ou LED 21. Le dispositif d'éclairage 1 comporte par ailleurs un convertisseur abaisseur de tension 3 entre une interface d'entrée et une interface de sortie. Le convertisseur 3 présente ici également une fonction de régulation de tension 25 entre les bornes de l'interface de sortie. L'interface d'entrée inclut les bornes 11 et 12 et est destinée à recevoir une tension alternative entre ces bornes. L'interface de sortie inclut les bornes 13 et 14 et est destinée à générer une tension abaissée et régulée entre ces bornes. La LED 21 est connectée entre les bornes 13 et 14. 30 Deux transistors à heterojonction à effet de champ 301 et 302 sont connectés en série entre la borne 11 et le noeud 15, les transistors 301 et 302 étant connectés par leurs drains. Les transistors 301 et 302 sont configurés pour se comporter comme une résistance entre la borne 11 et le noeud 15. Un transistor à heterojonction à effet de champ 303 est connecté entre le noeud 15 35 et la borne 13. Le transistor 303 est configuré pour se comporter comme une résistance unidirectionnelle en courant entre la borne 13 et le noeud 15. Les bornes 12 et 14 sont au même potentiel. Des transistors à heterojonction à effet de champ 304 et 305 sont connectés en parallèle, entre le noeud 15 et la borne 14. Les transistors 304 et 305 sont configurés pour que 40 leur combinaison se comporte comme une diode Zener entre le noeud 15 et la ICG10903 FR Depot Texte.doc borne 14, afin de réguler la tension entre le noeud 15 et la borne 14, et donc également la tension sur l'interface de sortie. Pour chacun des transistors 301 à 305, leur grille est connectée à leur source, par exemple par l'intermédiaire d'un raccordement par un conducteur 5 électrique. La figure 2 est une vue en coupe d'un exemple de transistor à heterojonction à effet de champ 9 pouvant être utilisé pour former l'un des transistors 301 à 305 du dispositif d'éclairage de la figure 1. Le transistor 9 peut 10 être réalisé de façon connue en soi sur un substrat 91, revêtu d'une couche tampon 92. La couche tampon 92 est recouverte d'une couche de GaN 93. La couche de GaN 93 est recouverte d'une couche d'AIGaN 94, de sorte qu'une couche de gaz d'électrons 95 est formée à l'interface entre les couches 93 et 94. Le transistor 9 comporte de façon connue en soi une source 96, un drain 97 et 15 une grille de commande 98. La source 96, le drain 97 et la grille de commande 98 sont ici formés sur la couche d'AIGaN 94. Afin de maintenir en permanence une même tension sur la grille 98 et sur la source 96, un conducteur électrique 99 relie la source 96 et la grille 98. Le conducteur électrique 99 est par exemple un élément métallique d'un seul 20 tenant. L'utilisation d'une même tension sur la grille 98 et sur la source 96 permet de simplifier le dispositif d'éclairage 1 en évitant d'avoir à générer des tensions de commande pour les grilles des transistors à hétérojonction. Les différents transistors à hétérojonction à effet de champ mentionnés en relation avec l'invention présenteront avantageusement une source et une grille reliées 25 par un élément métallique. Le substrat 91 peut être un isolant ou un semiconducteur de type silicium intrinsèque ou dopé P. Le substrat 91 pourra par exemple être de type silicium à maille (111). Le substrat 91 peut typiquement présenter une épaisseur comprise entre 650 pm et 1 mm. Le substrat 91 peut également être réalisé en carbure de 30 silicium, ou en saphir. La couche tampon 92 est avantageusement déposée sur le substrat 91 pour servir d'intermédiaire entre ce substrat et la couche de GaN 93, pour permettre une adaptation de maille entre le substrat 91 et cette couche 93 et pour limiter les contraintes mécaniques dans cette couche 93. 35 La couche 93 peut typiquement présenter une épaisseur comprise entre 100nm et 4pm. La couche 93 peut être formée de façon connue en soi par épitaxie sur la couche tampon 92. La figure 2 montre ici un exemple de cointégration du transistor 9 avec la LED 21. La Led 21 est ici isolée du transistor 9 par l'intermédiaire d'une 40 tranchée d'isolation 100. La LED 21 inclut avantageusement un empilement de ICG10903 FR Depot Texte.doc couches connues en soi, déposé sur la couche 94 d'AIGaN. La LED 21 comporte ainsi : -une couche 213 de n-GaN (par exemple par dopage avec du silicium) ménagée sur la couche 94 ; -une électrode 211 ménagée sur la couche 213 ; -une couche active 214 ménagée sur la couche 213, de côté par rapport à l'électrode 211. La couche active 214 comprend généralement un empilement de couches de type InGa(X-1)Nx ; -une couche 215 de p-GaN (par exemple par dopage avec du 10 magnesium) ; -une électrode 212 ménagée sur la couche 215. Suivant la fonction électrique que l'on souhaite former à partir d'un ou plusieurs transistors à heterojonction, on fera appel à des transistors à 15 heterojonction de type normalement fermé ou de type normalement ouvert. Des procédés de fabrication de transistor à heterojonction de type normalement ouvert ou de type normalement fermé sont connus en soi de l'homme du métier. Chaque transistor à heterojonction comportera une tension de seuil d'un niveau approprié pour l'obtention de sa fonction électrique. 