[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

DE69531980T2 - Metallisierung von keramischen Materialien durch Auftrag einer haftenden reduzierbaren Schicht - Google Patents

Metallisierung von keramischen Materialien durch Auftrag einer haftenden reduzierbaren Schicht Download PDF

Info

Publication number
DE69531980T2
DE69531980T2 DE69531980T DE69531980T DE69531980T2 DE 69531980 T2 DE69531980 T2 DE 69531980T2 DE 69531980 T DE69531980 T DE 69531980T DE 69531980 T DE69531980 T DE 69531980T DE 69531980 T2 DE69531980 T2 DE 69531980T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
ceramic
reducible
layer
substrate
component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE69531980T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69531980D1 (de
Inventor
Sungho Millington Jin
Henry Hon Berkeley Heights Law
Jr. David Wilfred Bedminster Johnson
Jr. John Spring Lake Thomson
Thomas Henry North Plainfield Tiefel
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AT&T Corp
Original Assignee
AT&T Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by AT&T Corp filed Critical AT&T Corp
Application granted granted Critical
Publication of DE69531980D1 publication Critical patent/DE69531980D1/de
Publication of DE69531980T2 publication Critical patent/DE69531980T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/009After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/45Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
    • C04B41/4505Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements characterised by the method of application
    • C04B41/455Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements characterised by the method of application the coating or impregnating process including a chemical conversion or reaction
    • C04B41/4558Coating or impregnating involving the chemical conversion of an already applied layer, e.g. obtaining an oxide layer by oxidising an applied metal layer
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/45Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
    • C04B41/50Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
    • C04B41/51Metallising, e.g. infiltration of sintered ceramic preforms with molten metal
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/45Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
    • C04B41/52Multiple coating or impregnating multiple coating or impregnating with the same composition or with compositions only differing in the concentration of the constituents, is classified as single coating or impregnation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/80After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
    • C04B41/81Coating or impregnation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/80After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
    • C04B41/81Coating or impregnation
    • C04B41/85Coating or impregnation with inorganic materials
    • C04B41/88Metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/80After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
    • C04B41/81Coating or impregnation
    • C04B41/89Coating or impregnation for obtaining at least two superposed coatings having different compositions
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/105Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by conversion of non-conductive material on or in the support into conductive material, e.g. by using an energy beam
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01Manufacture or treatment
    • H10N30/06Forming electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00Superconducting devices
    • H10N60/01Manufacture or treatment
    • H10N60/0268Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
    • H10N60/0744Manufacture or deposition of electrodes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2111/00Mortars, concrete or artificial stone or mixtures to prepare them, characterised by specific function, property or use
    • C04B2111/00474Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00
    • C04B2111/00844Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00 for electronic applications
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/901Printed circuit
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12007Component of composite having metal continuous phase interengaged with nonmetal continuous phase
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24926Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including ceramic, glass, porcelain or quartz layer

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Bauelements mit einem leitenden Gebiet.
  • Die Oberflächenmetallisierung, insbesondere die strukturierte Metallisierung, von Keramiksubstratmaterialien ist für viele elektrische Anwendungen wichtig, wie etwa für Induktionsspulen (z. B. magnetische Ferrite), Kondensatoren und piezoelektrische Bauelemente (z. B. Titanatkeramiken) und Substrate für hybride integrierte Schaltungen (HIC) (z. B. Aluminiumoxid). Die Haftung der metallisierten Schicht an der Keramik ist für die Sicherstellung der Zuverlässigkeit und hohen Leistung bei den sich ergebenden Bauelementen kritisch.
  • Keramikmetallisierungsprozesse fallen allgemein in drei Kategorien: Dünnfilmtechnik, Dickfilmtechnik und gemeinsames Brennen. Bei dem Dünnfilmansatz wird über Vakuumprozesse wie etwa Sputtern, Aufdampfen, chemische Dampfabscheidung und Laserabtrag eine dünne Metallschicht abgeschieden. Oftmals werden auch stromloses und elektrolytisches Plattieren in die Dünnfilmkategorie gruppiert. Zur Verbesserung der Haftung wird oftmals eine vorläufige Haftungsunterstützungsschicht wie etwa Chrom oder Titan abgeschieden.
  • Bei Dickfilmverfahren werden Metallpasten, in der Regel mit Glasfritten und organischen Bindemitteln gemischte Metallpulver, auf Keramiksubstrate gedruckt. Die bedruckten Substrate werden gebrannt, um auf der Keramik leitende Wege auszubilden. Bei dem Ansatz des gemeinsamen Brennens werden ungebrannte „grüne" Keramikoberflächen mit strukturierten Linien aus Metallpaste beschichtet. Die bedruckte ungebrannte Keramik wird gebrannt, um sowohl das Material zu sintern als auch die leitenden Metallstrukturen auszubilden.
