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DE69627033T2 - Gerät zum lesen und zur bildinformationsverarbeitung - Google Patents

Gerät zum lesen und zur bildinformationsverarbeitung

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Publication number
DE69627033T2
DE69627033T2 DE69627033T DE69627033T DE69627033T2 DE 69627033 T2 DE69627033 T2 DE 69627033T2 DE 69627033 T DE69627033 T DE 69627033T DE 69627033 T DE69627033 T DE 69627033T DE 69627033 T2 DE69627033 T2 DE 69627033T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
sensor element
compensation
offset
sensor
comparator
Prior art date
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DE69627033T
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DE69627033D1 (de
Inventor
Jan-Erik Eklund
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Sick IVP AB
Original Assignee
INTEGRATED VISION PROD
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Publication date
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    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
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    • H04N25/67Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response
    • H04N25/671Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction

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  • Signal Processing (AREA)
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  • Image Input (AREA)

Description

    Technischer Gegenstand
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
  • Stand der Technik
  • Zweidimensionale Bildsensoren, die die Form von integrierten Schaltungen annehmen, werden bei der Bildverarbeitung verwendet. Jeder zweidimensionaler Bildsensor umfasst eine Anzahl von Sensorelementen, beispielsweise 256 · 256 Sensorelemente, die einen geringen Oberflächenbereich einnehmen müssen, um die Ausgestaltung als eine integrierte Schaltung zu ermöglichen. Jedes Sensorelement umfasst einen Detektorteil, der ein optisches Signal in ein zur weiteren Verarbeitung geeignetes elektrisches Signal umwandelt. Um einen kompakten Bildsensor zu erhalten, ist es bedeutsam, dass der Detektorteil so wenig Platz wie möglich einnimmt, während er zur gleichen Zeit natürlich ein zuverlässiges Ergebnis erzeugen muss.
  • Die US-A-5 296 696 stellt den relevantesten Stand der Technik dar, die eine Festkörper-Bildaufnahme-Vorrichtung und -Ansteuer-Verfahren offenbart. Die Vorrichtung umfasst Pixel, wobei jedes dieser aus einem photoelektrischen Wandlerelement aufgebaut ist, eine Verstärkungsfunktion aufweist, und ferner Grundzellen von FPN-Unterdrückungsschaltungen umfasst, die für das Pixel bereitgestellt werden, wobei die FPN-Unterdrückungsschaltung umfasst: einen invertierenden Verstärker; einen zwischen dem Ausgang des Pixels und dem Eingang des invertierenden Verstärkers verbundenen Eingangskondensator; einen NMOS-Transistor zum Liefern einer Anfangsspannung an den Eingang des invertierenden Verstärkers; einen Rückkopplungskondensator, wobei ein Anschluss dessen mit dem Eingang des invertierenden Verstärkers verbunden ist; einen NMOS-Transistor, der zwischen dem anderen Anschluss des Rückkopplungskondensators und dem Ausgang des invertierenden Verstärkers verbunden ist; und einen NMOS-Transistor, der zwischen dem Knoten verbunden ist, der die obigen zwei Elemente und eine Bezugsspannungsquelle verbindet. Durch diese Konfiguration ist es möglich, eine Festkörper-Bildaufnahme-Vorrichtung zu erzielen, in dem der FPN, der durch eine Offsetdifferenz unter den Pixels verursacht wird, die aus photoelektrischen Wandlerelementen mit einer Verstärkungsfunktion aufgebaut sind, unterdrückt wird, ohne die Chipfläche zu erhöhen, und in der es möglich ist, ein nichtzerstörendes Auslesen durchzuführen.
  • Eine Vorrichtung zur Kompensation der Bildelemente in einer CCD-Kamera, in der ein CCD-Sensor nicht verstärkte und nicht kompensierte Bildelementwerte an einen gemeinsamen seriellen Ausgang liefert, wobei die Verstärkung und Kompensation zentral durchgeführt werden, ist ebenfalls aus der US-A-4 875 098 bekannt. Bei bestimmten Anwendungen kann jedoch ein Bedarf zur Kompensation und Parallelausgabe des Bilds in allen Bildpunkten bestehen, wobei dieses Problem nicht von der Vorrichtung gelöst wird.