20 En présence d'une grille 98 et d'une source 96 maintenues en permanence à une même tension, la fonction électrique de chacun de ces transistors à heterojonction sera définie par la valeur de sa tension de seuil. Des procédés de fabrication permettant d'influer sur la valeur de la tension de seuil d'un transistor à heterojonction sont connus en soi. Le procédé décrit dans le 25 document 'Recessed-gate structure approach toward normally off high-Voltage AIGaN/GaN HEMT for power electronics applications', publié par Sato et al., dans Electron Devices, IEEE Transactions Volume 53, Issue 2, pages 356 362, en date du 23 Janvier 2006, décrit des processus permettant de modifier la tension de seuil d'un transistor à heterojonction dans une plage comprise entre - 30 8 et 3 V. Ce document propose notamment de former un renfoncement plus ou moins profond dans la couche d'AIGaN pour y déposer la grille. Un même circuit intégré pourra ainsi comprendre différents transistors à heterojonction présentant des tensions de seuil différentes, en formant par exemple des renfoncements pour leur grille de différentes profondeurs. D'autres procédés 35 pourront être utilisés pour modifier la tension de seuil d'un transistor à heterojonction, en modifiant les propriétés du gaz d'électrons 95 à l'aplomb de la grille 98. Il est notamment connu d'implanter des ions positifs sous une grille pour accroître la tension de seuil vers des valeurs positives. Les transistors à heterojonction à effet de champ s'avèrent particulièrement appropriés pour des 40 tensions de fonctionnement de plusieurs centaines de volts, avec une température de fonctionnement relativement élevée, ce qui permet par exemple ICG10903 FR Depot Texte.doc un fonctionnement sans défaillance même en l'absence de dissipateur thermique. La figure 3 illustre des exemples de caractéristiques électriques (courant source/drain Ids et tension entre source et drain Vds) entre différents transistors 5 à heterojonction, en fonction de leur tension de seuil. Vgs désigne la tension entre grille et source et sera nulle dans les exemples étudiés. Sur la partie droite du diagramme, on distingue le cas de figure dans lequel la tension de seuil Vth d'un transistor est strictement positive, et le cas de figure dans lequel cette tension de seuil Vth est strictement négative. 10 Pour une tension de seuil Vth strictement négative, la relation Vgs> Vth est nécessairement respectée car Vgs = OV. De tels transistors à heterojonction peuvent être utilisés dans leur partie linéaire pour une fonction de résistance, la valeur de résistance à l'état passant dépendant alors de la valeur de la tension de seuil Vth de chacun de ces transistors. 15 Pour une tension de seuil Vth strictement positive, la relation Vgs< Vth est nécessairement respectée car Vgs = OV. Le courant Ids reste sensiblement nul. Sur la partie gauche du diagramme, le courant Ids reste sensiblement nul jusqu'à ce que Vds atteigne la valeur -Vth. 20 Différentes fonctions électriques obtenues par l'intermédiaire des transistors à heterojonction 301 à 305 sont représentées par des composants électroniques en pointillés à la figure 3. Les transistors 301 et 302 sont utilisés pour former un diviseur de tension 25 avec les composants électriques connectés entre le noeud 15 et la borne 14. La combinaison des transistors 301 et 302 en série pourra présenter une résistance de l'ordre de 300 0 à l'état passant, de façon à obtenir une tension maximale de 85V (en considérant un courant à travers la Led 21 égal à 800mA) entre le noeud 15 et la borne 14, à partir d'une tension d'entrée de 230 V en 30 alternatif. Les transistors 301 et 302 présentent chacun une tension de seuil Vth de -1V. L'utilisation des transistors 301 et 302 connectés en série par leur drain permet d'obtenir une même valeur de résistance lors des deux alternances de la tension appliquée entre les bornes 11 et 12. Pour une tension d'entrée alternative de 230 V, l'amplitude crête peut 35 atteindre 325 V. La tension entre le noeud 15 et la borne 14 peut alors atteindre 85 V (en considérant un courant à travers la Led 21 égal à 800mA). Le transistor 304 permet de réguler la tension entre le noeud 15 et la borne 14. Le transistor 304 peut être traversé par un courant inverse de sa source vers son drain, c'est-à-dire du noeud 15 vers la borne 14. Le transistor 304 devient passant en 40 inverse lorsque sa tension Vds devient supérieure à sa tension de seuil Vth. Sa résistance dans cet état passant en inverse est alors par exemple