FR2977715A1 - Boitier electronique optique - Google Patents
Boitier electronique optique Download PDFInfo
- Publication number
- FR2977715A1 FR2977715A1 FR1156226A FR1156226A FR2977715A1 FR 2977715 A1 FR2977715 A1 FR 2977715A1 FR 1156226 A FR1156226 A FR 1156226A FR 1156226 A FR1156226 A FR 1156226A FR 2977715 A1 FR2977715 A1 FR 2977715A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- transparent
- opaque
- optical sensor
- encapsulation
- front face
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 113
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 109
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 41
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 4
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14618—Containers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S17/00—Systems using the reflection or reradiation of electromagnetic waves other than radio waves, e.g. lidar systems
- G01S17/02—Systems using the reflection of electromagnetic waves other than radio waves
- G01S17/04—Systems determining the presence of a target
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
- G01S7/48—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00
- G01S7/481—Constructional features, e.g. arrangements of optical elements
- G01S7/4811—Constructional features, e.g. arrangements of optical elements common to transmitter and receiver
- G01S7/4813—Housing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
- H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
- H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
- H01L31/173—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers formed in, or on, a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49175—Parallel arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14645—Colour imagers
- H01L27/14647—Multicolour imagers having a stacked pixel-element structure, e.g. npn, npnpn or MQW elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14687—Wafer level processing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14689—MOS based technologies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Remote Sensing (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
Boîtier électronique comprenant : une plaquette de substrat (2) présentant une face avant (3) et une face arrière (4) ; une puce de circuit intégrés émettrice (14) présentant une face arrière fixée sur la face avant de la plaquette de substrat et comprenant, dans une face avant, un émetteur optique de rayonnement lumineux (17) ; une puce de circuits intégrés réceptrice (6 ) présentant une face arrière fixée sur la face avant de la plaquette de substrat et comprenant, dans une face avant, au moins un capteur optique de rayonnement lumineux (10 ; 45) ; un moyen transparent d'encapsulation (21) s'étendant au-dessus du capteur optique (10) et de l'émetteur optique (17) ; et un moyen opaque d'encapsulation (31) du moyen transparent d'encapsulation, ce moyen opaque d'encapsulation présentant une fenêtre avant (29) qui est située au-dessus de l'émetteur optique et qui est décalée latéralement par rapport au capteur optique, de façon que le moyen transparent d'encapsulation présente une face avant découverte (27) située au-dessus de l'émetteur optique (17) et décalée latéralement par rapport au capteur optique.
Description
GRB11-1616FR 1
Boîtier électronique optique
La présente invention concerne le domaine des boîtiers électroniques comprenant par exemple des dispositifs électroniques optiques. On connaît un boîtier électronique qui comprend une plaque de montage, une première puce de circuits intégrés munie d'un premier détecteur optique, une seconde puce de circuits intégrés munie d'un second détecteur optique, et une troisième puce de circuits intégrés munie d'un émetteur optique, ces trois puces étant collées sur la plaque de montage. Un couvercle opaque est collé sur la périphérie de la plaque de montage et isole optiquement chacune des puces grâce à l'existence de trois chambres séparées. Le couvercle présente trois ouvertures séparées, aménagées en face des trois éléments optiques précités et munies de trois plaques transparentes de protection. Ce boîtier électronique connu nécessite l'usage d'une plaque de montage et la fabrication d'un couvercle spécialement dimensionné, engendre de nombreuses étapes de montage et des difficultés de connexion électrique extérieure des puces de circuits intégrés et présente des grandes dimensions en rapport avec la taille des puces de circuits intégrés. La présente invention a pour but de proposer un boîtier électronique généralement plus simple et en conséquence moins coûteux. I1 est proposé un boîtier électronique qui comprend : une plaquette de substrat présentant une face avant et une face arrière ; une puce de circuit intégrés émettrice présentant une face arrière fixée sur la face avant de la plaquette de substrat et comprenant, dans une face avant, un émetteur optique de rayonnement lumineux ; et une puce de circuits intégrés réceptrice présentant une face arrière fixée sur la face avant de la plaquette de substrat et comprenant, dans une face avant, au moins un capteur optique de rayonnement lumineux.
Le boîtier électronique proposé comprend en outre : un moyen transparent d'encapsulation s'étendant au-dessus du capteur optique et de l'émetteur optique ; et un moyen opaque d'encapsulation du moyen transparent d'encapsulation, ce moyen opaque d'encapsulation présentant une fenêtre avant qui est située au-dessus de l'émetteur optique et qui est décalée latéralement par rapport au capteur optique, de façon que le moyen transparent d'encapsulation présente une face avant découverte située au-dessus de l'émetteur optique et décalée latéralement par rapport au capteur optique.
