DE69531980T2 - Metallisierung von keramischen Materialien durch Auftrag einer haftenden reduzierbaren Schicht - Google Patents
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Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Bauelements mit einem leitenden Gebiet.
- Die Oberflächenmetallisierung, insbesondere die strukturierte Metallisierung, von Keramiksubstratmaterialien ist für viele elektrische Anwendungen wichtig, wie etwa für Induktionsspulen (z. B. magnetische Ferrite), Kondensatoren und piezoelektrische Bauelemente (z. B. Titanatkeramiken) und Substrate für hybride integrierte Schaltungen (HIC) (z. B. Aluminiumoxid). Die Haftung der metallisierten Schicht an der Keramik ist für die Sicherstellung der Zuverlässigkeit und hohen Leistung bei den sich ergebenden Bauelementen kritisch.
- Keramikmetallisierungsprozesse fallen allgemein in drei Kategorien: Dünnfilmtechnik, Dickfilmtechnik und gemeinsames Brennen. Bei dem Dünnfilmansatz wird über Vakuumprozesse wie etwa Sputtern, Aufdampfen, chemische Dampfabscheidung und Laserabtrag eine dünne Metallschicht abgeschieden. Oftmals werden auch stromloses und elektrolytisches Plattieren in die Dünnfilmkategorie gruppiert. Zur Verbesserung der Haftung wird oftmals eine vorläufige Haftungsunterstützungsschicht wie etwa Chrom oder Titan abgeschieden.
- Bei Dickfilmverfahren werden Metallpasten, in der Regel mit Glasfritten und organischen Bindemitteln gemischte Metallpulver, auf Keramiksubstrate gedruckt. Die bedruckten Substrate werden gebrannt, um auf der Keramik leitende Wege auszubilden. Bei dem Ansatz des gemeinsamen Brennens werden ungebrannte „grüne" Keramikoberflächen mit strukturierten Linien aus Metallpaste beschichtet. Die bedruckte ungebrannte Keramik wird gebrannt, um sowohl das Material zu sintern als auch die leitenden Metallstrukturen auszubilden.
- Diese Prozesse weisen verschiedene Nachteile auf. Dünnfilmtechniken wie etwa das Sputtern und die Elektronenstrahlverdampfung erfordern Vakuumabscheidungsgeräte. Dickfilmverfahren und das gemeinsame Brennen verwenden allgemein Edelmetalle wie etwa Silber und/oder Palladium. Die Bearbeitung bei hohen Temperaturen verursacht Abmessungsänderungen und kann aufgrund der verschiedenen Wärmeausdehnungskoeffizienten für unterschiedliches Material enthaltende bedruckte Substrate mechanische Spannungen erzeugen.
- Als Alternative zu den obigen Techniken kann die Oberfläche eines Keramiksubstrats metallisiert werden, indem sie einem gasförmigen reduzierenden Mittel wie etwa einer wasserstoffhaltigen Gasmischung ausgesetzt wird. Wenngleich dieses Verfahren haftende metallisierte Gebiete liefert, muß das Keramiksubstrat selbst zur Reduktion bei annehmbaren Temperaturen in der Lage sein, wodurch die Auswahl des Substratmaterials begrenzt wird.
- Angesichts der Schwierigkeiten, die mit herkömmlichen Metallisierungsprozessen verbunden sind, besteht in der Technik ein Bedarf an einfachen Niedertemperaturprozessen zur Herstellung leitender Wege auf Keramiksubstraten, und zwar bevorzugt, ohne daß weiter eine leitende Schicht plattiert werden muß. Insbesondere besteht in der Technik ein Bedarf daran, eine haftende Metallisierung auf Ferritkeramiken herzustellen, um Schaltungselemente und magnetische Komponentenelemente für elektrische Bauelemente zu definieren.
- Aus dem US-Patent Nr. 4,714,570 ist bekannt, auf einem Keramiksubstrat einen Leiter auszubilden, indem eine CuO-Pulver und eine geringe Menge eines weiteren Oxids umfassende Paste abgeschieden wird. Beispiel 1 beschreibt das Abscheiden einer Paste, die CuO und eine kleine Menge Aluminiumoxid enthält, auf einem Aluminiumoxidsubstrat.