de l'ordre de ICG10903 FR Depot Texte.doc 10. En inverse, le transistor 304 se comporte comme une diode Zener présentant une tension Zener égale à -Vth. Le transistor 304 pourra par exemple être choisi pour présenter une tension de seuil Vth de 4V. Pour garantir la conduction de la borne 14 vers le noeud 15, le transistor 305 est connecté tête-bêche avec le transistor 304. Le transistor 305 présente par exemple une tension de seuil Vth comprise entre 0,5 et 1 V (par exemple de 1V), pour obtenir sensiblement le fonctionnement en direct d'une diode. Le transistor 305 se comporte ainsi comme un composant d'un circuit de redressement. Le transistor 303 est utilisé pour former une résistance en série avec la LED 21. Le transistor 303 pourra présenter une résistance de l'ordre de 400 à l'état passant, de façon à obtenir une tension redressée maximale de 10 V aux bornes de la LED 21. Le transistor 303 pourra présenter une tension de seuil Vth de -1V.The invention relates to light-emitting diode illumination, and in particular to light-emitting diode lighting devices for connection to a public electrical distribution network. The diffusion of LED lighting devices for home lighting is growing, especially because of the relatively high energy efficiency provided by such devices. However, the light-emitting diodes are usually designed to be supplied with DC voltages of between 5 and 15 V at their terminals, whereas the voltage levels available on the public electricity networks are usually 110 V or 220 V alternatively. . Therefore, diffused light emitting diode lighting devices necessarily include converters for rectifying the voltage and applying a suitable voltage level across the light emitting diode and for protecting the light-emitting diode. To avoid the use of transformers, the conversion is generally carried out by arranging one or more light-emitting diodes in a voltage divider. The embodiment of converters for light emitting diode lighting devices usually uses a combination of surface mounted components connected to the light emitting diode. These assemblies use resistors of high value or capacitors having a capacity of several hundred nF. Such surface mounted components are a significant cost for the lighting device. In addition, the surface-mounted capacitors are the most sensitive components to the aging of the lighting device. In addition, such lighting devices require expensive and bulky radiators to evacuate the heat of the conversion circuit and avoid the destruction thereof. The invention aims to solve one or more of these disadvantages. The invention thus relates to a lighting device, including: an AC / DC down-converter, comprising: an AC voltage input interface, and an output interface; an electroluminescent diode connected between terminals of the output interface; a connected resistor for forming a voltage divider with the light emitting diode with respect to a voltage applied to the input interface; a voltage regulation circuit; Said resistor including a first field-effect heterojunction transistor and the control circuit including a second field-effect heterojunction transistor; the first and second transistors comprising a GaN layer; AIGaN, and an electron gas at the interface between these layers, the light emitting diode being formed on said AIGaN layer. According to a variant, the first and second transistors each comprise a gate, a source and an electrical conductor connecting this gate and this source. According to another variant, said first heterojunction transistor has a negative threshold voltage. According to another variant, said resistor includes a third field effect heterojunction transistor 10 connected in series with the first heterojunction transistor and having a negative threshold voltage, the sources or drains of said first and third transistors being connected together. According to yet another variant, said first heterojunction transistor has two grids. According to one variant, said resistor is dimensioned so that the voltage between the terminals of the output interface is less than one third of the voltage on the input interface. According to another variant, the regulation circuit is connected in parallel with said light-emitting diode. According to another variant, said second heterojunction transistor has a positive threshold voltage. According to yet another variant, the lighting device comprises a plurality of light-emitting diodes connected in parallel between the terminals of said output interface. According to a variant, the lighting device further comprises a rectifying circuit comprising fourth, fifth, sixth and seventh field effect heterojunction transistors each comprising a gate, a source, a drain and an electrical conductor connecting their gate. and their respective sources, said fourth to seventh transistors having a zero