  • Diese Prozesse weisen verschiedene Nachteile auf. Dünnfilmtechniken wie etwa das Sputtern und die Elektronenstrahlverdampfung erfordern Vakuumabscheidungsgeräte. Dickfilmverfahren und das gemeinsame Brennen verwenden allgemein Edelmetalle wie etwa Silber und/oder Palladium. Die Bearbeitung bei hohen Temperaturen verursacht Abmessungsänderungen und kann aufgrund der verschiedenen Wärmeausdehnungskoeffizienten für unterschiedliches Material enthaltende bedruckte Substrate mechanische Spannungen erzeugen.
  • Als Alternative zu den obigen Techniken kann die Oberfläche eines Keramiksubstrats metallisiert werden, indem sie einem gasförmigen reduzierenden Mittel wie etwa einer wasserstoffhaltigen Gasmischung ausgesetzt wird. Wenngleich dieses Verfahren haftende metallisierte Gebiete liefert, muß das Keramiksubstrat selbst zur Reduktion bei annehmbaren Temperaturen in der Lage sein, wodurch die Auswahl des Substratmaterials begrenzt wird.
  • Angesichts der Schwierigkeiten, die mit herkömmlichen Metallisierungsprozessen verbunden sind, besteht in der Technik ein Bedarf an einfachen Niedertemperaturprozessen zur Herstellung leitender Wege auf Keramiksubstraten, und zwar bevorzugt, ohne daß weiter eine leitende Schicht plattiert werden muß. Insbesondere besteht in der Technik ein Bedarf daran, eine haftende Metallisierung auf Ferritkeramiken herzustellen, um Schaltungselemente und magnetische Komponentenelemente für elektrische Bauelemente zu definieren.
  • Aus dem US-Patent Nr. 4,714,570 ist bekannt, auf einem Keramiksubstrat einen Leiter auszubilden, indem eine CuO-Pulver und eine geringe Menge eines weiteren Oxids umfassende Paste abgeschieden wird. Beispiel 1 beschreibt das Abscheiden einer Paste, die CuO und eine kleine Menge Aluminiumoxid enthält, auf einem Aluminiumoxidsubstrat.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren wie in Anspruch 1 definiert bereitgestellt.
  • Die vorliegende Erfindung stellt ein verbessertes Verfahren zur Herstellung elektrischer Bauelemente bereit. Das Verfahren umfaßt das Bereitstellen eines Keramiksubstrats und das Abscheiden einer Schicht aus einem reduzierbaren Material auf dem Keramiksubstrat. Die Schicht aus reduzierbarem Material enthält eine reduzierbare Keramik wie etwa Kupferoxid. Das Keramiksubstrat mit der darauf angeordneten Schicht aus reduzierbarem Material wird erhitzt und das reduzierbare Material wird mit einem reduzierenden Mittel kontaktiert, um ein leitendes Gebiet zu erzeugen. Das leitende Gebiet ist entweder ein durch Reduktion ausgebildetes metallisiertes Gebiet oder eine durch Oberflächenreduktion ausgebildete leitende Keramik. Nach der Reduktionsbehandlung wird das Keramiksubstrat abgekühlt.
  • Ein elektrisches Bauelement kann einen metallisierten Keramikteil aufweisen, der ein Keramiksubstrat mit einer darauf angeordneten metallisierten Schicht umfaßt. Die metallisierte Schicht umfaßt Keramikgebiete, die mindestens einen Bestandteil mit dem Keramiksubstrat gemeinsam haben. Das Keramiksubstrat und die Keramikgebiete der metallisierten Schicht werden zusammengesintert, so daß das metallisierte Gebiet zwischen den gesinterten Keramikgebieten verteilt ist. Auf diese Weise wird das i Metall durch das Vorliegen der gebondeten Keramik in der metallisierten Schicht fest am Keramiksubstrat gehalten.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1A ist eine schematische Querschnittsansicht eines Keramiksubstrats, das mit einer strukturierten Schicht aus einem reduzierbaren Material beschichtet i ist.
  • 1B ist eine schematische Querschnittsansicht eines Keramiksubstrats, das mit einer strukturierten Schicht aus einem reduzierbaren Material beschichtet ist.
  • 2A ist eine schematische Querschnittsansicht einer mehrschichtigen Keramikstruktur mit auf zwei Außenflächen aufgetragenem reduzierbarem Material.
  • 2B ist eine schematische Querschnittsansicht einer mehrschichtigen Keramikstruktur mit einem reduzierbaren Material, aufgetragen auf einer Oberfläche, in einem Durchgangsloch und in inneren i Schichten.
  • 3 ist eine schematische Querschnittsansicht einer haftenden Metallisierungsstruktur nach einer Reduktionsbehandlung.
  • 4 ist eine Perspektivansicht einer Ferritinduktionsspule mit einem schraubenförmigen Induktionsspulenweg.
