DE69028963T2 - Aufzeichnungsmedium, Verfahren zur Herstellung desselben, Aufzeichnungs- und Wiedergabeeinrichtung und Verfahren zur Aufzeichnung, Wiedergabe und zum Löschen mit einem solchen Aufzeichnungsmedium - Google Patents
Aufzeichnungsmedium, Verfahren zur Herstellung desselben, Aufzeichnungs- und Wiedergabeeinrichtung und Verfahren zur Aufzeichnung, Wiedergabe und zum Löschen mit einem solchen AufzeichnungsmediumInfo
- Publication number
- DE69028963T2 DE69028963T2 DE69028963T DE69028963T DE69028963T2 DE 69028963 T2 DE69028963 T2 DE 69028963T2 DE 69028963 T DE69028963 T DE 69028963T DE 69028963 T DE69028963 T DE 69028963T DE 69028963 T2 DE69028963 T2 DE 69028963T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- recording
- electrode
- recording material
- film
- fine
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 95
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 98
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 47
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 21
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 15
- 230000003446 memory effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 7
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 107
- 239000010408 film Substances 0.000 description 79
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 20
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 17
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 15
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 14
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 13
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 12
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 10
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 10
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 8
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 7
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000008346 aqueous phase Substances 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- -1 polycyclic aromatic compounds Chemical class 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 4
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 3
- 125000001165 hydrophobic group Chemical group 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M (4z)-1-(3-methylbutyl)-4-[[1-(3-methylbutyl)quinolin-1-ium-4-yl]methylidene]quinoline;iodide Chemical compound [I-].C12=CC=CC=C2N(CCC(C)C)C=CC1=CC1=CC=[N+](CCC(C)C)C2=CC=CC=C12 QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- FYGHSUNMUKGBRK-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-trimethylbenzene Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1C FYGHSUNMUKGBRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 108010082845 Bacteriorhodopsins Proteins 0.000 description 2
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CUFNKYGDVFVPHO-UHFFFAOYSA-N azulene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC2=C1 CUFNKYGDVFVPHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical group C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012620 biological material Substances 0.000 description 2
- LLCSWKVOHICRDD-UHFFFAOYSA-N buta-1,3-diyne Chemical group C#CC#C LLCSWKVOHICRDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 2
- 238000000572 ellipsometry Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007142 ring opening reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 2
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 2
- 239000011232 storage material Substances 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical group C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002126 Acrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 1
- ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N Bipyridyl Chemical class N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100030497 Cytochrome c Human genes 0.000 description 1
- 108010075031 Cytochromes c Proteins 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DFPAKSUCGFBDDF-UHFFFAOYSA-N Nicotinamide Chemical group NC(=O)C1=CC=CN=C1 DFPAKSUCGFBDDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 229920003188 Nylon 3 Polymers 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- 229910002835 Pt–Ir Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N anhydrous quinoline Natural products N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229920001222 biopolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N ferrocene Chemical compound [Fe+2].C=1C=C[CH-]C=1.C=1C=C[CH-]C=1 KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 1
- 230000005660 hydrophilic surface Effects 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 125000005462 imide group Chemical group 0.000 description 1
- 230000009878 intermolecular interaction Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920000835 poly(gamma-benzyl-L-glutamate) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920001184 polypeptide Polymers 0.000 description 1
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical group 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 102000004196 processed proteins & peptides Human genes 0.000 description 1