threshold voltage, said fourth through seventh transistors being connected in diode bridge. Other characteristics and advantages of the invention will emerge clearly from the description which is given hereinafter, by way of indication and in no way limiting, with reference to the appended drawings, in which: FIG. 1 is a simplified electrical diagram of FIG. a first embodiment of a lighting device according to the invention; FIG. 2 is a sectional view of a field effect heterojunction transistor that can be used in a converter of a device according to the invention; Figure 3 illustrates examples of electrical characteristics of heterojunction transistors as illustrated in Figure 1; FIG. 4 is a simplified electrical diagram of a second embodiment of a lighting device according to the invention; FIG. 5 illustrates a heterojunction transistor variant that can be used in a lighting device according to the invention; FIG. 6 illustrates an example of an electrical characteristic of the transistor of FIG. 5; FIG. 7 is a simplified electrical diagram of a third embodiment of a lighting device according to the invention; FIG. 8 is a schematic top view of an exemplary arrangement of the heterojunction transistors of the third embodiment; FIG. 9 is an example of a rectifying circuit that can be used in a lighting device according to the invention; FIG. 10 is a schematic top view of an exemplary arrangement of the heterojunction transistors of the rectification circuit of FIG. 9. FIG. 1 is a simplified electrical diagram of a first embodiment of a Lighting device 1. The lighting device 1 comprises a lighting module 2 including a light-emitting diode or LED 21. The lighting device 1 furthermore comprises a step-down converter 3 between an input interface and a light-emitting diode. output interface. The converter 3 here also has a voltage regulation function 25 between the terminals of the output interface. The input interface includes terminals 11 and 12 and is intended to receive an alternating voltage between these terminals. The output interface includes terminals 13 and 14 and is intended to generate a lowered and regulated voltage between these terminals. The LED 21 is connected between the terminals 13 and 14. Two field effect heterojunction transistors 301 and 302 are connected in series between the terminal 11 and the node 15, the transistors 301 and 302 being connected by their drains. Transistors 301 and 302 are configured to behave as a resistor between terminal 11 and node 15. A field effect heterojunction transistor 303 is connected between node 35 and terminal 13. Transistor 303 is configured to comprise as a unidirectional resistance current between the terminal 13 and the node 15. The terminals 12 and 14 are at the same potential. Field effect heterojunction transistors 304 and 305 are connected in parallel between node 15 and terminal 14. Transistors 304 and 305 are configured so that their combination behaves as a Zener diode between node 15 and ICG10903 FR Depot Text.doc terminal 14, in order to regulate the voltage between the node 15 and the terminal 14, and thus also the voltage on the output interface. For each of the transistors 301 to 305, their gate is connected to their source, for example via a connection via an electrical conductor. FIG. 2 is a sectional view of an exemplary field effect heterojunction transistor 9 which may be used to form one of transistors 301 to 305 of the illumination device of FIG. 1. Transistor 9 may be made in a manner known per se on a substrate 91, coated with a buffer layer 92. The buffer layer 92 is covered with a layer of GaN 93. The GaN layer 93 is covered with a layer of AIGaN 94, whereby a layer of electron gas 95 is formed at the interface between the layers 93 and 94. The transistor 9 comprises, in a known manner, a source 96, a drain 97 and a control gate 98. The source 96, the drain 97 and the control gate 98 are here formed on the AIGaN layer 94. In order to permanently maintain the same voltage on the gate 98 and on the source 96, an electrical conductor 99 connects the source 96 and the gate 98. The electrical conductor 99 is for example a single metal element. The use of the same voltage on the gate 98 and on the source 96 simplifies the lighting device 1 by avoiding having to generate control voltages for the gates of the heterojunction transistors. The various field effect heterojunction transistors mentioned in connection with the invention will advantageously have a source and a gate connected by a metal element. The substrate 91 may be an insulator or a semiconductor of the intrinsic silicon or p-doped type. The substrate 91 may, for example, be of the (111) mesh silicon type. The substrate 91 may typically have a thickness of between 650 μm and 1 mm. The substrate 91 may also be made of silicon carbide, or sapphire. The