  • Eine Vorrichtung, die eine photovoltaische Zelle mit Ausgabeelektronik in jedem Sensorelement kombiniert, ist bereits aus dem Tagungsbeitrag "Standard CMOS Active Pixel Image Sensors for Multimedia Applications" von A. Dickinson, B. Ackland, El-Sayed Eid, D. Inglis und E Fossum bekannt, der bei der "16th Conference in Advanced Research in VLSI" in Chapel Hill, North Carolina, am 27. bis 29. März präsentiert wurde. Ein Nachteil dieser bekannten Vorrichtung besteht darin, dass Abweichungen in den einzelnen elektrischen Komponenten sogenannte Offsetfehler verursachen, die sich selber als ein festes Muster in dem Ausgabebild manifestieren. Diesen Offsetfehlern wird in kolumnarer Kompensationselektronik entgegengewirkt, was bedeutet, dass das Bild von dem Sensorelement bewegt werden muss, bevor die Offsetkompensation durchgeführt werden kann. Bei bestimmten Anwendungen bildet, wo es beispielsweise eine Prozessorkapazität in dem Sensorelement gibt, dieser Transfer einen Nachteil.
  • Beschreibung der Erfindung
  • Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine Vorrichtung für die Eingabe und Verarbeitung von Bildinformation bereitzustellen, die das Auftreten von Störungen infolge eines Offset in einem Ausgabebild verringert.
  • Diese Aufgabe wird von einer Vorrichtung gemäß der Erfindung erreicht, die die Merkmale des kennzeichnenden Teils von Anspruch 1 aufweist.
  • Mit der Ausgestaltung eines Sensorelements gemäß der Erfindung kann die Offsetkompensation lokal in den Sensorelementen unter Verwendung einer relativ kleinen Anzahl von Komponenten durchgeführt werden.
  • Beschreibung er Figuren
  • Fig. 1 zeigt eine erste Ausführungsform eines Sensorelements gemäß der Erfindung.
  • Fig. 2 zeigt eine zweite Ausführungsform eines Sensorelements gemäß der Erfindung.
  • Fig. 3 zeigt eine dritte Ausführungsform eines Sensorelements gemäß der Erfindung.
  • Fig. 4 zeigt eine vierte Ausführungsform eines Sensorelements gemäß der Erfindung.
  • Fig. 5 zeigt eine fünfte Ausführungsform eines Sensorelements gemäß der Erfindung.
  • Fig. 6 zeigt eine sechste Ausführungsform eines Sensorelements gemäß der Erfindung.
  • Bevorzugte Ausführungsformen
  • Die Erfindung bezieht sich auf eine Offsetkompensation in einem Sensorelement, das Teil eines Satzes von in Matrixform angeordneter Sensorelemente bildet. Alle Sensorelemente sind einstückig auf einem Substrat ausgebildet und umfassen jeweils eine photovoltaische Zelle und Ausgabeelektronik, beispielsweise einen Komparator. Aufgrund des Offset in der Ausgabeelektronik in jedem Sensorelement und Abweichungen zwischen dem Offsetfehler in unterschiedlicher Ausgabeelektronik, ist jedes Sensorelement für eine lokale Offsetkompensation in dem Sensorelement angepasst. Die Offsetkompensation in einem Sensorelement kann unabhängig von der Offsetkompensation in anderen Sensorelementen in der Anordnung durchgeführt werden, falls unterschiedliche Steuersignale für jedes Sensorelement verwendet werden. Die Kompensation basiert auf einer korrelierten Doppelabtastung. Die Abtastung eines bekannten Kompensationswerts wird zuerst während einer ersten Kompensationsstufe durchgeführt, und dann wird die Abtastung eines unbekannten Werts während einer Bildinformations-Eingangsstufe durchgeführt. Bei den Beispielen der in Fig. 1 bis 6 gezeigten Sensorelemente wird ein bekannter Wert mit dem Rücksetzschalter und dem unbekannten Wert abgetastet, wenn der Wert der Ausgabeelektronik ausgegeben wird. Beide diese Werte enthalten konstante Fehler, die hier als Offset bekannt sind. Durch Subtrahieren des bekannten und des unbekannten Werts, können die konstanten Fehler eliminiert werden.
  • Die Erfindung wird nun ferner mit Bezug auf die Figuren erläutert, die eine Anzahl bevorzugter Ausführungsformen eines Sensorelements gemäß der Erfindung zeigen.
  • Das in Fig. 1 gezeigte Sensorelement weist zwei Eingänge auf, wobei der erste dieser eine Kompensationsspannung Uth mit einem Kondensator C mittels eines ersten Wechselschalters 1 verbindet, und der zweiter dieser eine Bezugsspannung Uref mit dem gleichen Kondensator C mittels eines zweiten Wechselschalters 2 verbindet. Das Sensorelement umfasst ferner eine Photodiode PD, wobei deren Kathode mit einem bekannten Bezugspegel, beispielsweise Masse, verbunden ist. Die Anode der Photodiode ist mit der Ausgabeelektronik und dem Kondensator C an einem Knoten N&sub1; verbunden. In dem in Fig. 1 gezeigten Fall ist die Ausgabeelektronik aus einem Komparator 3 mit zwei kaskadierenden Feldeffekttransistoren FET und einem Rücksetzschalter 4 in der Form eines Feldeffekttransistors FET aufgebaut.
  • Mit der möglichen Verbindung mit zwei unterschiedlichen, in der Figur gezeigten Spannungspegeln, kann eine Kompensation eines Offsetfehlers in dem Komparator in dem Sensorelement erreicht werden. Bei einer ersten Kompensationsstufe wird der Rücksetzschalter 4 geschlossen und die Kompensationsspannung 14 zugeschaltet. Die Ladung in dem Knoten N&sub1; wird durch den Offset des Komparators 3 bestimmt. Sobald der Kondensator C mit der Kompensationsspannung geladen wurde, kann Bildinformation von dem Sensorelement aufgenommen werden. Bevor die Eingabe der Bildinformation beginnt, wird die Kompensationsspannung Uth abgeschaltet und die Bezugsspannung Uref zugeschaltet. Die Ladung im Knoten N1 wird im Verhältnis zu der Differenz zwischen der Bezugsspannung Uref und der Kompensationsspannung Uth verändert, wobei die Differenz durch die Auswahl der Bezugsspannung und der Kompensationsspannung genau bestimmt werden kann. Wenn die Photodiode beleuchtet wird, wird diese im Verhältnis zu der Lichtintensität entladen. Die Entladezeit des Kondensators hängt von dem Strom durch den Kondensator ab, und sobald die Kompensation durchgeführt wurde, wird sie nur von der Genauigkeit des Kondensators C und der Photodiode PD abhängen. Da der Kondensator C ein passives Element bildet, können die Abweichungen zwischen Kondensatoren in unterschiedlichen Sensorelementen minimiert werden.
  • Fig. 2 zeigt eine zweite Ausführungsform eines Sensorelements gemäß der Erfindung. Dieses Sensorelement unterscheidet sich von dem in Fig. 1 gezeigten Sensorelement dadurch, dass eine Kompensationsspannung Uth und eine Bezugsspannung Uref direkt mit der photovoltaischen Zelle PD mittels eines Schalters S1 verbunden sind. Diese photovoltaische Zelle ist kapazitiv mittels eines Kondensators C mit der Ausgabeelektronik verbunden, die in diesem Fall aus einem Komparator 3 mit einem Rücksetzschalter 4 aufgebaut ist.
  • Bei einer ersten Kompensationsstufe wird die Kompensationsspannung Uth zugeschaltet, wodurch eine Startbedingung zum Laden in einem Knoten N&sub2; eingestellt wird. Die Kompensationsspannung Uth wird durch Schließen eines ersten Wechselschalters 1 zugeschaltet. Nachdem der Knoten N&sub2; eine Startbedingung abhängig von der Kompensationsspannung erhalten hat, kann Bildinformation von dem Sensorelement aufgenommen werden. Bevor die Eingabe der Bildinformation beginnt, wird der Wechselschalter 1 geöffnet, so dass die Kompensationsspannung Uth abgeschaltet wird. Die Bezugsspannung Uref wird durch Schließen des Wechselschalters 2 und Schließen des Schalters S&sub1; für einen kurzen Intervall zugeschaltet. Die Spannung in N&sub1; wird von der Kompensationsspannung Uth in die Bezugsspannung Uref geändert. Diese Spannungsänderung wird von dem Kondensator C an N&sub2; übertragen. Wenn der Schalter S&sub1; geöffnet wird, wird die Ladung in dem Knoten N&sub1; durch den Photostrom durch die Photodiode entladen. Der Komparator 3 schaltet um, wenn die Spannung in N&sub1; zu der Kompensationsspannung Uth, zurückgekehrt ist. Die Entladezeit wird nur von der Photodiode PD beeinflusst.
  • Fig. 3 zeigt eine dritte Ausführungsform eines Sensorelementes gemäß der Erfindung. Das gezeigte Sensorelement umfasst einen Komparator 3 mit einem Rücksetzschalter 4 und einer Photodiode PD. Bei dieser Ausführungsform wird von den kapazitiven Merkmalen der Photodiode Gebrauch gemacht, die es möglich machen, den in Fig. 1 gezeigten Kondensator C zu eliminieren. Auf die gleiche Art und Weise wie bei der in Fig. 1 gezeigten Ausführungsform werden zwei unterschiedliche Spannungspegel verwendet, um die gewünschte Eliminierung der Offsetfehler im Komparator 3 zustande zu bringen. Bei einer ersten Kompensationsstufe wird der Rücksetzschalter 4 geschlossen und die Kompensationsspannung Uth zugeschaltet. Die Ladung im Knoten N&sub1; wird durch den Offset des Komparators bestimmt. Wenn die gewünschte Ladung in dem Knoten N&sub1; erreicht ist, wird die Kompensationsspannung Uth abgeschaltet und die Bezugsspannung Uref zugeschaltet. Der Rücksetzschalter 4 wird geöffnet, und es ist möglich, die Bildinformation einzugeben. Die Ladung im Knoten N&sub1; wird um ΔQ = (Uref-Uth)CPD korrigiert, wie bei der in Fig. 1 gezeigten Ausführungsform. Die Entladung, die durch die Beleuchtung der Photodiode erzeugt wird, hängt in diesem Fall nur von der Genauigkeit der Photodiode ab. Durch Verwenden der kapazitiven Merkmale der Photodiode kann der Kondensator C (gemäß Fig. 1) eliminiert werden, was vom Blickpunkt der Raumersparnis von Wert sein kann. Das Verfahren der gezeigten Offsetkompensation gibt jedoch, aufgrund der Tatsache, dass die Kapazität in der Photodiode nicht von der Spannung über der Diode unabhängig ist, keine derartige vollständige Offsetkompensation wie bei der in Fig. 1 gezeigten Ausführungsform.
  • Fig. 4 zeigt eine vierte Ausführungsform eines Sensorelements, das eine Kompensation des Offset ermöglicht. Das gezeigte Sensorelement umfasst einen Komparator 5 mit einem Rücksetzschalter 4a, 4b, einen Kondensator C und eine Photodiode PD. Der Komparator unterscheidet sich etwas von dem vorher in Verbindung mit Fig. 1 bis 3 beschriebenen Komparator 3, wobei jedoch das Problem mit dem Offsetfehler sogar für diese Art Komparator existiert. Bei einer ersten Kompensationsstufe in dem Sensorelement wird der Rücksetzschalter 4a, 4b geschlossen und die Kompensationsspannung Uth zugeschaltet. Die Ladung in den Knoten N&sub1; und N&sub2; wird durch den Umschaltpunkt des Komparators 5 bestimmt. Die Kompensationsspannung Uth wird dann abgeschaltet und die Bezugsspannung Uref zugeschaltet. Der Rücksetzschalter wird geöffnet, und es ist möglich, die Bildinformation einzugeben. Die Ladung im Knoten N&sub2; wird um (Uref-Uth)C korrigiert. Damit der Zustand des Komparators geändert werden kann, muss eine gleich große Änderung an dem zweiten Eingang des Komparators im Knoten N&sub1; stattfinden. Diese Änderung wird von dem Strom durch die Photodiode PD gesteuert und wird infolge der gezeigten Kompensation nicht von irgendeinem Offsetfehler in dem Komparator 5 beeinflusst.
  • Fig. 5 zeigt eine weitere Ausführungsform eines Sensorelements mit lokaler Kompensation des Offset. Bei dem gezeigten Sensorelement wird eine Art des Komparators 5 verwendet, der der in Fig. 4 gezeigten Ausführungsform ähnlich ist. Zusätzlich zu dem Komparator 5 umfasst das Sensorelement einen Rücksetzschalter 6, einen Kondensator C und eine Photodiode PD. Eine erste Kompensationsstufe wird in dem Sensorelement, wie es für vorhergehende Ausführungsformen beschrieben ist, durch die Zuschaltung einer Kompensationsspannung Uth durchgeführt. Bei einer Eingangsstufe wird der Rücksetzschalter 6 geöffnet und die Bezugsspannung Uref für einen kurzen Intervall zugeschaltet. Bei diesem Moment wird die Ladung im Knoten N&sub1; um (Uref-Uth)CNI korrigiert, wobei CN1 die Gesamtkapazität im Knoten N&sub1; ist, die im wesentlichen von der Kapazität der Photodiode PD abhängt. Die Entladungszeit hängt in diesem Fall von der Genauigkeit der Photodiode ab.
  • Schließlich wird bei dem in Fig. 6 gezeigten Sensorelement ein Photowiderstand R&sub2; zum Umwandeln der optischen Information in ein elektrisches Signal verwendet. Bei einer Kompensationsstufe wird ein Rücksetzschalter 2 geschlossen und eine Bezugsspannung Uref zugeschaltet. Die Ladung im Knoten N&sub1; wird durch den Umschaltpunkt des Komparators, d. h. seinem Offset, bestimmt. Bei einer Bildinformations-Eingangsstufe wird der Rücksetzschalter geöffnet und Uref abgeschaltet. Die Ladung im Knoten N&sub1; wird als eine Funktion der Spannungsteilung zwischen den Widerständen R&sub1; und R&sub2; korrigiert. Der Komparator schaltet als eine Funktion der Polarität der Ladung um.
  • Die oben beschriebenen Ausführungsformen stellen einige Beispiele von Sensorelementen mit lokaler Offsetkompensation dar. Die Erfindung ist jedoch nicht auf diese beschriebenen Ausführungsformen begrenzt; andere Sensorelemente mit lokaler Offsetkompensation sind ebenfalls innerhalb des Schutzumfangs der Idee der Erfindung möglich.

Claims (3)

1. Vorrichtung für die Eingabe und Verarbeitung von Bildinformation, gekennzeichnet durch die Kombination von in Matrixform angeordneter Sensorelemente, die einstückig auf einem Substrat ausgebildet sind und die jeweils Ausgabeelektronik (3, 5) umfassen, die einen Komparator und mindestens eine photovoltaische Zelle (PD, R&sub2;) umfasst, die angepasst ist, um ein auf die photovoltaische Zelle einfallendes optisches Signal in ein elektrisches Signal umzuwandeln, wobei
- jedes Sensorelement angepasst ist, um eine Kompensation eines Offsetfehlers in der Ausgabeelektronik (3, 5) durchzuführen, die ein Teil des Sensorelements bildet,
- jedes Sensorelement angepasst ist, um die Offsetkompensation unabhängig von den anderen Sensorelementen in der Vorrichtung mittels einer korrelierten Doppelabtastung durchzuführen.
2. Vorrichtung gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Sensorelement zur korrelierten Doppelabtastung eines bekannten und eines unbekannten Werts angepasst ist, die voneinander zum Eliminieren des Offset subtrahiert werden.
3. Vorrichtung gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Sensorelement zwei Wechselschalter (1, 2) umfasst, die angepasst sind, um die Verbindung von zwei unterschiedlichen Bezugsspannungen (Uth, Uref) mit dem Sensorelement zu steuern.
DE69627033T 1995-06-07 1996-06-03 Gerät zum lesen und zur bildinformationsverarbeitung Expired - Lifetime DE69627033T2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE9502063A SE504047C2 (sv) 1995-06-07 1995-06-07 Anordning för inläsning och behandling av bildinformation
PCT/SE1996/000728 WO1996041464A1 (en) 1995-06-07 1996-06-03 Apparatus for reading and processing image information

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69627033D1 DE69627033D1 (de) 2003-04-30
DE69627033T2 true DE69627033T2 (de) 2003-10-16

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Family Applications (1)

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JP (1) JPH11506285A (de)
KR (1) KR19990021911A (de)
CN (1) CN1186584A (de)
AT (1) ATE235777T1 (de)
AU (1) AU700050B2 (de)
BR (1) BR9608573A (de)
CA (1) CA2223406A1 (de)
DE (1) DE69627033T2 (de)
IL (1) IL122322A (de)
SE (1) SE504047C2 (de)
WO (1) WO1996041464A1 (de)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6587142B1 (en) * 1998-09-09 2003-07-01 Pictos Technologies, Inc. Low-noise active-pixel sensor for imaging arrays with high speed row reset
US6532040B1 (en) 1998-09-09 2003-03-11 Pictos Technologies, Inc. Low-noise active-pixel sensor for imaging arrays with high speed row reset
KR200164315Y1 (ko) * 1999-07-12 2000-02-15 주식회사인포웨이브코리아 자연광을이용한문자입력장치
US6424375B1 (en) * 1999-09-21 2002-07-23 Pixel Devices, International Low noise active reset readout for image sensors
KR100355146B1 (ko) * 2000-12-05 2002-10-11 세빛아이에스 주식회사 씨모스 이미지 센서
US8836626B2 (en) * 2011-07-15 2014-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
CN108605083B (zh) * 2016-01-26 2020-09-15 富士胶片株式会社 摄像装置及图像数据生成方法
CN109167770B (zh) * 2018-08-21 2021-02-09 北京小米移动软件有限公司 输出联网认证信息的方法、联网方法、装置及存储介质

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4313067A (en) 1979-07-16 1982-01-26 Miles Laboratories, Inc. Sensor-integrator system
JPS56159621A (en) 1980-05-13 1981-12-09 Morris Shashin Kogyo Kk Photometric circuit
JPH0669049B2 (ja) * 1984-08-20 1994-08-31 株式会社東芝 Ccd出力信号処理回路
JPH01106677A (ja) 1987-10-20 1989-04-24 Sony Corp 電荷転送素子の出力回路
US5086344A (en) 1990-05-11 1992-02-04 Eastman Kodak Company Digital correlated double sampling circuit for sampling the output of an image sensor
JPH04286464A (ja) * 1991-03-15 1992-10-12 Rohm Co Ltd イメージセンサの出力回路
DE59104717D1 (de) 1991-08-26 1995-03-30 Gretag Imaging Ag Verfahren und Vorrichtung zur Messung kleiner Lichtmengen.
JP2965777B2 (ja) * 1992-01-29 1999-10-18 オリンパス光学工業株式会社 固体撮像装置
US5631704A (en) * 1994-10-14 1997-05-20 Lucent Technologies, Inc. Active pixel sensor and imaging system having differential mode
US5576763A (en) * 1994-11-22 1996-11-19 Lucent Technologies Inc. Single-polysilicon CMOS active pixel
US5633679A (en) * 1995-05-19 1997-05-27 Xerox Corporation Photosensitive chip having transfer circuits which compensate for shielded test photosensors
US6115066A (en) * 1997-06-12 2000-09-05 International Business Machines Corporation Image sensor with direct digital correlated sampling

Also Published As

Publication number Publication date
JPH11506285A (ja) 1999-06-02
US6313876B1 (en) 2001-11-06
CN1186584A (zh) 1998-07-01
MX9709441A (es) 1998-06-28
IL122322A (en) 2001-03-19
SE9502063D0 (sv) 1995-06-07
DE69627033D1 (de) 2003-04-30
AU6020696A (en) 1996-12-30
SE9502063L (sv) 1996-10-28
EP0880851A1 (de) 1998-12-02
WO1996041464A1 (en) 1996-12-19
BR9608573A (pt) 1999-08-24
IL122322A0 (en) 1998-04-05
SE504047C2 (sv) 1996-10-28
EP0880851B1 (de) 2003-03-26
CA2223406A1 (en) 1996-12-19
KR19990021911A (ko) 1999-03-25
AU700050B2 (en) 1998-12-17
ATE235777T1 (de) 2003-04-15

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