- 108090000765 processed proteins & peptides Proteins 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007363 ring formation reaction Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000001988 small-angle X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoquinodimethane Chemical class N#CC(C#N)=C1C=CC(=C(C#N)C#N)C=C1 PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNHJECZULSZAQK-UHFFFAOYSA-N tetraphenylporphyrin Chemical compound C1=CC(C(=C2C=CC(N2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3N2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 YNHJECZULSZAQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FHCPAXDKURNIOZ-UHFFFAOYSA-N tetrathiafulvalene Chemical compound S1C=CSC1=C1SC=CS1 FHCPAXDKURNIOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N trichloroethylene Natural products ClCC(Cl)Cl UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195735 unsaturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
- G11B9/12—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor
- G11B9/14—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor using microscopic probe means, i.e. recording or reproducing by means directly associated with the tip of a microscopic electrical probe as used in Scanning Tunneling Microscopy [STM] or Atomic Force Microscopy [AFM] for inducing physical or electrical perturbations in a recording medium; Record carriers or media specially adapted for such transducing of information
- G11B9/1463—Record carriers for recording or reproduction involving the use of microscopic probe means
- G11B9/1472—Record carriers for recording or reproduction involving the use of microscopic probe means characterised by the form
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
- G11B9/04—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using record carriers having variable electric resistance; Record carriers therefor
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
- G11B9/12—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor
- G11B9/14—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor using microscopic probe means, i.e. recording or reproducing by means directly associated with the tip of a microscopic electrical probe as used in Scanning Tunneling Microscopy [STM] or Atomic Force Microscopy [AFM] for inducing physical or electrical perturbations in a recording medium; Record carriers or media specially adapted for such transducing of information
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Claims (26)
1. Aufzeichnungsmaterial, umfassend eine Aufzeichnungsschicht (3), die eine
organische Verbindung enthält, und eine Vielzahl feiner, freistehender Elektroden
aus einem elektrisch leitenden Material, die auf der Anfzeichnungsschicht (3)
bereitgestellt sind, wobei das Aufzeichnungsmaterial dadurch gekennzeichnet
ist, daß die organische Verbindung auf einem Elektrodenträger (2) getragen
wird und jede der Vielzahl feiner, freistehender Elektroden (4) eine Größe von
10000 µm² oder weniger besitzt.
2. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, worin jede der feinen, freistehenden
Elektroden (4) eine unabhängig mit Energie versorgbare oder untereinander
nicht verbundene Elektrode umfaßt.
3. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, worin die
Aufzeichnungsschicht (3) einen monomolekularen Film oder einen aus monomolekularen
Schichten aufgebauten Film der organischen Verbindung enthält
4. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 3, worin die Filmdicke des
monomolekularen Films oder des aus monomolekularen Schichten aufgebauten Films im
Bereich von 4 bis 1000 Å liegt.
5. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 4, worin die Filmdicke des
monomolekularen Films oder des aus monomolekularen Schichten aufgebauten Films im
Bereich von 10 bis 1000 Å liegt.
6. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 5, worin die Filmdicke des
monomolekularen Films oder des aus monomolekularen Schichten aufgebauten Films im
Bereich von 50 bis 500 Å liegt.
7. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 3, worin der monomolekulare Film
oder der aus monomolekularen Schichten aufgebaute Film ein Langmuir-
Blodgett-Film (92, 93) ist
8. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 3, worin die organische Verbindung
eine Gruppe mit einem π-Elektronenniveau und eine Gruppe mit einem
-Elektronenniveau besitzt.
9. Aufzeichnungsmaterial nach einem der vorhergehenden Ansprüche, das einen
elektrischen Speichereffekt besitzt.
10. Aufzeichnungsmaterial nach einem der vorhergehenden Ansprüche, worin
die feinen, freistehenden Elektroden (4) regelmäßig angeordnet sind.
11. Aufzeichnungsmaterial nach einem der vorhergehenden Ansprüche, worin
das Material der feinen, freistehenden Elektroden (4) ausgewählt ist aus der
Gruppe, bestehend aus Au, Pt, Ag, Al, In, Sn, Pb, W und Legierungen daraus
und elektrisch leitenden Oxiden.
12. Aufzeichnungsmaterial nach einem der vorhergehenden Ansprüche, worin
der Elektrodenträger (2) ein elektrisch leitendes Material umfaßt, das keinen
isolierenden Oxidfilm bildet.
13. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 12, worin das elektrisch leitende
Material ausgewählt ist aus der Gruppe, bestehend aus Edelmetallen oder
elektrisch leitenden Oxiden.
14. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, worin jede der feinen,
freistehenden Elektroden (4) eine Größe von 1 µm² oder weniger besitzt.
15. Aufzeichnungsmaterial nach einem der vorhergehenden Ansprüche, worin
der Aufzeichnungsfilm oder eine andere Aufzeichnungsschicht (3)
Lösungsmittelbeständigkeit aufweist.
16. Verfahren zur Herstellung eines Aufzeichnungsmaterials nach einem der
vorhergehenden Ansprüche, das umfaßt, daß eine Aufzeichnungsschicht (3) auf
einem Elektrodenträger (2) gebildet wird und wenigstens eine feine, freistehende
Elektrode (4) unter Verwendung eines lithografischen Verfahrens gebildet wird.
