SOURCE OPTIQUE LASER A EMISSION VERTICALE La présente invention concerneVERTICAL EMISSION LASER OPTICAL SOURCE The present invention relates to
une source optique laser comprenant une couche active apte à émettre un faisceau lumineux dans une direction de sortie, dite latérale. L'invention trouve une application particulièrement avantageuse dans le s domaine des modules émetteurs de lumière bas coût pour réseaux optiques de télécommunication et notamment les réseaux d'accès optiques. En matière de télécommunications optiques, il est essentiel d'obtenir un produit débit-distance le plus élevé possible, et ceci avec des sources laser optimisées en fonction du budget optique nécessaire sur la liaison de manière w à réduire le coût des modules fonctionnels intégrant de telles sources. C'est pourquoi il est devenu primordial de réaliser les meilleurs taux de couplage optique entre la puissance émise par la source, une diode laser par exemple, et la puissance réellement disponible dans la fibre optique transportant la lumière émise par la source. 15 On notera d'ailleurs que ce problème d'optimisation de couplage est plus crucial pour les fibres monomodes que pour les fibres multimodes dans lesquelles plusieurs modes sont excités. Or, ce sont précisément les fibres monomodes qui sont le plus souvent utilisées en télécommunications optiques du fait qu'elles présentent moins de pertes optiques et une bande passante 20 plus grande que les fibres multimodes_ On comprend dans ces conditions qu'une attention toute particulière soit accordée à l'obtention d'un couplage optimal source/fibre lors de la production des modules optiques et qu'en conséquence la part principale des coûts de ces modules réside dans les opérations de couplage, lesquelles peuvent 25 représenter avec le montage et la mise en boîtier environ 70 à 90% du coût total des modules. Il est donc très important, si l'on veut réaliser des modules bon marché, maxmu. r uts ;ia.:_ source; Les sources optiques laser actuellement les plus utilisées dans le domaine des télécommunications sont des diodes connues sous le nom de EEL pour Edge Emitting Laser ou laser à émission latérale . Les diodes laser DBR ( Distributed Bragg Reflector ) et DFB ( Distributed Feed Bac( ) sont des exemples bien connues de sources EEL. L'avantage essentiel de ce type de sources est qu'elles sont capables de fournir une forte puissance optique dans les bandes infrarouge lointain O, S, C, L dont les longueurs d'onde sont globalement comprises entre 1330 nm et 1620 nm dans des régions de transmission où l'atténuation optique est la plus faible. Ces sources sont donc bien adaptées à des transmissions à très haut débit, typiquement supérieur à 10 Gbitls, sur de grandes distances dans les bandes C et L notamment. Le couplage de ces sources EEL avec la fibre optique de sortie est le plus souvent réalisé au moyen d'une méthode dite active , dans laquelle le taux de couplage est optimisé lorsque la source est mise en fonctionnement, à l'intérieur du boîtier du module optique. La puissance lumineuse en sortie du dispositif est mesurée en fonction de la position d'une lentille adaptatrice de mode disposée à l'entrée de la fibre optique. Lorsque la puissance mesurée est maximale, les positions sont figées par soudure sur le boîtier de la diode EEL. Les coefficients de couplage obtenus par cette méthode sont très élevés, de l'ordre de 70 à 90% de la puissance émise. Par contre, le coût final des modules est relativement grand du fait que les opérations de couplage exigent une main d'oeuvre qualifiée et une infrastructure de production lourde. Il existe d'autres sources. optiques laser, dites à émission verticale ou VCSEL ( Vertical Cavity Surface Emitting Laser ), dont la symétrie circulaire du faisceau lumineux de sortie est bien adaptée au mode de propagation dans la fibre, ceci par opposition aux diodes EEL dont la section de sortie de la zone active est rectangulaire et génère de ce fait un faisceau elliptique de forte 30 excentricité. Le couplage de ces sources VCSEL à la fibre de sortie est effectué selon une méthode dite passive , à savoir source non alimentée consiste c..a.. 14 15 20 25 diode laser et de la fibre. Cette opération peut être réalisée de manière très précise avec ou sans lentille adaptatrice selon le budget optique recherché, au moyen d'un procédé de connexion automatique. Ce procédé est bien connu de l'homme du métier sous le terme anglo-saxon de flip-chip . L'avantage essentiel de ce procédé, outre sa précision, est qu'il est beaucoup plus économique, car plus automatisé, que la méthode active présentée plus haut. Un autre avantage