buffer layer 92 is advantageously deposited on the substrate 91 to act as an intermediate between this substrate and the GaN layer 93, to allow mesh matching between the substrate 91 and this layer 93 and to limit the mechanical stresses in this layer 93. The layer 93 may typically have a thickness of between 100 nm and 4 μm. The layer 93 can be formed in a manner known per se by epitaxy on the buffer layer 92. FIG. 2 shows here an example of cointegration of the transistor 9 with the LED 21. The LED 21 is here isolated from the transistor 9 via An isolating trench 100. The LED 21 advantageously includes a stack of layers known per se, deposited on the AIGaN layer 94. The LED 21 thus comprises: a layer 213 of n-GaN (for example by doping with silicon) formed on the layer 94; an electrode 211 formed on the layer 213; an active layer 214 formed on the layer 213, from the side with respect to the electrode 211. The active layer 214 generally comprises a stack of InGa (X-1) Nx type layers; a layer 215 of p-GaN (for example by doping with magnesium); an electrode 212 formed on the layer 215. Depending on the electrical function that it is desired to form from one or more heterojunction transistors, heterojunction transistors of normally closed type or of normally open type will be used. Methods of manufacturing a heterojunction transistor of normally open type or normally closed type are known per se to those skilled in the art. Each heterojunction transistor will have a threshold voltage of a level suitable for obtaining its electrical function. In the presence of a gate 98 and a source 96 permanently maintained at the same voltage, the electrical function of each of these heterojunction transistors will be defined by the value of its threshold voltage. Manufacturing methods for influencing the value of the threshold voltage of a heterojunction transistor are known per se. The process described in the document Recessed gate gateway approach to high-voltage AIGaN / GaN HEMT for power electronics applications, published by Sato et al., In Electron Devices, IEEE Transactions Volume 53, Issue 2, pages 356 362, dated January 23, 2006, describes processes for modifying the threshold voltage of a heterojunction transistor in a range between -30 8 and 3 V. This document proposes in particular to form a recess more or less deep in the AIGaN layer to deposit the grid. The same integrated circuit may thus comprise different heterojunction transistors having different threshold voltages, forming, for example, recesses for their gate of different depths. Other methods may be used to modify the threshold voltage of a heterojunction transistor by modifying the properties of the electron gas 95 directly above the gate 98. It is in particular known to implant positive ions. under a grid to increase the threshold voltage to positive values. Field effect heterojunction transistors are particularly suitable for operating voltages of several hundred volts, with a relatively high operating temperature, which for example allows ICG10903 EN Depot Text.doc to operate without failure even in the absence of heat sink. FIG. 3 illustrates examples of electrical characteristics (source / drain current Ids and voltage between source and drain Vds) between different heterojunction transistors 5, as a function of their threshold voltage. Vgs is the voltage between the grid and the source and will be zero in the examples studied. On the right side of the diagram, there is a case in which the threshold voltage Vth of a transistor is strictly positive, and the case in which this threshold voltage Vth is strictly negative. For a strictly negative threshold voltage Vth, the relation Vgs> Vth is necessarily respected because Vgs = OV. Such heterojunction transistors can be used in their linear part for a resistance function, the resistance value in the on state then depending on the value of the threshold voltage Vth of each of these transistors. For a strictly positive threshold voltage Vth, the relation Vgs <Vth is necessarily respected because Vgs = OV. The current Ids remains substantially zero. On the left side of the diagram, the current Ids remains substantially zero until Vds reaches the value -Vth. Various electrical functions obtained via heterojunction transistors 301 to 305 are represented by dotted electronic components in FIG. 3. Transistors 301 and 302 are used to form a voltage divider 25 with the electrical components connected between the node 15 and terminal 14. The combination of transistors 301 and 302 in series may have a resistance of the order of 300 0 in the on state, so as to obtain a maximum voltage of 85V (considering a current through the Led 21 equal to 800 mA) between node 15 and terminal 14, from an AC 230V input voltage. Transistors 301 and 302 each have a threshold voltage Vth of -1V. The use