EP3416001B1 - Procédé de fabrication d'un oscillateur à pivot flexible - Google Patents
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- EP3416001B1 EP3416001B1 EP17175750.3A EP17175750A EP3416001B1 EP 3416001 B1 EP3416001 B1 EP 3416001B1 EP 17175750 A EP17175750 A EP 17175750A EP 3416001 B1 EP3416001 B1 EP 3416001B1
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Definitions
- the present invention relates to the manufacture of an oscillator with a flexible pivot, in particular an oscillator intended to serve as a time base in a watch movement.
- Flexible pivot oscillators for watchmaking have been described in documents EP 2911012 , EP 2998800 , EP 3037893 , EP 3035127 , EP 2990885 , WO 2012/010408 , WO 2016/096677 and WO 2017/055983 . They include a support, making it possible to fix the oscillator on a fixed or mobile frame, a flexible pivot and a serge suspended from the support by the flexible pivot.
- the flexible pivot consists of elastic blades arranged to guide the rim in rotation with respect to the support and elastically return the rim to a rest position.
- an adjustment of the oscillation frequency can be carried out at the level of the elastic blades by heat treatment or ablation of material using a laser beam, and at the level of the inertia of the serge by ablation material also with a laser.
- the object of the present invention is to remedy or at least attenuate this drawback by proposing a method of manufacturing an oscillator with a flexible pivot whose dimensions are sufficiently precise not to require reworking.
- the invention relates to an oscillator 1 with a flexible pivot.
- the oscillator 1 comprises a support or fixing part 2, making it possible to fix the oscillator 1 to a fixed or mobile frame of a watch movement.
- the support 2 can be in one part, as shown, or in two separate parts as described in the patent application WO 2017/055983 .
- Oscillator 1 also includes a rim 3 suspended from support 2 by a flexible pivot 4.
- the flexible pivot 4 consists of elastic blades 4a, 4b, two in number in the example shown. Each elastic blade 4a, 4b connects the support 2 to the rim 3. In the example shown, the elastic blades 4a, 4b intersect at a point O. They can intersect without contact, the two blades 4a, 4b extending then in two different parallel planes, or intersect with contact, the two blades 4a, 4b then extending in the same plane.
- the first case, corresponding to a flexible pivot of the “separate crossed blades” type is preferred to the second (“non-separated crossed blades”) because it allows a greater angular travel of the rim 3 with respect to the support 2.
- the flexible pivot 4 could be of the type with a remote center of rotation called “RCC” (Remote Center Compliance).
- the flexible pivot 4 defines a virtual axis of rotation typically passing through the center of the rim 3 and around which the rim 3 pivots relative to the support 2.
- the flexible pivot 4 thus guides the oscillations of the rim 3 by report to support 2. It also produces an elastic return torque as soon as rim 3 deviates from a rest position.
- Serge 3 is typically in the form of a continuous ring, as shown, but it can alternatively be interrupted.
- I m . r 2
- the oscillator 1 is formed but in dimensions which are different from the dimensions necessary to obtain a predetermined oscillation frequency of the rim 3 with respect to the support 2.
- step E1 either all the dimensions (in particular height h, thickness e and length L of the strips 4a, 4b, height and thickness of the serge 3) are different from the dimensions making it possible to obtain the predetermined oscillation frequency, or only part of these dimensions are different from the dimensions making it possible to obtain the predetermined oscillation frequency.
- Step E1 is preferably carried out by etching a wafer of material. Several oscillators can be made simultaneously on the same wafer. Etching can be deep reactive ion etching (DRIE), chemical etching, focused ion beam (FIB) etching or laser etching, for example. According to the invention, the material is based on silicon.
- DRIE deep reactive ion etching
- FIB focused ion beam
- laser etching for example.
- the material is based on silicon.
- the silicon-based material is monocrystalline silicon whatever its crystalline orientation, doped monocrystalline silicon whatever its crystalline orientation, amorphous silicon, porous silicon, polycrystalline silicon, silicon nitride, silicon, quartz regardless of its crystalline orientation or silicon oxide.
