DE69220868T2

DE69220868T2 - System zur Stabilisierung der Formen von optischen Elementen, Belichtungsvorrichtung unter Verwendung dieses Systems und Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen

Info

Publication number: DE69220868T2
Application number: DE69220868T
Authority: DE
Inventors: Yasuaki C/O Canon Kabushiki Kaisha Ohta-Ku Tokyo Fukuda; Masami C/O Canon Kabushiki Kaisha Ohta-Ku Tokyo Hayashida; Masahito C/O Canon Kabushiki Kaish Ohta-Ku Tokyo Niibe
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1991-09-07
Filing date: 1992-09-04
Publication date: 1997-11-06
Anticipated expiration: 2012-09-05
Also published as: DE69220868D1; EP0532236B1; EP0532236A1; CA2077572A1; US5390228A; CA2077572C

Description

Die Erfindung betrifft ein System bzw. ein Verfahren zur Stabilisierung der Formen von optischen Elementen und eine optische Vorrichtung, welche dieses Verfahren verwendet. In mehr besonderer Weise betrifft die Erfindung ein System bzw. ein Verfahren zur Stabilisierung der Formen von optischen Elementen, welches durch örtliche Temperaturänderungen verursachte Formänderungen verhindert und für die Verwendung mit Synchrotronstrahlungslicht oder Hochleistungslicht vorgesehen ist, welches umfassend für Forschungsarbeiten in Physik und Chemie, für Analysegeräte, Fertigungsgeräte oder dergleichen Einsatz findet, und betrifft eine dieses anwendende optische Vorrichtung.
In den letzten Jahren ist eine Lichtquelle, welche Synchrotronstrahlungs-(SR)-Lichtstrahlen oder Hochleistungs lichtstrahlen, wie z. B. Excimerlaserstrahlen, abstrahlt, entwickelt worden. Optische Vorrichtungen, welche eine solche Lichtquelle für Forschungsarbeiten in Physik und Chemie, für Analysegeräte, Fertigungsgeräte und dergleichen verwenden, haben in jüngster Zeit Aufmerksamkeit gefunden, was auch in umfangreichen Arbeiten zur Forschung und Entwicklung dieser Vorrichtungen zum Ausdruck kommt.
Im allgemeinen erfordern optische Vorrichtungen verschiedene Typen optischer Elemente zum Zweck der Reflexion, Übertragung, Lichtbündelung, Beugung, Spektrophotometrie, Polarisation, Bilderzeugung oder dergleichen. Da die Intensität der verwendeten Lichtstrahlen in diesen optischen Vorrichtungen hoch ist, welche insbesondere eine Hochleistungslichtquelle verwenden, treten solche Erscheinungen auf, wie z. B. Verformung, Leistungsminderung, Strahlungsschäden oder Zerstörung der optischen Elemente.
Ein Beispiel solcher Hochleistungslichtstrahlen betrifft das technologische Gebiet des Synchrotronstrahlungslichts, in welchem die Strahlungsleistung einer Lichtquelle im Ergebnis der Fortschritte in der Technologie mit Bezug auf die herkömmlich als Lichtquellen der Einfügetype bezeichneten, wie z. B. Vielpol-Zentriereinrichtungen oder Undulatoren, kürzlich die Größenordnung von Kilowatt erreicht hat.
Als Strahlung, welche von Röntgenstrahlen bis zu elektromagnetischen Wellen im Vakuum reicht, werden Ultraviolettstrahlen häufig im Hinblick auf die Strahlungslängen von einer Lichtquelle verwendet. Um die Dämpfung in der Atmosphäre zu verhindern, werden die optischen Elemente in den meisten Fällen in einem Vakuumbehälter oder in einer Vakuum-Strahlleitung installiert. Demzufolge tritt die Wärmestrahlung durch Leitung oder Konvektion in die Atmosphäre bei den in einem Vakuum angeordneten optischen Elementen nicht auf. Somit besteht dort eine Tendenz der stärkeren Zunahme der Temperatur der optischen Elemente als in dem Fall, wenn die optischen Elemente in der Atmosphäre angeordnet sind.
Speziell in einer Halbleiter-Belichtungsvorrichtung, welche Synchrotronstrahlungslicht oder Hochleistungs-Beleuchtungslicht von einem Excimerlaser oder dergleichen verwendet, wird die durch die Temperaturänderungen oder die Temperaturverteilungsänderungen der Spiegel oder der Linsen, welche das Beleuchtungslicht reflektieren, konvergieren oder vergrößern, oder die durch Retikel oder Masken verursachte Wärmeausdehnung zu einem Haupthindernis bei der Erhöhung der Genauigkeit der Halbleiter-Belichtungsvorrichtung. Insbesondere in dem Fall, wenn elektromagnetische Wellen, wie z. B. das Synchrotronstrahlungslicht oder Vakuum-Ultraviolettstrahlen, verwendet werden, erfolgt das Anordnen optischer Systeme, wie z. B. der Spiegel oder der Linsen, und der Masken im allgemeinen in einer Vakuumkammer oder einer Druckminderungskammer, um die Dämpfung der Energie des Beleuchtungslichts zu verhindern. Wenn die zu beleuchtenden Elemente, wie z. B. Spiegel, Linsen oder Masken, durch das Beleuchtungslicht erhitzt werden, steigt die Temperatur beträchtlich, weil in diesem Fall kaum eine Leitung durch Luft oder Wärmeabstrahlung durch Konvektion vorliegt. Die durch Temperaturänderungen oder Änderungen der Temperaturverteilung verursachte Wärmeausdehnung verändert wesentlich die Intensitätsverteilung des Beleuchtungslichts, welche Belichtungsunregelmäßigkeiten verursacht.
Aus diesem Grund sind verschiedene Verfahren zur Kühlung der vorstehend erwähnten und zu beleuchtenden Elemente durch Verwendung eines Wasserkühlmantels oder dergleichen entwikkelt worden. Ein Beispiel dafür ist in Rev. Sci. Instrum., 60, 1493 (1989), T. Oversluizen u. a., beschrieben.
In einer optischen Vorrichtung, welche eine Hochleistungslichtstrahlen abstrahlende Lichtquelle verwendet, verändert sich jedoch selbst dann, wenn die optischen Elemente gekühlt werden, weiterhin die Temperatur der Oberflächen der optischen Elemente gewöhnlich um mehrere bis einige zehn Grad. Demzufolge ändern die optischen Elemente ein wenig ihre Formen, und es gibt gewisse Fälle, in welchen sich die optische Leistungsfähigkeit der optischen Vorrichtungen verringert.
Z. B. ist es in einer Projektionsbelichtungsvorrichtung zum Übertragen feiner Strukturen zur Verwendung bei der Herstellung von Halbleitervorrichtungen erforderlich, die Temperaturveränderungen der optischen Elemente, wie z. B. der Spiegel, auf ungefähr 1/100 ºC genau zu regeln. In der Vorrichtung gemäß dem Stand der Technik ist jedoch die Kühlung der optischen Elemente allein nicht ausreichend, um die Temperaturveränderungen der optischen Elemente zu regeln.
JP-A-1041215 beschreibt einen Aufbau, um der Wärmeausdehnung einer Röntgenstrahl-Absorberstruktur entgegenzuwirken, durch den Vergleich der Temperaturverteilung eines Bereichs mit einer vorbestimmten Bezugstemperatur und durch das gezielte Ausstoßen eines Gases zum Kühlen in einem Bereich, welcher eine Temperatur höher als die Bezugstemperatur aufweist.
EP-A-252734 beschreibt ein Röntgenstrahl-Reflexionsverkleinerungssystem zum Reflektieren von Röntgenstrahlen von einer Maske auf einen Wafer, um den Wafer entsprechend der Struktur der Maske in einem verkleinerten Maßstab zu belichten. In diesem Dokument wird die Bedeutung der Erhaltung der Form der reflektierenden Oberfläche betont.
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren aufzuzeigen und eine Vorrichtung zu schaffen, in welcher die Verformung eines Objekts infolge der Temperaturänderung vermieden wird.
Die vorliegende Erfindung wird vorzugsweise verwendet, um die Herstellung von integrierten Halbleitervorrichtungen zu verbessern.
Gemäß einem Gesichtspunkt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Stabilisierung der Form eines Objekts aufgezeigt, wobei das Verfahren die Schritte aufweist:
- Messen einer Temperaturverteilung des Objekts, auf welches die Strahlungsenergie einwirkt, und
- Regeln der Temperatur eines Teils des Objekts auf der Grundlage der Messung, um die Form des Objekts zu steuern,
dadurch gekennzeichnet, daß das Objekt ein reflektierendes Objekt ist, welches eine reflektierende Oberfläche aufweist und die Temperatur der reflektierenden Oberfläche und die Temperatur einer Oberfläche in Gegenüberlage der reflektierenden Oberfläche auf der Grundlage der Messung getrennt voneinander geregelt werden, um die Form des reflektierenden Objekts zu steuern.
Gemäß einem zweiten Gesichtspunkt zeigt die vorliegende Erfindung eine optische Vorrichtung auf, welche aufweist:
- ein Objekt zum Aufnehmen der Strahlungsenergie,
- eine Temperaturmeßeinrichtung zum Messen einer Temperaturverteilung des Objekts während des Bestrahlens mit Strahlungsenergie und
- eine Temperaturregeleinrichtung zum Regeln der Temperatur eines Teils des Objekts auf der Grundlage der gemessenen Temperatur, um die Form des Objekts zu steuern,
dadurch gekennzeichnet, daß das Objekt ein reflektierendes Objekt ist, welches eine reflektierende Oberfläche aufweist, und die Temperaturregeleinrichtung angepaßt ist, um die Temperatur der reflektierenden Oberfläche und die Temperatur einer Oberfläche in Gegenüberlage der reflektierenden Oberfläche auf der Grundlage der gemessenen Temperatur getrennt voneinander zu regeln, um die Form des reflektierenden Objekts zu steuern.
Die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden nachstehend mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.
Fig. 1 zeigt schematisch eine Ansicht eines Hauptabschnitts einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
Fig. 2 zeigt ein Kurvenbild der Temperaturverteilung der Oberfläche eines in Fig. 1 gezeigten optischen Elements,
Fig. 3 zeigt schematisch eine Ansicht eines Hauptabschnitts einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
Fig. 4 zeigt ein Kurvenbild der Verteilung der Oberflächentemperatur einer in Fig. 3 gezeigten Maske der Reflexionstype,
Fig. 5 zeigt schematisch eine Ansicht einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
Fig. 6 zeigt ein Kurvenbild der Temperaturverteilung der reflektierenden Oberfläche eines Spiegels,
Fig. 7 zeigt ein Kurvenbild einer Intensitätsverteilung der Röntgenstrahlen auf einem Wafer,
Fig. 8 zeigt schematisch eine Ansicht einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
Fig. 9 zeigt einen Ablaufplan der Abfolge der Fertigung der Halbleitervorrichtungen, und
Fig. 10 zeigt einen ausführlichen Ablaufplan der Abfolge eines Waferprozesses.

(Erste Ausführungsform)

Fig. 1 zeigt schematisch eine Ansicht eines Hauptabschnitts eines Teils der ersten Ausführungsform, in welchem die vorliegende Erfindung auf eine optische Vorrichtung angewendet ist, welche für die Verwendung mit Synchrotronstrahlungslicht vorgesehen ist.
Jedes der in Fig. 1 in Blockdarstellung gezeigten Elemente, als auch die anderen Figuren, sind an sich bekannt, und eine spezifische Type des Aufbaus ist nicht kritisch, um die Erfindung auszuführen oder um zu einer besten Ausführungsform der Erfindung zu gelangen.
In dieser Figur bezeichnet das Bezugszeichen 1 das Synchrotronstrahlungslicht, das Bezugszeichen 2 bezeichnet ein optisches Element, welches als ein lichtbündelnder Spiegel ausgebildet ist, auf dessen Oberfläche Vielschichtaufträge zum Reflektieren weicher Röntgenstrahlen nach dem Polieren eines Siliziumkarbid-(SiC)-Elements in einer Form erzeugt sind, welche das Synchrotronstrahlungslicht 1 reflektiert und es in einem Punkt bündelt. Das Bezugszeichen 3 bezeichnet eine Halteeinrichtung zum Halten des lichtbündelnden Spiegels. Das Bezugszeichen 4 bezeichnet eine Temperaturverteilungs-Meßeinrichtung, welche aus einer Infrarot-Kamera unter Verwendung von Indiumantimonid (InSb) oder dergleichen als ein Sensor ausgebildet ist.
Das Bezugszeichen 5 bezeichnet eine Heizeinrichtung mit einer Infrarot-Lampe 5a und einer Lichtkondensorplatte (ein Konkavspiegel) 5b. Die Heizeinrichtung 5 regelt die Temperaturverteilung des optischen Elements von der oberen Oberfläche des optischen Elements 2. Die Lichtkondensorplatte 5b erhöht die Bündelung der von der Infrarot-Lampe 5a abgestrahlten Infrarotstrahlen.
Das Bezugszeichen 7 bezeichnet eine andere Heizeinrichtung mit einem Wärmeerzeugungsabschnitt 7a, in welchem Widerstandsdrähte in einer Netzform angeordnet sind, und einem Ansteuerabschnitt 7b zum Ansteuern des Wärmeerzeugungsabschnitts 7a, dessen Heizeinrichtung die Temperaturverteilung des optischen Elements von der unteren Oberfläche des optischen Elements 2 steuert. Das Bezugszeichen 8 bezeichnet ein Thermoelement, welches als eine Temperaturverteilungs- Meßeinrichtung eingesetzt wird, um die Temperaturverteilung der unteren Oberfläche des optischen Elements 2 zu messen. Das Bezugszeichen 9 bezeichnet die Temperaturregeleinrichtung, welche die zwei Heizeinrichtungen 5 und 7 auf der Grundlage der Signale von den zwei Temperaturverteilungs- Meßeinrichtungen 4 und 8 regelt, so daß die Temperaturverteilung des optischen Elements 2 gleichmäßig ist und das optische Element formstabil bleibt. Das Bezugszeichen 10 bezeichnet eine Vielzahl von Kühlmittel-Strömungskanälen, welche in dem lichtbündelnden Spiegel eingebettet sind, wobei die Kühlmittel-Strömungskanäle als Kühleinrichtungen des lichtbündelnden Spiegels wirken.
In dieser Ausführungsform weist die Form eines Querschnitts eines Strahls senkrecht zu dem Synchrotronstrahlungslicht 1 in der Position, in welcher das Synchrotronstrahlungslicht 1 auf den lichtbündelnden Spiegel 2 auftrifft, ungefähr die Abmessungen 80 mm x 8 mm auf. Das Synchrotronstrahlungslicht 1 trifft unter einem Sehwinkel von 10º (einem Einfallswinkel von 80º) auf den lichtbündelnden Spiegel 2 auf. Die Strahlungsleistung des einfallenden Lichts wurde zu ungefähr 120 W bestimmt, wenn eine Erhöhung der Temperatur eines Kupferblocks beobachtet wurde, wenn das Licht für eine festgelegte Zeitdauer auf diesen einstrahlte. Das Synchrotronstrahlungslicht 1 trifft schräg auf das optische Element 2 auf und verursacht die Vergrößerung der Bestrahlungsfläche des optischen Elements 2. In dieser Ausführungsform beträgt die Aufheizdichte ungefähr 33 mW/mm².
Die Länge des optischen Elements 2 beträgt 200 mm in der Dimension parallel zum Einfall des Synchrotronstrahlungslichts 1 und 100 mm in der Richtung, welche im wesentlichen senkrecht dazu ist. Wenn die Temperaturverteilung der Oberfläche des optischen Elements 2 durch die Infrarot-Kamera 4 gemessen wird, zeigt sich, daß die Temperaturverteilung in der Längsrichtung auf dem optischen Element 2 wie in Fig. 2 durch die Kurve "a" gekennzeichnet ist und eine im wesentlichen gleichmäßige Temperaturverteilung in der Richtung senkrecht dazu vorliegt.
Zu diesem Zeitpunkt ist die Größe eines Flecks in einer Brennpunktposition, in welche das Synchrotronstrahlungslicht 1 vom optischen Element 2 reflektiert wird, auf ungefähr 7 mm im Durchmesser konvergiert, wenn es durch ein Verfahren mit einem photoempfindlichen Film bewertet wird.
Danach wird die Heizeinrichtung 5, welche eine Infrarot- Lampe 5a der Langtype aufweist, in der in Fig. 1 gezeigten Position angeordnet. Die Heizeinrichtung 5 wird betrieben und gibt Wärme ab, so daß die Temperatur auf der Oberfläche des optischen Elements 2 durch das Einstellen der Infrarot- Kondensorplatte Sb und der Bestrahlungsleistung so gleichmäßig als möglich wird. Nach dieser Einstellung nimmt die Temperaturverteilung auf der Oberfläche des optischen Elements 2 eine im wesentlichen gleichmäßige Temperaturverteilung von 35 ºC an, wie durch die Kurve "b" in Fig. 2 gekennzeichnet ist. Der Durchmesser des Flecks des reflektierten Lichtstrahls in der Brennpunktposition des Synchrotronstrahlungslichts 1 beträgt ungefähr 4 mm.
Anschließend wird der Heizeinrichtung 7 an der unteren Oberfläche des optischen Elements 2 elektrischer Strom zugeleitet. Die der Heizeinrichtung 7 zugeführte elektrische Strommenge wird durch die Temperaturregeleinrichtung 9 geregelt, während die Temperatur der unteren Oberfläche des optischen Elements 2 unter Verwendung des Thermoelements 7a geregelt wird. Zu diesem Zeitpunkt betragen die Temperaturen auf der oberen und der unteren Oberfläche des optischen Elements 2 ungefähr 40 ºC. Unter diesen Bedingungen beträgt der Durchmesser des Flecks des reflektierten Lichtstrahls in der Brennpunktposition des optischen Elements 2 ungefähr 2 mm. Die Lichtbündelungsleistung ist zu jener der konstruktiven Vorgabe fast gleichwertig.
