FR2831733A1 - Linearly polarized antenna system for wireless communication in closed and semi-closed environment e.g. gymnasia, includes microstrip lines that pass through symmetric tangent points of adjacent annular slots - Google Patents
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Abstract
Description
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La présente invention concerne un dispositif pour la réception et/ou l'émission de signaux électromagnétiques utilisable dans le domaine des transmissions sans fils, notamment dans le cas des transmissions dans un milieu clos ou semi-clos tels que les milieux domestiques, les gymnases, les studios de télévision, les salles de spectacles ou similaires. The present invention relates to a device for the reception and / or emission of electromagnetic signals usable in the field of wireless transmissions, particularly in the case of transmissions in a closed or semi-enclosed environment such as domestic environments, gyms, television studios, theaters or similar.
Dans les systèmes connus de transmission sans fils à haut-débit, les signaux transmis par l'émetteur atteignent le récepteur selon une plurailté de chemins distincts. Lors de leur combinaison au niveau du récepteur, les différences de phases entre les différents rayons ayant parcouru des chemins de longueurs différentes, donnent lieu à une figure d'interférence susceptible de provoquer des évanouissements ou une dégradation importante du signal. In known high-speed wireless transmission systems, the signals transmitted by the transmitter reach the receiver in a plurality of distinct paths. When they are combined at the receiver, the differences in phase between the different rays having traveled paths of different lengths give rise to an interference pattern which may cause fading or significant degradation of the signal.
D'autre part, l'emplacement des évanouissements change au cours du temps en fonction des modifications de l'environnement telles que la présence de nouveaux objets ou le passage de personnes. Ces évanouissements dus aux multitrajets peuvent entraîner des dégradations importantes, tant au niveau de la qualité du signal reçu qu'au niveau des performances du système. On the other hand, the location of the fading changes over time according to changes in the environment such as the presence of new objects or the passage of people. These fades due to multipath can cause significant degradation, both in terms of the quality of the received signal and the level of system performance.
Pour lutter contre les évanouissements, la technique la plus souvent utilisée est une technique à diversité spatiale. Cette technique consiste entre autres à utiliser une paire d'antennes à large couverture spatiale telle que deux antennes du type pastille ou patch associées à un commutateur. Les deux antennes sont espacées d'une longueur qui doit être supérieure ou égale à AO/2 où XO est la longueur d'onde correspondant à la fréquence de fonctionnement de l'antenne. Avec ce type d'antenne, on peut montrer que la probabilité d'avoir les deux antennes simultanément dans un évanouissement est très faible. D'autre part, grâce au commutateur, il est possible de sélectionner la branche reliée à l'antenne présentant le niveau du To fight against fainting, the technique most often used is a technique with spatial diversity. This technique consists inter alia in using a pair of antennas with a large spatial coverage such as two antennas of the patch or patch type associated with a switch. The two antennas are spaced apart by a length that must be greater than or equal to AO / 2 where X0 is the wavelength corresponding to the operating frequency of the antenna. With this type of antenna, it can be shown that the probability of having both antennas simultaneously in a fade is very low. On the other hand, thanks to the switch, it is possible to select the branch connected to the antenna having the level of the
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signal le plus élevé en examinant le signal reçu par l'intermédiaire d'un circuit de contrôle. highest signal by examining the received signal through a control circuit.
La solution ci-dessus a pour principal inconvénient d'être relativement volumineuse. Aussi, la demanderesse a proposé diverses solutions alternatives à la solution décrite ci-dessus. Les solutions s'appliquent aux antennes du type fente alimentée par une transition ligne/fente et qui permettent d'obtenir une diversité de rayonnement. The above solution has the main disadvantage of being relatively large. Also, the applicant has proposed various alternative solutions to the solution described above. The solutions apply to slot-type antennas fed by a line / slot transition and which make it possible to obtain a diversity of radiation.
Des études ont aussi été réalisées sur une antenne de type fente telle qu'une fente annulaire dont l'alimentation est faite par une transition ligne/fente tangentielle. Une antenne de ce type est représentée à la figure 1. Studies have also been carried out on a slot-type antenna such as an annular slot whose feed is made by a tangential line / slot transition. An antenna of this type is shown in FIG.