17. Verfahren zur Herstellung eines Aufzeichnungsmaterials, das die folgenden
Schritte umfaßt:
Bilden einer Aufzeichnungsschicht (3), die einen monomolekularen Film
oder einen aus monomolekularen Schichten aufgebauten Film einer
organischen Verbindung enthält, auf einem Elektrodenträger (2),
Bilden einer zweiten Elektiodenschicht durch Bilden eines elektrisch
leitenden Materials auf der Aufzeichnungsschicht (3),
gegebenenfalls Initialisieren der Aufzeichnungsschicht (3) durch Anlegen
einer Spannung zwischen dem Elektrodenträger und der zweiten
Elektrodenschicht und
Bilden einer Vielzahl feiner, freistehender Elektroden (4) aus der zweiten
Elektrodenschicht durch Aufbringen eines Resistmaterials auf die zweite
Elektrodenschicht, Belichten und Entwickeln,
wobei das Verfahren dadurch gekennzeichnet ist, daß der Elektrodenträger
(2) durch Abscheiden eines elektrisch leitenden Materials auf einem Träger
gebildet wird und
daß jede der feinen, freistehenden Elektroden (4) eine Größe von 10000 µm² oder
weniger besitzt.
18. Verfahren nach Anspruch 17, in dem die Aufzeichnungsschicht (92, 93) nach
dem Langmuir-Blodgett-Verfahren gebildet wird.
19. Vorrichtung zum Aufzeichnen und/oder Wiedergeben und/oder Löschen,
umfassend:
(a) Ein Aufzeichnungsmaterial nach einem der Ansprüche 1 bis 16,
(b) wenigstens eine Sondenelektrode und
(c) eine Schaltung zum Anlegen eineu Impulsspannung zum Aufzeichnen
und/oder Löschen und/oder eine Schaltung zum Anlegen einer Vorspannung zum
Wiedergeben.
20. Vorrichtung nach Anspruch 19, worin die Sondenelektrode eine
Abtastansteuereinrichtung gegenüber der Richtung der Oberfläche der
Aufzeichnungsschicht besitzt.
21. Vorrichtung nach Anspruch 19, die eine Einrichtung zur dreidimensionalen
Feinsteuerung der relativen Positionen des Aufzeichnungsmaterials und der
Sondenelektrode besitzt.
22 Verfahren zum Aufzeichnen und/oder Wiedergeben und/oder Löschen das die
folgenden Schritte umfaßt:
Bereitstellen einer Sondenelektrode und eines Aufzeichnungsmaterials mit
einer Aufzeichnungsschicht, die eine organische Verbindung auf einer
ersten Elektrode enthält, und
Bereitstellen einer Vielzahl feiner, freistehender Elektroden aus einem
elektrisch leitenden Material auf der Aufzeichnungsschicht,
wobei das Verfahren dadurch gekennzeichnet ist, daß die erste Elektrode (2)
ein Elektrodenträger ist, jede der feinen, freistehenden Elektroden (4) eine Größe
von 10000 µm² oder weniger besitzt und die Aufzeichnung durchgeführt wird
durch Zugriff auf die Sonde (5) und Anlegen einer ersten Impulsspannung von
der Sondenelektrode (5) durch die feine, freistehende Elektrode (4) an das
Aufzeichnungsmaterial (3) und/oder die Wiedergabe der Aufzeichnung durchgeführt
wird durch Anlegen einer Vorspannung an das Aufzeichnungsmaterial (3)
und/oder ein Löschen der Aufzeichnung durchgeführt wird durch Anlegen einer
zweiten Impulsspannung.
23. Verfahren nach Anspruch 22, worin die erste Impulsspannung eine
Spannung ist, die einen Schwellenwert der Spannung übersteigt, bei dem sich die
elektrische Leitfähigkeit im Aufzeichnungsmaterial ändert.
24. Verfahren nach Anspruch 22 oder Anspruch 23, worin die Sondenelektrode in
Kontakt mit der feinen, freistehenden Elektrode (4) gebracht wird.
25. Verfahren nach einem der Ansprüche 22, 23 oder 24, worin die Vorspannung
eine Spannung ist, die nicht den Schwellenwert der Spannung übersteigt, bei
dem sich die elektrische Leitfähigkeit im Aufzeichnungsmaterial ändert.