Le moyen transparent d'encapsulation peut comprendre une plaque transparente placée au-dessus du capteur optique et un bloc transparent d'encapsulation dans lequel sont noyées la puce de circuit intégrés réceptrice et au moins une partie de cette plaque transparente. Le moyen transparent d'encapsulation peut comprendre un bloc transparent d'encapsulation dans lequel sont noyées la puce de circuits intégrés émettrice et au moins la partie de la puce de circuits intégrés réceptrice incluant le capteur optique. Le moyen opaque d'encapsulation peut comprendre un bloc opaque d'encapsulation dans lequel sont noyés la puce de circuits intégrés réceptrice et le moyen transparent d'encapsulation. Le moyen opaque d'encapsulation peut comprendre un anneau opaque à l'intérieur duquel sont placés l'émetteur optique et le capteur optique, dans lequel le moyen transparent d'encapsulation comprend un bloc transparent d'encapsulation formé dans cet anneau et dans lequel le moyen opaque d'encapsulation comprend en outre une couche s'étendant au moins sur le bloc transparent d'encapsulation et localement au-dessus du capteur optique. I1 est proposé un boîtier électronique qui comprend : une plaquette de substrat présentant une face avant et une face arrière ; une puce de circuit intégrés émettrice présentant une face arrière fixée sur la face avant de la plaquette de substrat et comprenant, dans une face avant, un émetteur optique de rayonnement lumineux ; et une puce de circuits intégrés réceptrice présentant une face arrière fixée sur la face avant de la plaquette de substrat et comprenant, dans une face avant, au moins un capteur optique principal de rayonnement lumineux et un capteur optique secondaire de rayonnement lumineux. Le boîtier électronique proposé comprend un moyen transparent d'encapsulation s'étendant au-dessus de l'émetteur optique et du capteur optique secondaire ; une plaque transparente principale située au-dessus du capteur optique principal ; et un moyen opaque d'encapsulation du moyen transparent d'encapsulation et de la plaque transparente principale, ledit moyen opaque d'encapsulation présentant une fenêtre avant qui est située au-dessus de l'émetteur optique et qui est décalée latéralement par rapport au capteur optique, de façon que le moyen transparent d'encapsulation présente une face avant découverte située au-dessus de l'émetteur optique et décalée latéralement par rapport au capteur optique, ledit moyen opaque d'encapsulation ne recouvrant pas ladite plaque principale et ledit moyen opaque d'encapsulation passant entre le capteur optique principal et le capteur optique secondaire. Le moyen transparent d'encapsulation peut comprendre une plaque transparente placée au-dessus du capteur optique secondaire et un bloc transparent d'encapsulation dans lequel sont noyées la puce de circuit intégrés réceptrice et au moins une partie de cette plaque transparente. Le moyen transparent d'encapsulation peut comprendre un bloc transparent d'encapsulation dans lequel sont noyées la puce de circuits intégrés émettrice et la partie de la puce de circuits intégrés réceptrice incluant le capteur optique secondaire. Le moyen opaque d'encapsulation peut comprendre un bloc opaque d'encapsulation dans lequel sont noyés le moyen transparent d'encapsulation, la partie de la puce de circuits intégrés réceptrice incluant le capteur optique principal et partiellement la plaque transparente principale. Le moyen opaque d'encapsulation peut comprendre un anneau opaque à l'intérieur duquel sont placés l'émetteur optique et le capteur optique secondaire, dans lequel le moyen transparent d'encapsulation peut comprendre un bloc transparent d'encapsulation formé dans cet anneau et dans lequel le moyen opaque d'encapsulation peut comprendre en outre une couche s'étendant au moins sur le bloc transparent d'encapsulation et localement au-dessus du capteur optique secondaire.
La plaquette de substrat peut comprendre un réseau de connexion électrique relié auxdites puces de circuits intégrés et est munie d'éléments de connexion électrique extérieure. I1 est également proposé un téléphone portable ou mobile comprenant, intérieurement, un boîtier électronique précité et dans lequel la coque du téléphone présente au moins une ouverture située au moins en face d'au moins un desdits passages traversants. Des boîtiers électroniques selon la présente invention vont maintenant être décrits à titre d'exemples non limitatifs, illustrés par le dessin annexé dans lequel : - la figure 1 représente une coupe longitudinale d'un boîtier électronique selon la présente invention ; - la figure 2 représente une vue de dessus du boîtier électronique de la figure 1 ; - les figures 3 à 11 représentent des étapes de fabrication du boîtier électronique de la figure 1 ; - la figure 12 représente une coupe longitudinale d'un autre boîtier électronique selon la présente invention ; - la figure 13 représente une vue de dessus du boîtier électronique de la figure 12 ; et - les figures 14 à 22 représentent des étapes de fabrication du boîtier électronique de la figure 1. Comme illustré sur les figures 1 et 2, un boîtier électronique 1 comprend une plaquette opaque de substrat 2 qui présente des faces avant et arrière 3 et 4 opposées et qui comprend une matière électriquement isolante 2a et un réseau intégré de connexion électrique 5 permettant de réaliser des connexions électriques d'une face à l'autre et au niveau des faces 3 et 4. Le boîtier électronique 1 comprend une puce de circuits intégrés réceptrice 6 dont la face arrière 7 est fixée sur la face avant 3 de la plaquette de substrat 2, par exemple par l'intermédiaire d'une couche de colle, et dont la face avant 8 comprend, sur des zones espacées, un capteur optique intégré principal de rayonnement lumineux 9 et un capteur optique secondaire intégré de rayonnement lumineux 10, espacés l'un par rapport à l'autre. La puce de circuits intégrés 6 est connectée électriquement au réseau de connexion électrique 5 de la plaquette de substrat 2 par l'intermédiaire d'une pluralité de fils de connexion électrique 11 qui relient sélectivement des plots 12 de la face avant de la puce de circuits intégrés 6 et des plots 13 de la face avant 3 de la plaquette de substrat 2. Le boîtier électronique 1 comprend une puce de circuits intégrés émettrice 14 dont la face arrière 15 est fixée sur la face avant 3 de la plaquette de substrat 2, par exemple par l'intermédiaire d'une couche de colle conductrice, et dont la face avant 16 comprend, sur une zone, un émetteur optique intégré 17 apte à émettre un rayonnement lumineux