DE69324636T2

DE69324636T2 - Lithographische Phasenverschiebungsmasken mit verschiedenen Schichtzusammensetzungen

Info

Publication number: DE69324636T2
Application number: DE69324636T
Authority: DE
Inventors: Christophe Pierrat
Original assignee: AT&T Corp
Current assignee: AT&T Corp
Priority date: 1992-08-18
Filing date: 1993-08-11
Publication date: 1999-09-23
Anticipated expiration: 2013-08-12
Also published as: EP0583942A2; KR100281151B1; DE69324636D1; JPH07295200A; ES2132192T3; EP0583942A3; US5405721A; HK1008699A1; KR940004721A; EP0583942B1; TW284911B; SG47405A1

Description

Allgemeiner Stand der Technik

Die vorliegende Erfindung betrifft die Lithographie, insbesondere die optische Lithographie, wie sie beispielsweise zur Fertigung integrierter Halbleiterschaltungsbauelemente und anderer Bauelemente verwendet wird. Insbesondere betrifft die Erfindung strukturierte Maskenstrukturen und Verfahren zur Herstellung derartiger Strukturen, insbesondere zur Verwendung in optischen Lithographiesystemen zur Fertigung derartiger Bauelemente. Diese Masken werden auch als "Retikel" bezeichnet, insbesondere wenn sie zur Bildung optischer Bilder auf Photoresistschichten in derartigen optischen lithographischen Systemen mit von Eins unterschiedlichen Vergrößerungsfaktoren verwendet werden.
Um die Auflösung derartiger Masken zu verbessern, wenn sie in derartigen Systemen als Retikel verwendet werden, sind im Stand der Technik phasenverschiebende lithographische Masken gelehrt worden. Eine phasenverschiebende Maske umfaßt verschiedene Bereiche, die die Phase der optischen Strahlung, die von einer optischen Quelle kommt und sich durch die Maske in dem System ausbreitet, unterschiedlich verschieben. Insbesondere weisen diese phasenverschiebenden Masken undurchsichtige und transparente Bereiche auf. Die transparenten Bereiche weisen in der Regel mindestens zwei unterschiedliche Dicken auf, mit der der optischen Strahlung (mit einer Wellenlänge λ), die sich durch die Maske ausbreitet, wenn sie als das Retikel verwendet wird, mindestens zwei verschiedene Phasenverschiebungen gegeben werden können (jede relativ zu der umgebenden Atmosphäre, in der Regel Luft), in der Regel gleich 0 und π rad. Der Ausdruck für die Phasenverschiebung einer Schicht ist gegeben durch (n-1)d, wobei n den Brechungsindex der Schicht und d die Dicke der Schicht bezeichnen und angenommen wird, daß der Brechungsindex der Umgebung Gleich Eins ist.
Um die Reparatur einer phasenverschiebenden Maskenstruktur zu erleichtern, sind im Stand der Technik verschiedene derartige Maskenstrukturen vorgeschlagen worden. Eine typische derartige phasenverschiebende Maskenstruktur 200 ist in Fig. 1 gezeigt. Die Struktur 200 ist eine Erweiterung der in einem Referat von N. Hasegawa et al. mit dem Titel "Submicron Photolithography using Phase-Shifting Mask-Shifter Defect Repair Method", veröffentlicht beim Fourth Hoya Photomask Symposium, Japan, gelehrten Konzepte. Diese Struktur 200 enthält ein transparentes Quarzsubstrat 10, ein Paar aus einer unteren und oberen, transparenten (phasenverschiebenden) Siliciumdioxid-Phasenschieberschicht 7 bzw. 9 und eine strukturierte, undurchsichtige Chromschicht 13. Das Strukturieren der undurchsichtigen Schicht 13 erfolgt gemäß dem zu bildenden gewünschten optischen Bild, wenn die Maske in dem optischen lithographischen System verwendet wird. Eine untere Ätz-Endpunkt-Erfassungsschicht 6 und eine obere Ätzstoppschicht 8, die jeweils in der Regel aus Zinnoxid hergestellt sind, trennen das Quarzsubstrat 10 von der unteren Phasenschieberschicht 7 bzw. die untere Phasenschieberschicht 7 von der oberen Phasenschieberschicht 9. Die durch die obere phasenverschiebende Schicht 9 eingeführte Phasenverschiebung ist gleich π rad; die Summe der durch die untere phasenverschiebende Schicht 7 und die untere Endpunkt-Erfassungsschicht 8 eingeführten Phasenverschiebungen ist ebenfalls gleich π rad.