26. Verfahren nach einem der Ansprüche 22 bis 25, worin die zweite
Impulsspannung eine Spannung ist, die einen Schwellenwert der Spannung übersteigt,
bei dem sich die elektrische Leitfähigkeit im Aufzeichnungsmaterial ändert.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20576989A JPH0371451A (ja) | 1989-08-10 | 1989-08-10 | 記録媒体の製造方法 |
| JP20576389A JPH0371447A (ja) | 1989-08-10 | 1989-08-10 | 記録媒体 |
| JP1205771A JP2859652B2 (ja) | 1989-08-10 | 1989-08-10 | 記録・再生方法及び記録・再生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE69028963D1 DE69028963D1 (de) | 1996-11-28 |
| DE69028963T2 true DE69028963T2 (de) | 1997-03-06 |
Family
ID=27328543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE69028963T Expired - Fee Related DE69028963T2 (de) | 1989-08-10 | 1990-08-09 | Aufzeichnungsmedium, Verfahren zur Herstellung desselben, Aufzeichnungs- und Wiedergabeeinrichtung und Verfahren zur Aufzeichnung, Wiedergabe und zum Löschen mit einem solchen Aufzeichnungsmedium |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5206665A (de) |
| EP (1) | EP0412829B1 (de) |
| CA (1) | CA2022929C (de) |
| DE (1) | DE69028963T2 (de) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5264876A (en) * | 1989-08-10 | 1993-11-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Recording medium, method for preparing the same, recording and reproducing device, and recording, reproducing and erasing method by use of such recording medium |
| US6308405B1 (en) | 1990-02-07 | 2001-10-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for preparing an electrode substrate |
| JP2794348B2 (ja) * | 1991-06-21 | 1998-09-03 | キヤノン株式会社 | 記録媒体、その製造方法、情報処理装置 |
| JP2981804B2 (ja) * | 1991-07-31 | 1999-11-22 | キヤノン株式会社 | 情報処理装置、それに用いる電極基板、及び情報記録媒体 |
| JP2933841B2 (ja) * | 1994-12-22 | 1999-08-16 | 沖電気工業株式会社 | 情報記録媒体、情報記録・再生方法および情報記録・再生装置 |
| DE69723625T2 (de) * | 1996-02-16 | 2004-04-22 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Einmal beschreibbares, mehrmals lesbares elektrisches speicherelement aus konjugiertem polymer oder oligomer |
| EP1579432A1 (de) * | 2002-12-18 | 2005-09-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Aufzeichnungsmedium zum optischen aufzeichnen und zur optischen wiedergabe von informationen |
| KR100580244B1 (ko) | 2003-01-23 | 2006-05-16 | 삼성전자주식회사 | 무선랜상의 핸드오프 방법 |
| FR2869027B1 (fr) * | 2004-04-15 | 2006-07-14 | Commissariat Energie Atomique | Systeme d'enregistrement comportant une couche memoire et un reseau de micro-pointes |
| US8242486B2 (en) | 2005-02-10 | 2012-08-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device with liquid repellant layer |
| EP1846952A4 (de) * | 2005-02-10 | 2012-11-07 | Semiconductor Energy Lab | Halbleiterbauelement und verfahren zu seiner herstellung |
| US7358590B2 (en) * | 2005-03-31 | 2008-04-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method thereof |
| US7791066B2 (en) * | 2005-05-20 | 2010-09-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof and method for writing memory element |
| US7700984B2 (en) * | 2005-05-20 | 2010-04-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Semiconductor device including memory cell |
| US7605410B2 (en) * | 2006-02-23 | 2009-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| KR101337319B1 (ko) * | 2006-10-04 | 2013-12-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 디바이스 및 이의 제작 방법 |
| CN101529591B (zh) * | 2006-10-24 | 2012-06-27 | 株式会社半导体能源研究所 | 包含存储器件的半导体器件及其驱动方法 |
| KR101416876B1 (ko) * | 2006-11-17 | 2014-07-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조방법 |
| US7994607B2 (en) * | 2007-02-02 | 2011-08-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP5525694B2 (ja) | 2007-03-14 | 2014-06-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1088117A (en) * | 1965-11-10 | 1967-10-25 | Standard Telephones Cables Ltd | Recording on a moving medium |
| US4943471A (en) * | 1986-05-20 | 1990-07-24 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Patterned thin film and process for preparing the same |
| US4939556A (en) * | 1986-07-10 | 1990-07-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Conductor device |
| JP2556492B2 (ja) * | 1986-12-24 | 1996-11-20 | キヤノン株式会社 | 再生装置及び再生法 |
| JP2556491B2 (ja) * | 1986-12-24 | 1996-11-20 | キヤノン株式会社 | 記録装置及び記録法 |
| DE3752269T2 (de) * | 1986-12-24 | 1999-09-30 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Aufzeichnungsgerät und Wiedergabegerät |
| DE68913220T2 (de) * | 1988-03-28 | 1994-07-07 | Canon Kk | Schaltereinrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung. |
-
1990
- 1990-08-08 US US07/564,080 patent/US5206665A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-08-08 CA CA002022929A patent/CA2022929C/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-08-09 DE DE69028963T patent/DE69028963T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-08-09 EP EP90308803A patent/EP0412829B1/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5206665A (en) | 1993-04-27 |
| CA2022929A1 (en) | 1991-02-11 |
| EP0412829A2 (de) | 1991-02-13 |
| DE69028963D1 (de) | 1996-11-28 |
| CA2022929C (en) | 1995-02-07 |
| EP0412829B1 (de) | 1996-10-23 |
| EP0412829A3 (en) | 1991-12-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE69028963T2 (de) | Aufzeichnungsmedium, Verfahren zur Herstellung desselben, Aufzeichnungs- und Wiedergabeeinrichtung und Verfahren zur Aufzeichnung, Wiedergabe und zum Löschen mit einem solchen Aufzeichnungsmedium | |
| DE3752180T2 (de) | Aufzeichnungs- und Wiedergabegerät | |
| DE69017552T2 (de) | Substrat für Aufzeichnungsmedium, Aufzeichnungsmedium, Verfahren zur Herstellung dergleichen, Aufzeichnungs- und Wiedergabeeinrichtung und Verfahren zur Aufzeichnung, Wiedergabe und Löschen mit Gebrauch von einem solchen Aufzeichnungsmedium. | |
| DE69024571T2 (de) | Informationsverarbeitungsverfahren und -vorrichtung | |
| DE69225530T2 (de) | Aufzeichnungsmedium, Informationsverarbeitungsgerät dafür und Informationslöschverfahren | |
| DE68923721T2 (de) | Informationsaufzeichnungsgerät und Informationsaufzeichnungs-und-wiedergabeverfahren. | |
| DE69232806T2 (de) | Informationsaufzeichnungs-/-wiedergabegerät oder -verfahren zur Informationsaufzeichnung/- wiedergabe auf/von einem Informationsaufzeichnungsmedium unter Verwendung einer Vielzahl von Sondenelektroden | |
| DE68926602T2 (de) | Gerät und Verfahren zur Aufzeichnung und Wiedergabe und Aufzeichnungsmedium für das Aufzeichungs- und Wiedergabeverfahren | |
| JP2556492B2 (ja) | 再生装置及び再生法 | |
| DE69225032T2 (de) | Informationsverarbeitungsapparat sowie Elektroden-Substrat und im Apparat verwendetes Informationsaufnahmemedium | |
| DE69030040T2 (de) | Informationsspeicherung, -zugriff und -verarbeitung | |
| US5264876A (en) | Recording medium, method for preparing the same, recording and reproducing device, and recording, reproducing and erasing method by use of such recording medium | |
| EP0553938B1 (de) | Aufzeichnungs- und Wiedergabegerät | |
| DE69127381T2 (de) | Informationsverarbeitungssystem und Informationsverarbeitungsmethode | |
| DE68919251T2 (de) | Verfahren zur Steuerung einer Einrichtung mit mim-Struktur. | |
| DE69130337T2 (de) | Medium, Herstellungsverfahren desselben, Informationsverarbeitungsvorrichtung und Informationsverarbeitungsverfahren | |
| JP2859652B2 (ja) | 記録・再生方法及び記録・再生装置 | |
| JPH0490151A (ja) | 情報処理方法及び情報処理装置 | |
| JPH0291836A (ja) | 記録・再生装置及び方法 | |
| JPH0371447A (ja) | 記録媒体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |