[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

DE69311478T2 - Verfahren zur Herstellung eines blockförmigen Trägerkörpers für eine Halbleiterkomponente - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines blockförmigen Trägerkörpers für eine Halbleiterkomponente

Info

Publication number
DE69311478T2
DE69311478T2 DE69311478T DE69311478T DE69311478T2 DE 69311478 T2 DE69311478 T2 DE 69311478T2 DE 69311478 T DE69311478 T DE 69311478T DE 69311478 T DE69311478 T DE 69311478T DE 69311478 T2 DE69311478 T2 DE 69311478T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
strips
carrier
conductive layer
carrier body
carrier bodies
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE69311478T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69311478D1 (de
Inventor
Poorter Johannes Antonius De
Rudolf Paulus Tijburg
De Pas Hermanus Antonius Van
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Electronics NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Electronics NV filed Critical Philips Electronics NV
Publication of DE69311478D1 publication Critical patent/DE69311478D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE69311478T2 publication Critical patent/DE69311478T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices the devices being of types provided for in two or more different subclasses of H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/162—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices the devices being of types provided for in two or more different subclasses of H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. forming hybrid circuits the devices being mounted on two or more different substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01014—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/858—Means for heat extraction or cooling
    • H10H20/8582—Means for heat extraction or cooling characterised by their shape

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Description

  • Verfahren zur Herstellung eines blockförmigen Trägerkörpers für eine Halbleiterkomponente.
  • Die Erfindung betrifft ein Verfähren zur Herstellung eines blockförmigen Trägerkörpers für eine Halbleiterkomponente, insbesondere einen Halbleiterdiodenlaser, wobei in der oberen Seite einer nahezu ebenen Platte zueinander parallele Rillen gebildet werden, zwischen denen sich die zu bildende Trägerkörper befinden, wobei der Trägerkörper mit einer leitenden Schicht versehen wird, auf der sich eine Lötschicht befindet.
  • Auf diese Weise hergestellte Trägerkörper, die beispielsweise mit einem Halbleiterdiodenlaser versehen sind, werden beispielsweise als Komponenten eines Leseund/oder Schreibkopfes von Informationsverarbeitungsgeräten verwendet, wie Laserdrucker, Strichcodeleser, Lese- und/oder Schreibeinrichtungen für optische Aufzeichnungsträger wie CD-Platten (Audio) und CD-ROM-Platten (Daten) und von Systemen für optische Kommunikation über Glasfasern. Der Trägerkörper hat dann gleichzeitig die Funktion eines Kühlkörpers für den Diodenlaser.
  • Ein Verfahren dieser Art ist aus JP(A) 1-14985, in Patent Abstracts of Japan, Bd. 13, Nr.195 (E-754) {3543}, 10. Mai 1989 veröffentlicht, bekannt. Dort wird beschrieben, wie eine ebene wärmeleitende Siliciumplatte 1 durch Rillen in Blöcke unterteilt wird, die die zu bildenden Trägerkörper umfassen und die mit Hilfe von Bruchrändern miteinander verbunden bleiben. Auf der Platte 1 wird eine Titan, Platin und Gold enthaltende leitende Schicht 3 angebracht, und die untere Seite der Platte 1 wird ebenfalls metallisiert. Schichtförmige Gebiete 5 mit einem Gold und Zinn enthaltenden Lot werden auf der leitenden Schicht auf einem Block angebracht. Die Trägerkörper werden durch Herausbrechen aus der Platte 1 entfernt.
  • Ein Nachteil des bekannten Verfahrens ist, daß die so hergestellten Trägerkörper ungeeignet sind, um in optoclektronischen Anordnungen verwendet zu werden, bei denen beispielsweise das Strahlenbündel des auf den Trägerkörper montierten Halbleiterdiodenlasers nahezu senkrecht zur Trägerplatte steht, auf der der Trägerkörper montiert ist, wie es für eine Anzahl Anwendungen wünschenswert ist. Wenn nämlich der Diodenlaser auf der oberen Fläche des Trägerkörpers plaziert wird, muß der Trägerkörper hierzu gekippt werden. Hierbei tritt das Problem auf, daß die Seitenflächen der Trägerkörper mit einem Bruchrand versehen sind, so daß diese Seitenflächen nicht eben und glatt und daher zur Montage auf einem ebenen Untergrund ungeeignet sind. Entfernen der Bruchränder ist schwierig und erfordert auf jeden Fall einen zusätzlichen Prozeßschritt bei dem bekannten Verfahren, das sowieso verhältnismäßig viele Schritte enthält. Befestigen des Diodenlasers auf einer Seitenfläche des Trägerkörpers ist ebenfalls keine Lösung, da in diesem Fall der Diodenlaser erst auf dem Trägerkörper montiert werden kann, wenn diese Trägerkörper voneinander getrennt worden sind. Befestigen, Einbrennen und Testen der Diodenlaser nach Montage auf den Trägerkörpern wird daher sehr umständlich.
  • Der Erfindung liegt unter anderem die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der eingangs erwähnten Art zu verschaffen, wodurch Trägerkörper erhalten werden, die bei der Montage gekippt werden können, wobei dieses Verfahren einfach ist und nur wenige Schritte umfaßt.
  • Erfindungsgemäß werden die oben genannten Aufgaben gelöst mit einem Verfahren zur Herstellung eines blockförmigen Trägerkörpers aus einer ebene Platte aus wärmeleitendem Material, wobei die ebene Platte in Streifen unterteilt wird, die in lateraler Richtung höchstens zwei zu bildende Trägerkörper umfassen und deren Seitenflächen glatt und eben sind, wobei entweder, vor dem Bilden der Streifen, die ebene Platte oder, nach dem Bilden der Streifen, die Streifen mit zueinander parallelen Rillen versehen werden, die senkrecht zur Längsrichtung der Streifen verlaufen und zwischen denen sich die zu bildenden Trägerkörper befinden, wobei, nach dem Bilden der Streifen, in einem einzigen Abscheidungsschritt eine obere Fläche und eine Seitenfläche der Streifen mit einer leitenden Schicht versehen werden, und wobei oben auf der leitenden Schicht Let enthaltende schichtförmige Gebiete auf einer oberen Fläche oder einer Seitenfläche der Streifen und nahe eines Randes der zu bildenden Trägerkörper angebracht werden. Die Unterteilung der Platte in Streifen mit nahezu ebenen und glatten Seitenflächen macht diese Seitenflächen für die Montage auf einem ebenen Untergrund geeignet. Glatte und ebene Flächen im Sinne der vorliegenden Erfindung können erhalten werden, wenn die Streifen beispielsweise durch Ätzen gebildet werden, vorzugsweise aber durch Sägen. Außerdem werden nicht nur die obere Fläche, sondern auch die gesamten Seitenflächen der Streifen mit der leitenden Schicht bedeckt, wenn diese Schicht aufgebracht wird. Daher hat der Trägerkörper zwei zueinander ungefähr senkrechte, nahezu glatte und ebene, mit einer leitenden Schicht versehene Flächen, die beide zur Montage auf einem ebenen Untergrund geeignet sind. Wenn die Lot enthaltenden schichtförmigen Gebiete auf der oberen oder einer Seitenfläche angebracht werden, können die auf den Trägerkörpern zu montierenden Komponenten, beispielsweise Halbleiterdiodenlaser, bereits befestigt werden, während die Trägerkörper in dem Streifen noch miteinander verbunden sind, was das Befestigen, Testen und Messen vereinfacht.
  • Wegen der senkrecht zur Richtung der Streifen vorhandenen Rillen können die Trägerkörper leicht durch Herausbrechen aus den Streifen entfernt werden. Schließlich ermöglicht das erfindungsgemäße Verfahren, die mit einer Halbleiterkomponente versehenen Trägerkörper nach dem Entfernen aus den Streifen zu kippen, bevor sie auf einer ebenen Trägerplatte befestigt werden. Daher steht das aktive Gebiet der Komponenten, beispielsweise dem Strahlenbündel des Diodenlasers entsprechend, nach dem Befestigen des Trägerkörpers an der Trägerplatte ungefähr senkrecht zur Trägerplatte, was für verschiedene Anwendungen erwünscht ist, wie oben erwähnt. Da die Streifen höchstens zwei Trägerkörper breit sind, hat jeder Trägerkörper zumindest eine solche mit der leitenden Schicht versehene ebene, glatte Seitenfläche Wenn die Streifen zwei Trägerkörper breit sind, muß erfindungsgemäß eine zusätzliche Rille in der Mitte jedes Streifens in dessen Längsrichtung angebracht werden. Die in lateraler Richtung des Streifens nebeneinander liegenden Trägerkörper können dann schließlich auch durch Herausbrechen voneinander getrennt werden. Wie bereits erwähnt, werden geeignete Streifen beispielsweise durch Ätzen gebildet, aber vorzugsweise durch Sägen. Das Anbringen der leitenden Schicht an der unteren Seite der Platte kann für die geplante Verwendung der Trägerkörper entfallen, so daß das erfindungsgemäße Verfahren auch verhältnismäßig einfach ist.
  • Es sei bemerkt, daß ein anderes Verfahren zur Herstellung eines blockförmigen Trägerkörpers aus JP(A) 59-983 bekannt ist. In diesem Dokument wird ein Siliciumstreifen gezeigt, mit Rillen senkrecht zur Längsrichtung des Streifens und an zu bildende Trägerkörper grenzend. Sowohl die obere als auch die untere Fläche, aber keine Seitenfläche sind mit einer Metallisierung versehen. Die obere und die untere Fläche des Streifens werden zum Montieren des resultierenden Trägerkörpers selbst und zum Befestigen einer Komponente daran verwendet. Es sei weiterhin bemerkt, daß die Verwendung eines Siliciumsubstrats als Träger für einen Diodenlaser aus JP-A-60-193390 bekannt ist.
  • Bei einer bevorzugten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens, die in den Ansprüchen dargelegt wird, werden die Lot enthaltenden schichtförmigen Gebiete nahe eines Randes der zu bildenden Trägerkörper angebracht, wobei der Rand parallel zu den Streifen verläuft. Daher befindet sich eine an den schichtlörmigen Gebieten befestigte Komponente, nachdem der Trägerkörper gekippt und auf der Trägerplatte mit Hilfe einer ebenen, glatten und metallisierten Fläche montiert worden ist, nahe der oberen Seite des Trägerkörpers. Wenn diese Komponente ein Halbleiterdiodenlaser ist, hat dies den Vorteil, daß das nach oben gerichtete Strahlenbündel des Diodenlasers nicht am Trägerkörper reflektieren kann, was bei den oben genannten Anwendungen von Vorteil ist. Wenn der Streifen zwei Kühlkörper breit ist, wird das schichtförmige Gebiet mit Let vorzugsweise auf der oberen Fläche nahe der in Längsrichtung verlaufenden zusätzlichen Rille angebracht.
  • Eine wichtige Abwandlung der bevorzugten Ausführungsform ist dadurch gekennzeichnet, daß die Streifen in lateraler Richtung genau einen Trägerkörper umfassen und die Let enthaltenden schichtförmigen Gebiete auf der oberen Fläche der Streifen nahe eines Randes davon angebracht werden. Dieses Verfahren hat mehrere große Vorteile: Erstens braucht keine zusätzliche Rille in Längsrichtung in den Streifen angebracht zu werden. Weiterhin erhält jeder Trägerkörper zwei parallele, ebene, glatte Seitenfiächen, die mit der leitenden Schicht versehen sind. Wegen dieser Symmetrie wird sowohl das Anbringen der Let enthaltenden Gebiete als auch die Auswahl und Handhabung der einzelnen Trägerkörper einfacher. Die Lot enthaltenden schichtförmigen Gebiete sind vorzugsweise lokal angebracht, d.h. in einem Gebiet, das nicht viel größer ist als die auf dem Let zu befestigende Komponente. Die Gesamtmenge Lot ist daher für eine bestimmte Dicke so klein wie möglich. Überschüssiges Let könnte beispielsweise beim Löten zu der Komponente auf dem Trägerkörper gelangen und dort einen Kurzschluß verursachen. Ein Diodenlaser wird beispielsweise vorzugsweise "auf dem Kopf stehend" montiert, wodurch sich der pn-Übergang nur einige wenige Mikrometer über dem Let befindet.
  • Bei einer weiteren Abwandlung des erfindungsgemaßen Verfahrens wird über einer Anzahl neben- und gegeneinander positionierten und bereits mit der leitenden Schicht versehenen Streifen eine Maske angeordnet, in der sich am Ort von parallel zu den Streifen verlaufenden Rippen der zu bildenden Trägerkörper Öffnungen befinden, woraufhin die Lot enthaltenden schichtförmigen Gebiete beispielsweise mit Hilfe von Aufdampfen angebracht werden. Dieses Verfahren hat den Vorteil, daß eine große Zahl Streifen gleichzeitig mit Lot versehen wird. Zudem wird Lot nur an gewünschten Stellen angebracht, d.h. beispielsweise auf der oberen Fläche und nahe einer parallel zu den Streifen verlaufenden Rippe. Das Nichtvorhandensein überschüssigen Lots ist, wie oben erläutert, ein weiterer Vorteil.
  • Vorzugsweise wird in dem erfindungsgemäßen Verfahren indiumhaltiges Lot verwendet. Dies hat gegenüber beispielsweise einem Gold-Zinn-Lot den Vorteil, daß die auf den Trägerkörpern zu montierenden Komponenten, beispielsweise Diodenlaser, nach dem Positionieren auf den Lot enthaltenden schichtförmigen Gebieten etwas an diesen Gebieten haften. Der Transport eines Streifens aus Trägerkörpern mit Diodenlasern zu einem Lotofen kann jetzt viel einfacher erfolgen, ohne daß sich die Lage der Diodenlaser ändert.
  • Verschiedene (Halb)Leiter oder Isolatoren können für das Material der Trägerkörper gewählt werden, wie Silicium oder Aluminiumnitrid. Vorzugsweise ist das gewählte Material Silicium, weil es Wärme ausreichend leitet und weil dafür eine Standardtechnologie verfügbar ist. Niederohmiges Silicium hat den Vorteil, daß es Wärme besser leitet und auch zur elektrischen Leitung beiträgt.
  • Die zueinander parallelen Rillen werden vorzugsweise gebildet, bevor die Streifen gebildet werden, aber es ist auch möglich, sie hinterher zu bilden. Sowohl die Rillen als auch die Streifen können in einer Sägemaschine hergestellt werden, wobei der Teller, auf dem sich die ebene Platte befindet, zwischen den Bearbeitungen um 90º gedreht wird. Aus diesen Gründen werden die Rillen vorzugsweise vor dem Anbringen der leitenden Schicht gebildet. Die leitende Schicht ist vorzugsweise als doppelte Schicht aus Titan und Platin ausgeführt, weil diese Schicht einen sehr geeigneten Untergrund für ein indiumhaltiges Lot bildet und einen ausreichenden elektrischen Kontakt mit hoch dotiertem n-Silicium verschafft.
  • Bei einer sehr günstigen Abwandlung eines erfindungsgemäßen Verfahrens werden die einzelnen Trägerkörper erst dann durch Herausbrechen aus den Streifen entfernt, wenn auf den Lot enthaltenden schichtförmigen Gebieten eine Halbleiterkomponente, beispielsweise ein Halbleiterdiodenlaser, positioniert und befestigt worden ist. Die Trägerkörper mit beispielsweise Diodenlasern darauf können jetzt in einfacher Weise getestet und eingebrannt werden, weill sie sich noch in den Streifen befinden. Ein mit einem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellter Trägerkörper ist gekennzeichnet durch zumindest zwei zueinander senkrechte, ebene glatte Seitenflächen, die mit einer leitenden Schicht versehen sind.
  • Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben. Es zeigen:
  • Fig. 1 bis 4 eine Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung eines blockförmigen Trägerkörpers für einen Diodenlaser, mit einer Draufsicht des Trägerkörpers in aufeinanderfolgenden Stadien der Herstellung und einer perspektivischen Ansicht des Trägerkörpers;
  • Fig. 5 eine optoelektronische Anordnung mit einem in einem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten Trägerkörper in perspektivischer Ansicht.
  • Die Zeichnung ist schematisch und nicht maßstabsgetreu Einander entsprechende Teile haben in den verschiedenen Figuren normalerweise gleiche Bezugszeichen.
  • Fig. 1 bis 4 zeigen eine Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung eines blockförmigen Trägerkörpers, der in Draufsicht und teilweise in perspektivischer Ansicht in aufeinanderfolgenden Stadien der Herstellung gezeigt wird. Das Verfahren geht von einer ebene Platte 2 aus (siehe Fig. 1), d.h. von einem n-leitenden einkristallinen (001)-Siliciumsubstrat mit einem spezifischen Widerstand von ungefähr 15 mΩcm und einer Dicke von 500 µm, in dem beispielsweise durch Sägen Rillen 3 angebracht werden, mit einer Tiefe von ungefähr 450 µm und einer Breite von ungefähr 50 µm. Erfindungsgemäß (siehe Fig. 2) wird die Platte 2 in Streifen 7 unterteilt, hier nach Bildung der Rillen 3, wobei die Längsrichtung dieser Streifen senkrecht zur Richtung der Rillen 3 liegt, welche Streifen in lateraler Richtung höchstens zwei Trägerkörper 1 umfassen, hier einen einzigen Trägerkörper 1, und nahezu ebene und glatte Seitenflächen 13 haben, und werden die Streifen 7 mit einer leitenden Schicht 4 versehen, die hier durch Zerstäuben aufgebracht wird und eine doppelte Schicht aus 200 nm Titan und 600 nm Platin umfaßt. Die Rillen 3 werden im vorliegenden Fall angebracht, bevor die Streifen 7 gebildet werden. Vorzugsweise werden die Rillen 3 angebracht, bevor die leitende Schicht 4 gebildet wird, wie es in diesem Beispiel der Fall ist. Wenn die leitende Schicht 4 auf der oberen Fläche der Platte 2 angebracht wird, werden die Seitenflächen 13 der Streifen 7 gleichzeitig mit der leitenden Schicht 4 bedeckt. Das erfindungsgemäße Verfahren umfaßt daher verhältnismäßig wenige Schritte, was vorteilhaft ist. Anschließend werden (siehe Fig. 3) ebenfalls erfindungsgemäß die Lot enthaltenden schichtförmigen Gebiete 6 auf der leitenden Schicht 4 auf einer oberen Fläche 8 oder einer Seitenfläche 13 der Streifen 7 angebracht, hier auf der oberen Fläche 8 nahe des Randes 9 der Streifen 7. Dies wird hier erreicht, indem eine Anzahl von neben- und gegeneinander positionierten und mit der leitenden Schicht 4 versehenen Streifen 7 mit einer Maske 11 bedeckt wird, in der sich Öffnungen 12 am Ort der Ränder 9 der Streifen 7 befinden. Die Lot enthaltenden Gebiete 6, in diesem Fall mit Indium, werden hier durch Aufdampfen angebracht. Die Öffnungen 12 sind im vorliegenden Fall kreisförmig, so daß die Gebiete 6 die Form eines Halbkreises haben. Die Öffnungen 12 haben hier in lateraler Richtung einen gegenseitigen Abstand von zwei Trägerkörpern 1, so daß jeder Trägerkörper 1 genau ein Gebiet 6 umfaßt. Hierdurch und weil die Streifen 7 dicht nebeneinander liegen - dank einer in Fig. 3 nicht abgebildeten Klemmeinrichtung - wird auf den Trägerkörpern 1 nahezu kein überschüssiges Lot aufgebracht. Dies minimiert die Gefahr, daß beim Löten ein Kurzschluß auftritt. Ein wichtiger Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahren ist, daß eine Halbleiterkomponente, hier ein Diodenlaser 10, bereits auf jedem der Trägerkörper 1 aufgebracht werden kann (siehe Fig. 4), bevor diese getrennt werden. Das Anbringen und anschließende Testen und/oder Einbrennen der Diodenlaser 10 wird hierdurch erheblich vereinfacht. Ein sehr wichtiger Vorteil ist schließlich, daß ein erfindungsgemäß hergestellter Trägerkörper 1 zumindest zwei zueinander nahezu senkrechte, glatte, ebene, mit der leitenden Schicht 4 versehene Flächen 8, 13 aufweist, wobei sich auf einer dieser Flächen, hier Fläche 8, das Lot enthaltende schichtförmige Gebiet 6 befindet. Dieser Vorteil wird anhand von Fig. 5 verdeutlicht.
  • Fig. 5 ist eine perspektivische Ansicht einer mit einem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten optoelektronischen Anordnung 50 mit einem Trägerkörper 1. Der Trägerkörper list mit einer nicht mit einem Bruchrand, sondern mit der leitenden Schicht 4 versehenen, ebenen und glatten Seitenfläche 13 an einer Trägerplatte 12 befestigt. Die Fläche 8 mit dem Gebiet 6, in dem sich der Diodenlaser 10 befindet, steht hier senkrecht zur Trägerplatte 12. Daher stehen die von dem Diodenlaser 10 erzeugten Strahlenbündel, von denen nur das nach oben gerichtete Strahlenbündel 14 in Fig. 5 gezeigt wird, auch senkrecht zur Trägerplatte 12, was für viele Anwendungen wünschenswert ist. Dank des Vorhandenseins der zueinander senkrechten, mit der leitenden Schicht versehenen, ebenen und glatten Flächen 8, 13 kann der Diodenlaser 10 auf der einen Fläche befestigt werden, beispielsweise der oberen Fläche 8, während die Trägerkörper 1 sich noch in dem Streifen 7 befinden (siehe auch Fig. 4), woraufhin die Trägerkörper 1 nach der Trennung der Trägerkörper 1 durch Herausbrechen gekippt und auf der ebenen Trägerplatte 12 mit der anderen Fläche, der Fläche 13, befestigt werden können. Dies führt zu der gewünschten Eigenschaft, nämlich daß das Strahlenbündel 14 nahezu senkrecht zur Trägerplatte 12 steht. Da die Lot enthaltenden Gebiete 6 nahe eines Randes 9 des Streifens 7 angebracht werden, befindet sich der Diodenlaser 10 in der Anordnung von Fig. 5 nahe der oberen Seite des Trägerkörpers 1 und kann zumindest das nach oben gerichtete Strahlenbündel 14 nicht von Reflexion(en) am Trägerkörper 1 beeinflußt werden. Ein solcher Aufbau ist besonders geeignet zur Verwendung beispielsweise in dem Lichtgriffel einer optischen Lese- und/oder Schreibeinrichtung. Der Trägerkörper 1 kann auf der Trägerplatte 12 beispielsweise durch Löten oder Kleben mit einem elektrisch leitenden Klebstoff befestigt werden. Wenn die Trägerkörper 1 aus den Streifen 7 herausgebrochen 7 werden, treten Bruchränder 16 auf, die, wie Fig. 5 zeigt, nicht weiter stören. Der Diodenlaser 10 ist über den Trägerkörper 1 mit der Trägerplatte 12 und einem leitenden Stift 19 und über eine Drahtverbindung mit einem leitenden Stift 17 elektrisch verbunden, der eine isolierte Durchführung hat. Eine unter dem Diodenlaser 10 angeordnete sogenannte Monitordiode 20 ist mit dem Stift 19 und dem Stift 18 verbunden und fängt (teilweise) das nach unten gerichtete, aus dem Diodenlaser 10 stammende Strahlenbündel auf.
  • Die Erfindung beschränkt sich nicht auf die dargestellten Ausführungsformen, da im Rahmen der Erfindung für den Fachmann viele Abwandlungen und Varianten möglich sind. So können, wie oben erwähnt, Streifen gebildet werden, die zwei Trägerkörper in lateraler Richtung umfassen. In diesem Fall muß in jedem Streifen eine zusätzliche Rille in Längsrichtung angebracht werden. Die Lot enthaltenden schichtförmigen Gebiete werden in diesem Fall an der oberen Seite der Streifen angebracht, neben der an die zusätzliche Rille grenzenden Rippe. In diesem Fall werden auch die in den Wänden dieser Rille liegenden Seitenflächen der Trägerkörper mit der leitenden Schicht und auch mit Lot bedeckt. Dank des Vorhandenseins der leitenden Schicht wird das auf diesen Seitenflächen vorhandene Lot bis zu einem gewissen Grade gebunden und eine Verlagerung dieses Lots in Richtung des Diodenlasers auf dem Trägerkörper bleibt innerhalb zulässiger Grenzen. Außerdem können für beispielsweise die Materialien der Trägerkörper, die leitende Schicht und das Lot andere Materialien oder Zusammensetzungen als die in der Ausführungsform genannten verwendet werden. Weiterhin können statt Diodenlasern andere Halbleiterkomponenten auf den Trägerkörpern befestigt werden. So haben auch Photodioden eine Vorzugsorientierung hinsichtlich der Richtung eines Strahlenbündels. Die Position des aktiven Gebiets innerhalb der Photodiode spielt hierbei auch eine Rolle. Es ist selbst denkbar, daß die gebotene Kippmöglichkeit bei nicht optoelektronischen Halbleiterkomponenten von Vorteil ist. Schließlich sei bemerkt, daß erfindungsgemäß gefertigte Trägerkörper nicht notwendigerweise gekippt zu werden brauchen. Wenn die untere Seite auch mit einer leitenden Schicht versehen ist oder wenn der Trägerkörper elektrisch leitend ist, gehören auch Anwendungen ohne Kippen zu den Möglichkeiten.

Claims (9)

1. Verfahren zur Herstellung eines blockförmigen Trägerkörpers (1) aus einer ebene Platte (2) aus wärmeleitendem Material, wobei die ebene Platte (2) in Streifen (7) unterteilt wird, die in lateraler Richtung höchstens zwei zu bildende Trägerkörper (1) umfassen und deren Seitenflächen (13) glatt und eben sind, wobei entweder, vor dem Bilden der Streifen (7), die ebene Platte oder, nach dem Bilden der Streifen (7), die Streifen (7) mit zueinander parallelen Rillen (3) versehen werden, die senkrecht zur Längsrichtung der Streifen (7) verlaufen und zwischen denen sich die zu bildenden Trägerkörper (1) befinden, wobei, nach dem Bilden der Streifen (7), in einem einzigen Abscheidungsschritt eine obere Fläche (8) und eine Seitenfläche (13) der Streifen (7) mit einer leitenden Schicht (4) versehen werden, und wobei oben auf der leitenden Schicht (4) Lot enthaltende schichtförmige Gebiete (6) auf einer oberen Fläche (8) oder einer Seitenfläche (13) der Streifen (7) und nahe eines Randes (9) der zu bildenden Trägerkörper (1) angebracht werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Lot enthaltenden schichtförmigen Gebiete (6) nahe eines Randes (9) der zu bildenden Trägerkörper (1) angebracht werden, wobei der Rand (9) parallel zu den Streifen (7) verläuft.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Streifen (7) in lateraler Richtung genau einen Trägerkörper (1) umfassen und die Lot enthaltenden schichtförmigen Gebiete (6) auf der oberen Fläche (8) der Streifen (7) nahe eines Randes (9) davon angebracht werden.
4. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß über einem oder mehreren neben- und gegeneinander positionierten und bereits mit der leitenden Schicht (4) versehenen Streifen eine Maske (11) angeordnet wird, in der sich am Ort der parallel zu den Streifen (7) verlaufenden Ränder (9) der zu bildenden Trägerkörper (1) Öffnungen (12) befinden, woraufhin die Lot enthaltenden schichtförmigen Gebiete (6) angebracht werden.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß für das Lot enthaltende schichtförmige Gebiet (6) ein Indiumgebiet (6) gewählt wird.
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß als Material der Platte (2) Silicium gewählt wird.
7. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das gewählte Silicium niederohmiges Silicium ist.
8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Rillen (3) vor dem Anbringen der leitenden Schicht (4) gebildet werden.
9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die einzelnen Trägerkörper (1) erst dann durch Herausbrechen aus den Streifen (7) entfernt werden, wenn auf den Lot enthaltenden schichtförmigen Gebieten (6) eine Halbleiterkomponente (10) positioniert und befestigt worden ist.
DE69311478T 1992-09-07 1993-08-31 Verfahren zur Herstellung eines blockförmigen Trägerkörpers für eine Halbleiterkomponente Expired - Fee Related DE69311478T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP92202694 1992-09-07

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69311478D1 DE69311478D1 (de) 1997-07-17
DE69311478T2 true DE69311478T2 (de) 1998-01-02

Family

ID=8210893

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69311478T Expired - Fee Related DE69311478T2 (de) 1992-09-07 1993-08-31 Verfahren zur Herstellung eines blockförmigen Trägerkörpers für eine Halbleiterkomponente

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5578866A (de)
JP (1) JPH06188525A (de)
DE (1) DE69311478T2 (de)
TW (1) TW312022B (de)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6653618B2 (en) 2000-04-28 2003-11-25 Palomar Medical Technologies, Inc. Contact detecting method and apparatus for an optical radiation handpiece
US20080294152A1 (en) * 1996-12-02 2008-11-27 Palomar Medical Technologies, Inc. Cooling System For A Photocosmetic Device
US7204832B2 (en) 1996-12-02 2007-04-17 Pálomar Medical Technologies, Inc. Cooling system for a photo cosmetic device
US8182473B2 (en) 1999-01-08 2012-05-22 Palomar Medical Technologies Cooling system for a photocosmetic device
US6517532B1 (en) 1997-05-15 2003-02-11 Palomar Medical Technologies, Inc. Light energy delivery head
ES2226133T3 (es) 1997-05-15 2005-03-16 Palomar Medical Technologies, Inc. Aparato de tratamiento dermatologico.
WO1999046005A1 (en) 1998-03-12 1999-09-16 Palomar Medical Technologies, Inc. System for electromagnetic radiation of the skin
AU3363999A (en) 1998-03-27 1999-10-18 General Hospital Corporation, The Method and apparatus for the selective targeting of lipid-rich tissues
US6514242B1 (en) 1998-12-03 2003-02-04 David Vasily Method and apparatus for laser removal of hair
AU784423B2 (en) * 2000-01-25 2006-03-30 General Hospital Corporation, The Method and apparatus for medical treatment utilizing long duration electromagnetic radiation
CN101194856A (zh) * 2000-12-28 2008-06-11 帕洛玛医疗技术有限公司 用于皮肤的emr治疗处理的方法和装置
US6888319B2 (en) 2001-03-01 2005-05-03 Palomar Medical Technologies, Inc. Flashlamp drive circuit
US6723090B2 (en) 2001-07-02 2004-04-20 Palomar Medical Technologies, Inc. Fiber laser device for medical/cosmetic procedures
AU2002367397A1 (en) 2001-12-27 2003-07-24 Palomar Medical Technologies, Inc. Method and apparatus for improved vascular related treatment
IL163946A0 (en) 2002-03-12 2005-12-18 Gen Hospital Corp Method and apparatus for hair growth managment
BR0311901A (pt) 2002-06-19 2005-04-05 Gen Hospital Corp Processo e aparelho para tratamento fototérmico de tecido a fundo
EP1539013A4 (de) 2002-06-19 2005-09-21 Palomar Medical Tech Inc Verfahren und gerät zur behandlung von haut- und unterhauterkrankungen
KR20050071618A (ko) 2002-10-23 2005-07-07 팔로마 메디칼 테크놀로지스, 인코포레이티드 냉각제 및 국소용 물질과 함께 사용하기 위한 광처리 장치
US7309335B2 (en) 2003-12-31 2007-12-18 Palomar Medical Technologies, Inc. Dermatological treatment with visualization
US8535299B2 (en) * 2004-01-23 2013-09-17 Joseph Giovannoli Method and apparatus for skin reduction
US7824394B2 (en) 2004-04-01 2010-11-02 The General Hospital Corporation Method and apparatus for dermatological treatment and tissue reshaping
US7856985B2 (en) 2005-04-22 2010-12-28 Cynosure, Inc. Method of treatment body tissue using a non-uniform laser beam
AU2006292526A1 (en) 2005-09-15 2007-03-29 Palomar Medical Technologies, Inc. Skin optical characterization device
US7586957B2 (en) 2006-08-02 2009-09-08 Cynosure, Inc Picosecond laser apparatus and methods for its operation and use
US9919168B2 (en) 2009-07-23 2018-03-20 Palomar Medical Technologies, Inc. Method for improvement of cellulite appearance
DE112011105215B4 (de) * 2011-05-06 2024-09-26 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Bauelementträgerverbund und Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Bauelementträgerbereichen
KR102342629B1 (ko) 2012-04-18 2021-12-22 싸이노슈어, 엘엘씨 피코초 레이저 장치 및 그를 사용한 표적 조직의 치료 방법
US10285757B2 (en) 2013-03-15 2019-05-14 Cynosure, Llc Picosecond optical radiation systems and methods of use
SG11202008151QA (en) 2018-02-26 2020-09-29 Cynosure Inc Q-switched cavity dumped sub-nanosecond laser

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3267653D1 (en) * 1981-04-09 1986-01-09 Fujitsu Ltd Laser apparatus
JPS59983A (ja) * 1982-06-25 1984-01-06 Toshiba Corp 半導体レ−ザ装置の製造方法
US4734380A (en) * 1983-04-08 1988-03-29 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Multicavity optical device held together by metallic film
JPS6414985A (en) * 1987-07-08 1989-01-19 Nec Corp Heat sink for semiconductor light emitting element
US5094970A (en) * 1988-11-07 1992-03-10 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of making a light emitting diode array

Also Published As

Publication number Publication date
JPH06188525A (ja) 1994-07-08
US5578866A (en) 1996-11-26
TW312022B (de) 1997-08-01
DE69311478D1 (de) 1997-07-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69311478T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines blockförmigen Trägerkörpers für eine Halbleiterkomponente
DE4025144C2 (de)
DE69706468T2 (de) Diodenlaservorrichtung
DE3390103C2 (de)
EP0905797B1 (de) Halbleiterlichtquelle und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE69204327T2 (de) Laserdioden-Array.
DE2829548C2 (de) Vorrichtung für die Einkopplung des von einer elektrolumineszierenden Halbleiterdiode emittierten Lichts in eine optische Signalfaser
EP0335104A2 (de) Vorrichtung zum optischen Verbinden eines oder mehrerer optischer Sender mit einem oder mehreren optischen Detektoren eines oder mehrerer integrierter Schaltkreise
DE2713298C3 (de) Halbleiterlaser
DE1954966B2 (de) Elektrische Speichermatrix in Kompaktbauweise
DE69417351T2 (de) Vorrichtung zur Strahlungsdetektion mit aneinanderstossenden Detektionselementen sowie Verfahren zur Herstellung dieser Vorrichtung
EP0865081B1 (de) Verfahren zum Herstellen von elektronischen Elementen
DE112004002561T5 (de) Verfahren, Vorrichtung und Beugungsgitter zum Trennen von Halbleiterelementen, die auf einem Substrat gebildet werden, durch Änderung besagten Beugungsgitters
DE3509441C2 (de) Halbleiterlaser-Chip
DE69029936T2 (de) Diodenmatrixtrennung
DE3234744C2 (de) Einrichten zum Halten mehrerer, jeweils mit integrierten Schaltkreisen versehenen Halbleiterplättchen beim Kontaktieren mit auf einem filmförmigen Substrat ausgebildeten Streifenleitern
DE69217318T2 (de) Optoelektronische Halbleiteranordnung mit einem Strahlungsleiter und Verfahren zum Herstellen einer derartigen Anordnung
DE3223619C2 (de) Halbleiterschaltungsanordnung mit aus polykristallinem Silizium bestehenden Sicherungen
DE69119045T2 (de) Verfahren zur herstellung von aufnahme- und/oder wiedergabeköpfen für magnetische aufnahme
DE3511082A1 (de) Solarzelle
DE69420214T2 (de) Optischer Abtastkopf und optischer Detektor dafür
DE3021140C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Kühlblöcken für Halbleiterlaser und Halbleiterlaser mit einem nach diesem Verfahren hergestellten Kühlblock
DE4313492C1 (de) Anordnung zur Ankopplung eines optoelektronischen Empfangselementes an ein optoelektronisches Sendeelement
EP0328886A2 (de) Isoliereinrichtung zum optischen Isolieren integrierter Komponenten
DE2039027C3 (de) Halbleiteranordnung mit einem Träger aus Isoliermaterial, einem Halbleiterbauelement und einem Anschlußfleck

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V., EINDHOVEN, N

8339 Ceased/non-payment of the annual fee