  • Ausführliche Beschreibung
  • Nunmehr unter näherer Bezugnahme auf die Zeichnungen zeigt 1A eine Keramikstruktur 10, die ein Keramiksubstrat 20 mit einer darauf angeordneten strukturierten Schicht 30 aus reduzierbarem Material umfaßt. Der Ausdruck „Substrat" wie er hier verwendet wird, schließt alle Schichten aus Keramikmaterial ein, die das reduzierbare Material der vorliegenden Erfindung tragen. Der Ausdruck „Substrat" als solches beinhaltet beispielsweise Schaltungssubstrate einzelne Schichten von Schaltungssubstraten, Keramikbausteine und keramische Bauelemente (z. B. magnetische Komponentenkernmaterialien, piezoelektrische Komponententeile). Das Keramiksubstrat 20 enthält zusätzlich zu der Schicht 30 aus reduzierbarem Material wahlweise zuvor metallisierte Gebiete oder Schaltungskomponenten. Das Keramiksubstrat 20 ist unter keramischen Mehrkomponentenferriten ausgewählt (z. B. Nickel-Zink-Ferrite und Mangan-Zink-Ferrite). Das Keramiksubstrat wird entweder im gesinterten oder im ungesinterten „ungebrannten" Zustand bereitgestellt.
  • Die Schicht 30 aus reduzierbarem Material wird in der Regel in Form einer Aufschlämmung aufgetragen, und zwar durch beliebige bekannte Techniken, einschließlich beispielsweise Siebdruck, Sprühbeschichtung durch eine Maske und Aufschlämmungstintenschreiben. Die Schicht ist nach der Abscheidung in der Größenordnung von 0,001 bis 0,050 Zoll dick. Während 1A die Schicht 30 als eine strukturierte Schicht darstellt, kann die Schicht aus reduzierbarem Material wahlweise als eine durchgehende Schicht auf dem Substrat 20 ausgebildet werden. Zusätzlich zu dem reduzierbaren Material kann auf einem Teil der Substratoberfläche auch eine metallhaltige Paste gedruckt werden. Dies ist besonders für Schichten wünschenswert, die in einer mehrschichtigen Struktur vergraben werden sollen, wo die Reduktion möglicherweise nicht immer zweckmäßig ist.
  • Das reduzierbare Material 30 wird in der Regel auf der Oberfläche des Keramiksubstrats 20 abgeschieden. Das reduzierbare Material 30 wird alternativ, wie in 1B dargestellt, in vertieften Teilen 22 des Substrats 20 abgeschieden. Derartige vertiefte Teile werden bei einer beispielhaften Ausführungsform durch eine mehrschichtige Keramikverarbeitung ausgebildet, indem mit Löchern versehene Keramikschichten entsprechend dem vertieften Teil 22 ausgebildet und diese Schichten im ungebrannten Zustand mit durchgehenden Keramikschichten laminiert werden, um das Substrat herzustellen. Die Konfiguration von 18 führt vorteilhafterweise zu einem metallisierten Substrat mit einer flachen Oberfläche.
  • Wie in 2A dargestellt, wird eine Konfiguration reduzierbaren Materials zum Ausbilden mehrschichtiger Keramikstrukturen verwendet. In 2A erzeugt das reduzierbare Material 30 strukturierte Außenflächen. Die Struktur von 2A wird ausgebildet, indem zwei Substratschichten 20 laminiert werden. Wie in 2B gezeigt, erzeugt das Laminieren mehrerer Schichten komplexere mehrschichtige Keramikstrukturen. Bei der Struktur von 2B wird durch das Beschichten des Inneren der Öffnung 32 mit einem reduzierbaren Material 30 ein leitender Durchgangslochweg 34 hergestellt. Vergrabene Leiter 36 werden hergestellt, indem Oberflächenstrukturen aus dem reduzierbaren Material oder aus leitenden Metallpasten ausgebildet werden. Nach dem Laminieren einzelner strukturierter Schichten bleiben Lücken 38 zurück, durch die gasförmige reduzierende Mittel durch die mehrschichtige Struktur hindurchdringen können. Die Keramikstrukturen der 2A und 2B können gemäß Techniken zur mehrschichtigen Keramikverarbeitung konstruiert werden, wie etwa diejenigen des US-Patents Nr. 5,239,744.
  • Das reduzierbare Material wird allgemein als eine Aufschlämmung ausgebildet, die reduzierbares Keramikpulver, Bindemittel und Trägerflüssigkeit umfaßt. Das reduzierbare Keramikpulver umfaßt ein Keramikmaterial, in der Regel ein Oxid, das bevorzugt über dem Material des Keramiksubstrats reduziert werden kann. Zu beispielhaften reduzierbaren Keramikpulvern zählen Kupferoxide wie etwa CuO und Nickeloxide wie etwa NiO. Kupferoxid enthaltende Aufschlämmungen auf Aluminiumoxidsubstraten sind beispielhafte Systeme aus reduzierbarem Material und Substrät. Das reduzierbare Material kann auch auf mehrere Komponenten enthaltenden Keramikmaterialien (z. B. binär, ternär oder höhere Ordnung) ausgebildet werden, bei denen ein oder mehrere Bestandteile reduziert werden können. Obwohl die reduzierbare Schicht allgemein eine Keramikaufschlämmung mit einem reduzierbaren Material ist, wird angemerkt, daß jedes Material, das bevorzugt über dem Keramiksubstrat reduziert werden kann, in jeder zweckmäßigen Form als Schicht 30 aufgetragen werden kann.
  • Zur Verbesserung der Haftung der Schicht 30 am Keramiksubstrat 20 wird eine gemischte Keramikaufschlämmung verwendet, die sowohl das reduzierbare Keramikpulver als auch ein nicht-reduzierbares Keramikpulver umfaßt. Unter „nicht-reduzierbar" wird verstanden, daß das Pulver im wesentlichen als Keramik (ungefähr über 90 Volumen-%) zurückbleibt, wenn das reduzierbare Keramikpulver für eine gegebene Temperatur und Zeit zu Metall oder zu einer leitenden Keramik (etwa über 50 Volumen-%) reduziert wird. Zur weiteren Verbesserung der Haftung der Schicht 30 am Substrat wird das nichtreduzierbare Keramikpulver so ausgewählt, daß es mindestens eine Komponente der Substratkeramik enthält. Falls beispielsweise ein Aluminiumoxidsubstrat metallisiert werden soll, wird die Schicht aus reduzierbarem Material aus einer Aufschlämmung ausgebildet, die sowohl Al2O3-Pulver als auch ein reduzierbares Keramikpulver wie etwa NiO oder CuO enthält. Wenn ein mehrere Komponenten enthaltendes Keramiksubstrat wie etwa Nickel-Zink-Ferrit verwendet wird, enthält das reduzierbare Material zusätzlich zu dem reduzierbaren Keramikpulver entweder das Nickel-Zink-Ferritpulver selbst oder eine beliebige Kombination der Bestandteile: Fe2O3, NiO und ZnO.
  • Die Menge an in der reduzierbaren Schicht 30 eingesetztem nicht-reduzierbarem Keramikpulver wird durch Senken der Menge reduzierbaren Keramikpulvers eingestellt. Wenn man in der Schicht 30 eine hohe Leitfähigkeit herstellen will, wird ein größeres Volumen an reduzierbarem Keramikpulver eingesetzt, während für eine verbesserte Haftung ein höheres Volumen an nicht-reduzierbarer Keramik verwendet wird. Falls weiterhin auf der Schicht 30 eine Metallschicht mit hoher Leitfähigkeit wie etwa Kupfer oder Nickel abgeschieden werden soll, können größere Mengen an nicht-reduzierbarem Keramikmaterial verwendet werden. Eine beispielhafte Menge an in der Schicht 30 verwendeter nicht-reduzierbarer Keramik liegt im Bereich zwischen 5–70 Volumen-%, in der Regel 20–50 Volumen-%.
  • Indem eine Aufschlämmung verwendet wird, die ein nichtreduzierbares Keramikmaterial, insbesondere ein Substratkomponentenmaterial, enthält, wird die Schicht 30 durch Affinität des Substratkomponentenmaterials für das Substrat mit mehr Haftung mit dem Substrat verbunden. Die durch die gebrannte und reduzierte Aufschlämmungsschicht hergestellte Struktur enthält an das Substratmaterial gesinterte Keramikgebiete, wobei zwischen den gesinterten Keramikgebieten metallisierte Gebiete verteilt sind. Das Metall wird durch das Vorliegen verbundener Keramikgebiete mit unregelmäßiger Konfiguration fest an dem Substrat gehalten, wodurch ein großer Oberflächeninhalt für die Metallhaftung bereitgestellt wird.
  • Die Verwendung eines nicht-reduzierbaren Keramikpulvers mit einer Zusammensetzung, die gleich der des Substrats oder dieser ähnlich ist, ist besonders vorteilhaft, da die Gefahr, daß beispielsweise durch Interdiffusion der Schichten beim Erhitzen die Substratzusammensetzung beeinflußt wird, minimal ist. Außerdem werden für derartige Schichtkombinationen mechanische Spannungen aufgrund unterschiedlicher Wärmeausdehnungskoeffizienten für verschiedene Materialien minimiert.
  • Nach dem Abscheiden der Schicht 30 wird die Keramikstruktur 10 erhitzt. Wenn die Schicht 30 aus einer Aufschlämmung ausgebildet wird, werden durch das Erhitzen die Keramikpulver teilweise oder ganz gesintert. Das Erhitzen wird allgemein bei einer Temperatur ausgeführt, die über einer homologen Temperatur von etwa 0,7 der Schmelztemperatur des Keramiksubstratmaterials liegt. Unter „homologer Schmelztemperatur" wird die Schmelztemperatur des Keramikmaterials in Kelvin verstanden. Bei vielen, in elektronischen Anwendungen verwendeten Keramikmaterialien entspricht dies einem Bereich von etwa 800–1600°C. Wenn das Substrat 20 im ungebrannten Zustand bereitgestellt wird und die Schicht 30 eine Keramikaufschlämmung ist, sollte der Sinterungsgrad ausreichen, um das Substrat und die Schicht 30 zu verdichten, aber nicht ausreichen, um ein übermäßiges Vermischen der Schicht 30 und des Substrats 20 zu bewirken. Die Sinterzeiten werden experimentell bestimmt, da sie von den Prozeßbedingungen (z. B. Temperatur) und Materialkombinationen der Schichten 20 und 30 sowie der Teilchengröße, dem Volumenanteil an Bindemittel und anderen Materialeigenschaften des Substrats und der Schicht aus reduzierbarem Material abhängen.
  • Der Sinterungsprozeß verbindet die Keramikaufschlämmungsschicht 30 mit dem Keramiksubstrat 20. Damit die Schicht 30 leitend wird, wird eine Reduktionsbehandlung vorgenommen, indem die Schicht 30 mit einem gasförmigen reduzierenden Mittel kontaktiert wird. Beispielhafte reduzierende Mittel sind gasförmige reduzierende Mittel einschließlich beispielsweise Wasserstoff, Formiergas (eine Mischung aus Wasserstoff und Stickstoff oder Wasserstoff und einem inerten Gas), Ammoniak, Mischungen aus Wasserstoff und H2O, und Mischungen aus Kohlenmonoxid und Kohlendioxid. Durch die Verwendung der letzten beiden Mischungen kann der Partialdruck des Sauerstoffs (nach Entfernung von der Schicht aus reduzierbarem Material) präzise geregelt werden, was eine stärkere Steuerung des Reduktionsprozesses ermöglicht.
  • Das reduzierbare Material wird je nach dem für die Schicht aus reduzierbarem Material ausgewählten Material und die Bedingungen der reduzierenden Behandlung entweder durch Umwandlung zu Metall oder zu einem leitenden nicht metallischen Material wie etwa einer leitenden Keramik leitend.
  • Da unterschiedliche Materialien in verschiedenen reduzierenden Umgebungen eine Reduktion mit unterschiedlicher Thermodynamik und Kinetik aufweisen, werden die Zeit, die Temperatur und die Zusammensetzung des reduzierenden Mittels experimentell bestimmt. Wenn die Schicht 30 aus Keramikaufschlämmung auf einem Ni0,9Zn0,6Fe2,0O4-Substrat ausgebildet wird, wobei CuO als das reduzierbare Material mit Nickel-Zink-Ferrit (NiO, Fe2O3 und ZnO) als die Substratkomponentenmaterialien verwendet werden, genügt eine Reduktionsbehandlung in strömendem Wasserstoff bei 250–300°C über 0,5 bis 2 Stunden, um das CuO wesentlich zu metallischem Kupfer zu reduzieren. Da die Reduktionsgeschwindigkeit des Nickel-Zink-Ferrits viel niedriger liegt, werden das Material zur Förderung der Haftung des Nickel-Zink-Ferrits und das Nickel-Zink-Ferritsubstrat, an das es gesintert wird, im wesentlichen nicht beeinflußt. Die Reduktion wird ausgeführt, bis die Schicht 30 einen spezifischen elektrischen Widerstand unter 5000 Mikro-Ohm-cm aufweist, wobei spezifische Widerstände unter 200 Mikro-Ohm-cm und unter 10 Mikro-Ohm-cm beispielhaft sind. Die spezifische Leitfähigkeit der Schicht nach Reduzierung kann ausreichend hoch eingestellt werden, daß sie als Schaltungsmetallisierung verwendet werden kann, ohne daß leitende Metalle weiter plattiert werden müßten.
  • 3 zeigt schematisch die aus der CuO-Nickel-Zink-Ferritaufschlämmung-/Nickel-Zink-Ferritkeramikstruktur nach der Wasserstoffreduktion ausgebildete metallisierte Struktur. In der Schicht 30 befinden sich Gebiete 40 aus gesintertem Nickel-Zink-Ferrit, von denen Teile an das Nickel-Zink-Ferritsubstrat 20 gesintert sind. Die Gebiete 42 sind durch die Reduktion von CuO ausgebildetes Kupfermetall. Die durch gesinterte Nickel-Zink-Ferritgebiete 40 bereitgestellten unregelmäßigen Oberflächen liefern eine Unterstruktur, damit die Kupfergebiete 42 fest am Substrat 30 haften.
