FR2880990A1 - Dispositif semi-conducteur optique a diodes photo-sensibles et procede de fabrication d'un tel dispositif. - Google Patents
Dispositif semi-conducteur optique a diodes photo-sensibles et procede de fabrication d'un tel dispositif. Download PDFInfo
- Publication number
- FR2880990A1 FR2880990A1 FR0500408A FR0500408A FR2880990A1 FR 2880990 A1 FR2880990 A1 FR 2880990A1 FR 0500408 A FR0500408 A FR 0500408A FR 0500408 A FR0500408 A FR 0500408A FR 2880990 A1 FR2880990 A1 FR 2880990A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- layer
- electrical connection
- intermediate layer
- conductive material
- pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title abstract description 9
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 118
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 5
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/802—Geometry or disposition of elements in pixels, e.g. address-lines or gate electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/10—Semiconductor bodies
- H10F77/16—Material structures, e.g. crystalline structures, film structures or crystal plane orientations
- H10F77/162—Non-monocrystalline materials, e.g. semiconductor particles embedded in insulating materials
- H10F77/166—Amorphous semiconductors
- H10F77/1662—Amorphous semiconductors including only Group IV materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/30—Coatings
- H10F77/306—Coatings for devices having potential barriers
- H10F77/331—Coatings for devices having potential barriers for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
- H10F77/334—Coatings for devices having potential barriers for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors for shielding light, e.g. light blocking layers or cold shields for infrared detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/93—Interconnections
- H10F77/933—Interconnections for devices having potential barriers
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
Dispositif semi-conducteur optique et procédé de fabrication d'un tel dispositif, comprenant, dans une zone (5), une structure de diodes photo-sensibles comprenant une matrice (6) d'électrodes inférieures (7), une couche intermédiaire (9) en un matériau photosensible formée sur ladite matrice d'électrodes inférieures et au moins une électrode supérieure (10a) formée sur ladite couche intermédiaire, dans lesquels des moyens de liaison électrique (3a) comprenant au moins un plot de contact électrique (7a) et au moins un plot de liaison électrique (16a) sont réalisés en dessous de ladite couche intermédiaire, au moins un via de connexion électrique (14) est réalisé au travers de ladite couche intermédiaire et relie ladite électrode supérieure audit plot de contact électrique et au moins un puits (15a) est formé à l'extérieur de ladite zone (5) et traverse au moins ladite couche intermédiaire (9) pour découvrir ledit plot de liaison électrique (16a).
Description
Dispositif semi-conducteur optique à diodes photo-sensibles et procédé de
fabrication d'un tel dispositif
La présente invention concerne le domaine des dispositifs semiconducteurs optiques comprenant une structure de diodes photo-sensibles.
Le document US-A-6 455 836 décrit un dispositif semi-conducteur photosensible qui comprend, au-dessus d'une couche de base, une couche intermédiaire en un matériau photosensible, des électrodes inférieures en saillie dans cette couche et une couche supérieure incluant une électrode supérieure. Un puits latéral traverse la couche intermédiaire et la couche supérieure. La couche de base comprend des moyens de connexion qui sont reliés sélectivement aux électrodes inférieures et qui comprennent des plots de liaison placés dans le fond du puits précité. Une couche locale en un matériau non transparent conducteur de l'électricité recouvre certaines des diodes pour constituer une barrière optique et s'étend le long des flancs et dans le fond dudit puits afin de relier électriquement ladite électrode supérieure auxdits plots de liaison électrique. Une telle disposition n'est pas adaptée pour mettre en oeuvre les machines habituelles de fabrication, notamment de planarisation, et nécessite une opération ultime délicate de réalisation de ladite couche locale.
La présente invention a pour but de proposer un dispositif semiconducteur optique à diodes photo-sensibles de structure et de mode de fabrication simplifiés.
La présente invention a tout d'abord pour objet un dispositif semiconducteur comprenant, dans une zone, une structure de diodes photosensibles comprenant une matrice d'électrodes inférieures, une couche intermédiaire en un matériau photosensible formée sur ladite matrice d'électrodes inférieures et au moins une électrode supérieure formée sur ladite couche intermédiaire Selon l'invention, le dispositif comprend, en dessous de ladite couche intermédiaire, des moyens de liaison électrique comprenant au moins un plot de contact électrique et au moins un plot de liaison électrique.
Selon l'invention, le dispositif comprend au moins un via de connexion électrique traversant au moins ladite couche intermédiaire et reliant ladite électrode supérieure audit plot de contact électrique Selon l'invention, le dispositif présente au moins un puits formé à l'extérieur de ladite zone et traversant au moins ladite couche intermédiaire, ce puits découvrant ledit plot de liaison électrique.
Selon l'invention, le dispositif comprend de préférence une couche inférieure diélectrique dans laquelle sont formés ladite matrice d'électrodes inférieures et ledit au moins un plot de contact électrique et, en dessous de cette couche inférieure, une couche de base dans laquelle est formé ledit au moins un plot de liaison électrique, ledit au moins un puits traversant cette couche inférieure pour découvrir ce plot de liaison électrique.
Selon l'invention, le dispositif comprend de préférence une couche supérieure comprenant une première couche constituant ladite seconde électrode et une seconde couche en un matériau conducteur de l'électricité, ledit au moins un via et ledit au moins un puits traversant cette couche supérieure.
Selon l'invention, le dispositif comprend de préférence une couche locale non transparente, recouvrant partiellement ladite structure de diodes photo-sensibles.
Selon l'invention, ladite couche locale est de préférence en un matériau conducteur de l'électricité, ledit au moins un via étant relié à cette couche locale.
Selon l'invention, le dispositif comprend de préférence au moins une couche extérieure transparente de protection.
La présente invention a également pour objet un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur optique comprenant une multiplicité de diodes photo-sensibles comprenant des électrodes inférieures et au moins une électrode supérieure séparées par une couche intermédiaire en un matériau photosensible.
Selon l'invention, ce procédé consiste: à réaliser une couche de base comprenant des moyens de connexion électrique; à former une couche inférieure diélectrique au-dessus de ladite couche de base; à former dans ladite couche inférieure une matrice d'électrodes inférieures sélectivement reliés auxdits moyens de connexion électrique; à réaliser une couche intermédiaire en un matériau photosensible sur ladite couche inférieure; à former une couche supérieure en un matériau transparent conducteur de l'électricité ; à former au moins un via en un matériau conducteur de l'électricité au travers desdites couches intermédiaire et supérieure de façon à relier électriquement ladite couche supérieure et au moins l'une desdites électrodes inférieures; et à réaliser au moins un puits au travers desdites couches inférieure, intermédiaire et supérieure de façon à découvrir au moins un plot de liaison électrique desdits moyens de connexion électrique relié audit au moins un via.
Selon l'invention, ledit au moins un via est de préférence réalisé audessus de l'électrode inférieure correspondante.
Selon l'invention, le procédé consiste de préférence à former une couche supérieure comprenant une première couche en un premier matériau conducteur de l'électricité et une seconde couche en un second matériau conducteur de l'électricité.
Selon l'invention, le procédé consiste de préférence à former une couche locale en un matériau non transparent au-dessus de ladite couche supérieure et s'étendant partiellement au-dessus de ladite multiplicité de diodes photo-sensibles.
Selon l'invention, le procédé consiste de préférence à former une couche extérieure de protection en un matériau transparent.
La présente invention sera mieux comprise à l'étude de dispositifs semiconducteurs optiques à diodes photo-sensibles décrits à titre d'exemples non-limitatifs et illustrés schématiquement par le dessin sur lequel: - La figure 1 représente une vue en coupe d'un dispositif semi-conducteur optique selon l'invention; - La figure 2 représente une vue de dessus du dispositif de la figure 1; - La figure 3 représente une première étape de fabrication du dispositif de la figure 1, selon une vue en coupe - La figure 4 représente une vue de dessus de la figure 3; - La figure 5 représente une seconde étape de fabrication du dispositif de la figure 1, selon une vue en coupe - La figure 6 représente une troisième étape de fabrication du dispositif de la figure 1, selon une vue en coupe - La figure 7 représente une quatrième étape de fabrication du dispositif de la figure 1, selon une vue en coupe - La figure 8 représente une vue en coupe d'une variante de réalisation du dispositif de la figure 1; - Et la figure 9 représente une vue en coupe d'une autre variante de réalisation du dispositif de la figure 1.
En se reportant aux figures 1 et 2, on peut voir qu'on a représenté un dispositif semi-conducteur 1 à l'état final.
Ce dispositif 1 comprend une couche de base diélectrique 2 qui inclut des moyens de connexion électrique 3 affleurant sa surface et, sur cette couche de base, une couche inférieure 4 diélectrique.
Cette couche inférieure 4 inclut, sur une zone 5, une matrice 6 d'électrodes inférieures 7 affleurant sa surface et sélectivement reliées aux moyens de connexion électrique 3 par des vias 8 de connexion électrique. Les électrodes inférieures 7 peuvent être en particulier en Chrome ou en Silicium dopé (n).
Sur la couche inférieure 4, le dispositif 1 comprend une couche intermédiaire 9 en un matériau photosensible qui peut être en particulier en Silicium amorphe ou polymorphe.
Sur la couche intermédiaire 9, le dispositif 1 comprend une couche supérieure transparente 10 constituée par une première couche l0a en un premier matériau conducteur de l'électricité, constituant une électrode supérieure, et une première couche l0b en un second matériau conducteur de l'électricité. La première couche l0a peut être en particulier en Silicium dopé (p) et la seconde couche 10b peut être en particulier en Indium Tin Oxyde (ITO).
Sur la couche intermédiaire 10, le dispositif 1 comprend une couche extérieure transparente isolante 11 de protection.
Sur la couche extérieure 1l, le dispositif 1 comprend une couche locale non-transparente 12 qui, dans l'exemple, s'étend sous la forme d'un anneau recouvrant les électrodes inférieures de deux ou trois rangées extérieures de la matrice 6. Cette couche locale 12 peut être en particulier en métal de type Al ou Ti/TiN.
Le dispositif 1 présente des trous 13 qui s'étendent au travers des couches 9, 10 et 11 précitées, entre la couche locale 12 et les électrodes inférieures 7a de la rangée extérieure de la matrice 6 d'électrodes inférieures. Ces trous sont remplis d'un matériau conducteur d'électricité, par exemple de Cuivre, constituant des vias 14 de connexion électrique de la couche 10 par contact latéral aux électrodes inférieures 7a qui constituent des plots de contact électrique.
Il résulte de ce qui précède qu'à l'exception de la zone 20. périphérique correspondant aux vias 14 associés aux électrodes inférieures 7a, le dispositif 1 comprend une structure 6a de diodes photosensibles formées entre les électrodes inférieures restantes 7b et l'électrode supérieure 10a. Les diodes photosensibles situées en face de l'ouverture centrale de la couche annulaire locale 12 sont sensibles à la lumière extérieure et les diodes photosensibles situées en dessous de cette couche annulaire locale 12, non transparente, n'y sont pas sensibles.
A l'extérieur de la zone 5 et donc de la couche annulaire locale 12, le dispositif 1 présente une multiplicité de puits 15 répartis à sa périphérie, qui traversent les couches 4, 9, 10 et 11. Ces puits découvrent des plots de liaison électrique 16 qui sont sélectivement reliés aux moyens de connexion électrique 3.
En particulier, un puits 15a découvre un plot de liaison électrique 16a exclusivement relié aux électrodes 7a et donc à l'électrode supérieure 10 par l'intermédiaire des vias 14, par l'intermédiaire d'une branche 3a.
Le dispositif 1 est connectable à tout autre moyen électrique ou électronique par l'intermédiaire de fils de connexion électrique 17 dont les extrémités sont respectivement introduites dans les puits 15 et soudées sur les plots de liaison électrique correspondants.
En se reportant aux figures 3 à 8, on va maintenant décrire un mode de fabrication du dispositif semi-conducteur 1 décrit ci-dessus, en mettant en oeuvre les techniques connues notamment de gravure, de dépôt et de planarisation.
Comme le montrent les figures 3 et 4, après avoir réalisé les moyens de connexion 3 dans la couche de base 2 et avoir planarisé sa surface, on procède au dépôt de la couche inférieure 4. On réalise les vias 8 puis la matrice 6 d'électrodes inférieures 7.
Comme le montre la figure 5, après avoir planarisé la surface de la couche 4 incluant les vias 8 et les électrodes inférieures 7, on procède au dépôt de la couche intermédiaire, de la couche 10, en déposant successivement sa première couche l0a et sa seconde couche 10b, et de la couche extérieure 11, en procédant éventuellement à des opérations intermédiaires de planarisation.
Comme le montre la figure 6, on procède à la réalisation des trous 13 au travers de couches 9, 10 et 11, jusqu'au-dessus des électrodes inférieures périphériques 7a.
Comme le montre la figure 7, on procède à la réalisation des vias 14 puis à la réalisation de la couche locale 12.
Enfin, on procède à la réalisation des puits 15 au travers des couches 4, 9, 10 et 11 jusqu'aux plots de liaison 16 de façon à obtenir en définitive le dispositif tel que représenté sur les figures 1 et 2.
Comme le montrent les figures 2 et 4, on réalise de préférence plusieurs dispositifs 1 situés les uns à côté des autres sur une couche de base 2 commune, en exécutant les opérations précitées en commun. On individualise ensuite chaque dispositif 1 par exemple par sciage.
En se reportant à la figure 8, on voit que, selon une variante, on pourrait éventuellement déposer une couche extérieure transparente supplémentaire de protection lia sur l'avant de la couche extérieure 10 et de la couche locale 12.
En se reportant à la figure 9, on voit que, selon une autre variante, on pourrait former les vias 14 au travers des couches 9 et 10, former la couche locale 12 sur la couche supérieure 10, puis éventuellement former la couche extérieure de protection 11 sur l'avant de cette couche supérieure 10 et de cette couche locale 12.
La présente invention ne se limite pas aux exemples ci-dessus décrits.
En particulier, la couche locale 12 pourrait ne pas faire le tour de la matrice 6 et être par exemple limitée à un côté de cette matrice. Le nombre de vias 14 pourrait être réduit et ces vias pourraient n'être prévus que sur une partie de la périphérie de la matrice 6.
Bien d'autres variantes sont possibles sans sortir du cadre défini
par les revendications annexées.
Claims (11)
1. Dispositif semi-conducteur comprenant, dans une zone (5), une structure de diodes photo-sensibles comprenant une matrice (6) d'électrodes inférieures (7), une couche intermédiaire (9) en un matériau photosensible formée sur ladite matrice d'électrodes inférieures et au moins une électrode supérieure (l0a) formée sur ladite couche intermédiaire, caractérisé par le fait qu'il comprend, en dessous de ladite couche intermédiaire, des moyens de liaison électrique (3a) comprenant au moins un plot de contact électrique (7a) et au moins un plot de liaison électrique (16a), qu'il comprend au moins un via de connexion électrique (14) traversant au moins ladite couche intermédiaire et reliant ladite électrode supérieure audit plot de contact électrique et qu'il présente au moins un puits (15a) formé à l'extérieur de ladite zone (5) et traversant au moins ladite couche intermédiaire (9), ce puits (15a) découvrant ledit plot de liaison électrique (16a).
2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé par le fait qu'il comprend une couche inférieure diélectrique (4) dans laquelle sont formés ladite matrice d'électrodes inférieures (7) et ledit au moins un plot de contact électrique (7a) et, en dessous de cette couche inférieure, une couche de base (2) dans laquelle est formé ledit au moins un plot de liaison électrique (16a), ledit au moins un puits (15a) traversant cette couche inférieure (4) pour découvrir ce plot de liaison électrique (16a).
3. Dispositif selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé par le fait qu'il comprend une couche supérieure (10) comprenant une première couche constituant ladite seconde électrode (l0a) et une seconde couche (10b) en un matériau conducteur de l'électricité, ledit au moins un via (14) et ledit au moins un puits (16a) traversant cette couche supérieure (10).
4. Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé par le fait qu'il comprend une couche locale (12) non transparente, recouvrant partiellement ladite structure (6) de diodes photo-sensibles.
5. Dispositif selon la revendication 4, caractérisé par le fait que ladite couche locale (12) est en un matériau conducteur de l'électricité, ledit au moins un via étant relié à cette couche locale.
6. Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé par le fait qu'il comprend au moins une couche extérieure transparente de protection (11, 11a).
7. Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur comprenant une multiplicité de diodes photo-sensibles comprenant des électrodes inférieures et au moins une électrode supérieure séparées par une couche intermédiaire en un matériau photosensible, caractérisé par le fait qu'il consiste: - à réaliser une couche de base (2) comprenant des moyens de connexion électrique (3), - à former une couche inférieure diélectrique (4) au-dessus de ladite couche de base, - à réaliser dans ladite couche inférieure (4) une matrice (6) d'électrodes inférieures (7) sélectivement reliés auxdits moyens de connexion électrique, - à réaliser une couche intermédiaire (9) en un matériau photosensible sur ladite couche inférieure, - à former une couche supérieure (10) en un matériau transparent conducteur de l'électricité - à réaliser au moins un via (14) en un matériau conducteur de l'électricité au travers desdites couches intermédiaire et supérieure de façon à relier électriquement ladite couche supérieure et au moins l'une desdites électrodes inférieures, - et à réaliser au moins un puits (15a) au travers desdites couches inférieure, intermédiaire et supérieure de façon à découvrir au moins un plot de liaison électrique (16a) desdits moyens de connexion électrique, relié audit au moins un via (14).
8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé par le fait que ledit au moins un via (14) est réalisé au-dessus de l'électrode inférieure correspondante (7a).
9. Procédé selon l'une des revendications 7 et 8, caractérisé par le fait qu'il consiste à former une couche supérieure (10) comprenant une première couche (l0a) en un premier matériau conducteur de l'électricité et une seconde couche (10b) en un second matériau conducteur de l'électricité.
10. Procédé selon l'une quelconque des revendications 7 à 9, caractérisé par le fait qu'il consiste à former une couche locale (12) en un matériau non transparent au-dessus de ladite couche supérieur et s'étendant partiellement au-dessus de ladite multiplicité de diodes photo-sensibles.
11. Procédé selon l'une quelconque des revendications 7 à 10, caractérisé par le fait qu'il consiste à former une couche extérieure de protection (11, 1 1 a) en un matériau transparent.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR0500408A FR2880990B1 (fr) | 2005-01-14 | 2005-01-14 | Dispositif semi-conducteur optique a diodes photo-sensibles et procede de fabrication d'un tel dispositif. |
| US11/335,908 US7709916B2 (en) | 2005-01-14 | 2006-01-13 | Optical semiconductor device having photosensitive diodes and process for fabricating such a device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR0500408A FR2880990B1 (fr) | 2005-01-14 | 2005-01-14 | Dispositif semi-conducteur optique a diodes photo-sensibles et procede de fabrication d'un tel dispositif. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2880990A1 true FR2880990A1 (fr) | 2006-07-21 |
| FR2880990B1 FR2880990B1 (fr) | 2007-04-27 |
Family
ID=35044760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR0500408A Expired - Fee Related FR2880990B1 (fr) | 2005-01-14 | 2005-01-14 | Dispositif semi-conducteur optique a diodes photo-sensibles et procede de fabrication d'un tel dispositif. |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7709916B2 (fr) |
| FR (1) | FR2880990B1 (fr) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4693827B2 (ja) * | 2007-09-20 | 2011-06-01 | 株式会社東芝 | 半導体装置とその製造方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5956765A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-04-02 | Toshiba Corp | 固体撮像素子の外部電圧印加電極 |
| JPS60258959A (ja) * | 1984-06-05 | 1985-12-20 | Toshiba Corp | カラ−固体撮像装置の製造方法 |
| JPS61148870A (ja) * | 1984-12-22 | 1986-07-07 | Seiko Epson Corp | 固体撮像装置 |
| JPS62219963A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-09-28 | Seiko Epson Corp | 光電変換装置の製造方法 |
| WO2002093653A2 (fr) * | 2001-05-16 | 2002-11-21 | Stmicroelectronics N.V. | Composant optoelectronique a structure de contact conductrice |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4412900A (en) * | 1981-03-13 | 1983-11-01 | Hitachi, Ltd. | Method of manufacturing photosensors |
| US6325977B1 (en) * | 2000-01-18 | 2001-12-04 | Agilent Technologies, Inc. | Optical detection system for the detection of organic molecules |
| US6964916B2 (en) * | 2003-06-06 | 2005-11-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Image sensor fabrication method and structure |
| NO321381B1 (no) * | 2004-07-22 | 2006-05-02 | Thin Film Electronics Asa | Elektrisk viaforbindelse og tilknyttet kontaktanordning samt fremgangsmate til deres fremstilling |
-
2005
- 2005-01-14 FR FR0500408A patent/FR2880990B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-01-13 US US11/335,908 patent/US7709916B2/en active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5956765A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-04-02 | Toshiba Corp | 固体撮像素子の外部電圧印加電極 |
| JPS60258959A (ja) * | 1984-06-05 | 1985-12-20 | Toshiba Corp | カラ−固体撮像装置の製造方法 |
| JPS61148870A (ja) * | 1984-12-22 | 1986-07-07 | Seiko Epson Corp | 固体撮像装置 |
| JPS62219963A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-09-28 | Seiko Epson Corp | 光電変換装置の製造方法 |
| WO2002093653A2 (fr) * | 2001-05-16 | 2002-11-21 | Stmicroelectronics N.V. | Composant optoelectronique a structure de contact conductrice |
Non-Patent Citations (4)
| Title |
|---|
| PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 008, no. 155 (E - 256) 19 July 1984 (1984-07-19) * |
| PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 010, no. 129 (E - 403) 14 May 1986 (1986-05-14) * |
| PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 010, no. 347 (E - 457) 21 November 1986 (1986-11-21) * |
| PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 012, no. 085 (E - 591) 17 March 1988 (1988-03-17) * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2880990B1 (fr) | 2007-04-27 |
| US20090140363A1 (en) | 2009-06-04 |
| US7709916B2 (en) | 2010-05-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP3813119B1 (fr) | Dispositif d'affichage émissif à led | |
| EP3769339B1 (fr) | Dispositif d'affichage emissif a led et procede de fabrication d'un tel dispositif | |
| EP1421623B1 (fr) | Capteur d'image couleur a colorimetrie amelioree et procede de fabrication | |
| EP1599906B1 (fr) | Matrice de pixels detecteurs integree sur circuit de lecture de charges | |
| WO2008074688A1 (fr) | Procede de fabrication de capteur d'image a haute densite d'integration | |
| FR2855655A1 (fr) | Detecteur de rayonnement infrarouge photovoltaique a grille conductrice independante et tridimensionnelle | |
| FR3019379A1 (fr) | Transistor a grille verticale et structure de pixel comprenant un tel transistor | |
| EP4092746A1 (fr) | Procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique | |
| EP1626442B1 (fr) | Capteur d'image | |
| EP2432033A2 (fr) | Détecteur bispectral multicouche à photodiodes | |
| FR2947956A1 (fr) | Element photodetecteur | |
| EP1425800B1 (fr) | Capteur d'image avec creusement des couches de planarisation et procede de fabrication | |
| FR2880990A1 (fr) | Dispositif semi-conducteur optique a diodes photo-sensibles et procede de fabrication d'un tel dispositif. | |
| WO2019129978A1 (fr) | Dispositif optoelectronique a matrice de diodes tridimensionnelles | |
| FR2993397A1 (fr) | Dispositif semi-conducteur comprenant un condensateur integre et procede de fabrication | |
| FR2881879A1 (fr) | Procede de realisation de contacts metal/semi-conducteur a travers un dielectrique. | |
| FR2951017A1 (fr) | Via de connexion electrique pour substrat de dispositif semi-conducteur | |
| EP1677364A1 (fr) | Capteur de lumière situé au-dessus d'un circuit intégré | |
| EP4268281B1 (fr) | Intégration d'un circuit de détection à base de résonateurs optiques interconnectés sur un circuit de lecture d'un imageur | |
| EP4268282B1 (fr) | Integration d'un circuit de detection a base de resonateurs optiques sur un circuit de lecture d'un imageur | |
| EP4125141B1 (fr) | Memoire a changement de phase | |
| FR3059143A1 (fr) | Puce de capteur d'image | |
| FR3037720A1 (fr) | Composant electronique et son procede de fabrication | |
| WO2017068103A1 (fr) | Dispositif electronique organique a microstructures | |
| EP4167282A1 (fr) | Procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| ST | Notification of lapse |
Effective date: 20120928 |