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DE69403275D1 - Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Silizium-Einkristalles - Google Patents

Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Silizium-Einkristalles

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DE69403275D1
DE69403275D1 DE69403275T DE69403275T DE69403275D1 DE 69403275 D1 DE69403275 D1 DE 69403275D1 DE 69403275 T DE69403275 T DE 69403275T DE 69403275 T DE69403275 T DE 69403275T DE 69403275 D1 DE69403275 D1 DE 69403275D1
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DE
Germany
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silicon single
silicon
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Inventor
Masanori Kimura
Hirotoshi Yamagishi
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Shin Etsu Handotai Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Handotai Co Ltd
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Publication date
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
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