Cette antenne réalisée sur un substrat 1 tel que le substrat Chukoh Flo CGP500 présentant un Er = 2.6, TanD = 0.0018 et une hauteur h = 0.76mm, a été réalisée une fente annulaire 2 dont le périmètre est de l'ordre de k'ms avec k'un entier et As s la longueur guidée dans la fente. This antenna made on a substrate 1 such as the substrate Chukoh Flo CGP500 having an Er = 2.6, TanD = 0.0018 and a height h = 0.76mm, was made an annular slot 2 whose perimeter is of the order of k'ms with k'un integer and as s the length guided in the slot.
Comme représenté sur la figure 1, cette fente annulaire 2 est alimentée par une transition ligne-fente sensiblement tangentielle au point P. As shown in FIG. 1, this annular slot 2 is fed by a line-slot transition substantially tangential to the point P.
La transition ligne/fente est constituée par une ligne microruban 3 réalisée sur le substrat 1, cette ligne microruban se trouvant à une distance y du point de tangence à la fente 2. La longueur de la ligne microruban 3 entre son extrémité 3'et le point P est de l'ordre de kÀ, m/4 avec k un entier impair et km la longueur d'onde guidée de la ligne microruban. The line / slot transition is constituted by a microstrip line 3 made on the substrate 1, this microstrip line being at a distance y from the point of tangency to the slot 2. The length of the microstrip line 3 between its end 3 'and the point P is of the order of kA, m / 4 with k an odd integer and km the guided wavelength of the microstrip line.
D'autre part, l'impédance caractéristique de la ligne microruban est choisie de manière à ramener 50 Ohms au niveau du port 1. Dans ce cas, le couplage entre la fente et la ligne microruban est de type électromagnétique. Pour avoir un couplage maximum entre la ligne microruban excitatrice et la fente, il faut se placer dans un plan de courtcircuit pour la ligne microruban. Ainsi, l'optimisation du couplage se fait par ajustement de la distance y entre la fente 2 et la ligne excitatrice 3. Le couplage ayant lieu sur une certaine zone de part et d'autre du plan de courtcircuit pour la ligne microruban, on obtient un comportement à larges bandes pour l'antenne ainsi excitée, comme donné dans le tableau 1 ci-après : On the other hand, the characteristic impedance of the microstrip line is chosen so as to bring back 50 ohms at port 1. In this case, the coupling between the slot and the microstrip line is of the electromagnetic type. To have a maximum coupling between the excitatory microstrip line and the slot, it is necessary to be placed in a short circuit plane for the microstrip line. Thus, the optimization of the coupling is done by adjusting the distance y between the slot 2 and the exciting line 3. The coupling taking place on a certain area on either side of the short circuit plane for the microstrip line, we obtain a wide band behavior for the antenna thus excited, as given in Table 1 below:
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Tableau 1
Table 1
<tb>
<tb> Y <SEP> (mm)-0, <SEP> 25 <SEP> 0 <SEP> +0, <SEP> 25 <SEP> +0,5
<tb> Largeur <SEP> de <SEP> bande <SEP> 14, <SEP> 3 <SEP> 14 <SEP> 12 <SEP> 9, <SEP> 5
<tb> d'adaptation <SEP> (%)
<tb> <Tb>
<tb> Y <SEP> (mm) -0, <SEP> 25 <SEP> 0 <SEP> +0, <SEP> 25 <SEP> +0.5
<tb> Width <SEP> of <SEP> band <SEP> 14, <SEP> 3 <SEP> 14 <SEP> 12 <SEP> 9, <SEP> 5
<tb> adaptation <SEP> (%)
<Tb>
Sur la figure 2, on a aussi représenté le coefficient de réflexion S11 d'une fente annulaire 2 en fonction de la fréquence pour les différentes valeurs de y données dans le tableau 1. Ces courbes donnent l'adaptation de la fente annulaire auxdites valeurs. FIG. 2 also shows the reflection coefficient S11 of an annular slot 2 as a function of frequency for the various values of y given in Table 1. These curves give the adaptation of the annular slot to said values.