Die Struktur 200 enthält vorstehende und Einbuchtungsdefektbereiche 21 bzw. 22. Die untere Endpunkt-Erfassungsschicht 6 hat den Zweck, die Reparatur der Maskenstruktur 200, insofern der Einbuchtungsdefektbereich 22 betroffen ist, durch einen Prozeß des Ätzens (Ionenstrahlätzens) des Defektbereichs (und möglicherweise seiner Umgebung) bis hinunter zu der unteren Endpunkt-Erfassungsschicht 6 zu ermöglichen, und zwar ohne (unerwünscht) weiter nach unten einzudringen, wie weiter unten ausführlicher erläutert wird. Die obere Ätzstoppschicht 8 hat den Zweck, die Stukturierung, beispielsweise durch anisotropes Trockenätzen, der oberen Phasenschieberschicht 9 zu ermöglichen, ohne daß das Ätzen unerwünscht in die untere phasenverschiebende Schicht 7 eindringt. Außerdem kann die obere Ätzstoppschicht 8 während der Reparatur der Maskenstruktur 200, insofern der vorstehende Defektbereich 21 betroffen ist, durch einen Prozeß des Ätzens (Ionenstrahlätzens) die Funktion der Endpunkterfassung haben, ohne daß nach unten weiter als bis zur unteren Fläche des Defektbereichs 21 selbst eingedrungen wird.
Um die Maskenstruktur 200 zu reparieren - d. h., durch die Defektbereiche 21 und 22 bewirkte unerwünschte, phasenverschiebende Effekte zu entfernen - kann zuerst der vorstehende Defektbereich 21 beispielsweise durch fokussiertes Ionenstrahlätzen (Ionenätzen) entfernt werden, das die obere Fläche der oberen Ätzstoppschicht 8 abtastet. Das Ätzen wird beendet, sobald während des Ionenstrahlätzens emittierte und erfaßte Sekundärionen oder Sekundärelektronen mit einer Verschiebung beginnen von denjenigen, die bekanntermaßen von dem Material des Defektbereichs 21 emittiert werden, zu denjenigen, die bekanntermaßen von dem Material der oberen Ätzstoppschicht 8 emittiert werden. Dann wird der Einbuchtungsdefektbereich 22 entfernt, indem er anisotrop (vertikal) zusammen mit seiner Umgebung sowohl durch die phasenverschiebenden Schichten 9 und 7 als auch durch die obere Ätzstoppschicht 8, bis hinunter zu der oberen Fläche der unteren Endpunkt- Erfassungsschicht 6, ohne jedoch in diese einzudringen, geätzt wird. Auf diese Weise ist die sich ergebende Phasenverschiebung, die dem resultierenden Loch zugeordnet ist, das die untere und obere Phasenschieberschicht 7 und 9 plus die obere Ätzstoppschicht 8 durchsetzt, gleich π rad + π rad = 2π rad - d. h. gleich einer Phasenverschiebung von Null, wie gewünscht.
Die obige Technik ist mit einem oder mehreren der folgenden Mängel behaftet. Zunächst können die optischen Absorptionen durch die obere Ätzstoppschicht 8 und der unteren Endpunkt-Erfassungsschicht 6 unerwünscht hoch sein, insbesondere dann, wenn sich die Wellenlänge λ im tiefen Ultraviolett befindet (in der Regel die von einer Excimerlaserquelle emittierte optische Wellenlänge von 248 nm), weshalb die optische Gesamtübertragung der Struktur 200 unerwünscht gering werden kann. Zweitens können Unstetigkeiten beim Brechungsindex an verschiedenen Grenzflächen zwischen den unterschiedlichen Materialien der verschiedenen Schichten in der Struktur 200 zu unerwünschten optischen Reflexionen mit hoher Amplitude führen, woraus sich wiederum eine unerwünscht geringe optische Gesamtübertragung ergeben kann. Drittens kann die Komplexität der Fertigung aufgrund der Ätzstoppschicht 8 und der unteren Endpunkt-Erfassungsschicht 6 auf unerwünschte Weise die Produktionskosten erhöhen und wegen unerwünschter Defekte, die in diesen Schichten vorhanden sein können, die Produktionsausbeuten senken. Es wäre deshalb wünschenswert, eine phasenverschiebende Maskenstruktur zur Verwendung in dem optischen lithographischen System zu haben, die die Mängel dieses Standes der Technik lindert.

