FR2591381A1 - Support de memoire magneto-optique - Google Patents
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Abstract
L'invention concerne un support de mémoire magnéto-optique constitué de plusieurs couches. Il comporte un substrat transparent 1 sur lequel sont disposées au moins une couche diélectrique 2 et une couche magnétique 3 d'enregistrement. L'épaisseur de la couche diélectrique est inférieure à l'épaisseur pour laquelle l'indice de performance de lecture est maximal lorsque la longueur d'onde du faisceau lumineux de lecture est de 800 nm. Domaine d'application : supports d'enregistrement et de mémoire utilisant l'effet magnéto-optique de Kerr. (CF DESSIN DANS BOPI)
Description
L'invention concerne un support de mémoire magnéto-optique permettant la lecture d'une information enregistrée magnétiquement au moyen d'un faisceau lumineux de lecture appliqué à ce support et en utilisant l'effet magnéto-optique.
Au cours des dernières années, des études portant sur des supports de mémoire magnéto-optique permettant d'enregistrer un grand volume d'informations à une haute densité et permettant, de plus, l'effacement des informations, se sont poursuivies activement.
Un tel support de mémoire magnéto-optique utilise un film magnétique comme couche d'enregistrement, et il enregistre une information par une inversion partielle de la direction de magnétisation du film magnétique, par exemple par l'application d'un faisceau lumineux condensé sous la forme d'un point. De plus, l'information ainsi enregistrée magnétiquement est lue par l'application d'un faisceau lumineux polarisé linéairement au film magnétique et par l'utilisation de l'effet magnéto-optique. Autrement dit, la direction de polarisation du faisceau lumineux polarisé linéairement est tournée dans un sens correspondant à la direction de magnétisation du film magnétique (rotation magnéto-optique de Kerr) et le faisceau lumineux polarisé linéairement est réfléchi.Cette lumière réfléchie est ensuite reçue, a travers un analyseur, par un élément de conversion photo-électrique, de manière que la rotation dans ladite direction de polarisation soit convertie en une variation d'intensité de la lumière et soit ainsi détectée. Cependant, dans un tel support de mémoire magnéto-optique, l'angle de ladite rotation magnéto-optique de Kerr est petit et il en résulte un problème dû à la faiblesse du signal de lecture détecté.
Ainsi, par exemple, dans la demande de brevet japonais N 25036/1985, etc., il est proposé un procédé qui utilise, en plus du film magnétique, une couche diélectrique ou une couche réfléchissante dans la constitution du support de mémoire magnétooptique pour améliorer la caractéristique de lecture.
Une constitution de couches optimale pour une longueur d'onde particulière est alors étudiée.
Par ailleurs, une source de lumière d'une longueur d'onde de l'ordre de 800 nm est à présent principalement utilisée comme source du faisceau lumineux de lecture appliqué au support de mémoire magnétooptique. Des sources de lumière ayant de plus courtes longueurs d'ondes sont souhaitées du point de vue de la densité d'enregistrement et sont activement étudiées et développées. En conséquence, compte tenu da la future tendance des lasers à semiconducteurs à des longueurs d'ondes plus courtes, on souhaite que, dans un support, la caractéristique de lecture soit constante dans une bande de longueurs d'ondes beaucoup plus large.
Cependant, dans le support de mémoire magnéto-optique décrit dans la demande précitée, seule la lumière de lecture d'une longueur d'onde particulière est prise en considération et lorsque la longueur d'onde de la lumière de lecture est plus courte, il s'avère impossible d'obtenir une lecture suffisante.
L'invention a pour objet d'éliminer l'inconvénient indiqué ci-dessus, propre à l'art antérieur, et de proposer un support de mémoire magnéto-optique permettant d'obtenir une bonne performance de lecture, même lorsque la longueur d'onde de la lumière de lecture est modifiée sur une large bande.
L'objet ci-dessus de la présente invention est concrétisé par la réalisation, dans un support de mémoire magnéto-optique à substrat transparent, d'au moins une couche d'enregistrement comprenant un film magnétique, et d'au moins une couche diélectrique, et capable de lire une information enregistrée magnétiquement sur la couche d'enregistrement par un faisceau lumineux de lecture appliqué à cette couche et par l'utilisation de l'effet magnéto-optique, l'é- paisseur de la couche diélectrique étant inférieure à celle du film pour laquelle l'indice de performance de lecture est maximal lorsque la longueur d'onde du faisceau lumineux de lecture est de 800 nm.
Grâce à une telle conception, dans le support de mémoire magnéto-optique de la présente invention, l'indice de performance de lecture est difficilement affecté par des fluctuations quelconques de la longueur d'onde de la lumière de reproduction et l'indice de performance de la lecture conserve une valeur pouvant etre pratiquement garantie sur une large bande de longueurs d'ondes (on peut mentionner, à titre d'exemple d'intervalles de cette bande de longueurs d'ondes, les plages de 750-840 nm et 550640 nm).
L'invention sera décrite plus en détail en regard des dessins annexés à titre d'exemples nullement limitatifs et sur lesquels
- la figure 1 est un graphique montrant l'indice de performance de lecture F et la réflectivité d'intensité R en fonction de l'épaisseur de la couche diélectrique lorsqu'une information est lue sur un support de mémoire magnéto-optique comportant une couche diélectrique et une couche réfléchissante, au moyen d'un photodétecteur présentant unecaractéris- tique d'auto-multiplication
- la figure 2 est un graphique montrant les dépendances de R et F, vis-à-vis de la longueur d'onde, lorsque, sur la figure 1, l'épaisseur de la couche diélectrique est fixée à 75 nm ;;
- la figure 3 est un graphique montrant les dépendances de R et F vis-à-vis de la longueur d'onde, lorsque, sur la figure 1, l'épaisseur de la couche diélectrique est fixée à 180 nm
- les figures 4 à 8 sont des coupes transversales schématiques montrant des exemples de la constitution du support de mémoire magnéto-optique selon l'invention
- la figure 9 est un graphique montrant l'indice de performance de lecture F et la réflectivité d'intensité R en fonction de l'épaisseur de la couche diélectrique lorsqu'une information est lue sur un support de mémoire magnéto-optique, comportant une couche diélectrique et une couche réfléchissante, au moyen d'un photodétecteur ne possédant pas de caractéristique d'auto-multiplication
- la figure 10 est un graphique montrant les dépendances de R et F vis-à-vis de la longueur d'onde lorsque, sur la figure 9, l'épaisseur de la couche diélectrique est fixée à 75 nm
- la figure 11 est un graphique montrant les dépendances de R et F vis-h-vis de la longueur d'onde lorsque, sur la figure 9, l'épaisseur de la couche diélectrique est fixée à 180 nm ; et
- la figure 12 est un schéma d'un exemple de la construction d'un appareil de reproduction magnétooptique d'informations utilisant le support de mémoire magnéto-optique selon l'invention.
- la figure 1 est un graphique montrant l'indice de performance de lecture F et la réflectivité d'intensité R en fonction de l'épaisseur de la couche diélectrique lorsqu'une information est lue sur un support de mémoire magnéto-optique comportant une couche diélectrique et une couche réfléchissante, au moyen d'un photodétecteur présentant unecaractéris- tique d'auto-multiplication
- la figure 2 est un graphique montrant les dépendances de R et F, vis-à-vis de la longueur d'onde, lorsque, sur la figure 1, l'épaisseur de la couche diélectrique est fixée à 75 nm ;;
- la figure 3 est un graphique montrant les dépendances de R et F vis-à-vis de la longueur d'onde, lorsque, sur la figure 1, l'épaisseur de la couche diélectrique est fixée à 180 nm
- les figures 4 à 8 sont des coupes transversales schématiques montrant des exemples de la constitution du support de mémoire magnéto-optique selon l'invention
- la figure 9 est un graphique montrant l'indice de performance de lecture F et la réflectivité d'intensité R en fonction de l'épaisseur de la couche diélectrique lorsqu'une information est lue sur un support de mémoire magnéto-optique, comportant une couche diélectrique et une couche réfléchissante, au moyen d'un photodétecteur ne possédant pas de caractéristique d'auto-multiplication
- la figure 10 est un graphique montrant les dépendances de R et F vis-à-vis de la longueur d'onde lorsque, sur la figure 9, l'épaisseur de la couche diélectrique est fixée à 75 nm
- la figure 11 est un graphique montrant les dépendances de R et F vis-h-vis de la longueur d'onde lorsque, sur la figure 9, l'épaisseur de la couche diélectrique est fixée à 180 nm ; et
- la figure 12 est un schéma d'un exemple de la construction d'un appareil de reproduction magnétooptique d'informations utilisant le support de mémoire magnéto-optique selon l'invention.
Lors de la lecture d'une information sur un support de mémoire magnéto-optique, entre le cas dans lequel un photodétecteur possédant une caractéristique d'auto-multiplication, tel qu'une photodiode a avalanche, est utilisé, et le cas oum photodétecteur ne présentant pas de caractéristique d'auto-multiplication, tel qu'une photodiode PIN, est utilisé, la cause du bruit dominant diffère et, de façon correspondante, la manière suivant laquelle l'indice de performance de lecture F est calculé diffère.Autrement dit, lorsque la réflectivité d'intensité du support est R et que l'angle de rotation magnéto-optique de
Kerr est de Ok, dans le premier cas, on a
et dans le second cas, on a
F = R.Ok
En conséquence, la constitution souhaitable du support de mémoire magnéto-optique doit être consìdé- rée séparément dans chaque cas. Ainsi, le support de mémoire magnéto-optique sera décrit en premier dans le cas d'un photodétecteur présentant une caractéristique d'auto-multiplication.
Kerr est de Ok, dans le premier cas, on a
et dans le second cas, on a
F = R.Ok
En conséquence, la constitution souhaitable du support de mémoire magnéto-optique doit être consìdé- rée séparément dans chaque cas. Ainsi, le support de mémoire magnéto-optique sera décrit en premier dans le cas d'un photodétecteur présentant une caractéristique d'auto-multiplication.
La figure 1 est un graphique sur lequel sont tracées, en fonction de l'épaisseur d'une couche formée de SiO2, qui constitue un exemple de couche diélectrique, les variations de l'indice de performance de lecture F et de la réflectivité d'intensité R dans le cas où l'on utilise un support de mémoire magnétooptique ayant la constitution en couches suivante: verre/Tb-Fe(10 nm)/Si02/Al. Dans ce cas, l'indice de performance de lecture F est la racine carrée de la réflectivité d'intensité R, multipliée par l'angle de rotation magnéto-optique de Kerre Ok, et est une valeur représentative de la qualité de la caractéristique de lecture.