Pour améliorer la polarisation du signal, il a été proposé, comme représenté sur la figure 3, d'avoir deux fentes annulaires 10,11 disposées de part et d'autre d'une ligne d'alimentation microruban 12 tangente en un point P'aux deux fentes 10 et 11. La longueur de la ligne d'alimentation entre son extrémité opposée au port d'entrée et le point de tangence est de l'ordre de kAm/4 avec k impair et Am la longueur d'ondes guidée de la ligne microruban. To improve the polarization of the signal, it has been proposed, as shown in FIG. 3, to have two annular slots 10, 11 arranged on either side of a microstrip feed line 12 tangent at a point P ' at both slots 10 and 11. The length of the supply line between its end opposite the input port and the point of tangency is of the order of kAm / 4 with k odd and Am the guided wavelength of the microstrip line.
Comme dans le cas de la figure 1, le périmètre de chaque fente annulaire 10,11 est sensiblement égal à k'A. s avec k'un entier et AS la longueur d'ondes guidée dans la fente. Avec cette structure, les polarisations elliptiques de chaque fente 10,11 située de part et d'autre de la ligne microruban 12 étant de sens opposé, elles donnent lieu à une polarisation linéaire de très haute pureté, notamment dans l'axe de l'antenne. As in the case of Figure 1, the perimeter of each annular slot 10,11 is substantially equal to k'A. s with k'un integer and AS the wavelength guided in the slot. With this structure, the elliptical polarizations of each slot 10,11 located on either side of the microstrip line 12 being of opposite direction, they give rise to a linear polarization of very high purity, especially in the axis of the antenna.
La présente invention concerne une nouvelle topologie de dispositif pour la réception et/ou l'émission de signaux électromagnétiques utilisant des antennes de type fente alimentée par une transition ligne/fente telles que décrites ci-dessus, afin d'obtenir un dispositif compact à diversité de rayonnement en réception. The present invention relates to a new device topology for the reception and / or emission of electromagnetic signals using slot-type antennas fed by a line / slot transition as described above, in order to obtain a compact device with diversity. radiation in reception.
Ainsi, la présente invention a pour objet un dispositif pour la réception et/ou l'émission de signaux électromagnétiques comportant deux moyens de réception et/ou d'émission d'ondes électromagnétiques du type antenne fente alimentée par une transition ligne/fente, symétriques par rapport à un premier point et une première ligne d'alimentation pour Thus, the subject of the present invention is a device for receiving and / or emitting electromagnetic signals comprising two means for receiving and / or transmitting electromagnetic waves of the slot antenna type powered by a line / slot transition, symmetrical compared to a first point and a first power line for
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connecter lesdits moyens de réception et/ou d'émission à des moyens d'exploitation de signaux, la ligne d'alimentation étant couplée électromagnétiquement aux antennes de type fente et se trouvant dans un plan passant par le premier point de symétrie, caractérisé en ce qu'il comporte un troisième moyen de réception et/ou d'émission d'ondes électromagnétiques du type antenne-fente alimentée par transition ligne/fente, symétrique d'un des deux moyens de réception et/ou d'émission d'ondes électromagnétiques par rapport à un deuxième point et une deuxième ligne d'alimentation connectée en commun avec la première ligne d'alimentation aux moyens d'exploitation des signaux, la deuxième ligne d'alimentation étant couplée électromagnétiquement aux antennes de type fente alimentées par transition ligne/fente et se trouvant dans un plan passant par le deuxième point de symétrie, l'extrémité libre de la première et de la deuxième ligne d'alimentation étant connectée à un composant permettant de simuler un court-circuit ou un circuit ouvert au bout d'une des lignes et un circuit ouvert ou un court-circuit au bout de l'autre ligne. connecting said receiving and / or transmitting means to signal exploitation means, the supply line being electromagnetically coupled to the slot-like antennas and lying in a plane passing through the first point of symmetry, characterized in that it comprises a third means for receiving and / or transmitting electromagnetic waves of the antenna-slot type powered by line / slot transition, symmetrical with one of the two means for receiving and / or emitting electromagnetic waves with respect to a second point and a second power line connected in common with the first power line to the signal operating means, the second power line being electromagnetically coupled to the line-fed slot-type antennas. slit and lying in a plane passing through the second point of symmetry, the free end of the first and second feed lines being nnected to a component to simulate a short circuit or an open circuit at the end of one of the lines and an open circuit or a short circuit at the end of the other line.