Kurze Darstellung der Erfindung

Die vorliegende Erfindung ist in den Ansprüchen 1 und 4 definiert. Ausführungsformen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.

Kurze Beschreibung der Zeichnung(en)

Fig. 1 ist eine Querschnittsvorderansicht einer phasenverschiebenden Maskenstruktur gemäß dem Stand der Technik;
Fig. 2-5 sind Querschnittsvorderansichten verschiedener Stufen einer phasenverschiebenden Maskenstruktur während ihrer Reparatur gemäß einer spezifischen Ausführungsform der Erfindung.
Nur der Übersichtlichkeit halber ist keine der Zeichnungen maßstabsgetreu. Elemente, die in den verschiedenen Figuren ähnlich oder gleich sind, sind mit den gleichen Bezugszahlen bezeichnet.

Ausführliche Beschreibung

Eine phasenverschiebende Maskenstruktur 300 (Fig. 2) gemäß einer Ausführungsform der Erfindung soll repariert werden, um eine reparierte phasenverschiebende Maskenstruktur 600 (Fig. 5) zur Verwendung als das Retikel in einem optischen lithographischen System zu bilden. Diese Struktur 300 unterscheidet sich von der Struktur 200 dahingehend, daß die Ätzstoppschichten 6 und 8 weggelassen sind und die (unstrukturierte) untere phasenverschiebende Schicht 11 sich chemisch sowohl von dem Substrat als auch von der (strukturierten) oberen Phasenschieberschicht 12 unterscheidet. Es ist dennoch wichtig, daß die Brechungsindizes des Substrats 10 und sowohl der unteren als auch der oberen phasenverschiebenden Schicht 11 bzw. 12 bei der optischen Wellenlänge λ bei der Wellenlänge λ gegenseitig mindestens etwa gleich sind, um entweder an der Grenzfläche zwischen dem Substrat 10 und der unteren phasenverschiebenden Schicht 11 oder an der Grenzfläche zwischen der unteren und oberen phasenverschiebenden Schicht 11 und 12 unerwünschte optische Reflexionen mit großer Amplitude zu verhindern. Außerdem entsprechen die (gleichmäßigen) Dicken der unteren und der oberen phasenverschiebenden Schicht 11 bzw. 12 in der Regel mindestens etwa den optischen Phasenverschiebungen von φ&sub1; = (2m + 1)π und φ&sub2; = (2n + 1)π bei der optischen Wellenlänge λ, wobei m und n ganze Zahlen sind, vorzugsweise beide gleich Null. Noch wichtiger ist, daß die Summe dieser Phasenverschiebungen (φ&sub1; + φ&sub2;) gleich 2pπ sein sollte, wobei p eine ganze Zahl ist.
Die folgende Tabelle gibt als Beispiel an, was Kombinationen von Materialien gewählt werden können:
In der Regel liegt x in dem ungefähren Bereich von zwischen 0,3 und 0,95 mal Ordnungszahl. Die obere Schicht 12 aus (reinem) SiO&sub2; kann mittels Gasabscheidung (CVD) abgeschieden werden; wohingegen die untere Schicht aus (der Mischung) xSiO&sub2; + (1-x)Al&sub2;O&sub3; oder aus (dem reinen) MgF&sub2; oder aus (dem reinen) CaF&sub2; mit Hilfe von Sputtern von geeigneten Targets abgeschieden werden kann. Wie angedeutet, unterscheiden sich die obere und die untere Schicht vorteilhafterweise hinsichtlich ihrer jeweiligen chemischen Zusammensetzungen, um eine Endpunkt-Ätz-Erfassung, beispielsweise durch die Erfassung von Sekundärionen oder Sekundärelektronen, oder einen Ätzstopp während des Strukturierens der oberen Schicht 12 zu ermöglichen.