- Gemäß der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren wie in Anspruch 1 definiert bereitgestellt.
- Die vorliegende Erfindung stellt ein verbessertes Verfahren zur Herstellung elektrischer Bauelemente bereit. Das Verfahren umfaßt das Bereitstellen eines Keramiksubstrats und das Abscheiden einer Schicht aus einem reduzierbaren Material auf dem Keramiksubstrat. Die Schicht aus reduzierbarem Material enthält eine reduzierbare Keramik wie etwa Kupferoxid. Das Keramiksubstrat mit der darauf angeordneten Schicht aus reduzierbarem Material wird erhitzt und das reduzierbare Material wird mit einem reduzierenden Mittel kontaktiert, um ein leitendes Gebiet zu erzeugen. Das leitende Gebiet ist entweder ein durch Reduktion ausgebildetes metallisiertes Gebiet oder eine durch Oberflächenreduktion ausgebildete leitende Keramik. Nach der Reduktionsbehandlung wird das Keramiksubstrat abgekühlt.
- Ein elektrisches Bauelement kann einen metallisierten Keramikteil aufweisen, der ein Keramiksubstrat mit einer darauf angeordneten metallisierten Schicht umfaßt. Die metallisierte Schicht umfaßt Keramikgebiete, die mindestens einen Bestandteil mit dem Keramiksubstrat gemeinsam haben. Das Keramiksubstrat und die Keramikgebiete der metallisierten Schicht werden zusammengesintert, so daß das metallisierte Gebiet zwischen den gesinterten Keramikgebieten verteilt ist. Auf diese Weise wird das i Metall durch das Vorliegen der gebondeten Keramik in der metallisierten Schicht fest am Keramiksubstrat gehalten.
- Kurze Beschreibung der Zeichnungen
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1A ist eine schematische Querschnittsansicht eines Keramiksubstrats, das mit einer strukturierten Schicht aus einem reduzierbaren Material beschichtet i ist. -
1B ist eine schematische Querschnittsansicht eines Keramiksubstrats, das mit einer strukturierten Schicht aus einem reduzierbaren Material beschichtet ist. -
2A ist eine schematische Querschnittsansicht einer mehrschichtigen Keramikstruktur mit auf zwei Außenflächen aufgetragenem reduzierbarem Material. -
2B ist eine schematische Querschnittsansicht einer mehrschichtigen Keramikstruktur mit einem reduzierbaren Material, aufgetragen auf einer Oberfläche, in einem Durchgangsloch und in inneren i Schichten. -
3 ist eine schematische Querschnittsansicht einer haftenden Metallisierungsstruktur nach einer Reduktionsbehandlung. -
4 ist eine Perspektivansicht einer Ferritinduktionsspule mit einem schraubenförmigen Induktionsspulenweg. - Ausführliche Beschreibung
- Nunmehr unter näherer Bezugnahme auf die Zeichnungen zeigt
1A eine Keramikstruktur10 , die ein Keramiksubstrat20 mit einer darauf angeordneten strukturierten Schicht30 aus reduzierbarem Material umfaßt. Der Ausdruck „Substrat" wie er hier verwendet wird, schließt alle Schichten aus Keramikmaterial ein, die das reduzierbare Material der vorliegenden Erfindung tragen. Der Ausdruck „Substrat" als solches beinhaltet beispielsweise Schaltungssubstrate einzelne Schichten von Schaltungssubstraten, Keramikbausteine und keramische Bauelemente (z. B. magnetische Komponentenkernmaterialien, piezoelektrische Komponententeile). Das Keramiksubstrat20 enthält zusätzlich zu der Schicht30 aus reduzierbarem Material wahlweise zuvor metallisierte Gebiete oder Schaltungskomponenten. Das Keramiksubstrat20 ist unter keramischen Mehrkomponentenferriten ausgewählt (z. B. Nickel-Zink-Ferrite und Mangan-Zink-Ferrite). Das Keramiksubstrat wird entweder im gesinterten oder im ungesinterten „ungebrannten" Zustand bereitgestellt. - Die Schicht
