[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

FR2607627A1 - Dispositif a circuit integre en pellicule epaisse, susceptible d'etre fabrique au moyen d'une operation, facile a mettre en oeuvre, d'ajustement par enlevement de matiere - Google Patents

Dispositif a circuit integre en pellicule epaisse, susceptible d'etre fabrique au moyen d'une operation, facile a mettre en oeuvre, d'ajustement par enlevement de matiere Download PDF

Info

Publication number
FR2607627A1
FR2607627A1 FR8716741A FR8716741A FR2607627A1 FR 2607627 A1 FR2607627 A1 FR 2607627A1 FR 8716741 A FR8716741 A FR 8716741A FR 8716741 A FR8716741 A FR 8716741A FR 2607627 A1 FR2607627 A1 FR 2607627A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
resistance
adjustment
resistor
value
integrated circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR8716741A
Other languages
English (en)
Other versions
FR2607627B1 (fr
Inventor
Mitsuru Murata
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Publication of FR2607627A1 publication Critical patent/FR2607627A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR2607627B1 publication Critical patent/FR2607627B1/fr
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/16Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/16Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
    • H05K1/167Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed resistors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C17/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/22Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for trimming
    • H01C17/24Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for trimming by removing or adding resistive material
    • H01C17/242Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for trimming by removing or adding resistive material by laser
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/702Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof of thick-or thin-film circuits or parts thereof
    • H01L21/705Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof of thick-or thin-film circuits or parts thereof of thick-film circuits or parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/01Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate comprising only passive thin-film or thick-film elements formed on a common insulating substrate
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/09Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H05K1/092Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007Types of components
    • H05K2201/10045Mounted network component having plural terminals
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/17Post-manufacturing processes
    • H05K2203/171Tuning, e.g. by trimming of printed components or high frequency circuits
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/027Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed by irradiation, e.g. by photons, alpha or beta particles

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
  • Non-Adjustable Resistors (AREA)

Abstract

LE DISPOSITIF A CIRCUIT INTEGRE EN PELLICULE EPAISSE SELON L'INVENTION COMPREND UN SUBSTRAT ISOLANT 12, DES PREMIER ET DEUXIEME CONDUCTEURS 18, 24 FORMES SUR UN SUBSTRAT ISOLANT 12 AU MOYEN D'UN PROCEDE DE FORMATION DE PELLICULE EPAISSE ET ECARTES L'UN DE L'AUTRE, AINSI QU'UNE RESISTANCE 26 D'AJUSTEMENT DE VALEUR DE RESISTANCE PAR ENLEVEMENT DE MATIERE ET UNE RESISTANCE 28 D'AJUSTEMENT DE FONCTION PAR ENLEVEMENT DE MATIERE, TOUTES DEUX FORMEES SUR LE SUBSTRAT ISOLANT 12 AU MOYEN DU PROCEDE DE FORMATION DE PELLICULE EPAISSE. CES DEUX RESISTANCES SONT DES BANDES RECTANGULAIRES ET LA RESISTANCE D'AJUSTEMENT DE FONCTION FAIT SAILLIE PERPENDICULAIREMENT PAR RAPPORT AU DEUXIEME CONDUCTEUR 24 EN CHEVAUCHEMENT ET EN CONNEXION ELECTRIQUE AVEC LA PARTIE INTERMEDIAIRE DU DEUXIEME CONDUCTEUR. APRES APPLICATION D'UN FAISCEAU LASER A LA RESISTANCE D'AJUSTEMENT DE VALEUR 26 PENDANT LA MESURE DE LA VALEUR DE RESISTANCE ENTRE LES EXTREMITES DES DEUX CONDUCTEURS 18, 24, ET FORMATION D'UNE ENTAILLE 30 DANS LA RESISTANCE D'AJUSTEMENT DE VALEUR, ON APPLIQUE UN FAISCEAU LASER A LA RESISTANCE D'AJUSTEMENT DE FONCTION 28 DE MANIERE A DECOUPER UNE ENCOCHE 32 DANS CETTE RESISTANCE ET A DECOUPER LE CONDUCTEUR ASSOCIE 24 EN DEUX PARTIES.

