DE69928937T2 - Container for high purity liquid chemicals and its use - Google Patents
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Description
Beschreibungdescription
Die vorliegende Erfindung befasst sich mit einem Behälter zur Verwendung für die Aufbewahrung einer hochreinen flüssigen Chemikalie, welche im Bereich von Halbleitern und Flüssigkristallen Verwendung findet, als auch mit einem Verfahren um die hochreine Chemikalie von dem Behälter zu entleeren. Der Maßstab beim Entwerfen von z.B. integrierten Schaltkreisen verlangt verstärkt ein hohes Maß an Miniaturisierung dieser Halbleitermittel aufgrund der gegenwärtigen schnellen Entwicklung der Elektronikgeräte. Hochreine Chemikalien, wie photoresistente Flüssigkeiten die für solche feinen Mustertechniken verwendet werden, sollten nicht nur herausragende Grundeigenschaften aufweisen, es sollten auch keine Qualitätsverminderungen entstehen während der Lagerung und des Transport derselben. Der Ausdruck „Qualitätsverminderung", der hier verwendet wird, bedeutet zum Beispiel einen Anstieg der Anzahl unreiner feiner Teilchen in einer photoresistenten Flüssigkeit, Degeneration von Komponenten derselben, quantitative Veränderungen in der Zusammensetzung, ein Anstieg in der Anzahl unreiner Metallelemente oder Verschlechterung von lichtsensitiven Komponenten infolge der Bestrahlung mit Lichtstrahlen. Der Anstieg der Menge kleiner Teilchen in solch einer photoresistenten Flüssigkeit und die Verschlechterung ihrer Komponenten werden hauptsächlich durch Ablösung einiger Komponenten, die in dem Behältermaterial vorhanden sind, in die photoresistente Flüssigkeit verursacht. Wenn eine solche photoresistente Flüssigkeit auf einem Substrat angewendet wird, um einen photoresistenten Film zu bilden, bilden sich Nadellöcher auf dem Substrat. Zusätzlich werden die quantitativen Veränderungen der Zusammensetzung der Flüssigkeit durch das Eindringen eines organischen Lösungsmittels, das in der Flüssigkeit vorhanden ist, in das Äußere durch die Wand des Behälters. Dabei erfährt die Flüssigkeit eine Veränderung in der Viskosität und die Dicke des daraus resultierenden photoresistenten Films wird entsprechend verändert.The The present invention relates to a container for use in storage a high purity liquid Chemicals that are in the range of semiconductors and liquid crystals Use, as well as with a process for the high purity Chemical from the container to empty. The scale when designing e.g. integrated circuits requires increased input high level Miniaturization of these semiconductor devices due to the current fast Development of electronic devices. High purity chemicals, such as photoresistant liquids for such fine patterning techniques should not just be outstanding There should also be no quality reductions arise during the storage and transport of the same. The term "quality reduction" used here is, for example, an increase in the number of impure fine Particles in a photoresistant liquid, degeneration of Components thereof, quantitative changes in composition, an increase in the number of impure metal elements or deterioration of light-sensitive components due to irradiation with light rays. The increase in the amount of small particles in such a photoresistant liquid and the deterioration of their components are mainly due to replacement some components that are present in the container material, in the photoresistant liquid caused. When such a photoresistant liquid on a substrate is applied to form a photoresist film pinholes on the substrate. additionally will be the quantitative changes of Composition of the liquid by the penetration of an organic solvent that is in the liquid is present in the exterior the wall of the container. It learns the liquid a change in viscosity and the thickness of the resulting photoresist film becomes changed accordingly.
Die Verschlechterung der Qualität dieser photoresistenten Flüssigkeiten hat ernste nachteilige Effekte auf die entstehenden Halbleiter und Flüssigkristallanzeigen und deren Ausbeute und würde die Lebenszeit der Flüssigkeit an sich verkürzen.The Deterioration of quality of these photoresistant liquids has serious adverse effects on the resulting semiconductors and liquid crystal displays and their yield and would the lifetime of the liquid shorten in itself.
Es
ist der Begriff „Reinheit" bekannt als ein
Hinweis für
das Ausmaß der
Qualitätsverschlechterung
infolge des Freiwerdens von unreinen kleinen Teilchen von einem
Behälter
während
der Lagerung einer photoresistenten Flüssigkeit über einen langen Zeitraum.
Die Reinheit wird ermittelt indem hochreines Wasser oder eine photoresistente
Flüssigkeit
in einem Behälter,
der untersucht werden soll, für
eine vorbestimmte Zeitspanne gelagert wird und dann die Anzahl kleiner
Teilchen bestimmt wird, mit einer Teilchengröße nicht weniger als 0,2 μm, die in
einem ml der Flüssigkeit
vorhanden sind, die in dem Behälter
gelagert wird. Insbesondere kann die Reinheit durch folgende Gleichung
definiert werden:
In der Gleichung (1), bedeutet a das Volumen des Behälters und b ist die Menge an flüssigem Inhalt aus dem zu untersuchenden Behälter. Zuerst wird eine Probe der Flüssigkeit, um die anfängliche Reinheit zu ermitteln, gemäß folgendem Verfahren aus dem Behälter entnommen: Zu einem Testbehälter, der das Volumen von a (ml) aufweist, wird hochreines Wasser oder eine photoresistente Flüssigkeit hinzugefügt bis zu einer Menge des halben Behältervolumens a/2 (ml), darauf wird er für 15 Sekunden geschüttelt, für 24 Stunden stehen gelassen und dann eine Flüssigkeitsprobe gesammelt. Der Behälter, der verwendet wurde um die anfängliche Reinheit zu bestimmen, wird mit einem Stopfen dicht versiegelt, dann für eine vorbestimmte Zeitspanne stehen gelassen und danach drei Umdrehungen rotiert, ohne dass sich Luftblasen bilden, gefolgt durch das Sammeln einer Flüssigkeitsprobe, die verwendet wird die Reinheit nach der Lagerung von Wasser oder einer photoresistenten Flüssigkeit festzustellen. In der Gleichung bedeutet c die Anzahl kleiner Teilchen, die bestimmt wird mittels eines Teilchenzählers, die in der ganzen Flüssigkeitsprobe vorhanden sind und mit einer Größe nicht unter 0,2 μm. So werden die anfängliche Reinheit und die Reinheit, die nach der Lagerung über