des sources VCSEL sur les sources EEL est que leur émission verticale, et non latérale, se prête bien aux tests in situ sur les io tranches ( wafers ) de semi-conducteurs. Alors que les diodes EEL doivent être découpées pour être testées, les diodes VCSEL peuvent être triées à partir de tests réalisés sur la tranche elle-même avant d'être découpées. Toutefois, cette méthode passive s'applique essentiellement aux sources VCSEL dont la puissance d'émission dans les bandes S et C est ]s insuffisante, typiquement inférieure à 1 mW, pour une utilisation en télécommunication optique, notamment dans les réseaux d'accès. Ces sources VCSEL présentent d'autres inconvénients, comme leur instabilité de polarisation qui contribue à créer des effets de discontinuité de puissance optique ( kink effect ), ce qui induit un seuil d'erreur trop élevé. 20 De même, leur puissance optique décroît rapidement avec la température ; ainsi on pu observer jusque 80% de diminution de puissance lorsque la température passe de 25 à 85 C. D'autre part, les densités de porteurs de charge étant importantes dans des matériaux peu conducteurs de la chaleur, des effets de vieillissement 25 prématurés ont été identifiés sur des diodes VCSEL à certaines longueurs. d'onde. Ce type de phénomène est dû au volume actif de la cavité laser des diodes VCSEL, qui est inférieur de deux à trois ordres de grandeur à celui d'une diode EEL. Les densités de puissance sont donc beaucoup plus élevées dans les sources VCSEL et la variation de l'émission avec la température est 30 en général plus grande pour ces sources que pour les sources EEL. Ceci est principalement dû à des phénomènes thermiques comme, entre autres, l'effet Joule lié aux porteurs de charge et les variations d'indice optique liées à la de p{ -s -te charge. a laser optical source comprising an active layer capable of emitting a light beam in a so-called lateral direction of exit. The invention finds a particularly advantageous application in the field of low cost light emitting modules for telecommunication optical networks and in particular optical access networks. In the case of optical telecommunications, it is essential to obtain the highest possible bit-distance product, and this with laser sources optimized according to the optical budget required on the link in order to reduce the cost of the functional modules integrating such sources. This is why it has become essential to achieve the best optical coupling rates between the power emitted by the source, a laser diode, for example, and the power actually available in the optical fiber carrying the light emitted by the source. It will be noted moreover that this problem of coupling optimization is more crucial for monomode fibers than for multimode fibers in which several modes are excited. However, it is precisely the single-mode fibers which are most often used in optical telecommunications because they have fewer optical losses and a greater bandwidth than the multimode fibers. granted to obtain an optimal source / fiber coupling during the production of the optical modules and that consequently the main part of the costs of these modules lies in the coupling operations, which can represent with the assembly and implementation in boxes approximately 70 to 90% of the total cost of the modules. It is therefore very important, if one wants to realize inexpensive modules, maxmu. Source: Source; The laser optical sources currently most used in the telecommunications field are diodes known as EELs for Edge Emitting Laser or Side Emitting Laser. DBR (Distributed Bragg Reflector) and Distributed Feed Bac (DFB) laser diodes are well known examples of EEL sources, and the main advantage of this type of source is that they are able to provide high optical power in the bands. far-infrared O, S, C, L whose wavelengths are generally between 1330 nm and 1620 nm in transmission regions where the optical attenuation is the lowest, these sources are therefore well suited to transmissions at very high frequencies. broadband, typically greater than 10 Gbitls, over long distances in the C and L bands in particular, the coupling of these EEL sources with the optical output fiber is most often carried out by means of a so-called active method, in which the coupling rate is optimized when the source is put into operation, inside the optical module housing The luminous power output of the device is measured according to the position of a slow itle the mode adapter arranged at the entrance of the optical fiber. When the measured power is maximum, the positions are frozen by welding on the housing of the EEL diode. The coupling coefficients obtained by this method are very high, of the order of 70 to 90% of the power emitted. On the other hand, the final cost of the modules is relatively large because the coupling operations require a skilled workforce and a heavy production infrastructure. There are other sources. vertically emitting laser or Vertical Cavity Surface Emitting Laser (VCSEL), whose circular symmetry of the output light beam is well adapted to the propagation mode in the fiber, as opposed to the EEL diodes whose output section of the The active area is rectangular and thereby generates an elliptical beam of high eccentricity. The coupling of these VCSEL sources to the output fiber is performed according to a so-called passive method, ie non-powered source consists of laser diode and fiber. This operation can be performed very precisely with or without an adapter lens according to the desired optical budget, by means of an automatic connection method. This process is well known to those skilled in the art under the Anglo-Saxon term flip-chip. The essential advantage of this process, in addition to its accuracy, is that it is much more economical, because more automated, than the active method presented above. Another advantage of VCSEL sources over EEL sources is that their vertical and non-lateral emission is well suited for in-situ testing on semiconductor wafers. While the EEL diodes must be cut for testing, the VCSEL diodes can be sorted from tests performed on the wafer itself before being cut. However, this passive method applies essentially to VCSEL sources whose transmission power in the S and C bands is insufficient, typically less than 1 mW, for use in optical telecommunication, especially in access networks. These VCSEL sources have other drawbacks, such as their polarization instability which contributes to creating effects of optical power discontinuity (kink effect), which induces a threshold of error too high. Likewise, their optical power decreases rapidly with temperature; Thus, up to 80% decrease in power can be observed when the temperature rises from 25 to 85 ° C. On the other hand, the densities of charge carriers being important in materials which conduct little heat, premature aging effects have been observed. have been identified on VCSEL diodes at certain lengths. wave. This type of phenomenon is due to the active volume of the VCSEL diode laser cavity, which is two to three orders of magnitude less than that of an EEL diode. The power densities are therefore much higher in the VCSEL sources and the variation of the emission with the temperature is generally greater for these sources than for the EEL sources. This is mainly due to thermal phenomena such as, inter alia, the Joule effect related to the charge carriers and the optical index variations related to the charge.
Un autre inconvénient des structures VCSEL conventionnelles est la difficulté d'intégrer simultanément des fonctions optiques passives (coupleurs, guides optiques,...) ou actives (photorécepteurs, amplificateurs,...) avec la diode d'émission pour réaliser des duplexeurs par exemple. Cette structure particulière impose en effet la réalisation de miroirs à fort coefficient de réflexion qui rend plus complexe la technologie d'épitaxie. Enfin, il convient de signaler que si un alignement axial satisfaisant entre la source VCSEL et la fibre peut être obtenu, la méthode passive ci-dessus, sans lentille d'adaptation, ne prévoit aucune disposition particulière pour assurer l'adaptation des modes de faisceau entre la source et la fibre, ne rendant ainsi cette méthode réellement efficace que pour des fibres multimodes. Un autre type de sources optiques laser à émission verticale a été récemment proposé toujours dans le but de minimiser le coût de l'étape de couplage optique. Il s'agit de sources à émission latérale dans lesquelles un miroir d'une cavité Fabry-Pérot est gravé avec un angle de 45 par rapport à la direction d'émission. Cette particularité permet donc une émission de lumière verticale. Cette structure, appelée HCSEL ( Horizontal Cavity Source Emitting Laser ), a été décrite dans une réalisation de modules diplexeurs pour application PON (A. Behfar et al, Monolithically lntegrated Diplexer Chip for PON Applications , OFC Technical Digest paper OTuM5, Mars 2005 ). Ces sources HCSEL offrent certains avantages des sources VCSEL sans en présenter les inconvénients : elles sont puissantes, fiables puisqu'elles utilisent les technologies éprouvées des sources EEL conventionnelles: et simples à.tester sur tranche et. à coupler mécaniquement avec la fibre par des techniques