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FR2693288A1 - Integrated circuit memory incorporating test programmes - receives external test and clock signals to initiate automatic test of all memory cells - Google Patents

Integrated circuit memory incorporating test programmes - receives external test and clock signals to initiate automatic test of all memory cells Download PDF

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FR2693288A1
FR2693288A1 FR9208331A FR9208331A FR2693288A1 FR 2693288 A1 FR2693288 A1 FR 2693288A1 FR 9208331 A FR9208331 A FR 9208331A FR 9208331 A FR9208331 A FR 9208331A FR 2693288 A1 FR2693288 A1 FR 2693288A1
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FR
France
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test
memory
input
address
signal
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FR9208331A
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Pignon Patrick
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STMicroelectronics SA
Original Assignee
SGS Thomson Microelectronics SA
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Publication date
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Abstract

The memory is integrated with addressing circuits (6,7) which allow high speed testing of all memory cells under conditions of elevated temperature simulating ageing. The circuit is supplied with an external clock signal (H) and a test signal (T) which disables the control register and activates the addressing circuits, allowing the full memory map to be accessed. The tests allow failure of individual memory cells under conditions of ageing to be identified. ADVANTAGE - Ageing tests on integrated circuit memory at higher speed and lower cost than existing routines.

Description

MEMOIRE COMPRENANT UN CIRCUIT D'ADRESSAGE
INTERNE POUR LES TESTS EN VIEILLISSEMENT
L'invention concerne une mémoire et le test en vieillissement de cette mémoire.
MEMORY INCLUDING AN ADDRESSING CIRCUIT
INTERNAL FOR AGING TESTS
The invention relates to a memory and the aging test of this memory.

Les fabricants de circuits mémoire doivent réaliser de nombreux test afin de qualifier ces circuits par rapport aux diverses normes de fabrication et de qualité existantes. En particulier, le vieillissement accéléré permet de déterminer si les circuits mémoire auront au moins la durée de vie spécifiée dans un environnement donné. De tels tests sont effectués sur des échantillons prélevés dans chaque lot de fabrication. The manufacturers of memory circuits must carry out numerous tests in order to qualify these circuits with respect to the various existing manufacturing and quality standards. In particular, accelerated aging makes it possible to determine whether the memory circuits will have at least the specified lifetime in a given environment. Such tests are carried out on samples taken from each manufacturing batch.

La fragilité des circuits mémoire tient essentiellement aux cellules mémoires. Si une cellule mémoire est altérée, elle peut avoir des fuites de courant importantes qui masquent le courant que conduit une cellule placée sur la même ligne de bit. La lecture d'une cellule sur cette ligne de bit n'est plus fiable. Avec le test en vieillissement, on cherche donc à vieillir les cellules mémoire pour mesurer leur résistance. The fragility of memory circuits is mainly due to memory cells. If a memory cell is corrupted, it can have significant current leaks which mask the current carried by a cell placed on the same bit line. Reading a cell on this bit line is no longer reliable. With the aging test, we therefore seek to age memory cells to measure their resistance.

Le test de vieillissement d'un circuit mémoire consiste donc à accélérer l'altération des cellules en plaçant le circuit mémoire dans une étuve à haute température - de l'ordre 1500C - et en adressant en permanence le plan mémoire en accédant à toutes les cellules successivement pendant une durée déterminée en fonction du type de mémoire et de la durée de vie à qualifier. Dans un exemple, le test dure de 48 à 100 heures. A la fin du test, on vérifie l'état d'altération de la mémoire, en lisant chaque cellule et en comparant avec le résultat d'une lecture qui aura été effectuée avant le début du test.  The aging test of a memory circuit therefore consists in accelerating the alteration of the cells by placing the memory circuit in an oven at high temperature - of the order of 1500C - and by permanently addressing the memory plane by accessing all the cells. successively for a determined period depending on the type of memory and the lifetime to be qualified. In one example, the test lasts 48 to 100 hours. At the end of the test, the state of memory deterioration is checked, by reading each cell and comparing with the result of a reading which will have been carried out before the start of the test.

Le test de vieillissement nécessite du matériel coûteux. Il utilise un banc de test et des cartes d'accès aux mémoires. Un banc de test doit permettre de tester plusieurs circuits en même temps placés dans une même étuve, par exemple 20 à 50 circuits. Il faut en effet toujours diminuer les temps de fabrication - test y compris - et utiliser les machines au maximum de leur capacité, pour diminuer les coûts de fabrication toujours trop élevés. The aging test requires expensive equipment. It uses a test bench and memory access cards. A test bench must make it possible to test several circuits at the same time placed in the same oven, for example 20 to 50 circuits. It is always necessary to reduce manufacturing times - including testing - and use the machines to the maximum of their capacity, to reduce manufacturing costs which are always too high.

Or les capacités mémoire ne cessent d'augmenter le nombre de signaux nécessaire pour adresser un plan mémoire croît rapidement, alors que les capacités d'entrée/sortie des bancs de test ne sont pas extensibles : lorsqu'une limite est atteinte, il faut changer de banc de test. De plus, les cartes d'accès aux mémoires pilotées par le banc de test sont placées avec elles dans les étuves : elles sont donc très coûteuses, car elles doivent pouvoir supporter de manière fiable et répétée de hautes températures. Elles sont donc conçues avec un nombre limité d'entrées/sorties correspondant à l'état de la technique du moment, pour réduire leur coût. However, the memory capacities are constantly increasing the number of signals necessary to address a memory plane is growing rapidly, while the input / output capacities of the test benches are not expandable: when a limit is reached, it is necessary to change of test bench. In addition, the memory access cards controlled by the test bench are placed with them in the ovens: they are therefore very expensive, since they must be able to withstand reliably and repeatedly high temperatures. They are therefore designed with a limited number of inputs / outputs corresponding to the state of the art at the time, to reduce their cost.

Les bancs de test représentent donc une charge très lourde pour les fabricants qui influe directement sur les coûts des circuits mémoire. Test benches therefore represent a very heavy burden for manufacturers which directly affects the costs of memory circuits.

Dans l'invention, on propose un circuit d'adressage pour le test en vieillissement intégré dans chaque circuit mémoire, qui permet à un banc de test de vieillissement d'avoir un accès simple à la mémoire avec une connectique très réduite, indépendante de la capacité mémoire. In the invention, an addressing circuit for the aging test integrated in each memory circuit is proposed, which allows an aging test bench to have simple access to the memory with a very reduced connection, independent of the memory capacity.

Dans l'invention, le banc de test permet de tester toutes les mémoires comportant un circuit d'adressage pour le vieillissement selon l'invention, quelle que soit la capacité de la mémoire. In the invention, the test bench makes it possible to test all the memories comprising an addressing circuit for aging according to the invention, whatever the capacity of the memory.

Telle qu'elle est revendiquée, l'invention concerne donc une mémoire comportant un registre d'entrée de signaux d'adresse connecté en sortie sur le bus d'adresse du plan mémoire. Selon l'invention, la mémoire comporte, en outre, un circuit d'adressage pour générer des adresses sur le bus d'adresses pour le test de vieillissement du plan mémoire, comprenant une entrée pour recevoir un signal de test (T) et une entrée pour recevoir un signal d'horloge (H) pour activer le circuit d'adressage et désactiver le registre d'entrée de signaux d'adresses. As claimed, the invention therefore relates to a memory comprising an input register of address signals connected as an output on the address bus of the memory plane. According to the invention, the memory further comprises an addressing circuit for generating addresses on the address bus for the aging test of the memory plane, comprising an input for receiving a test signal (T) and a input to receive a clock signal (H) to activate the addressing circuit and deactivate the address signal input register.