eine vorbestimmte Zeitspanne be stimmt wird, auf der Grundlage der Anzahl der kleinen Teilchen bestimmt. Diesbezüglich ist je kleiner der Zahlenwert ist, der die Reinheit angibt, desto höher die Qualität der photoresistenten Flüssigkeit. Ist die Reinheit kleiner als 100 Teilchen/ml so können solche flüssige Chemikalien stabil gelagert werden ohne eine Qualitätsverschlechterung der Halbleiter und der Flüssigkristallanzeigen (LCD) und einen Rückgang in der Ausbeute zu verursachen.In of equation (1), a is the volume of the container and b is the amount of liquid Content from the container to be examined. First, a sample the liquid, around the initial To determine purity, according to the following Procedure from the container taken from: To a test container, which has the volume of a (ml) becomes high purity water or a photoresistant fluid added up to half the volume of the container a / 2 (ml), on top will he be for Shaken for 15 seconds, for 24 Stopped for hours and then collected a liquid sample. Of the Container, that was used around the initial one To determine purity is tightly sealed with a stopper, then for let stand for a predetermined period of time and then three revolutions rotates without bubbles forming, followed by collecting a fluid sample, which is used after the storage of water or the purity a photoresistant liquid determine. In the equation, c means the number of small particles, which is determined by means of a particle counter, in the whole liquid sample are present and not one size less than 0.2 μm. So are the initial ones Purity and purity after storage over a predetermined period of time be true, based on the number of small particles. In this regard, the smaller the numerical value The purity indicates the higher the quality of the photoresist Liquid. If the purity is less than 100 particles / ml then such liquid Chemicals are stored stable without quality deterioration semiconductors and liquid crystal displays (LCD) and a decline to cause in the yield.
Als Behälter zur Aufbewahrung von flüssigen Photoresistlacken und verwandten flüssigen Chemikalien werden im Allgemeinen zum Beispiel Glasbehälter, Metallbehälter und Behälter, die aus einschichtigen Polyethylen(PE) Harzen hergestellt werden, verwendet. Jedoch können Glas und Metallbehälter keine hohe Reinheit des Inhalts sicherstellen, da Natriumionen von dem Glasbehälter abgegeben werden und jeder Metallbehälter Ionen des entsprechenden Metalls, aus dem der Behälter besteht, so wie Eisenionen abgibt.As containers for storing liquid photoresist paints and related liquid chemicals, for example, glass containers, metal containers, and containers made of single-layer polyethylene (PE) resins are generally used. However, glass and metal containers can not be high Ensure purity of contents as sodium ions are released from the glass container and each metal container releases ions of the corresponding metal from which the container is made, such as iron ions.
Darüber hinaus hat ein gewöhnlicher Behälter, der aus einem Polyethylenharz mit Barriere-Zusatz hergestellt ist eine geringe Reinheit. Wenn ein lichtabschirmendes Pigment und ein Pigment-Dispergiermittel zu diesem Polyethylenharz hinzugefügt werden, das eine geringe lichtabweisende Eigenschaft aufweist, würde die Reinheit des resultierenden Behälters weiter beeinträchtigt. Die Behälter zur Aufbewahrung eines flüssigen Photoresistharzes sollte eine gute Reinheit, einen lichtabschirmenden Effekt und lösungsmittelbegrenzende Eigenschaften aufweisen und dementsprechend wird keiner der vorangegangenen Behälter bevorzugt verwendet. Zusätzlich treten andere Probleme auf, zum Beispiel hat der Glasbehälter die Eigenschaft, dass er leicht bricht und Metallbehälter sind schwer und unbequem im Umgang.Furthermore has an ordinary one Container, which is made of a polyethylene resin with barrier additive a low purity. If a light-shielding pigment and a Pigment dispersant can be added to this polyethylene resin, which has a low light-repellent property, would Purity of the resulting container further impaired. The containers for storing a liquid photoresist resin should have a good purity, a light-shielding effect and solvent-limiting properties and accordingly, none of the foregoing containers is preferred used. additionally other problems arise, for example, the glass container has the Feature that it breaks easily and metal containers are heavy and uncomfortable in dealing.
Die vorliegende Erfindung wurde entwickelt, um die vorgenannten Probleme, die mit den gewöhnlichen Behältern zur Aufbewahrung und dem Transport hochreiner flüssiger Chemikalien verbunden sind, zu lösen und demgemäß ist es ein Gegenstand der vorliegenden Erfindung einen Behälter bereitzustellen, welcher die Qualität hochreiner flüssiger Chemikalien wie z.B. Photoresistharze während deren Aufbewahrung und Transport nicht verschlechtert und kaum brechen kann und auch ein geringes Gewicht aufweist. Darüber hinaus ist es ein anderes Ziel der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren bereitzustellen, um leicht und sicher eine solche hochreine flüssige Chemikalie aus dem Aufbewahrungsbehälter zu entladen.The The present invention has been developed in order to overcome the aforementioned problems, those with the ordinary ones containers connected to the storage and transport of high purity liquid chemicals are to be solved and accordingly it is an object of the present invention to provide a container which the quality highly pure liquid Chemicals such as e.g. Photoresist resins during storage and transportation not deteriorate and can hardly break and also a small one Has weight. About that In addition, another object of the present invention is a method to provide such a high purity liquid chemical easily and safely from the storage box to unload.
Das Folgende ist die Beschreibung der vorliegenden Erfindung, die entwickelt wurde, um die vorgenannten Ziele zu erreichen. Die Erfindung wird hier unter Bezugnahme der beigefügten Zeichnungen mit Ausführungsformen der Erfindung beschrieben.The The following is the description of the present invention being developed was to achieve the above goals. The invention is here with reference to the attached Drawings with embodiments of the invention.
Wie
in
Es
folgt die Beschreibung eines Verfahrens zur Entladung einer hochreinen
flüssigen
unter Verwendung des erfindungsgemäßen Behälters
Wie
in
Gemäß einer
anderen Ausführungsform
umfasst das Verfahren zum Entladen einer hochreinen flüssigen Chemikalie,
wie in
In einem
Schutzbehälter
In a protective container
Eine
weitere Ausführungsform
des Verfahrens zum Entladen einer hochreinen flüssigen Chemikalie umfasst,
wie in
Der
innere Behälter
Die vorliegende Erfindung wird nachfolgend im Detail beschrieben in Bezug auf die beigefügten Zeichnungen, die den Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung entsprechen.The The present invention will be described in detail below Reference to the attached Drawings that correspond to the embodiments correspond to the present invention.
Der
Behälter
Die
innere Schicht
Das
Molekulargewicht von, zum Beispiel Harzen, wird durch ein Verfahren
bestimmt, in welchem Harzpellets in einem Lösungsmittel (o-Dichlorobenzen)
gelöst
werden, um eine Probenlösung
zu erhalten und dann deren Molekulargewicht und Verteilung des Molekulargewichts
durch GPC bestimmt wird. Die ge wichtmittleren und zahlenmittleren
Molekulargewichte werden gemäß der folgenden
Beziehungen berechnet:
In diesen Beziehungen bedeutet M das Molekulargewicht einer Polymerkomponente und w bedeutet den Gewichtsanteil davon. Die Bedingungen für die GPC Messung sind folgende: Benutzer GPC Apparat: 150 CV (erhältlich bei Waters Company); verwendete Säule: TSK Gel MH-HT (erhältlich bei Tosoh Corporation); verwendetes Lösungsmittel: o-Dichlorobenzen; Temperatur: 138°C; und verwendeter Detektor: Differezialrefraktometer.In In these relationships, M is the molecular weight of a polymer component and w means the weight fraction thereof. The conditions for the GPC Measurement are the following: User GPC Apparatus: 150 CV (available at Waters Company); column used: TSK Gel MH-HT (available Tosoh Corporation); solvent used: o-dichlorobenzene; Temperature: 138 ° C; and the detector used: diffractrefractometer.
In
den Fällen,
in denen die innere Schicht
Als
Zusatz für
die innere Schicht
Es ist nicht notwendig einen Neutralisator zu verwenden, wenn die Polymerisation durch ein Verfahren unter mittlerem Druck ausgeführt wird, während der Neutralisator als Chloratom-Scavenger im Fall eines Niederdruckverfahrens verwendet wird. Als solche Neutralisatoren können zum Beispiel aufgezählt werden Stearate von Alkali-Erdmetallen wie Kalzium, Magnesium und Barium, aber die verwendete Menge sollte auf den geringst möglichen Pegel beschränkt werden, indem z.B. die Aktivität des Katalysators, der in dem Polymerisationsschritt verwendet wird, verbessert wird. Wenn der Anteil des Neutrali sators 0,01% Gewichtsanteil auf der Basis der Harzzusammensetzung überschreitet, weist der daraus entstehende Behälter eine Reinheit von mehr als 100 Partikel/ml auf und dies verschlechtert wiederum die Qualität der Halbleiter und LCDs und reduziert die Ausbeute. Aus diesem Grund sollte der Anteil des Neutralisators begrenzt werden auf einen Pegel von nicht mehr als 0,01% Gewichtsanteil basierend auf dem Gewicht der Harzzusammensetzung.It it is not necessary to use a neutralizer when polymerizing is carried out by a process under medium pressure, while the neutralizer as Chlorine scavenger used in the case of a low pressure process becomes. As such neutralizers can be enumerated, for example Stearates of alkali earth metals such as calcium, magnesium and barium, but the amount used should be at the lowest possible Level limited be replaced by e.g. the activity the catalyst used in the polymerization step is improved. When the content of the neutralizer is 0.01% by weight on the basis of the resin composition, it shows resulting containers a purity of more than 100 particles / ml and this deteriorates again the quality of semiconductors and LCDs and reduces the yield. For this reason the proportion of the neutralizer should be limited to a level of not more than 0.01% by weight based on the weight the resin composition.
Beispiele von Antioxidantien, die hier verwendet werden können, sind Phenolantioxidantien wie Buthyl Hydroxytoluene, Pentaerythtyl-Tetrakis [3-(3,5-di-t-Buthyl-4-Hydroxyphenyl)Propionat] und Octadecyl-3-(3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) Propionat. Der Anteil des Antioxidants sollte auf nicht mehr als 0,01% Gewichtsanteil bezogen auf das Gewicht der Harzzusammensetzung begrenzt werden, aus dem selben Grund wie oben im Zusammenhang mit dem Neutralisator beschrieben.Examples Antioxidants that can be used here are phenolic antioxidants such as butyl hydroxytoluene, pentaerythritol tetrakis [3- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate] and octadecyl-3- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate. The amount of the antioxidant should not exceed 0.01% by weight be limited based on the weight of the resin composition, for the same reason as above in connection with the neutralizer described.
Als lichtabschirmende Stabilisatoren, können zum Beispiel erwähnt werden, zum Beispiel, lichtabweisende Stabilisatoren des Benzotriazoltyps so wie 2-(5-Methyl-2-Hydroxyphenyl) Benzotriazole und 2-(3-t-Buthyl-5-Methyl-2-Hydroxyphenyl)-5-Chlorobenzotriazole; und passivierte lichtabschirmende Stabilisatoren des Amin-typs so wie bis(2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidin) Sebacate und poly[[6-1(1,1,3,3-tetramethylbuthyl) amino-1,3,5-triazin-2,4-diyl] [(2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidyl)imino]hexamethylene [(2,2,6,6- tetramethyl-4-piperidyl)imino]]. Der Anteil der lichtabschirmenden Stabilisatoren sollte begrenzt werden auf nicht mehr als 0,01% Gewichtsanteil basierend auf dem Gewicht der Harzzusammensetzung, aus dem selben Grund, wie oben im Zusammenhang mit dem Neutralisator beschrieben.When light-shielding stabilizers may, for example, be mentioned for example, light-stabilizing stabilizers of the benzotriazole type such as 2- (5-methyl-2-hydroxyphenyl) Benzotriazoles and 2- (3-t-butyl-5-methyl-2-hydroxyphenyl) -5-chlorobenzotriazoles; and passivated amine-type light-shielding stabilizers so such as bis (2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidine) sebacate and poly [[6-1 (1,1,3,3-tetramethylbuthyl) amino-1,3,5-triazine-2,4-diyl] [(2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidyl) imino] hexamethylene [(2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidyl) imino]]. The proportion of light-shielding stabilizers should be limited are based on not more than 0.01% by weight Weight of the resin composition, for the same reason as above described in connection with the neutralizer.
Der
Anteil der Zusätze,
die in der Harzzusammensetzung vorhanden sind, ist der Wert, der
bestimmt wird durch Extrahieren der Harzzusammensetzung mit Tertahydrofuran
(THF) mittels eines Soxhlet Extraktionsapparates für
Die
mittlere Schicht
Die äußere Schicht
Als Dispergiermittel können zum Beispiel aufgezählt werden, Olefinpolymere wie Polyethene und Polypropene. Das zahlenmittlere Molekulargewicht des Dispergiermittels, das zu der Harzzusammensetzung hinzugefügt wird, um eine höhere Dispergierbarkeit der Pigmente zu erreichen, ist nicht weniger als 2 × 103, und der Anteil des Dispergiermittels ist bevorzugt weniger als 5% Gewichtsanteil. Dies ist aus dem Grund, da wenn das zahlenmittlere Molekulargewicht des Dispergiermittels kleiner ist als 2 × 103 und/oder der Anteil davon 5% Gewichtsanteil überschreitet, der daraus entstehende Behälter eine ungenügende Reinheit aufweist und nicht geeignet ist, um hochreine flüssige Chemikalien aufzubewahren.As dispersants, for example, olefin polymers such as polyethenes and polypropenes can be enumerated. The number-average molecular weight of the dispersant added to the resin composition to achieve higher dispersibility of the pigments is not less than 2 × 10 3 , and the proportion of the dispersant is preferably less than 5% by weight. This is because if the number average molecular weight of the dispersant is less than 2 × 10 3 and / or the proportion thereof exceeds 5% by weight, the resulting container is of insufficient purity and is not suitable for storing high purity liquid chemicals.
Beispiele für lichtabschirmende Pigmente, die hier verwendet werden können, sind anorganische Pigmente wie Titanoxid, Kohlenstoffschwarz, rotes Eisenoxid und Siliziumdioxid; und organische Pigmente wie organische Pigmente des Phthalocyanin-Typs, Quinacridon-Typs und Azo-Typs. Der Anteil der lichtabschirmenden Pigmente erstreckt sich bevorzugt von 0,01 bis 5% Gewichtsanteile bezogen auf das Gewicht der Harzzusammensetzung. Ist der Anteil des lichtabschirmenden Pigments unter 0,01% Gewichtsanteil bezogen auf das Gewicht der Harzzusammensetzung, so kann kein gewünschter lichtabschirmender Effekt erwartet werden, während wenn er 5% Gewichtsanteile überschreitet weist der daraus entstehende Behälter keine genügende Reinheit auf und ist nicht geeignet für das Aufbewahren hochreiner flüssiger Chemikalien.Examples for light-shielding Pigments which can be used herein are inorganic pigments such as titanium oxide, carbon black, red iron oxide and silicon dioxide; and organic pigments such as phthalocyanine type organic pigments, Quinacridone type and azo type. The proportion of light-shielding Pigments preferably ranges from 0.01 to 5% by weight based on the weight of the resin composition. Is the proportion of the light-shielding pigment less than 0.01% by weight on the weight of the resin composition, so no desired light-shielding effect can be expected while exceeding 5% by weight indicates the resulting container not enough Purity and is not suitable for storing high purity liquid Chemicals.
Die Harzkomposition als Material für die äußere Schicht umfasst weiter bevorzugt ein Ultraviolettabsorbens mit einem Gewichtsanteil von weniger als 2,5%. Beispiele für solche Ultraviolettabsorber sind Ultraviolettabsorber des Salicylsäuretyps wie Phenylsalicylat und p-Octylphenylsalicylat; Ultraviolettabsorber des Benzophenontyps wie 2,4-Hydroxybenzophenon und bis(2-Methoxy-4-Hydroxy-5-Benzoylphenyl) Methan; Ultraviolettabsorber des Benzotriazoltyps wie 2-(5-Methyl-2-Hydroxyphenyl) Benzotriazol und 2-(3-t-Butyl-5-Methyl-2-Hydroxyphenyl)-5-Chlorobenzotriazol; und Ultraviolettabsorbens des Cyanoacrylattyps wie z.B. 2-Ethylhexyl-2-Cyano-3,3-Diphenylacrylat und Ethyl-2-Cyano-3,3-Diphenylacrylat. Wenn der Anteil des Ultraviolettabsorbens in der Harzkomposition 2,5% Gewichtsanteile überschreitet, weist der Behälter eine ungenügende Reinheit auf und kann nicht verwendet werden zum Aufbewahren hochreiner flüssiger Chemikalien.The Resin composition as material for the outer layer more preferably comprises an ultraviolet absorbent having a weight fraction less than 2.5%. Examples of such ultraviolet absorbers are salicylic acid type ultraviolet absorbers such as phenyl salicylate and p-octylphenyl salicylate; Ultraviolet absorber of benzophenone type such as 2,4-hydroxybenzophenone and bis (2-methoxy-4-hydroxy-5-benzoylphenyl) methane; ultraviolet absorbers of the benzotriazole type such as 2- (5-methyl-2-hydroxyphenyl) benzotriazole and 2- (3-t-butyl-5-methyl-2-hydroxyphenyl) -5-chlorobenzotriazole; and cyanoacrylate ultraviolet absorbent such as e.g. 2-ethylhexyl-2-cyano-3,3-diphenylacrylate and ethyl 2-cyano-3,3-diphenylacrylate. When the proportion of the ultraviolet absorbent in the resin composition Exceeds 2.5% by weight, points the container an insufficient purity and can not be used to store high purity liquid chemicals.
Der
Behälter
Alternativ
sollte der Behälter
Zusätzlich ist
es bevorzugt klebende Harze wie kommerziell verfügbare modifizierte Polyolefinharze von
einer geeigneten Dicke zu verwenden, um die mittlere Schicht
Die vorliegende Erfindung wird hiernach im Detail mit Bezug auf die folgenden Beispiele beschrieben.The The present invention will hereinafter be described in detail with reference to FIGS following examples are described.
(Beispiel 1)(Example 1)
In
diesem Beispiel wurde ein Behälter
Das
Rohmaterial, das verwendet worden ist, um die innere Schicht
Das
Rohmaterial, das verwendet wurde, um die mittlere Schicht
Das
Rohmaterial, das verwendet wurde, um die externe Schicht
Das Klebharz war ein klebendes Polyolefinharz (HB500 erhältlich von Mitsui Toatsu Chemicals, Inc.) mit einer Dichte von 0,94 g/cm3 und einem Schmelzindex von 0,2g/10min.The adhesive resin was an adhesive polyolefin resin (HB500 available from Mitsui Toatsu Chemicals, Inc.) having a density of 0.94 g / cm 3 and a melt index of 0.2 g / 10 min.
Das
Formen des Behälters
Dann
wurde die Reinheit des Behälters
Die
Anzahl kleiner Teilchen, die sich in dem Wasser befinden, wurde
durch folgende Formel (4) berechnet, die ähnlich der Formel (1) ist und
das Ergebnis wurde als Reinheit in Bezug auf das ultrareine Wasser definiert.
Die Ergebnisse, die erhalten wurden, sind in der folgenden Tabelle
1 gezeigt.
Zu
dem Behälter
wurden dann 2 Liter eines positiven Resistharzes (Resistharz 1)
gegeben, welches einen festen Anteil umfasst, welcher ein Cresol-Formaldehyd Novolak
Harz und ein lichtsensitives Mittel des Naphthochinon-Diazid-Sulfonat Typs
und Methylamylketone als Lösungsmittel
umfasst, danach wurden die selben Vorgehensweisen, wie sie oben
verwendet wurden, wieder holt um so die Reinheit mittels der Formel (5)
zu bestimmen. Die Ergebnisse, die so erhalten wurden sind ebenso
in der Tabelle 1 gezeigt.
Zusätzlich wurde
der Behälter
- * ultrareines Wasser
- * ultrapure water
Wie in Tabelle 1 gezeigt wurde, ist die Anzahl unreiner kleiner Teilchen, die vom Behälter an dessen Inhalt freigegeben wird, sehr klein und insbesondere wurde herausgefunden, dass die Reinheit des Behälter 12 Teilchen/ml bei ultrareinem Wasser und 8 Teilchen/ml für Resistharz 1 und 26 Teilchen/ml für das Resistharz nach der Lagerung von 6 Monaten beträgt.As shown in Table 1, the number of impure small particles, the one from the container whose content is released, became very small and particular found that the purity of the container 12 particles / ml at ultrapure Water and 8 particles / ml for Resist resin 1 and 26 particles / ml for the resist resin after storage of 6 months.
Dann wurde das Verbindungsteil (Größe: 1 × 4 cm) des Behälters aus demselben herausgeschnitten und die Absorption davon wurde über die Wellenlänge, die von 200 nm bis 900 nm reicht, mit einem Spektrophotometer (Typ: Ubest-55 erhältlich von Nippon Bunko Co., Ltd.) bestimmt. Als Ergebnis wurde gefunden, dass der Behälter eine extrem herausragende Lichtabschirmungseigenschaft aufweist, da die geringste Absorption 2,42 bei einer Wellenlänge von nicht mehr als 400 nm war, und die Absorbierung und Absorptionskoeffizient bei der Wellenlänge von 600 nm 1,21 (Transmission: 10–0,79%) beziehungsweise 0,77 mm–1 war, und bei einer Wellenlänge von 400 nm 2,42 (Transmission: 10–0,42%) beziehungsweise 1,54 mm–1 war. In diesem Fall war die Dicke der Probe 1,57 mm.Then, the connector (size: 1 × 4 cm) of the container was cut out therefrom, and the absorbance thereof was measured over the wavelength ranging from 200 nm to 900 nm with a spectrophotometer (Type: Ubest-55 available from Nippon Bunko Co. Ltd.). As a result, it was found that the container has an extremely excellent light- shielding property , since the least absorption was 2.42 at a wavelength of not more than 400 nm, and the absorption and absorption coefficient at the wavelength of 600 nm was 1.21 (transmission: 10 -0.79 %). ) and 0.77 mm -1 , respectively, and at a wavelength of 400 nm was 2.42 (transmittance: 10 -0.42 %) and 1.54 mm -1 , respectively. In this case, the thickness of the sample was 1.57 mm.
Dann
wurden 4 Liter Methylamylketone in den Behälter
Darüber hinaus
wurden 4 Liter Methylamylketone in den Behälter
Tabelle 2 Table 2
Das
Resistharz 1, welches bei 23°C
für 6 Monate
gelagert worden ist, wurde an einen Siliziumwafer mittels eines
Spincoaters appliziert und dann wurde der Wafer und der photoresistente
Film bezüglich
der Dicke und der Deckungseigenschaften (so wie das Auftreten von
Nadellöchern
und Streifenbildung) inspiziert, um den Einfluss des Eindringens
von organischen Lösungsmitteln
von dem Resistharz 1 durch den Behälter
Tabelle 3 Table 3
Die Filmdicke bedeutet die Dicke eines photoresistenten Films, der erhalten wird, indem das Resistharz 1 auf einen Siliziumwafer mittels eines Spincoaters (4000 rpm) appliziert wird und dann die Resistschicht bei 90°C für eine Minute vorgebacken wird und dann sollten die erlaubten Variationen in dem Bereich von ±0,5% des anfänglichen Werts liegen. In Tabelle 3 beschreibt der Begriff „gut" in der Säule „Deckungseigenschaften", dass kein Nadelloch ausgeformt wurde und keine Streifenbildung beobachtet worden ist. Zusätzlich beschreibt der Begriff „gut" in der Säule betitelt „Allgemeine Erfassung der Deckungseigenschaften", dass die Variationen in der Dicke des Resistfilms in den Bereich von ± 0,5% des anfänglichen Werts fallen und die Deckungseigenschaften des Resistharzes exzellent sind.The Film thickness means the thickness of a photoresist film obtained is by the resist resin 1 on a silicon wafer by means of a Spin coater (4000 rpm) is applied and then the resist layer at 90 ° C for one minute is pre-baked and then the allowed variations in the Range of ± 0.5% of the initial one Value are. In Table 3, the term "good" in the column "covering properties" describes that no pinhole was formed and no streaking has been observed. Additionally describes the term "good" in the column titled "General Capture the coverage properties "that variations in thickness of the resist film in the range of ± 0.5% of the initial one Drops and the covering properties of the Resistharzes excellent are.
Schließlich wurde das Resistharz auf andere charakteristischen Eigenschaften untersucht. Das Resistharz 1 wurde sofort nach der Herstellung oder nach einer Lagerung von 3 Monaten auf einen Siliziumwafer appliziert, welcher entsprechend dem gewöhnlichen Verfahren gewaschen wurde, unter vorbestimmten Bedingungen mittels eines Spincoaters und dann wurde die so applizierte Resistharzschicht für eine Minute auf einer heißen Platte, die bei 90°C gehalten wurde, gebacken. Dann wurde die Resistharzschicht Licht ausgesetzt mittels eines Steppers für i-Strahlen. Der sich daraus ergebende Wafer wurde auf einer 110°C heißen Platte gebacken. Diese Wafer wurden in einem Alkalientwickler (2,38% wässrige Lösung von Tetramethylammoniumhydroxid) entwi ckelt, um ein positives Muster zu bekommen. Das daraus resultierende positive Muster wurde auf verschiedene Eigenschaften, wie die Auflösung, die effektive Sensitivität, der Anteil des verbleibenden Films, die Anwesenheit von Scum (Entwicklerreste) und dessen Adhäsion auf dem Siliziumwafer untersucht. Die Ergebnisse sind in der folgenden Tabelle 4 aufgelistet.Finally became the Resistharz examined for other characteristic properties. The Resistharz 1 was immediately after the preparation or after a Storage of 3 months applied to a silicon wafer, which according to the ordinary Procedure was washed under predetermined conditions using of a spincoater and then the thus applied resist resin layer for one Minute on a hot Plate at 90 ° C was kept, baked. Then, the resist resin layer became light exposed by means of a stepper for i-rays. The result resulting wafer was baked on a 110 ° C hot plate. These Wafers were placed in an alkali developer (2.38% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide) developed to get a positive pattern. The resulting positive pattern was based on different properties, such as the resolution effective sensitivity, the proportion of the remaining film, the presence of scum (developer residues) and its adhesion examined on the silicon wafer. The results are in the following Table 4 listed.
Tabelle 4 Table 4
Wie in den Tabellen 3 und 4 gezeigt ist, ist das Resistharz nach der Lagerung über eine lange Zeitspanne keiner Qualitätsverschlechterung unterworfen, da keine signifikanten Veränderungen in den Deckungseigenschaften, der Auflösung, der Sensitivität, des Anteils des verbleibenden Films, der Anwesenheit von Scum und der Adhäsion auf den Siliziumwafern beobachtet werden konnte.As In Tables 3 and 4, the resist resin is according to the Storage over a long period of time is not subject to quality deterioration, there are no significant changes in the coverage properties, the resolution, the sensitivity, the proportion of the remaining film, the presence of scum and adhesion the silicon wafers could be observed.
(Beispiel 2)(Example 2)
In
dem Beispiel werden die selben Vorgehensweisen, die in Beispiel
1 verwendet wurden, wiederholt außer den folgenden, um einen
Behälter
zu erhalten:
Das Ausgangsmaterial, das verwendet wurde, um
die äußere Schicht
herzustellen, war ein Produkt, das erhalten wurde durch Trockenblenden
von 100 Gewichtsteilen Polyethenpellets, welche 0,3% Gewichtsanteil
Polyethen umfassen mit einem zahlenmittleren Molekulargewicht von
nicht weniger als 2 × 103 als Pigmentdispergiermittel und das eine
Dichte von 0,956 g/cm3 und einen Schmelzindex
von 0,30 g/10 min hat; und 3 Gewichtsteilen Stammlack, der 5,3%
Gewichtsanteil rotes Eisenoxid als lichtabschirmendes Pigment, 0,2%
Gewichtsanteil Kohlenstoffschwarz und 0,1% Gewichtsanteil 2-Hydroxy-4- Octoxybenzophenon
als Ultraviolettabsorber aufweist. Zusätzlich hat der Behälter eine
4 Komponenten-5 Schicht Struktur, das heißt innere Schicht/Klebharzschicht/mittlere
Schicht/Klebharzschicht/äußere Schicht,
mit einer Dicke von 0,580/0,040/0,050/0,040/0,590 mm und einem Volumen
von 4 Litern.In the example, the same procedures used in Example 1 are repeated except the following to obtain a container:
The starting material used to make the outer layer was a product obtained by dry-blending 100 parts by weight of polyethene pellets comprising 0.3% by weight of polyethene having a number average molecular weight of not less than 2 x 10 3 as pigment dispersants and having a density of 0.956 g / cm 3 and a melt index of 0.30 g / 10 min; and 3 parts by weight of stock paint having 5.3% by weight of red iron oxide as the light-shielding pigment, 0.2% by weight of carbon black and 0.1% by weight of 2-hydroxy-4-octoxybenzophenone as the ultraviolet absorber. In addition, the container has a 4-component 5-layer structure, that is, inner layer / adhesive resin layer / middle layer / adhesive resin layer / outer layer, with a thickness of 0.580 / 0.040 / 0.050 / 0.040 / 0.590 mm and a volume of 4 liters.
Dann wurden die selben Vorgehensweisen verwendet, wie in Beispiel 1, um die Reinheit, Absorption, Gewichtsänderungen, Metallionenkonzentrationen zu bestimmen, außer dass anstelle des Resistharzes 1, das im Beispiel 1 verwendet wurde, ein positives Photoresistharz verwendet wurde, welches einen festen Anteil umfasst, einschließlich ein alkalilösliches Harz, das hauptsächlich ein Cresol-Formaldehyd Novolak Harz umfasst und Additive wie lichtsensitive Substanzen des Naphthochinon Diazid Sulfonat Typs und ein Lösungsmittel, das aus Ethyl Cellosolve Acetat besteht. Die erhaltenen Ergebnisse sind in den Tabellen 1 und 2 gezeigt.Then the same procedures were used as in Example 1, for purity, absorption, weight changes, metal ion concentrations to determine, except that instead of the Resistharzes 1, which was used in Example 1, a positive photoresist resin was used, which was a solid Share includes, including an alkali-soluble Resin, the main a cresol-formaldehyde novolak resin and includes additives such as light-sensitive Naphthoquinone diazide sulfonate type substances and a solvent, which consists of Ethyl Cellosolve acetate. The results obtained are shown in Tables 1 and 2.
Wie aus den Ergebnissen, die in der Tabelle 1 gezeigt sind, ersichtlich ist, war die Anzahl der kleinen unreinen Teilchen, die von dem Behälter an dessen Inhalt abgegeben wurde (das heißt an das Resistharz 2) sehr klein und insbesondere war die gefundene Reinheit 10 Teilchen/ml für ultrareines Wasser und 11 Teilchen/ml für das Resistharz 2 und 22 Teilchen/ml für das Resistharz 2 nach einer Lagerung über 6 Monate. Darüber hinaus weist der Behälter eine ziemlich kleine Gewichtsveränderung auf und insbesondere waren die gefundenen Gewichtsveränderungen nicht mehr als 0,01% nach der Lagerung für 6 Monate bei 23°C und nicht mehr als 0,01% bei der Lagerung für 3 Monate bei 40°C. Wie aus den in Tabelle 2 aufgeführten Daten ersichtlich ist, wurde kein Anstieg in der Metallionenkonzentration beobachtet sogar nach der Lagerung bei 23°C über 6 Monate.As from the results shown in Table 1 is, was the number of small impure particles coming from the container its contents were discharged (that is, to the Resistharz 2) very small and in particular, the purity found was 10 particles / ml for ultra-pure Water and 11 particles / ml for the resist resin 2 and 22 particles / ml for the resist resin 2 after one Storage over 6 months. About that In addition, the container has a pretty small weight change on and in particular were the weight changes found not more than 0.01% after storage for 6 months at 23 ° C and no more than 0.01% in storage for 3 months at 40 ° C. As shown in Table 2 Data showed no increase in the metal ion concentration observed even after storage at 23 ° C for 6 months.
Zusätzlich wurde herausgefunden, dass der Behälter äußerst exzellente lichtabschirmende Eigenschaften im Bereich der ultravioletten Strahlung aufweist, obwohl er Lichtstrahlen zu einem gewissen Ausmaß im Bereich des sichtbaren Lichts durchlässt. Insbesondere war die geringste Absorption von 3,33 bei einer Wellenlänge nicht größer als 400 nm und die Absorption und der Absorptionskoeffizient bei einer Wellenlänge von 600 nm war 1,62 (Transmission 10–0,38 %), beziehungsweise 1,25 mm–1 und bei einer Wellenlänge von 400 nm wurden 3,33 (Transmission: 10–1,33%) beziehungsweise 2,56 mm–1 beobachtet. In diesem Fall war die Dicke der Probe 1,30 mm–1.In addition, it has been found that the container has extremely excellent light-shielding properties in the ultraviolet ray range, though it transmits light rays to a certain extent in the visible light range. In particular, the lowest absorption of 3.33 at a wavelength was not larger than 400 nm, and the absorption and the absorption coefficient at a wavelength of 600 nm was 1.62 (transmittance 10 -0.38 %), and 1.25 mm -1 , respectively and at a wavelength of 400 nm, 3.33 (transmission: 10 -1.33 %) and 2.56 mm -1 , respectively, were observed. In this case, the thickness of the sample was 1.30 mm -1 .
Dieselben Vorgehensweisen, die in Beispiel 1 angewendet wurden, wurden wiederholt, um die Deckungseigenschaften des Resistharzes 2 zu bestimmen. Die erhaltenen Ergebnisse sind in der vorangegangenen Tabelle 3 aufgelistet. Darüber hinaus wurden die charakteristischen Eigenschaften des Resistharzes 2 gemäß den selben Verfahren wie in Beispiel 1 angewendet, um so die Eigenschaften des erhaltenen positiven Musters, wie die Auflösung, die effektive Sensitivität, der Anteil des verbleibenden Films, die Anwesenheit von Scum Entwicklerreste) und die Adhäsion an den Siliziumwafer zu ermitteln. Die erhaltenen Ergebnisse sind in der vorangegangenen Tabelle 1 gezeigt.the same Procedures used in Example 1 were repeated, to determine the covering properties of the Resistharzes 2. The results obtained are listed in the previous Table 3. About that In addition, the characteristic properties of the resist resin became 2 according to the same Method as used in Example 1, so the properties the positive pattern obtained, such as the resolution, the effective sensitivity, the proportion of the remaining film, the presence of scum developer residues) and the adhesion to determine the silicon wafer. The results obtained are shown in the preceding Table 1.
Wie in den Tabellen 3 und 4 gezeigt, erleidet das Resistharz 2 nach einer Lagerung über eine lange Zeitspanne keine Qualitätsverschlechterung, da keine signifikanten Änderungen in den Deckungseigenschaften, der Auflösung, der Sensitivität, dem Anteil des verbleibenden Films, der Anwesenheit von Scum und der Adhäsion an den Siliziumwafer beobachtet wurden.As As shown in Tables 3 and 4, the resist resin 2 suffers a storage over a long period of time no quality deterioration, as no significant changes in the coverage properties, the resolution, the sensitivity, the proportion of the remaining film, the presence of scum and the adhesion the silicon wafer were observed.
Vergleichsbeispiel 1Comparative Example 1
Die selben Vorgänge wie in Beispiel 1 wurden wiederholt, außer dass eine Glasflasche, eine Polyethen-Monolayer-Flasche, und ein Metall (SUS 304) – Behälter verwendet wurde, um so die Reinheit, die Absorption, die Gewichtsänderung und die Metallionenkonzentration zu bestimmen. Die Ergebnisse, die daraus erhalten wurden, sind in den vorangegangenen Tabellen 1 und 2 aufgelistet.The same processes as in Example 1, except that a glass bottle, a polyethene monolayer bottle, and a metal (SUS 304) container used became, so the purity, the absorption, the weight change and to determine the metal ion concentration. The results, the have been obtained in the previous tables 1 and 2 listed.
Wie in Tabelle 1 gezeigt ist, gab die Glasflasche eine große Anzahl unreiner, kleiner Teilchen in ihren flüssigen Inhalt frei und speziell wurde herausgefunden, dass die Reinheit der Glasflasche 2365 Teilchen/ml für Wasser beträgt, 79 Teilchen/ml für das Resistharz 1 und 121 Teilchen/ml für das Resistharz 1 nach einer Lagerung des Resistharzes über 6 Monate. Zusätzlich gab die Glasflasche eine große Menge Natriumionen an ihren flüssigen Inhalt ab.As shown in Table 1, the glass bottle contained a large number of impure, small particles in its liquid content, and specifically, it was found that the purity of the glass bottle is 2365 particles / ml for water, 79 particles / ml for the resist resin 1, and 121 particles / ml for the resist resin 1 after storage of the resist resin for 6 months. In addition, the glass bottle dispensed a large amount of sodium ion to its liquid contents.
Zusätzlich gab auch die PE-Monolayer-Flasche eine große Anzahl unreiner kleiner Teilchen an ihren flüssigen Inhalt ab und insbesondere wurde herausgefunden, dass die Reinheit der PE-Monolayer-Flasche nicht weniger als 10 000 Teilchen/ml für Wasser, nicht weniger als 10 000 Teilchen/ml für das Resistharz 1 und nicht weniger als 10 000 Teilchen/ml für die Lagerung über 6 Monate betrug. Weiter gab die PE-Monolayer-Flasche auch eine große Menge an Kalziumionen an ihren flüssigen Inhalt ab.Additionally gave even the PE monolayer bottle a large number of unclean smaller Particles at their liquid Content and in particular, it was found that the purity the PE monolayer bottle not less than 10,000 particles / ml for water, not less than 10,000 particles / ml for the resist resin 1 and not less than 10,000 particles / ml for the storage over 6 months was. Next, the PE monolayer bottle also gave a large amount of calcium ions in their liquid Content.
Darüber hinaus gab die Metallflasche eine große Anzahl an unreinen kleinen Teilchen in ihren flüssigen Inhalt ab und genauer wurde herausgefunden, dass die Reinheit der Metallflasche 261 Teilchen/ml für Wasser war, 648 Teilchen/ml für das Resistharz 1 und 759 Teilchen/ml für das Resistharz 1 nach der Lagerung über 6 Monate. Zusätzlich gab die Metallflasche auch eine große Menge an Eisenionen und Nickelionen an ihren flüssigen Inhalt ab.Furthermore the metal bottle gave a big one Number of impure small particles in their liquid content and more accurate The purity of the metal bottle was found to be 261 particles / ml for water was 648 particles / ml for the resist resin 1 and 759 particles / ml for the resist resin 1 after Storage over 6 months. additionally The metal bottle also gave a large amount of iron ions and Nickel ions on their liquid Content.
Wie oben diskutiert wurde, gaben alle drei Arten von Behältern, die in den Vergleichsbeispielen verwendet wurden, eine große Menge an unreinen Teilchen und Metallionen an ihren flüssigen Inhalt ab und entsprechend kontaminiert war das flüssige Photoresistharz als Inhalt eines solchen Behälters.As discussed above, gave all three types of containers, the were used in the comparative examples, a large amount of impure particles and metal ions from their liquid content and accordingly contaminated was the liquid Photoresist resin as the content of such a container.
Das
Verfahren, um eine hochreine flüssige
Chemikalie
Eine
hochreine flüssige
Chemikalie
Ein
anderes Verfahren, um eine hochreine flüssige Chemikalie zu entladen
gemäß der vorliegenden Erfindung,
ist in
Ein
weiteres Verfahren eine hochreine flüssige Chemikalie zu entladen
ist in
In
einem weiteren Verfahren, um eine hochreine flüssige Chemikalie zu entladen,
wird ein Filter
Wie oben in Einzelheiten diskutiert, gibt der Behälter für hochreine flüssige Chemikalien gemäß der vorliegenden Erfindung niemals kleine Teilchen und Metallionen während der Lagerung und/oder des Transportes ab und kann so die Qualität seiner Inhalte aufrecht erhalten. Darüber hinaus kann der Behälter kaum brechen und ist leichtgewichtig. Jede hochreine flüssige Chemikalie kann einfach und sicher gehandhabt werden, indem das Entladeverfahren gemäß der vorliegenden Erfindung angewendet wird, welches Gebrauch macht von dem vorbeschriebenen Behälter.As discussed in detail above, gives the container for high purity liquid chemicals according to the present Invention never small particles and metal ions during the Storage and / or transport, and so can the quality of his Content is maintained. About that In addition, the container hardly break and is lightweight. Any high purity liquid chemical can be easily and safely handled by the unloading method according to the present Invention is used which makes use of the above Container.
Claims (7)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP19990203298 EP1090847B1 (en) | 1998-04-08 | 1999-10-07 | Container for high purity liquid chemicals and its use |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69928937D1 DE69928937D1 (en) | 2006-01-19 |
DE69928937T2 true DE69928937T2 (en) | 2006-07-06 |
Family
ID=35508315
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69928937T Expired - Lifetime DE69928937T2 (en) | 1999-10-07 | 1999-10-07 | Container for high purity liquid chemicals and its use |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
AT (1) | ATE312767T1 (en) |
DE (1) | DE69928937T2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9809442B2 (en) | 2008-11-14 | 2017-11-07 | Veltek Associates, Inc. | Apparatus and method for mixing and dispensing |
-
1999
- 1999-10-07 DE DE69928937T patent/DE69928937T2/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-10-07 AT AT99203298T patent/ATE312767T1/en active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9809442B2 (en) | 2008-11-14 | 2017-11-07 | Veltek Associates, Inc. | Apparatus and method for mixing and dispensing |
US10399846B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-09-03 | Veltek Associates, Inc. | Apparatus and method for mixing and dispensing |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69928937D1 (en) | 2006-01-19 |
ATE312767T1 (en) | 2005-12-15 |
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