  • Nach der Reduktionsbehandlung wird auf der Schicht 30 wahlweise eine weitere Schicht der Metallplattierung vorgenommen. Dies ist besonders wünschenswert, wenn der Reduktionsprozeß verwendet wurde, um die Schicht 30 leitend zu machen, er aber das reduzierbare Material nicht vollständig metallisiert hat. Die Metallplattierung ist außerdem wünschenswert, wenn als die reduzierbare Keramik ein langsam reduzierendes Material verwendet wird oder wenn große Mengen Strom von der Metallisierung geleitet werden müssen. Bei diesem Metallplattierungsprozeß wird eine Schicht aus einem Metall mit hoher Leitfähigkeit wie etwa Kupfer oder Nickel abgeschieden, in 3 als Schicht 50 gezeigt. Da die Schicht 30 durch die Reduktionsbehandlung leitend wird, kann eine Metallabscheidung unter Verwendung von Elektroplattierung vorgenommen werden. Es werden auch chemische Verfahren wie etwa die stromlose Abscheidung zur Ausbildung der Schicht 50 verwendet. Bei der Metallplattierung können wahlweise einige Teile der Schicht 30 durch entsprechende Techniken gegenüber einer Abscheidung blockiert werden.
  • Die Prozesse der vorliegenden Erfindung werden bei der Ausbildung einer Vielzahl elektrischer Bauelemente verwendet. Beispielhafte Anwendungen sind unter anderen Schaltungspfad-Metallisierung für planare und dreidimensionale Konfigurationen. Eine dreidimensionale Induktionsspulenmetallisierungsstruktur ist in 4 dargestellt. Die Induktionsspule 60 ist aus einer spiralförmigen Wicklung mit einem oberen und unteren Wicklungsteil 62 und 66 und seitlichen Wicklungsteilen 64 ausgebildet. Die spiralförmige Wicklung umgibt einen Teil des Ferritsubstrats 70, der als der Induktionsspulenkern wirkt. Eine CuO/Ferrit-Aufschlämmung wird verwendet, um die spiralförmige Wicklung durch Siebdruck, Sprühbeschichtung durch eine Maske oder Tintenschreiben auf jede der vier Seiten auszubilden, um die Spulenteile auszubilden.
  • Die erfindungsgemäßen Verfahren können auch dazu verwendet werden, eine Ferritleistungsmodulstruktur auszubilden, wobei das Ferritsubstrat zusätzlich dazu, daß es den Kern für magnetische Komponenten wie etwa Induktionsspulen und Transformatoren bildet, als ein Substrat für andere Schaltungselemente eines Leistungsmoduls wirkt, wodurch das Profil des Bauelements wesentlich reduziert wird.

Claims (6)

  1. Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Bauelements mit einem leitenden Gebiet, mit den folgenden Schritten: Bereitstellen eines Keramiksubstrats; Abscheiden einer Schicht auf dem Keramiksubstrat, wobei die Schicht aus einem reduzierbaren Keramikpulver und einem nicht-reduzierbaren Keramikpulver mit mindestens einer Komponente besteht, die gleich einer Komponente des Substrats oder dieser ähnlich ist; Erhitzen des Keramiksubstrats mit der darauf angeordneten Schicht; Kontaktieren der Schicht mit einem gasförmigen reduzierenden Mittel, so daß das reduzierbare Keramikpulver zu einem leitenden Material reduziert wird, und Kühlen des Keramiksubstrats, dadurch gekennzeichnet, daß das Keramiksubstrat ein Mehrkomponentenferrit und die Schicht 2050 Vol.-% einer nicht-reduzierbaren Keramik umfaßt, die das Ferrit oder eine Komponente davon umfaßt.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Zusammensetzung des nicht-reduzierbaren Pulvers gleich der Zusammensetzung des Substrats ist.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat ein Mehrkomponentenkeramiksubstrat umfaßt, das Nickel-Zink-Ferrit enthält, und die nicht-reduzierbare Keramik Nickel-Zink-Ferritpulver oder mindestens Fe2O3, NiO oder ZnO enthält.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das gasförmige reduzierende Mittel Wasserstoff enthält.
  5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß bei dem Schritt des Erhitzens des Keramiksubstrats vor dem Reduzieren des reduzierbaren Materials sowohl die das reduzierbare Material und das nicht-reduzierbare Material umfassende Schicht als auch das Substrat gleichzeitig gebrannt werden.