Lorsqu'un signal de test est détecté, la sortie du registre d'entrée de signaux d'adresse est mise en haute impédance et un signal d'horloge externe est appliqué au générateur de séquences d'adresse. Le générateur d'adresses délivre alors des signaux d'adresse sur le bus d'adresse du plan mémoire. When a test signal is detected, the output of the address signal input register is set to high impedance and an external clock signal is applied to the address sequence generator. The address generator then delivers address signals on the address bus of the memory plane.

D'autres caractéristiques et avantages de l'invention sont présentés dans la description détaillée qui suit, faite de manière indicative et non limitative en référence aux dessins annexés dans lesquels
- la figure 1 représente un dispositif de test de
vieillissement intégré selon l'invention,
- la figure 2 représente un diagramme temporel des
signaux de test.
Other characteristics and advantages of the invention are presented in the detailed description which follows, given in an indicative and nonlimiting manner with reference to the appended drawings in which
- Figure 1 shows a test device for
integrated aging according to the invention,
- Figure 2 shows a time diagram of
test signals.

Sur la figure 1 on a représenté un circuit mémoire 1. Ce circuit mémoire comprend de manière connue un plan mémoire 2, un bus d'adresse 3 de ce plan mémoire, un décodeur 4 des adresses du plan mémoire et un registre d'entrée 5 des signaux d'adresse. Le reste du circuit mémoire, comme par exemple les amplificateurs de lecture ou les registres d'entrée/sortie de données, est globalement représenté par un circuit logique 9. Les éléments de ce circuit logique 9 n'étant pas utilisés pour l'accès au plan mémoire pendant le test de vieillissement, ils ne seront pas détaillés plus avant. FIG. 1 shows a memory circuit 1. This memory circuit comprises in a known manner a memory plane 2, an address bus 3 of this memory plane, a decoder 4 of the addresses of the memory plane and an input register 5 address signals. The rest of the memory circuit, such as for example the sense amplifiers or the data input / output registers, is generally represented by a logic circuit 9. The elements of this logic circuit 9 are not used for accessing the memory plan during the aging test, they will not be detailed further.

Le registre d'entrée 5 reçoit les bits d'adresse nécessaires pour adresser le plan mémoire 2 sur des broches d'entrées du circuit mémoire, dans l'exemple MA0-MA8. Le registre d'entrée comprend un étage de sortie 5' connecté en sortie sur le bus d'adresse 3. Cet étage de sortie est un circuit porte 3 états. Il comporte une entrée de commande Hîl qui permet, lorsqu'elle est active, de mettre la sortie de l'étage en haute impédance. Cela a alors pour effet de libérer le bus d'adresses 3 du niveau imposé par les entrées d'adresse
MAO-MA8. Par défaut, cette entrée de commande HI1 est inactive. Le bus d'adresse 3 arrive sur le décodeur 4.
The input register 5 receives the address bits necessary to address the memory plane 2 on input pins of the memory circuit, in the example MA0-MA8. The input register comprises an output stage 5 ′ connected at output to the address bus 3. This output stage is a 3-state gate circuit. It has a Hîl control input which, when active, allows the output of the stage to be placed on high impedance. This then has the effect of freeing the address bus 3 from the level imposed by the address inputs
MAO-MA8. By default, this HI1 command input is inactive. Address bus 3 arrives at decoder 4.

C'est le décodeur qui permet d'accéder à une ou plusieurs cellules du plan mémoire. En pratique, on accède en général à plusieurs cellules formant un mot mémoire, par exemple un mot de 8 bits de données.It is the decoder which allows access to one or more cells of the memory plane. In practice, one generally accesses several cells forming a memory word, for example a word of 8 data bits.

De manière classique, l'accès en lecture d'un mot du plan mémoire se fait de la manière suivante : on présente des signaux d'adresse sur les broches d'entrée adresse MA0-MA8. On présente un signal de sélection du boîtier du circuit mémoire noté typiquement CE (chip enable en littérature anglo-saxonne), qui active en particulier les registres d'entrée et le décodeur du circuit mémoire. Le registre d'entrée 5 activé par ce signal CE transmet alors les signaux d'adresse MA0-MA8 sur le bus d'adresse 3 du plan mémoire. Le décodeur 4 décode les signaux d'adresse A0-A8 qui lui sont présentés par le bus et applique les signaux de lecture aux cellules ainsi sélectionnées.  In a conventional manner, the read access of a word from the memory plane is done in the following way: address signals are presented on the address input pins MA0-MA8. A selection signal of the memory circuit box typically noted CE (chip enable in English literature) is presented, which activates in particular the input registers and the decoder of the memory circuit. The input register 5 activated by this signal CE then transmits the address signals MA0-MA8 on the address bus 3 of the memory plane. The decoder 4 decodes the address signals A0-A8 which are presented to it by the bus and applies the read signals to the cells thus selected.

Selon l'invention, le circuit mémoire comprend un circuit d'adressage pour le test en vieillissement. Ce circuit d'adressage comporte principalement un générateur d'adresses 6 connecté en sortie sur le bus d'adresse 3 du plan mémoire et un détecteur de niveau 7 sur une entrée de commande de test T du circuit mémoire qui délivre en sortie un signal V de validation du test. According to the invention, the memory circuit comprises an addressing circuit for the aging test. This addressing circuit mainly comprises an address generator 6 connected as an output on the address bus 3 of the memory plane and a level detector 7 on a test command input T of the memory circuit which outputs a signal V test validation.

Le circuit d'adressage permet d'invalider en test l'accès en lecture classique que l'on vient de décrire pour valider un accès permettant le vieillissement de la mémoire. Le principe général de l'invention est d'invalider la sortie 5' du registre d'entrée 5 des signaux d'adresse; d'activer le générateur d'adresses 6 au moyen du signal de validation V délivré en sortie du détecteur de niveau 7; et d'appliquer sur une entrée d'horloge CLK du générateur d'adresses un un signal d'horloge externe H. Le générateur 6 délivre alors en permanence des adresses sur le bus d'adresses 3 du plan mémoire 2. The addressing circuit makes it possible to invalidate in test the access in conventional reading which we have just described to validate an access allowing the aging of the memory. The general principle of the invention is to invalidate the output 5 ′ of the input register 5 of the address signals; activate the address generator 6 by means of the validation signal V delivered at the output of the level detector 7; and applying an external clock signal H to a clock input CLK of the address generator. The generator 6 then permanently delivers addresses to the address bus 3 of the memory plane 2.

Le signal d'horloge externe H est appliqué sur une entrée du circuit mémoire connectée sur l'entrée horloge
CLK du générateur d'adresses 6.
The external clock signal H is applied to an input of the memory circuit connected to the clock input
CLK of the address generator 6.

Avantageusement, et comme représenté sur la figure 1, on prévoit de transmettre le signal d'horloge externe H sur l'entrée du signal de sélection de boîtier
CE. En effet, ce signal logique qui est généralement actif sur le niveau bas, va ainsi passer d'un niveau actif à un niveau passif cycliquement, ce qui va également cycliquement valider ou invalider l'ensemble des circuits logiques de la mémoire, en particulier le décodeur 4, le registre d'entrée 5 et le circuit logique 9. On impose de cette manière des conditions de fonctionnement très dures qui vont permettre de mesurer la tenue de ces circuits logiques.
Advantageously, and as shown in FIG. 1, provision is made to transmit the external clock signal H on the input of the box selection signal
THIS. Indeed, this logic signal which is generally active on the low level, will thus pass from an active level to a passive level cyclically, which will also cyclically validate or invalidate all the logic circuits of the memory, in particular the decoder 4, the input register 5 and the logic circuit 9. In this way, very harsh operating conditions are imposed which will make it possible to measure the resistance of these logic circuits.

Dans ce cas, le circuit d'adressage comporte un commutateur logique 8, pour commuter ou non l'entrée de sélection du boîtier sur le générateur d'adresses 6. En effet, ce dernier ne doit pas être activé en fonctionnement normal du circuit mémoire. Le commutateur logique 8 reçoit en entrée le signal de sélection du boîtier CE. In this case, the addressing circuit includes a logic switch 8, for switching or not the selection input of the box on the address generator 6. In fact, the latter must not be activated in normal operation of the memory circuit . The logic switch 8 receives as an input the selection signal from the box CE.

Il reçoit comme signal de commutation, le signal V de validation du test délivré en sortie du détecteur de niveau 7 et délivre en sortie le signal d'horloge H qui est appliqué sur l'entrée horloge CLK du générateur d'adresses 6. Lorsque le signal de validation V est inactif, le commutateur logique délivre en sortie un potentiel de référence, par exemple zéro volt.As a switching signal, it receives the test validation signal V output from the level detector 7 and outputs the clock signal H which is applied to the clock input CLK of the address generator 6. When the validation signal V is inactive, the logic switch outputs a reference potential, for example zero volts.

Le fonctionnement est alors le suivant : lorsque le circuit mémoire doit être testé en vieillissement, il est placé dans une étuve à haute température. Un banc de test BT délivre les signaux d'älimentation du circuit mémoire, typiquement Vcc (5 volts) et Vss, un signal d'horloge H et un signal de test T. Le générateur d'adresses 6 de la mémoire est alors activé et le registre d'entrée 5 invalidé. Dès que le banc de test BT ne délivre plus le signal d'horloge externe H ou le signal de commande de test T, le générateur n'est plus activé et il n'y a plus d'accès au plan mémoire. Le test est alors terminé. The operation is as follows: when the memory circuit must be tested for aging, it is placed in an oven at high temperature. A test bench BT delivers the power supply signals from the memory circuit, typically Vcc (5 volts) and Vss, a clock signal H and a test signal T. The address generator 6 of the memory is then activated and the input register 5 invalidated. As soon as the test bench BT no longer delivers the external clock signal H or the test command signal T, the generator is no longer activated and there is no longer access to the memory plane. The test is then finished.

Dans l'exemple représenté sur la figure 1, le signal d'horloge H est appliqué sur l'entrée de sélection du circuit mémoire CE et le signal de test T est appliqué sur une entrée de test. Lorsque le détecteur 7 détecte sur cette entrée un niveau actif du signal de test T, il délivre en sortie un signal de validation V dont le niveau actif invalide le registre d'entrée 5 des signaux d'adresse, valide le générateur d'adresses 6 et commute le signal d'horloge H sur l'entrée horloge CLK du générateur d'adresses 6.  In the example shown in FIG. 1, the clock signal H is applied to the selection input of the memory circuit CE and the test signal T is applied to a test input. When the detector 7 detects an active level of the test signal T on this input, it outputs a validation signal V whose active level invalidates the input register 5 of the address signals, validates the address generator 6 and switches the clock signal H to the clock input CLK of the address generator 6.

L'invalidation du registre d'entrée 5 des signaux d'adresse consiste à déconnecter sa sortie du bus d'adresse, c'est à dire à mettre sa sortie en haute impédance, en appliquant un signal de mise en haute impédance de son étage de sortie. The invalidation of the input register 5 of the address signals consists in disconnecting its output from the address bus, that is to say putting its output in high impedance, by applying a signal in high impedance of its stage Release.

La validation du générateur d'adresses 6 consiste à l'initialiser. L'horloge externe H, qui lui est appliquée via le commutateur logique 8, lui permet de générer des adresses sur le bus d'adresse du plan mémoire. Un diagramme temporel des signaux d'adresses est représenté sur la figure 2. The validation of the address generator 6 consists in initializing it. The external clock H, which is applied to it via the logic switch 8, enables it to generate addresses on the address bus of the memory plane. A time diagram of the address signals is shown in Figure 2.

Dans un exemple, le signal de validation V est actif sur un niveau haut; l'initialisation du générateur d'adresses 6 se fait sur un front montant; et le signal de mise en haute impédance de l'étage de sortie du registre d'entrée 5 est actif sur un niveau haut. Dans ces conditions, le signal de validation V est directement appliqué au commutateur logique 8 et au générateur d'adresses 6. Pour ce dernier, un circuit de mise en forme du front d'initialisation peut être prévu (non représenté). Enfin, un inverseur 9 du signal de validation V est prévu dont la sortie est connectée sur l'entrée Hîl de mise en haute impédance de l'étage de sortie 5'. In one example, the validation signal V is active at a high level; the initialization of the address generator 6 is done on a rising edge; and the high impedance signal of the output stage of the input register 5 is active at a high level. Under these conditions, the validation signal V is directly applied to the logic switch 8 and to the address generator 6. For the latter, a circuit for shaping the initialization front can be provided (not shown). Finally, an inverter 9 of the validation signal V is provided, the output of which is connected to the input Hîl for setting the high impedance of the output stage 5 '.

Dans l'exemple de la figure 1, le générateur d'adresses 6 comprend un compteur 11 rebouclé sur lui même et un étage de sortie 12. Le compteur 11 compte les pulsations de l'horloge H et délivre le résultat du comptage sur 9 bits B0-B8 et 1 bit de retenue C. Le bit de retenue C est rebouclé sur l'entrée RAZ du compteur, pour remettre à zéro le compteur lorsque le compteur a compté 29 pulsations. Ainsi, le compteur compte indéfiniment de 0 à 29-1 et adresse ainsi cycliquement tout le plan mémoire. Le bit de retenue C et le signal de validation V dont le front montant est utilisé pour initialiser le générateur d'adresse sont donc avantageusement combinés dans un circuit porte OU 10 dont la sortie est appliquée sur l'entrée de remise à zéro RAZ du compteur 11. In the example of FIG. 1, the address generator 6 comprises a counter 11 looped back onto itself and an output stage 12. The counter 11 counts the pulses of the clock H and delivers the counting result on 9 bits B0-B8 and 1 carry bit C. The carry bit C is looped back to the counter reset input, to reset the counter when the counter has counted 29 pulses. Thus, the counter counts indefinitely from 0 to 29-1 and thus cyclically addresses the entire memory plane. The carry bit C and the validation signal V, the rising edge of which is used to initialize the address generator, are therefore advantageously combined in an OR gate circuit 10, the output of which is applied to the reset input. 11.

Les 9 bits B0-B8 du compteur 12 sont transmis via un étage de sortie 12 sur le bus d'adresses 3 du plan mémoire. L'étage de sortie 12 est un circuit porte 3 états ayant une entrée H12 de mise en haute impédance. The 9 bits B0-B8 of the counter 12 are transmitted via an output stage 12 on the address bus 3 of the memory plane. The output stage 12 is a 3-state gate circuit having an input H12 for setting high impedance.

Quand le test n'est pas validé, cet étage doit être mis en haute impédance et quand le test est validé, cet étage doit imposer sur le bus d'adresses les niveaux logiques des bits B0-B8. En retenant comme convention que l'entrée H12 de mise en haute impédance est active à l'état bas, le signal de validation V est appliqué sur cette entrée H12 pour obtenir la-fonction désirée. When the test is not validated, this stage must be set to high impedance and when the test is validated, this stage must impose on the address bus the logic levels of bits B0-B8. By retaining as a convention that the input H12 for setting high impedance is active in the low state, the validation signal V is applied to this input H12 to obtain the desired function.

D'autres réalisations sont possibles. Le générateur peut par exemple comporter autant de diviseurs successifs d'horloge que de bits d'adresse à générer. Other realizations are possible. The generator can for example include as many successive clock dividers as address bits to be generated.

Avantageusement, le signal de test T est appliqué sur un bit d'adresse du plan mémoire, MA8 dans l'exemple. On peut choisir le niveau de test égal à une tension élevée, par exemple 12 volts. Dans ce cas, (représenté en pointillé sur la figure 1), le bit d'adresse A8 ne sera pas directement transmis au registre d'entrée 5 des signaux d'adresse qui est généralement en logique TTL. Le détecteur 7 sera alors, de préférence, un détecteur trois niveaux qui:
- lorsqu'il détecte un premier ou un deuxième niveau
correspondant à la logique binaire des bits
d'adresse, commute le bit d'adresse MA8 en entrée
du registre d'entrée 5 et désactive sa sortie de
validation V;
- lorsqu'il détecte un troisième niveau correspondant
au mode de test, il ne commute pas le bit d'adresse
MA8 sur le registre d'entrée 5 et active sa sortie
de validation V.
Advantageously, the test signal T is applied to an address bit of the memory plane, MA8 in the example. You can choose the test level equal to a high voltage, for example 12 volts. In this case, (shown in dotted lines in FIG. 1), the address bit A8 will not be directly transmitted to the input register 5 of the address signals which is generally in TTL logic. The detector 7 will then preferably be a three-level detector which:
- when it detects a first or a second level
corresponding to the binary logic of the bits
address, switches the address bit MA8 as input
input register 5 and disables its output from
validation V;
- when it detects a third corresponding level
in test mode, it does not switch the address bit
MA8 on input register 5 and activates its output
of validation V.

On notera qu'il est particulièrement avantageux d'utiliser des broches déjà existantes sur le boîtier du circuit mémoire. En effet, il est moins coûteux de rajouter des détecteurs ou des commutateurs logiques sur des broches déjà prévues, que de devoir ajouter des broches supplémentaires dédiées à de nouvelles fonctisons Les boîtiers étant normalisés, ajouter une broche peut obliger à passer au boîtier normalisé supérieur par exemple d'un boîtier 20 broches à un boîtier 24 broches. Note that it is particularly advantageous to use pins already existing on the memory circuit box. Indeed, it is less expensive to add detectors or logic switches on pins already planned, than to have to add additional pins dedicated to new functions. example of a 20-pin box to a 24-pin box.

Le banc de test selon l'invention est alors particulièrement simplifié. Il s'agit, en effet au lieu de transmettre à chacun des circuits mémoire placés dans l'étuve, les signaux d'adresse MA0-MA8, les tensions d'alimentation Vcc, Vss et le signal de sélection du boîtier CE, de transmettre seulement un signal de test
T, un signal d'horloge H et les tensions d'alimentation
Vcc et Vss. Le banc de test selon l'invention est indépendant de la capacité mémoire. Le test en vieillissement est particulièrement simplifié puisque le banc de test n'a plus à générer des séquences d'adresse vers les circuits mémoire placés dans l'étuve. Le circuit d'adressage selon l'invention est réalisé par des circuits logiques dont l'intégration est aisée. Il permet de sérieuses économies et une simplification de la procédure de test.
The test bench according to the invention is then particularly simplified. Instead of transmitting to each of the memory circuits placed in the oven, the address signals MA0-MA8, the supply voltages Vcc, Vss and the selection signal from the box CE, it is a matter of transmitting only a test signal
T, a clock signal H and the supply voltages
Vcc and Vss. The test bench according to the invention is independent of the memory capacity. The aging test is particularly simplified since the test bench no longer has to generate address sequences to the memory circuits placed in the oven. The addressing circuit according to the invention is produced by logic circuits whose integration is easy. It allows serious savings and a simplification of the test procedure.

Claims (7)

REVENDICATIONS 1. Mémoire (1) comportant un registre d'entrée (5) de signaux d'adresse connecté en sortie sur le bus d'adresse (3) du plan mémoire (2), caractérisée en ce qu'elle comporte en outre un circuit d'adressage pour générer des adresses sur le bus d'adresses (3) pour le test de vieillissement du plan mémoire (2), une entrée pour recevoir un signal de test (T) et une entrée pour recevoir un signal d'horloge (H) permettant d'activer le circuit d'adressage et désactiver le registre d'entrée de signaux d'adresses. 1. Memory (1) comprising an input register (5) of address signals connected as an output on the address bus (3) of the memory plane (2), characterized in that it also comprises a circuit for generating addresses on the address bus (3) for the memory plane aging test (2), an input for receiving a test signal (T) and an input for receiving a clock signal ( H) enabling the addressing circuit and deactivating the address signal input register. 2. Mémoire selon la revendication 1, caractérisée en ce que l'entrée pour recevoir le signal d'horloge (H) est l'entrée de sélection (CE) de la mémoire. 2. Memory according to claim 1, characterized in that the input for receiving the clock signal (H) is the selection input (CE) of the memory. 3. Mémoire selon la revendication 2, caractérisée en ce que le circuit d'adressage comporte en outre un générateur d'adresses et un détecteur (7) de niveau, dont l'entrée est connectée à l'entrée pour recevoir un signal de test (T) et dont la sortie délivre un signal de validation (V) pour commander la mise en haute impédance de la sortie (5') du registre d'entrée (5) de signaux d'adresse. 3. Memory according to claim 2, characterized in that the addressing circuit further comprises an address generator and a level detector (7), the input of which is connected to the input for receiving a test signal (T) and the output of which delivers a validation signal (V) to control the high impedance of the output (5 ') of the input register (5) of address signals. 4. Mémoire selon la revendication 2 ou 3, caractérisée en ce que le signal de validation (V) commande la commutation du signal dthorloge (H) sur le générateur d'adresses (6). 4. Memory according to claim 2 or 3, characterized in that the validation signal (V) controls the switching of the clock signal (H) on the address generator (6). 5. Mémoire selon l'une des revendications précédentes, caractérisée en ce que le générateur d'adresses (6) est un compteur (12) rebouclé sur lui-même afin d'effectuer indéfiniment le cycle d'adressage complet du plan mémoire.  5. Memory according to one of the preceding claims, characterized in that the address generator (6) is a counter (12) looped back on itself in order to carry out the complete addressing cycle of the memory plane indefinitely. 6. Mémoire selon la revendication 5, caractérisé en ce que le signal de validation commande la remise à zéro du compteur (12). 6. Memory according to claim 5, characterized in that the validation signal controls the reset of the counter (12). 7. Mémoire selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce que l'entrée de test (T) correspond à un bit d'adresse (MA8) et que le détecteur (7) de niveau est un détecteur trois états, qui sur détection d'un premier (0 volt) ou d'un deuxième niveau (5 volts) applique le bit d'adresse (A8) sur le registre d'entrée (5) des signaux d'adresse et qui, sur détection du niveau de test (T), met la sortie du registre d'entrée (5) des signaux d'adresse en haute impédance et applique le signal d'horloge (H) au générateur d'adresses (6).  7. Memory according to any one of the preceding claims, characterized in that the test input (T) corresponds to an address bit (MA8) and that the level detector (7) is a three-state detector, which on detection of a first (0 volt) or of a second level (5 volts) applies the address bit (A8) to the input register (5) of the address signals and which, on detection of the level test (T), puts the output of the input register (5) of the high impedance address signals and applies the clock signal (H) to the address generator (6).
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Title
PROCEEDINGS OF THE 1989 CUSTOM INTEGRATED CIRCUITS CONFERENCE 15 - 18 Mai 1989, San Diego US, IEEE, New York US, pages 26.1.1 - 26.1.4; SAWADA ET AL.: 'Built-in repair circuit for high-density ASMIC' *

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