de montage en surface de type flip-chip ou autres. De plus, elles sont faciles à intégrer dans des modules optiques avec des composants passifs ou actifs réalisés simultanément sur la surface et ia croissance des couches actives (zones où se produisent les recombinaisons électron-trou et donc l'émission des photons) et de confinement n'est pas complexe, contrairement aux sources VCSEL. Cependant, les modules utilisant des sources de i ! SEL presse eonvenient d'u de mode, d'assez mauvaise qualité compte tenu de la forte ellipticité du faisceau émis. Par conséquent, l'utilisation d'une lentille adaptatrice s'avérerait nécessaire pour les applications monomode, aussi bien pour les structures VCSEL que HCSEL, si l'on veut obtenir des pertes de couplage acceptables. Toutefois, cette obligation interdit une technique de montage bas coût des sources utilisant une méthode de couplage passive et sans lentille adaptatrice, et, par conséquent, réduit les possibilités d'introduction de modules émetteurs dans les réseaux à accès optique, notamment pour les io applications très haut débit. Aussi, le problème technique à résoudre par l'objet de la présente invention est de proposer une source optique laser comprenant une couche active apte à émettre un faisceau lumineux dans une direction de sortie, dite latérale, qui permettrait de réaliser un couplage optique optimal au moyen d'une méthode passive et sans avoir recours à une lentille adaptatrice de faisceaux, et tout en conservant l'ensemble des avantages de la structure HCSEL. La solution au problème technique posé consiste, selon la présente invention, en ce que, ladite couche active présentant une zone d'adaptation de 20 mode, ladite source comprend des moyens de déviation du faisceau lumineux formé dans ladite zone d'adaptation, Ladite direction de déviation peut être perpendiculaire à la direction de sortie du faisceau de la zone d'adaptation, ce qui permet d'obtenir une source à émission verticale à partir d'une structure à émission latérale. 25 Ainsi, par une orientation adéquate des moyens. de déviation, il est possible d'obtenir une source dont l'émission est verticale au sens des sources VCSEL et HCSEL précitées. D'autre part, le faisceau dévié étant formé dans la zone d'adaptation, dont l'épaisseur est plus faible que celle de la couche active, il présente une divergence réduite, de sorte qu'un couplage à la fibre 30 optique peut être obtenu de manière satisfaisante sans lentille adaptatrice. En résumé, l'invention propose une source optique laser bas coût à émission verticale et de forte puissance dans les bandes C, S, C et L. Cette source de. _t~ haut débit, supérieur à 1 D Gbitls, exigeant des puissances optiques importantes. La source conforme à ['invention se prête bien aux tests directs sur tranche ( wafer ) et peut être montée sur les modules optiques au moyen de techniques compatibles avec le montage flip-chip peu coûteux. Another disadvantage of conventional VCSEL structures is the difficulty of simultaneously integrating passive optical functions (couplers, optical guides, etc.) or active functions (photoreceptors, amplifiers, etc.) with the emission diode to produce duplexers by example. This particular structure indeed requires the realization of mirrors with a high coefficient of reflection which makes epitaxy technology more complex. Finally, it should be pointed out that if a satisfactory axial alignment between the VCSEL source and the fiber can be obtained, the passive method above, without adaptation lens, does not provide any particular provision to ensure the adaptation of the beam modes. between the source and the fiber, thus making this method really effective only for multimode fibers. Another type of vertical emission laser optical sources has recently been proposed with the aim of minimizing the cost of the optical coupling step. These are side emission sources in which a mirror of a Fabry-Perot cavity is etched at an angle of 45 relative to the direction of emission. This feature therefore allows a vertical light emission. This structure, called Horizontal Cavity Source Emitting Laser (HCSEL), has been described in a realization of diplexer modules for PON application (A. Behfar et al, Monolithically Integrated Diplexer Chip for PON Applications, OFC Technical Digest Paper OTuM5, March 2005). These HCSEL sources offer some advantages of VCSEL sources without the disadvantages: they are powerful, reliable because they use proven technologies of conventional EEL sources: and simple to testify on slice and. to mechanically couple with the fiber by flip-chip or other surface mount techniques. In