In der Regel weist die untere phasenverschiebende Schicht 11 einen Defektbereich 21 (Fig. 2) in Form von überschüssigem Material der oberen phasenverschiebenden Schicht 12 auf; wohingegen die obere phasenverschiebende Schicht 12 einen Defektbereich 22 in Form einer Einbuchtung aufweist. Die Defektbereiche 21 und 22 sind zwar beide in Fig. 12 mit einer dreieckigen Form gezeigt, doch sind für jede von ihnen unabhängig andere Formen möglich. Die Stelle der Defektbereiche wird in der Regel jeweils mit Hilfe eines zweidimensionalen Rasterlichtmikroskops erfaßt.
Um den Defektbereich 22 zu entfernen, wird ein nicht gezeigter fokussierter Galliumionenstrahl Punkt für Punkt auf diesen Defektbereich (sowie vielleicht eine Umgebung) gerichtet, aber nicht auf den Defektbereich 21 (oder auf seine Umgebung). Dieser Strahl bildet somit durch den Prozeß des Ionenstrahlätzens einen Ausnehmungsbereich 32, der die obere und untere phasenverschiebende Schicht 12 bzw. 11 bis hinunter zu der oberen Fläche des Substrats 10 völlig durchsetzt. Dieser Ionenstrahlätzprozeß wird sofort beendet, sobald die erfaßten chemischen Nebenprodukte bzw. Sekundärionen bzw. -elektronen des Prozesses mit einer Verschiebung beginnen von denjenigen, die bekanntermaßen von dem Material der unteren phasenverschiebenden Schicht 11 emittiert werden, zu denjenigen, die bekanntermaßen von dem Material des Substrats 10 emittiert werden, um während des Ionenstrahlätzprozesses einen Schutz vor beträchtlichem Eindringen in die obere Fläche des Substrats 10 zu bieten. Außerdem ist es vorteilhaft, wenn die Rate des Ionenstrahlätzens durch das Material des Substrats 10 wesentlich niedriger ist als die Rate durch das Material der unteren Schicht 11, um einen weiteren Schutz dagegen zu bieten, daß durch den Ionenstrahlätzprozeß wesentlich in die obere Fläche des Substrats 10 eingedrungen wird. Auf diese Weise wird die Struktur 400 (Fig. 3) erhalten. Wegen der in dem Ionenstrahl enthaltenen Galliumionen hat sich in dieser Struktur 400 ein nichttransparenter, verunreinigter Bereich 30 gebildet, der sich in dem Bereich befindet, der unter denjenigen Gebieten liegt, auf die der Ionenstrahl gerichtet wurde. Er kann später entfernt werden. Jedenfalls hat der Ionenstrahl auf diese Weise einen Ausnehmungsbereich 32 erzeugt, der einen Bereichsteil der oberen und der unteren phasenverschiebenden Schicht 12 bzw. 11 durchschneidet.
Als nächstes wird der fokussierte Galliumionenstrahl auf den Defektbereich 21 gerichtet, um ihn durch Ionenstrahlätzen zu entfernen. Dieses Ionenstrahlätzen wird beendet, sobald die erfaßten Nebenprodukte bzw. die Sekundärionen bzw. -elektronen des Ätzprozesses mit einer Verschiebung beginnen von denjenigen, die bekanntermaßen von dem Material dieses Defektbereichs 21 emittiert werden, zu denjenigen, die bekanntermaßen von dem Material der unteren phasenverschiebenden Schicht 11 emittiert werden. Somit entfernt das resultierende Ionenstrahlätzen den Defektbereich 21 - wobei aber wieder in der resultierenden Struktur 500 (Fig. 4) ein weiterer nichttransparenter, verunreinigter Bereich 41 zurückbleibt.
