[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

DK151425B - Fremgangsmaade til fremstilling af et termoelektrisk modul - Google Patents

Fremgangsmaade til fremstilling af et termoelektrisk modul Download PDF

Info

Publication number
DK151425B
DK151425B DK401176AA DK401176A DK151425B DK 151425 B DK151425 B DK 151425B DK 401176A A DK401176A A DK 401176AA DK 401176 A DK401176 A DK 401176A DK 151425 B DK151425 B DK 151425B
Authority
DK
Denmark
Prior art keywords
semiconductor rods
layer
semiconductor
nickel
thickness
Prior art date
Application number
DK401176AA
Other languages
English (en)
Other versions
DK151425C (da
DK401176A (da
Inventor
Giovanni Germano
Francesco Losciale
Roberto Falesiedi
Ferruccio Daclon
Nicola Merzagora
Original Assignee
Snam Progetti
Cnen
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Snam Progetti, Cnen filed Critical Snam Progetti
Publication of DK401176A publication Critical patent/DK401176A/da
Publication of DK151425B publication Critical patent/DK151425B/da
Application granted granted Critical
Publication of DK151425C publication Critical patent/DK151425C/da

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/24Selection of soldering or welding materials proper
    • B23K35/30Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 1550 degrees C
    • B23K35/3013Au as the principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/01Manufacture or treatment
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80Constructional details
    • H10N10/81Structural details of the junction
    • H10N10/817Structural details of the junction the junction being non-separable, e.g. being cemented, sintered or soldered
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S257/00Active solid-state devices, e.g. transistors, solid-state diodes
    • Y10S257/93Thermoelectric, e.g. peltier effect cooling

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)

Description

i 151425
Opfindelsen angår en fremgangsmåde til fremstilling af et termoelektrisk modul, ved hvilken der ved enderne af de af halvlederstave bestående termoelementben er udformet sideværts fremspring, og hvor halvlederstavene 5 sammensættes i rækkefølge under anvendelse af et isolerende bindemiddel eller en isolerende cement på en sådan måde, at nafoohalvlederstave grænser til hinanden med deres fremspring, men i øvrigt er isolerede fra hinanden, hvorved overfladen af den således opnåede indretning ren-10 ses mekanisk, og halvlederstavenes frie endeoverflader forbindes med et galvanisk frembragt nikkellag og en derpå anbragt kobberelektrode.
Ved en fra tysk fremlæggelsesskrift nr. 1.243.743 kendt fremgangsmåde af denne art til fremstilling af et 15 termoelektrisk modul forstærkes de kontaktbroerne dannende fremspring på termoelementbenene ved hjælp af metallag, som pådampes og/eller påsprøjtes og/eller påføres galvanisk og/eller ved hjælp af metalfolier, som klæbes på benenes endeflader. Til dette formål pådampes der på 20 benenes endeflader først nikkel med en lagtykkelse på l-5yU, hvorefter der påføres et kobberlag med en tykkelse op til 500hvilket sker enten ved pådampning, galvanisk udfældning eller påsprøjtning eller ved påklæbning af en kobberfolie.
25 Fra beskrivelsen til fransk patentskrift nr.1.553.008 er det til fremstilling af et termoelektrisk modul ligeledes kendt at sammensætte af halvlederstave dannede termoelementben i rækkefølge med mellemlæg af isolationsmateriale og frembringe kontaktbroerne ved, at der på 30 halvlederstavenes frie endeoverflader først ved pådampning påføres et 0,5-lyU tykt guldlag, derpå ved galvanisk udfældning et 0,012-0,05 mm tykt nikkellag, derpå et kobberlag og oven på dette endeligt et nikkellag. Yderligere er det fra tysk fremlæggelsesskrift nr. 1.664.100 kendt 35 at sammensætte termoelementben dannende halvlederstave under anvendelse af et isolerende bindemiddel i form af en matrix, på hvis overflader der galvanisk udfældes et nikkellag og derpå et kobberlag, hvilke lag derefter 151425 2 bortætses i overensstemmelse med de ønskede kontaktbroer.
Endelig er det ved fremstilling af termoelektriske moduler kendt fra beskrivelsen til fransk patent nr.1.348.330 kendt at lodde kontaktbroer til de med et nikkellag og 5 et sølvlag dækkede endeoverflader af halvlederstave ved hjælp af et blødlod.
Ved fremstillingen og sammensætningen af et termo-elektrisk modul må det påses, at udvælgelsen, anbringelsen og behandlingen af de anvendte materialer i videst 10 muligt omfang afstemmes efter hinanden, da materialernes egenskaber har en bestemmende indflydelse på det færdige modul. Således kræves blandt andet, at hvert termoelement opnår en maksimal varmeudveksling med varme- eller kuldekilden, at kontaktbroerne mellem de forskellige halvle-15 derstave udviser en negligibel elektrisk modstand i sammenligning med selve halviederstavene, og at modulet navnlig er mekanisk og kemisk stabilt ved dets arbejds-temperatur, der alt efter det anvendte materiale kan variere mellem 300 og 800°C. I denne forbindelse må even-20 tuelt optrædende termiske spændinger i materialet ikke føre til beskadigelse af modulet. Endvidere må det sikres, at der ved højtemperaturdrift i meget lange tidsrum ikke kan optræde diffusioner, fordampning eller oxyderinger, som kan ændre halvlederstavenes dotering og sammen-25 sætning.
En sådan afstemning opnås imidlertid ikke ved de kendte fremstillingsmetoder. Ved de fra de tyske fremlæggelsesskrifter nr. 1.243.743 og 1.464.100 og beskrivelsen til det franske patent nr. 1.553.008 kendte termoelektri-30 ske moduler er nikkellagets vedhæftning til halviederoverfladen forholdsvis ringe, således at nikkellaget efter nogen tid kan løsrives som følge af varmepåvirkningen under drift. Ved de fra beskrivelserne til de franske patenter nr. 1.553.008 og 1.348.330 og fra tysk fremlæggel-35 sesskrift nr. 1.464.100 kendte termoelektriske moduler udviser termoelementbenenes halvlederstave ingen til hinanden grænsende fremspring, således at den elektriske modstand mellem to nabohalvlederstave alene bestemmes af 151425 3 de metalliske kobberbroer og derfor er forholdsvis høj, idet halvlederstavene ikke står i umiddelbar forbindelse med hinanden.
Med opfindelsen tilsigtes det at anvise en på enkel 5 måde gennemførlig fremgangsmåde af den indledningsvis angivne art, med hvilken der kan fremstilles et termo-elektrisk modul med gode egenskaber og med en forbedret vedhæftning mellem kontaktbroer og termoelementben.
Ifølge opfindelsen opnås dette ved, at fremspringene 10 dannes ved hjælp af en ultralydperforator, at overfladerne af den halvlederstavene indeholdende indretning rengøres ved sandblæsning, at der ved pådampning påføres et guldlag med en tykkelse på l^u, at nikkellaget påføres galvanisk oven på dette med en tykkelse på 0,01-0,03 mm, 15 at kobberelektroder loddes på nikkellaget i vakuum under anvendelse af en loddelegering bestående af Au, Ag og Ga, at de områder af de påførte metallag imellem halvlederstavene, der ikke skal forbindes gennem de påførte metallag, bortfræses under anvendelse af en ultralydperfora-20 tor, og at kobberelektroderne beskyttes ved nikkel- eller kromplettering.
Gennem den ved opfindelsen foreslåede frembringelse af fremspringene under anvendelse af en ultralydperforator og af overfladerne af den halvlederstavene indehol-25 dende indretning ved sandblæsning opnås ved enkle og hurtigt gennemførlige fremgangsmådetrin overordentligt gunstige overfladeegenskaber, som er nødvendige til opnåelse af god kontakt, mellem nabohalvlederstave og god kontaktdannelse og vedhæftning af kontaktbroerne i forhold til 30 halvlederstavene. Da guld- og nikkellagene påføres med forholdsvis høj tykkelsesnøjagtighed henholdsvis ved pådampning og galvanisk, og de forud fremstillede kobberelektroder, der skal påloddés, ligeledes kan dimensioneres nøjagtigt, er modstandsværdien for kontaktbroerne 35 for hvert kontaktpunkt i et bestemt modul eller for forskellige moduler reproducerbar. Ved pålodning af kobberelektroderne under anvendelse af en loddelegering kræves ikke længere den forholdsvis langsommelige galvaniske 151425 i 4 udfældning af kobber i den ønskede tykkelse. Fremgangsmåden ifølge opfindelsen medfører endvidere en hurtigere fremstilling som følge af anvendelsen af en ultralydper-forator til bortfræsning af de områder af de påførte me-5 tallag mellem halviederstavene, som ikke skal forbindes gennem de påførte metallag. Til slut beskyttes kobberelektroderne navnlig mod korrosion eller mekaniske påvirkninger af nikkel- eller kromplateringen.
Halvlederstavene samles ved hjælp af højtemperatur-10 resistante cementer med termiske udvidelseskoefficienter, der er forligelige med halvledermaterialernes. Det første trin består således i at samle stavene og påføre laget af isolerende cement i passende tykkelse til frembringelse af et kompakt modul.
15 Det er vigtigt at reducere mængden af isolations materiale til et minimum for at forhindre parasitisk termisk ledningsevne, dvs. termiske kortslutninger, i længderetningen. For at opnå nøjagtighed og reproducerbarhed ved tilsætningen af dette lag og deraf følgende korrekt 20 geometri med opretning af halvlederstavene og parallelitet imellem de varme og kolde overflader, findes der sideværts fremspring, der frembringes ved en simpel og hurtig operation ved hjælp af en ultralydperforator.
Efter samling af modulet kan det samme værktøj be-25 nyttes til at fremstille de udsparinger i de områder i-mellem elementerne, som skal stå isoleret tilbage. Dette har den yderligere fordel, at de sideværts fremspring allerede danner en ledende bro for udfældningen af guld, hvilket skal ses på baggrund af usikkerheden og uregel-30 mæssigheden ved adhæsionen mellem guldet og en eventuelt ledende bro i cementen.
De elektriske og mekaniske kontakter mellem de forskellige halvlederstave tilvejebringes ved pådampning af et guldlag med en tykkelse på l^u efterfulgt af galvanisk 35 udfældning af nikkel med en tykkelse på o,ol-o,o3 mm. På dette sidstnævnte lag anbringes derefter kobberplader med en passende tykkelse ved lodning i vakuum under anvendelse af en særlig loddelegering. De termoelektriske halv- 151425 5 lederstave inklusive indgangs- og udgangsterminalerne forbindes på denne måde til begge yderflader af modulet i en enkel operation under anvendelse af passende positioneringsskabeloner .
5 Loddelegeringen opnås ved blanding af guld, sølv og gallium i forudbestemte proportioner. Denne legering har et smeltepunkt på helt op til 600°C, afhængig af det pro-centiske indhold af de forskellige komponenter og er derfor velegnet til brug i forbindelse med termoelektriske 10 elementer af både Bi-Te-Sb og Si-Ge-typen.
En legering fremstillet ved følgende fremgangsmåde til termoelementer af Bi-Te-Sb og Bi-Te-Se-typen med en arbejdstemperatur på 300°C har et smeltepunkt på 400°C: a) fremstilling af en blanding med følgende sammen- 15 sætning i vægtprocent:
Au = 50%, Ag = 20%, Ga = 30%, b) amalgamering med efterfølgende hærdning i én time, c) successive smeltningsoperationer i vakuum til rensning af legeringen for ikke-amalgameret 20 slagge, d) formaling af den opnåede råbarre, e) sintring af pulveret til frembringelse af lag delinger af passende tykkelse på f.eks. 0,2 mm.
Fremgangsmåden ifølge opfindelsen har den yderligere 25 fordel, at paralleliteten imellem modulets overflader bevares, således at de eneste efterfølgende operationer består i en polering og en eventuel beskyttelse imod oxydering.
Opfindelsen forklares nærmere i det følgende under 30 henvisning til tegningen, hvor fig. 1 viser et snit igennem forbindelsen af halvlederstave , fig. 2 et perspektivbillede af det termoelektriske modul, og 35 fig. 3 en grafisk afbildning af forløbet af bestemte termoelektriske værdier for et ved fremgangsmåden ifølge opfindelsen fremstillet termoelektrisk modul.
I fig. 1 forbindes en P-ledende og en N-ledende

Claims (2)

151425 halvlederstav med hinanden ved hjælp af et lag isolerende cement 1 efter at være bearbejdet med en ultralydperfo-rator til frembringelse af et sideværts fremspring 6. Efter rensning af overfladerne ved sandblæsning pådampes 5 der et guldlag 2 med en tykkelse på l^u. På guldlaget 2 påføres i et galvanisk bad et nikkellag 3 med en tykkelse på 0,01-0,03 mm. Dernæst påloddes en kobberelektrode 5, der er blevet placeret ved hjælp af skabeloner, under anvendelse af 10 en loddelegering 4. Endelig foretages ved hjælp af en ultralydperforator en maskinel bearbejdning af de områder mellem halvleder-stavene, som skal være isolerende, og kobberelektroderne beskyttes dernæst ved en nikkel- eller kromplettering. 15 De på denne måde opnåede kontaktmodstande for halv- 3 lederstave med dimensionerne 20 x 10 x 5 mm er af størrelsesordenen 0,2-0,3 mohm for hver overgang med en træk- 2 styrke af størrelsesordenen 30 kg/cm . Disse værdier er reproducerbare og forbliver uændre-20 de efter adskillige måneders prøvning ved temperaturer på omkring 300°C. Modulernes termoelektriske egenskaber varierer heller ikke mærkbart, hvilket kan ses af det i fig. 3 viste diagram, hvor abscissen repræsenterer tiden i måneder og ordinaten visse termoelektriske størrelser, 25 nemlig Seebeck-koefficienten Δ, den elektriske lednings-evneO og den termiske ledningsevne O .
1. Fremgangsmåde til fremstilling af et termoelek-30 trisk modul, ved hvilken der ved enderne af de af halvlederstave (P, N) bestående termoelementben er udformet sideværts fremspring (6), og hvor halvlederstavene (P, N) sammensættes i rækkefølge under anvendelse af et isolerende bindemiddel eller en isolerende cement på en sådan 35 måde, at nabohalvlederstave (P, N) grænser til hinanden med deres fremspring, men i øvrigt er isoleret fra hinanden, hvorved overfladen af den således opnåede indretning renses mekanisk, og halvlederstavenes (P, N) frie 151425 endeoverflader forbindes med et galvanisk frembragt nikkellag (3) og en derpå anbragt kobberelektrode (5), kendetegnet ved at fremspringene (6) dannes ved hjælp af en ultralydperforator, at overfladerne af 5 den halvlederstavene (P, N) indeholdende indretning rengøres ved sandblæsning, at der ved pådampning påføres et guldlag (2) med en tykkelse på 1 jvi, at nikkellaget (3) påføres oven på guldlaget (2) med en tykkelse på 0,01-0,03 mm, at kobberelektroder (5) loddes på nikkellaget 10 (3) i vakuum under anvendelse af en loddelegering (4) bestående af Au, Ag og Ga, at de områder af de påførte metallag (2, 3, 5) mellem halvlederstavene, der ikke skal forbindes gennem de påførte metallag (2, 3, 5), bortfræses under anvendelse af en ultralydperforator, og 15 at kobberelektroderne (5) beskyttes ved nikkel- eller krompiettering.
2. Fremgangsmåde ifølge krav 1, kendetegnet ved, at loddelegeringen er sammensat af 50% Au, 20% Ag og 30% Ga.
DK401176A 1975-09-30 1976-09-06 Fremgangsmaade til fremstilling af et termoelektrisk modul DK151425C (da)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
IT27777/75A IT1042975B (it) 1975-09-30 1975-09-30 Metodo per la costruzione di un modulo termoelettrico e modulo cosi ottenuto
IT2777775 1975-09-30

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DK401176A DK401176A (da) 1977-03-31
DK151425B true DK151425B (da) 1987-11-30
DK151425C DK151425C (da) 1988-05-16

Family

ID=11222306

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DK401176A DK151425C (da) 1975-09-30 1976-09-06 Fremgangsmaade til fremstilling af et termoelektrisk modul

Country Status (11)

Country Link
US (2) US4081895A (da)
JP (1) JPS5263084A (da)
BE (1) BE846800A (da)
CA (2) CA1081369A (da)
DE (1) DE2644283C3 (da)
DK (1) DK151425C (da)
FR (2) FR2335057A1 (da)
GB (2) GB1550690A (da)
IT (1) IT1042975B (da)
LU (1) LU75897A1 (da)
NL (1) NL176416C (da)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4654224A (en) * 1985-02-19 1987-03-31 Energy Conversion Devices, Inc. Method of manufacturing a thermoelectric element
DE3854679T2 (de) * 1987-04-22 1996-07-18 Sharp K.K., Osaka Supraleitfähiges Gerät.
US4855810A (en) * 1987-06-02 1989-08-08 Gelb Allan S Thermoelectric heat pump
US4902648A (en) * 1988-01-05 1990-02-20 Agency Of Industrial Science And Technology Process for producing a thermoelectric module
US5434744A (en) * 1993-10-22 1995-07-18 Fritz; Robert E. Thermoelectric module having reduced spacing between semiconductor elements
US5722158A (en) * 1993-10-22 1998-03-03 Fritz; Robert E. Method of manufacture and resulting thermoelectric module
CN1104746C (zh) * 1996-05-28 2003-04-02 松下电工株式会社 热电组件的制造方法
WO1998022984A1 (fr) * 1996-11-15 1998-05-28 Citizen Watch Co., Ltd. Procede de fabrication d'un element thermoionique
US6300150B1 (en) 1997-03-31 2001-10-09 Research Triangle Institute Thin-film thermoelectric device and fabrication method of same
KR100297290B1 (ko) * 1998-04-22 2001-10-25 우대실 열전반도체모듈및그제조방법
AT410492B (de) * 2000-05-02 2003-05-26 Span Gerhard Dipl Ing Dr Thermoelektrisches element mit mindestens einer n-schicht und mindestens einer p-schicht
US20040251539A1 (en) * 2001-09-12 2004-12-16 Faris Sadeg M. Thermoelectric cooler array
US20070101737A1 (en) 2005-11-09 2007-05-10 Masao Akei Refrigeration system including thermoelectric heat recovery and actuation
US7310953B2 (en) * 2005-11-09 2007-12-25 Emerson Climate Technologies, Inc. Refrigeration system including thermoelectric module
DE102006017547B4 (de) * 2006-04-13 2012-10-04 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Thermoelektrisches Bauelement sowie Herstellverfahren hierfür
US7937952B2 (en) * 2008-10-16 2011-05-10 Emcore Corporation Thermoelectric cooler with multiple temperature zones
JP2010251485A (ja) * 2009-04-15 2010-11-04 Sony Corp 熱電装置、熱電装置の製造方法、熱電装置の制御システム及び電子機器
DE102009032906A1 (de) * 2009-07-10 2011-01-20 O-Flexx Technologies Gmbh Modul mit mehreren thermoelektrischen Elementen
DE102009048985A1 (de) * 2009-10-09 2011-04-21 O-Flexx Technologies Gmbh Modul mit mehreren thermoelektrischen Elementen
DE102011001653A1 (de) * 2011-03-30 2012-10-04 O-Flexx Technologies Gmbh Thermoelektrische Anordnung
US20140048111A1 (en) * 2012-08-17 2014-02-20 Thomas G. Hinsperger Method and system for producing an electric current from a temperature differential
DE102012102090A1 (de) * 2012-01-31 2013-08-01 Curamik Electronics Gmbh Thermoelektrisches Generatormodul, Metall-Keramik-Substrat sowie Verfahren zum Herstellen eines Metall-Keramik-Substrates
ES2397775B1 (es) * 2012-11-16 2013-09-27 La Farga Lacambra, S.A. Procedimiento de obtención de aleaciones Zn-Sb con propiedades termoeléctricas
US9218979B2 (en) 2014-01-16 2015-12-22 Phononic Devices, Inc. Low resistivity ohmic contact

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1380170A (fr) * 1963-01-21 1964-11-27 Rue Frigistor S A De Unité thermoélectrique et procédé pour sa fabrication
CH401186A (de) * 1961-04-27 1965-10-31 Westinghouse Electric Corp Verfahren zum Herstellen von Thermoelementschenkeln
DE1243743B (de) * 1961-09-19 1967-07-06 Siemens Ag Thermoelektrische Anordnung
GB1118183A (en) * 1964-05-01 1968-06-26 Plessey Uk Ltd Improvements in or relating to thermoelectric devices
FR1553008A (da) * 1966-11-22 1969-01-10
GB1198988A (en) * 1966-08-31 1970-07-15 G V Planer Ltd Improvements in or relating to Thermoelectric Devices
FR2275271A1 (fr) * 1974-05-28 1976-01-16 Johnson Matthey Co Ltd Soudures a base d'or

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2261638B1 (da) * 1974-02-15 1976-11-26 Cit Alcatel

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH401186A (de) * 1961-04-27 1965-10-31 Westinghouse Electric Corp Verfahren zum Herstellen von Thermoelementschenkeln
DE1243743B (de) * 1961-09-19 1967-07-06 Siemens Ag Thermoelektrische Anordnung
FR1380170A (fr) * 1963-01-21 1964-11-27 Rue Frigistor S A De Unité thermoélectrique et procédé pour sa fabrication
GB1118183A (en) * 1964-05-01 1968-06-26 Plessey Uk Ltd Improvements in or relating to thermoelectric devices
GB1198988A (en) * 1966-08-31 1970-07-15 G V Planer Ltd Improvements in or relating to Thermoelectric Devices
FR1553008A (da) * 1966-11-22 1969-01-10
FR2275271A1 (fr) * 1974-05-28 1976-01-16 Johnson Matthey Co Ltd Soudures a base d'or

Also Published As

Publication number Publication date
FR2335057B1 (da) 1983-01-21
GB1550690A (en) 1979-08-15
USRE30652E (en) 1981-06-16
BE846800A (fr) 1977-03-30
JPS6112397B2 (da) 1986-04-08
US4081895A (en) 1978-04-04
IT1042975B (it) 1980-01-30
GB1550689A (en) 1979-08-15
FR2334758A1 (fr) 1977-07-08
DE2644283A1 (de) 1977-03-31
CA1092862A (en) 1981-01-06
LU75897A1 (da) 1977-05-11
NL176416B (nl) 1984-11-01
NL7610703A (nl) 1977-04-01
NL176416C (nl) 1985-04-01
DK151425C (da) 1988-05-16
CA1081369A (en) 1980-07-08
DE2644283C3 (de) 1980-05-29
FR2334758B1 (da) 1980-04-18
JPS5263084A (en) 1977-05-25
DK401176A (da) 1977-03-31
DE2644283B2 (de) 1979-09-13
FR2335057A1 (fr) 1977-07-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DK151425B (da) Fremgangsmaade til fremstilling af et termoelektrisk modul
US2694168A (en) Glass-sealed semiconductor crystal device
CA2028043C (en) Chip form of surface mounted electrical resistance and its manufacturing method
JP2006298755A (ja) チップ素子のグレーズ被覆構造及びその形成方法
CN110706873B (zh) 一种超低阻值片式电阻器以及制作方法
JPH11222664A (ja) メタルマスク、このメタルマスクを用いた抵抗体の形成方法およびこのメタルマスクを用いた抵抗器の製造方法
JP2008311362A (ja) セラミック電子部品
CN108981506B (zh) 一种微型表贴式点火电阻器及其制备方法
US2882587A (en) Brazing methods
CN111189554B (zh) 一种薄膜铂电阻温度传感器及其制造方法
JPH11204304A (ja) 抵抗器およびその製造方法
US3392061A (en) Thermoelectric mosaic interconnected by semiconductor leg protrusions and metal coating
US4806725A (en) Circuit substrate and thermal printing head using the same
JPH09297069A (ja) 温度検知用センサ
JPH07122406A (ja) チップ状ヒューズ抵抗器とその製造方法
JPH10294204A (ja) 厚膜サーミスタ、およびその製造方法
CN102539004A (zh) 一种温度传感器的制作方法
JP2008244211A (ja) 薄膜チップ抵抗器の製造方法
JPS5864075A (ja) 熱電堆の製造方法
JPS56135948A (en) Insulated radiating substrate
US4695818A (en) Electrical resistor with a negative temperature coefficient for incremental resistance values and method for manufacturing same
CN219370713U (zh) 一种玻璃基表贴式点火电阻器
US3110875A (en) Bead type thermistor and method
TWI719679B (zh) 圓柱型電阻之製程及其結構
JPH0214161Y2 (da)

Legal Events

Date Code Title Description
PBP Patent lapsed