DK151425B - Fremgangsmaade til fremstilling af et termoelektrisk modul - Google Patents
Fremgangsmaade til fremstilling af et termoelektrisk modul Download PDFInfo
- Publication number
- DK151425B DK151425B DK401176AA DK401176A DK151425B DK 151425 B DK151425 B DK 151425B DK 401176A A DK401176A A DK 401176AA DK 401176 A DK401176 A DK 401176A DK 151425 B DK151425 B DK 151425B
- Authority
- DK
- Denmark
- Prior art keywords
- semiconductor rods
- layer
- semiconductor
- nickel
- thickness
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 35
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 19
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 17
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 15
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 14
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000004568 cement Substances 0.000 claims description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 6
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 4
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 claims description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910008310 Si—Ge Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005267 amalgamation Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 230000008642 heat stress Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000002893 slag Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
- B23K35/24—Selection of soldering or welding materials proper
- B23K35/30—Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 1550 degrees C
- B23K35/3013—Au as the principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/81—Structural details of the junction
- H10N10/817—Structural details of the junction the junction being non-separable, e.g. being cemented, sintered or soldered
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S257/00—Active solid-state devices, e.g. transistors, solid-state diodes
- Y10S257/93—Thermoelectric, e.g. peltier effect cooling
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Description
i 151425
Opfindelsen angår en fremgangsmåde til fremstilling af et termoelektrisk modul, ved hvilken der ved enderne af de af halvlederstave bestående termoelementben er udformet sideværts fremspring, og hvor halvlederstavene 5 sammensættes i rækkefølge under anvendelse af et isolerende bindemiddel eller en isolerende cement på en sådan måde, at nafoohalvlederstave grænser til hinanden med deres fremspring, men i øvrigt er isolerede fra hinanden, hvorved overfladen af den således opnåede indretning ren-10 ses mekanisk, og halvlederstavenes frie endeoverflader forbindes med et galvanisk frembragt nikkellag og en derpå anbragt kobberelektrode.
Ved en fra tysk fremlæggelsesskrift nr. 1.243.743 kendt fremgangsmåde af denne art til fremstilling af et 15 termoelektrisk modul forstærkes de kontaktbroerne dannende fremspring på termoelementbenene ved hjælp af metallag, som pådampes og/eller påsprøjtes og/eller påføres galvanisk og/eller ved hjælp af metalfolier, som klæbes på benenes endeflader. Til dette formål pådampes der på 20 benenes endeflader først nikkel med en lagtykkelse på l-5yU, hvorefter der påføres et kobberlag med en tykkelse op til 500hvilket sker enten ved pådampning, galvanisk udfældning eller påsprøjtning eller ved påklæbning af en kobberfolie.
25 Fra beskrivelsen til fransk patentskrift nr.1.553.008 er det til fremstilling af et termoelektrisk modul ligeledes kendt at sammensætte af halvlederstave dannede termoelementben i rækkefølge med mellemlæg af isolationsmateriale og frembringe kontaktbroerne ved, at der på 30 halvlederstavenes frie endeoverflader først ved pådampning påføres et 0,5-lyU tykt guldlag, derpå ved galvanisk udfældning et 0,012-0,05 mm tykt nikkellag, derpå et kobberlag og oven på dette endeligt et nikkellag. Yderligere er det fra tysk fremlæggelsesskrift nr. 1.664.100 kendt 35 at sammensætte termoelementben dannende halvlederstave under anvendelse af et isolerende bindemiddel i form af en matrix, på hvis overflader der galvanisk udfældes et nikkellag og derpå et kobberlag, hvilke lag derefter 151425 2 bortætses i overensstemmelse med de ønskede kontaktbroer.
Endelig er det ved fremstilling af termoelektriske moduler kendt fra beskrivelsen til fransk patent nr.1.348.330 kendt at lodde kontaktbroer til de med et nikkellag og 5 et sølvlag dækkede endeoverflader af halvlederstave ved hjælp af et blødlod.
Ved fremstillingen og sammensætningen af et termo-elektrisk modul må det påses, at udvælgelsen, anbringelsen og behandlingen af de anvendte materialer i videst 10 muligt omfang afstemmes efter hinanden, da materialernes egenskaber har en bestemmende indflydelse på det færdige modul. Således kræves blandt andet, at hvert termoelement opnår en maksimal varmeudveksling med varme- eller kuldekilden, at kontaktbroerne mellem de forskellige halvle-15 derstave udviser en negligibel elektrisk modstand i sammenligning med selve halviederstavene, og at modulet navnlig er mekanisk og kemisk stabilt ved dets arbejds-temperatur, der alt efter det anvendte materiale kan variere mellem 300 og 800°C. I denne forbindelse må even-20 tuelt optrædende termiske spændinger i materialet ikke føre til beskadigelse af modulet. Endvidere må det sikres, at der ved højtemperaturdrift i meget lange tidsrum ikke kan optræde diffusioner, fordampning eller oxyderinger, som kan ændre halvlederstavenes dotering og sammen-25 sætning.
En sådan afstemning opnås imidlertid ikke ved de kendte fremstillingsmetoder. Ved de fra de tyske fremlæggelsesskrifter nr. 1.243.743 og 1.464.100 og beskrivelsen til det franske patent nr. 1.553.008 kendte termoelektri-30 ske moduler er nikkellagets vedhæftning til halviederoverfladen forholdsvis ringe, således at nikkellaget efter nogen tid kan løsrives som følge af varmepåvirkningen under drift. Ved de fra beskrivelserne til de franske patenter nr. 1.553.008 og 1.348.330 og fra tysk fremlæggel-35 sesskrift nr. 1.464.100 kendte termoelektriske moduler udviser termoelementbenenes halvlederstave ingen til hinanden grænsende fremspring, således at den elektriske modstand mellem to nabohalvlederstave alene bestemmes af 151425 3 de metalliske kobberbroer og derfor er forholdsvis høj, idet halvlederstavene ikke står i umiddelbar forbindelse med hinanden.
Med opfindelsen tilsigtes det at anvise en på enkel 5 måde gennemførlig fremgangsmåde af den indledningsvis angivne art, med hvilken der kan fremstilles et termo-elektrisk modul med gode egenskaber og med en forbedret vedhæftning mellem kontaktbroer og termoelementben.
Ifølge opfindelsen opnås dette ved, at fremspringene 10 dannes ved hjælp af en ultralydperforator, at overfladerne af den halvlederstavene indeholdende indretning rengøres ved sandblæsning, at der ved pådampning påføres et guldlag med en tykkelse på l^u, at nikkellaget påføres galvanisk oven på dette med en tykkelse på 0,01-0,03 mm, 15 at kobberelektroder loddes på nikkellaget i vakuum under anvendelse af en loddelegering bestående af Au, Ag og Ga, at de områder af de påførte metallag imellem halvlederstavene, der ikke skal forbindes gennem de påførte metallag, bortfræses under anvendelse af en ultralydperfora-20 tor, og at kobberelektroderne beskyttes ved nikkel- eller kromplettering.
Gennem den ved opfindelsen foreslåede frembringelse af fremspringene under anvendelse af en ultralydperforator og af overfladerne af den halvlederstavene indehol-25 dende indretning ved sandblæsning opnås ved enkle og hurtigt gennemførlige fremgangsmådetrin overordentligt gunstige overfladeegenskaber, som er nødvendige til opnåelse af god kontakt, mellem nabohalvlederstave og god kontaktdannelse og vedhæftning af kontaktbroerne i forhold til 30 halvlederstavene. Da guld- og nikkellagene påføres med forholdsvis høj tykkelsesnøjagtighed henholdsvis ved pådampning og galvanisk, og de forud fremstillede kobberelektroder, der skal påloddés, ligeledes kan dimensioneres nøjagtigt, er modstandsværdien for kontaktbroerne 35 for hvert kontaktpunkt i et bestemt modul eller for forskellige moduler reproducerbar. Ved pålodning af kobberelektroderne under anvendelse af en loddelegering kræves ikke længere den forholdsvis langsommelige galvaniske 151425 i 4 udfældning af kobber i den ønskede tykkelse. Fremgangsmåden ifølge opfindelsen medfører endvidere en hurtigere fremstilling som følge af anvendelsen af en ultralydper-forator til bortfræsning af de områder af de påførte me-5 tallag mellem halviederstavene, som ikke skal forbindes gennem de påførte metallag. Til slut beskyttes kobberelektroderne navnlig mod korrosion eller mekaniske påvirkninger af nikkel- eller kromplateringen.
Halvlederstavene samles ved hjælp af højtemperatur-10 resistante cementer med termiske udvidelseskoefficienter, der er forligelige med halvledermaterialernes. Det første trin består således i at samle stavene og påføre laget af isolerende cement i passende tykkelse til frembringelse af et kompakt modul.
15 Det er vigtigt at reducere mængden af isolations materiale til et minimum for at forhindre parasitisk termisk ledningsevne, dvs. termiske kortslutninger, i længderetningen. For at opnå nøjagtighed og reproducerbarhed ved tilsætningen af dette lag og deraf følgende korrekt 20 geometri med opretning af halvlederstavene og parallelitet imellem de varme og kolde overflader, findes der sideværts fremspring, der frembringes ved en simpel og hurtig operation ved hjælp af en ultralydperforator.
Efter samling af modulet kan det samme værktøj be-25 nyttes til at fremstille de udsparinger i de områder i-mellem elementerne, som skal stå isoleret tilbage. Dette har den yderligere fordel, at de sideværts fremspring allerede danner en ledende bro for udfældningen af guld, hvilket skal ses på baggrund af usikkerheden og uregel-30 mæssigheden ved adhæsionen mellem guldet og en eventuelt ledende bro i cementen.
De elektriske og mekaniske kontakter mellem de forskellige halvlederstave tilvejebringes ved pådampning af et guldlag med en tykkelse på l^u efterfulgt af galvanisk 35 udfældning af nikkel med en tykkelse på o,ol-o,o3 mm. På dette sidstnævnte lag anbringes derefter kobberplader med en passende tykkelse ved lodning i vakuum under anvendelse af en særlig loddelegering. De termoelektriske halv- 151425 5 lederstave inklusive indgangs- og udgangsterminalerne forbindes på denne måde til begge yderflader af modulet i en enkel operation under anvendelse af passende positioneringsskabeloner .
5 Loddelegeringen opnås ved blanding af guld, sølv og gallium i forudbestemte proportioner. Denne legering har et smeltepunkt på helt op til 600°C, afhængig af det pro-centiske indhold af de forskellige komponenter og er derfor velegnet til brug i forbindelse med termoelektriske 10 elementer af både Bi-Te-Sb og Si-Ge-typen.
En legering fremstillet ved følgende fremgangsmåde til termoelementer af Bi-Te-Sb og Bi-Te-Se-typen med en arbejdstemperatur på 300°C har et smeltepunkt på 400°C: a) fremstilling af en blanding med følgende sammen- 15 sætning i vægtprocent:
Au = 50%, Ag = 20%, Ga = 30%, b) amalgamering med efterfølgende hærdning i én time, c) successive smeltningsoperationer i vakuum til rensning af legeringen for ikke-amalgameret 20 slagge, d) formaling af den opnåede råbarre, e) sintring af pulveret til frembringelse af lag delinger af passende tykkelse på f.eks. 0,2 mm.
Fremgangsmåden ifølge opfindelsen har den yderligere 25 fordel, at paralleliteten imellem modulets overflader bevares, således at de eneste efterfølgende operationer består i en polering og en eventuel beskyttelse imod oxydering.
Opfindelsen forklares nærmere i det følgende under 30 henvisning til tegningen, hvor fig. 1 viser et snit igennem forbindelsen af halvlederstave , fig. 2 et perspektivbillede af det termoelektriske modul, og 35 fig. 3 en grafisk afbildning af forløbet af bestemte termoelektriske værdier for et ved fremgangsmåden ifølge opfindelsen fremstillet termoelektrisk modul.
I fig. 1 forbindes en P-ledende og en N-ledende
Claims (2)
1. Fremgangsmåde til fremstilling af et termoelek-30 trisk modul, ved hvilken der ved enderne af de af halvlederstave (P, N) bestående termoelementben er udformet sideværts fremspring (6), og hvor halvlederstavene (P, N) sammensættes i rækkefølge under anvendelse af et isolerende bindemiddel eller en isolerende cement på en sådan 35 måde, at nabohalvlederstave (P, N) grænser til hinanden med deres fremspring, men i øvrigt er isoleret fra hinanden, hvorved overfladen af den således opnåede indretning renses mekanisk, og halvlederstavenes (P, N) frie 151425 endeoverflader forbindes med et galvanisk frembragt nikkellag (3) og en derpå anbragt kobberelektrode (5), kendetegnet ved at fremspringene (6) dannes ved hjælp af en ultralydperforator, at overfladerne af 5 den halvlederstavene (P, N) indeholdende indretning rengøres ved sandblæsning, at der ved pådampning påføres et guldlag (2) med en tykkelse på 1 jvi, at nikkellaget (3) påføres oven på guldlaget (2) med en tykkelse på 0,01-0,03 mm, at kobberelektroder (5) loddes på nikkellaget 10 (3) i vakuum under anvendelse af en loddelegering (4) bestående af Au, Ag og Ga, at de områder af de påførte metallag (2, 3, 5) mellem halvlederstavene, der ikke skal forbindes gennem de påførte metallag (2, 3, 5), bortfræses under anvendelse af en ultralydperforator, og 15 at kobberelektroderne (5) beskyttes ved nikkel- eller krompiettering.
2. Fremgangsmåde ifølge krav 1, kendetegnet ved, at loddelegeringen er sammensat af 50% Au, 20% Ag og 30% Ga.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
IT27777/75A IT1042975B (it) | 1975-09-30 | 1975-09-30 | Metodo per la costruzione di un modulo termoelettrico e modulo cosi ottenuto |
IT2777775 | 1975-09-30 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DK401176A DK401176A (da) | 1977-03-31 |
DK151425B true DK151425B (da) | 1987-11-30 |
DK151425C DK151425C (da) | 1988-05-16 |
Family
ID=11222306
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DK401176A DK151425C (da) | 1975-09-30 | 1976-09-06 | Fremgangsmaade til fremstilling af et termoelektrisk modul |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US4081895A (da) |
JP (1) | JPS5263084A (da) |
BE (1) | BE846800A (da) |
CA (2) | CA1081369A (da) |
DE (1) | DE2644283C3 (da) |
DK (1) | DK151425C (da) |
FR (2) | FR2335057A1 (da) |
GB (2) | GB1550690A (da) |
IT (1) | IT1042975B (da) |
LU (1) | LU75897A1 (da) |
NL (1) | NL176416C (da) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4654224A (en) * | 1985-02-19 | 1987-03-31 | Energy Conversion Devices, Inc. | Method of manufacturing a thermoelectric element |
DE3854679T2 (de) * | 1987-04-22 | 1996-07-18 | Sharp K.K., Osaka | Supraleitfähiges Gerät. |
US4855810A (en) * | 1987-06-02 | 1989-08-08 | Gelb Allan S | Thermoelectric heat pump |
US4902648A (en) * | 1988-01-05 | 1990-02-20 | Agency Of Industrial Science And Technology | Process for producing a thermoelectric module |
US5434744A (en) * | 1993-10-22 | 1995-07-18 | Fritz; Robert E. | Thermoelectric module having reduced spacing between semiconductor elements |
US5722158A (en) * | 1993-10-22 | 1998-03-03 | Fritz; Robert E. | Method of manufacture and resulting thermoelectric module |
CN1104746C (zh) * | 1996-05-28 | 2003-04-02 | 松下电工株式会社 | 热电组件的制造方法 |
WO1998022984A1 (fr) * | 1996-11-15 | 1998-05-28 | Citizen Watch Co., Ltd. | Procede de fabrication d'un element thermoionique |
US6300150B1 (en) | 1997-03-31 | 2001-10-09 | Research Triangle Institute | Thin-film thermoelectric device and fabrication method of same |
KR100297290B1 (ko) * | 1998-04-22 | 2001-10-25 | 우대실 | 열전반도체모듈및그제조방법 |
AT410492B (de) * | 2000-05-02 | 2003-05-26 | Span Gerhard Dipl Ing Dr | Thermoelektrisches element mit mindestens einer n-schicht und mindestens einer p-schicht |
US20040251539A1 (en) * | 2001-09-12 | 2004-12-16 | Faris Sadeg M. | Thermoelectric cooler array |
US20070101737A1 (en) | 2005-11-09 | 2007-05-10 | Masao Akei | Refrigeration system including thermoelectric heat recovery and actuation |
US7310953B2 (en) * | 2005-11-09 | 2007-12-25 | Emerson Climate Technologies, Inc. | Refrigeration system including thermoelectric module |
DE102006017547B4 (de) * | 2006-04-13 | 2012-10-04 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Thermoelektrisches Bauelement sowie Herstellverfahren hierfür |
US7937952B2 (en) * | 2008-10-16 | 2011-05-10 | Emcore Corporation | Thermoelectric cooler with multiple temperature zones |
JP2010251485A (ja) * | 2009-04-15 | 2010-11-04 | Sony Corp | 熱電装置、熱電装置の製造方法、熱電装置の制御システム及び電子機器 |
DE102009032906A1 (de) * | 2009-07-10 | 2011-01-20 | O-Flexx Technologies Gmbh | Modul mit mehreren thermoelektrischen Elementen |
DE102009048985A1 (de) * | 2009-10-09 | 2011-04-21 | O-Flexx Technologies Gmbh | Modul mit mehreren thermoelektrischen Elementen |
DE102011001653A1 (de) * | 2011-03-30 | 2012-10-04 | O-Flexx Technologies Gmbh | Thermoelektrische Anordnung |
US20140048111A1 (en) * | 2012-08-17 | 2014-02-20 | Thomas G. Hinsperger | Method and system for producing an electric current from a temperature differential |
DE102012102090A1 (de) * | 2012-01-31 | 2013-08-01 | Curamik Electronics Gmbh | Thermoelektrisches Generatormodul, Metall-Keramik-Substrat sowie Verfahren zum Herstellen eines Metall-Keramik-Substrates |
ES2397775B1 (es) * | 2012-11-16 | 2013-09-27 | La Farga Lacambra, S.A. | Procedimiento de obtención de aleaciones Zn-Sb con propiedades termoeléctricas |
US9218979B2 (en) | 2014-01-16 | 2015-12-22 | Phononic Devices, Inc. | Low resistivity ohmic contact |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR1380170A (fr) * | 1963-01-21 | 1964-11-27 | Rue Frigistor S A De | Unité thermoélectrique et procédé pour sa fabrication |
CH401186A (de) * | 1961-04-27 | 1965-10-31 | Westinghouse Electric Corp | Verfahren zum Herstellen von Thermoelementschenkeln |
DE1243743B (de) * | 1961-09-19 | 1967-07-06 | Siemens Ag | Thermoelektrische Anordnung |
GB1118183A (en) * | 1964-05-01 | 1968-06-26 | Plessey Uk Ltd | Improvements in or relating to thermoelectric devices |
FR1553008A (da) * | 1966-11-22 | 1969-01-10 | ||
GB1198988A (en) * | 1966-08-31 | 1970-07-15 | G V Planer Ltd | Improvements in or relating to Thermoelectric Devices |
FR2275271A1 (fr) * | 1974-05-28 | 1976-01-16 | Johnson Matthey Co Ltd | Soudures a base d'or |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2261638B1 (da) * | 1974-02-15 | 1976-11-26 | Cit Alcatel |
-
1975
- 1975-09-30 IT IT27777/75A patent/IT1042975B/it active
-
1976
- 1976-09-06 DK DK401176A patent/DK151425C/da not_active IP Right Cessation
- 1976-09-16 GB GB41282/77A patent/GB1550690A/en not_active Expired
- 1976-09-16 GB GB38494/76A patent/GB1550689A/en not_active Expired
- 1976-09-17 CA CA261,484A patent/CA1081369A/en not_active Expired
- 1976-09-20 US US05/724,544 patent/US4081895A/en not_active Expired - Lifetime
- 1976-09-27 NL NLAANVRAGE7610703,A patent/NL176416C/xx not_active IP Right Cessation
- 1976-09-28 FR FR7629134A patent/FR2335057A1/fr active Granted
- 1976-09-28 LU LU75897A patent/LU75897A1/xx unknown
- 1976-09-30 BE BE171121A patent/BE846800A/xx not_active IP Right Cessation
- 1976-09-30 DE DE2644283A patent/DE2644283C3/de not_active Expired
- 1976-09-30 JP JP51116660A patent/JPS5263084A/ja active Granted
-
1977
- 1977-03-18 FR FR7708280A patent/FR2334758A1/fr active Granted
-
1978
- 1978-12-13 US US05/968,920 patent/USRE30652E/en not_active Expired - Lifetime
-
1979
- 1979-12-04 CA CA341,158A patent/CA1092862A/en not_active Expired
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH401186A (de) * | 1961-04-27 | 1965-10-31 | Westinghouse Electric Corp | Verfahren zum Herstellen von Thermoelementschenkeln |
DE1243743B (de) * | 1961-09-19 | 1967-07-06 | Siemens Ag | Thermoelektrische Anordnung |
FR1380170A (fr) * | 1963-01-21 | 1964-11-27 | Rue Frigistor S A De | Unité thermoélectrique et procédé pour sa fabrication |
GB1118183A (en) * | 1964-05-01 | 1968-06-26 | Plessey Uk Ltd | Improvements in or relating to thermoelectric devices |
GB1198988A (en) * | 1966-08-31 | 1970-07-15 | G V Planer Ltd | Improvements in or relating to Thermoelectric Devices |
FR1553008A (da) * | 1966-11-22 | 1969-01-10 | ||
FR2275271A1 (fr) * | 1974-05-28 | 1976-01-16 | Johnson Matthey Co Ltd | Soudures a base d'or |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2335057B1 (da) | 1983-01-21 |
GB1550690A (en) | 1979-08-15 |
USRE30652E (en) | 1981-06-16 |
BE846800A (fr) | 1977-03-30 |
JPS6112397B2 (da) | 1986-04-08 |
US4081895A (en) | 1978-04-04 |
IT1042975B (it) | 1980-01-30 |
GB1550689A (en) | 1979-08-15 |
FR2334758A1 (fr) | 1977-07-08 |
DE2644283A1 (de) | 1977-03-31 |
CA1092862A (en) | 1981-01-06 |
LU75897A1 (da) | 1977-05-11 |
NL176416B (nl) | 1984-11-01 |
NL7610703A (nl) | 1977-04-01 |
NL176416C (nl) | 1985-04-01 |
DK151425C (da) | 1988-05-16 |
CA1081369A (en) | 1980-07-08 |
DE2644283C3 (de) | 1980-05-29 |
FR2334758B1 (da) | 1980-04-18 |
JPS5263084A (en) | 1977-05-25 |
DK401176A (da) | 1977-03-31 |
DE2644283B2 (de) | 1979-09-13 |
FR2335057A1 (fr) | 1977-07-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DK151425B (da) | Fremgangsmaade til fremstilling af et termoelektrisk modul | |
US2694168A (en) | Glass-sealed semiconductor crystal device | |
CA2028043C (en) | Chip form of surface mounted electrical resistance and its manufacturing method | |
JP2006298755A (ja) | チップ素子のグレーズ被覆構造及びその形成方法 | |
CN110706873B (zh) | 一种超低阻值片式电阻器以及制作方法 | |
JPH11222664A (ja) | メタルマスク、このメタルマスクを用いた抵抗体の形成方法およびこのメタルマスクを用いた抵抗器の製造方法 | |
JP2008311362A (ja) | セラミック電子部品 | |
CN108981506B (zh) | 一种微型表贴式点火电阻器及其制备方法 | |
US2882587A (en) | Brazing methods | |
CN111189554B (zh) | 一种薄膜铂电阻温度传感器及其制造方法 | |
JPH11204304A (ja) | 抵抗器およびその製造方法 | |
US3392061A (en) | Thermoelectric mosaic interconnected by semiconductor leg protrusions and metal coating | |
US4806725A (en) | Circuit substrate and thermal printing head using the same | |
JPH09297069A (ja) | 温度検知用センサ | |
JPH07122406A (ja) | チップ状ヒューズ抵抗器とその製造方法 | |
JPH10294204A (ja) | 厚膜サーミスタ、およびその製造方法 | |
CN102539004A (zh) | 一种温度传感器的制作方法 | |
JP2008244211A (ja) | 薄膜チップ抵抗器の製造方法 | |
JPS5864075A (ja) | 熱電堆の製造方法 | |
JPS56135948A (en) | Insulated radiating substrate | |
US4695818A (en) | Electrical resistor with a negative temperature coefficient for incremental resistance values and method for manufacturing same | |
CN219370713U (zh) | 一种玻璃基表贴式点火电阻器 | |
US3110875A (en) | Bead type thermistor and method | |
TWI719679B (zh) | 圓柱型電阻之製程及其結構 | |
JPH0214161Y2 (da) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PBP | Patent lapsed |