Description

t607627 La présente invention concerne un dispositif à circuit
intégré en pellicule épaisse et, plus particulièrement, un dispo-
sitif à circuit intégré en pellicule épaisse qui possède un élément électriquement résistant dont la t-leur de résistance peut être ajustée par enlèvement de matière, t'est-à-dire une résistance à
ajustement de valeur par enlèvement de matière, ainsi qu'une résis-
tance à ajustement de fonction par enlèvement de matière, et qui peut être fabriqué au moyen d'une opération, facile à mettre en
oeuvre, d'ajustement par enlèvement de matière.
La plupart des dispositifs à circuit intégré hybrides en pellicule épaisse possèdent un substrat isolant sur lequel sont
formées des résistances à l'aide d'un procédé de formation de pel-
licule épaisse comprenant les opérations consistant à former des couches d'une pâte résistante sur le substrat et cuire ces couches de pâte résistante. On monte des composants électroniques sur le substrat isolant. La résistance que possède le dispositif après que
les composants électroniques ont été disposés sur le substrat dif-
fere de la valeur voulue d'un pourcentage de 10 à 25 %, en raison des difficultés qu'il y a à préparer une pâte ayant la composition voulue et à former et cuire les couches de pâte dans des conditions appropriées. Pour corriger la valeur de résistance du dispositif à circuit intégré hybride en pellicule épaisse, on met en oeuvre une
technique dite d'"ajustement par enlèvement de matière". Plus spé-
cialement, on forme sur le substrat isolant, au moyen d'un procédé à pellicule épaisse, une résistance à ajustement de valeur par enlèvement de matière et une résistance à ajustement de fonction par enlèvement de matière. Ensuite, on applique un faisceau laser à la résistance d'ajustement de valeur, de manière à retirer une partie de la résistance. Ce processus est appelé "ajustement de valeur de résistance par enlèvement de matière". Ensuite, on
applique un faisceau laser à la résistance d'ajustement de fonc-
tion, de manière à retirer une partie de la résistance d'ajustement de fonction. Ce processus est appelé "ajustement de fonction par enlèvement de matière". L'ajustement de valeur et l'ajustement de fonction qui sont ainsi exécutés, donnent au dispositif à circuit intégré hybride en pellicule épaisse la valeur de résistance voulue. Un dispositif à circuit intégré hybride en pellicule épaisse du type ci-dessus décrit comprend un substrat isolant,
trois conducteurs, une résistance d'ajustement de valeur par enlè-
vement de matière et une résistance d'ajustement de fonction par
enlèvement de matière. Les conducteurs sont des bandes rectangu-
laires formées sur le substrat isolant et disposées suivant une ligne, les conducteurs étant écartés des uns des autres. Les trois conducteurs et les deux résistances d'ajustement sont fabriqués par le procédé de formation en pellicule épaisse. Le premier conducteur possède à une extrémité une partie plot et, à l'autre extrémité, une partie de connexion. Le deuxième conducteur, qui est placé entre le premier et le troisième conducteur, possède à ses deux
extrémités respectives des parties de connexion. Le troisième con-
ducteur possède à une extrémité une partie plot et, à l'autre extrémité, une partie de connexion. La résistance d'ajustement de valeur, qui est une bande rectangulaire, est formée sur le substrat de façon que ses deux extrémités chevauchent respectivement la partie de connexion du premier conducteur et une des parties de connexion du deuxième conducteur. La résistance d'ajustement de fonction, qui est également une bande rectangulaire, est formée sur
le substrat de façon que ses deux extrémités chevauchent respecti-
vement l'autre partie de connexion du deuxième conducteur et la partie de connexion du troisième conducteur. Dans ces conditions, la résistance d'ajustement de valeur est électriquement connectée - aux premier et deuxième conducteurs, et la résistance d'ajustement de fonction est électriquement couplée aux deuxième et troisième
conducteurs.
Comme cela a été mentionné, on corrige la valeur de résistance des dispositifs à circuit intégré hybrides en pellicule épaisse au moyen d'un ajustement par enlèvement de matière. On effectue cet ajustement par enlèvement de matière en même temps qu'on mesure la valeur de résistance entre les parties plots des premier et troisième conducteurs. Tout d'abord, on applique un faisceau laser à la résistance d'ajustement de valeur, en découpant ainsi dans cette résistance une entaille. Ensuite, on monte sur le
substrat isolant des composants él.-troniques, comportant des con-
densateurs. Enfin, on applique un faisceau Laser à la résistance d'ajustement de fonction, de manière à découper une entaille dans la résistance d'ajustement de fonction, en même temps qu'on mesure
la constante de temps du circuit constitué par les composants éLec-
troniques. La valeur de résistance du dispositif à circuit intégré
hybride en pellicule épaisse est donc déterminée par les deux opé-
rations d'ajustement par enlèvement de matière.
Avant qu'une entaille soit découpée dans la résistance d'ajustement de valeur, le dispositif à circuit intégré hybride en pellicule épaisse possède une valeur de résistance qui diffère de 10 à 25 % de la valeur voulue. Il est extrêmement difficile d'ajuster la résistance d'ajustement de valeur jusqu'au point ou
cette différence de valeur de résistance est complètement éliminée.
Il existe encore une différence de valeur de résistance considé-
rable même après que la résistance d'ajustement de valeur a été ajustée et que les composants électroniques ont été montés sur le substrat isolant. Par conséquent, dans certain cas, il faut découper une entaille relativement longue dans la résistance d'ajustement de fonction pour que le dispositif puisse avoir une
valeur de résistance sensiblement égale à la valeur voulue. Toute-
fois, lorsque l'entaille découpée dans la résistance d'ajustement de fonction est trop longue, la résistance possède un trajet de courant trop étroit, si bien qu'un niveau anormalement élevé de
chaleur se produit à cet endroit.
C'est donc le but de l'invention de fournir un dispositif
à circuit intégré en pellicule épaisse, o on peut aisément déter-
miner un degré approprié d'ajustement de valeur de résistance par enlèvement de matière et o une résistance d'ajustement de fonction
par enlèvement de matière peut offrir un trajet de courant suffi-
samment large pour assurer qu'une quantité anormalement élevée de
chaleur ne soit pas créée.
Selon la présente invention, il est proposé un dispositif à circuit intégré en pellicule épaisse qui comprend un substrat
isolant, un premier et un deuxième conducteurs formés sur le subs-
trat isolant et écartés l'un de l'autre, au moins l'un des conduc-
teurs possédant une partie intermédiaire allongée, une résistance
d'ajustement par enlèvement de matière formée sur le substrat iso-
lant et possédant deux extrémités qui sont en chevauchement et en connexion électrique avec les premier et deuxième conducteurs dans le but d'assurer un ajustement grossier de la valeur de résistance du dispositif à circuit intégré, et une résistance d'ajustement de fonction par enlèvement de matière qui est formée sur le substrat isolant sous la forme d'une bande, assurant le couplage électrique
avec la partie intermédiaire allongée et faisant saillie de celle-
ci dans le but d'assurer un ajustement fin de la valeur de résis-
tance du dispositif à circuit intégré.
La description suivante, conçue à titre d'illustration de
l'invention, vise à donner une meilleure compréhension de ses caractéristiques et avantages; elle s'appuie sur les dessins, parmi lesquels: - la figure 1 est une vue en plan simplifiée montrant un dispositif à circuit intégré en pellicule épaisse selon un premier mode de réalisation de l'invention;
- la figure 2 est une vue en section droite, prise sui-
vant la ligne de plus grande longueur I-I de la figure I; et - la figure 3 est une vue en plan simplifiée montrant un dispositif à circuit intégré en pellicule épaisse selon un deuxième
mode de réalisation de l'invention.
On commencera à décrire un mode de réalisation de l'in-
vention en relation avec les figures 1 et 2.
Comme représenté sur ces figures, un premier conducteur 18 et un deuxième conducteur 24, tous deux faits de cuivre ou d'un matériau analogue, sont formés sur un substrat isolant 12 fait d'alumine ou d'un matériau analogue. Ces conducteurs 18 et 24 sont disposés suivant une ligne droite et séparés l'un de l'autre. Le premier conducteur 18 comprend une partie plot 14, une partie de connexion 16, et une partie intermédiaire reliant les parties 14 et 16. Le deuxième conducteur 24 comprend une partie de connexion 20, une partie plot 22, et une longue partie intermédiaire reliant les parties 20 et 22. Une résistance 2c d'ajustement de valeur comme première résistance et une résistarnce 28 d'ajustement de fonction comme deuxième résistance, toutes deux faites en un matériau dont le principal constituant est l'oxyde de ruthénium, sont formées sur le substrat isolant 12 par le moyen d'un procédé de formation de pellicule épaisse. La résistance 26 est rectangulaire et est axialement alignée avec les conducteurs 18 et 24, ses deux
extrémités chevauchant la partie de connexion 16 du premier conduc-
teur 18 et la partie de connexion 20 du deuxième conducteur 24 et étant donc connectées à celles-ci. La résistance 28 est également rectangulaire et s'étend perpendiculairement au deuxième conducteur 24, une de ses extrémités chevauchant la partie intermédiaire
longue du deuxième conducteur 24 et étant donc électriquement con-
nectée à celui-ci. Les deux résistances 26 et 28 sont en contact direct avec le substrat isolant 12, sauf en ce qui concerne les parties terminales chevauchant les parties de connexion 16 et 20 et la partie intermédiaire du conducteur 24. Ces parties terminales sont si petites que la résistance électrique entre La partie plot
14 du premier conducteur 18 et la partie plot 22 du deuxième con-
ducteur 24 est négligeable.
On va maintenant expliquer comment on enlève de la
matière à la résistance 26 d'ajustement de valeur et à la résis-
tance 28 d'ajustement de fonction afin d'ajuster la valeur de résistance du dispositif à circuit intégré en pellicule épaisse à une valeur de résistance voulue Rf. Les explications suivantes reposent sur l'hypothèse suivant laquelle la résistance 26 possède une valeur de résistance R1, la résistance 28 possède une valeur de résistance R2, et le dispositif à circuit intégré peut avoir une résistance minimale Rmin et une résistance maximale Rmax après que ses composants électroniques ont été montés sur le substrat isolant 12. La valeur de résistance voulue Rf du dispositif est située
entre la valeur minimale Rmin et la valeur maximale Rmax.
Tout d'abord, tout en mesurant la valeur de résistance entre Les parties plots 14 et 24,on applique un faisceau laser sur la résistance d'ajustement de valeur 26, de manière à découper une entaille 30 dans la résistance 26. On applique de manière continue le faisceau laser jusqu'à ce que l'encoche 30 soit suffisamment allongée pour que la valeur de résistance entre les parties plots 14 et 22, à savoir (R1 + R2), deviennent Rmin. Puisqu'une extrémité de la résistance d'ajustement de fonction 28 chevauche le second conducteur 24 et est court-circuitée par celui-ci, la résistance R2
est négligeable si bien que R min est approximativement égal à R1.
Ensuite, on monte sur le substrat isolant 12 des compo-
sants électroniques, qui comportent des condensateurs. Tout en
mesurant la constante de temps CR du circuit constitué par ces com-
posants, on applique un faisceau laser sur la résistance d'ajuste-
ment de fonction 28, si bien qu'on découpe une entaille 32 dans la résistance 28, et on poursuit l'opération jusqu'à couper la partie intermédiaire de la résistance 24 en deux parties 24a et 24b. En résultat, ces parties 24a et 24b sont alors connectées par la résistance d'ajustement de fonction 28. On applique le faisceau
laser de manière continue sur la résistance 28 jusqu'à ce que l'en-
taille 32 s'allonge suffisamment pour que la valeur de résistance entre les parties plots 14 et 22, à savoir (R1 + R2), devienne la valeur de résistance Rf, à savoir la valeur de résistance voulue du
dispositif à circuit intégré en pellicule épaisse. Les deux résis-
tances 26 et 28 possèdent une taille relativement petite, par exemple 1 x 3 mm. Ainsi, il est possible de faire fortement varier la valeur de résistance (R1 + R2) en enlevant peu de matière aux
résistances 26 et 28.
Ainsi que cela vient d'être décrit, on commence par enlever de la matière à la résistance 26 d'ajustement de valeur de résistance de façon à obtenir une valeur de résistance R1 qui est sensiblement égale à la valeur de résistance existant entre les parties plots 14 et 22. Cette valeur est telle que la différence entre elle et la valeur de résistance voulue Rf correspond à un pourcentage nettement plus petit que 10 à 25 %. En d'autres termes,
on peut fortement réduire La différence entre la valeurde résis-
tance voulue Rf et la valeur de résistance existant entre Les
parties plots 14 et 22 en enlevant de la matière à la seule résis-
tance d'ajustement de valeur 26. Ctci est dû au fait que la valeur
de résistance R2 de la résistance d'ajustement de fonction 28 n'in-
flue pas sur la valeur de résistance existant entre les parties plots 14 et 22. On réduit encore la différence des valeurs de
résistance en découpant l'entaille 32 dans la résistance d'ajuste-
ment de fonction 28 et en découpant, en même temps la partie inter-
médiaire du deuxième conducteur 24 en les deux parties 24a et 24b.
Lorsqu'on découpe en ces deux parties la partie intermédiaire de la deuxième résistance 24, la valeur R2 de la résistance 28 s'ajoute à
la résistance R1 de la résistance d'ajustement de valeur 26.
Puisque la différente entre la valeur de résistance voulue Rf et la valeur du dispositif à circuit intégré a été fortement réduite, il
suffit de découper une courte entaille dans la résistance d'ajuste-
ment de fonction 28. Ainsi, la résistance 28 offre un trajet de courant relativement large. Puisque le trajet de courant de la résistance 28 est large, il n'est pas créé de chaleur en quantité
anormalement forte dans ce trajet de courant.
On va décrire un deuxième mode de réalisation de l'inven-
tion en relation avec la figure 3. Dans ce mode de réalisation, on forme trois conducteurs 18, 38 et 44 sur le substrat isolant 12 au
moyen du processusdeformation de pellicule épaisse. Le premier con-
ducteur 18 est identique au premier conducteur utilisé dans le premier mode de réalisation (figure 1). Le deuxième conducteur 38 est constitué d'une partie de connexion 34, située à proximité de la partie de connexion 16 du premier conducteur 18, et d'une autre partie de connexion 36. Le troisième conducteur 44 est constitué d'une partie de connexion 40, située à proximité de la partie de connexion 36 du deuxième conducteur 38, et d'une partie plot 42. On forme sur le substrat isolant 12, au moyen du procédé de formation de pellicule épaisse, la résistance 26 d'ajustement de valeur et la
résistance 28 d'ajustement de fonction. La résistance 28 d'ajuste-
ment de fonction est orientée perpendiculairement à la ligne sui-
vant laquelle les parties de connexion 36 et 40 sont disposées. Une extrémité de la résistance 26 chevauche la partie de connexion 16 du premier conducteur 18 et est donc électriquement couplée à celui-ci. L'autre extrémité de la résistance 26 chevauche la partie
de connexion 34 du deuxième conducteur 38 et est donc électri-
quement connectée à celui-ci. Une extrémité de la résistance d'ajustement de fonction 28 chevauche la partie de connexion 36 du
deuxième conducteur 38 ainsi que la partie de connexion 40 du troi-
sième conducteur 44 et relie donc les deuxième et troisième conduc-
teurs 38 et 44.
Dans le deuxième mode de réalisation représenté sur la figure 3, la valeur de la résistance d'ajustement de fonction 28 influe sur la valeur de résistance existant entre les parties plots
14 et 22, puisque celle-ci connecte électriquement les deux conduc-
teurs 38 et 44 distincts. Par conséquent, la résistance 28 possède une valeur de résistance pelliculaire nettement plus petite que celle de la résistance d'ajustement de valeur 26, par exemple un dixième de la valeur de résistance pelliculaire de la résistance 26 ou moins. On ajuste la résistance d'ajustement de valeur 26 et la résistance d'ajustement de fonction 28 en leur enlevant de la matière de la même manière que dans le premier mode de réalisation
(figure 1).
Le deuxième mode de réalisation offre le même avantage que le premier mode de réalisation. Ainsi, on peut facilement ajuster la résistance d'ajustement de valeur 26 en lui enlevant de
la matière et la résistance d'ajustement de fonction 28 peut pré-
senter un trajet de courant relativement large même après qu'on lui a enlevé de la matière, si bien qu'il n'est pas créé une quantité
anormalement forte de chaleur dans le trajet de courant.
Ainsi que cela a été décrit, dans les deux modes de réa-
lisation de l'invention, on peut facilement ajuster par enlèvement de matière la résistance d'ajustement de valeur et il ne se crée pas une quantité de chaleur anormalement forte dans le trajet de courant de la résistance d'ajustement de fonction. Par conséquent, on peut fabriquer avec un rendement élevé des dispositifs à circuit intégré en pelLicule épaisse suivant l'un ou L'autre des modes de réalisation. Bien entendu, l'homme de l'art sera en mesure d'imaginer,
à partir du dispositif dont la description vient d'être donnée à
titre simplement illustratif et nullement limitatif, diverses
variantes et modifications ne sortant pas du cadre de l'invention.

Claims (11)

REVENDICATIONS
1. Dispositif à circuit intégré en pellicule épaisse, comprenant un substrat isolant (12); un premier et un deuxième conducteurs (18, 24) formés sur ledit substrat isolant et écartés L'un de L'autre, au moins de ces conducteurs possédant une partie intermédiaire allongée, une résistance d'ajustement par enlèvement
de matière, formée sur le substrat isolant et possédant deux extré-
mités en chevauchement et en connexion électrique avec les premier et deuxième conducteurs afin de permettre un ajustement grossier de la valeur de résistance du dispositif à circuit intégré, et une résistance d'ajustement de fonction par enlèvement de matière, formée sur le substrat isolant et ajustée par enlèvement de matière, de manière à permettre un ajustement précisde lavaleur de résistance du dispositif à circuit intégré, ledit dispositif étant caractérisé en ce que ladite résistance d'ajustement de fonction (28) est une bande, est orientée perpendiculairement à la partie
allongée intermédiaire dudit conducteur (24), en couplage élec-
trique avec ladite partie intermédiaire allongée et en saillie par rapport à celle-ci afin de permettre un ajustement fin de la valeur
de résistance du dispositif à circuit intégré.
2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit conducteur (24) possédant la partie intermédiaire
allongée possède une partie rectiligne.
3. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce
que ladite résistance d'ajustement de fonction (28) subit un enlè-
vement de matière, de manière que la partie intermédiaire allongée
desdits conducteurs (24) soit coupée en deux parties.
4. Dispositif selon la revendication 3, caractérisé en ce que ladite résistance d'ajustement de fonction (28) possède une résistance extrêmement faible avant de subir l'enlèvement de matière.
5. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit conducteur (24) possédant ladite partie intermédiaire allongée est découpé en deux parties avant que ladite résistance
d'ajustement de fonction (28) subisse l'enlèvement de matière.
6. Dispositif selon la revendication 5, caractérisé en ce que ladite résistance d'ajustemer. de fonction (28) possède une valeur de résistance très inférieure à celle de ladite résistance
d'ajustement (26).
7. Dispositif selon la revendication 6, caractérisé en ce ladite résistance d'ajustement de fonction (28) possède une valeur
de résistance égale ou inférieure au dixième de la valeur de résis-
tance de Ladite résistance d'ajustement (26).
8. Dispositif à circuit intégré en pellicule épaisse,
comprenant un substrat isolant (12), un premier et un deuxième con-
ducteurs (18, 24) formés sur ledit substrat isolant et écartés l'un de l'autre, au moins l'un de ces conducteurs possédant une partie
intermédiaire allongée, une première résistance formée sur le subs-
trat isolant et ayant ses deux extrémités qui sont en chevauchement
et en connexion électrique avec les premier et deuxième conduc-
teurs, ladite première résistance subissant un enlèvement de matière de manière à permettre un ajustement grossier de la valeur de résistance du dispositif à circuit intégré, et une deuxième
résistance formée sur le substrat isolant et ayant subit un enLève-
ment de matière, de manière à permettre un ajustement précisde la
valeur de résistance du dispositif à circuit intégré, ledit dispo-
sitif étant caractérisé en ce que ladite première résistance (28)
est une bande, s'étend perpendiculairement à la partie intermé-
diaire allongée dudit conducteur (24), en couplage électrique avec ladite partie intermédiaire allongée et en saillie par rapport à celle-ci, ladite deuxième résistance (28) subissant un enlèvement de matière de manière à permettre un ajustement fin de la valeur de
résistance du dispositif à circuit intégré.
9. Dispositif selon la revendication 8, caractérisé en ce que ledit conducteur (24) possédant la partie intermédiaire
allongée possède une partie rectiligne.
10. Dispositif selon la revendication 8, caractérisé en
ce que Ladite deuxième résistance (28) possède une valeur de résis-
tance très inférieure à celle de ladite première résistance (26).
11. Dispositif selon la revendication 10, caractérisé en
ce que ladite deuxième résistance (28) possède une valeur de résis-
tance inférieure ou égale au dixième de la valeur de résistance de
ladite première résistance (26).
FR878716741A 1986-12-02 1987-12-02 Dispositif a circuit integre en pellicule epaisse, susceptible d'etre fabrique au moyen d'une operation, facile a mettre en oeuvre, d'ajustement par enlevement de matiere Expired - Lifetime FR2607627B1 (fr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61287128A JPS63140558A (ja) 1986-12-02 1986-12-02 厚膜回路基板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR2607627A1 true FR2607627A1 (fr) 1988-06-03
FR2607627B1 FR2607627B1 (fr) 1991-11-08

Family

ID=17713433

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR878716741A Expired - Lifetime FR2607627B1 (fr) 1986-12-02 1987-12-02 Dispositif a circuit integre en pellicule epaisse, susceptible d'etre fabrique au moyen d'une operation, facile a mettre en oeuvre, d'ajustement par enlevement de matiere

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4841275A (fr)
JP (1) JPS63140558A (fr)
KR (1) KR900007604B1 (fr)
DE (1) DE3740872A1 (fr)
FR (1) FR2607627B1 (fr)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6418166A (en) * 1987-07-13 1989-01-20 Fuji Xerox Co Ltd Single-component developing device for electrophotographic device
US5243318A (en) * 1991-04-11 1993-09-07 Beltone Electronics Corporation Low noise precision resistor
US5148143A (en) * 1991-04-12 1992-09-15 Beltone Electronics Corporation Precision thick film elements
DE4304437A1 (de) * 1993-02-13 1994-08-18 Ego Elektro Blanc & Fischer Integrierte Schaltung, insbesondere für Berührungsschalter, sowie Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltung
TW429382B (en) 1998-11-06 2001-04-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd Regulating resistor, semiconductor equipment and its production method
DE19946198A1 (de) * 1999-09-27 2001-04-26 Epcos Ag Dickschichtschaltung mit temperaturabhängigen Widerständen und Verfahren zu ihrer Herstellung
US20050267664A1 (en) * 2004-05-14 2005-12-01 Jiyuan Ouyang Method for adjusting a control signal of an electronic sensor

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3573703A (en) * 1969-05-09 1971-04-06 Darnall P Burks Resistor and method of adjusting resistance
US3669733A (en) * 1969-12-12 1972-06-13 Rca Corp Method of making a thick-film hybrid circuit
DE2651071A1 (de) * 1976-11-09 1978-05-18 Licentia Gmbh Verfahren zur herstellung eines abgeglichenen widerstandes in dickschichttechnik
US4163315A (en) * 1978-05-17 1979-08-07 Gte Automatic Electric Laboratories Incorporated Method for forming universal film resistors
JPS5618453A (en) * 1979-07-23 1981-02-21 Nec Corp Functional trimming of hybrid integrated circuit device
JPS5834954A (ja) * 1981-08-26 1983-03-01 Nec Corp レ−ザトリミング装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB727505A (en) * 1952-10-14 1955-04-06 British Insulated Callenders Improvements in electric resistors
GB1191277A (en) * 1966-09-19 1970-05-13 Plessey Co Ltd Improvements in or relating to Thin Film Electrical Circuits
GB1469321A (en) * 1975-04-16 1977-04-06 Welwyn Electric Ltd Resistors

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3573703A (en) * 1969-05-09 1971-04-06 Darnall P Burks Resistor and method of adjusting resistance
US3669733A (en) * 1969-12-12 1972-06-13 Rca Corp Method of making a thick-film hybrid circuit
DE2651071A1 (de) * 1976-11-09 1978-05-18 Licentia Gmbh Verfahren zur herstellung eines abgeglichenen widerstandes in dickschichttechnik
US4163315A (en) * 1978-05-17 1979-08-07 Gte Automatic Electric Laboratories Incorporated Method for forming universal film resistors
JPS5618453A (en) * 1979-07-23 1981-02-21 Nec Corp Functional trimming of hybrid integrated circuit device
JPS5834954A (ja) * 1981-08-26 1983-03-01 Nec Corp レ−ザトリミング装置

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN, vol. 5, no. 70 (E-56)[742], 12 mai 1981; & JP-A-56 18 453 (NIPPON DENKI K.K.) 21-02-1981 *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN, vol. 7, no. 115 (E-176)[1260], 19 mai 1983; & JP-A-58 34 954 (NIPPON DENKI K.K.) 01-03-1983 *

Also Published As

Publication number Publication date
FR2607627B1 (fr) 1991-11-08
DE3740872A1 (de) 1988-06-09
KR880008719A (ko) 1988-08-31
DE3740872C2 (fr) 1991-07-04
JPS63140558A (ja) 1988-06-13
US4841275A (en) 1989-06-20
KR900007604B1 (ko) 1990-10-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0645626B1 (fr) Dispositif de mesure pour capteurs amovibles
EP0030186B1 (fr) Shunt de mesure à compensation de tension d'erreur induite
FR2607627A1 (fr) Dispositif a circuit integre en pellicule epaisse, susceptible d'etre fabrique au moyen d'une operation, facile a mettre en oeuvre, d'ajustement par enlevement de matiere
WO1998037829A1 (fr) Procede et dispositif perfectionne de mesure et de localisation de l'apex d'une dent
FR2590105A1 (fr) Ensemble a paillette comprenant un substrat de cablage multicouche
EP0184497B1 (fr) Sonde de mesure du niveau d'un liquide
FR2563660A1 (fr) Circuit de distribution de courant
EP2979523B1 (fr) Module de commande d'un appareil électrique
FR2618015A1 (fr) Resistance a couche electrique, et son procede de fabrication
FR2582806A1 (fr) Dispositif a utiliser dans les microphones a pression afin d'ameliorer leurs proprietes a basse frequence
FR2536855A1 (fr) Element palpeur detecteur de la pression dans la chambre de combustion d'un moteur a combustion interne
EP0736228B1 (fr) Dispositif de connexion de puissance
FR2978324A1 (fr) Dispositif electronique muni de moyens de coupure d'alimentation
EP0524855A1 (fr) Circuit électrique tel qu'un pont de wheatstone pourvu d'une partie d'ajustage de resistance
FR2528617A1 (fr) Circuit resistant en couche epaisse avec fusible incorpore
EP0317440B1 (fr) Dispositif de contrôle de brasure par mesure électronique de l'aire de la brasure
FR2609231A1 (fr) Procede pour fabriquer une plaque de circuits imprimes a couche epaisse
EP0031283B1 (fr) Circuit de protection d'un circuit de commutation
FR2909254A1 (fr) Bus de conduction thermique, notamment pour unite de calcul a microprocesseur.
WO1981003714A1 (fr) Procede pour regler la valeur d'une resistance en couche epaisse et resistance correspondante
EP1345706A1 (fr) Procede de fabrication d'une sonde acoustique multielements utilisant un film polymere metallise et ablate comme plan de masse
EP0241348A1 (fr) Procédé et dispositif de défigeage des carburants
EP0140747A1 (fr) Perfectionnements aux sondes de mesure de niveau
FR2590982A1 (fr) Dispositif de mesure d'un flux thermique
EP0219374B1 (fr) Dispositif de soudage par thermocompression

Legal Events

Date Code Title Description
ST Notification of lapse