Trotz des Vorliegens der verunreinigten Bereiche 30 und 41 stellt die Struktur 500 somit eine reparierte Version der ursprünglichen Struktur 300 dar und kann somit in dem optischen lithographischen System als das Retikel verwendet werden, insbesondere wenn der Ionenstrahl derart ist, daß er keine Verunreinigung in einem Ausmaß erzeugt, das die optische Leistung der Struktur 500 auf unerwünschte Weise verschlechtert. Wenn die phasenverschiebende Maskenstruktur 500 in dem optischen lithographischen System als das Retikel verwendet wird, ist sie in der Regel so orientiert, daß ihr Substrat 10 näher an der optischen Quelle in dem System liegt als ihre strukturierte Chromschicht 13. Wenn andererseits erwünscht wird, die verunreinigten Bereiche 30 und 41 zu entfernen und auf diese Weise eine verunreinigungsfreie phasenverschiebende Maskenstruktur 600 (Fig. 5) zu produzieren, muß sowohl von der oberen phasenverschiebenden Schicht 12 eine Dicke gleich H&sub2; entfernt werden, von dem Substrat 10 eine Dicke gleich H&sub0; und von der unteren phasenverschiebenden Schicht 11 eine Dicke gleich H&sub1;. In der Regel liegen H&sub0; und H&sub1; (sowie H&sub2;) in der Größenordnung bis 20 nm. Vorteilhafterweise sind sowohl H&sub0; als auch H&sub1; größer als die Tiefen der jeweiligen verunreinigten Bereiche 30 und 41. Außerdem genügen vorteilhafterweise H&sub0;, H&sub1; und H&sub2; mindestens ungefähr den gegenseitigen Beziehungen:
H&sub0;(n&sub0; - 1) = H&sub1;(n&sub1; - 1) = H&sub2;(n&sub2; - 1) Gl. (1)
wobei n&sub0; der Brechungsindex des Substrats 10 und n&sub1; und n&sub2; die Brechungindizes der unteren oder oberen phasenverschiebenden Schicht 11 bzw. 12 sind - wobei die Brechungsindizes n&sub0;, n&sub1; und n&sub2; alle bei der in dem optischen lithographischen System zu verwendenden Wellenlänge λ gemessen werden. Auf diese Weise werden nicht nur die verunreinigten Bereiche 30 und 41 entfernt, sondern die zusätzlichen Phasenverschiebungen, die von den resultierenden zusätzlichen Einbuchtungsbereichen 51, 52, 53 und 54, die jeweils in der unteren phasenverschiebenden Schicht 11, dem Substrat 10 bzw. der oberen phasenverschiebenden Schicht 12 gebildet sind, erzeugt werden, kompensieren sich gegenseitig. Der Einbuchtungsbereich 52 bildet zusammen mit dem ursprünglichen Ausnehmungsbereich 32 (Fig. 4) einen Ausnehmungseinbuchtungsbereich.
Um die verunreinigten Bereiche 30 und 41 zu entfernen und auf diese Weise die verunreinigungsfreie Struktur 600 zu erzeugen, wird beispielsweise die Dicke H&sub0; aus jeweiligen freiliegenden Gebieten des Substrats 10 und der oberen phasenverschiebenden Schicht 12 entfernt - beispielsweise mit Hilfe eines Naß- oder Trockenätzprozesses, der die untere phasenverschiebende Schicht 11 nicht wesentlich ätzt. (Der Ausdruck "nicht wesentlich" bedeutet hier, daß jedes Abweichen davon, daß die untere phasenverschiebende Schicht 11 überhaupt nicht geätzt wird, in das in der Photoresistschicht 10 in dem optischen lithographischen System ausgebildete optische Bild keine unannehmbaren Defekte einführt.) Wenn es sich beispielsweise bei den Materialien des Substrats 10 und der oberen phasenverschiebenden Schicht beidesmal um