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EP0073165B1 - Commutateur d'ondes électromagnétiques - Google Patents

Commutateur d'ondes électromagnétiques Download PDF

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EP0073165B1
EP0073165B1 EP82401514A EP82401514A EP0073165B1 EP 0073165 B1 EP0073165 B1 EP 0073165B1 EP 82401514 A EP82401514 A EP 82401514A EP 82401514 A EP82401514 A EP 82401514A EP 0073165 B1 EP0073165 B1 EP 0073165B1
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EP
European Patent Office
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switch
guide
waveguide
diode
switch according
Prior art date
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Expired
Application number
EP82401514A
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
EP0073165A1 (fr
Inventor
Michel Baril
Gilles Sillard
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Thales SA
Original Assignee
Thomson CSF SA
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Filing date
Publication date
Application filed by Thomson CSF SA filed Critical Thomson CSF SA
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Publication of EP0073165A1 publication Critical patent/EP0073165A1/fr
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Expired legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/10—Auxiliary devices for switching or interrupting
    • H01P1/15—Auxiliary devices for switching or interrupting by semiconductor devices

Definitions

  • the invention relates to an electromagnetic wave switch made from a semiconductor placed in a waveguide and operating for millimeter waves.
  • the aim of such a device is to transmit certain microwave signals without loss of power and to attenuate certain others.
  • FIG. 1 represents a cross section of a rectangular waveguide 1 comprising a PIN diode 2 placed on one of the internal faces 3 of the guide.
  • the bias voltage V of the diode is introduced by a coaxial line 4, which is connected to the housing of the diode by a microwave trap 5 and by a metal bar 6, the trap being separated from the coaxial line by a piece of insulation. 50.
  • microwave switch close to the previous one, and comprising a PIN diode. It operates in mode 2, that is to say that the PIN diode and its circuit have a series resonant circuit when the diode is blocked and a parallel resonant circuit when it conducts.
  • an electromagnetic wave switch comprising a rectangular waveguide itself comprising a step providing a ridged space, of determined volume, in which a PIN diode is arranged, the waveguide is constructed in two parts, one being a flat metal plate and the other being a U-shaped metal plate comprising the step, the union of the two forming the cavity of the waveguide, and these two parts being isolated by a layer of insulating material, the two metallized faces of the diode being respectively welded one to the flat metal plate, and the other to the step of the waveguide.
  • FIG. 2 represents a switch according to the invention, seen in section along a cross section. It is produced from a rectangular waveguide 7, constructed in two parts, one being a flat metal plate 70 and the other being a metal plate 72 in the shape of a U, the union of the two producing the cavity of the waveguide. They are insulated from each other by a layer of insulating material 71.
  • the part 72 has a step 73 in its central part, providing in the guide a space called ridged according to English terminology, space in which is concentrated the electric field.
  • a semiconductor bar 10 with high breakdown voltage - several hundred volts - and low thermal resistance, this bar having a volume identical to the volume defined by the wrinkled space.
  • the cathode 101 of the diode 10 is connected to the step 73 while its anode 102 is connected to the other part 70.
  • a voltage ⁇ V is applied between these two parts.
  • the guide when the diode is blocked, the guide, on the one hand, can be considered to be filled with a dielectric material of high dielectric constant ⁇ ( ⁇ ⁇ 12 for a PIN diode) and on the other hand to dimensions such as propagation of a millimeter wave is possible. In this case, such a wave is transmitted through the switch.
  • a conventional PIN diode is used, the dimensions of which are adjusted to those of the guide and the two faces of which are metallized. To ensure good heat dissipation, the two metallized faces of the diode are welded to the walls of the guide.
  • FIG. 3 represents a switch according to the invention, according to a perspective view.
  • the elements identical to those of FIG. 2 provide the same functions and have the same references.
  • the transitions are ensured by bevels 9, or tapers in Anglo-Saxon terms, which are equivalent to transformers adapting the discontinuities.
  • the dimension of the PIN diode 10, L 5 along the longitudinal axis A of the waveguide, is a multiple of a quarter of the guided wavelength ⁇ g at the central frequency of the operating band.
  • this dimension is equal to 3 A g / 4 rather than A g / 4, since the dimension of the PIN diodes commonly used is of the order of 0.6 to 0.7 mm.
  • Figure 4 is a view along a longitudinal section of the waveguide 7, having the same references as the two previous figures. The dimensions, along the axis ⁇ , of the PIN diode 10 and the bevels 9 are also carried there.
  • FIG. 5 a particular embodiment of a switch according to the invention.
  • the two parts 70 and 72, separated by the insulator 71, are screwed together by nylon screws 15 for example.
  • These two traps 18, the depth d of which is a multiple of ⁇ / 4 bring an open circuit at the level of the insulating plate, therefore bring a short-circuit to the edges 19 of the waveguide.
  • This electric short-circuit makes it possible to achieve continuity from the microwave point of view while being an insulator from the continuous point of view.
  • This device can be used in all systems where it is necessary to attenuate or switch an electromagnetic signal. Thus it can either protect a receiver by acting as a controlled protective circuit, or be associated with a switch to switch a signal in a determined channel.
  • the switch 20 is on, the other 21 being blocked, an incoming signal through channel 22 is directed towards the switch 20 and vice versa when the switch is blocked, the other 21 being on.

Landscapes

  • Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
  • Transceivers (AREA)
  • Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)
  • Control Of Combustion (AREA)
  • Push-Button Switches (AREA)
  • Control Of High-Frequency Heating Circuits (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Description

  • L'invention est relative à un commutateur d'ondes électromagnétiques réalisé à partir d'un semiconducteur placé dans un guide d'ondes et fonctionnant pour des ondes millimétriques. Le but d'un tel dispositif est de transmettre sans pertes de puissance certains signaux hyperfréquence et d'en atténuer certains autres.
  • L'art antérieur fournit des exemples de réalisation de commutateurs hyperfréquence, constitués notamment d'une diode PIN associée à un circuit de polarisation et montée dans un guide d'ondes. La figure 1 représente une section droite d'un guide d'ondes 1 rectangulaire comportant une diode PIN 2 placée sur une des faces internes 3 du guide. La tension de polarisation V de la diode est introduite par une ligne coaxiale 4, qui est reliée au boîtier de la diode par un piège hyperfréquence 5 et par un barreau métallique 6, le piège étant séparé de la ligne coaxiale par un morceau d'isolant 50. Le fonctionnement d'un tel commutateur est le suivant: lorsque la diode est bloquée, elle est équivalente avec son circuit de polarisation à un circuit résonnant parallèle, tandis que lorsqu'elle conduit, elle est équivalente à un circuit résonnant série, laissant ainsi passer le signal hyperfréquence se propageant dans le guide d'ondes, ou l'atténuant.
  • Il existe un autre type de commutateur hyperfréquence, voisin du précédent, et comportant une diode PIN. Il fonctionne en mode 2, c'est-à-dire que la diode PIN et son circuit présentent un circuit résonnant série lorsque la diode est bloquée et un circuit résonnant parallèle quand elle conduit.
  • Deux inconvénients principaux apparaissent lors du fonctionnement de ce genre de commutateur. L'un vient du fait que les boîtiers protégeant les diodes PIN ainsi que les différents éléments comme le barreau métallique qui assure à la fois le montage mécanique et l'arrivée de la polarisation de la diode, sont des éléments parasites selfiques et/ou capacitifs limitant la bande passante de fonctionnement du commutateur.
  • L'autre inconvénient est dû à l'impossibilité d'utiliser un tel commutateur en ondes millimétriques. En effet, pour le bon fonctionnement du commutateur, il faut une diode PIN ayant une capacité de jonction très faible, ce qui est très difficilement réalisable et ce qui peut entraîner une mauvaise tenue en puissance due à une tension de claquage trop basse et/ou à une mauvaise résistance thermique de la diode.
  • Un autre type de commutateur hyperfréquence est également connu du document US 3 346 825. Ce document montre en effet un guide d'ondes, dont les dimensions sont rétrécies en sa partie centrale pour définir un certain volume occupé par deux barreaux de semiconducteurs placés symétriquement de part et d'autre d'une plaquette métallique. La polarisation de ces deux semi-conducteurs est amenée par un conducteur traversant une des parois du guide et aboutissant à la plaquette métallique de separation, une tension étant appliquée entre ce conducteur et les parois du guide, les deux barreaux étant ainsi montés en opposition.
  • Tous ces commutateurs hyperfréquence ont en commun le fait qu'une tension de polarisation est toujours amenée de l'exterieur en traversant l'une des parois du guide.
  • Dans un commutateur d'ondes électromagnétiques suivant l'invention, comportant un guide d'ondes rectangulaire comportant lui-même un redan ménageant un espace ridgé, de volume déterminé, dans lequel est disposée une diode PIN, le guide d'ondes est construit en deux parties, l'une étant une plaque métallique plane et l'autre étant une plaque métallique en forme de U comportant le redan, la réunion des deux réalisant la cavité du guide d'ondes, et ces deux parties étant isolées par une couche de matériau isolant, les deux faces métallisées de la diode étant respectivement soudées l'une à la plaque métallique plane, et l'autre au redan du guide d'ondes.
  • D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront lors de la description qui suit, illustrée par les figures 2 à 6, qui outre la figure 1 déjà mentionnée, représentent:
    • - la figure 2, une vue en coupe d'un tel commutateur suivant une section droite du guide;
    • - la figure 3, une vue en perspective du commutateur de la figure 2;
    • - la figure 4, une vue en coupe longitudinale du commutateur des figures précédentes;
    • -la figure 5, une variante d'un commutateur selon l'invention vue en coupe et
    • - la figure 6, un dispositif utilisant un commutateur selon l'invention.
  • La figure 2 représente un commutateur selon l'invention, vu en coupe selon une section droite. Il est réalisé à partir d'un guide d'ondes 7 rectangulaire, construit en deux parties, l'une étant une plaque métallique plane 70 et l'autre étant une plaque métallique 72 en forme de U, la réunion des deux réalisant la cavité du guide d'ondes. Elles sont isolées l'une par rapport à l'autre par une couche de matériau isolant 71. La partie 72 comporte un redan 73 dans sa partie centrale, ménageant dans le guide un espace dit ridgé selon la terminologie anglo-saxonne, espace dans lequel est concentré le champ électrique. Dans cet espace ridgé est disposé un barreau semiconducteur 10 à forte tension de claquage - plusieurs centaines de volts - et à faible résistance thermique, ce barreau ayant un volume identique au volume défini par l'espace ridgé.
  • Etant données les dimensions du guide d'ondes fonctionnant en ondes millimétriques, on peut mettre une puce de semiconducteur telle qu'une diode PIN dans l'espace ridgé. Dans un exemple particulier de réalisation, les dimensions de la section droite du guide 7 sont:
    • L, = 2,54 mm et L2 = 1,27 mm

    et celles de l'espace ridgé sont:
    • L3 = 0,6 mm et L4 = 0,4 mm.
  • La cathode 101 de la diode 10 est reliée au redan 73 tandis que son anode 102 est reliée à l'autre partie 70. Pour polariser la diode, on applique une tension ± V entre ces deux parties.
  • Ainsi, lorsque la diode est bloquée, le guide, d'une part, peut être considéré comme rempli d'un matériau diélectrique de constante diélectrique ε élevée (ε ~ 12 pour une diode PIN) et d'autre part à des dimensions telles que la propagation d'une onde millimétrique est possible. Dans ce cas, une telle onde est transmise à travers le commutateur.
  • Par contre, lorsque la diode conduit, elle est équivalente à un court-circuit et l'onde millimétrique incidente est réfléchie par le commutateur.
  • En ce qui concerne la réalisation pratique, on utilise une diode PIN classique dont on ajuste les dimensions à celles du guide et dont les deux faces sont métallisées. Pour assurer une bonne dissipation thermique, on soude les deux faces métallisées de la diode aux parois du guide.
  • La figure 3 représente un commutateur selon l'invention, selon une vue en perspective. Les éléments identiques à ceux de la figure 2 assurent les mêmes fonctions et portent les mêmes références. Entre l'espace ridgé et le guide d'ondes, les transitions sont assurées par des biseaux 9, ou tapers en vocable anglo-saxon, qui sont équivalents à des transformateurs adaptant les discontinuités. Pour compenser en plus ces transitions, la dimension de la diode PIN 10, L5, selon l'axe longitudinal A du guide d'ondes, est un multiple du quart de la longueur d'onde guidée À g à la fréquence centrale de la bande de fonctionnement. De façon préférentielle, cette dimension est égale à 3 À g/4 plutôt qu'à À g/4, car la dimension des diodes PIN utilisées couramment est de l'ordre de 0,6 à 0,7 mm.
  • La figure 4 est une vue selon une coupe longitudinale du guide d'ondes 7, comportant les mêmes références que les deux figures précédentes. Y sont portées de plus les dimensions, selon l'axe Δ, de la diode PIN 10 et des biseaux 9.
  • Selon l'exemple de réalisation déjà indiqué, les longueurs L5 et L6 prennent les valeurs suivantes:
    • L5 = 0,7 mm et L6 = 16 mm
  • Sur la figure 5 est représentée une réalisation particulière d'un commutateur selon l'invention. Les deux parties 70 et 72, séparées par l'isolant 71, sont vissées ensemble par des vis 15 en nylon par exemple. Afin d'assurer les contacts hyperfréquences, en plus de la couche d'isolant 71, on a creusé un sillon 18 de part et d'autre du guide, à une distance 1 = (2n + 1) 7/4 du guide, et sur toute la longueur du guide, servant de piège hyperfréquence. Ces deux pièges 18, dont la profondeur d est un multiple de λ/4 ramènent un circuit ouvert au niveau de la plaquette isolante, donc ramènent un courtcircuit aux bords 19 du guide d'onde. Ce court-circuit électrique permet de réaliser la continuité au point de vue hyperfréquence tout en étant un isolant au point de vue continu.
  • Ainsi vient d'être décrit un commutateur d'ondes électromagnétiques millimétriques, ayant une bonne tenue en puissance. Par rapport aux dispositifs antérieurs, les éléments parasites du montage sont considérablement réduits et les semiconducteurs utilisés sont des semiconducteurs fonctionnant dans des gammes de fréquences beaucoup plus basses et ayant une forte tension de claquage et une faible résistance thermique.
  • Ce dispositif peut être utilisé dans tous les systèmes où il est nécessaire d'atténuer ou de commuter un signal électromagnétique. Ainsi il peut soit protéger un récepteur en agissant comme un circuit protecteur commandé, soit être associé à un aiguillage pour commuter un signal dans une voie déterminée. C'est ce qui est représenté sur la figure 6: deux commutateurs 20 et 21 sont reliés à une voie d'entrée 22, par l'intermédiaire de deux lignes hyperfréquences 23 de longueur égale à un multiple impair du quart de la longueur d'onde guidée λ g. Lorsque le commutateur 20 est passant, l'autre 21 étant bloqué, un signal entrant par la voie 22 est orienté vers le commutateur 20 et inversement lorsque le commutateur est bloqué, l'autre 21 étant passant.

Claims (5)

1. Commutateur d'ondes électromagnétiques comportant un guide d'ondes rectangulaire (7) comportant lui-même un redan (73) ménageant un espace ridgé, de volume déterminé, dans lequel est disposée une diode PIN (10), caractérisé en ce que le guide d'ondes (7), dont les dimensions permettent la propagation d'ondes millimétriques, est construit en deux parties (70 et 72), l'une étant une plaque métallique plane (70) et l'autre étant une plaque métallique (72) en forme de U comportant le redan (73), la réunion des deux réalisant la cavité du guide d'ondes, et ces deux parties étant isolées par une couche de matériau isolant (71) les deux faces métallisées de la diode (10) étant respectivement soudées l'une à la plaque métallique plane (70), et l'autre au redan (73) du guide (7).
2. Commutateur selon la revendication 1, caractérisé en ce que des biseaux (9) ou transformateurs d'impédance assurent les transitions entre le guide d'ondes (7) et le redan (73).
3. Commutateur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la dimension de la diode PIN (10) selon l'axe longitudinal (Δ) est un multiple du quart de la longueur d'onde (i. g) à la fréquence centrale de la bande de fonctionnement.
4. Commutateur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la partie (72) du guide comportant le redan (73) comporte, à l'extérieur du guide proprement dit, deux sillons (18) de part et d'autre de l'axe (A), à une distance (1) déterminée du guide, ces deux sillons étant creusés sur une profondeur (d) déterminée et sur toute la longueur du commutateur, servant ainsi de pièges hyperfréquences.
5. Commutateur selon la revendication 4, caractérisé en ce que la distance (1) et la profondeur (d) sont des multiples du quart de la longueur d'onde (7) à la fréquence centrale de la bande de fonctionnement.
EP82401514A 1981-08-21 1982-08-10 Commutateur d'ondes électromagnétiques Expired EP0073165B1 (fr)

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AT82401514T ATE26506T1 (de) 1981-08-21 1982-08-10 Mikrowellenschalter.

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FR8116120 1981-08-21
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EP0073165A1 EP0073165A1 (fr) 1983-03-02
EP0073165B1 true EP0073165B1 (fr) 1987-04-08

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EP82401514A Expired EP0073165B1 (fr) 1981-08-21 1982-08-10 Commutateur d'ondes électromagnétiques

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EP (1) EP0073165B1 (fr)
JP (1) JPS5840901A (fr)
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3377760D1 (en) * 1983-05-20 1988-09-22 Marconi Co Ltd Microwave switch
FR2552935B1 (fr) * 1983-09-30 1986-03-21 Thomson Csf Perfectionnement aux commutateurs d'ondes electromagnetiques millimetriques
US4613839A (en) * 1984-08-09 1986-09-23 Itt Corporation Machined waveguide
FR2570904B1 (fr) * 1984-09-25 1987-01-16 Thomson Csf Dispositif de protection pour sortie d'emetteur
DE3534980A1 (de) * 1985-10-01 1987-04-02 Licentia Gmbh Hohlleiterschalter
US10802375B2 (en) 2017-09-15 2020-10-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Optically-controlled switch

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2470805A (en) * 1941-09-12 1949-05-24 Emi Ltd Means for preventing or reducing the escape of high-frequency energy
SE125124C1 (fr) * 1943-06-11 1949-06-07
US2951217A (en) * 1956-12-31 1960-08-30 Hughes Aircraft Co Waveguide motional joint
GB902128A (en) * 1959-08-19 1962-07-25 Decca Ltd Improvements in or relating to waveguide couplings
US3050702A (en) * 1960-12-28 1962-08-21 Bell Telephone Labor Inc Capacitively loaded waveguide
US3346825A (en) * 1965-06-28 1967-10-10 Ass Elect Ind Waveguide switch with semiconductor in thermal contact with waveguide walls
US3553610A (en) * 1969-05-23 1971-01-05 Bell Telephone Labor Inc Diode mount having integral resonant circuit
GB1318049A (en) * 1970-07-08 1973-05-23 Rank Organisation Ltd Waveguides
US3710286A (en) * 1971-07-28 1973-01-09 Hitachi Ltd Control of microwave power by applying stress to gadolinium molydate single crystal
US3701055A (en) * 1972-01-26 1972-10-24 Motorola Inc Ka-band solid-state switching circuit
JPS583401B2 (ja) * 1972-05-23 1983-01-21 日本放送協会 マイクロハカイロ

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
H. Meinke et al.: "Taschenbuch der Hochfrequenztechnik", New York 1968, pages 406-407 *

Also Published As

Publication number Publication date
FR2511812B1 (fr) 1984-11-30
ATE26506T1 (de) 1987-04-15
FR2511812A1 (fr) 1983-02-25
EP0073165A1 (fr) 1983-03-02
JPS6322721B2 (fr) 1988-05-13
CA1197578A (fr) 1985-12-03
US4507632A (en) 1985-03-26
JPS5840901A (ja) 1983-03-10
DE3276039D1 (en) 1987-05-14

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