30 aus reduzierbarem Material wird in der Regel in Form einer Aufschlämmung aufgetragen, und zwar durch beliebige bekannte Techniken, einschließlich beispielsweise Siebdruck, Sprühbeschichtung durch eine Maske und Aufschlämmungstintenschreiben. Die Schicht ist nach der Abscheidung in der Größenordnung von 0,001 bis 0,050 Zoll dick. Während1A die Schicht30 als eine strukturierte Schicht darstellt, kann die Schicht aus reduzierbarem Material wahlweise als eine durchgehende Schicht auf dem Substrat20 ausgebildet werden. Zusätzlich zu dem reduzierbaren Material kann auf einem Teil der Substratoberfläche auch eine metallhaltige Paste gedruckt werden. Dies ist besonders für Schichten wünschenswert, die in einer mehrschichtigen Struktur vergraben werden sollen, wo die Reduktion möglicherweise nicht immer zweckmäßig ist. - Das reduzierbare Material
30 wird in der Regel auf der Oberfläche des Keramiksubstrats20 abgeschieden. Das reduzierbare Material30 wird alternativ, wie in1B dargestellt, in vertieften Teilen22 des Substrats20 abgeschieden. Derartige vertiefte Teile werden bei einer beispielhaften Ausführungsform durch eine mehrschichtige Keramikverarbeitung ausgebildet, indem mit Löchern versehene Keramikschichten entsprechend dem vertieften Teil22 ausgebildet und diese Schichten im ungebrannten Zustand mit durchgehenden Keramikschichten laminiert werden, um das Substrat herzustellen. Die Konfiguration von18 führt vorteilhafterweise zu einem metallisierten Substrat mit einer flachen Oberfläche. - Wie in
2A dargestellt, wird eine Konfiguration reduzierbaren Materials zum Ausbilden mehrschichtiger Keramikstrukturen verwendet. In2A erzeugt das reduzierbare Material30 strukturierte Außenflächen. Die Struktur von2A wird ausgebildet, indem zwei Substratschichten20 laminiert werden. Wie in2B gezeigt, erzeugt das Laminieren mehrerer Schichten komplexere mehrschichtige Keramikstrukturen. Bei der Struktur von2B wird durch das Beschichten des Inneren der Öffnung32 mit einem reduzierbaren Material30 ein leitender Durchgangslochweg34 hergestellt. Vergrabene Leiter36 werden hergestellt, indem Oberflächenstrukturen aus dem reduzierbaren Material oder aus leitenden Metallpasten ausgebildet werden. Nach dem Laminieren einzelner strukturierter Schichten bleiben Lücken38 zurück, durch die gasförmige reduzierende Mittel durch die mehrschichtige Struktur hindurchdringen können. Die Keramikstrukturen der2A und2B können gemäß Techniken zur mehrschichtigen Keramikverarbeitung konstruiert werden, wie etwa diejenigen des US-Patents Nr. 5,239,744. - Das reduzierbare Material wird allgemein als eine Aufschlämmung ausgebildet, die reduzierbares Keramikpulver, Bindemittel und Trägerflüssigkeit umfaßt. Das reduzierbare Keramikpulver umfaßt ein Keramikmaterial, in der Regel ein Oxid, das bevorzugt über dem Material des Keramiksubstrats reduziert werden kann. Zu beispielhaften reduzierbaren Keramikpulvern zählen Kupferoxide wie etwa CuO und Nickeloxide wie etwa NiO. Kupferoxid enthaltende Aufschlämmungen auf Aluminiumoxidsubstraten sind beispielhafte Systeme aus reduzierbarem Material und Substrät. Das reduzierbare Material kann auch auf mehrere Komponenten enthaltenden Keramikmaterialien (z. B. binär, ternär oder höhere Ordnung) ausgebildet werden, bei denen ein oder mehrere Bestandteile reduziert werden können. Obwohl die reduzierbare Schicht allgemein eine Keramikaufschlämmung mit einem reduzierbaren Material ist, wird angemerkt, daß jedes Material, das bevorzugt über dem Keramiksubstrat reduziert werden kann, in jeder zweckmäßigen Form als Schicht
30 aufgetragen werden kann. - Zur Verbesserung der Haftung der Schicht
30 am Keramiksubstrat20 wird eine gemischte Keramikaufschlämmung verwendet, die sowohl das reduzierbare Keramikpulver als auch ein nicht-reduzierbares Keramikpulver umfaßt. Unter „nicht-reduzierbar" wird verstanden, daß das Pulver im wesentlichen als Keramik (ungefähr über 90 Volumen-%) zurückbleibt, wenn das reduzierbare Keramikpulver für eine gegebene Temperatur und Zeit zu Metall oder zu einer leitenden Keramik (etwa über 50 Volumen-%) reduziert wird. Zur weiteren Verbesserung der Haftung der Schicht 30 am Substrat wird das nichtreduzierbare Keramikpulver so ausgewählt, daß es mindestens eine Komponente der Substratkeramik enthält. Falls beispielsweise ein Aluminiumoxidsubstrat metallisiert werden soll, wird die Schicht aus reduzierbarem Material aus einer Aufschlämmung ausgebildet, die sowohl Al2O3-Pulver als auch ein reduzierbares Keramikpulver wie etwa NiO oder CuO enthält. Wenn ein mehrere Komponenten enthaltendes Keramiksubstrat wie etwa Nickel-Zink-Ferrit verwendet wird, enthält das reduzierbare Material zusätzlich zu dem reduzierbaren Keramikpulver entweder das Nickel-Zink-Ferritpulver selbst oder eine beliebige Kombination der Bestandteile: Fe2O3, NiO und ZnO. - Die Menge an in der reduzierbaren Schicht 30 eingesetztem nicht-reduzierbarem Keramikpulver wird durch Senken der Menge reduzierbaren Keramikpulvers eingestellt. Wenn man in der Schicht
30 eine hohe Leitfähigkeit herstellen will, wird ein größeres Volumen an reduzierbarem Keramikpulver eingesetzt, während für eine verbesserte Haftung ein höheres Volumen an nicht-reduzierbarer Keramik verwendet wird. Falls weiterhin auf der Schicht30 eine Metallschicht mit hoher Leitfähigkeit wie etwa Kupfer oder Nickel abgeschieden werden soll, können größere Mengen an nicht-reduzierbarem Keramikmaterial verwendet werden. Eine beispielhafte Menge an in der Schicht30 verwendeter nicht-reduzierbarer Keramik liegt im Bereich zwischen 5–70 Volumen-%, in der Regel 20–50 Volumen-%. - Indem eine Aufschlämmung verwendet wird, die ein nichtreduzierbares Keramikmaterial, insbesondere ein Substratkomponentenmaterial, enthält, wird die Schicht
30 durch Affinität des Substratkomponentenmaterials für das Substrat mit mehr Haftung mit dem Substrat verbunden. Die durch die gebrannte und reduzierte Aufschlämmungsschicht hergestellte Struktur enthält an das Substratmaterial gesinterte Keramikgebiete, wobei zwischen den gesinterten Keramikgebieten metallisierte Gebiete verteilt sind. Das Metall wird durch das Vorliegen verbundener Keramikgebiete mit unregelmäßiger Konfiguration fest an dem Substrat gehalten, wodurch ein großer Oberflächeninhalt für die Metallhaftung bereitgestellt wird. - Die Verwendung eines nicht-reduzierbaren Keramikpulvers mit einer Zusammensetzung, die gleich der des Substrats oder dieser ähnlich ist, ist besonders vorteilhaft, da die Gefahr, daß beispielsweise durch Interdiffusion der Schichten beim Erhitzen die Substratzusammensetzung beeinflußt wird, minimal ist. Außerdem werden für derartige Schichtkombinationen mechanische Spannungen aufgrund unterschiedlicher Wärmeausdehnungskoeffizienten für verschiedene Materialien minimiert.
- Nach dem Abscheiden der Schicht
30 wird die Keramikstruktur10 erhitzt. Wenn die Schicht30 aus einer Aufschlämmung ausgebildet wird, werden durch das Erhitzen die Keramikpulver teilweise oder ganz gesintert. Das Erhitzen wird allgemein bei einer Temperatur ausgeführt, die über einer homologen Temperatur von etwa 0,7 der Schmelztemperatur des Keramiksubstratmaterials liegt. Unter „homologer Schmelztemperatur" wird die Schmelztemperatur des Keramikmaterials in Kelvin verstanden. Bei vielen, in elektronischen Anwendungen verwendeten Keramikmaterialien entspricht dies einem Bereich von etwa 800–1600°C. Wenn das Substrat20 im ungebrannten Zustand bereitgestellt wird und die Schicht30 eine Keramikaufschlämmung ist, sollte der Sinterungsgrad ausreichen, um das Substrat und die Schicht30 zu verdichten, aber nicht ausreichen, um ein übermäßiges Vermischen der Schicht30 und des Substrats20 zu bewirken. Die Sinterzeiten werden experimentell bestimmt, da sie von den Prozeßbedingungen (z. B. Temperatur) und Materialkombinationen der Schichten20 und30 sowie der Teilchengröße, dem Volumenanteil an Bindemittel und anderen Materialeigenschaften des Substrats und der Schicht aus reduzierbarem Material abhängen. - Der Sinterungsprozeß verbindet die Keramikaufschlämmungsschicht
30 mit dem Keramiksubstrat20 . Damit die Schicht30 leitend wird, wird eine Reduktionsbehandlung vorgenommen, indem die Schicht30 mit einem gasförmigen reduzierenden Mittel kontaktiert wird. Beispielhafte reduzierende Mittel sind gasförmige reduzierende Mittel einschließlich beispielsweise Wasserstoff, Formiergas (eine Mischung aus Wasserstoff und Stickstoff oder Wasserstoff und einem inerten Gas), Ammoniak, Mischungen aus Wasserstoff und H2O, und Mischungen aus Kohlenmonoxid und Kohlendioxid. Durch die Verwendung der letzten beiden Mischungen kann der Partialdruck des Sauerstoffs (nach Entfernung von der Schicht aus reduzierbarem Material) präzise geregelt werden, was eine stärkere Steuerung des Reduktionsprozesses ermöglicht. - Das reduzierbare Material wird je nach dem für die Schicht aus reduzierbarem Material ausgewählten Material und die Bedingungen der reduzierenden Behandlung entweder durch Umwandlung zu Metall oder zu einem leitenden nicht metallischen Material wie etwa einer leitenden Keramik leitend.
- Da unterschiedliche Materialien in verschiedenen reduzierenden Umgebungen eine Reduktion mit unterschiedlicher Thermodynamik und Kinetik aufweisen, werden die Zeit, die Temperatur und die Zusammensetzung des reduzierenden Mittels experimentell bestimmt. Wenn die Schicht
30 aus Keramikaufschlämmung auf einem Ni0,9Zn0,6Fe2,0O4-Substrat ausgebildet wird, wobei CuO als das reduzierbare Material mit Nickel-Zink-Ferrit (NiO, Fe2O3 und ZnO) als die Substratkomponentenmaterialien verwendet werden, genügt eine Reduktionsbehandlung in strömendem Wasserstoff bei 250–300°C über 0,5 bis 2 Stunden, um das CuO wesentlich zu metallischem Kupfer zu reduzieren. Da die Reduktionsgeschwindigkeit des Nickel-Zink-Ferrits viel niedriger liegt, werden das Material zur Förderung der Haftung des Nickel-Zink-Ferrits und das Nickel-Zink-Ferritsubstrat, an das es gesintert wird, im wesentlichen nicht beeinflußt. Die Reduktion wird ausgeführt, bis die Schicht30 einen spezifischen elektrischen Widerstand unter 5000 Mikro-Ohm-cm aufweist, wobei spezifische Widerstände unter 200 Mikro-Ohm-cm und unter 10 Mikro-Ohm-cm beispielhaft sind. Die spezifische Leitfähigkeit der Schicht nach Reduzierung kann ausreichend hoch eingestellt werden, daß sie als Schaltungsmetallisierung verwendet werden kann, ohne daß leitende Metalle weiter plattiert werden müßten. -
3 zeigt schematisch die aus der CuO-Nickel-Zink-Ferritaufschlämmung-/Nickel-Zink-Ferritkeramikstruktur nach der Wasserstoffreduktion ausgebildete metallisierte Struktur. In der Schicht30 befinden sich Gebiete40 aus gesintertem Nickel-Zink-Ferrit, von denen Teile an das Nickel-Zink-Ferritsubstrat20 gesintert sind. Die Gebiete42 sind durch die Reduktion von CuO ausgebildetes Kupfermetall. Die durch gesinterte Nickel-Zink-Ferritgebiete40 bereitgestellten unregelmäßigen Oberflächen liefern eine Unterstruktur, damit die Kupfergebiete42 fest am Substrat30 haften. - Nach der Reduktionsbehandlung wird auf der Schicht
30 wahlweise eine weitere Schicht der Metallplattierung vorgenommen. Dies ist besonders wünschenswert, wenn der Reduktionsprozeß verwendet wurde, um die Schicht30 leitend zu machen, er aber das reduzierbare Material nicht vollständig metallisiert hat. Die Metallplattierung ist außerdem wünschenswert, wenn als die reduzierbare Keramik ein langsam reduzierendes Material verwendet wird oder wenn große Mengen Strom von der Metallisierung geleitet werden müssen. Bei diesem Metallplattierungsprozeß wird eine Schicht aus einem Metall mit hoher Leitfähigkeit wie etwa Kupfer oder Nickel abgeschieden, in3 als Schicht50 gezeigt. Da die Schicht30 durch die Reduktionsbehandlung leitend wird, kann eine Metallabscheidung unter Verwendung von Elektroplattierung vorgenommen werden. Es werden auch chemische Verfahren wie etwa die stromlose Abscheidung zur Ausbildung der Schicht50 verwendet. Bei der Metallplattierung können wahlweise einige Teile der Schicht30 durch entsprechende Techniken gegenüber einer Abscheidung blockiert werden. - Die Prozesse der vorliegenden Erfindung werden bei der Ausbildung einer Vielzahl elektrischer Bauelemente verwendet. Beispielhafte Anwendungen sind unter anderen Schaltungspfad-Metallisierung für planare und dreidimensionale Konfigurationen. Eine dreidimensionale Induktionsspulenmetallisierungsstruktur ist in
4 dargestellt. Die Induktionsspule60 ist aus einer spiralförmigen Wicklung mit einem oberen und unteren Wicklungsteil62 und66 und seitlichen Wicklungsteilen64 ausgebildet. Die spiralförmige Wicklung umgibt einen Teil des Ferritsubstrats70 , der als der Induktionsspulenkern wirkt. Eine CuO/Ferrit-Aufschlämmung wird verwendet, um die spiralförmige Wicklung durch Siebdruck, Sprühbeschichtung durch eine Maske oder Tintenschreiben auf jede der vier Seiten auszubilden, um die Spulenteile auszubilden. - Die erfindungsgemäßen Verfahren können auch dazu verwendet werden, eine Ferritleistungsmodulstruktur auszubilden, wobei das Ferritsubstrat zusätzlich dazu, daß es den Kern für magnetische Komponenten wie etwa Induktionsspulen und Transformatoren bildet, als ein Substrat für andere Schaltungselemente eines Leistungsmoduls wirkt, wodurch das Profil des Bauelements wesentlich reduziert wird.
Claims (6)
- Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Bauelements mit einem leitenden Gebiet, mit den folgenden Schritten: Bereitstellen eines Keramiksubstrats; Abscheiden einer Schicht auf dem Keramiksubstrat, wobei die Schicht aus einem reduzierbaren Keramikpulver und einem nicht-reduzierbaren Keramikpulver mit mindestens einer Komponente besteht, die gleich einer Komponente des Substrats oder dieser ähnlich ist; Erhitzen des Keramiksubstrats mit der darauf angeordneten Schicht; Kontaktieren der Schicht mit einem gasförmigen reduzierenden Mittel, so daß das reduzierbare Keramikpulver zu einem leitenden Material reduziert wird, und Kühlen des Keramiksubstrats, dadurch gekennzeichnet, daß das Keramiksubstrat ein Mehrkomponentenferrit und die Schicht
20 –50 Vol.-% einer nicht-reduzierbaren Keramik umfaßt, die das Ferrit oder eine Komponente davon umfaßt. - Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Zusammensetzung des nicht-reduzierbaren Pulvers gleich der Zusammensetzung des Substrats ist.
- Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat ein Mehrkomponentenkeramiksubstrat umfaßt, das Nickel-Zink-Ferrit enthält, und die nicht-reduzierbare Keramik Nickel-Zink-Ferritpulver oder mindestens Fe2O3, NiO oder ZnO enthält.
- Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das gasförmige reduzierende Mittel Wasserstoff enthält.
- Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß bei dem Schritt des Erhitzens des Keramiksubstrats vor dem Reduzieren des reduzierbaren Materials sowohl die das reduzierbare Material und das nicht-reduzierbare Material umfassende Schicht als auch das Substrat gleichzeitig gebrannt werden.
- Elektrisches Bauelement, das die gemäß dem Verfahren von Anspruch 1 bereitgestellte Struktur enthält.
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Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6143432A (en) * | 1998-01-09 | 2000-11-07 | L. Pierre deRochemont | Ceramic composites with improved interfacial properties and methods to make such composites |
US6323549B1 (en) * | 1996-08-29 | 2001-11-27 | L. Pierre deRochemont | Ceramic composite wiring structures for semiconductor devices and method of manufacture |
US6547934B2 (en) | 1998-05-18 | 2003-04-15 | Applied Materials, Inc. | Reduction of metal oxide in a dual frequency etch chamber |
US6297147B1 (en) | 1998-06-05 | 2001-10-02 | Applied Materials, Inc. | Plasma treatment for ex-situ contact fill |
US6355571B1 (en) * | 1998-11-17 | 2002-03-12 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reducing copper oxidation and contamination in a semiconductor device |
US20010049181A1 (en) | 1998-11-17 | 2001-12-06 | Sudha Rathi | Plasma treatment for cooper oxide reduction |
US7053002B2 (en) | 1998-12-04 | 2006-05-30 | Applied Materials, Inc | Plasma preclean with argon, helium, and hydrogen gases |
US6372301B1 (en) * | 1998-12-22 | 2002-04-16 | Applied Materials, Inc. | Method of improving adhesion of diffusion layers on fluorinated silicon dioxide |
TW487742B (en) * | 1999-05-10 | 2002-05-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electrode for PTC thermistor, manufacture thereof, and PTC thermistor |
US6821571B2 (en) * | 1999-06-18 | 2004-11-23 | Applied Materials Inc. | Plasma treatment to enhance adhesion and to minimize oxidation of carbon-containing layers |
ES2162566B1 (es) * | 1999-07-09 | 2003-12-16 | E Instr Galvanotecnico S L Pro | Procedimiento para metalizar productos ceramicos. |
US6794311B2 (en) | 2000-07-14 | 2004-09-21 | Applied Materials Inc. | Method and apparatus for treating low k dielectric layers to reduce diffusion |
US20020110700A1 (en) * | 2001-02-12 | 2002-08-15 | Hein Gerald F. | Process for forming decorative films and resulting products |
US6742248B2 (en) * | 2001-05-14 | 2004-06-01 | The Boeing Company | Method of forming a soldered electrical connection |
KR20040008093A (ko) * | 2002-07-17 | 2004-01-28 | 엔지케이 스파크 플러그 캄파니 리미티드 | 동 페이스트 및 그것을 이용한 배선기판 |
US20040018715A1 (en) * | 2002-07-25 | 2004-01-29 | Applied Materials, Inc. | Method of cleaning a surface of a material layer |
US20050233555A1 (en) * | 2004-04-19 | 2005-10-20 | Nagarajan Rajagopalan | Adhesion improvement for low k dielectrics to conductive materials |
US7229911B2 (en) * | 2004-04-19 | 2007-06-12 | Applied Materials, Inc. | Adhesion improvement for low k dielectrics to conductive materials |
JP2011097038A (ja) * | 2009-10-02 | 2011-05-12 | Ibiden Co Ltd | セラミック配線基板およびその製造方法 |
US10034707B2 (en) | 2014-12-30 | 2018-07-31 | Biosense Webster (Israel) Ltd. | Catheter with irrigated tip electrode with porous substrate and high density surface micro-electrodes |
WO2018092798A1 (ja) * | 2016-11-18 | 2018-05-24 | 矢崎総業株式会社 | 回路体形成方法及び回路体 |
JP6627734B2 (ja) * | 2016-12-14 | 2020-01-08 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品及びその製造方法 |
WO2019059017A1 (ja) * | 2017-09-20 | 2019-03-28 | 株式会社村田製作所 | セラミック基板の製造方法、セラミック基板、及び、モジュール |
TWI662872B (zh) * | 2018-01-26 | 2019-06-11 | 謝孟修 | 陶瓷電路板及其製法 |
RU193413U1 (ru) * | 2019-05-17 | 2019-10-29 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" | Керамическая плата силового модуля |
CN112369695A (zh) * | 2020-07-21 | 2021-02-19 | 湖北中烟工业有限责任公司 | 加热组件、其制备方法及加热不燃烧装置 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2993815A (en) * | 1959-05-25 | 1961-07-25 | Bell Telephone Labor Inc | Metallizing refractory substrates |
US3180756A (en) * | 1962-09-07 | 1965-04-27 | Robert E Cowan | Copper metallizing of alumina ceramics |
US4072771A (en) * | 1975-11-28 | 1978-02-07 | Bala Electronics Corporation | Copper thick film conductor |
US4172919A (en) * | 1977-04-22 | 1979-10-30 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Copper conductor compositions containing copper oxide and Bi2 O3 |
US4833004A (en) * | 1979-08-30 | 1989-05-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Structure of copper conductor and method of forming same |
US4323483A (en) * | 1979-11-08 | 1982-04-06 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Mixed oxide bonded copper conductor compositions |
US4436785A (en) * | 1982-03-08 | 1984-03-13 | Johnson Matthey Inc. | Silver-filled glass |
US4714570A (en) * | 1984-07-17 | 1987-12-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Conductor paste and method of manufacturing a multilayered ceramic body using the paste |
JPS62116779A (ja) * | 1985-11-13 | 1987-05-28 | Wakamatsu Netsuren Kk | 陶磁器のメツキ方法 |
EP0235682B2 (de) * | 1986-02-20 | 1997-11-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Gesinterter Körper aus Aluminiumnitrid mit leitender metallisierter Schicht |
US4883704A (en) * | 1987-03-30 | 1989-11-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Circuit substrate comprising nitride type ceramics, method for preparing it, and metallizing composition for use in it |
NL8801439A (nl) * | 1988-06-06 | 1990-01-02 | Philips Nv | Werkwijze voor het verbinden van een metaaloxide met een metaal. |
US5066620A (en) * | 1989-01-31 | 1991-11-19 | Asahi Glass Company Ltd. | Conductive paste compositions and ceramic substrates |
JPH02283682A (ja) * | 1989-04-24 | 1990-11-21 | Nippon Steel Corp | セラミックスのメタライズ方法 |
JPH03214716A (ja) * | 1990-01-19 | 1991-09-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電極の形成方法およびそれを用いた電子部品 |
US5239744A (en) | 1992-01-09 | 1993-08-31 | At&T Bell Laboratories | Method for making multilayer magnetic components |
JP3460727B2 (ja) * | 1992-08-12 | 2003-10-27 | 日本電信電話株式会社 | 酸素イオン導伝体及び固体燃料電池 |
JP3203442B2 (ja) * | 1992-12-18 | 2001-08-27 | 太平洋セメント株式会社 | 複合溶射材料および溶射皮膜とその製造方法 |
-
1995
- 1995-08-15 DE DE69531980T patent/DE69531980T2/de not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0698590B1 (de) | 2003-10-22 |
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US5725938A (en) | 1998-03-10 |
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