  6. Elektrisches Bauelement, das die gemäß dem Verfahren von Anspruch 1 bereitgestellte Struktur enthält.
DE69531980T 1994-08-23 1995-08-15 Metallisierung von keramischen Materialien durch Auftrag einer haftenden reduzierbaren Schicht Expired - Lifetime DE69531980T2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US29469694A 1994-08-23 1994-08-23
US294696 1994-08-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69531980D1 DE69531980D1 (de) 2003-11-27
DE69531980T2 true DE69531980T2 (de) 2004-07-29

Family

ID=23134537

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69531980T Expired - Lifetime DE69531980T2 (de) 1994-08-23 1995-08-15 Metallisierung von keramischen Materialien durch Auftrag einer haftenden reduzierbaren Schicht

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5725938A (de)
EP (1) EP0698590B1 (de)
JP (1) JPH0891961A (de)
DE (1) DE69531980T2 (de)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6143432A (en) * 1998-01-09 2000-11-07 L. Pierre deRochemont Ceramic composites with improved interfacial properties and methods to make such composites
US6323549B1 (en) * 1996-08-29 2001-11-27 L. Pierre deRochemont Ceramic composite wiring structures for semiconductor devices and method of manufacture
US6547934B2 (en) 1998-05-18 2003-04-15 Applied Materials, Inc. Reduction of metal oxide in a dual frequency etch chamber
US6297147B1 (en) 1998-06-05 2001-10-02 Applied Materials, Inc. Plasma treatment for ex-situ contact fill
US6355571B1 (en) * 1998-11-17 2002-03-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for reducing copper oxidation and contamination in a semiconductor device
US20010049181A1 (en) 1998-11-17 2001-12-06 Sudha Rathi Plasma treatment for cooper oxide reduction
US7053002B2 (en) 1998-12-04 2006-05-30 Applied Materials, Inc Plasma preclean with argon, helium, and hydrogen gases
US6372301B1 (en) * 1998-12-22 2002-04-16 Applied Materials, Inc. Method of improving adhesion of diffusion layers on fluorinated silicon dioxide
TW487742B (en) * 1999-05-10 2002-05-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Electrode for PTC thermistor, manufacture thereof, and PTC thermistor
US6821571B2 (en) * 1999-06-18 2004-11-23 Applied Materials Inc. Plasma treatment to enhance adhesion and to minimize oxidation of carbon-containing layers
ES2162566B1 (es) * 1999-07-09 2003-12-16 E Instr Galvanotecnico S L Pro Procedimiento para metalizar productos ceramicos.
US6794311B2 (en) 2000-07-14 2004-09-21 Applied Materials Inc. Method and apparatus for treating low k dielectric layers to reduce diffusion
US20020110700A1 (en) * 2001-02-12 2002-08-15 Hein Gerald F. Process for forming decorative films and resulting products
US6742248B2 (en) * 2001-05-14 2004-06-01 The Boeing Company Method of forming a soldered electrical connection
KR20040008093A (ko) * 2002-07-17 2004-01-28 엔지케이 스파크 플러그 캄파니 리미티드 동 페이스트 및 그것을 이용한 배선기판
US20040018715A1 (en) * 2002-07-25 2004-01-29 Applied Materials, Inc. Method of cleaning a surface of a material layer
US20050233555A1 (en) * 2004-04-19 2005-10-20 Nagarajan Rajagopalan Adhesion improvement for low k dielectrics to conductive materials
US7229911B2 (en) * 2004-04-19 2007-06-12 Applied Materials, Inc. Adhesion improvement for low k dielectrics to conductive materials
JP2011097038A (ja) * 2009-10-02 2011-05-12 Ibiden Co Ltd セラミック配線基板およびその製造方法
US10034707B2 (en) 2014-12-30 2018-07-31 Biosense Webster (Israel) Ltd. Catheter with irrigated tip electrode with porous substrate and high density surface micro-electrodes
WO2018092798A1 (ja) * 2016-11-18 2018-05-24 矢崎総業株式会社 回路体形成方法及び回路体
JP6627734B2 (ja) * 2016-12-14 2020-01-08 株式会社村田製作所 セラミック電子部品及びその製造方法
WO2019059017A1 (ja) * 2017-09-20 2019-03-28 株式会社村田製作所 セラミック基板の製造方法、セラミック基板、及び、モジュール
TWI662872B (zh) * 2018-01-26 2019-06-11 謝孟修 陶瓷電路板及其製法
RU193413U1 (ru) * 2019-05-17 2019-10-29 Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" Керамическая плата силового модуля
CN112369695A (zh) * 2020-07-21 2021-02-19 湖北中烟工业有限责任公司 加热组件、其制备方法及加热不燃烧装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2993815A (en) * 1959-05-25 1961-07-25 Bell Telephone Labor Inc Metallizing refractory substrates
US3180756A (en) * 1962-09-07 1965-04-27 Robert E Cowan Copper metallizing of alumina ceramics
US4072771A (en) * 1975-11-28 1978-02-07 Bala Electronics Corporation Copper thick film conductor
US4172919A (en) * 1977-04-22 1979-10-30 E. I. Du Pont De Nemours And Company Copper conductor compositions containing copper oxide and Bi2 O3
US4833004A (en) * 1979-08-30 1989-05-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. Structure of copper conductor and method of forming same
US4323483A (en) * 1979-11-08 1982-04-06 E. I. Du Pont De Nemours And Company Mixed oxide bonded copper conductor compositions
US4436785A (en) * 1982-03-08 1984-03-13 Johnson Matthey Inc. Silver-filled glass
US4714570A (en) * 1984-07-17 1987-12-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Conductor paste and method of manufacturing a multilayered ceramic body using the paste
JPS62116779A (ja) * 1985-11-13 1987-05-28 Wakamatsu Netsuren Kk 陶磁器のメツキ方法
EP0235682B2 (de) * 1986-02-20 1997-11-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Gesinterter Körper aus Aluminiumnitrid mit leitender metallisierter Schicht
US4883704A (en) * 1987-03-30 1989-11-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Circuit substrate comprising nitride type ceramics, method for preparing it, and metallizing composition for use in it
NL8801439A (nl) * 1988-06-06 1990-01-02 Philips Nv Werkwijze voor het verbinden van een metaaloxide met een metaal.