of the transistors 301 and 302 connected in series by their drain makes it possible to obtain the same resistance value during the two halfwaves of the voltage applied between the terminals 11 and 12. For an AC input voltage of 230 V, the The peak amplitude can reach 325 V. The voltage between the node 15 and the terminal 14 can then reach 85 V (considering a current through the Led 21 equal to 800 mA). The transistor 304 makes it possible to regulate the voltage between the node 15 and the terminal 14. The transistor 304 can be traversed by a reverse current from its source to its drain, that is to say from the node 15 to the terminal 14. The Transistor 304 turns on when its voltage Vds becomes greater than its threshold voltage Vth. Its resistance in this reverse state is then for example of the order of ICG10903 FR Depot Text.doc 10. Conversely, the transistor 304 behaves like a Zener diode having a Zener voltage equal to -Vth. Transistor 304 may for example be chosen to have a threshold voltage Vth of 4V. To guarantee the conduction of the terminal 14 to the node 15, the transistor 305 is connected head to tail with the transistor 304. The transistor 305 for example has a threshold voltage Vth between 0.5 and 1 V (for example 1V ), to substantially achieve the live operation of a diode. Transistor 305 thus behaves as a component of a rectifying circuit. The transistor 303 is used to form a resistor in series with the LED 21. The transistor 303 may have a resistance of about 400 in the on state, so as to obtain a maximum rectified voltage of 10 V across the LED 21. Transistor 303 may have a threshold voltage Vth of -1V.
L'impédance équivalente à 50 Hz du circuit incluant le convertisseur 3 et le bloc électroluminescent 2 sera typiquement comprise entre 0,3 et 20k0, de façon à obtenir un courant compris entre 10 et 800 milliampères sous 220V en alternatif.The impedance equivalent to 50 Hz of the circuit including the converter 3 and the electroluminescent block 2 will typically be between 0.3 and 20k0, so as to obtain a current between 10 and 800 milliamps 220V AC.
La figure 4 est un schéma électrique simplifié d'un second mode de réalisation d'un dispositif d'éclairage 1. Le module d'éclairage 2 de la figure 4 diffère du module d'éclairage 2 de la figure 1 en ce qu'il comporte une LED 22 connectée tête-bêche avec la LED 21. Les transistors 301, 302 et 304 de la figure 4 sont identiques à ceux détaillés en référence à la figure 1.FIG. 4 is a simplified electrical diagram of a second embodiment of a lighting device 1. The lighting module 2 of FIG. 4 differs from the lighting module 2 of FIG. comprises an LED 22 connected upside down with the LED 21. The transistors 301, 302 and 304 of FIG. 4 are identical to those detailed with reference to FIG.
Un transistor 306 est connecté en série avec le transistor 303 entre la borne 13 et le noeud 15, les transistors 306 et 303 étant connectés par leurs drains. Les transistors 303 et 306 sont configurés pour se comporter comme une résistance entre la borne 13 et le noeud 15. Le transistor 305 connecté tête-bêche avec le transistor 304 présente ici la même tension de seuil que le transistor 304 (de 4 V dans l'exemple). Cette tension de seuil est donc accrue par rapport au transistor 305 de la figure 1. Les transistors 304 et 305 se comportent ainsi comme deux diodes Zener montées tête-bêches. La combinaison des transistors 303 et 306 en série pourra présenter une résistance de l'ordre de 400 à l'état passant, de façon à obtenir une tension redressée maximale de 10 V aux bornes du module d'éclairage 2. Les transistors 303 et 306 pourront présenter une tension de seuil Vth de -1V. Les transistors 301,302,303 et 306 présenteront ainsi une même tension de seuil, afin de faciliter le procédé de fabrication du dispositif d'éclairage 1. Pour obtenir des valeurs de résistance différentes entre les transistors 301-302 et 303-306 avec de mêmes tensions de seuil, on peut jouer sur la taille de ces différents ICG10903 FR Depot Texte.doc transistors. Pour doubler la résistance d'un transistor, on divisera par exemple par deux la largeur de son canal. Dans ce mode de réalisation, les deux alternances de la tension alternative appliquée entre les bornes 11 et 12 sont utilisées par le module 2 5 pour obtenir un éclairage alternativement par la LED 21 ou la LED 22. Les transistors 303 et 306 permettent à deux alternances de courant de traverser le module d'éclairage 2. Avec des transistors 303 et 306 de structures identiques et connectés en série par leurs drains, on obtient une même valeur de résistance entre le noeud 15 élaborant 13 durant les deux alternances de 10 courant traversant le module d'éclairage 2. La figure 5 représente schématiquement un exemple de transistor 30 à heterojonction à effet de champ à double grille. Une première grille est connectée