Oxide handelt, die mit der gleichen Rate ätzen, beispielsweise Siliciumdioxid (Quarz bzw. CVD-Siliciumdioxid), und das Material der unteren phasenverschiebenden Schicht 11 ein Fluorid ist, beispielsweise Calcium- oder Magnesiumfluorid, dann kann das Ätzmittel (nasse). Fluorwasserstoffsäure oder ein (trockenes) fluoriertes Gasgemisch aus CHF&sub3;, CF&sub4; und O&sub2; enthalten. Dadurch werden die Einbuchtungen 52, 53 und 54 gebildet - die alle die Tiefe H&sub0; aufweisen. Der tatsächliche Wert der Tiefe H&sub0; wird dann gemessen oder ist (durch Versuch) aus der Dauer der Ätzzeit und den Ätzbedingungen bekannt. Auf diese Weise wird der verunreinigte Bereich 30 entfernt.
Als nächstes wird aus der obigen Gleichung (1) die Tiefe (Dicke) H&sub1; berechnet. Dann wird diese bekannte (gewünschte) Dicke H&sub1; von freiliegenden Bereichen der unteren phasenverschiebenden Schicht 11 anisotrop entfernt - beispielsweise mit Hilfe eines Ätzprozesses, der das Substrat oder die obere phasenverschiebende Schicht 12 nicht wesentlich ätzt. In Fällen der obenerwähnten Materialien beispielsweise kann das Ätzmittel Salzsäure sein. Dieses Ätzen der unteren phasenverschiebenden Schicht 11 wird beendet, wenn die (gewünschte) Tiefe H&sub1; der resultierenden Einbuchtung 51 erreicht ist - nach tatsächlicher Messung oder wie (durch Versuch) aus der Dauer der Ätzzeit und den Ätzbedingungen bekannt. Auf diese Weise wird der verunreinigte Bereich 41 entfernt, und gleichzeitig kompensieren sich die durch das Entfernen der verunreinigten Bereiche 30 und 41 erzeugten zusätzlichen Phasenverschiebungen. Die Struktur 600 kann dann vorteilhaft in dem optischen lithographischen System als das Retikel verwendet werden, wobei in der Regel das Substrat 10 wieder näher an der optischen Quelle liegt als die strukturierte Chromschicht.
Die Erfindung ist zwar hinsichtlich einer spezifischen Ausführungsform ausführlich beschrieben worden, doch können verschiedene Modifikationen daran vorgenommen werden, ohne von dem Schutzbereich der Erfindung abzuweichen. So kann beispielsweise die Reihenfolge, in der die verunreinigten Bereiche 30 und 41 entfernt werden, umgekehrt werden. Außerdem ist es nicht erforderlich, daß der Ätzprozeß, mit dem der verunreinigte Bereich 30 entfernt wird, irgendetwas von dem Material der unteren phasenverschiebenden Schicht 11 wesentlich entfernt, solange die Verhältnisse von H&sub2; zu H&sub1; zu H&sub0; in der endgültigen Struktur 600 der Gleichung 1 genügen. Analog dazu ist es nicht erforderlich, daß der Ätzprozeß, mit dem der verunreinigte Bereich 41 entfernt wird, irgendetwas von dem Material des Substrats 10 oder der oberen phasenverschiebenden Schicht 12 nicht wesentlich entfernt, solange die Verhältnisse von H&sub2; zu H&sub1; zu H&sub0; in der endgültigen Struktur 600 der Gleichung 1 genügen. Schließlich kann anstelle der optischen Quelle in dem lithographischen System eine Röntgenstrahlenquelle zusammen mit geeigneten Modifikationen der anderen Elemente, die zwischen der Quelle und der (für Röntgenstrahlen empfindlichen) Photoresistschicht liegen, verwendet werden, wie auf dem Gebiet bekannt ist.