US5066620A (en) * 1989-01-31 1991-11-19 Asahi Glass Company Ltd. Conductive paste compositions and ceramic substrates
JPH02283682A (ja) * 1989-04-24 1990-11-21 Nippon Steel Corp セラミックスのメタライズ方法
JPH03214716A (ja) * 1990-01-19 1991-09-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電極の形成方法およびそれを用いた電子部品
US5239744A (en) 1992-01-09 1993-08-31 At&T Bell Laboratories Method for making multilayer magnetic components
JP3460727B2 (ja) * 1992-08-12 2003-10-27 日本電信電話株式会社 酸素イオン導伝体及び固体燃料電池
JP3203442B2 (ja) * 1992-12-18 2001-08-27 太平洋セメント株式会社 複合溶射材料および溶射皮膜とその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP0698590B1 (de) 2003-10-22
EP0698590A2 (de) 1996-02-28
JPH0891961A (ja) 1996-04-09
DE69531980D1 (de) 2003-11-27
EP0698590A3 (de) 1997-04-16
US5725938A (en) 1998-03-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69531980T2 (de) Metallisierung von keramischen Materialien durch Auftrag einer haftenden reduzierbaren Schicht
DE69332599T2 (de) Bei niedriger Temperatur gesinterte keramische Bandstruktur mit gleichzeitig gesintertem ferromagnetischen Element
DE69328390T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines mehrlagigen Substrats
DE3787399T2 (de) Verfahren zum Herstellen eines keramischen Mehrshictsubstrates mit massivem nicht-porösem Metall-Leiter.
DE3889614T2 (de) Keramischer Mehrschichtkondensator.
EP1430489B1 (de) Elektrokeramisches bauelement mit mehreren kontaktflächen
DE10042909A1 (de) Mehrlagiges Keramiksubstrat und Verfahren zur Herstellung desselben
DE1815202A1 (de) Verfahren zur Herstellung mehrschichtiger Schaltungskarten
DE102004011958A1 (de) Mikro-Stromrichter mit mehreren Ausgängen
DE2849971A1 (de) Hybrid-schaltkreis und verfahren zu seiner herstellung
US5871840A (en) Nickel powder containing a composite oxide of La and Ni and process for preparing the same
KR100346660B1 (ko) 니켈복합입자 및 그 제조방법
DE69514157T2 (de) Metallisierung eines Ferriten mittels Oberflächenreduktion
KR20160118051A (ko) 하이브리드 인덕터 및 그 제조방법
DE102010025313A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer strukturierten, elektrisch leitfähigen Schicht auf einem Keramikträger
DE10207109A1 (de) Keramische Leiterplatte
DE10110151B4 (de) Verdrahtungssubstrat, Verfahren zum Herstellen desselben und elektronische Vorrichtung, die dasselbe verwendet
EP2501517A1 (de) Lotmaterial zur befestigung einer aussenelektrode bei einem piezoelektrischen bauelement und piezoelektrisches bauelement mit einem lotmaterial
DE3022268A1 (de) Traeger fuer ein netz zur verbindung von elektronischen bauelementen und verfahren zu seiner herstellung
DE10041623A1 (de) Mehrlagiges Keramiksubstrat und Verfahren zu seiner Herstellung
EP0834368B1 (de) Nickel Pulver und Verfahren seiner Herstellung
DE10039649B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines keramischen Vielschichtbauelements und entsprechendes Vielschichtbauelement
EP1412307A2 (de) Verfahren zum herstellen von metall-keramik-verbundmaterialien, insbesondere metall-keramik-substraten sowie nach diesem verfahren hergestelltes keramik-verbundmaterial, insbesondere metall-keramik-substrat
EP0186655A2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Verbundleiterplatte
EP1386334A1 (de) Keramisches vielschichtbauelement und verfahren zur herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition