[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

FI78784C - Tryckgivarkonstruktion och foerfarande foer framstaellning daerav. - Google Patents

Tryckgivarkonstruktion och foerfarande foer framstaellning daerav. Download PDF

Info

Publication number
FI78784C
FI78784C FI880206A FI880206A FI78784C FI 78784 C FI78784 C FI 78784C FI 880206 A FI880206 A FI 880206A FI 880206 A FI880206 A FI 880206A FI 78784 C FI78784 C FI 78784C
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
substrate
grooves
plate
sensor structure
silicon
Prior art date
Application number
FI880206A
Other languages
English (en)
Swedish (sv)
Other versions
FI78784B (fi
FI880206A0 (fi
Inventor
Heikki Kuisma
Original Assignee
Vaisala Oy
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Vaisala Oy filed Critical Vaisala Oy
Priority to FI880206A priority Critical patent/FI78784C/fi
Publication of FI880206A0 publication Critical patent/FI880206A0/fi
Priority to GB8900235A priority patent/GB2214350B/en
Priority to US07/294,799 priority patent/US4875134A/en
Priority to DE3900654A priority patent/DE3900654C2/de
Priority to FR8900383A priority patent/FR2626073B1/fr
Priority to JP1009626A priority patent/JP2574443B2/ja
Publication of FI78784B publication Critical patent/FI78784B/fi
Application granted granted Critical
Publication of FI78784C publication Critical patent/FI78784C/fi

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0072Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
    • G01L9/0073Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance using a semiconductive diaphragm
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/43Electric condenser making
    • Y10T29/435Solid dielectric type

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Description

78784
Paineanturirakenne ja menetelmä sen valmistamiseksi Tämän keksinnön kohteena on patenttivaatimuksen 1 johdannon mukainen paineanturirakenne.
Keksinnön kohteena on myös menetelmä paineanturirakenteen valmistamiseksi.
US-patenttijulkaisusta 4 597 027 ja US-patenttijulkaisusta 4 609 966 on tunnettu pii- ja lasirakenteinen kapasitiivinen paineanturikonstruktio, jossa piikappale, jonka keskiosa on ohennettu muodostaen kalvon, on liitetty toisen piikappaleen pinnalle valmistettuun lasikerrokseen anodisella bondausme-netelmällä, niin että näiden kahden kappaleen väliin jää matala hermeettisesti suljettu rakomainen tila. Lasin pinnalla raossa on anturin kiinteä kondensaattorilevy, joka on johtavassa yhteydessä toiseen piikappaleeseen. Ohennettu piikalvo toimii toisena, paineen vaikutuksesta liikuvana kondensaattori levynä.
Tunnettuun rakenteeseen liittyy seuraavia ongelmia: 1. Kappaleiden laitosalueilla syntyy lasikerroksen yli hajakapasitanssi, joka tulee mitattavan anturikapa-sitanssin rinnalle.
2. Anodista bondausta suoritettaessa kytketään piikap-paleiden välille satojen volttien jännite. Sama jännite vaikuttaa myös kaikkien kiekolla olevien antu-riaihioiden kondensaattorilevyjen välissä. Koska välin leveys on vain muutama um, on läpilyönnin mahdollisuus suuri. Pinnat on sen vuoksi pidettävä äärimmäisen puhtaina ja sileinä.
3. Anturin kontaktointi voidaan tehdä kätevästi ainoastaan lasin pinnalla. Tilan säästön tai kontaktien suojauksen vuoksi kontaktointi toisinaan haluttaisiin tehdä anturin alapinnalla.
2 78784 Tämän keksinnön tarkoituksena on poistaa edellä kuvatussa tekniikassa esiintyvät haitat ja saada aikaan aivan uudentyyppinen paineanturirakenne ja menetelmä sen toteuttamiseksi .
Keksintö perustuu siihen, että anturin alustana toimiva piirunko on jaettu galvaanisesti toisistaan erotettuihin osa-alueisiin siten, että kiinteän kondensaattorilevyn kohdalla on tähän galvaanisesti kytketty kontaktialue ja tämän ympärillä eristekerroksella erotettu kiinnitysalue, johon kiin-nitysjännite on anodisessa bondauksessa kytkettävissä.
Täsmällisemmin sanottuna keksinnön mukaiselle paineanturira-kenteelle on tunnusomaista se, mikä on esitetty patenttivaatimuksen 1 tunnusmerkkiosassa.
Keksinnön mukaiselle menetelmälle puolestaan on tunnusomaista se, mikä on esitetty patenttivaatimuksen 4 tunnusmerkkiosassa.
Keksinnön avulla saavutetaan huomattavia etuja.
Keksinnön mukaisella rakenteella vältetään liitosalueiden hajakapasitanssit, koska alustan kontaktialue pystytään muodostamaan pieneksi. Anodisessa bondauksessa puolestaan korkea jännite kondensaattorilevyjen välillä pystytään myös välttämään järjestämällä alustan kiinnitysalue kondensaatto-rialueesta galvaanisesti erilleen. Myös anturin kontaktointi on mahdollista järjestää anturirakenteen toiselle puolelle.
Keksintöä ryhdytään seuraavassa lähemmin tarkastelemaan oheisten piirustusten mukaisten sovellutusesimerkkien avulla.
Kuvio la esittää sivuleikkauskuvantona yhtä keksinnön mukaista anturirakennetta.
Kuvio Ib esittää leikkausta A - A kuvion 1 mukaisesta antu-rirakenteesta.
3 78784
Kuvio 2 esittää alakuvantona toista keksinnön mukaista antu-rirakennetta.
Kuvio 3a esittää osittain halkileikattuna yläkuvantona kolmatta keksinnön mukaista anturirakennetta.
Kuvio 3b esittää alakuvantona kuvion 3a mukaista anturirakennetta .
Kuvio 3c esittää leikkausta B - B kuvion 3a mukaisesta antu-rirakenteesta.
Kuvio 4a esittää alakuvantona neljättä keksinnön mukaista anturirakennetta.
Kuvio 4b esittää leikkausta C - C kuvion 4a mukaisesta antu-rirakenteesta.
Kuvio 5 esittää keksinnön mukaisen anturirakenteen yhtä valmistusvaihetta.
Kuvio 6 esittää toisen keksinnön mukaisen anturirakenteen yhtä valmistusvaihetta.
Kuvioissa la ja Ib on esitetty yksi mahdollinen anturirat-kaisu. Siinä on piitä oleva runkokappale 1, 2 jaettu hylsy-mäisellä lasieristeellä 3 kahteen osaan, nimittäin kiinni-tysosaan 1 ja lieriömäiseen kontaktiosaan 2. Osien 1 ja 2 toisella puolella on lasikerros 4. Kontaktiosa 2 on yhteydessä lasieristeen 4 päällä olevaan kiinteään kondensaatto-rilevyyn 9 piinystyn 10 kautta. Anodinen bondaus on tehty lasikerrokseen 4 niillä alueilla, joilla lasikerros 4 on kiinnitysosan 1 päällä. Anturin kapasitanssi mitataan kon--taktiosan 2 ja piitä olevan runko-osan 5 väliltä. Kiinnitys-osa 1 yhdistetään maapotentiaaliin, jolloin sopivalla mittausmenetelmällä lasikerroksen 4 yli oleva hajakapasitanssi ei vaikuta mittaustulokseen. Valmistusvaiheessa anodisen bondauksen vaatima jännite tuodaan kiinnitysosan 1 ja runko-osan 5 välille, jolloin se ei vaikuta kondensaattorilevyjen 6 ja 9 välissä. Kondensaattorileyjen 6 ja 9 väliin muodostuu hermeettisesti suljettu kammio 25.
4 78784
Osat 1 ja 2 eristävä lasi 3 voi olla kuvion 2 mukaisesti esimerkiksi toisensa leikkaavien tasojen rajoittama tai muun muotoinen. Kuvion 2 mukaisessa ratkaisussa kontaktiosa 2 muodostuu paralleelipipedimäiseksi. Eristysaineen muotoon vaikuttaa pääasiassa valmistusmenetelmä. Piialueen 2 koko voi myös vaihdella.
Kolmatta mahdollista anturirakennetta on kuvattu hieman yksityiskohtaisemmin kuvioissa 3a - 3c. Kuvion 3c mukaisesti kontaktialueena toimiva piialue 2 on pitkien pystysuuntaisten lasikerrosten 3 rajoittama pylväs, joka on yhteydessä kiinteään kondensaattorilevyyn 9. Lasikerrokset rajoittavat myös kahdeksaa muuta piialuetta 1, 16 ja 16'. Piialue 16' on yhdistetty piialueeseen 2 anturin alapinnalle valmistetulla ohuella metallikalvolla 13. Muut piialueet on yhdistetty toisiinsa niinikään metallikalvoilla 12. Sähköiset kontaktit tuodaan anturin yläpinnalle lasikerroksen 4 läpi nystyillä 26. Metallialue 11 maadoitetaan ja anturin kapasitanssi mitataan metallialueiden 17 ja 18 välistä.
Kuvioissa 4a ja 4b on esitetty anturirakenne, jossa sähköiset kontaktialueet tuodaan anturin alapinnalle. Kuvio 4b esittää alaspäin käännettyä leikkausta C - C kuvion 4a mukaisesta anturirakenteesta. Esitetyssä ratkaisussa käytetään kontaktialueen 2 lisäksi toista eristettyä piialuetta 20, joka on lasikerroksen 4 läpi ulottuvan piinystyn 21 välityksellä johtavassa yhteydessä piikappaleeseen 5 ja edelleen toisena kondensaattorilevynä toimivaan piikalvoon 6. Anturin alapuolelle valmistetaan ohuesta metallikalvosta alueet 22, 23 ja 24, joihin voi liittää johtimet juottamalla, hitsaamalla tms. menetelmällä. Alue 22 on yhteydessä piialueeseen 2, alue 23 piialueeseen 20 ja alufe 24 muihin piialueisiin. Anturin kapasitanssi on mitattavissa alueiden 22 ja 23 väliltä alueiden 24 ollessa kytkettynä mittauselektroniikan maapotentiaaliin.
Lasikerroksen 3 paksuus voi olla 10...500 pm, sopivimmin 150 pm. Lasikerroksen 4 paksuus voi olla 1...150 jm, sopivimmin 30 pm.
s 78784
Esimerkeissä kuvattu rakenne voidaan kuvion 5 mukaisesti valmistaa seuraavasti: syövytetään tai muuten työstetään piin pinta, niin että syntyvät nystyt 10, joiden halutaan ulottuvan lasikerroksen 4 läpi; työstetään piihin syvät, kapeat urat 3, jotka lähes erottavat piialueet toisistaan. Alueet jäävät kiinni toisiinsa piikappaleen pohjasta kannaksilla 19. Alueiden ja urien muoto ja koko riippuvat menetelmästä, jolla urat 3 valmistetaan. Sopivia menetelmiä ovat mm. poraaminen putkimaisella terällä, syövyttäminen, lasertyöstö, kipinätyöstö ja sahaaminen. Kolme viimeksi mainittua ovat erityisen käyttökelpoisia. Sahaamalla saadaan helposti kapeita uria, mutta ne pilkkovat kiekon tarpeettoman moniin osiin. Laser-työstössä on oltava tarkka syvyyskontrollin kanssa; levitetään piin päälle lasijauhetta 7 ja sulatetaan, niin että lasi täyttää työstetyt urat; hiotaan lasin pinta esimerkiksi tasolle D niin, että piinystyjen paikat paljastuvat, mutta muualle jää haluttu lasikerros 4; hiotaan kiekon alapuolelta pois piitä esimerkiksi tasolle E niin, että kannas 19 poistuu ja piiosat erkanevat toisistaan; kiillotetaan lasin pinta.
Kuvatusta rakenteesta ja menetelmästä voi helposti keksiä monia variaatioita. Oleellista on, että samasta levymäisestä materiaalista valmistetaan levy, jossa on toisistaan eristettyjä osia. Valmistuksessa on oleellista, että levyn osat lähes irroitetaan toisistaan, sitten sulatetaan lasi ja ir- 6 78784 roitus viedään loppuun. Näin säilytetään alkuperääisen levyn tasomaisuus ja osien sijainnin mittatarkkuus. Voidaan myös ajatella, että alkuperäinen levy kiinnitetään vahvasti toiseen tukilevyyn 27 kuvion 6 mukaisesti, jolloin urat voidaan työstää levyn läpi. Sulatuksen ja lasin hionnan jälkeen tu-kilevy poistetaan.
Valmiissa paineanturirakenteessa toisistaan eristettyjä levyn osia voidaan käyttää läpivientirakenteina hyvin monella tavalla. Tästä kuvioissa 3a - 3c esitetty anturi on eräs esimerkki.

Claims (9)

1. Kapasitiivinen paineanturirakenne, joka käsittää - alustan (1, 2, 4), joka koostuu levymäisestä, sähköä johtavasta piikerroksesta (1, 2) ja tämän päälle sen kanssa kiinteästi yhteenliitetystä, eristävää ainetta, esim. lasia, olevasta levymäisestä välikerroksesta (4), joka on piikerrosta (1, 2) olennaisesti ohuempi, - alustan (1, 2, 4) päälle sovitetun kiinteän konden-saattorilevyn (9), ja - piistä valmistetun, liikkuvan kondensaattorikalvon (6), joka on samaa kappaletta sitä ympäröivän, olennaisesti paksumman runko-osan (5) kanssa ja joka on sovitettu ainakin osittain kohdakkain kiinteän kon-densaattorilevyn (9) kanssa välimatkan päähän tästä niin, että kondensaattorilevyn (9) ja kondensaattorikalvon (6) välille jää hermeettisesti suljettu kammio (25), tunnettu siitä, että - alusta (1, 2, 4) on normaalinsa suunnassa jaettu toisistaan galvaanisesti erotettuihin alueisiin (1, 2), nimittäin kiinteän kondensaattorilevyn (9) kohdalla olevaan, tähän galvaanisesti kytkettyyn ja pinta-alaltaan korkeintaan tämän suuruiseen kontak-tialueeseen (2) ja vähintään yhteen kontaktialueesta (2) eristekerroksella (3) erotettuun kiinnitysaluee-seen (1), johon kiinnitysjännite on anodisessa bon-dauksessa kytkettävissä alustan yhdistämiseksi kondensaattorikalvon runko-osaan (5).
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen paineanturirakenne, tunnettu siitä, että kontaktialue (2) on sylinteri- 8 78784 mainen.
3. Patenttivaatimuksen 1 mukainen paineanturirakenne, tunnettu siitä, että kontaktialue (2) on paralleeli-pipedimäinen.
4. Menetelmä kapasitiivisen paineanturirakenteen johtavan piialustan jakamiseksi toisistaan galvaanisesti erotettuihin osa-alueisiin (1, 2), tunnettu siitä, että - muodostetaan piialustaan syvyyssuuntaiset, yhtenäiset osa-alueet (1, 2) määrittelevät urat (3), jotka ulottuvat lopullisen alustarakenteen alapinnan (E) alapuolelle, - täytetään urat eristemateriaalilla (7), esimerkiksi lasilla, - saatetaan eristemateriaali (7) esimerkiksi lämmittämällä sellaiseen muotoon, että eristemateriaali (7) kiinnittyy sitä ympäröivään alustamateriaaliin, ja - työstetään alustarakenteen alapinta ennalta määrätylle tasolle (E).
5. Patenttivaatimuksen 4 mukainen menetelmä, tunnet-t u siitä, että urat (3) muodostetaan poraamalla putkimaisella terällä.
6. Patenttivaatimuksen 4 mukainen menetelmä, tunnet-t u siitä, että urat (3) muodostetaan lasertyöstöilä.
7. Patenttivaatimuksen 4 mukainen menetelmä, tunnet-t u siitä, että urat (3) muodostetaan sahaamalla.
7 78784
8. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että ennen urien (3) muodostamista alustarakenne kiinnitetään erilliseen tukilevyyn (27) (kuvio 6).
9 78784
FI880206A 1988-01-18 1988-01-18 Tryckgivarkonstruktion och foerfarande foer framstaellning daerav. FI78784C (fi)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI880206A FI78784C (fi) 1988-01-18 1988-01-18 Tryckgivarkonstruktion och foerfarande foer framstaellning daerav.
GB8900235A GB2214350B (en) 1988-01-18 1989-01-06 Capacitive pressure sensor and method for its fabrication
US07/294,799 US4875134A (en) 1988-01-18 1989-01-09 Pressure sensor construction and method for its fabrication
DE3900654A DE3900654C2 (de) 1988-01-18 1989-01-11 Drucksensoranordnung und Verfahren zu deren Herstellung
FR8900383A FR2626073B1 (fr) 1988-01-18 1989-01-13 Structure de capteur de pression capacitif et procede pour fabriquer une telle structure
JP1009626A JP2574443B2 (ja) 1988-01-18 1989-01-18 圧力センサ構造およびその製造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI880206 1988-01-18
FI880206A FI78784C (fi) 1988-01-18 1988-01-18 Tryckgivarkonstruktion och foerfarande foer framstaellning daerav.

Publications (3)

Publication Number Publication Date
FI880206A0 FI880206A0 (fi) 1988-01-18
FI78784B FI78784B (fi) 1989-05-31
FI78784C true FI78784C (fi) 1989-09-11

Family

ID=8525738

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI880206A FI78784C (fi) 1988-01-18 1988-01-18 Tryckgivarkonstruktion och foerfarande foer framstaellning daerav.

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4875134A (fi)
JP (1) JP2574443B2 (fi)
DE (1) DE3900654C2 (fi)
FI (1) FI78784C (fi)
FR (1) FR2626073B1 (fi)
GB (1) GB2214350B (fi)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE459887B (sv) * 1987-02-12 1989-08-14 Hydrolab Ab Tryckgivare
SE461300B (sv) * 1988-05-17 1990-01-29 Hydrolab Ab Tryckmaetare
FI893874A (fi) * 1989-08-17 1991-02-18 Vaisala Oy Kontaktfoersedd givare med skiktstruktur samt foerfarande foer utfoerande av kontakteringen.
US5165281A (en) * 1989-09-22 1992-11-24 Bell Robert L High pressure capacitive transducer
DE3937529A1 (de) * 1989-11-08 1991-05-16 Siemens Ag Verfahren zum verbinden eines siliziumteiles mit einem glasteil
DE4006108A1 (de) * 1990-02-27 1991-08-29 Bosch Gmbh Robert Verfahren zum aufbau von mikromechanischen bauelementen in dickschichttechnik
JPH04268725A (ja) * 1991-02-25 1992-09-24 Canon Inc 力学量検出センサおよびその製造方法
FR2687779B1 (fr) * 1992-02-20 1995-11-10 Sextant Avionique Micro-capteur capacitif a protection laterale et procede de fabrication.
US5173836A (en) * 1992-03-05 1992-12-22 Motorola, Inc. Hermetically sealed interface
US5365790A (en) * 1992-04-02 1994-11-22 Motorola, Inc. Device with bonded conductive and insulating substrates and method therefore
JP3300060B2 (ja) * 1992-10-22 2002-07-08 キヤノン株式会社 加速度センサー及びその製造方法
DE4311762C2 (de) * 1993-04-08 1995-02-02 Josef Dr Kemmer Verfahren zur Verbindung elektrischer Kontaktstellen
US5744725A (en) * 1994-04-18 1998-04-28 Motorola Inc. Capacitive pressure sensor and method of fabricating same
US5528452A (en) * 1994-11-22 1996-06-18 Case Western Reserve University Capacitive absolute pressure sensor
EP1371092B2 (de) 2001-03-14 2010-11-03 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur strukturierung eines aus glasartigen material bestehenden flächensubstrats
US7045868B2 (en) * 2003-07-31 2006-05-16 Motorola, Inc. Wafer-level sealed microdevice having trench isolation and methods for making the same
JP2006047279A (ja) * 2004-07-02 2006-02-16 Alps Electric Co Ltd ガラス基板及びそれを用いた静電容量型圧力センサ
JP2006170893A (ja) * 2004-12-17 2006-06-29 Alps Electric Co Ltd 静電容量型圧力センサ
JP2007085837A (ja) * 2005-09-21 2007-04-05 Alps Electric Co Ltd 静電容量型圧力センサ
JP4585426B2 (ja) * 2005-10-31 2010-11-24 アルプス電気株式会社 静電容量型圧力センサ
US7539003B2 (en) * 2005-12-01 2009-05-26 Lv Sensors, Inc. Capacitive micro-electro-mechanical sensors with single crystal silicon electrodes
SE530415C2 (sv) * 2006-09-04 2008-05-27 Nanospace Ab Gastrustor
EP2377809A1 (en) * 2010-04-16 2011-10-19 SensoNor Technologies AS Method for Manufacturing a Hermetically Sealed Structure
US8590387B2 (en) 2011-03-31 2013-11-26 DePuy Synthes Products, LLC Absolute capacitive micro pressure sensor
US8578795B2 (en) 2011-03-31 2013-11-12 DePuy Synthes Products, LLC Monitoring and recording implantable silicon active pressure transducer
US9249008B2 (en) 2012-12-20 2016-02-02 Industrial Technology Research Institute MEMS device with multiple electrodes and fabricating method thereof

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5516228A (en) * 1978-07-21 1980-02-04 Hitachi Ltd Capacity type sensor
JPS5855732A (ja) * 1981-09-30 1983-04-02 Hitachi Ltd 静電容量型圧力センサ
FI69211C (fi) * 1984-02-21 1985-12-10 Vaisala Oy Kapacitiv styckgivare
FI842307A (fi) * 1984-06-07 1985-12-08 Vaisala Oy Foerfarande foer aostadkommande av genomfoering i en mikromekanisk konstruktion.
FI75426C (fi) * 1984-10-11 1988-06-09 Vaisala Oy Absoluttryckgivare.
US4625561A (en) * 1984-12-06 1986-12-02 Ford Motor Company Silicon capacitive pressure sensor and method of making
US4730496A (en) * 1986-06-23 1988-03-15 Rosemount Inc. Capacitance pressure sensor
US4773972A (en) * 1986-10-30 1988-09-27 Ford Motor Company Method of making silicon capacitive pressure sensor with glass layer between silicon wafers
US4701826A (en) * 1986-10-30 1987-10-20 Ford Motor Company High temperature pressure sensor with low parasitic capacitance

Also Published As

Publication number Publication date
GB2214350A (en) 1989-08-31
GB2214350B (en) 1991-06-05
GB8900235D0 (en) 1989-03-08
FI78784B (fi) 1989-05-31
US4875134A (en) 1989-10-17
JP2574443B2 (ja) 1997-01-22
FI880206A0 (fi) 1988-01-18
JPH01288747A (ja) 1989-11-21
DE3900654C2 (de) 1997-05-22
FR2626073B1 (fr) 1993-09-10
DE3900654A1 (de) 1989-07-27
FR2626073A1 (fr) 1989-07-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI78784C (fi) Tryckgivarkonstruktion och foerfarande foer framstaellning daerav.
KR910010061B1 (ko) 반도체 절대압력센서의 제조방법
US5559290A (en) Capacitance type accelerometer
US5243861A (en) Capacitive type semiconductor accelerometer
FI75426B (fi) Absoluttryckgivare.
US6716253B2 (en) Force detector
FI81915B (fi) Kapacitiv accelerationsgivare och foerfarande foer framstaellning daerav.
FI77328C (fi) Kapacitiv tryckgivare.
US5987921A (en) Method for making a semiconductor acceleration sensor
JP3025313B2 (ja) 静電容量の変化を利用したセンサの製造方法
JPH07318583A (ja) 静電容量式加速度センサ
JP3125520B2 (ja) 加速度センサおよびその製造方法
JP2658985B2 (ja) 加速度センサおよびその製造方法
Shoji et al. Diode integrated capacitive accelerometer with reduced structural distortion
JPH06310615A (ja) 半導体容器形成方法と半導体基板積載圧電体振動子
JP2936967B2 (ja) 静電容量式加速度センサの製造方法
KR970029938A (ko) 가변 임계 미소 스위치 및 그 제조방법
JPH07335909A (ja) 静電容量型センサ及びその製造方法
US5297720A (en) Method of assembling a mechanical part including a sensitive element on a support to define a variable capacitor, a mechanical part, and a tool for implementing the method
JP3025468B2 (ja) 静電容量の変化を利用したセンサおよびその製造方法
JPH06268237A (ja) 半導体加速度センサ
SU1711271A1 (ru) Способ создани электрического контакта к полупроводнику или диэлектрику
JPH09329621A (ja) 半導体加速度センサ
JPH07253372A (ja) 静電容量式圧力センサ
JP2010048785A (ja) 電極基板及びこれを用いた静電容量型加速度センサ

Legal Events

Date Code Title Description
FG Patent granted

Owner name: VAISALA OY

MA Patent expired