- Oscillator 1 formed in step E1 is typically one-piece. It can nevertheless be in several superposed and assembled parts, as described in the patent application EP 2998800 .
- step E2 the frequency of the oscillator formed in step E1 is measured by measurement means conventionally used in watchmaking. The measurement can be performed while the oscillator is still attached to its etching wafer or on the oscillator previously detached from the wafer, on all or on a sample of the oscillators still attached to the wafer or previously detached from the wafer .
- Step E2 may consist in determining an average frequency of a representative sample or of all the oscillators formed on the same wafer.
- the frequency f can be increased by increasing the stiffness K of the flexible pivot 4 and/or by reducing the moment of inertia I of the serge 3, and conversely that one can reduce the frequency f by decreasing the stiffness K of the flexible pivot 4 and/or by increasing the moment of inertia I of the rim 3.
- the stiffness K of the flexible pivot 4 can be increased by increasing the section (height h and/or thickness e) slats 4a, 4b and/or by decreasing the length L of the slats 4a, 4b, and can be reduced by reducing the section (height h and/or thickness e) of the slats 4a, 4b and/or by increasing the length L of the blades 4a, 4b.
- the moment of inertia I of the rim 3 can be increased by increasing the mass m and/or the radius of gyration r of the rim 3, and can be decreased by decreasing said mass m and/or said radius of gyration r.
- step E3 a thickness of material to be added or removed is calculated which makes it possible to reduce the frequency f so that it reaches the predetermined frequency.
- step E3 a thickness of material to be added or removed is calculated which makes it possible to increase the frequency f so that it reaches the predetermined frequency.
- the calculated material thickness can be a thickness to be added or removed in a homogeneous manner over the entire external surface of the oscillator, a thickness to be added or removed in a non-homogeneous manner over the entire external surface of the oscillator, a thickness to adding or removing homogeneously only on a part of the outer surface of the oscillator or a thickness to add or remove in a non-homogeneous way only on a part of the outer surface of the oscillator.
- the addition or removal of material can be provided to vary only the height h of the blades 4a, 4b of the flexible pivot 4, only the thickness e of the blades 4a, 4b or both the height h and the thickness e.
- the thickness of material calculated at step E3 is, depending on the case, added to or removed from the oscillator formed at step E1.
- step E3 a thickness of material to be added to the flexible pivot 4 and a thickness of material to be removed from the serge 3 to obtain the predetermined frequency are calculated, or conversely a thickness of material to be removed from the flexible pivot 4 and a thickness of material to be added to the serge 3 are calculated, and these thicknesses are, depending on the case, added or removed in the zones of the oscillator concerned in step E4.
- Step E4 in the invention comprises a first step consisting in oxidizing the oscillator 1 in order to transform the thickness of silicon-based material to be removed into silicon dioxide, and a second step consisting in removing the layer of oxide of silicon thus formed.
- the oscillator present after oxidation ( figure 4 ) a core 5 of material with silicon base whose dimensions are smaller than the corresponding dimensions h, e of the oscillator before oxidation ( picture 3 ), this core 5 being covered with a layer 6 of silicon oxide. After removal of layer 6 ( figure 5 ), we therefore obtain an oscillator of reduced dimensions.
- the oxidation can be carried out thermally, for example between 800 and 1200° C. in an oxidizing atmosphere using steam or oxygen gas. It can be performed locally on the oscillator, for example only on the flexible pivot 4 or on the edge 3, by means of masks such as nitride masks.
- the oxide formed on the silicon-based material can be removed by a chemical bath comprising, for example, hydrofluoric acid.
- Step E4 can end the method according to the invention. However, after step E4, steps E2, E3 and E4 can be repeated one or more times to refine the dimensional quality of the oscillator.
- the present invention makes it possible to obtain a very high dimensional precision for the oscillator and therefore to guarantee a more precise oscillation frequency.
- the oscillator can also be processed to improve some of its properties and characteristics. It can for example be treated to make it less sensitive to thermal variations, that is to say so that the stiffness of its flexible pivot 4 or even its frequency does not vary or varies little depending on the temperature.
- a layer of a material having a thermal coefficient of the modulus of elasticity of opposite sign to that of silicon can be formed over the entire silicon oscillator or at least over its flexible pivot 4. This layer is typically made of silicon oxide. It can be formed by thermal oxidation.
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Description
- La présente invention concerne la fabrication d'un oscillateur à pivot flexible, notamment d'un oscillateur destiné à servir de base de temps dans un mouvement horloger.
- Des oscillateurs à pivot flexible pour l'horlogerie ont été décrits dans les documents
EP 2911012 ,EP 2998800 ,EP 3037893 ,EP 3035127 ,EP 2990885 ,WO 2012/010408 ,WO 2016/096677 etWO 2017/055983 . Ils comprennent un support, permettant de fixer l'oscillateur sur un bâti fixe ou mobile, un pivot flexible et une serge suspendue au support par le pivot flexible. Le pivot flexible est constitué de lames élastiques agencées pour guider la serge en rotation par rapport au support et rappeler élastiquement la serge dans une position de repos. Le documentEP 2990885 explique qu'un réglage de la fréquence d'oscillation peut être effectué au niveau des lames élastiques par un traitement thermique ou une ablation de matière à l'aide d'un faisceau laser, et au niveau de l'inertie de la serge par ablation de matière également avec un laser. - Les oscillateurs à pivot flexible, en particulier lorsqu'ils sont monobloc, sont généralement fabriqués par des techniques de microfabrication telles que la gravure d'une plaquette de silicium. On constate néanmoins une dispersion géométrique entre les oscillateurs de différentes plaquettes et même entre les oscillateurs d'une même plaquette. Cette dispersion se traduit en une variation de la fréquence d'oscillation d'un oscillateur à l'autre.
- Le but de la présente invention est de remédier ou au moins atténuer cet inconvénient en proposant un procédé de fabrication d'un oscillateur à pivot flexible dont les dimensions sont suffisamment précises pour ne pas nécessiter de retouche.
- A cette fin, il est prévu un procédé selon la revendication 1.
- D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront à la lecture de la description détaillée suivante faite en référence aux dessins schématiques annexés dans lesquels :
- la
figure 1 est une vue plane de dessus d'un oscillateur à pivot flexible auquel se rapporte l'invention ; - la
figure 2 montre les différentes étapes d'un procédé de fabrication d'un oscillateur à pivot flexible ; - les
figures 3 à 5 montrent une section droite d'une lame élastique de l'oscillateur à pivot flexible à différents moments lors de la mise en œuvre du procédé selon l'invention. - Comme illustré à la
figure 1 , l'invention se rapporte à un oscillateur 1 à pivot flexible. L'oscillateur 1 comprend un support ou partie de fixation 2, permettant de fixer l'oscillateur 1 à un bâti fixe ou mobile d'un mouvement horloger. Le support 2 peut être en une partie, comme représenté, ou en deux parties séparées comme décrit dans la demande de brevetWO 2017/055983 . L'oscillateur 1 comprend aussi une serge 3 suspendue au support 2 par un pivot flexible 4. - Le pivot flexible 4 est constitué de lames élastiques 4a, 4b, au nombre de deux dans l'exemple représenté. Chaque lame élastique 4a, 4b relie le support 2 à la serge 3. Dans l'exemple représenté, les lames élastiques 4a, 4b se croisent en un point O. Elles peuvent se croiser sans contact, les deux lames 4a, 4b s'étendant alors dans deux plans parallèles différents, ou se croiser avec contact, les deux lames 4a, 4b s'étendant alors dans le même plan. Le premier cas, correspondant à un pivot flexible de type « à lames croisées séparées », est préféré au second (« lames croisées non séparées ») car il permet une plus grande course angulaire de la serge 3 par rapport au support 2. Dans une autre variante, non représentée, le pivot flexible 4 pourrait être du type à centre de rotation déporté dit « RCC » (Remote Center Compliance).
- Dans tous les cas, le pivot flexible 4 définit un axe de rotation virtuel passant typiquement par le centre de la serge 3 et autour duquel la serge 3 pivote par rapport au support 2. Le pivot flexible 4 guide ainsi les oscillations de la serge 3 par rapport au support 2. Il produit en outre un couple de rappel élastique dès que la serge 3 s'écarte d'une position de repos.
- La serge 3 est typiquement sous la forme d'un anneau continu, comme représenté, mais elle peut en variante être interrompue.
-
- La raideur K dépend du type du pivot flexible 4. Pour un pivot flexible de type à lames croisées séparées, elle répond à la formule :
-
-
- Un procédé de fabrication de l'oscillateur 1 à pivot flexible va maintenant être décrit en référence à la
figure 2 . - A une première étape E1, l'oscillateur 1 est formé mais dans des dimensions qui sont différentes des dimensions nécessaires pour obtenir une fréquence d'oscillation prédéterminée de la serge 3 par rapport au support 2.
- A l'étape E1, soit toutes les dimensions (notamment hauteur h, épaisseur e et longueur L des lames 4a, 4b, hauteur et épaisseur de la serge 3) sont différentes des dimensions permettant d'obtenir la fréquence d'oscillation prédéterminée, soit une partie seulement de ces dimensions sont différentes des dimensions permettant d'obtenir la fréquence d'oscillation prédéterminée.
- L'étape E1 est réalisée de préférence par gravure d'une plaquette de matériau. Plusieurs oscillateurs peuvent être réalisés simultanément sur une même plaquette. La gravure peut être une gravure ionique réactive profonde (DRIE), une gravure chimique, une gravure par faisceaux d'ions focalisés (FIB) ou une gravure par laser, par exemple. Selon l'invention, le matériau est à base de silicium.
- Préférentiellement, le matériau à base de silicium est du silicium monocristallin quelle que soit son orientation cristalline, du silicium monocristallin dopé quelle que soit son orientation cristalline, du silicium amorphe, du silicium poreux, du silicium polycristallin, du nitrure de silicium, du carbure de silicium, du quartz quelle que soit son orientation cristalline ou de l'oxyde de silicium.
- L'oscillateur 1 formé à l'étape E1 est typiquement monobloc. Il peut néanmoins être en plusieurs parties superposées et assemblées, comme décrit dans la demande de brevet
EP 2998800 . - Parmi les techniques mentionnées ci-dessus, la plus précise est la gravure ionique réactive profonde. Des phénomènes qui interviennent pendant la gravure ou entre deux gravures successives peuvent néanmoins induire des variations géométriques.
- A une deuxième étape E2, la fréquence de l'oscillateur formé à l'étape E1 est mesurée par des moyens de mesure classiquement utilisés dans l'horlogerie. La mesure peut être effectuée alors que l'oscillateur est encore attaché à sa plaquette de gravure ou sur l'oscillateur préalablement détaché de la plaquette, sur l'ensemble ou sur un échantillon des oscillateurs encore attachés à la plaquette ou préalablement détachés de la plaquette. L'étape E2 peut consister à déterminer une fréquence moyenne d'un échantillon représentatif ou de l'ensemble des oscillateurs formés sur une même plaquette.
- A une troisième étape E3 est calculée, à l'aide des formules précitées, une épaisseur de matériau à ajouter sur tout ou partie de l'oscillateur formé à l'étape E1 ou à retirer de tout ou partie de l'oscillateur formé à l'étape E1, pour obtenir la fréquence d'oscillation prédéterminée.
- On déduit en effet des formules précitées que l'on peut augmenter la fréquence f en augmentant la raideur K du pivot flexible 4 et/ou en diminuant le moment d'inertie I de la serge 3, et inversement que l'on peut diminuer la fréquence f en diminuant la raideur K du pivot flexible 4 et/ou en augmentant le moment d'inertie I de la serge 3. La raideur K du pivot flexible 4 peut être augmentée en augmentant la section (hauteur h et/ou épaisseur e) des lames 4a, 4b et/ou en diminuant la longueur L des lames 4a, 4b, et peut être diminuée en diminuant la section (hauteur h et/ou épaisseur e) des lames 4a, 4b et/ou en augmentant la longueur L des lames 4a, 4b. Le moment d'inertie I de la serge 3 peut être augmenté en augmentant la masse m et/ou le rayon de giration r de la serge 3, et peut être diminué en diminuant ladite masse m et/ou ledit rayon de giration r.
- Dès lors, si à l'étape E1 on a choisi des dimensions qui rendent la fréquence f supérieure à la fréquence prédéterminée, on calcule à l'étape E3 une épaisseur de matériau à ajouter ou retirer qui permette de diminuer la fréquence f pour qu'elle atteigne la fréquence prédéterminée. Par analogie, si à l'étape E1 on a choisi des dimensions qui rendent la fréquence f inférieure à la fréquence prédéterminée, on calcule à l'étape E3 une épaisseur de matériau à ajouter ou retirer qui permette d'augmenter la fréquence f pour qu'elle atteigne la fréquence prédéterminée.
- L'épaisseur de matériau calculée peut être une épaisseur à ajouter ou retirer de manière homogène sur toute la surface externe de l'oscillateur, une épaisseur à ajouter ou retirer de manière non homogène sur toute la surface externe de l'oscillateur, une épaisseur à ajouter ou retirer de manière homogène seulement sur une partie de la surface externe de l'oscillateur ou une épaisseur à ajouter ou retirer de manière non homogène seulement sur une partie de la surface externe de l'oscillateur.
- Par exemple, l'ajout ou le retrait de matériau peut être prévu pour faire varier uniquement la hauteur h des lames 4a, 4b du pivot flexible 4, uniquement l'épaisseur e des lames 4a, 4b ou à la fois la hauteur h et l'épaisseur e. Il en va de même pour la serge 3. On peut aussi ajouter ou retirer du matériau sur le support 2 et/ou sur la serge 3 pour faire varier la longueur L des lames 4a, 4b.
- On notera en particulier qu'un ajout de matériau sur le pivot flexible 4 augmentera sa raideur donc la fréquence, alors qu'un enlèvement de matériau sur le pivot flexible 4 diminuera sa raideur donc la fréquence. Un ajout homogène de matériau sur toute la surface externe de la serge 3 augmentera le moment d'inertie donc diminuera la fréquence, alors qu'un enlèvement homogène de matériau sur toute la surface externe de la serge 3 diminuera le moment d'inertie donc augmentera la fréquence. Les effets d'un ajout ou d'un retrait de matériau sur le pivot flexible 4 et sur la serge 3 sont donc opposés mais d'ampleurs différentes, si bien qu'on peut obtenir la fréquence prédéterminée même avec l'ajout ou le retrait d'une épaisseur de matériau homogène sur toute la surface externe de l'oscillateur.
- A l'étape suivante E4, l'épaisseur de matériau calculée à l'étape E3 est, selon le cas, ajoutée ou retirée de l'oscillateur formé à l'étape E1.
- Dans une variante, à l'étape E3 une épaisseur de matériau à ajouter sur le pivot flexible 4 et une épaisseur de matériau à retirer de la serge 3 pour obtenir la fréquence prédéterminée sont calculées, ou inversement une épaisseur de matériau à retirer du pivot flexible 4 et une épaisseur de matériau à ajouter sur la serge 3 sont calculées, et ces épaisseurs sont, selon le cas, ajoutées ou retirées dans les zones de l'oscillateur concernées à l'étape E4.
- La présente invention met en œuvre les étapes E1 à E4 décrites ci-dessus mais le matériau choisi pour former l'oscillateur 1 à l'étape E1 est un matériau à base de silicium et du matériau est retiré à l'étape E4. L'étape E4 dans l'invention comprend une première étape consistant à oxyder l'oscillateur 1 afin de transformer l'épaisseur de matériau à base de silicium à retirer en dioxyde de silicium, et une deuxième étape consistant à retirer la couche d'oxyde de silicium ainsi formée. Comme montré aux
figures 3 à 5 , qui illustrent une section droite de l'une des lames 4a, 4b, l'oscillateur présente après oxydation (figure 4 ) une âme 5 en matériau à base de silicium dont les dimensions sont inférieures aux dimensions correspondantes h, e de l'oscillateur avant oxydation (figure 3 ), cette âme 5 étant recouverte d'une couche 6 d'oxyde de silicium. Après enlèvement de la couche 6 (figure 5 ), on obtient donc un oscillateur de dimensions réduites. - L'oxydation peut être réalisée thermiquement, par exemple entre 800 et 1200°C sous atmosphère oxydante à l'aide de vapeur d'eau ou de gaz de dioxygène. Elle peut être réalisée de manière localisée sur l'oscillateur, par exemple uniquement sur le pivot flexible 4 ou sur la serge 3, au moyen de masques tels que des masques en nitrure. L'oxyde formé sur le matériau à base de silicium peut être retiré par un bain chimique comportant par exemple de l'acide fluorhydrique.
- L'étape E4 peut finir le procédé selon l'invention. Toutefois, après l'étape E4, les étapes E2, E3 et E4 peuvent être répétées une ou plusieurs fois pour affiner la qualité dimensionnelle de l'oscillateur.
- La présente invention permet d'obtenir une très haute précision dimensionnelle pour l'oscillateur et donc de garantir une fréquence d'oscillation plus précise.
- Après l'étape E4 du procédé selon l'invention, l'oscillateur peut aussi être traité pour améliorer certaines de ses propriétés et caractéristiques. On peut par exemple le traiter pour le rendre moins sensible aux variations thermiques, c'est-à-dire pour que la raideur de son pivot flexible 4 voire sa fréquence ne varie pas ou peu en fonction de la température. Pour ce faire, une couche d'un matériau présentant un coefficient thermique du module d'élasticité de signe opposé à celui du silicium peut être formée sur tout l'oscillateur en silicium ou au moins sur son pivot flexible 4. Cette couche est typiquement en oxyde de silicium. Elle peut être formée par oxydation thermique.
Claims (8)
- Procédé de fabrication d'un oscillateur (1) à pivot flexible d'une fréquence prédéterminée, l'oscillateur (1) à pivot flexible comprenant un support (2), un pivot flexible (4) et une serge (3) suspendue au support (2) par le pivot flexible (4), le pivot flexible (4) étant agencé pour guider la serge (3) en rotation par rapport au support (2) et rappeler élastiquement la serge (3) dans une position de repos, le procédé comprenant les étapes suivantes :a) former, en un matériau à base de silicium, un oscillateur à pivot flexible comprenant ledit support (2), ledit pivot flexible (4) et ladite serge (3) mais ayant des dimensions différentes des dimensions nécessaires pour obtenir ledit oscillateur à pivot flexible d'une fréquence prédéterminée,b) mesurer la fréquence de l'oscillateur formé lors de l'étape a),c) à partir de la mesure effectuée à l'étape b), calculer au moins une épaisseur de matériau à retirer de l'oscillateur formé lors de l'étape a) pour obtenir ledit oscillateur à pivot flexible d'une fréquence prédéterminée,d) à partir du calcul effectué à l'étape c), modifier l'oscillateur formé lors de l'étape a) afin d'obtenir ledit oscillateur à pivot flexible d'une fréquence prédéterminée, cette étape d) comprenant les étapes suivantes :- oxyder tout ou partie de la surface externe de l'oscillateur formé lors de l'étape a) afin de transformer ladite épaisseur de matériau à retirer en oxyde de silicium, et- retirer l'oxyde de silicium.
- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'à l'étape d) seul le pivot flexible (4) est modifié.
- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'à l'étape d) seule la serge (3) est modifiée.
- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'à l'étape d) le pivot flexible (4) et la serge (3) sont modifiées.
- Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'étape a) comprend une étape de gravure, par exemple gravure ionique réactive profonde, gravure chimique, gravure par faisceaux d'ions focalisés ou gravure laser.
- Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que les étapes b), c) et d) sont répétées une ou plusieurs fois pour affiner la qualité dimensionnelle de l'oscillateur obtenu à l'étape d).
- Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le pivot flexible (4) est du type à lames croisées séparées, à lames croisées non séparées ou à centre de rotation déporté.
- Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'oscillateur formé à l'étape a) est monobloc.
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