addition, they are easy to integrate in optical modules with passive or active components made simultaneously on the surface and the growth of the active layers (areas where electron-hole recombination and therefore photon emission) occur and containment. is not complex, unlike VCSEL sources. However, modules using i! SEL presses uonvenient of u of mode, of rather bad quality considering the strong ellipticity of the emitted beam. Therefore, the use of an adapter lens would be necessary for single-mode applications, both for VCSEL and HCSEL structures, if acceptable coupling losses are to be achieved. However, this requirement prohibits a low-cost mounting technique of sources using a passive coupling method and without adapter lens, and therefore reduces the possibilities of introducing transmitting modules into optical access networks, especially for applications. very high speed. Also, the technical problem to be solved by the object of the present invention is to propose a laser optical source comprising an active layer able to emit a light beam in a so-called lateral direction of exit, which would make it possible to achieve optimum optical coupling at the same time. passive method without the need for a beam adapter lens, while retaining all the advantages of the HCSEL structure. The solution to the technical problem posed consists, according to the present invention, in that, said active layer having a mode adaptation zone, said source comprises means for deflecting the light beam formed in said adaptation zone, said direction The deflection path may be perpendicular to the beam exit direction of the adaptation zone, thereby providing a vertical emission source from a side emission structure. Thus, by an adequate orientation of the means. of deviation, it is possible to obtain a source whose emission is vertical in the sense of the aforementioned sources VCSEL and HCSEL. On the other hand, since the deviated beam is formed in the adaptation zone, the thickness of which is smaller than that of the active layer, it has a reduced divergence, so that coupling to the optical fiber can be obtained satisfactorily without an adapter lens. In summary, the invention proposes a low cost optical laser source with vertical emission and high power in the bands C, S, C and L. This source of. _t ~ high speed, greater than 1 D Gbitls, requiring significant optical power. The source according to the invention is well suited for wafer testing and can be mounted on optical modules using techniques compatible with inexpensive flip-chip circuitry.
Cette compatibilité inclut notamment une adaptation d'ouverture de mode permettant d'obtenir des coefficients de couplage optique suffisants. La source optique laser, objet de l'invention, présente une grande stabilité thermique, en puissance et en longueur d'onde. Elle peut être réalisée à partir de structures conventionnelles EEL à émission latérale, utilisant des zones actives à îlots quantiques et à couplage latéral. L'invention concerne également un procédé de réalisation d'une source optique laser selon l'invention, remarquable en ce que, dans une structure de source optique laser comprenant un ruban laser et une couche active présentant une zone d'adaptation de mode, ledit procédé comporte les étapes consistant à : - graver, à travers ledit ruban laser et ladite zone d'adaptation de mode de ladite structure, un évidement comprenant une première paroi de sortie du faisceau lumineux et une deuxième paroi de déviation dudit faisceau, en regard de la première paroi, - déposer une surface réfléchissante sur ladite deuxième paroi de déviation. La description qui va suivre en regard des dessins annexés, donnés à titre d'exemples non limitatifs, fera bien comprendre en quoi consiste l'invention et comment elle peut être réalisée. La figure 1 est une vue en perspective d'une source optique laser 25 conforme. à l'invention. La figure 2 est une vue en coupe selon la ligne A-A de la figure 1. La figure 3a est une vue de dessus illustrant une étape de gravure du contact électrique supérieur d'une structure EEL. La figure 3b est une vue en perspective illustrant une étape de gravure 3o à flancs inclinés à 45 . La figure 3c est une vue en perspective illustrant une étape de dépôt d'un masque sur la structure montrée sur la figure 3b. This compatibility includes in particular a mode-opening adaptation to obtain sufficient optical coupling coefficients. The laser optical source, object of the invention, has a high thermal stability, in power and wavelength. It can be made from conventional side-emitting EEL structures, using quantum-island and side-coupled active areas. The invention also relates to a method for producing a laser optical source according to the invention, remarkable in that, in a laser optical source structure comprising a laser ribbon and an active layer having a mode adaptation zone, said method comprises the steps of: - etching, through said laser ribbon and said mode adaptation zone of said structure, a recess comprising a first output wall of the light beam and a second deflection wall of said beam, opposite the first wall, - deposit a reflective surface on said second deflection wall. The following description with reference to the accompanying drawings, given as non-limiting examples, will make it clear what the invention consists of and how it can be achieved. Figure 1 is a perspective view of a compliant laser optical source. to the invention. Figure 2 is a sectional view along the line A-A of Figure 1. Figure 3a is a top view illustrating a step of etching the upper electrical contact of a structure EEL. FIG. 3b is a perspective view illustrating an etching step 30 with flanks inclined at 45. Figure 3c is a perspective view illustrating a step of depositing a mask on the structure shown in Figure 3b.
La figure 3d est une vue en perspective illustrant une étape de dépôt d'une surface réfléchissante sur un flanc de la structure montrée sur la figure 3c. La figure 3e est une vue en perspective illustrant une étape de gravure 5 de la face de sortie de la source laser. Sur les figures 1 et 2 est représentée une source optique laser 1 à couplage latéral qui peut être de type DFB ou DBR bas coût. Cette source comprend un substrat 10 en lnP, par exemple, dans lequel sont réalisés un ruban laser 11 ainsi que des couches 12 de confinement séparées par au io moins une coche active 13. Par ailleurs, on peut voir sur la figure 1 la présence d'éléments de couplage latéral par absorption optique constitués par deux réseaux de bandes métalliques 21 disposées sur deux épaulements 14 du substrat latéralement au ruban laser 11. Deux électrodes 15 et 16 permettent d'injecter un courant I d'alimentation dans la source. Figure 3d is a perspective view illustrating a step of depositing a reflective surface on a sidewall of the structure shown in Figure 3c. Fig. 3e is a perspective view illustrating a step of etching the output face of the laser source. In FIGS. 1 and 2 there is shown a laser optical source 1 with lateral coupling which can be of low cost DFB or DBR type. This source comprises a substrate 10 in lnP, for example, in which a laser ribbon 11 is produced as well as confinement layers 12 separated by at least one active tick 13. In addition, it can be seen in FIG. lateral optical absorption coupling elements consisting of two metal strip networks 21 disposed on two shoulders 14 of the substrate laterally to the laser ribbon 11. Two electrodes 15 and 16 make it possible to inject a supply current I into the source.
15 Cette structure a été décrite dans la demande de brevet français n 05 51855. Par construction, cette source laser est du type à émission latérale (EEL), la direction du faisceau sortant de la couche active étant parallèle à l'axe longitudinal X-X de la structure.This structure has been described in French Patent Application No. 05 51855. By construction, this laser source is of the lateral emission type (EEL), the direction of the beam coming out of the active layer being parallel to the longitudinal axis XX of the structure.
20 On peut observer sur les figures 1 et 2 que la couche active 13 comporte une zone 17 d'adaptation de mode destinée à réduire divergence du faisceau lumineux en sortie de la source. Cette zone 17 peut être réalisée en utilisant les techniques de croissance avec masque in situ afin d'éviter les reprise de croissance toujours coûteuses. L'étape de masquage est réalisée 25 sous vide entre deux étapes de croissance épitaxiale. Ces techniques sont bien connues de l'homme du métier, on peut citer par exemple les techniques de croissance sélective à partir de masquage in situ, comme celle décrite dans l'article de R.S. Balmer, Journal of Lightwave Technology, vol. 21, n 1, pp. 211-217, 2003. Ces techniques sont beaucoup plus simples à mettre en 30 oeuvre que celles faisant appel à un masquage ex situ décrites antérieurement (I. Moerman, IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, vol. 3, n 6, pp. 1308-1320, 1997). Comme décrit dans ce document.. le masquage est 11 .4T i: hie e & rs de l'enceinte Comme le montrent les figures 1 et 2, la source 1 comprend des moyens 33 de déviation du faisceau formé dans la zone adaptatrice 17 dans une direction Y qui, dans l'exemple choisi, est perpendiculaire à la direction latérale X-X, rendant ainsi la direction d'émission de la source 1 verticale, conformément au but visé par l'invention. Les figures 1 et 2 montrent que la source 1 comprend un évidement 30 formé à travers le ruban laser 11 et la zone 17 d'adaptation. Une première paroi 31 de l'évidement 30 constitue une face de sortie du faisceau laser formé dans la zone 17. Une deuxième paroi 32 de l'évidement, en regard de la paroi 31, sert de support aux moyens 33 de déviation, par exemple une surface réfléchissante formant miroir pour le faisceau lumineux sortant de la zone 17 d'adaptation. Un procédé de réalisation de la structure de source optique laser des figures 1 et 2 va maintenant être décrit en détails en regard des figures 3a à 3e. Pour des raisons de clarté, les épaulements 14 de la diode laser 1 ne sont pas représentés sur les figures 3b à 3e. Dans une première étape facultative illustrée à la figure 3a, la surface supérieure de la source laser 1 est masquée de manière à dégager une fenêtre 40 sur le ruban laser 11 par gravure à travers le contact métallique 15. Cette gravure est par exemple du type IBE ( Ion Beam Etching ). Conformément à la figure 3b, le ruban laser 11 est ensuite gravé à travers la fenêtre 40 pour obtenir un évidement 30 à flancs inclinés à 45 incluant la zone 17 d'adaptation de mode. Cette étape de gravure peut être réalisée selon la technique de gravure par faisceau d'ions réactifs, connue sous le nom de RIBE ( Réactive Ion Beam Etching ). Mais, on utilisera de. préférence la gravure ionique réactive avec couplage inductif RlEIICP ( Reactive Ion Etchingllnductively Coupled Plasma ) avec forte densité et faible énergie ionique complétée par une gravure humide éliminant les défauts induits et les contaminations résultantes. Les flancs de l'évidement 30 sont réalisés à 45 avec une précision de l'ordre du degré. Leur gravure est effectuée sur une profondeur dépassant la zone 17 d'adaptation de mode avec une précision compatible avec la reprod - t. de la 1. {; Ensuite, un masque 50 de résine est déposé (figure 3c) sur la structure de manière décalée par rapport à la fenêtre 40 de sorte qu'au moins un dépôt sous vide directif (figure 3d) d'un matériau métallique ou diélectrique ne soit effectif que sur la paroi 32 pour y former le miroir 33. Après dépôt d'une ou s plusieurs couches hautement réfléchissante(s), le masque 50 est décollé par une technique de lift off . Ce dépôt sous vide peut être précédé d'une gravure chimique ou 1BE afin d'éliminer les surplombs éventuels 61, 62 ayant servi à la gravure des flancs inclinés. i0 Enfin, la première paroi 31 de l'évidement 30 est ensuite gravée (figure 3e) afin de réaliser une face de sortie du faisceau laser sensiblement verticale. A cet effet, on peut utiliser une gravure anisotrope sélective, préférentiellement en RIE/ICP, après masquage local, le contact ohmique 15 et le dépôt réfléchissant 33 étant alors utilisés comme masques sélectifs pendant cette 15 gravure sèche à basse énergie ionique. Après dissolution du masque et dépôt du contact arrière 16, la structure laser est terminée et peut être traitée pour la séparation des diodes sur la galette. Rappelons que l'invention peut également s'appliquer à la réalisation de diode laser DBR ou DFB à couplage latéral relativement au ruban laser ou à 20 couplage dans l'axe du ruban, conformément à la demande de brevet français n 05 51855. Dans le cas de diodes DBR, une seule zone de Bragg doit être utilisée, l'autre face du ruban laser étant réservée au miroir pour l'émission verticale. L'invention peut aussi s'appliquer à des dispositifs de type à hétérostructure 25 enterrée (< buried heterostructure ), les BH lasers, en utilisant des techniques de gravure de type RIEIICP ou RIBE non sélectives pour les différents matériaux semi-conducteurs utilisés. Une autre possibilité d'utilisation consiste à réaliser une source accordable de type DFB à émission verticale conformément à l'invention et 30 utilisant un couplage latéral par le gain au moyen d'un réseau de rétroaction de type BSG ( Binary Superimposed Gratings ). Dans ce cas, le ruban laser est constitué de deux sections alimentées indépendamment en courant lO permettant de sélectionner plusieurs raies d'émission en pilotant les courants d'injection.It can be seen in Figures 1 and 2 that the active layer 13 includes a mode matching area 17 for reducing divergence of the light beam at the output of the source. This area 17 can be achieved using growth techniques with in situ mask to avoid growth recovery still costly. The masking step is carried