à la source du transistor 30, la seconde grille étant connectée au 15 drain du transistor 30. Un exemple de caractéristique électrique d'un tel transistor 30 configuré en résistance est illustré à la figure 6 avec une tension de seuil Vth nulle. Un tel transistor 30 peut être configuré pour fonctionner en résistance, et peut alors avantageusement être utilisé en remplacement de deux transistors à 20 heterojonction en série dans les premier et deuxième modes de réalisation de l'invention. Un tel transistor 30 peut par exemple remplacer les transistors 301 et 302 connectés en série dans le convertisseur 3 de la figure 1 ou de la figure 4, pour bénéficier d'une conduction bidirectionnelle, pour bénéficier d'une même fonction de résistance avec une tension de seuil appropriée, et pour bénéficier 25 d'une même valeur de résistance lors de deux alternances de la tension entre les bornes 11 et 12. Un tel transistor 30 peut encore être configuré pour fonctionner en résistance, et peut alors avantageusement être utilisé en remplacement des deux transistors à heterojonction 306 et 303 connectés en série dans le mode 30 de réalisation de la figure 4. La figure 7 est un schéma électrique simplifié d'un troisième mode de réalisation d'un dispositif d'éclairage 1, incluant : -un tel transistor à heterojonction à double grille 307 configuré pour fonctionner en résistance et connecté entre la borne 11 et le noeud 15 ; 35 -un tel transistor à heterojonction à double grille 308 configuré pour fonctionner en résistance et connecté entre le noeud 15 et la borne 13. La figure 8 est une vue de dessus schématique d'un exemple d'agencement des transistors à heterojonction 304, 305, 307 et 308 du convertisseur 3 de la figure 7. Le transistor 307 et le transistor 308 présente 40 chacun une première grille 311. La première grille 311 du transistor 307 est connectée à la borne 11, la première grille du transistor 308 étant connectée à ICG10903 FR Depot Texte.doc la borne 13. Les transistors 307 et 308 comportent par ailleurs une deuxième grille 312. La deuxième grille 312 du transistor 307 et la deuxième grille du transistor 308 sont connectées au noeud 15. Le transistor 304 et le transistor 305 comportent chacun une unique grille 313. La source du transistor 304 est connectée au drain du transistor 305, et le drain du transistor 304 est connecté à la source du transistor 305. La figure 9 est un exemple de circuit de redressement pouvant être utilisé dans un dispositif d'éclairage 1 selon l'invention. Le circuit de redressement inclut ici des transistors 321,322,323,324 à heterojonction à effet de champ configurés pour fonctionner comme des diodes, dans un pont de diodes. Les transistors 321 et 324 sont connectés par leurs sources. Les transistors 322 et 323 sont connectés par leur drain. Le drain du transistor 324 et la source du transistor 323 sont connectés à la borne 12. Le drain du transistor 321 et la source du transistor 322 sont connectés à la borne 11. Les drains des transistors 322 et 323 sont connectés à la borne 17. Les sources des transistors 321 et 324 sont connectées à la borne 18. Un convertisseur abaisseur de tension peut être connecté entre les bornes 17 et 18. Un tel circuit de redressement peut être intégré sur une même puce incluant les différents transistors à heterojonction. Les transistors 321 à 324 sont avantageusement configurés pour fonctionner en diodes Zener avec une tension Zener de 0 V, en utilisant une tension de seuil Vth de OV. Un tel circuit redresseur présente ainsi une très faible chute de tension et peut présenter des résistances de conduction très faibles.A transistor 306 is connected in series with the transistor 303 between the terminal 13 and the node 15, the transistors 306 and 303 being connected by their drains. The transistors 303 and 306 are configured to behave as a resistor between the terminal 13 and the node 15. The transistor 305 connected upside down with the transistor 304 here has the same threshold voltage as the transistor 304 (4 V in the 'example). This threshold voltage is thus increased relative to the transistor 305 of FIG. 1. The transistors 304 and 305 thus behave like two Zener diodes mounted head-spades. The combination of the transistors 303 and 306 in series may have a resistance of about 400 in the on state, so as to obtain a maximum rectified voltage of 10 V at the terminals of the lighting module 2. The transistors 303 and 306 may have a threshold voltage Vth of -1V. Transistors 301, 302, 303 and 306 will thus have the same threshold voltage, in order to facilitate the manufacturing process of lighting device 1. To obtain different resistance values between transistors 301-302 and 303-306 with the same threshold voltages , we can play on the size of these different ICG10903 EN Depot Text.doc transistors. To double the resistance of a