Claims

1. Phasenverschiebende lithographische Maskenstruktur (300; 500; 600) zur Verwendung in einem optischen lithographischen System, das mit optischer Strahlung mit einer Wellenlänge λ arbeitet, die ein transparentes Substrat (10) mit einer Hauptfläche umfaßt, gekennzeichnet durch

eine erste transparente Schicht (11) aus erstem Material, das sich chemisch von dem des Substrats unterscheidet und das sich auf der Hauptfläche befindet und daran angrenzt;

eine zweite transparente Schicht (12) aus zweitem Material, das sich chemisch von dem des ersten Materials unterscheidet und das sich auf der ersten transparenten Schicht befindet und daran angrenzt, wobei die zweite transparente Schicht mit Aperturen strukturiert ist, die sie vollständig durchsetzen;

wobei der Brechungsindex des Substrats bei der Wellenlänge λ im wesentlichen gleich den Brechungsindizes der ersten und zweiten transparenten Schicht bei der Wellenlänge sind, so daß optische Reflexionen der optischen Strahlung an der Grenzfläche von Substrat und erster transparenter Schicht und an der Grenzfläche von erster und zweiter Schicht unwesentlich sind,

wobei die erste und zweite transparente Schicht jeweils eine erste und zweite Dicke aufweisen, so daß von der ersten und zweiten Schicht hervorgerufene optische Phasenverschiebungen bei der Wellenlänge λ im wesentlichen gleich (2m + 1)π rad bzw. (2n + 1)π rad sind, wobei m gleich Null oder eine positive ganze Zahl ist und n gleich Null oder eine positive ganze Zahl ist.

2. Struktur gemäß Anspruch 1, weiterhin gekennzeichnet durch

einen Ausnehmungsbereich (32), der die zweite und erste Schicht völlig durchsetzt, oder

einen ersten Einbuchtungsbereich (51), der eine erste Dicke der ersten Schicht durchsetzt, und einen zweiten Einbuchtungsbereich (54), der eine zweite Dicke der zweiten Schicht durchsetzt, oder

einen ersten Einbuchtungsbereich (51), der eine erste Dicke der ersten Schicht durchsetzt, einen zweiten Einbuchtungsbereich (54), der eine zweite Dicke der zweiten Schicht durchsetzt, und einen Ausnehmungseinbuchtungsbereich (52, 53), der die zweite und erste Schicht und eine der ersten Dicke gleiche Dicke des Substrats völlig durchsetzt, wobei das Substrat und die zweite Schicht im wesentlichen die gleiche chemische Zusammensetzung aufweisen.

3. Verfahren zur Herstellung einer phasenverschiebenden lithographischen Maskenstruktur (300; 500; 600) zur Verwendung in einem optischen lithographischen System, das optische Strahlung mit einer Wellenlänge λ verwendet, mit einem transparenten Substrat (10) mit einer Hauptfläche, gekennzeichnet durch

Ausbilden einer ersten transparenten Schicht (11) aus erstem Material, das sich chemisch von dem des Substrats unterscheidet und das sich auf der Hauptfläche befindet und daran angrenzt;

Ausbilden einer zweiten transparenten Schicht (12) aus zweitem Material, das sich chemisch von dem des ersten Materials unterscheidet und das sich auf der ersten transparenten Schicht befindet und daran angrenzt, wobei die zweite transparente Schicht Aperturen aufweist, die sie vollständig durchsetzen;

wobei die erste und zweite transparente Schicht jeweils eine erste und zweite Dicke aufweisen, so daß von der ersten und zweiten Schicht hervorgerufene optische Phasenverschiebungen bei der Wellenlänge λ im wesentlichen gleich (2m + 1)π bzw. (2n + 1)π sind, wobei m gleich Null oder eine positive ganze Zahl ist und n gleich Null oder eine positive ganze Zahl ist.

4. Verfahren nach Anspruch 3, weiterhin gekennzeichnet durch den Schritt des Ausbildens

eines Ausnehmungsbereichs (32), der die zweite und erste Schicht völlig durchsetzt, oder

eines ersten Einbuchtungsbereichs (51), der eine erste Dicke der ersten Schicht durchsetzt, und eines zweiten Einbuchtungsbereichs (54), der eine zweite Dicke der zweiten Schicht durchsetzt, oder

eines ersten Einbuchtungsbereichs (51), der eine erste Dicke der ersten Schicht durchsetzt, eines zweiten Einbuchtungsbereichs (54), der eine zweite Dicke der zweiten Schicht durchsetzt, und eines Ausnehmungseinbuchtungsbereichs (52, 53), der die zweite und erste Schicht und eine der ersten Dicke gleiche Dicke des Substrats völlig durchsetzt,

wobei das Substrat und die zweite Schicht im wesentlichen die gleiche chemische Zusammensetzung aufweisen.