out under vacuum between two epitaxial growth steps. These techniques are well known to those skilled in the art, for example selective growth techniques from in situ masking, such as that described in the article by R.S. Balmer, Journal of Lightwave Technology, vol. 21, No. 1, pp. 211-217, 2003. These techniques are much simpler to implement than those using previously described ex situ masking (I. Moerman, IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, Vol 3, No. 6, pp. 1308-1320, 1997). As described in this document, the masking is as follows: As shown in FIGS. 1 and 2, the source 1 comprises means 33 for deflecting the beam formed in the adapter zone 17 in FIG. a direction Y which, in the example chosen, is perpendicular to the lateral direction XX, thus making the direction of emission of the source 1 vertical, in accordance with the purpose of the invention. Figures 1 and 2 show that the source 1 comprises a recess 30 formed through the laser ribbon 11 and the adaptation zone 17. A first wall 31 of the recess 30 constitutes an exit face of the laser beam formed in the zone 17. A second wall 32 of the recess, facing the wall 31, serves as support for the deflection means 33, for example a mirror reflecting surface for the light beam emerging from the adaptation zone 17. A method of making the laser optical source structure of Figures 1 and 2 will now be described in detail with reference to Figures 3a-3e. For the sake of clarity, the shoulders 14 of the laser diode 1 are not shown in FIGS. 3b to 3e. In a first optional step illustrated in FIG. 3a, the upper surface of the laser source 1 is masked so as to disengage a window 40 on the laser ribbon 11 by etching through the metal contact 15. This etching is for example of the IBE type (Ion Beam Etching). According to FIG. 3b, the laser ribbon 11 is then etched through the window 40 to obtain a recess 30 with inclined flanks at 45 including the mode matching zone 17. This etching step can be performed according to the technique of reactive ion beam etching, known as RIBE (Reactive Ion Beam Etching). But, we will use. preferably reactive ionic etching with inductive coupling RlEIICP (Reactive ion Etchingllnductively Coupled Plasma) with high density and low ionic energy supplemented by a wet etching eliminating the induced defects and the resulting contaminations. The flanks of the recess 30 are made at 45 with a precision of the order of the degree. Their etching is performed to a depth exceeding the mode adaptation zone 17 with accuracy compatible with reproduction. of the 1. {; Then, a mask 50 of resin is deposited (FIG. 3c) on the structure in a manner offset from the window 40 so that at least one directional vacuum deposition (FIG. 3d) of a metallic or dielectric material is effective. only on the wall 32 to form the mirror 33. After depositing one or more highly reflective layers (s), the mask 50 is peeled off by a lift off technique. This vacuum deposition may be preceded by a chemical etching or 1BE in order to eliminate any overhangs 61, 62 used to etch the inclined flanks. Finally, the first wall 31 of the recess 30 is then etched (FIG. 3e) in order to produce an exit face of the substantially vertical laser beam. For this purpose, selective anisotropic etching, preferably RIE / ICP, may be used after local masking, the ohmic contact 15 and the reflective deposit 33 being then used as selective masks during this dry etching at low ionic energy. After dissolution of the mask and deposition of the rear contact 16, the laser structure is complete and can be processed for the separation of the diodes on the wafer. Recall that the invention can also be applied to the realization of a side-coupled DBR or DFB laser diode with respect to the laser ribbon or coupling in the axis of the ribbon, according to the French patent application No. 05 51855. In the In the case of DBR diodes, only one Bragg area should be used, the other side of the laser ribbon being reserved for the mirror for vertical emission. The invention can also be applied to devices of the buried heterostructure type, the BH lasers, by using non-selective RIEIICP or RIBE type etching techniques for the different semiconductor materials used. Another possible use is to provide a vertical emission DFB tunable source in accordance with the invention and utilizing lateral gain coupling by means of a Binary Superimposed Gratings (BSG) type feedback network. In this case, the laser ribbon consists of two independently powered sections with current I0 making it possible to select several transmission lines by driving the injection currents.