transistor, for example divide by two the width of its channel. In this embodiment, the two alternations of the AC voltage applied between the terminals 11 and 12 are used by the module 25 to obtain illumination alternately by the LED 21 or the LED 22. The transistors 303 and 306 allow two alternations current with transistors 303 and 306 of identical structures and connected in series by their drains, one obtains the same resistance value between the developing node 13 during the two alternations of current flowing through the 2. Figure 5 schematically shows an example of a double-gate field effect heterojunction transistor 30. A first gate is connected to the source of the transistor 30, the second gate being connected to the drain of the transistor 30. An example of an electrical characteristic of such a resistor transistor 30 is shown in FIG. 6 with a threshold voltage Vth nothing. Such a transistor 30 may be configured to operate as a resistor, and may then advantageously be used as a replacement for two heterojunction transistors in series in the first and second embodiments of the invention. Such a transistor 30 may, for example, replace the transistors 301 and 302 connected in series in the converter 3 of FIG. 1 or FIG. 4, in order to benefit from a bidirectional conduction, in order to benefit from the same resistance function with a voltage. threshold, and to benefit from the same resistance value during two alternations of the voltage between the terminals 11 and 12. Such a transistor 30 can be further configured to operate as a resistor, and can then advantageously be used as a replacement two heterojunction transistors 306 and 303 connected in series in the embodiment of FIG. 4. FIG. 7 is a simplified electrical diagram of a third embodiment of a lighting device 1, including: such a double gate heterojunction transistor 307 configured to operate as a resistor and connected between the terminal 11 and the node 15; Such a dual gate heterojunction transistor 308 configured to operate as a resistor and connected between the node 15 and the terminal 13. FIG. 8 is a schematic top view of an exemplary arrangement of the heterojunction transistors 304, 305 , 307 and 308 of the converter 3 of FIG. 7. The transistor 307 and the transistor 308 each have a first gate 311. The first gate 311 of the transistor 307 is connected to the terminal 11, the first gate of the transistor 308 being connected to The transistors 307 and 308 further comprise a second gate 312. The second gate 312 of the transistor 307 and the second gate of the transistor 308 are connected to the node 15. The transistor 304 and the transistor 305 each comprises a single gate 313. The source of the transistor 304 is connected to the drain of the transistor 305, and the drain of the transistor 304 is connected to the source of the transistor 305. FIG. 9 is an example of a rectifying circuit that can be used in a lighting device 1 according to the invention. The rectifying circuit here includes field effect heterojunction transistors 321, 322, 233, 324 configured to operate as diodes in a diode bridge. Transistors 321 and 324 are connected by their sources. Transistors 322 and 323 are connected by their drain. The drain of the transistor 324 and the source of the transistor 323 are connected to the terminal 12. The drain of the transistor 321 and the source of the transistor 322 are connected to the terminal 11. The drains of the transistors 322 and 323 are connected to the terminal 17. The sources of the transistors 321 and 324 are connected to the terminal 18. A down-converter can be connected between the terminals 17 and 18. Such a rectifying circuit can be integrated on the same chip including the different heterojunction transistors. Transistors 321 to 324 are advantageously configured to operate in Zener diodes with a Zener voltage of 0 V, using a Vth threshold voltage of OV. Such a rectifier circuit thus has a very low voltage drop and can have very low conduction resistances.
La figure 10 est une vue de dessus schématique d'un exemple d'agencement de transistors 321 à 324 du circuit de redressement de la figure 9. On constate qu'un tel circuit de redressement peut être obtenu avec une très grande compacité sur un circuit intégré.FIG. 10 is a schematic top view of an exemplary arrangement of transistors 321 to 324 of the rectification circuit of FIG. 9. It can be seen that such a rectifying circuit can be obtained with a very great compactness on a circuit. integrated.
On peut également prévoir que le module d'éclairage 2 comprend au moins deux LED connectées en série, ou au moins trois LED connectées en parallèle. ICG10903 FR Depot Texte.docIt can also be provided that the lighting module 2 comprises at least two LEDs connected in series, or at least three LEDs connected in parallel. ICG10903 EN Depot Text.doc