en avant de sa face avant 16. La puce de circuits intégrés émettrice 14 est connectée électriquement au réseau de connexion électrique 5 de la plaquette de substrat 2 par l'intermédiaire d'au moins un fil de connexion électrique 18 qui relie un plot 19 de la face avant de la puce de circuits intégrés 6 et un plot 20 de la face avant 3 de la plaquette de substrat 2. Selon un exemple particulier de réalisation, la plaquette de substrat 2 est rectangulaire, la puce de circuits intégrés réceptrice 6 est rectangulaire et s'étend longitudinalement selon l'axe longitudinal de la plaquette de substrat 2 et la puce de circuits intégrés 14 est placée également selon l'axe longitudinal de la plaquette de substrat 2. Le capteur optique principal 9, le capteur optique secondaire 10 et l'émetteur optique 17 sont également placés selon l'axe longitudinal de la plaquette de substrat 2, l'émetteur optique 17 étant du côté du capteur optique secondaire 10. Le boîtier électronique 1 comprend un moyen transparent ou translucide d'encapsulation 21 pour coupler optiquement l'émetteur optique 17 au capteur optique secondaire 10, c'est-à-dire apte à ce qu'une partie du rayonnement lumineux émis par l'émetteur optique 17 atteigne le capteur optique secondaire 10. Le moyen d'encapsulation 21 comprend une plaque rectangulaire transparente ou translucide 22, par exemple en verre, qui est fixée sur la face avant 8 de la puce de circuits intégrés 6, par exemple par l'intermédiaire d'une couche de colle transparente, et qui présente une partie qui recouvre le capteur optique secondaire 10 et une partie qui s'étend en porte-à-faux en direction de la puce de circuits intégrés 14, sans cependant atteindre ou recouvrir cette dernière. Le moyen d'encapsulation 21 comprend un bloc d'encapsulation 23 en une matière transparente, formé sur la face avant 3 de la plaquette de substrat 2 et dans lequel la puce de circuits intégrés 14, le fil de connexion électrique 18 et la partie d'extrémité en porte-à-faux de la plaque transparente sont noyés. Le bloc d'encapsulation 23, par exemple en une résine transparente, se présente approximativement sous la forme d'un dôme qui s'étend vers l'avant au-delà de la face avant de la plaque transparente 22.
Le boîtier électronique 1 comprend en outre une plaque principale rectangulaire transparente 24, par exemple en verre, qui est fixée sur la face avant 8 de la puce de circuits intégrés 6, par exemple par l'intermédiaire d'une couche de colle transparente, et qui recouvre le capteur optique principal 9. L'épaisseur de la plaque transparente 24 est supérieure à l'épaisseur de la plaque transparente 22. Le boîtier électronique 1 comprend en outre un moyen opaque d'encapsulation formé par un bloc d'encapsulation 25 en une matière opaque, par exemple en une résine époxy opaque, qui est formé sur la face avant 3 de la plaquette de substrat 2 et dans lequel sont noyés la puce de circuits intégrés 6, les fils de connexion électrique 11, en partie le moyen transparent d'encapsulation 21 et en partie la plaque transparente 24, de telle sorte que le bloc d'encapsulation 25 présente une face frontale 26 parallèle à la face avant 3 de la plaquette de substrat 2, que, seules, une face frontale 27 du bloc transparent d'encapsulation 23 et une face frontale 28 de la plaque transparente 24 ne sont pas recouvertes, et que la partie de la plaque transparente 22 située à l'extérieur du bloc transparent d'encapsulation 23 est encapsulée et recouverte. Selon une variante de réalisation, le bloc transparent d'encapsulation 25 et la plaque transparente 24 s'étendent vers l'extérieur au-delà de la face frontale 26 du bloc opaque d' encapsulation 25. Ainsi, la face frontale 27 du bloc transparent d'encapsulation 23, non recouverte par le bloc opaque d'encapsulation 25, est située au-dessus de l'émetteur optique 17 de la puce de circuits intégrés émettrice 14, le bloc opaque d'encapsulation 25 déterminant une fenêtre avant 29 entourant la face frontale 27 et décalée latéralement par rapport au capteur optique secondaire 10. La partie de la plaque transparente située à l'extérieur du bloc transparent d'encapsulation 23 et au-dessus du capteur optique secondaire 10 de la puce de circuits intégrés réceptrice 6 s'étend dans une cavité 30 du bloc opaque d'encapsulation 25, borgne vers l'avant et ouverte latéralement du côté de la fenêtre avant 29. Le bloc opaque d'encapsulation 25, qui s'étend sur la puce de circuits intégrés et remplit l'espace entre les plaques transparentes 22 et 24, forme une barrière opaque 31 entre le capteur optique principal 9 et le capteur optique secondaire 10 de la puce de circuits intégrés réceptrice 6. Pour relier électriquement le boîtier électronique 1 à un autre composant tel qu'une plaque de circuits imprimés (non représentée), la face arrière 4 de la plaquette de substrat 2 peut être munie d'éléments métalliques de connexion électrique 32, tels que des billes, placées sur des plots arrière du réseau de connexion électrique 5. Le boîtier électronique 1 fonctionne de la manière suivante. Le rayonnement lumineux émis par l'émetteur optique 17 de la puce de circuits intégrés émettrice 14 est émis dans la matière du bloc transparent d'encapsulation 23, se diffuse dans ce bloc 23 et dans la plaque transparente 22, est diffusé vers l'extérieur au travers la face frontale 28 du bloc transparent d'encapsulation 23. Le rayonnement lumineux, qui se diffuse dans la matière du bloc transparent d'encapsulation 23, atteint aussi le capteur optique secondaire 10 de la puce de circuits intégrés réceptrice 6. Par ailleurs, le capteur optique principal 9 de la puce de circuits intégrés réceptrice 6 reçoit le rayonnement lumineux extérieur au travers de la plaque transparente 24. Ainsi, le capteur optique secondaire 10 de la puce de circuits intégrés réceptrice 6 reçoit du rayonnement lumineux majoritairement issu de l'émetteur optique 17 et accessoirement issu de l'extérieur par la fenêtre avant décalée 29, le signal issu du capteur optique secondaire 10 pouvant former une référence pour l'analyse du signal issu du capteur optique principal 9 de la puce de circuits intégrés réceptrice 6. La partie du bloc opaque d'encapsulation 31 dans laquelle s'étend la plaque transparente 22 forme une protection ou un écran latéralement et au-dessus du capteur secondaire 10 contre le rayonnement lumineux extérieur. I1 résulte de ce qui précède que le boîtier électronique 1 peut être utilisé à titre de détecteur de proximité. Le boîtier électronique 1 peut être issu d'une fabrication collective que l'on va maintenant décrire.
Comme illustré sur les figures 3 à 5, on dispose d'une plaque collective de substrat 33 présentant des faces avant et arrière 34 et 35, et présentant une pluralité d'emplacements adjacents 36 établis selon une matrice et correspondant à une pluralité de boîtiers électroniques 1 à réaliser. Dans chaque emplacement 36, la plaque collective de substrat 33 comprend un réseau de connexion électrique 5. Dans chaque emplacement, on installe la puce de circuits intégrés réceptrice 6 et la puce de circuits intégrés émettrice 14 et on place les fils de connexion électrique 11 et 18. Puis, comme illustré sur les figures 6 et 7, on installe dans chaque emplacement les plaques transparentes 22 et 24. Puis, comme illustré sur les figures 8 et 9, on place dans chaque emplacement 36 une goutte d'une matière transparente liquide, qui peut être une colle transparente qui durcit sous l'effet d'un rayonnement ultraviolet, qui, après durcissement de cette matière, forme le bloc transparent d'encapsulation 23. Puis, comme illustré sur les figures 10 et 11, on épand une couche 37 d'une matière liquide qui, après durcissement, forme un bloc opaque d'encapsulation 25 dans chaque emplacement 36. Ensuite, après avoir installé les éléments de connexion électrique 32, on réalise une singularisation des différents boîtiers électroniques 1 en procédant à une découpe le long des bords des emplacements 36.
En se reportant aux figures 12 et 13, on voit qu'on a représenté un autre boîtier électronique 38 apte à fonctionner optiquement de façon équivalente au boîtier électronique 1. Le boîtier électronique 38 comprend, comme le boîtier électronique 1, une plaquette de substrat 39 présentant une face avant 40 et une face arrière 41 et comprenant un réseau de connexion électrique 42, une puce de circuits intégrés réceptrice 43 munie d'un capteur optique principal 44 et d'un capteur optique secondaire 45, des fils de connexion électrique associés 46, une puce de circuits intégrés émettrice 47 munie d'un émetteur optique 48 et un fil de connexion électrique associé 49. Selon cet exemple de réalisation, le boîtier électronique 38 comprend un anneau 50 en une matière opaque telle qu'une résine époxy opaque, par exemple de forme rectangulaire, qui s'étend sur la face avant 40 de la plaquette de substrat 39, autour et à distance de la puce de circuits intégrés émettrice 47, et qui passe au-dessus de la puce de circuits intégrés réceptrice 43, entre et à distance des capteurs optique 44 et 45 de telle sorte que le capteur optique secondaire 45 et l'émetteur optique 48 sont à l'intérieur de l'anneau 50. Le boîtier électronique 38 comprend un bloc d'encapsulation 51 en une matière transparente remplit au moins partiellement l'espace à l'intérieur de l'anneau opaque 50 sur la face avant et dans lequel sont noyés la puce de circuits intégrés émettrice 45, le fil de connexion électrique 47 et la partie d'extrémité de la puce de circuits intégrés réceptrice munie du capteur optique secondaire 43.
Le boîtier électronique 38 comprend une plaque principale transparente 52, correspondant à la plaque transparente 24 de l'exemple précédent, placée sur la puce de circuits intégrés réceptrice 43, au-dessus du capteur principal 44 et à l'extérieur de l'anneau opaque 50. Le boîtier électronique 38 comprend également un bloc d'encapsulation 53 en une matière opaque, par exemple en une résine époxy opaque, qui s'étend sur la face avant 40 de la plaquette de substrat 39, autour de l'anneau opaque 50 et de la partie de la puce de circuits intégrés réceptrice 43 située à l'extérieur de l'anneau opaque 50 et sur cet anneau 50 autour de la plaque transparente 52, et dans lequel le fils de connexion électrique 46 sont noyés. Selon une variante de réalisation, les faces avant de l'anneau opaque 50, du bloc transparent d'encapsulation 51 et du bloc opaque d'encapsulation 53 s'étendent dans un même plan frontal parallèle à la face avant de la plaquette de substrat 39, formant une face frontale 54, tandis que la plaque transparente 52 est légèrement en saillie vers l'avant. Le boîtier électronique 38 comprend en outre une bande avant 55, formée par une couche en une matière opaque, par exemple en une résine époxy opaque ou en une peinture opaque, qui s'étend localement sur la face frontale 54 au-dessus du capteur secondaire 45, en recouvrant partiellement le bloc transparent d'encapsulation 51 de façon à laisser subsister une fenêtre avant 56 au-dessus de l'émetteur optique 48, cette fenêtre avant 56 étant délimitée par un bord 55a de la bande 55 et la partie de l'anneau opaque 50 non recouverte et étant décalée latéralement par rapport au capteur secondaire 45. Dans cette fenêtre 56, le bloc transparent d'encapsulation 51 présente une face avant découverte 51a. La bande avant 55 délimite frontalement, dans l'anneau opaque 50, une cavité 56a en face du capteur secondaire 10, borgne vers l'avant et ouverte latéralement du côté de la fenêtre avant 56.