La figure 1 montre que, lorsque le film de SiO2 a pour épaisseur les valeurs d'environ 75nm et d'environ 180 nm, l'action d'interférence optimale de la lumière de reproduction est provoquée et la valeur maximale de F est obtenue. Les dépendances de
F et R vis-à-vis de la longueur d'onde, lorsque l'épais- seur du film de SiO2 est fixée à 75 nm, sont montrées sur la figure 2. Lorsque la longueur d'onde diminue,
F et R deviennent toutes deux plus petites. En particulier, R est presque nul à la faible longueur d'onde. De plus, les dépendances de F et R vis-à-vis de la longueur d'onde, lorsque l'épaisseur du film de Si02 est fixée à 180 nm, sont montrées sur la figure 3 et on voit que, à ce moment, F est égal à zéro pour une lumière d'une longueur d'onde proche de 600 nm et que l'information enregistrée ne peut pas du tout être lue.Compte tenu de la future tendance des lasers à semiconducteurs à des longueurs d'ondes plus courtes, il est souhaitable que dans un support, F soit constant sur une bande très large de longueurs d'ondes, mais ceci ne peut pas être obtenu avec une telle forme de réalisation.
F et R vis-à-vis de la longueur d'onde, lorsque l'épais- seur du film de SiO2 est fixée à 75 nm, sont montrées sur la figure 2. Lorsque la longueur d'onde diminue,
F et R deviennent toutes deux plus petites. En particulier, R est presque nul à la faible longueur d'onde. De plus, les dépendances de F et R vis-à-vis de la longueur d'onde, lorsque l'épaisseur du film de Si02 est fixée à 180 nm, sont montrées sur la figure 3 et on voit que, à ce moment, F est égal à zéro pour une lumière d'une longueur d'onde proche de 600 nm et que l'information enregistrée ne peut pas du tout être lue.Compte tenu de la future tendance des lasers à semiconducteurs à des longueurs d'ondes plus courtes, il est souhaitable que dans un support, F soit constant sur une bande très large de longueurs d'ondes, mais ceci ne peut pas être obtenu avec une telle forme de réalisation.
En référence au tableau 1 ci-dessous, la présente invention sera à présent décrite sous des formes de réalisation représentatives du support de mémoire magnéto-optique, c'est-à-dire aux points (1) à (4) ci-dessous. Dans le tableau 1, le niveau supérieur de chaque colonne donne un exemple comparatif lorsque l'épaisseur de chaque couche est établie de façon à coincider sensiblement avec la valeur optimale de F, et le niveau inférieur de chaque colonne donne la constitution des couches de la présente invention dans laquelle l'épaisseur de la couche diélectrique est rendue faible afin d'améliorer les dépendances vis-à-vis de la longueur d'onde.
Tableau 1
<SEP> Constitution <SEP> F(800nm) <SEP> F <SEP> (600nm)/F(80nm) <SEP> Variation <SEP> de <SEP> R
<tb> <SEP> (min)
<tb> <SEP> Substrat <SEP> de <SEP> verre/GdTbFeCo <SEP> [Ex. <SEP> Comp.] <SEP> 17,0 <SEP> 0,79 <SEP> 0,421-0,464
<tb> (1-1)Substrat <SEP> de <SEP> verre/ZnS(70 <SEP> nm)/GdTbFeCo <SEP> 26,0
<tb> <SEP> [Ex, <SEP> Comp.]
<tb> <SEP> Substrat <SEP> de <SEP> verreZnS(60 <SEP> nm)/GdTbFeCo <SEP> 25,7 <SEP> 0,73 <SEP> 0,190-0,275
<tb> <SEP> [Invention]
<tb> (1-2)Substrat <SEP> de <SEP> verre/SiC(50 <SEP> nm)/GdTbFeCo <SEP> 30,3 <SEP> 0.82 <SEP> 0,176-0,206
<tb> <SEP> [Ex. <SEP> Comp.]
<tb> <SEP> Substrat <SEP> de <SEP> verre/siC(40 <SEP> nm)/GdTbFeCo <SEP> 26,8 <SEP> 0,67 <SEP> 0,077-0,217
<tb> <SEP> [Invention]
<tb> (2-1) <SEP> Substrat <SEP> da <SEP> verre/GdTbFeCO(40 <SEP> nm)/SiO <SEP> 21,2
<tb> <SEP> [Ex.<SEP> Comp.]
<tb> <SEP> Subatrat <SEP> de <SEP> verre/GdTbFeCo(40 <SEP> nm)/SiO <SEP> 19,3
<tb> <SEP> (230 <SEP> nm)/Al <SEP> [Invention]
<tb> (2-2) <SEP> Substrat <SEP> de <SEP> verre/GdTbFeCo(17 <SEP> nm)/SiO <SEP> 31,3
<tb> <SEP> (65 <SEP> nm)/Al <SEP> [Ex.Comp.]
<tb> <SEP> Substrat <SEP> de <SEP> verre/GdTbFeCo(17 <SEP> nm)/SiO <SEP> 30,4
<tb> <SEP> (50 <SEP> nm)/Al <SEP> [Invention]
<tb> (3-1) <SEP> Substrat <SEP> de <SEP> verre/SiC(50 <SEP> nm)/GdTbFeCo <SEP> 35,7
<tb> <SEP> (40 <SEP> nm)/SiO(250 <SEP> nm)/Al[Ex. <SEP> Comp.] <SEP> 33,0
<tb> <SEP> Substrat <SEP> de <SEP> verre/SiC <SEP> (40 <SEP> nm)/GdTbFeCo <SEP> 35,7
<tb> <SEP> (40 <SEP> nm)/Sio <SEP> (230 <SEP> nm)/Al <SEP> [Invention] <SEP> 33,0
<tb>
<tb> <SEP> (min)
<tb> <SEP> Substrat <SEP> de <SEP> verre/GdTbFeCo <SEP> [Ex. <SEP> Comp.] <SEP> 17,0 <SEP> 0,79 <SEP> 0,421-0,464
<tb> (1-1)Substrat <SEP> de <SEP> verre/ZnS(70 <SEP> nm)/GdTbFeCo <SEP> 26,0
<tb> <SEP> [Ex, <SEP> Comp.]
<tb> <SEP> Substrat <SEP> de <SEP> verreZnS(60 <SEP> nm)/GdTbFeCo <SEP> 25,7 <SEP> 0,73 <SEP> 0,190-0,275
<tb> <SEP> [Invention]
<tb> (1-2)Substrat <SEP> de <SEP> verre/SiC(50 <SEP> nm)/GdTbFeCo <SEP> 30,3 <SEP> 0.82 <SEP> 0,176-0,206
<tb> <SEP> [Ex. <SEP> Comp.]
<tb> <SEP> Substrat <SEP> de <SEP> verre/siC(40 <SEP> nm)/GdTbFeCo <SEP> 26,8 <SEP> 0,67 <SEP> 0,077-0,217
<tb> <SEP> [Invention]
<tb> (2-1) <SEP> Substrat <SEP> da <SEP> verre/GdTbFeCO(40 <SEP> nm)/SiO <SEP> 21,2
<tb> <SEP> [Ex.<SEP> Comp.]
<tb> <SEP> Subatrat <SEP> de <SEP> verre/GdTbFeCo(40 <SEP> nm)/SiO <SEP> 19,3
<tb> <SEP> (230 <SEP> nm)/Al <SEP> [Invention]
<tb> (2-2) <SEP> Substrat <SEP> de <SEP> verre/GdTbFeCo(17 <SEP> nm)/SiO <SEP> 31,3
<tb> <SEP> (65 <SEP> nm)/Al <SEP> [Ex.Comp.]
<tb> <SEP> Substrat <SEP> de <SEP> verre/GdTbFeCo(17 <SEP> nm)/SiO <SEP> 30,4
<tb> <SEP> (50 <SEP> nm)/Al <SEP> [Invention]
<tb> (3-1) <SEP> Substrat <SEP> de <SEP> verre/SiC(50 <SEP> nm)/GdTbFeCo <SEP> 35,7
<tb> <SEP> (40 <SEP> nm)/SiO(250 <SEP> nm)/Al[Ex. <SEP> Comp.] <SEP> 33,0
<tb> <SEP> Substrat <SEP> de <SEP> verre/SiC <SEP> (40 <SEP> nm)/GdTbFeCo <SEP> 35,7
<tb> <SEP> (40 <SEP> nm)/Sio <SEP> (230 <SEP> nm)/Al <SEP> [Invention] <SEP> 33,0
<tb>
(3-2) <SEP> Substrat <SEP> de <SEP> vere/SiO(105nm)/GdTbFeCo <SEP> 35,1
<tb> <SEP> (17 <SEP> nm)/SiO(65 <SEP> nm)/Al <SEP> [Ex.<SEP> Comp.]
<tb> <SEP> Substrat <SEP> de <SEP> verre/SiO(80 <SEP> nm)/GdTbFeCo
<tb> <SEP> (17 <SEP> nm)/SiO(500 <SEP> nm)/Al <SEP> [invention] <SEP> 35,1 <SEP> 0,73 <SEP> 0,107 <SEP> - <SEP> 0,125
<tb> (3-3) <SEP> Substrat <SEP> de <SEP> verre/MgF2(145 <SEP> nm)/SiO
<tb> <SEP> (105 <SEP> nm)/GdTbFeCo(17 <SEP> nm)/SiO(65 <SEP> nm)/ <SEP> 33.6 <SEP> 0,81 <SEP> 0,125 <SEP> - <SEP> 0,164
<tb> <SEP> Al <SEP> [Ex. <SEP> Comp.]
<tb> <SEP> Subetrat <SEP> de <SEP> verre <SEP> MgF2 <SEP> (110 <SEP> nm)/SiO
<tb> <SEP> (80 <SEP> nm)/GdTbFeCo(17 <SEP> nm)/SiO(50 <SEP> nm)/ <SEP> 37,1 <SEP> 0,71 <SEP> 0,084 <SEP> - <SEP> 0,136
<tb> <SEP> Al <SEP> [invention]
<tb> (4-1) <SEP> Substrat <SEP> de <SEP> verre/GdTbFeCo(17 <SEP> nm)/SiO <SEP> 34,7 <SEP> 0,84 <SEP> 0,088 <SEP> - <SEP> 0,126
<tb> <SEP> (55 <SEP> nm)/GdTbFeCo <SEP> [Ex.<SEP> Comp.]
<tb> <SEP> Substrat <SEP> de <SEP> verre/GdTbFeCo(17 <SEP> nm)/SiO <SEP> 25,0 <SEP> 0,54 <SEP> 0,168 <SEP> - <SEP> 0,222
<tb> <SEP> (25 <SEP> nm)/GdTbFeCo <SEP> [Invention] <SEP> 22,3 <SEP> 0,76 <SEP> 0,273 <SEP> - <SEP> 0,327
<tb>
(1) Comme montré sur la figure 4, une couche diélectrique 2 et une couche magnétique 3 ont été appliquées successivement sur un substrat de verre 1 pour former un support de mémoire magnéto-optique.
<tb> <SEP> (17 <SEP> nm)/SiO(65 <SEP> nm)/Al <SEP> [Ex.<SEP> Comp.]
<tb> <SEP> Substrat <SEP> de <SEP> verre/SiO(80 <SEP> nm)/GdTbFeCo
<tb> <SEP> (17 <SEP> nm)/SiO(500 <SEP> nm)/Al <SEP> [invention] <SEP> 35,1 <SEP> 0,73 <SEP> 0,107 <SEP> - <SEP> 0,125
<tb> (3-3) <SEP> Substrat <SEP> de <SEP> verre/MgF2(145 <SEP> nm)/SiO
<tb> <SEP> (105 <SEP> nm)/GdTbFeCo(17 <SEP> nm)/SiO(65 <SEP> nm)/ <SEP> 33.6 <SEP> 0,81 <SEP> 0,125 <SEP> - <SEP> 0,164
<tb> <SEP> Al <SEP> [Ex. <SEP> Comp.]
<tb> <SEP> Subetrat <SEP> de <SEP> verre <SEP> MgF2 <SEP> (110 <SEP> nm)/SiO
<tb> <SEP> (80 <SEP> nm)/GdTbFeCo(17 <SEP> nm)/SiO(50 <SEP> nm)/ <SEP> 37,1 <SEP> 0,71 <SEP> 0,084 <SEP> - <SEP> 0,136
<tb> <SEP> Al <SEP> [invention]
<tb> (4-1) <SEP> Substrat <SEP> de <SEP> verre/GdTbFeCo(17 <SEP> nm)/SiO <SEP> 34,7 <SEP> 0,84 <SEP> 0,088 <SEP> - <SEP> 0,126
<tb> <SEP> (55 <SEP> nm)/GdTbFeCo <SEP> [Ex.<SEP> Comp.]
<tb> <SEP> Substrat <SEP> de <SEP> verre/GdTbFeCo(17 <SEP> nm)/SiO <SEP> 25,0 <SEP> 0,54 <SEP> 0,168 <SEP> - <SEP> 0,222
<tb> <SEP> (25 <SEP> nm)/GdTbFeCo <SEP> [Invention] <SEP> 22,3 <SEP> 0,76 <SEP> 0,273 <SEP> - <SEP> 0,327
<tb>
(1) Comme montré sur la figure 4, une couche diélectrique 2 et une couche magnétique 3 ont été appliquées successivement sur un substrat de verre 1 pour former un support de mémoire magnéto-optique.
Dans tous les exemples suivants, un faisceau lumineux 5 de lecture entre par le côté du substrat de verre 1 et la lumière réfléchie par le support est détectée afin qu'une information soit lue.
(1-1) Dans la constitution en couches substrat de verre/ZnS/GdTbFeCo, Si l'épaisseur du film de ZnS est diminuée de 70 à 60 nm, F varie difficilement à 800 nm (réduction d'environ 3%) mais, à 600 nm, F est amélioré à une réduction de 0,73 fois jusqu'à 0,82 fois pour
F à 800 nm.
F à 800 nm.
(1-2) Dans la constitution en couches substrat de verre/SiC/GdTbFeCo, si l'épaisseur du film de SiC est diminuée de.
50 à 40 nm, F (600)/F (800) est encore amélioré à une réduction de 0,90 fois. Cependant, la réflectivité est considérablement réduite.
(2) Comme montré sur la figure 5, une couche magnétique 3, une couche diélectrique 2 et une couche réfléchissante 4 ont été appliquées successivement sur un substrat de verre 1 pour former un support de mémoire magnéto-optique.
(2-1) Dans la constitution en couches substrat de verre/GdTbFeCo (40 nm)/SiO/Al, l'épaisseur de la couche de GdTbFeCo est grande, et, par conséquent, il n'est pas aussi efficace de faire varier ltépaisseur de la couche diélectrique mais, en combinaison avec (12), on obtient un effet tel que décrit au point (31) ci-dessous.
(2-2) Dans la constitution substrat de verre/GdTbFeCo (17 nm)/SiO/Al, l'épaisseur de la couche magnétique est faible et, par conséquent, si l'épaisseur de la couche diélectrique est rendue faible, F ne varie pas beaucoup à 800 nm, mais la dépendance de F visà-vis de la longueur d'onde est plus grande.
(3) Comme montré sur la figure 6, une première couche diélectrique 219 une couche magnétique 3, une seconde couche diélectrique 22 et une couche réfléchissante 4 ont été appliquées successivement sur un substrat de verre 1 pour former un support de mémoire magnéto-optique. Une troisième couche diélectrique 23 a encore été disposée entre le substrat de verre 1 et la première couche diélectrique 21. Le support de mémoire magnéto-optique montré sur la figure 7 a également été réalisé. La troisième couche diélectrique 23 et la première couche diélectrique 21 ont été formées de matières ayant des indices de réfraction différents.
(3-1) La constitution en couches substrat de verre/SiC/GdTbFeCo (40 nm)/SiO/Al est une combinaison des constitutions données aux points (1-2) et (2-1) et, dans cette forme de réalisation, la dépendance de F vis-à-vis de la longueur d'onde est plus grande.
Dans cette forme de réalisation également, la réflectivité est basse, mais ceci est dû au fait que l'indice de réfraction du SiC est grand et, si on utilise une matière diélectrique ayant un indice de réfraction inférieur à celui du SiC, la réflectivité devient plus élevée.
(3-2) La constitution substrat de verre/SiO/
GdTbFeCo (17 nm)/SiO/Al comprend la constitution en couches du point (2-2) et une couche diélectrique interposée entre le substrat de verre et la couche magnétique et, étant donné que dans la constitution en couches du point (2-2), la réflectivité est déjà considérablement réduite, on utilise du SiO dont l'indice de réfraction est faible.
GdTbFeCo (17 nm)/SiO/Al comprend la constitution en couches du point (2-2) et une couche diélectrique interposée entre le substrat de verre et la couche magnétique et, étant donné que dans la constitution en couches du point (2-2), la réflectivité est déjà considérablement réduite, on utilise du SiO dont l'indice de réfraction est faible.
(3-3) La constitution substrat de verre/MgF2/SiOé(kfflFsCo (17 nm)/SiO/Al comprend la constitution en couches du point (3-2) et une troisième couche diélectrique interposée entre le substrat de verre et la couche diélectrique et, dans cette réalisation, l'épaisseur du film, qui donne A /4 A = longueur d'onde de la lumière) lorsque MgF2 est de 800 nm, est de 145 nm, et l'épaisseur du film qui donne A/4, lorsque MgF2 est de 600 nm, est de 110 nm.
(4) Comme montré sur la figure 8, une première couche magnétique 31 une couche diélectrique 2 et une seconde couche magnétique 32 ont été appliquées successivement sur un substrat de verre 1 pour former un support de mémoire magnéto-optique.
(4-1) La constitution en couches substrat de verre/GdTbFeCo (17 nm)/SiO/GdTbFeCo comporte une couche diélectrique interposée entre deux couches magnétiques, et la seconde couche magnétique a également la fonction de couche réfléchissante.
Dans les deux cas (3) et (4), la dépendance de F vis-à-vis de la longueur d'onde est plus grande.
Dans les formes de réalisation décrites ci-dessus, il est souhaitable que l'épaisseur de la couche diélectrique soit faible afin que la valeur de F, lorsque la longueur d'onde de la lumière de lecture est de 600 nm, soit égale à 75% ou plus de la valeur de F lorsque la longueur d'onde de la lumière de lecture est de 800 nm. Cependant, une trop faible épaisseur réduirait la valeur absolue de F elle-même. Compte tenu de ce point, la valeur optimale de l'épaisseur de la couche diélectrique sera considérée ci-apres.
Le tableau 2 ci-dessous montre les valeurs de F à une longueur d'onde de 800 nm dans le support de mémoire magnéto-optique du type précité (1) dans lequel l'indice de réfraction et l'épaisseur de la couche diélectrique ont été modifiés de façons diverses.
Dans la colonne de gauche du tableau 2, on donne l'indice de réfraction n de la couche diélectrique. Au niveau le plus haut du tableau 2, il est indiqué l'épaisseur h de la couche diélectrique, et une valeur de 100% signifieune épaisseur de film pour laquelle F est maximal à une longueur d'onde de 800 nm, et une valeur de 95% signifie une épaisseur de film qui est égale à 95% de 1-' épaisseur pour laquelle F est maximal à la longueur d'onde de 800 nm. Les valeurs de 90%, 85% et 80% ont également des significations similaires. Le tableau 3 ci-dessous correspond au tableau 2 et montre le rapport de F de chaque support, à 600 nm, à F de chaque support à 800 nm. Les valeurs numériques de la colonne de gauche et du niveau le plus haut du tableau 3 ont des significations similaires à celles du tableau 2.
Plus la valeur de F dans le tableau 2 est grande, plus grand est l'effet d'interférence de la couche diélectrique et meilleure est la caractéristique de lecture, et plus la valeur de F (600 nm)/F (800 nm) est grande dans le tableau 3, meilleure est la dépendance de la caractéristique de lecture du support vis-à-vis de la longueur d'onde. Autrement dit, la fluctuation de la valeur de la caractéristique de lecture est faible, même si la longueur d'onde est modifiée.
Dans les tableaux 2 et 3, les valeurs ne sont données que pour les constitutions dans lesquelles F (600 nm)/F (800 nm)
Tableau 2
Tableau 2
<tb> <SEP> h=100% <SEP> 95% <SEP> 90% <SEP> 85% <SEP> 80%
<tb> n=1,75 <SEP> *1 <SEP> 20,7min
<tb> <SEP> 2 <SEP> 23,8 <SEP> 23,8
<tb> <SEP> 2,25 <SEP> 26,5 <SEP> 26,4
<tb> <SEP> 2,5 <SEP> 28,6 <SEP> 28,4 <SEP> 27,9
<tb> <SEP> 2,75 <SEP> 30,0 <SEP> 29,4 <SEP> 28,5
<tb> <SEP> 3 <SEP> *3 <SEP> 31,2 <SEP> 30,8 <SEP> 29,6 <SEP> *5 <SEP> 28,1
<tb>
F(800nm) = #
Tableau 3
<tb> n=1,75 <SEP> *1 <SEP> 20,7min
<tb> <SEP> 2 <SEP> 23,8 <SEP> 23,8
<tb> <SEP> 2,25 <SEP> 26,5 <SEP> 26,4
<tb> <SEP> 2,5 <SEP> 28,6 <SEP> 28,4 <SEP> 27,9
<tb> <SEP> 2,75 <SEP> 30,0 <SEP> 29,4 <SEP> 28,5
<tb> <SEP> 3 <SEP> *3 <SEP> 31,2 <SEP> 30,8 <SEP> 29,6 <SEP> *5 <SEP> 28,1
<tb>
F(800nm) = #
Tableau 3
<tb> <SEP> h=100% <SEP> 95% <SEP> 90% <SEP> 85% <SEP> 80%
<tb> n=1,75 <SEP> *2 <SEP> 0,76
<tb> <SEP> 2 <SEP> 0,74 <SEP> 0,76
<tb> <SEP> 2,25 <SEP> 0,73 <SEP> 0,76
<tb> <SEP> 2,5 <SEP> 0,70 <SEP> 0,74 <SEP> 0,78
<tb> <SEP> 2,75 <SEP> 0,69 <SEP> 0,74 <SEP> 0,79
<tb> <SEP> 3 <SEP> *4 <SEP> 0,63 <SEP> 0,67 <SEP> 0,72 <SEP> *6 <SEP> 0,80
<tb>
F(600nm)/F(800nm)
On développera à présent ce qui ressort des tableaux 2 et 3. Ainsi que le montre la comparaison des valeurs contenues dans là colonne de h = 100%, si la valeur de n est faible, l'effet d'interférence de la couche diélectrique est également faible et l'effet résultant de la présence de la couche diélectrique n'est pas aussi grand (Voir *1 dans le tableau 2).
<tb> n=1,75 <SEP> *2 <SEP> 0,76
<tb> <SEP> 2 <SEP> 0,74 <SEP> 0,76
<tb> <SEP> 2,25 <SEP> 0,73 <SEP> 0,76
<tb> <SEP> 2,5 <SEP> 0,70 <SEP> 0,74 <SEP> 0,78
<tb> <SEP> 2,75 <SEP> 0,69 <SEP> 0,74 <SEP> 0,79
<tb> <SEP> 3 <SEP> *4 <SEP> 0,63 <SEP> 0,67 <SEP> 0,72 <SEP> *6 <SEP> 0,80
<tb>
F(600nm)/F(800nm)
On développera à présent ce qui ressort des tableaux 2 et 3. Ainsi que le montre la comparaison des valeurs contenues dans là colonne de h = 100%, si la valeur de n est faible, l'effet d'interférence de la couche diélectrique est également faible et l'effet résultant de la présence de la couche diélectrique n'est pas aussi grand (Voir *1 dans le tableau 2).
En conséquence, lorsque la valeur de n est faible, -la dépendance de F vis-à-vis de la longueur d'onde est bonne (voir *2 dans le tableau 3) même si l'épaisseur h de la couche diélectrique est de 100%, mais elle ne convient pas à une utilisation pratique.
Par ailleurs, lorsque la valeur de n est grande, la valeur de F lui-même est grande (*3) si h est 100%, mais la dépendance de F vis-à-vis de la longueur d'onde est mauvaise (*4). Si, à n = 3, h est de 85%, la valeur de F lui-même n'est pas beaucoup réduite (*5), alors que la dépendance de F vis-à-vis de la longueur d'onde est considérablement améliorée (*6). Un effet similaire est également trouvé lorsque h est de 95% ou de 90%.
De plus, lorsque n prend la valeur moyenne comprise entre 1,75 et 3, h est de 100% et la valeur de F est beaucoup plus élevée, et il apparaît l'effet d'interférence, et si h est de 85-95%, la valeur de
F n'est pas beaucoup réduite, alors que la dépendance de F vis-à-vis de la longueur d'onde est plus grande. En conséquence, en utilisant une matière diélectrique d'indice de réfraction élevé, (avantageusement 2 ou plus, et plus avantageusement 2,25 ou plus) et en donnant à l'épaisseur du film, une valeur comprise entre 85 et 95% de l'épaisseur optimale à 800 nm, on peut maintenir la valeur de F lui-même d'une façon pratiquement sûre, et de plus, la dépendance de F vis-à-vis de la longueur d'onde peut être améliorée.
F n'est pas beaucoup réduite, alors que la dépendance de F vis-à-vis de la longueur d'onde est plus grande. En conséquence, en utilisant une matière diélectrique d'indice de réfraction élevé, (avantageusement 2 ou plus, et plus avantageusement 2,25 ou plus) et en donnant à l'épaisseur du film, une valeur comprise entre 85 et 95% de l'épaisseur optimale à 800 nm, on peut maintenir la valeur de F lui-même d'une façon pratiquement sûre, et de plus, la dépendance de F vis-à-vis de la longueur d'onde peut être améliorée.
Un support de mémoire magnéto-optique du type (2) décrit ci-dessus, ayant la constitution substrat de verre/couche magnétique (GdTbFeCo, 17 nm)/couche diélectrique (n = 1,23 - 3)/couche réfléchissante (Al) a été réalisé, et l'indice de performance de lecture a été établi de la même manière que dans les exemples ci-dessus.
Ainsi qu'il ressort de la figure 1, dans une constitution de ce type, en prenant en considération l'intervalle O-A/2n (A = longueur d'onde de la lomière) de h, il y a deux valeurs de h pour lesquelles F prend une valeur maximale. Dans le cas où l'épaisseur du film prend la seconde valeur maximale, F est égal à zéro au voisinage de la longueur d'onde de 600 nm, comme montré sur la figure 3 et, par conséquent, la dépendance de F vis-à-vis de la longueur -d'onde est particulièrement mauvaise. Les épaisseurs des films au voisinage de la première valeur maximale seront donc considérées ci-dessous.
Tableau 4
<tb> <SEP> h=100% <SEP> 95% <SEP> 908 <SEP> 85% <SEP> 80%
<tb> n=1,25 <SEP> 32,0min <SEP> 31,9 <SEP> 31,8 <SEP> 31,6 <SEP> 31,4
<tb> <SEP> 1,5 <SEP> 31,6 <SEP> 31,6 <SEP> 31,4 <SEP> 31,2 <SEP> 30,9
<tb> <SEP> 1,75 <SEP> 31,2 <SEP> <SEP> 31,1 <SEP> 3019 <SEP> 30,6
<tb> <SEP> 2 <SEP> 30,8 <SEP> <SEP> 30,7 <SEP> 30,6 <SEP> 30,3 <SEP> 29,9
<tb> <SEP> 2,25 <SEP> 30w4 <SEP> <SEP> 30,3 <SEP> 30,2 <SEP> 29,9 <SEP> 29,4
<tb> <SEP> 2,5 <SEP> 299 <SEP> <SEP> 29,9 <SEP> <SEP> 29w7 <SEP> <SEP> 29,4 <SEP> 28,9
<tb> <SEP> 2,75 <SEP> 29Z4 <SEP> <SEP> 29,3 <SEP> 29,1 <SEP> 28,7 <SEP> : <SEP> 28,2 <SEP>
<tb> <SEP> 3 <SEP> 28,9 <SEP> 28,7 <SEP> 28,4 <SEP> 27,9 <SEP>
<tb> F(8,ÔOnm) =ffRek
Tableau 5
<tb> n=1,25 <SEP> 32,0min <SEP> 31,9 <SEP> 31,8 <SEP> 31,6 <SEP> 31,4
<tb> <SEP> 1,5 <SEP> 31,6 <SEP> 31,6 <SEP> 31,4 <SEP> 31,2 <SEP> 30,9
<tb> <SEP> 1,75 <SEP> 31,2 <SEP> <SEP> 31,1 <SEP> 3019 <SEP> 30,6
<tb> <SEP> 2 <SEP> 30,8 <SEP> <SEP> 30,7 <SEP> 30,6 <SEP> 30,3 <SEP> 29,9
<tb> <SEP> 2,25 <SEP> 30w4 <SEP> <SEP> 30,3 <SEP> 30,2 <SEP> 29,9 <SEP> 29,4
<tb> <SEP> 2,5 <SEP> 299 <SEP> <SEP> 29,9 <SEP> <SEP> 29w7 <SEP> <SEP> 29,4 <SEP> 28,9
<tb> <SEP> 2,75 <SEP> 29Z4 <SEP> <SEP> 29,3 <SEP> 29,1 <SEP> 28,7 <SEP> : <SEP> 28,2 <SEP>
<tb> <SEP> 3 <SEP> 28,9 <SEP> 28,7 <SEP> 28,4 <SEP> 27,9 <SEP>
<tb> F(8,ÔOnm) =ffRek
Tableau 5
<tb> <SEP> h=100% <SEP> 95% <SEP> 90% <SEP> 85% <SEP> 80%
<tb> n=1,25 <SEP> 0,69 <SEP> 0,71 <SEP> 0,72 <SEP> 0,74 <SEP> 0,75
<tb> <SEP> 1,5 <SEP> 0,67 <SEP> 0,70 <SEP> 0,72 <SEP> 0,74 <SEP> 0,76
<tb> <SEP> 1,75 <SEP> 0,67 <SEP> 0,70 <SEP> 0,73 <SEP> 0,75
<tb> <SEP> 2 <SEP> 0,63 <SEP> 0,67 <SEP> 0,71 <SEP> 0,74 <SEP> 0,77
<tb> <SEP> 2,25 <SEP> 0,58 <SEP> 0,64 <SEP> 0,69 <SEP> 0,73 <SEP> 0,76
<tb> <SEP> 2,5 <SEP> 0,54 <SEP> 0,62 <SEP> 0,67 <SEP> 0,72 <SEP> 0,76
<tb> <SEP> 2,75 <SEP> 0,54 <SEP> 0.61 <SEP> 0,68 <SEP> 0,73 <SEP> 0,76
<tb> <SEP> 3 <SEP> 0,57 <SEP> 0,65 <SEP> 0,71 <SEP> 0X76 <SEP>
<tb>
F(600nm)/F(800nm)
Le tableau 4 montre la valeur de F à 800 nm dans le cas d'un support de mémoire magnéto-optique du type (2) dans lequel l'indice de réfraction et l'épaisseur de la matière diélectrique ont été modifiés de façonsdiverses,et ce tableau est similaire au tableau 2. Le tableau 5 indique le rapport de F desdits divers supports, à 600 nm, à F des supports, à 800 nm, et il est similaire au tableau 3.
<tb> n=1,25 <SEP> 0,69 <SEP> 0,71 <SEP> 0,72 <SEP> 0,74 <SEP> 0,75
<tb> <SEP> 1,5 <SEP> 0,67 <SEP> 0,70 <SEP> 0,72 <SEP> 0,74 <SEP> 0,76
<tb> <SEP> 1,75 <SEP> 0,67 <SEP> 0,70 <SEP> 0,73 <SEP> 0,75
<tb> <SEP> 2 <SEP> 0,63 <SEP> 0,67 <SEP> 0,71 <SEP> 0,74 <SEP> 0,77
<tb> <SEP> 2,25 <SEP> 0,58 <SEP> 0,64 <SEP> 0,69 <SEP> 0,73 <SEP> 0,76
<tb> <SEP> 2,5 <SEP> 0,54 <SEP> 0,62 <SEP> 0,67 <SEP> 0,72 <SEP> 0,76
<tb> <SEP> 2,75 <SEP> 0,54 <SEP> 0.61 <SEP> 0,68 <SEP> 0,73 <SEP> 0,76
<tb> <SEP> 3 <SEP> 0,57 <SEP> 0,65 <SEP> 0,71 <SEP> 0X76 <SEP>
<tb>
F(600nm)/F(800nm)
Le tableau 4 montre la valeur de F à 800 nm dans le cas d'un support de mémoire magnéto-optique du type (2) dans lequel l'indice de réfraction et l'épaisseur de la matière diélectrique ont été modifiés de façonsdiverses,et ce tableau est similaire au tableau 2. Le tableau 5 indique le rapport de F desdits divers supports, à 600 nm, à F des supports, à 800 nm, et il est similaire au tableau 3.
Dans les deux tableaux 4 et 5, les valeurs ne sont données que pour les constitutions dans lesquelles F (600 nm)/F (700 nm)
On voit, d'après les tableaux 4 et 5, que dens la constitution du type (2), à la différence du type (1), un indice de réfraction n plus faible de la couche diélectrique pour h = 100% a pour résultat une meilleure valeur de F lui-même et une meilleure dépendance de
F vis-à-vis de la longueur d'onde.On voit également que l'utilisation d'une matière diélectrique à faible valeur de n, par exemple n = 1,25 ou 1,5, pour la couche diélectrique, a également pour résultat une dépendance encore meilleure de F vis-à-vis de la longueur d'onde si h est de 95-80% et que, même dans le cas où l'on doit utiliser une matière diélectrique à forte valeur de n pour des raisons de résistance à la corrosion et de réalisation du film, l'adoption d'une valeur de h de 95-80% peut améliorer la -dépendance de F visà-vis de la longueur d'onde sans réduire beaucoup la valeur de F.
On voit, d'après les tableaux 4 et 5, que dens la constitution du type (2), à la différence du type (1), un indice de réfraction n plus faible de la couche diélectrique pour h = 100% a pour résultat une meilleure valeur de F lui-même et une meilleure dépendance de
F vis-à-vis de la longueur d'onde.On voit également que l'utilisation d'une matière diélectrique à faible valeur de n, par exemple n = 1,25 ou 1,5, pour la couche diélectrique, a également pour résultat une dépendance encore meilleure de F vis-à-vis de la longueur d'onde si h est de 95-80% et que, même dans le cas où l'on doit utiliser une matière diélectrique à forte valeur de n pour des raisons de résistance à la corrosion et de réalisation du film, l'adoption d'une valeur de h de 95-80% peut améliorer la -dépendance de F visà-vis de la longueur d'onde sans réduire beaucoup la valeur de F.
Les tableaux 4 et 5 se réfèrent à un cas dans lequel de l'aluminium est utilisé pour la couche réfléchissante, mais il en est de même lorsque d'autres métaux sont utilisés.
Un essai similaire a été effectué sur la mémoire magnéto-optique du type (3) précité ayant la constitution substrat de verre/couche diélectrique (A)/couche magnétique/couche diélectrique (B)/couche réfléchissante.
Cette constitution est une combinaison de la constitution du type (1) et de la constitution du type (2) et, comme précédemment, on a établi qu'en donnant à l'épaisseur de la couche diélectrique une valeur comprise entre 95 et 80% de l'épaisseur optimale du film à 800 nm, on pouvait améliorer la dépendance de F vis-à-vis de la longueur d'onde sans que la valeur deF lui-même soit notablement réduite. A cet effet, l'épaisseur de l'une des couches diélectriques (A) et (B) peut être rendue quelque peu plus faible, mais il est plus efficace de donner -de faibles épaisseurs aux deux couches.
Dans l'un quelconque des supports de mémoire magnéto-optique des types (1), (2) et (3), la dépendance de F vis-à-vis de la longueur d'onde est améliorée par le fait que l'épaisseur de la couche diélectrique est faible, et ceci résulte du fait que la longueur d'onde, à laquelle l'effet d'interférence se produit intensément, est plus courte à partir du voisinage de 800 nm, en donnant une faible épaisseur à la couche diélectrique et en atténuant ainsi la réduction de F.
Certaines formes de réalisation seront à présent décrites.
Dans une première forme de réalisation d'un support de mémoire magnéto-optique ayant la constitution substrat de verre/SiC/GdTbFeCo, l'épaisseur optimale du film de SiC à une longueur d'onde de 800 nm était d'environ 50 nm, et la valeur de F s'élevait alors à 30,3 min, mais F (600 nm)/F (800 nm) ne dépassait pas 0,67. Lorsque l'on a donné à l'épaisseur du film de SiC une valeur de 90% de 50 nm, c'est-à-dire 45 nm, F (800 nm) n'a pas beaucoup varié, c'est-à-dire était de 29,2 min, alors que F (600 nm)/F (800 nm) a pu être amélioré jusqu'à 0,76.
Dans une deuxième forme de réalisation du support de mémoire magnéto-optique ayant la constitution substrat de verre/GdTbFeCo (17 nm)/SiO/Al, l'épaisseur optimale du film de SiO à une longueur d'onde de 800nm était d'environ 65 nm, et la valeur-de F s'élevait alors à 31,3 min, mais la valeur de F (600 nm)/F (800 nm) ne dépassait pas 0,64. Lorsque l'on a donné à 1 'épaisseur du film de SiO une valeur égale à 80% de 65 nm, c'està-dire 52 nm, F (800 nm) n'a pas beaucoup varié, c'està-dire était de 30,6 min, mais F (600 nm)/F (800 nm) a pu être amélioré jusqu'à 0,75.
Dans une troisième forme de réalisation d'un support de mémoire magnéto-optique ayant la constitution substrat de verre/Si0(A)/GdTbFeCo (17 nm)/Si0(B)/Al, l'épaisseur optimale du film de SiO(A) à une longueur d'onde de 800 nm était d'environ 105 nm et. l'épaisseur optimale du film de SiO(B), à une longueur de 800 cran, était d'environ 65 nm, et la valeur, de P s'élevait alors à 31,1 min, mais F (600 nm)/F (800 nm) était de 0,73.Lorsque l'épaisseur du film de SiO(A) a été établie à une valeur égale à 80% de 105 nm, c'està-dire 84 nm, et que l'épaisseur du film de SiO(B) a été établie à une valeur égale à 80% de 65 nm, c'està-dire 52 nm, F (800 nm) n'a pas beaucoup varié, c'est- S-dire était de 33,9 min, mais F (600 nm)/F (800 nm) a pu être amélioré jusqu'à 0,80.
On décrira à présent le support de mémoire magnéto-optique appliqué au cas où un photodétecteur ne possède pas decaractéristique: d'auto-multiplication.
La figure 9 est un graphique sur lequel sont tracées les variations de F et de R, dans un support de mémoire magnéto-optique ayant la constitution substrat de verre/couche magnétique : Tb-Fe (10 nm)/SiO2/couche
Al en fonction de l'épaisseur du film de SiO2 (longueur d'onde de la lumière = 800 nm). F est ici l'indice de performance de lecture dans le cas ou un photodétecteur ne possédant pas de caractéristique d'auto-multiplication, tel qu'une photodiode PIN, est utilisé, et cet indice de performance de lecture est égal à la réflecti- vité d'intensité R, multipliée par l'angle de rotation magnéto-optique de Kerr Gk et est une quantité représentative de la qualité de la caractéristique de lecture.
Al en fonction de l'épaisseur du film de SiO2 (longueur d'onde de la lumière = 800 nm). F est ici l'indice de performance de lecture dans le cas ou un photodétecteur ne possédant pas de caractéristique d'auto-multiplication, tel qu'une photodiode PIN, est utilisé, et cet indice de performance de lecture est égal à la réflecti- vité d'intensité R, multipliée par l'angle de rotation magnéto-optique de Kerr Gk et est une quantité représentative de la qualité de la caractéristique de lecture.
La figure 9 montre que, lorsque l'épaisseur de la couche diélectrique (SiO2) a pour valeurs environ 45 et 200 nm, l'action d'interférence optimale de la lumière de reproduction est provoquée et la valeur maximale de Fest obtenue. Les dépendances de F et de
R vis-à-vis de la longueur d'onde, lorsque l'épaisseur du film de SiO2 est fixée à 75 nm, sont données sur la figure 10. Lorsque la longueur d'onde devient plus courte, F et R diminuent considérablement. De plus, les dépendances de F et de R vis-à-vis de la longueur d'onde, lorsque l'épaisseur du film de Si02 est fixée à 200 nm, sont montrées sur la figure 11. On voit qu'à ce moment, F devient égal à 0 pour une lumière ayant une longueur d'onde proche de 650 nm et qu'aucune information enregistrée ne peut du tout être lue.En tenant compte de la tendance future des lasers à semiconducteurs à des longueurs d'ondes plus courtes, on souhaite que, dans un support, F soit constant sur une bande très large de longueur d'onde, mais ceci ne peut pas être obtenu avec un support de mémoire magnéto-optique ayant une telle constitution de couches.
R vis-à-vis de la longueur d'onde, lorsque l'épaisseur du film de SiO2 est fixée à 75 nm, sont données sur la figure 10. Lorsque la longueur d'onde devient plus courte, F et R diminuent considérablement. De plus, les dépendances de F et de R vis-à-vis de la longueur d'onde, lorsque l'épaisseur du film de Si02 est fixée à 200 nm, sont montrées sur la figure 11. On voit qu'à ce moment, F devient égal à 0 pour une lumière ayant une longueur d'onde proche de 650 nm et qu'aucune information enregistrée ne peut du tout être lue.En tenant compte de la tendance future des lasers à semiconducteurs à des longueurs d'ondes plus courtes, on souhaite que, dans un support, F soit constant sur une bande très large de longueur d'onde, mais ceci ne peut pas être obtenu avec un support de mémoire magnéto-optique ayant une telle constitution de couches.
Le support de mémoire magnéto-optique selon l'invention sera à présent décrit å titre d'exemple en référence au tableau 6 ci-dessous. Dans le tableau 6, le niveau supérieur de chaque colonne donne le résultat de la mesure du support de mémoire magnéto-optique classique dans lequel l'épaisseur de chaque couche est établie de façon à coïncider sensiblement avec la valeur optimale de F à 800 nm, et le niveau inférieur donne le résultat de la mesure d'un support de mémoire magnéto-optique possédant la constitution des couches de la présente invention, dans laquelle l'épaisseur de la couche diélectrique est rendue faible afin que la dépendance vis-à-vis de la longueur d'onde soit meilleure.
Tableau 6
<SEP> Constitution <SEP> F(800nm) <SEP> F(600nm)/F(800nm) <SEP> Variation <SEP> de <SEP> R
<tb> <SEP> (min)
<tb> (2-3) <SEP> Sutstrat <SEP> de <SEP> verre/GdTbFeCo <SEP> (17 <SEP> nm)/SiO
<tb> <SEP> (40 <SEP> nm)/Al <SEP> [Ex. <SEP> comp.] <SEP> 15,2 <SEP> 0,74 <SEP> 0,227 <SEP> - <SEP> 0,282
<tb> <SEP> Substrat <SEP> de <SEP> verre/GdTbFeCo <SEP> (17 <SEP> nm)/SiO
<tb> <SEP> (30 <SEP> nm)/Al <SEP> [Invention] <SEP> 14,8 <SEP> 0,82 <SEP> 0,281 <SEP> - <SEP> 0,334
<tb> (3-4) <SEP> Substrat <SEP> de <SEP> verre/SiO(220 <SEP> nm)/GdTbFeCo
<tb> <SEP> (17 <SEP> nm)/SiO(40 <SEP> nm)/Al <SEP> [Ex.<SEP> comp.] <SEP> 15,2 <SEP> 0,68 <SEP> 0,165 <SEP> - <SEP> 0,291
<tb> <SEP> Sutsrat <SEP> de <SEP> verre/SiO(200 <SEP> nm)/GdTbFeCo
<tb> <SEP> (17 <SEP> nm)/SiO(30 <SEP> nm)/Al <SEP> [Invention] <SEP> 14,6 <SEP> 0,81 <SEP> 0,245 <SEP> - <SEP> 0,346
<tb>
Dans la constitution en couches substrat de verre/GdTbFeCo (17 nm)/SiO/Al du type (2) décrit précédemment, si l'épaisseur de la couche diélectrique (SiO) est diminuée de 40 à 30nm,
F n'est pas beaucoup modifié à 800 nm, c'est-à-dire passe de 15,2 min à 14,8 min, mais, à 600 nm, F est de 0,74 fois à 0,82 fois plus grand que la valeur présentée à 800 nm et la dépendance de P vis-à-vis de la longueur d'onde est améliorée.
<tb> <SEP> (min)
<tb> (2-3) <SEP> Sutstrat <SEP> de <SEP> verre/GdTbFeCo <SEP> (17 <SEP> nm)/SiO
<tb> <SEP> (40 <SEP> nm)/Al <SEP> [Ex. <SEP> comp.] <SEP> 15,2 <SEP> 0,74 <SEP> 0,227 <SEP> - <SEP> 0,282
<tb> <SEP> Substrat <SEP> de <SEP> verre/GdTbFeCo <SEP> (17 <SEP> nm)/SiO
<tb> <SEP> (30 <SEP> nm)/Al <SEP> [Invention] <SEP> 14,8 <SEP> 0,82 <SEP> 0,281 <SEP> - <SEP> 0,334
<tb> (3-4) <SEP> Substrat <SEP> de <SEP> verre/SiO(220 <SEP> nm)/GdTbFeCo
<tb> <SEP> (17 <SEP> nm)/SiO(40 <SEP> nm)/Al <SEP> [Ex.<SEP> comp.] <SEP> 15,2 <SEP> 0,68 <SEP> 0,165 <SEP> - <SEP> 0,291
<tb> <SEP> Sutsrat <SEP> de <SEP> verre/SiO(200 <SEP> nm)/GdTbFeCo
<tb> <SEP> (17 <SEP> nm)/SiO(30 <SEP> nm)/Al <SEP> [Invention] <SEP> 14,6 <SEP> 0,81 <SEP> 0,245 <SEP> - <SEP> 0,346
<tb>
Dans la constitution en couches substrat de verre/GdTbFeCo (17 nm)/SiO/Al du type (2) décrit précédemment, si l'épaisseur de la couche diélectrique (SiO) est diminuée de 40 à 30nm,
F n'est pas beaucoup modifié à 800 nm, c'est-à-dire passe de 15,2 min à 14,8 min, mais, à 600 nm, F est de 0,74 fois à 0,82 fois plus grand que la valeur présentée à 800 nm et la dépendance de P vis-à-vis de la longueur d'onde est améliorée.
Dans la constitution en couches substrat de verre/Si0(A)/GdTbFeCo(17 nm)/SiO(B)/Al du type (3) décrit ci-dessus, si l'épaisseur de la couche de SiO(A) est réduite de 220 à 200 nm et que l'épaisseur de la couche de SiO(B) est réduite de 40 à 30 nm,
F (600 nm)/F (800 nm) est amélioré en passant de 0,68 à 0,81 et, de plus, la valeur de F (800 nm) est à peine réduite.
F (600 nm)/F (800 nm) est amélioré en passant de 0,68 à 0,81 et, de plus, la valeur de F (800 nm) est à peine réduite.
Dans un support de mémoire magnéto-optique de cette constitution, suivant la manière dont les matières des couches diélectrique et magnétique sont choisies, F (600 nm)/F (800 nm) peut être porté â une valeur de 0,80 ou plus simplement par une diminution de l'épaisseur d'une seule des deux couches diélectriques. Cependant, si l'épaisseur de l'une des deux couches diélectriques est rendue trop faible, la valeur absolue de F lui-même est également réduite. Compte tenu de ce point, la valer optimale de l'épaisseur de la couche diélectrique sera à présent considérée.
Le tableau 7 ci-dessous donne les valeurs de l'indice de performance de lecture F lorsque l'indice de réfraction et l'épaisseur de la couche diélectrique sont modifiés diversement dans un support de mémoire magnéto-optique du type (2) dcrît précédemment, ayant la constitution substrat de verre/couche magnétique (GdTbFeCo, 17 nm)/couche diélectrique (n = 1,25-3)/ couche réfléchissante CAl).
Ainsi qu'il ressort de la figure 9, dans le support de mémoire magnéto-optique de la constitution en couches du type (2), en considérant l'épaisseur h de la couche diélectrique dans la plage de O - /2n (S = longueur d'onde de la lumière, n = indice de réfraction- de la couche diélectrique), on obtient deux valeurs de h pour lesquelles F présente la valeur maximale. A l'épaisseur du film qui établit la seconde valeur maximale, F devient O au voisinage d'une longueur d'ondé de 650 nm, comme montré sur la figure 11 et, par conséquent, la dépendance vis-à-vis de la longueur d'onde est particulièrement mauvaise. On considérera donc ciaprès une épaisseur de film au voisinage de la première valeur maximale.
Tableau 7
<tb> <SEP> n=100% <SEP> 95% <SEP> 90% <SEP> 85% <SEP> 80% <SEP> 75%
<tb> n=1,25 <SEP> 15.3 <SEP> 15,3 <SEP> 15,3 <SEP> 15,3 <SEP> 15,2 <SEP> 15,1
<tb> <SEP> min
<tb> <SEP> 1,5 <SEP> 15,2 <SEP> 15,2 <SEP> 15,2 <SEP> 15,2 <SEP> 15,1 <SEP> 15,0
<tb> <SEP> 1,75 <SEP> 15,1 <SEP> 15,1 <SEP> 15,1 <SEP> 15,0 <SEP> 14,9
<tb> <SEP> 2 <SEP> 15,0 <SEP> 15,0 <SEP> 14,9 <SEP> 14,8
<tb> <SEP> 2,25 <SEP> 14,9 <SEP> 14,9 <SEP> 14,9 <SEP> 14,8 <SEP> 14,7
<tb> <SEP> 2,5 <SEP> 14,8 <SEP> 14,7 <SEP> 14,7 <SEP> 14,6
<tb> <SEP> 2,75 <SEP> 14,7 <SEP> 14,7 <SEP> 14,6 <SEP> 14,6 <SEP> 14,5
<tb> <SEP> 3 <SEP> 14,5 <SEP> 14,5 <SEP> 14,4
<tb>
F(800nm) = R . 0k
Tableau 8
<tb> n=1,25 <SEP> 15.3 <SEP> 15,3 <SEP> 15,3 <SEP> 15,3 <SEP> 15,2 <SEP> 15,1
<tb> <SEP> min
<tb> <SEP> 1,5 <SEP> 15,2 <SEP> 15,2 <SEP> 15,2 <SEP> 15,2 <SEP> 15,1 <SEP> 15,0
<tb> <SEP> 1,75 <SEP> 15,1 <SEP> 15,1 <SEP> 15,1 <SEP> 15,0 <SEP> 14,9
<tb> <SEP> 2 <SEP> 15,0 <SEP> 15,0 <SEP> 14,9 <SEP> 14,8
<tb> <SEP> 2,25 <SEP> 14,9 <SEP> 14,9 <SEP> 14,9 <SEP> 14,8 <SEP> 14,7
<tb> <SEP> 2,5 <SEP> 14,8 <SEP> 14,7 <SEP> 14,7 <SEP> 14,6
<tb> <SEP> 2,75 <SEP> 14,7 <SEP> 14,7 <SEP> 14,6 <SEP> 14,6 <SEP> 14,5
<tb> <SEP> 3 <SEP> 14,5 <SEP> 14,5 <SEP> 14,4
<tb>
F(800nm) = R . 0k
Tableau 8
<tb> <SEP> h=100% <SEP> 95% <SEP> 90% <SEP> 85% <SEP> 80% <SEP> 75%
<tb> n=1,25 <SEP> 0,74 <SEP> 0,75 <SEP> 0,76 <SEP> 0,7 <SEP> 0,78 <SEP> 0,80
<tb> <SEP> 1,5 <SEP> 0,74 <SEP> 0,75 <SEP> 0,76 <SEP> 0,78 <SEP> 0,79 <SEP> 0,80
<tb> <SEP> 1,75 <SEP> 0,74 <SEP> 0,75 <SEP> 0Z77 <SEP> 0,79 <SEP> 0,80
<tb> <SEP> 2 <SEP> 0,75 <SEP> 0,77 <SEP> 0,78 <SEP> 0,80
<tb> <SEP> 2,25 <SEP> 0,71 <SEP> 0,73 <SEP> 0,75 <SEP> 0,77 <SEP> 0,79
<tb> <SEP> 2,5 <SEP> 0,74 <SEP> 0,76 <SEP> 0,78 <SEP> 0,80
<tb> <SEP> 2y75 <SEP> 0,68 <SEP> 0,71 <SEP> 0,74 <SEP> 0,77 <SEP> 0,79
<tb> <SEP> 3 <SEP> 0,74 <SEP> 0,76 <SEP> 0y79 <SEP>
<tb>
F(600nm)/F(800nm)
Dans la colonne de gauche du tableau 7, on donne l'indice de réfraction n de la couche diélectrique.
<tb> n=1,25 <SEP> 0,74 <SEP> 0,75 <SEP> 0,76 <SEP> 0,7 <SEP> 0,78 <SEP> 0,80
<tb> <SEP> 1,5 <SEP> 0,74 <SEP> 0,75 <SEP> 0,76 <SEP> 0,78 <SEP> 0,79 <SEP> 0,80
<tb> <SEP> 1,75 <SEP> 0,74 <SEP> 0,75 <SEP> 0Z77 <SEP> 0,79 <SEP> 0,80
<tb> <SEP> 2 <SEP> 0,75 <SEP> 0,77 <SEP> 0,78 <SEP> 0,80
<tb> <SEP> 2,25 <SEP> 0,71 <SEP> 0,73 <SEP> 0,75 <SEP> 0,77 <SEP> 0,79
<tb> <SEP> 2,5 <SEP> 0,74 <SEP> 0,76 <SEP> 0,78 <SEP> 0,80
<tb> <SEP> 2y75 <SEP> 0,68 <SEP> 0,71 <SEP> 0,74 <SEP> 0,77 <SEP> 0,79
<tb> <SEP> 3 <SEP> 0,74 <SEP> 0,76 <SEP> 0y79 <SEP>
<tb>
F(600nm)/F(800nm)
Dans la colonne de gauche du tableau 7, on donne l'indice de réfraction n de la couche diélectrique.
Au niveau le plus haut du tableau 7, il est indiqué l'épaisseur h de la couche diélectrique, et une valeurde 100% signifie l'épaisseur du film pour laquelle
F est maximal à une longueur d'onde de 800 nm, etue valeur de 95X signifie l'épaisseur du film égale à 95% de l'épaisseur pour laquelle F est maximal à la longueur d'onde de 800 nm. Les valeurs de 90%, 85% et 80% ont également des significations similaires.
F est maximal à une longueur d'onde de 800 nm, etue valeur de 95X signifie l'épaisseur du film égale à 95% de l'épaisseur pour laquelle F est maximal à la longueur d'onde de 800 nm. Les valeurs de 90%, 85% et 80% ont également des significations similaires.
Le tableau 8 correspond au tableau 7 et montre le rapport de F pour chaque support du tableau 7, à 600nm.
Les valeurs numériques de la colonne de gauche et du niveau supérieur du tableau 8 ont une signification similaire à celles du tableau 7.
Plus la valeur de F dans le tableau 7 est grande, plus grand est l'effet d'interférence dans la couche diélectrique et plus grande est la valeur de F (600 nm)/F (800 nm), meilleure est la dépendance du support vis-à-vis de la longueur d'onde, c'està-dire plus faible est la fluctuation de la valeur de la caractéristique de lecture même si la longueur d'onde change. Dans le tableau 7, il n'est donné que les valeurs de F (800 nm) pour lesquelles la réduction est en-deçà de 0,2 min par rapport à la valeur de
F (800 nm) à h = 100% et le tableau 8 donne les valeurs qui correspondent. Lorsque h < 75%, F (800 nm) est beaucoup trop réduit (1 min ou plus) et ceci n'est pas possible en pratique.
F (800 nm) à h = 100% et le tableau 8 donne les valeurs qui correspondent. Lorsque h < 75%, F (800 nm) est beaucoup trop réduit (1 min ou plus) et ceci n'est pas possible en pratique.
Le développement donné ci-après ressort des tableaux 7 et 8. Dans le support du type (2), pour n = 100%, une valeur plus petite de l'indice de réfraction n de la couche diélectrique a pour résultat une plus grande valeur de F. L'épaisseur de la couche diélectrique, qui peut atténuer la réduction de F (800 nm) (en-deçà de 1 min) et améliorer la valeur de F (600 nm)/F (800 nm) est comprise entre h = 95% et h = 75%, que n soit faible ou grand et, lorsque n est grand, h > 80%.
Les tableaux 7 et 8 se réfèrent à un cas dans lequel de l'aluminium est utilisé pour la couche réfléchissante, mais il en est de même lorsque d'autres métaux sont utilisés.
Le support du type (3), ayant la conbstitution substrat de verre/couche diélectrique (A)/couche magnétique/couche diélectrique (B)/couche réfléchissante, sera à présent considéré.
Le support du type (3) comprend le support du type (2) et une couche diélectrique interposée entre le substrat de verre et la couche magnétique et, grâce à l'épaisseur de la couche diélectrique établie à une valeur comprise entre 95 et 75% de l'épaisseur du film pour laquelle F (800 nm) est maximal, on peut améliorer la dépendance de F vis-à-vis de la longueur d'onde, (F (600 mn)/F (800 nm) peut être améliorée de l'ordre de 0,8), sans que la valeur de
F soit trop réduite (en-deçà de 1 min). A cet effet, l'épaisseur de l'une des couches diélectriques (A) et (B) peut être rendue faible, mais il serait plus efficace de donner de faibles épaisseurs aux deux couches diélectriques.
F soit trop réduite (en-deçà de 1 min). A cet effet, l'épaisseur de l'une des couches diélectriques (A) et (B) peut être rendue faible, mais il serait plus efficace de donner de faibles épaisseurs aux deux couches diélectriques.
Dans l'un quelconque des types (2) et (3), on améliore la dépendance de F vis-à-vis de la longueur d'onde en donnant à la couche diélectrique une épaisseur inférieure à celle pour laquelle l'indice de performance de lecture F, à la longueur d'onde de 800 nm de la lumière, est maximal, et ceci résulte du fait que la longueur d'onde, à laquelle l'effet d'interférence se produit intensément, est inférieure à 800 nm, du fait que l'épaisseur de la couche diélectrique est faible, ce qui atténue la réduction de F.
Certaines formes particulières de réalisation seront décrites ci-dessous.
Dans une quatrième forme de réalisation ayant la constitution substrat de verre/GdTbFeCo (17 nm)/
SiO/Al, l'épaisseur optimale du film de SiO, à une longueur d'onde de 800 nm, était d'environ 40 nm et
F s'élevait alors à 15,2 min, mais F (600 nm)/F (800nm) était de 0,74. Lorsque l'on a donné à l'épaisseur du film de SiO une valeur égale à 75% de 40 nm, c'est- à-dire 30 nm, F (800 nm) n'a pas beaucoup varié, c'est- à-dire était de 14,8 min, mais F (600 nm)/F (800 nm) a pu s'améliorer à 0,82.
SiO/Al, l'épaisseur optimale du film de SiO, à une longueur d'onde de 800 nm, était d'environ 40 nm et
F s'élevait alors à 15,2 min, mais F (600 nm)/F (800nm) était de 0,74. Lorsque l'on a donné à l'épaisseur du film de SiO une valeur égale à 75% de 40 nm, c'est- à-dire 30 nm, F (800 nm) n'a pas beaucoup varié, c'est- à-dire était de 14,8 min, mais F (600 nm)/F (800 nm) a pu s'améliorer à 0,82.
Dans une cinquième forme de réalisation ayant la constitution substrat de verre /SiO(A) /GdTbFeCo (17 nm)/SiO(B)/Al, l'épaisseur optimale du film de
SiO(A), à une longueur d'onde de 800 nm était d'environ 220 nm, l'épaisseur optimale du film de SiO(B), à la même longueur d'onde, était d'environ 40 nm, et
F s'élevait alors à 15,2 min, mais F (600 nm)/F (800non) ne dépassait pas 0,68. Lorsque lion a donné à l'epais- seur du film de SiO(A) une valeur égale à 90% de 220 nm, c'est-à-dire 200 nm et å l'épaisseur du film de SiO(B) une valeur égale à 75% de 40 nm, c'està-dire 30 nm, F (800 nm) n'a pas beaucoup varié, c'està-dire était de 14,6 min, mais F (600 nm)/F (800 nm) a pu être amélioré à 0,81.
SiO(A), à une longueur d'onde de 800 nm était d'environ 220 nm, l'épaisseur optimale du film de SiO(B), à la même longueur d'onde, était d'environ 40 nm, et
F s'élevait alors à 15,2 min, mais F (600 nm)/F (800non) ne dépassait pas 0,68. Lorsque lion a donné à l'epais- seur du film de SiO(A) une valeur égale à 90% de 220 nm, c'est-à-dire 200 nm et å l'épaisseur du film de SiO(B) une valeur égale à 75% de 40 nm, c'està-dire 30 nm, F (800 nm) n'a pas beaucoup varié, c'està-dire était de 14,6 min, mais F (600 nm)/F (800 nm) a pu être amélioré à 0,81.
Ainsi qu'il ressort de la description précédente, même dans le cas où un photodétecteur ne possédant pas de caractéristique d'auto-multiplication est utilisé, la caractéristique de lecture devient bonne, c 'est-à-dire est peu affectée de fluctuation sur une large bande de longueurs d'ondes de la lumière de reproduction, grâce à l'utilisation du support de mémoire magnéto-optique selon l'invention dans lequel l'épaisseur de la couche diélectrique est de 95-75% de l'épaisseur du film pour laquelle F est maximal lorsque la longueur d'onde de la lumière est de 800nm.
Enfin, la figure 12 montre schématiquement la réalisation d'un appareil de reproduction d'informations magnéto-optiques utilisant le support de mémoire magnéto-optique selon l'invention. Sur la figure 12, un faisceau lumineux 7, émis par un laser 6 à semiconducteurs et polarisé dans une direction prédéterminée, est collimaté par une lentille 8 de collimation et entre dans un diviseur optique 9 à polarisation. Le faisceau lumineux ayant traversé ce diviseur 9 est ensuite condensé sur le support de mémoire magnétooptique 11 selon l'invention par un objectif 10. Le support 11 comprend une couche diélectrique et une couche magnétique appliquées sur un substrat transparent, analogue à un disque, et il est placé sur un plateau tournant 12 et mis en rotation sur ce dernier, comme indiqué par une flèche.Le faisceau lumineux réfléchi 13 à partir du faisceau lumineux 7 ayant son plan de polarisation tourné conformément à l'information enregistrée magnétiquement sur le support 11, passe de nouveau à travers l'objectif 10, est réfléchi par le diviseur optique 9 à polarisation et est dirigé vers un analyseur 14. L'azimut de l'axe de transmission de l'analyseur 14 est incliné (par exemple à 45 ) par rapport à ladite direction prédéterminée, et le faisceau lumineux réfléchi précité 13 transmis à travers l'analyseur 14 est soumis à une modulation d'intensité conformément à l'information enregistrée sur le support 11. Cette lumière modulée est condensée par une lentille 15 de captage et est soumise à une conversion photoélectrique par un photodétecteur 16 en sortie duquel apparait un signal S de reproduction. Le photodétecteur 16 peut être d'un type ayant une caractéristique d'automultiplication, tel qu'une photodiode à avalanche, ou d'un type ne possédant pas de caractéristique d'auto-multiplication, tel. qu'une photodiode PIN et, suivant lequel d'entre eux est utilisé, l'indice de performance de lecture diffère comme décrit précédemment, à l'obtention du signal de reproduction S.
Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être apportées au support de mémoire magnétooptique décrit et représenté sans sortir du cadre de l'invention. Par exemple, la forme du support n'est pas limitée à celle d'un disque, mais ce support peut également avoir la forme d'une carte ou d'une bande.
Claims (18)
1. Support de mémoire magnéto-optique, qui comporte un substrat transparent (1), au moins une couche d'enregistrement (3) comprenant un film magnétique, au moins une couche diélectrique (2), et permettant de lire une information enregistrée magnétiquement sur ladite couche d'enregistrement au moyen d'un faisceau lumineux (7) de lecture appliqué à cette couche et par l'utilisation de l'effet magnétooptique, le support de mémoire magnéto-optique étant caractérisé en ce que l'épaisseur de la couche diélectrique est inférieure à l'épaisseur du film pour laquelle l'indice de performance de lecture F est maximal lorsque la longueur d'onde du faisceau lumineux de lecture est de 800 nm.
2. Support de mémoire magnéto-optique selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'indice de performance de lecture F est exprimé par l'équation suivante
dans laquelle R est la réflectivité d'intensité de la lumière de lecture par le support, et ek est l'angle de rotation magnéto-optique de Kerr dudit support.
3. Support de mémoire magnéto-optique selon la revendication 2, caractérisé en ce que la valeur de l'indice de performance de lecture F à la longueur d'onde de 600 nm du faisceau lumineux de lecture est égale ou supérieure à 75% de la valeur de P à la longueur d'onde de 800 nm.
4. Support de mémoire magnéto-optique selon la revendication 3, caractérisé en ce que la couche diélectrique et la couche d'enregistrement sont disposées l'une à la suite de l'autre à partir du côté du substrat transparent.
5. Support de mémoire magnéto-optique selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'il comporte en outre une couche réfléchissante ( 4) et en ce que la couche d'enregistrement, la couche diélectrique et la couche réfléchissante sont disposées les unes à la suite des autres à partir du côté -du substrat transparent.
6. Support de mémoire magnéto-optique selon la revendication 5, caractétisé en ce qu'il comporte en outre une ou plusieurs couches diélectriques (2, 21, 22) situées entre le substrat transparent et la couche d'enregistrement.
7. Support de mémoire magnéto-optique selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'il comporte deux couches d'enregistrement(31, 32) et en ce que la première couche d'enregistrement, la couche diélectrique (2) et la seconde couche d'enregistrement sont disposées les unes à la suite des autres à partir du côté du substrat transparent (1).
8. Support de mémoire magnéto-optique selon la revendication 2, caractérisé en ce que la couche diélectrique et la couche d'enregistrement sont disposées l'une à la suite de l'autre à partir du côté du substrat transparent et en ce que l'épaisseur de la couche diélectrique est comprise entre 85% et 95% de l'épaisseur du film pour laquelle F est maximal à la longueur d'onde de 800 nm.
9. Support de mémoire magnéto-optique selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'il comporte en outre une couche réfléchissante (4) et en ce que la couche d'enregistrement, la couche diélectrique et la couche réfléchissante sont disposées les unes à la suite des autres à partir du côté du substrat transparent, et en ce que l'épaisseur de la couche diélectrique est comprise entre 80% et 95% de l'épais seur du film pour laquelle F est maximal à la longueur d'onde de 800 nm.
10. Support de mémoire magnéto-optique selon la revendication 9, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une ou plusieurs couches diélectriques (2, 212 22) disposées entre le substrat transparent et la couche d'enregistrement.
11. Support de mémoire magnéto-optique selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'indice de performance de lecture F est exprimé par l'équation suivante
F = dans laquelle R est la réflectivité d'intensité de la lumière de lecture par ledit support, et Ok est l'angle de rotation magnéto-optique de Kerr du support
12. Support de mémoire magnéto-optique selon la revendication 11, caractérisé en ce que la valeur de l'indice de performance de lecture F à la lmçperdondé de 600 nm du faisceau lumineux de lecture est égale ou supérieure à 80% de la valeur de F à la longueur d'onde de 800 nm.
13. Support de mémoire magnéto-optique selon la revendication 12, caractérisé en ce que la couche diélectrique et la couche d'enregistrement sont disposées l'une à la suite de l'autre à partir du côté du substrat transparent.
14. Support de mémoire magnéto-optique selon la revendication 12, caractérisé en ce qu'il comporte en outre une couche réfléchissante (4) et en ce que la couche d'enregistrement, la couche diélectrique et la couche réfléchissante sont disposées les unes à la suite des autres à partir du côté du substrat transparent.
15. Support de mémoire magnéto-optique selon la revendication 14, caractérisé en ce qu'il comporte en outre une ou plusieurs couches diélectriques (2, 21 22) situées entre le substrat transparent et la couche d'enregistrement.
16. Support de mémoire magnéto-optique selon la revendication 11, caractérisé en ce que l'épaisseur de la couche diélectrique est comprise. entre 75% et 95% de l'épaisseur du film pour laquelle F est maximal à la longueur d'onde de 800 nm.
17. Support de mémoire magnéto-optique selon la revendication 16, caractérisé en ce qu'il comporte en outre une couche réfléchissante (4) et en ce que la couche d'enregistrement, la couche diélectrique et la couche réfléchissante sont disposées les unes à la suite des autres à partir du côté du substrat transparent.
18. Support de mémoire magnéto-optique selon la revendication 17, caractérisé en ce qu'il comporte en outre une ou plusieurs couches diélectriques (2, 21 22) situées entre le substrat transparent et la couche d'enregistrement.
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27703185A JPS62139155A (ja) | 1985-12-11 | 1985-12-11 | 光磁気メモリ用媒体 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2591381A1 true FR2591381A1 (fr) | 1987-06-12 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR8617295A Pending FR2591381A1 (fr) | 1985-12-11 | 1986-12-10 | Support de memoire magneto-optique |
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| FR (1) | FR2591381A1 (fr) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0126589A2 (fr) * | 1983-05-17 | 1984-11-28 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Structure de mémoire magnéto-optique amorphe multi-couche |
| EP0127243A1 (fr) * | 1983-05-31 | 1984-12-05 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Dispositif et élément d'enregistrement par voie thermo-magnéto-optique |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6025036A (ja) * | 1983-07-20 | 1985-02-07 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 光磁気記録媒体 |
| EP0563557B1 (fr) * | 1992-03-18 | 1998-08-12 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Alkoxides volatiles de terres rares, particulierement pour la préparation d'oxydes de terres rares, et des alcohols pour la synthèse de composés volatiles |
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1986
- 1986-12-10 FR FR8617295A patent/FR2591381A1/fr active Pending
- 1986-12-10 DE DE19863642225 patent/DE3642225A1/de active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0126589A2 (fr) * | 1983-05-17 | 1984-11-28 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Structure de mémoire magnéto-optique amorphe multi-couche |
| EP0127243A1 (fr) * | 1983-05-31 | 1984-12-05 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Dispositif et élément d'enregistrement par voie thermo-magnéto-optique |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| NEC RES. & DEVELOP., issue spéciale sur "C&C Officer System", 1985, pages 270-274, Tokyo, JP; K. MATSUMI et al.: "Storage technologies" * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3642225C2 (fr) | 1989-05-03 |
| DE3642225A1 (de) | 1987-06-19 |
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