Wie vorstehend beschrieben, wird die Temperaturverteilung des optischen Elements 2 in dieser Ausführungsform sachgemäß geregelt, so daß aufleichte Weise ein hervorragendes optisches Leistungsvermögen erzielt wird, während verhindert werden kann, daß das optische Element seine Form verändert. Obgleich das optische Element dieser Ausführungsform mit einem lichtbündelnden Spiegel (einem Konkavspiegel) gezeigt ist, können erfindungsgemäß andere optische Elemente verwendet werden, welche Linsen, Reflexionsspiegel, Strahlteileinrichtungen, Polarisationsplatten, Spektrokristalle, Beugungsgitter, optische Filter, Etalonplatten, Vielschichtauftragspiegel, Masken für Belichtungsvorrichtungen, Retikel usw. einschließen Jedes der vorstehend erwähnten optischen Elemente kann für optische Vorrichtungen verwendet werden, welche mit einer Hochleistungslichtquelle, wie z. B. einer Synchrotronstrahlungslichtquelle oder Excimerlasern, zum Einsatz gelangen.
Ein- oder zweidimensionale Infrarot-Sensor-Matrizen können außer den Infrarot-Kameras für die Temperaturverteilungs- Meßeinrichtung für optische Elemente verwendet werden. Auch in einem Fall, wenn ein Thermoelement oder ein Temperaturmeßelement, wie z. B. ein Platinwiderstand, in dem optischen Element eingebettet oder an der oberen oder der unteren Oberfläche angeordnet wird, kann eine Vielzahl dieser Temperaturmeßelemente angeordnet werden. Dies ist eine zu bevorzugende Anordnung, weil die Temperaturverteilung eines optischen Elements zufriedenstellend bestimmbar ist.
Im Hinblick auf die Infrarot-Lampe, welche als eine Einrichtung zum Erhitzen der optischen Elemente verwendet wird, erfolgt die Auswahl der Form der Lampe gemäß der Form der Temperaturverteilung des optischen Elements. Es kann auch ein Teil des optischen Elements durch Verwenden eines lichtbündelnden Spiegels, einer Öffnung oder dergleichen wirkungsvoll erhitzt werden. Die Wellenlänge der Strahlung der Infrarot-Lampe sollte vorzugsweise in einer solchen Weise ausgewählt werden, daß sie nicht mit der Wellenlänge des in der optischen Vorrichtung verwendeten Lichts übereinstimmt, weil so der Eintritt unerwünschten Lichts verhindert werden kann. Die Richtung der Strahlung wird so gewählt, daß sie das optische System der optischen Vorrichtung nicht nachteilig beeinflußt, so daß die Verminderung der optischen Leistungsfähigkeit ausgeschlossen wird.
In einem Fall, in welchem Heizelemente, wie z. B. Heizdrähte, in dem optischen Element eingebettet oder auf der oberen oder der unteren Oberfläche vorgesehen werden können, ist das Anordnen einer Vielzahl von Heizelementen in einem vorbestimmten Abschnitt des optischen Elements möglich. Dies ist ein bevorzugter Aufbau, weil die Abschnitte des optischen Elements unabhängig erhitzt werden können und die Temperaturverteilung gleichmäßig steuerbar ist.
Wenn in dieser Ausführungsform das Licht auf ein optisches Element einstrahlt, wird zuerst unter Verwendung der Temperaturverteilungs Meßeinrichtung die Temperaturverteilung des optischen Elements gemessen. Anschließend wird ein vorbestimmter Teil des optischen Elements unter Verwendung der Heizeinrichtung erhitzt, so daß die Temperaturverteilung gleichmäßig wird und die Anderung der Form des optischen Elements infolge Wärmeausdehnung minimiert wird. Im Hinblick auf die Heizmenge wird die Temperaturverteilung wiederholt gemessen, und die Daten werden durch die Regeleinrichtung analysiert und zur Heizeinrichtung zurückgeführt, um die Heizung zweckentsprechend abzustimmen.
Wenn die Temperaturverteilungsdaten von der Regeleinrichtung zur Heizeinrichtung zurückgeführt werden, kann die Verformung des optischen Elements infolge der ungleichmäßigen Temperaturverteilung durch eine Recheneinrichtung berechnet werden, z. B. nach einem Finite-Elemente-Verfahren, um ein Heizverfahren zu bestimmen, durch welches das optische Element eine optimale Form annimmt, und die Verformungsmenge kann zu der Heizeinrichtung zurückgeführt werden.
Insbesondere bei einem optischen Element der Reflexionstype strömt die Wärme durch das Einstrahlen des Lichts von einer Lichtquelle von der oberen Oberfläche ein und verursacht eine ungleichmäßige Temperaturverteilung der unteren Oberfläche des optischen Elements. Aus diesem Grund ist es schwierig, die Verformung des optischen Elements lediglich durch die gleichmäßige Ausbildung der Temperaturverteilung auf der oberen Oberfläche des optischen Elements auszuschließen. Demgemäß ist es wünschenswert, wenn die Heizeinrichtung in der vorliegenden Erfindung sowohl auf der oberen als auch auf der unteren Oberfläche des vorstehend beschriebenen optischen Elements der Reflexionstype angeordnet wird. Diese Anordnung gestattet es, die Temperaturverteilung auf dem optischen Element gleichmäßiger auszubilden und die Verformung des optischen Elements zu vermindern.
Obgleichdie Temperaturverteilung des optischen Elements in dieser Ausführungsform durch vorrangiges Verwenden der Heizeinrichtung gleichmäßig gestaltet wird, kann eine Kühleinrichtung ebenfalls Anwendung finden. In Fig. 1 wird die Temperaturverteilung des optischen Elements durch Steuerung der Strömungsgeschwindigkeit und/oder der Temperatur eines Kühlmittels gleichmäßig ausgebildet, welches in die unabhängigen Kühlmittel-Strömungskanäle 10-a bis 10-e, die in dem optischen Element eingebettet sind, eingespeist wird.
Das optische Element kann durch Einbetten oder Anordnen einer Vielzahl von Kühlelementen, welche den Peltier-Effekt in dem optischen Element anwenden, teilweise gekühlt werden. Da das Peltier-Element die Kühlmenge unmittelbar und elektrisch regeln kann, ist es wirkungsvoll, die Temperaturverteilung durch das Rückführen der Signale von einer Infrarot-Kamera auszugleichen und stellt eine hochempfindliche Kühleinrichtung dar.
Durch die gemeinsame Verwendung der vorstehend erwähnten Heiz- und Kühleinrichtung ist eine feinere Temperaturregelung erreichbar, und die Temperaturverteilung kann gleichmäßiger ausgebildet werden.

(Zweite Ausführungsform)

Fig. 3 zeigt schematisch eine Ansicht der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, welche auf eine Verkleinerungsprojektions-Belichtungsvorrichtung zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen angewendet ist und eine Laser-Plasma-Röntgenstrahlquelle als eine Lichtquelle verwendet.
Das Bezugszeichen 11 bezeichnet einen Excimerlaser. Ein Lichtstrahl 11a vom Excimerlaser 11 wird durch eine Linse 12 gebündelt und auf ein Target 13 gerichtet, welches aus Samarium (Sm) hergestellt ist. Diese Bestrahlung verursacht das Erzeugen eines Laser-Plasma-Röntgenstrahls 14 durch das Target 13. Der vom Target 13 erzeugte Röntgenstrahl 14 wird durch einen Filter 15, hergestellt aus Beryllium, und eine Blende 16 geleitet und strahlt auf eine Maske 17 der Reflexionstype, welche als ein optisches Element dient. Die durch die Maske 17 der Reflexionstype reflektierten Röntgenstrahlen werden durch einen Verkleinerungsspiegel 19 reflektiert und zu einem Bild der Maske 17 in einer Waferposition 20 geformt. Das Bezugszeichen 18 bezeichnet eine Halteeinrichtung, welche die Maske 17 der Reflexionstype hält und sie auch kühlt. Das Bezugszeichen 21 bezeichnet eine Heizeinrichtung mit Platinwiderstandsdrähten, angeordnet auf der Oberfläche der Maske 17 der Reflexionstype in einer Ringbandform, welche die Oberfläche der Maske 17 erhitzt. Das Bezugszeichen 22 bezeichnet eine Infrarot-Kamera. Das Bezugszeichen 23 bezeichnet eine andere Heizeinrichtung, welche die entgegengesetzte Oberfläche der Maske 17 der Reflexionstype erhitzt, und das Bezugszeichen 24 bezeichnet die Regeleinrichtung, welche die Heizeinrichtung 23 auf der Grundlage eines Signals von der Infrarot-Kamera 22 regelt.
Eine Reflexionsstruktur für weiche Röntgenstrahlen weist einen Vielschichtauftrag auf, wobei das Beschichten nach einem Verfahren erfolgt, welches in der japanischen Offenlegungsschrift Nr. 1-175731 vorgeschlagen ist, erzeugt auf der Oberfläche der Maske 17 der Reflexionstype in dieser Ausführungsform. Die Form der Oberfläche wird in eine gekrümmte Form verändert, um die optische Aberration zu minimieren. Das verkleinernde optische System, welches eine Vielzahl von Spiegeln verwendet, kann ebenfalls für den Verkleinerungsspiegel 19 verwendet werden. Die Oberfläche des Verkleinerungsspiegels 19 ist mit einem Vielschichtauftrag beschichtet, so daß die Strahlung, welche dieselbe Wellenlänge wie die weichen Röntgenstrahlen aufweist, reflektiert durch die Maske 17 der Reflexionstype, reflektiert werden. Der Verkleinerungsfaktor des Verkleinerungsspiegels 19 beträgt 1/5. In dieser Ausführungsform werden weiche Röntgenstrahlen mit einer mittleren Wellenlänge von 130 Å [13 nm] von Röntgenstrahlen verschiedener Wellenlängen, welche von der Laser- Plasma-Röntgenstrahlquelle erzeugt werden, verwendet.
Die Röntgenstrahlen werden vom Samanum-Target 13 erzeugt, bei einer Einstellung der Energie des Excimerlasers auf 50 mJ/Impuls sowie der Wiederholfrequenz von 300 Hz und unter Bestrahlung der Oberfläche der Maske 17 der Reflexionstype. Die Kurve "c" in Fig. 4 kennzeichnet die Temperaturverteilung auf der Oberfläche der Maske, welche zu diesem Zeitpunkt durch eine Infrarot-Kamera 22 gemessen wird. Wie in Fig. 4 gezeigt, ist die Temperaturverteilung nahezu symmetrisch, und es kann darauf hingewiesen werden, daß die Temperatur in dem Mittelabschnitt der Maske 1,2 Grad höher als in dem Randabschnitt ist.
Wenn das Bild auf der Maske auf dem Wafer erzeugt wird, auf welchem ein Resist in der Waferposition 20 oder in der Nähe aufgetragen ist und zu diesem Zeitpunkt bewertet wird, liegt eine Aberration von ungefähr 10 µm auf der Brennpunktebene vor, und es besteht auch eine maximale Bildverzerrung von 0,01 %.
Wenn danach den Platinwiderstandsdrähten 21 auf der Maske 17 der Reflexionstype und einer Heizeinrichtung 23a der Heizvorrichtung 23 am Unterteil der Maske 17 elektrischer Strom zugeleitet wird und wenn die Heizmenge geregelt wird, während deren Überwachung durch die Infrarot-Kamera 22 erfolgt, wird die im wesentlichen gleichmäßige Temperaturverteilung erreicht, wie sie durch die Kurve "d" in Fig. 4 gekennzeichnet ist. Wird zu diesem Zeitpunkt die Bilderzeugungsbedingung nach demselben Verfahren, wie vorstehend beschrieben, bewertet, dann liegt dort eine Aberration von weniger als 2 µm auf der Brennpunktebene vor, und es besteht ebenfalls eine Bildverzerrung von weniger als 0,002 %.
Gemäß der vorstehend beschriebenen Ausführungsform bietet ein Verfahren zur Stabilisierung der Formen von optischen Elementen hervorragende Vorteile, so daß der Grad, mit der sich die Form eines optischen Elements infolge eines ungleichmäßigen Temperaturanstiegs ändert, minimiert wird und die Verschlechterung der optischen Leistungsfähigkeit des optischen Elements und des gesamten optischen Systems verhindert wird. Außerdem kann eine optische Vorrichtung in Anwendung dieses Verfahrens geschaffen werden, indem eine Temperaturverteilungs-Meßeinrichtung und eine Heizeinrichtung für optische Elemente vorgesehen wird und indem ein Ausgleich der Temperaturverteilung während der Bestrahlung des optischen Elements mit Licht erfolgt.
Die vorliegende Erfindung kann wirkungsvoll auf eine optische Vorrichtung angewendet werden, welche eine Hochleistungslichtquelle aufweist, wie z. B. eine Synchrotronstrahlungslichtquelle oder eine Laser-Plasma-Röntgenstrahlquelle, deren Technologie in jüngster Zeit wesentliche Fortschritte erfahren hat und dadurch gekennzeichnet ist, daß die Zerstörung der optischen Elemente infolge Wärmeausdehnung wirkungsvoll verhindert werden kann.

(Dritte Ausführungsform)

Fig. 5 zeigt schematisch eine Ansicht der dritten Ausführungsform. Ein Konvexspiegel 101, welcher ein Element einer zu beleuchtenden Röntgenstrahl-Belichtungsvorrichtung ist, wird durch eine Spiegelhalteeinrichtung 102 gehalten, welche eine Vielzahl von Kühlmittel-Strömungskanälen 102a aufweist, wobei deren reflektierende Oberfläche nach unten gerichtet ist. Das Synchrotronstrahlungslicht (nachstehend als "Röntgenstrahlen" bezeichnet), abgestrahlt von einem Lichtabstrahlpunkt (nicht gezeigt) eines Ladungsteilchen-Speicherrings (nachstehend als ein "SOR-Ring" bezeichnet), wird reflektiert und durch die reflektierende Oberfläche des Konvexspiegels 101 aufgeweitet. Die aufgeweiteten Röntgenstrahlen belichten einen senkrecht gehaltenen Wafer 104. Da die Belichtungszeitsteuerungs-Verschlußeinrichtung zum Abgleichen der Belichtungsmenge des Wafers 104 und die Masken gut bekannt sind, ist eine Darstellung dieser in Fig. 5 ausgelassen.
Die Temperaturverteilung auf dem Konvexspiegel 101 wird durch eine Meßeinrichtung erfaßt, wie z. B. eine Infrarot- Kamera 105. Der erfaßte Wert wird durch ein Thermoelement 106, welches auf einem Abschnitt angeordnet ist, in welchem die Röntgenstrahlen von der reflektierenden Oberfläche des Konvexspiegels 101 nicht auftreffen, korrigiert. Eine Temperaturregeleinrichtung zum Steuern der Temperaturverteilung auf der reflektierenden Oberfläche des Konvexspiegels 101 weist auf:
- eine Heizeinrichtung, wie z. B. eine Infrarot- Heizeinrichtung 107,
- eine Reflexionsplatte 107a und
- eine Temperatursteuereinrichtung, wie z. B. eine Blende 108. Die Blende 108 vermindert teilweise oder versperrt die Wärme, welche von einer Infrarot-Heizeinrichtung 107 abgestrahlt wird, mittels einer einstellbaren Öffnung und eines Infrarot-Absorbtionsfilters (nicht gezeigt), welcher in der Öffnung angeordnet ist. Die vorstehend erwähnte Öffnung und der Infrarot-Absorbtionsfilter werden auf der Grundlage der durch die Infrarot-Kamera 105 und das Thermoelement 106 erfaßten Werte gesteuert. Auf der reflektierenden Oberfläche des Konvexspiegels 101 wird durch Steuern der Verteilung der Wärme, welche die reflektierende Oberfläche des Konvexspiegels 101 von der Infrarot-Heizeinrichtung 107 erreicht, eine vorbestimmte Temperaturverteilung erzeugt. Eine Regeleinrichtung 109 regelt die Ausgangsleistung der Infrarot-Heizeinrichtung 107 auf der Grundlage der Ausgabe der Infrarot-Kamera 105 und des Thermoelements 106.
Nachstehend wird eine Erläuterung zu einem Versuch gegeben, welcher unter Verwendung der in Fig. 5 gezeigten Vorrichtung ausgeführt wurde.
Röntgenstrahlen, abgestrahlt von einem SOR-Ring, welcher einen Anreicherungsstrom von 215 mA aufwies, trafen auf die reflektierende Oberfläche eines Spiegels mit einer Krümmung von 50 m bei einem Einfallswinkel von 20 auf. Nach Ablauf einer Zeitspanne von ungefähr einer Stunde seit dem Beginn der Bestrahlung waren die Ergebnisse der Temperaturverteilung auf der reflektierenden Oberfläche des Spiegels und der Verteilungder Intensität der Röntgenstrahlen, vergrößert durch die reflektierende Oberfläche und gemessen in der Position des Wafers 104, jeweils wie durch die Vollinienkurve "a" in Fig. 6 und wie durch die Kurve "c" in Fig. 7 gezeigt. Die zu diesem Zeitpunkt durch den Spiegel durchschnittlich absorbierte Energie betrug 50 mW/mm².
Danach wurde die Bestrahlung mit Röntgenstrahlen unterbrochen und der Spiegel auf Raumtemperatur zurückgeführt. Danach wurden die Öffnung der Blende und die Infrarot-Absorbtionsfilter auf der Grundlage der Kurve "a" in Fig. 6 eingestellt, und die reflektierende Oberfläche des Spiegels wurde durch die Infrarot-Heizeinrichtung erhitzt. Als bestätigt wurde, daß die Temperaturverteilung auf der reflektierenden Oberfläche thermisch stabil war und der Kurve "a" in Fig. 6 entsprach, wurde die Bestrahlung mit Röntgenstrahlen erneut aufgenommen und gleichzeitig das Erhitzen durch die Infrarot-Heizeinrichtung unterbrochen. Unmittelbar danach wurden die Temperaturverteilung auf der reflektierenden Oberfläche des Spiegels und die Intensitätsverteilung der Röntgenstrahlen erneut gemessen. Die gemessenen Ergebnisse der Temperaturverteilung sind durch die gestrichelte Kurve "b" in Fig. 6 gezeigt. Die Ergebnisse der Messung der Intensitätsverteilung der Röntgenstrahlen zeigte im wesentlichen Übereinstimmung mit der Kurve "c" in Fig. 7. Zu diesem Zeitpunkt betrug der Anreicherungsstrom des SOR-Rings 207 mA, und die durch den Spiegel durchschnittlich absorbierte Energie war 48 mW/mm².
Wie aus dem vorstehend beschriebenen Versuch deutlich wird, kann in dem Fall, wenn die Temperaturverteilung auf der reflektierenden Oberfläche des Spiegels den vorstehend beschriebenen thermisch stabilen Zustand erreicht hat, eine vorbestimmte Röntgenstrahl-Intensitätsverteilung erzielt werden, ohne daß eine lange Bereitschaftszeitdauer für den thermischen Ausgleich erforderlich ist.
Wird das Belichten mit Röntgenstrahlen fortgesetzt, erfolgt das umfassende Absenken der Röntgenstrahlintensität durch die Dämpfung des Anreicherungsstroms des SOR-Rings. In dieser Ausführungsform wird jedoch eine Verminderung der Temperatur der reflektierenden Oberfläche des Spiegels durch das ununterbrochene Überwachen der Temperatur der Oberfläche durch Verwendung einer Infrarot-Kamera und eines Thermoelements während der Röntgenstrahlbelichtung erfaßt. Die Verformungen der reflektierenden Oberfläche infolge der Wärmeausdehnung wird durch Zuführen von Wärme durch die Infrarot- Heizeinrichtung mittels der Regeleinrichtung verhindert.
Wenn die Röntgenstrahlintensität umfassend verringert wird, besteht alles, was erforderlich ist, in der Erhöhung der Ausgangsleistung der Infrarot-Heizeinrichtung, weil sich die gekrümmte Form der Temperaturverteilung kaum ändert, doch die Allgemeintemperatur auf der reflektierenden Oberfläche des Spiegels wird erniedrigt.
In dieser Ausführungsform können die Heiz- und die Kühleinrichtung in derselben Weise wie in der ersten Ausführungsform zusammen verwendet werden. Dies ist durch die Steuerung der Strömungsgeschwindigkeit und der Temperatur jedes Kühlmittels in einer Vielzahl von Kühlmittel-Strömungskanälen 102a erreichbar.

(Vierte Ausführungsform)

Fig. 8 zeigt die vierte Ausführungsform Ein zu beleuchtendes Element dieser Ausführungsform ist ein Verkleinerungsspiegel einer Verkleinerungsprojektions-Belichtungsvorrichtung für weiche Röntgenstrahlen.
Ein Excimerlaser-Lichtstrahl 131 wird durch eine Linse 132 gebündelt und auf ein Target 133, hergestellt aus einem Samarium-(Sm)-Material, gerichtet, wodurch das Target 133 verursacht wird, einen Laser-Plasma-Röntgenstrahl 134 zu erzeugen. Der Laser-Plasma-Röntgenstrahl 134 geht durch ein Siliziumfilter 135 sowie eine Blende 13G und wird auf eine Maske 137 der Reflexionstype gerichtet. Ferner wird der durch die Maske 137 der Reflexionstype reflektierte Laser-Plasma-Röntgenstrahl 134 durch einen Verkleinerungsspiegel 138 reflektiert, verläuft durch eine Verschlußeinrichtung 139a und erzeugt das Bild der Maske 137 der Reflexionstype auf einem Wafer 139. Eine Halteeinrichtung 140 der Maske 137 der Reflexionstype weist eine Vielzahl von Kühlmittel-Strömungskanälen 141 zum Kühlen der Maske 137 der Reflexionstype auf. Der Verkleinerungsspiegel 138 wird auf ähnliche Weise durch eine Vielzahl von Kühlmittel-Strömungskanälen 143 einer Spiegelhalteeinrichtung 142 indirekt gekühlt.
Die Temperaturverteilung auf der photoempfindlichen Oberfläche des Verkleinerungsspiegels 138 wird durch eine Meßeinrichtung, wie z. B. eine Infrarot-Kamera 146, gemessen. Der Meßwert wird durch ein Thermoelement 147 korrigiert, welches neben der photoempfindlichen Oberfläche des Verkleinerungsspiegels 138 angeordnet ist, Die Heizeinrichtung, wie z. B. eine Glühstablampe 144, erhitzt die photoempfindliche Oberfläche des Verkleinerungsspiegels 138. Die von der Glühstablampe 144 abgestrahlte Wärme wird durch eine Blende 145, welche dieselbe wie jene in der ersten Ausführungsform ist, teilweise versperrt oder vermindert, um so eine vorbestimmte Temperaturverteilung auf der photoempfindlichen Oberfläche des Verkleinerungsspiegels 138 auszubilden.
Die Arbeitsweise dieser Ausführungsform wird nachstehend beschrieben.
Zuerst wird die Temperaturverteilung auf der photoempfindlichen Oberfläche des Verkleinerungsspiegels 138 in einem thermisch stabilen Zustand des Verkleinerungsspiegels 138 durch die Infrarot-Kamera 146 und das Thermoelement 147 gemessen, während der Wafer 139 belichtet wird. Die Verschiebung der Brennpunktposition infolge der Wärmeausdehnung des Verkleinerungsspiegels 138 wird in diesem Zustand gemessen. Zu Beginn der Belichtung des Wafers 139 wird die Blende 145 gemäß der gemessenen Temperaturverteilung auf der photoempfindlichen Oberfläche des Verkleinerungsspiegels 138 abgeglichen, und die Position des Wafers 139 wird gemäß der Verschiebung der Brennpunktposition des Verkleinerungsspiegels 138 eingestellt Es wird bestätigt, daß die photoempfindliche Oberfläche des Verkleinerungsspiegels 138 durch das Erhitzen durch die Glühstablampe 144 eine vorbestimmte Temperaturverteilung erreicht hat, und danach wird das Belichten eingeleitet.
Da sich der Verkleinerungsspiegel 138 zu Beginn der Belichtung in einem im wesentlichen thermisch stabilen Zustand befindet, ist eine Bereitschaftszeit für den Wärmeausgleich kaum erforderlich. Da außerdem eine Lageverschiebung des Brennpunkts infolge der Wärmeausdehnung des Verkleinerungsspiegels 138 korrigiert wird, tritt keine Unschärfe einer Übertragungsstruktur ein.
In dieser Ausführungsform können die Heiz- und die Kühleinrichtung gemeinsam verwendet werden, indem die Strömungsgeschwindigkeit und die Temperatur eines Kühlmittels in jedem der Kühlmittel-Strömungskanäle 141 und 143 geregelt werden.
Da in der dritten Ausführungsform der Spiegel, welcher ein zu beleuchtendes Element darstellt, aus einem Siliziumkarbid-(SiC)-Material hergestellt ist, kann die photoempfindliche Oberfläche des zu beleuchtenden Elements unter Verwendung einer Infrarot-Lampe als eine Infrarot-Heizeinrichtung, welche Infrarotstrahlen mit einer Wellenlänge von 2 µm bis 30 µm abstrahlt, wirkungsvoll erhitzt werden.
Da in der vierten Ausführungsform ein Verkleinerungsspiegel, welcher ein zu beleuchtendes Element darstellt, aus Quarz hergestellt ist, kann Quarz, welcher einen niedrigen Wärmeleitungskoeffizient aufweist, unter Verwendung einer Glühstablampe, welche Infrarotstrahlen mit einer Wellenlänge von 4 µm oder mehr abstrahlt, wirkungsvoll erhitzt werden.

(Fünfte Ausführungsform)

Nachstehend erfolgt eine Erläuterung zu einem Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen unter Verwendung der vorstehend beschriebenen Belichtungsvorrichtung.
Fig. 9 zeigt einen Ablaufplan der Abfolge der Herstellungsoperation der Halbleitervorrichtungen (Halbleiterchips, wie z. B. integrierte Schaltkreise (ICs) oder hochintegrierte Schaltkreise (LSI-Schaltkreise), Flüssigkristallanzeigen oder ladungsgekoppelte Vorrichtungen (CCDs)). In dem in Fig. 9 gezeigten Ablaufplan erfolgt im Schritt 1 (Schaltkreisentwurf) der Entwurf der Schaltkreise der Halbleitervorrichtungen. Im Schritt 2 (Herstellung der Masken) werden Masken hergestellt, welche die entworfenen Schaltkreisstrukturen aufweisen. Im Schritt 3 (Herstellung der Wafer) werden Wafer unter Verwendung von Materialien, wie z. B. Silizium, hergestellt. Schritt 4 (Waferprozeß) wird als eine Vorstufe bezeichnet, wobei die eigentlichen Schaltkreise durch lithographische Technologie unter Verwendung der Masken und Wafer auf den Wafern gefertigt werden, wie vorstehend beschrieben. Der nachfolgende Schritt 5 (Fertigung) wird als eine Nachstufe bezeichnet, in welchem die Halbleitervorrichtungen unter Verwendung der im Schritt 4 hergestellten Wafer zu Chips ausgebildet werden. Dieser Schritt schließt einen Montageschritt (Trennen in Einzelchips, Bonden), einen Verkappungsschritt (Verkapseln der Chips) und dergleichen ein. Im Schritt 6 (Prüfung) wird ein Kontrolltest zum Nachweis der Operationen der im Schritt 5 gefertigten Halbleitervorrichtungen oder eine Haltbarkeitsprüfung ausgeführt. Die Halbleitervorrichtungen werden durch die vorstehend beschriebenen Prozesse fertiggestellt und zum Versand gebracht (Schritt 7).
Fig. 10 zeigt einen ausführlichen Ablaufplan des Waferprozesses. Im Schritt 11 (Oxydation) wird die Oberfläche des Wafers oxydiert. Im Schritt 12 (chemisches Aufdampfen (CVD)) wird auf der Oberfläche des Wafers eine Isolierschicht erzeugt. Im Schritt 13 (Elektrodenerzeugung) werden Elektroden durch Abscheidung auf dem Wafer erzeugt. Im Schritt 14 (Ionenimplantation) werden Ionen in dem Wafer implantiert. Im Schritt 15 (Resistprozeß) wird ein photosensibilisierbares Agens auf dem Wafer aufgetragen. Im Schritt 16 (Belichtung) wird eine Schaltkreisstruktur der Maske mittels der vorstehend beschriebenen Belichtungsvorrichtung kopiert und auf dem Wafer belichtet. Im Schritt 17 (Entwicklung) wird der belichtete Wafer entwickelt. Im Schritt 18 (Ätzung) werden Abschnitte geätzt, welche anders als das entwickelte Resistbild sind. Im Schritt 19 (Resistabzug) wird das Resist entfernt, welches nach dem Ausführen des Ätzens nicht mehr erforderlich ist. Durch das wiederholte Ausführen dieser Schritte wird auf dem Wafer eine mehrschichtige Schaltkreis struktur ausgebildet.
Hochintegrierte Halbleitervorrichtungen, welche vorher schwierig zu fertigen waren, sind bei Anwendung des Fertigungsverfahrens dieser Ausführungsform herstellbar.

Claims

1. Verfahren zur Stabilisierung der Form eines Objekts (2; 17; 101; 138), wobei das Verfahren die Schritte aufweist:

- Messen einer Temperaturverteilung des Objekts (2; 17; 101; 138), auf welches die Bestrahlungsenergie einwirkt, und

- Regeln der Temperatur eines Teils des Objekts (2; 17; 101; 138) auf der Grundlage der Messung zur Steuerung der Form des Objekts (2; 17; 101; 138),

dadurch gekennzeichnet, daß das Objekt (2; 17; 101; 138) ein reflektierendes Objekt mit einer reflektierenden Oberfläche ist und die Temperatur der reflektierenden Oberfläche und die Temperatur einer Oberfläche in Gegenüberlage der reflektierenden Oberfläche getrennt voneinander auf der Grundlage der Messung geregelt werden, um die Form des reflektierenden Objekts (2; 17; 101; 138) zu steuern.

2. Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei die Temperatur der reflektierenden, Oberfläche und die Temperatur der Oberfläche in Gegenüberlage durch gezieltes Einwirken von Wärme geregelt werden.

3. Verfahren gemäß Anspruch 2, wobei ein Teil des reflektierenden Objekts (2; 17; 101; 138) gekühlt wird, um die Form des reflektierenden Objekts (2; 17; 101; 138) zu steuern.

4. Verfahren gemäß Anspruch 2 oder Anspruch 3, wobei die Oberfläche in Gegenüberlage durch Widerstandsheizung erhitzt wird.

5. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 2 bis 4, wobei die Temperatur der Oberfläche in Gegenüberlage unter Verwendung eines Thermoelements (8) gemessen wird.

6. Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei die Temperatur der reflektierenden Oberfläche durch gezieltes Einwirken von Wärme geregelt wird und die Temperatur der Oberfläche in Gegenüberlage durch gezieltes Kühlen geregelt wird.

7. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 2 bis 6, wobei die reflektierende Oberfläche durch die Infrarotstrahlung gezielt erhitzt wird.

8. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 2 bis 6, wobei die reflektierende Oberfläche durch Widerstandsheizung gezielt erhitzt wird.

9. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Temperaturverteilung der reflektierenden Oberfläche durch eine Infrarot-Kamera (4; 22; 105; 146) gemessen wird.

10. Optische Vorrichtung, welche aufweist:

- ein Objekt (2; 17; 101; 138) zum Aufnehmen der Strahlungsenergie,

- eine Temperaturmeßeinrichtung (4, 8; 22; 105; 146) zum Messen einer Temperaturverteilung des Objekts (2; 17; 101; 138); welches der Bestrahlungsenergie ausgesetzt ist, und

- eine Temperaturregeleinrichtung (9, 101 5, 7; 24, 23, 21; 109, 107, 108; 102a; 144, 143) zum Regeln der Temperatur eines Teils des Objekts (2; 17; 101; 138) auf der Grundlage der gemessenen Temperatur zum Steuern der Form des Objekts (2; 17; 101; 138),

dadurch gekennzeichnet, daß das Objekt (2; 17; 101; 138) ein reflektierendes Objekt mit einer reflektierenden Oberfläche ist und die Temperaturregeleinrichtung (9, 10, 5, 7; 24, 23, 21; 109, 107, 108, 102a; 144, 143) angepaßt ist, um die Temperatur der reflektierenden Oberfläche und die Temperatur einer Oberfläche in Gegenüberlage der reflektierenden Oberfläche auf der Grundlage der gemessenen Temperatur getrennt voneinander zu regeln, um die Form des reflektierenden Objekts (2; 17; 101; 138) zu steuern.

11. Optische Vorrichtung gemäß Anspruch 10, wobei die Temperaturregeleinrichtung (9, 10, 5, 7; 24, 23, 21; 109, 107, 108; 102a; 144, 143) die Heizeinrichtungen (5, 7; 21; 23; 107, 108; 144) zum gezielten Erhitzen der reflektierenden Oberfläche und der Oberfläche in Gegenüberlage aufweist.

12. Optische Vorrichtung gemäß Anspruch 11, wobei die Temperaturregeleinrichtung (9, 10, 5, 7; 24; 23; 21; 109, 107, 108; 102a; 144, 143) einen Kühlaufbau (10) aufweist, welcher im Inneren des reflektierenden Objekts (2; 17; 101; 138) angeordnet ist.

13. Optische Vorrichtung gemäß Anspruch 11 oder Anspruch 12, wobei die Temperaturregeleinrichtung (9, 10, 5, 7; 24, 23, 21; 109, 107, 108; 102a; 144, 143) eine Widerstandsheizeinrichtung (7; 23) aufweist, welche an der Oberfläche in Gegenüberlage angeordnet ist.

14. Optische Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 11 bis 13, wobei die Temperaturmeßeinrichtung (4, 8; 22; 105; 146) ein Thermoelement (8) zum Messen der Temperatur der Oberfläche in Gegenüberlage aufweist.

15. Optische Vorrichtung gemäß Anspruch 10, wobei die Temperaturregeleinrichtung (9, 10, 5, 7; 24, 23, 21; 109, 107, 108; 102a; 144, 143) eine Heizeinrichtung (5; 21; 107, 108; 144) zum gezielten Erhitzen der reflektierenden Oberfläche und eine Kühleinrichtung (102a; 143) zum gezielten Kühlen der Oberfläche in Gegenüberlage aufweist.

16. Optische Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 11 bis 15, wobei die Temperaturregeleinrichtung (9, 10, 5, 7; 24; 23; 21; 109, 107, 108; 102a; 144, 143) mindestens eine Infrarot-Strahlungsquelle (5; 107, 144) zum gezielten Erhitzen der reflektierenden Oberfläche aufweist.

17. Optische Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 11 bis 15, wobei die Temperaturregeleinrichtung (9, 10, 5, 7; 24; 23; 21; 109, 107, 108; 102a; 144, 143) einen Widerstandsheizaufbau (21) zum gezielten Erhitzen der reflektierenden Oberfläche aufweist.

18. Optische Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 10 bis 17, wobei die Temperaturmeßeinrichtung (4, 8; 22; 105; 146) eine Infrarot-Kamera (4; 22; 105; 146) aufweist.

19. Optische Vorrichtung gemäß Anspruch 16, wobei die Temperaturregeleinrichtung (9, 10, 5, 7; 24; 23; 21; 109, 107, 108; 102a; 144, 143) eine Einstelleinrichtung (108) aufweist, welche mit der oder jeder Infrarot-Strahlungsquelle (5; 107; 144) zum Auswählen des zu erhitzenden Bereichs der reflektierenden Oberfläche verbunden ist.

20. Optische Vorrichtung gemäß Anspruch 19, wobei die Einstelleinrichtung (108) ein Element zum Absorbieren der Infrarotstrahlung aufweist.

21. Belichtungsvorrichtung, welche aufweist:

- eine Übertragungseinrichtung zum Belichten und zum Übertragen einer Belichtungsstruktur auf ein zu belichtendes Objekt (139) durch das Bestrahlen einer Maske (17; 137), welche eine darauf erzeugte Belichtungsstruktür aufweist, mit Strahlungsenergie zum Belichten, und

- die optische Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 10 bis 20, wobei das reflektierende Objekt (2; 17; 101; 138) ein reflektierendes optisches Element für die Strahlungsenergie zum Belichten aufweist.

22. Belichtungsvorrichtung gemäß Anspruch 21, wobei die Maske (17; 137) das reflektierende optische Element aufweist.

23. Belichtungsvorrichtung gemäß Anspruch 21 oder Anspruch 22, wobei die Maske (17; 137) eine Schaltkreisstruktur einer zu erzeugenden Halbleitervorrichtung aufweist.

24. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, welches die Schritte aufweist:

- Herstellen einer Maske (17; 137) der Reflexionstype, welche eine darauf ausgebildete Schaltkreisstruktur aufweist,

- Belichten und Übertragen der Schaltkreisstruktur der Maske (17; 137) auf einen Wafer (139) durch Bestrahlen der Maske (17; 137) mit Strahlungsenergie zum Belichten, und

- Stabilisieren der Form eines reflektierenden optischen Elements, welches in dem Belichtungsschritt in Anwendung des Verfahrens gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9 verwendet wird.

25. Verfahren gemäß Anspruch 24, wobei die Form der Maske (17; 137) in Anwendung des Verfahrens gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9 stabilisiert wird.