Sur la face arrière 41 de la plaquette de substrat 39 sont placées des éléments de connexion électrique extérieure, tels que des billes métalliques 42a, reliés au réseau de connexion électrique 42. I1 résulte de ce qui précède que le rayonnement lumineux émis par l'émetteur optique 17 de la puce de circuits intégrés émettrice 47 est émis dans la matière du bloc transparent d'encapsulation 51, se diffuse dans ce bloc 51, est diffusé vers l'extérieur au travers de la fenêtre avant 56, c'est-à-dire au travers de la face frontale non recouverte du bloc transparent d'encapsulation 51, et atteint le capteur optique secondaire 45 de la puce de circuits intégrés réceptrice 43. Par ailleurs, le capteur optique principal 52 de la puce de circuits intégrés réceptrice 43 reçoit le rayonnement lumineux extérieur au travers de la plaque transparente 52. L'anneau opaque 50 et la bande avant 55 forment une protection ou un écran latéralement et au-dessus du capteur secondaire 10 contre le rayonnement lumineux extérieur. Le boîtier électronique 38 peut être issu d'une fabrication collective que l'on va maintenant décrire. Comme illustré sur les figures 14 à 15, on dispose d'une plaque collective de substrat 57 présentant des faces avant et arrière 58 et 59, et présentant une pluralité d'emplacements adjacents 60 établis selon une matrice et correspondant à une pluralité de boîtiers électroniques 38 à réaliser. Dans chaque emplacement 60, la plaque collective de substrat 57 comprend un réseau de connexion électrique 42. Dans chaque emplacement, on installe la puce de circuits intégrés réceptrice 43 et la puce de circuits intégrés émettrice 47 et on place les fils de connexion électrique 46 et 49. Puis, comme illustré sur la figure 16, on fixe la plaque transparente 52 sur le capteur principal 44 de la puce de circuits intégrés réceptrice 43, par exemple à l'aide d'une colle transparente.
Puis, comme illustré sur les figures 17 et 18, on forme, dans chaque emplacement 60, l'anneau opaque 50, par exemple par des dépôts successifs de cordons de matière les uns sur les autres. Puis, comme illustré sur la figure 19, on remplit, dans chaque emplacement 60, l'anneau opaque 50 d'une matière liquide, qui peut être une colle transparente apte à durcir sous l'effet d'un rayonnement ultraviolet, de façon à former, après durcissement de cette matière, le bloc d'encapsulation transparent 51. Puis, comme illustré sur la figure 20, on épand une couche 61 d'une matière liquide qui, après durcissement, forme un bloc opaque d'encapsulation 53 dans chaque emplacement 60. Puis, comme illustré sur les figures 21 et 22, on dépose des grandes bandes de matière opaque qui traversent chaque emplacement 60, de façon à former, dans chaque emplacement, la bande 55.
Ensuite, après avoir mis en place les billes de connexion électrique extérieure 42a, on réalise une singularisation des différents boîtiers électroniques 38 en procédant à une découpe le long des bords des emplacements 60. D'une manière générale, les différentes étapes de fabrication décrites peuvent être obtenues en mettant en oeuvre les moyens classiques utilisés dans le domaine de la microélectronique. Les boîtiers électroniques qui viennent d'être décrits pourraient être installés à l'intérieur de l'enveloppe ou de la coque d'un téléphone portable ou mobile présentant des ouvertures en face des émetteurs optiques et des capteurs optiques principaux, de façon à former des détecteurs de proximité aptes à détecter la présence ou l'absence d'un objet ou d'une partie du corps humain, afin d'engendrer une commande particulière dans les circuits électroniques du téléphone.
La présente invention ne se limite pas aux exemples ci-dessus décrits. Il est en particulier immédiat de combiner différemment des différentes dispositions des boîtiers électroniques décrits. Bien d'autres variantes de réalisation sont possibles, sans sortir du cadre défini par les revendications annexées30
Claims (12)
- REVENDICATIONS1. Boîtier électronique comprenant : une plaquette de substrat (2 ; 39) présentant une face avant (3 ; 40) et une face arrière (4 ; 41) ; une puce de circuit intégrés émettrice (14 ; 47) présentant une face arrière fixée sur la face avant de la plaquette de substrat et comprenant, dans une face avant, un émetteur optique de rayonnement lumineux (17 ; 48) ; une puce de circuits intégrés réceptrice (6 ; 43) présentant une face arrière fixée sur la face avant de la plaquette de substrat et comprenant, dans une face avant, au moins un capteur optique de rayonnement lumineux (10 ; 45) ; un moyen transparent d'encapsulation (21 ; 51) s'étendant au-dessus du capteur optique (10 ; 45) et de l'émetteur optique (17 ; 48) ; et un moyen opaque d'encapsulation (31 ; 50, 53) du moyen transparent d'encapsulation, ce moyen opaque d'encapsulation présentant une fenêtre avant (29 ; 55a) qui est située au-dessus de l'émetteur optique et qui est décalée latéralement par rapport au capteur optique, de façon que le moyen transparent d'encapsulation présente une face avant découverte (27 ; 51a) située au-dessus de l'émetteur optique (17 ; 48) et décalée latéralement par rapport au capteur optique.
- 2. Boîtier selon la revendication 1, dans lequel le moyen transparent d'encapsulation comprend une plaque transparente (22) placée au-dessus du capteur optique (10) et un bloc transparent d'encapsulation (23) dans lequel sont noyées la puce de circuit intégrés réceptrice (14) et au moins une partie de cette plaque transparente (22).
- 3. Boîtier selon la revendication 1, dans lequel le moyen transparent d'encapsulation comprend un bloc transparent d'encapsulation (51) dans lequel sont noyées la puce de circuitsintégrés émettrice (47) et au moins la partie de la puce de circuits intégrés réceptrice (43) incluant le capteur optique (45).
- 4. Boîtier selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel le moyen opaque d'encapsulation comprend un bloc opaque d'encapsulation (31) dans lequel sont noyés la puce de circuits intégrés réceptrice (6) et le moyen transparent d'encapsulation (21).
- 5. Boîtier selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel le moyen opaque d'encapsulation comprend un anneau opaque (50) à l'intérieur duquel sont placés l'émetteur optique (48) et le capteur optique (10), dans lequel le moyen transparent d'encapsulation comprend un bloc transparent d'encapsulation (51) formé dans cet anneau et dans lequel le moyen opaque d'encapsulation comprend en outre une couche (55) s'étendant au moins sur le bloc transparent d'encapsulation (51) et localement au-dessus du capteur optique (45).
- 6. Boîtier électronique comprenant : une plaquette de substrat (2) présentant une face avant (3 ; 40) et une face arrière (4 ; 41) ; une puce de circuit intégrés émettrice (14 ; 47) présentant une face arrière fixée sur la face avant de la plaquette de substrat et comprenant, dans une face avant, un émetteur optique de rayonnement lumineux (17 ; 48) ; une puce de circuits intégrés réceptrice (6 ; 43) présentant une face arrière fixée sur la face avant de la plaquette de substrat et comprenant, dans une face avant, au moins un capteur optique principal de rayonnement lumineux (9 ; 44) et un capteur optique secondaire de rayonnement lumineux (10 ; 45) ; un moyen transparent d'encapsulation (21 ; 51) s'étendant au-dessus de l'émetteur optique (17 ; 48) et du capteur optique secondaire (10 ; 15) ; une plaque transparente principale (24 ; 52) située au-dessus du capteur optique principal (9 ; 44) ; et un moyen opaque d'encapsulation (31 ; 50, 53) du moyen transparent d'encapsulation et de la plaque transparente principale, ledit moyen opaque d'encapsulation présentant une fenêtre avant (29 ;56) qui est située au-dessus de l'émetteur optique et qui est décalée latéralement par rapport au capteur optique, de façon que le moyen transparent d'encapsulation présente une face avant découverte située au-dessus de l'émetteur optique et décalée latéralement par rapport au capteur optique, ledit moyen opaque d'encapsulation ne recouvrant pas ladite plaque principale et ledit moyen opaque d'encapsulation passant entre le capteur optique principal et le capteur optique secondaire.
- 7. Boîtier selon la revendication 6, dans lequel le moyen transparent d'encapsulation comprend une plaque transparente (22) placée au-dessus du capteur optique secondaire et un bloc transparent d'encapsulation (23) dans lequel sont noyées la puce de circuit intégrés réceptrice (14) et au moins une partie de cette plaque transparente (22).
- 8. Boîtier selon la revendication 6, dans lequel le moyen transparent d'encapsulation comprend un bloc transparent d'encapsulation (51) dans lequel sont noyées la puce de circuits intégrés émettrice et la partie de la puce de circuits intégrés réceptrice incluant le capteur optique secondaire.
- 9. Boîtier selon l'une quelconque des revendications 6 à 8, dans lequel le moyen opaque d'encapsulation comprend un bloc opaque d'encapsulation (31) dans lequel sont noyés le moyen transparent d'encapsulation, la partie de la puce de circuits intégrés réceptrice incluant le capteur optique principal et partiellement la plaque transparente principale.
- 10. Boîtier selon l'une quelconque des revendications 6 à 9, dans lequel le moyen opaque d'encapsulation comprend un anneau opaque (50) à l'intérieur duquel sont placés l'émetteur optique et le capteur optique secondaire, dans lequel le moyen transparent d'encapsulation comprend un bloc transparent d'encapsulation (51) formé dans cet anneau et dans lequel le moyen opaque d'encapsulation comprend en outre une couche (55) s'étendant au moins sur le bloc transparent d'encapsulation (51) et localement au-dessus du capteur optique secondaire (45).
- 11. Boîtier selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la plaquette de substrat (2 ; 39) comprend un réseau de connexion électrique (5 ; 42) relié auxdites puces de circuits intégrés et est munie d'éléments de connexion électrique extérieure (32 ; 42a).
- 12. Téléphone portable ou mobile comprenant, intérieurement, un boîtier selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la coque du téléphone présente au moins une ouverture située au moins en face d'au moins un desdits passages traversants.10
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR1156226A FR2977715A1 (fr) | 2011-07-08 | 2011-07-08 | Boitier electronique optique |
US13/541,066 US9136292B2 (en) | 2011-07-08 | 2012-07-03 | Optical electronic package having a blind cavity for covering an optical sensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR1156226A FR2977715A1 (fr) | 2011-07-08 | 2011-07-08 | Boitier electronique optique |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FR2977715A1 true FR2977715A1 (fr) | 2013-01-11 |
Family
ID=45350852
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FR1156226A Withdrawn FR2977715A1 (fr) | 2011-07-08 | 2011-07-08 | Boitier electronique optique |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9136292B2 (fr) |
FR (1) | FR2977715A1 (fr) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR3100379A1 (fr) * | 2019-09-03 | 2021-03-05 | Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas | Dispositif électronique comprenant des composants électroniques optiques et procédé de fabrication |
US11380663B2 (en) | 2019-09-03 | 2022-07-05 | Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas | Electronic device comprising optical electronic components and manufacturing method |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10884551B2 (en) * | 2013-05-16 | 2021-01-05 | Analog Devices, Inc. | Integrated gesture sensor module |
DE102014204647A1 (de) | 2014-03-13 | 2015-09-17 | Robert Bosch Gmbh | Optische Erfassungsvorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer optischen Erfassungsvorrichtung |
US9746557B2 (en) | 2014-07-25 | 2017-08-29 | Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. | Proximity sensor module including time-of-flight sensor wherein a second group of light sensitive elements is in a second one of the chambers of the module |
US10061057B2 (en) | 2015-08-21 | 2018-08-28 | Stmicroelectronics (Research & Development) Limited | Molded range and proximity sensor with optical resin lens |
US11069667B2 (en) | 2016-03-31 | 2021-07-20 | Stmicroelectronics Pte Ltd | Wafer level proximity sensor |
FR3061630B1 (fr) * | 2017-01-03 | 2021-07-09 | St Microelectronics Grenoble 2 | Procede de fabrication d'un capot pour boitier electronique et boitier electronique comprenant un capot |
JP2019024033A (ja) * | 2017-07-24 | 2019-02-14 | 京セラ株式会社 | 光学センサ用パッケージ、および光学センサ装置 |
EP3471152A1 (fr) | 2017-10-12 | 2019-04-17 | ams AG | Procédé de fabrication d'une pluralité de dispositifs de détection de durée de vol |
FR3073356A1 (fr) * | 2017-11-06 | 2019-05-10 | Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas | Capot d'encapsulation pour boitier electronique et procede de fabrication |
US10712197B2 (en) | 2018-01-11 | 2020-07-14 | Analog Devices Global Unlimited Company | Optical sensor package |
FR3080219B1 (fr) * | 2018-04-13 | 2021-03-05 | St Microelectronics Grenoble 2 | Dispositif electronique comprenant des puces electroniques |
US20220238733A1 (en) * | 2021-01-28 | 2022-07-28 | Texas Instruments Incorporated | Sensor packages with wavelength-specific light filters |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5130531A (en) * | 1989-06-09 | 1992-07-14 | Omron Corporation | Reflective photosensor and semiconductor light emitting apparatus each using micro Fresnel lens |
US5226052A (en) * | 1990-05-08 | 1993-07-06 | Rohm, Ltd. | Laser diode system for cutting off the environment from the laser diode |
DE19616969A1 (de) * | 1996-04-27 | 1997-10-30 | Bosch Gmbh Robert | Optische Baugruppe zur Ankopplung eines Lichtwellenleiters und Verfahren zur Herstellung derselben |
EP0992824A2 (fr) * | 1998-10-02 | 2000-04-12 | Siemens Aktiengesellschaft | Composant micro-optique et procédé de sa fabrication |
US6787869B1 (en) * | 1999-11-04 | 2004-09-07 | Stmicroelectronics S.A. | Optical semiconductor housing and method for making same |
US20050254758A1 (en) * | 2004-05-14 | 2005-11-17 | Infineon Technologies Fiber Optics Gmbh | Optoelectronic coupling arrangement and transceiver with such an Optoelectronic coupling arrangement |
US7539366B1 (en) * | 2008-01-04 | 2009-05-26 | International Business Machines Corporation | Optical transceiver module |
US20100096659A1 (en) * | 2007-03-09 | 2010-04-22 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
US20110024627A1 (en) * | 2009-07-31 | 2011-02-03 | Avago Technologies Ecbu (Singapore) Pte. Ltd. | Proximity Sensor with Ceramic Housing and Light Barrier |
US20110057102A1 (en) * | 2009-09-10 | 2011-03-10 | Avago Technologies Ecbu (Singapore) Pte. Ltd. | Multiple Transfer Molded Optical Proximity Sensor and Corresponding Method |
US20110057129A1 (en) * | 2009-09-10 | 2011-03-10 | Avago Technologies Ecbu (Singapore) Pte. Ltd. | Package-on-Package (POP) Optical Proximity Sensor |
US20110057108A1 (en) * | 2009-09-10 | 2011-03-10 | Avago Technologies Ecbu (Singapore) Pte. Ltd. | Compact Optical Proximity Sensor with Ball Grid Array and Windowed Substrate |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20030111588A1 (en) | 2001-12-18 | 2003-06-19 | Pao-Jung Chen | Near-contact optical touch-screen sensor module |
US8148808B2 (en) * | 2007-08-13 | 2012-04-03 | Lv Sensors, Inc. | Partitioning of electronic packages |
JP5000428B2 (ja) * | 2007-08-22 | 2012-08-15 | Hoya株式会社 | 撮像装置 |
US8232541B2 (en) * | 2009-04-14 | 2012-07-31 | Intersil Americas Inc. | Optical sensors that reduce specular reflections |
US8957380B2 (en) | 2009-06-30 | 2015-02-17 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Infrared attenuating or blocking layer in optical proximity sensor |
-
2011
- 2011-07-08 FR FR1156226A patent/FR2977715A1/fr not_active Withdrawn
-
2012
- 2012-07-03 US US13/541,066 patent/US9136292B2/en active Active
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5130531A (en) * | 1989-06-09 | 1992-07-14 | Omron Corporation | Reflective photosensor and semiconductor light emitting apparatus each using micro Fresnel lens |
US5226052A (en) * | 1990-05-08 | 1993-07-06 | Rohm, Ltd. | Laser diode system for cutting off the environment from the laser diode |
DE19616969A1 (de) * | 1996-04-27 | 1997-10-30 | Bosch Gmbh Robert | Optische Baugruppe zur Ankopplung eines Lichtwellenleiters und Verfahren zur Herstellung derselben |
EP0992824A2 (fr) * | 1998-10-02 | 2000-04-12 | Siemens Aktiengesellschaft | Composant micro-optique et procédé de sa fabrication |
US6787869B1 (en) * | 1999-11-04 | 2004-09-07 | Stmicroelectronics S.A. | Optical semiconductor housing and method for making same |
US20050254758A1 (en) * | 2004-05-14 | 2005-11-17 | Infineon Technologies Fiber Optics Gmbh | Optoelectronic coupling arrangement and transceiver with such an Optoelectronic coupling arrangement |
US20100096659A1 (en) * | 2007-03-09 | 2010-04-22 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
US7539366B1 (en) * | 2008-01-04 | 2009-05-26 | International Business Machines Corporation | Optical transceiver module |
US20110024627A1 (en) * | 2009-07-31 | 2011-02-03 | Avago Technologies Ecbu (Singapore) Pte. Ltd. | Proximity Sensor with Ceramic Housing and Light Barrier |
US20110057102A1 (en) * | 2009-09-10 | 2011-03-10 | Avago Technologies Ecbu (Singapore) Pte. Ltd. | Multiple Transfer Molded Optical Proximity Sensor and Corresponding Method |
US20110057129A1 (en) * | 2009-09-10 | 2011-03-10 | Avago Technologies Ecbu (Singapore) Pte. Ltd. | Package-on-Package (POP) Optical Proximity Sensor |
US20110057108A1 (en) * | 2009-09-10 | 2011-03-10 | Avago Technologies Ecbu (Singapore) Pte. Ltd. | Compact Optical Proximity Sensor with Ball Grid Array and Windowed Substrate |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR3100379A1 (fr) * | 2019-09-03 | 2021-03-05 | Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas | Dispositif électronique comprenant des composants électroniques optiques et procédé de fabrication |
US11380663B2 (en) | 2019-09-03 | 2022-07-05 | Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas | Electronic device comprising optical electronic components and manufacturing method |
US11502227B2 (en) | 2019-09-03 | 2022-11-15 | Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas | Electronic device comprising optical electronic components and fabricating process |
US11935992B2 (en) | 2019-09-03 | 2024-03-19 | Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas | Electronic device comprising optical electronic components and fabricating process |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9136292B2 (en) | 2015-09-15 |
US20130012276A1 (en) | 2013-01-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
FR2977715A1 (fr) | Boitier electronique optique | |
FR2988519A1 (fr) | Boitier electronique optique | |
FR2980643A1 (fr) | Boitier electronique optique | |
FR2977714A1 (fr) | Boitier electronique optique | |
EP1388174B1 (fr) | Boitier blinde pour un composant semi-conducteur optique | |
FR2973573A1 (fr) | Boitier semi-conducteur comprenant un dispositif semi-conducteur optique | |
US7633055B2 (en) | Sealed light emitting diode assemblies including annular gaskets and methods of making same | |
EP1388175B1 (fr) | Boitier semi-conducteur optique a lentille incorporee et bladage | |
FR3055509A1 (fr) | Boitier electronique comprenant un capot a rainure | |
KR101616153B1 (ko) | 땜납 레지스트층을 갖는 봉지된 광전 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
US20140191253A1 (en) | Optoelectronic device and method for producing optoelectronic devices | |
EP2448001A2 (fr) | Dispositif optique, procédé pour sa fabrication et boîtier électronique comprenant ce dispositif optique | |
US8779443B2 (en) | Overmold with single attachment using optical film | |
US20040146304A1 (en) | Optical transceiver modules | |
FR2684235A1 (fr) | Carte a circuit integre comprenant des moyens de protection du circuit integre. | |
EP1962173B1 (fr) | Module optoélectronique muni d'au moins un circuit photorécepteur | |
FR2938976A1 (fr) | Dispositif semi-conducteur a composants empiles | |
FR2893764A1 (fr) | Boitier semi-conducteur empilable et procede pour sa fabrication | |
EP1226609B1 (fr) | Boitier semi-conducteur optique et procede de fabrication d'un tel boitier | |
EP1858121A1 (fr) | Module électronique destiné à être intégré dans un pneumatique, dispositif comprenant un tel module, pneumatique muni d'un tel dispositif et procédé d'obtention d'un tel dispositif. | |
FR2851374A1 (fr) | Boitier-semi-conducteur a puce de circuits integres portee par les pattes de connexion electrique | |
JP2009088435A (ja) | フォトリフレクタ及びその製造方法 | |
FR3066643A1 (fr) | Boitier electronique pourvu d'une fente locale formant un event | |
FR2835653A1 (fr) | Dispositif semi-conducteur optique | |
EP0898187B1 (fr) | Dispositif semi-conducteur à moyen électronique d'échanges à distance de signaux |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
ST | Notification of lapse |
Effective date: 20150331 |