Selon une caractéristique de l'invention, la longueur de la ligne d'alimentation entre le composant et le point de symétrie est de l'ordre de kAm/4 avec k un entier impair et Am la longueur d'onde guidée dans la ligne, de manière à ramener un plan de court-circuit ou de circuit ouvert électrique selon l'état du composant dans le plan contenant les points de symétrie. According to one characteristic of the invention, the length of the supply line between the component and the point of symmetry is of the order of kAm / 4 with k an odd integer and Am the wavelength guided in the line, so as to bring back a short circuit or open electrical circuit plan according to the state of the component in the plane containing the points of symmetry.
Selon une autre caractéristique de l'invention, les moyens de réception et/ou d'émission d'ondes électromagnétiques du type antenne fente alimentée par transition ligne/fente sont constitués par une fente de forme annulaire ou polygonale, la forme polygonale pouvant être un rectangle ou un carré ou toute autre forme polygonale connue. According to another characteristic of the invention, the means for receiving and / or transmitting electromagnetic waves of the slit antenna type fed by line / slot transition are constituted by an annular or polygonal slot, the polygonal shape possibly being a rectangle or square or any other polygonal shape known.
D'autre part, le périmètre de la fente a une longueur d'onde de l'ordre de k's avec k'un entier et AS la longueur d'onde guidée dans la fente. On the other hand, the perimeter of the slot has a wavelength of the order of k's with k 'an integer and AS the guided wavelength in the slot.
Selon une caractéristique supplémentaire de la présente invention, le dispositif comporte de plus une troisième ligne d'alimentation According to a further feature of the present invention, the device further comprises a third feed line
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reliée à un moyen d'émission et couplée électromagnétiquement au moyen de réception et/ou de d'émission central par une transition ligne-fente. connected to a transmission means and electromagnetically coupled to the reception and / or central transmission means via a line-slot transition.
Selon des modes de réalisation préférentiels, le composant est constitué par une diode, un transistor, un commutateur électronique, un système micro-électromécanique. D'autre part, les lignes d'alimentation sont réalisées en technologie microruban ou en technologie coplanaire. According to preferred embodiments, the component is constituted by a diode, a transistor, an electronic switch, a microelectromechanical system. On the other hand, the supply lines are made in microstrip technology or coplanar technology.
D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront à la lecture de divers modes de réalisation, cette lecture étant faite avec référence aux dessins ci-annexés dans lesquels :
Figure 1 déjà décrite est une vue en plan de dessus schématique d'une fente annulaire alimentée tangentiellement selon l'art antérieur. Other characteristics and advantages of the present invention will appear on reading various embodiments, this reading being made with reference to the accompanying drawings in which:
Figure 1 already described is a schematic top plan view of an annular slot fed tangentially according to the prior art.
Figure 2 représente des courbes donnant le coefficient de réflexion S11 en fonction de la fréquence d'une fente annulaire pour différentes valeurs de y, dans le cas du dispositif de figure 1. Figure 2 shows curves giving the reflection coefficient S11 as a function of the frequency of an annular slot for different values of y, in the case of the device of Figure 1.
Figure 3 déjà décrite est une vue en plan de dessus schématique de deux fentes annulaires avec alimentation tangentielle, conforme à l'art antérieur. Figure 3 already described is a schematic top plan view of two annular slots with tangential feed, according to the prior art.
Figure 4 est une vue en plan de dessus schématique d'une topologie d'antennes selon un premier mode de réalisation de la présente invention. Figure 4 is a schematic top plan view of an antenna topology according to a first embodiment of the present invention.
Figure 5 est une courbe donnant le coefficient de réflexion S11 en fonction de la fréquence de la topologie représentée à la figure 4. FIG. 5 is a curve giving the reflection coefficient S11 as a function of the frequency of the topology shown in FIG. 4.
Figure 6 représente le rayonnement des trois états de l'antenne de figure 4. Figure 6 shows the radiation of the three states of the antenna of Figure 4.
Figure 7 est une vue en plan schématique de dessus d'un autre mode de réalisation de la présente invention. Figure 7 is a schematic plan view from above of another embodiment of the present invention.
Figure 8 est une courbe donnant les coefficients de réflexion de l'antenne de figure 7 en fonction de la fréquence lorsque les diodes sont en court-circuit, et
Figure 9 représente le diagramme de rayonnement de l'antenne de figure 7 lorsque les diodes sont en court-circuit. FIG. 8 is a curve giving the reflection coefficients of the antenna of FIG. 7 as a function of the frequency when the diodes are short-circuited, and
Figure 9 shows the radiation pattern of the antenna of Figure 7 when the diodes are short-circuited.
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Pour simplifier la description, les mêmes éléments portent les A f, mêmes références. To simplify the description, the same elements have the same references.
On décrira tout d'abord avec référence aux figures 4,5 et 6, un mode de réalisation préférentiel de la présente invention permettant d'obtenir une diversité de rayonnement. We will firstly describe with reference to Figures 4,5 and 6, a preferred embodiment of the present invention for obtaining a radiation diversity.
Comme représenté sur la figure 4, la nouvelle topologie du dispositif de réception et/ou d'émission de signaux électromagnétiques est constituée par trois antennes du type fentes annulaires 20,21, 22. Ces fentes sont tangentes deux par deux aux points P1 et P2. De manière plus spécifique, les fentes annulaires 20 et 21 sont tangentes au point P1 tandis que les fentes 21 et 22 sont tangentes au point P2. Les points P1 et P2 sont donc des points de symétrie par lesquels peuvent passer un plan, plus particulièrement un plan de tangence. As shown in FIG. 4, the new topology of the device for receiving and / or emitting electromagnetic signals consists of three antennas of the annular slot type 20, 21, 22. These slots are tangent two by two at the points P1 and P2. . More specifically, the annular slots 20 and 21 are tangent to the point P1 while the slots 21 and 22 are tangent to the point P2. The points P1 and P2 are therefore points of symmetry through which a plane can pass, more particularly a plane of tangency.
Comme représenté sur la figure 4, les fentes 20,21, 22 sont alimentées par des lignes microruban 23,24 se trouvant respectivement dans les plans de tangence passant par les points P1 et P2. As shown in FIG. 4, the slots 20, 21, 22 are fed by microstrip lines 23, 24 located respectively in the tangency planes passing through the points P1 and P2.
Comme représenté sur la figure 4, les lignes d'alimentation microruban 23,24 sont parallèles et elles sont réunies par une jonction en T au port 1 de connexion avec un circuit d'alimentation non-représenté. As shown in FIG. 4, the microstrip supply lines 23, 24 are parallel and are connected by a T-junction to the connection port 1 with a not shown supply circuit.
D'autre part, la longueur de ligne 23 ou 24 entre le point P1 ou P2 et l'extrémité 23'ou 24'opposée au port 1 est de préférence de l'ordre de kAm/4 où k est un entier impair et Am la longueur d'onde guidée dans la ligne d'alimentation. On the other hand, the line length 23 or 24 between the point P1 or P2 and the end 23 'or 24' opposite the port 1 is preferably of the order of kAm / 4 where k is an odd integer and Am Guided wavelength in the power line.
Comme représenté sur la figure 4, à l'extrémité de chacune des lignes 23,24 est monté un composant électronique permettant de simuler un court-circuit ou un circuit ouvert au bout d'une des lignes et un circuit ouvert ou un court-circuit au bout de l'autre ligne. De manière plus spécifique, une diode 25 est montée en inverse entre l'extrémité 23'et la masse tandis qu'une diode 26 est montée en direct entre l'extrémité 24'et la masse. Ce montage permet une commutation des diagrammes de rayonnement entre trois états selon l'état de polarisation des diodes 25 et 26. Les différents états de commutation sont représentés dans le tableau 2 ci-après : As shown in FIG. 4, at the end of each of the lines 23, 24 is mounted an electronic component making it possible to simulate a short circuit or an open circuit at the end of one of the lines and an open circuit or a short circuit. at the end of the other line. More specifically, a diode 25 is mounted in reverse between the end 23 'and the ground while a diode 26 is mounted directly between the end 24' and the ground. This arrangement makes it possible to switch the radiation diagrams between three states depending on the polarization state of the diodes 25 and 26. The different switching states are shown in Table 2 below:
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Tableau 2
Table 2
<tb>
<tb> Etat <SEP> des <SEP> diodes
<tb> Tension <SEP> appliquée <SEP> Diode <SEP> 25 <SEP> Diode <SEP> 26
<tb> 0 <SEP> Off <SEP> Off
<tb> +V <SEP> On <SEP> Off
<tb> <Tb>
<tb><SEP> state of <SEP> diodes
<tb> Voltage <SEP> applied <SEP> Diode <SEP> 25 <SEP> Diode <SEP> 26
<tb> 0 <SEP> Off <SEP> Off
<tb> + V <SEP> On <SEP> Off
<Tb>
Dans la structure de la figure 4, on obtient une courbe donnant un coefficient de réflexion S11 en fonction de la fréquence, telle que représentée sur la figure 5. Sur la base de cette courbe, on s'aperçoit que la largeur de bande d'adaptation à-10 dB est de 22 % quand une seule diode est bloquée, et de 17,8 % quand les deux diodes sont bloquées. In the structure of FIG. 4, a curve is obtained giving a reflection coefficient S11 as a function of frequency, as shown in FIG. 5. On the basis of this curve, it can be seen that the bandwidth of -10 dB adaptation is 22% when only one diode is blocked, and 17.8% when both diodes are blocked.
D'autre part, sur la figure 6, on a représenté les trois états de rayonnement de l'antenne selon les états de deux diodes idéales à 5,4 GHz. On obtient ainsi une diversité de rayonnement d'ordre 3 pour le dispositif d'antenne. On the other hand, in FIG. 6, the three states of radiation of the antenna are represented according to the states of two ideal diodes at 5.4 GHz. This results in a 3-fold radiation diversity for the antenna device.
Pour obtenir une voie d'émission avec la topologie d'antenne représentée à la figure 4, on propose, comme représenté sur la figure 7, d'alimenter la fente annulaire médiane, à savoir la fente 21 par une ligne microruban 27 positionnée de manière à réaliser une transition ligne/fente classique telle que décrite par Knorr. Cette ligne se termine par une diode 33 ramenant un court-circuit en bout de ligne 27 en mode réception. To obtain a transmission channel with the antenna topology shown in FIG. 4, it is proposed, as represented in FIG. 7, to feed the median annular slot, namely the slot 21, by a microstrip line 27 positioned in a manner to achieve a conventional line / slot transition as described by Knorr. This line ends with a diode 33 bringing a short circuit at the end of line 27 in reception mode.
Pour assurer une isolation maximale entre l'émission et la réception, les deux diodes 25,26 doivent être dans l'état passant, c'est-à-dire présenter un court-circuit en bout des lignes microruban 23 et 24 dans le mode émission. Dans ce cas, le système représenté à la figure 7 présente quatre états de fonctionnement, comme mentionné dans le tableau 3 ciaprès : To ensure maximum isolation between transmission and reception, the two diodes 25,26 must be in the on state, that is to say present a short circuit at the end of the microstrip lines 23 and 24 in the mode. program. In this case, the system represented in FIG. 7 presents four operating states, as mentioned in table 3 below:
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Tableau 3
Table 3
<tb>
<tb> Etat <SEP> des <SEP> diodes
<tb> Diode <SEP> 25 <SEP> Diode <SEP> 26
<tb> Etat <SEP> 1 <SEP> Off <SEP> On
<tb> Rx <SEP> Etat <SEP> 2 <SEP> Off <SEP> Off
<tb> Etat <SEP> 3 <SEP> On <SEP> Off
<tb> Tx <SEP> Etat <SEP> 4 <SEP> On <SEP> On
<tb> <Tb>
<tb><SEP> state of <SEP> diodes
<tb> Diode <SEP> 25 <SEP> Diode <SEP> 26
<tb> Status <SEP> 1 <SEP> Off <SEP> On
<tb> Rx <SEP> Status <SEP> 2 <SEP> Off <SEP> Off
<tb> Status <SEP> 3 <SEP> On <SEP> Off
<tb> Tx <SEP> Status <SEP> 4 <SEP> On <SEP> On
<Tb>
Le dispositif de commande permettant de gérer ces quatre états est assuré par un dispositif commandant indépendamment chacune des deux diodes. Ce dispositif de commande est par exemple composé de dispositifs de blocage 27,28 montés entre la jonction en T et les lignes d'alimentation 23,24. Les dispositifs de blocage sont constitués par des DCblocks en langue anglaise de type connu. Un DC-block 29 est aussi prévu entre la ligne 27 et le port 2. D'autre part, des bouts de ligne ou stubs 30,31, 32 sont montés entre les lignes respectives 32,24 et 27 et la borne de polarisation des différentes diodes 25,26 et 33. La longueur de chaque bout de ligne radial est tel qu'un circuit ouvert est ramené au point de croisement tel que, de cette façon, la tension de polarisation est apportée sur chacune des diodes, sans perturber la RF (condition de transparence). Par ailleurs, le dispositif de blocage du courant continu de polarisation (DC-block en langue anglaise), permet de filtrer le courant continu à l'accès antenne. The control device for managing these four states is provided by a device independently controlling each of the two diodes. This control device is for example composed of locking devices 27,28 mounted between the T-junction and the supply lines 23,24. The blocking devices consist of DCblocks in the English language of known type. A DC-block 29 is also provided between the line 27 and the port 2. On the other hand, line ends or stubs 30, 31, 32 are mounted between the respective lines 32, 24 and 27 and the polarization terminal of the pins. different diodes 25,26 and 33. The length of each end of radial line is such that an open circuit is brought back to the point of crossing such that, in this way, the bias voltage is provided on each of the diodes, without disturbing the RF (transparency condition). Moreover, the device for blocking the direct current of polarization (DC-block in English language) makes it possible to filter the direct current at the antenna access.
Avec le système représenté à la figure 7, on obtient une courbe donnant l'amplitude des paramètres S du dispositif d'émission/réception en fonction de la fréquence en émission, à savoir lorsque les diodes 25 et 26 sont en court-circuit sur la figure 8. On s'aperçoit que dans ce cas, la largeur de bande en adaptation de la voie émission est de plus de 22 %. With the system represented in FIG. 7, a curve is obtained giving the amplitude of the parameters S of the transmission / reception device as a function of the transmission frequency, namely when the diodes 25 and 26 are short-circuited on the figure 8. We notice that in this case, the bandwidth in adaptation of the transmission channel is more than 22%.
D'autre part, en émission, on obtient un diagramme de rayonnement du dispositif comme représenté sur la figure 9. En regardant les différents diagrammes de rayonnement, on s'aperçoit qu'on obtient une haute qualité de polarisation linéaire dans l'axe de l'antenne. D'autre part, on On the other hand, in emission, we obtain a radiation pattern of the device as shown in Figure 9. Looking at the different radiation patterns, we see that we obtain a high quality of linear polarization in the axis of the antenna. On the other hand,
<Desc/Clms Page number 9><Desc / Clms Page number 9>
obtient un bon niveau d'isolation entre l'émission et la réception et une même polarisation à l'émission et à la réception. Cette structure d'antenne compacte permet de plus une diversité de diagramme de rayonnement d'ordre 3. gets a good level of isolation between transmission and reception and the same polarization on transmission and reception. This compact antenna structure also allows a diversity of radiation pattern of order 3.
Il est évident pour l'homme de l'art que les modes de réalisation ci-dessus sont donnés à titre d'exemple et peuvent être modifiés de nombreuses manières. Ainsi, la fente peut avoir une autre forme qu'une forme annulaire, elle peut être de forme polygonale, telle qu'une forme carrée, rectangulaire ou autre. Les lignes d'alimentation peuvent être réalisées en technologie microruban ou en technologie coplanaire. Les diodes peuvent être remplacées par d'autres composants tels que des transistors, des commutateurs électroniques, des systèmes microélectromécaniques. It is obvious to those skilled in the art that the above embodiments are given by way of example and can be modified in many ways. Thus, the slot may have a shape other than an annular shape, it may be of polygonal shape, such as a square, rectangular or other shape. The supply lines can be made using microstrip technology or coplanar technology. The diodes can be replaced by other components such as transistors, electronic switches, microelectromechanical systems.
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