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DE60217477T2 - Kompositteilchen für dielektrika, ultrafeine harzkompositteilchen, zusammensetzung zur herstellung von dielektrika und verwendung derselben - Google Patents

Kompositteilchen für dielektrika, ultrafeine harzkompositteilchen, zusammensetzung zur herstellung von dielektrika und verwendung derselben Download PDF

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DE60217477T2
DE60217477T2 DE60217477T DE60217477T DE60217477T2 DE 60217477 T2 DE60217477 T2 DE 60217477T2 DE 60217477 T DE60217477 T DE 60217477T DE 60217477 T DE60217477 T DE 60217477T DE 60217477 T2 DE60217477 T2 DE 60217477T2
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inorganic
resin
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dielectrics
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c/o JSR CORPORATION Nobuyuki ITO
c/o JSR CORPORATION Hideaki MASUKO
c/o JSR CORPORATION Satomi HASEGAWA
c/o JSR CORPORATION Nakaatsu YOSHIMURA
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JSR Corp
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Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Verbundstoffteilchen für Dielektrika, eine Zusammensetzung zur Herstellung von Dielektrika, die diese Verbundstoffteilchen für Dielektrika enthält, wässrige Dispersionen für die elektrochemische bzw. elektrolytische Abscheidung, die diese Zusammensetzung enthalten, einen lichtempfindlichen Transferfilm und ein Dielektrikum gebildet aus der vorher beschriebenen Zusammensetzung und wässrigen Dispersionen für die elektrochemische Abscheidung, Dielektrika mit einer leitfähigen Folie (dieses Dielektrikum gebildet auf der leitfähigen Folie), und ein elektronisches Teil, eine mehrschichtige Schaltplatte bzw. Platine und eine Leiterplatte mit diesem Dielektrikum.
  • Ebenfalls bezieht sich die vorliegende Erfindung auf Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz, eine Zusammensetzung zur Herstellung von Dielektrika, die diese Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz enthalten, wässrige Dispersionen für die elektrochemische Abscheidung, die diese Zusammensetzung enthalten, ein Dielektrikum gebildet aus der vorher beschriebenen Zusammensetzung und den wässrigen Dispersionen für die elektrochemische Abscheidung, ein Dielektrikum mit einer leitfähigen Folie (dieses Dielektrikum gebildet auf der leitfähigen Folie), und ein elektronisches Teil, eine mehrschichtige Schaltplatte und eine Leiterplatte mit diesem Dielektrikum.
  • Stand der Technik
  • In den vergangenen Jahren wurden Techniken bekannt, in welchem eine Schicht mit hoher dielektrischer Leitfähigkeit (Permittivität) auf einer gedruckten Verbundstoffleiterplatte gebildet wurde, und diese Schicht wird in einem Kondensator oder Ähnlichem verwendet. Diese Schicht mit hoher dielektrischer Leitfähigkeit wurde zum Beispiel durch Verfahren hergestellt, in welchen eine faserförmige Verstärkung, wie etwa Glasfasern, mit einer Lösung eines organischen Lösungsmittels mit einem wärmehärtenden Harz mit in die Lösung gegebenen anorganischen Pulvern von hoher dielektrischer Leitfähigkeit imprägniert wurde, um die Brüchigkeit des wärmehärtenden Harzes auszugleichen, und das Lösungsmittel wird durch Brennen zur Härtung des Harzes entfernt usw. In den herkömmlichen Verfahren war es jedoch gewöhnlich schwierig, eine Schicht mit hoher dielektrischer Leitfähigkeit von mehr als 30 oder höher oder 50 oder höher zu erhalten.
  • Zusätzlich wurden Versuche unternommen, dielektrische Schichten mit hoher dielektrischer Leitfähigkeit unter Verwendung von verschiedenen Sorten von anorganischen Pulvern zu erhalten. Zum Beispiel ist bekannt, dass eine dielektrische Schicht mit hoher dielektrischer Leitfähigkeit durch Zugabe von Fe3O4, ZnO + Kohlenstoff oder Ähnlichem als anorganische Pulver zu Polystyrol erhalten werden könnte. Jedoch hat dieses System den Nachteil, dass obwohl die dielektrische Leitfähigkeit erhöht werden kann, der dielektrische Verlustfaktor der resultierenden dielektrischen Schicht ansteigt und daher die Menge der in der dielektrischen Schicht erzeugten Wärme in dem elektrischen Wechselstromfeld ansteigt, was eine Verschlechterung der mehrschichtigen gedruckten Leiterplatte mit einem darauf vorgesehen dielektrischen Film und Ähnliches verursachen kann, und die Funktionen, wie etwa die Zerstörung von Verbindungen aufgrund von Wärmebelastung, was zu Situationen führt, in welchen die Verlässlichkeit und Beständigkeit der Halbleiterplatte wahrscheinlich beeinträchtigt ist.
  • Zusätzlich wird zum Beispiel ein Verbundstoffmaterial mit hoher dielektrischer Leitfähigkeit, das metallbeschichtete Pulver von hoher dielektrischer Leitfähigkeit und nicht mit Metall beschichtete Pulver von hoher dielektrischer Leitfähigkeit enthält, in dem Japanischen Patent Offenlegungsschrift Nr. 6-84407 beschrieben, aber wenn ein Verbundstoffmaterial mit einer dielektrischen Leitfähigkeit von 30 oder höher zu erhalten ist, zum Beispiel durch das in der vorher erwähnten Veröffentlichung beschriebene Verfahren, wird der dielektrische Verlusttangens verschlechtert, was es folglich schwierig macht, ein Verbundstoffmaterial mit einer hohen dielektrischen Leitfähigkeit und einem geringen dielektrischen Verlustfaktor zu erhalten.
  • Andererseits ist für gewöhnlich ein Verfahren gut bekannt, in welchem anorganische Pulver mit hoher dielektrischer Leitfähigkeit bei einer hohen Temperatur gebrannt werden, um eine dielektrische Schicht zu bilden, um eine hohe dielektrische Leitfähigkeit zu erhalten. Jedoch gibt es dabei den Nachteil, dass dieses Verfahren nicht in dem Fall angewendet werden kann, in dem die dielektrische Schicht in einer Situation gebildet wird, in welchem elektronische Teile auf die Leiterplatte montiert werden, und folglich ist es nicht in der Lage, allgemein in Verfahren zur Herstellung von verschiedenen Sorten von Halbleiterplatten verwendet zu werden, weil das Brennen bei einer Temperatur von zum Beispiel 1000°C erforderlich ist (das vorher beschriebene Problem wird als "Nachteil 1" bezeichnet).
  • Daher war es erwünscht, dass eine dielektrische Schicht mit hoher dielektrischer Leitfähigkeit mit reduziertem Wärmeverlust durch Niedertemperaturbrennen bereitgestellt wird, und dass anorganische Teilchen und eine Zusammensetzung zur Bereitstellung einer derartigen elektrischen Schicht hergestellt werden (Problem 1).
  • Zusätzlich sind Siebdruck und ähnliche Verfahren zur Ausbildung der dielektrischen Schicht bekannt, aber sie haben den Nachteil, dass durch die Vergrößerung der Platte und der Feinheit der Leitungen das Erfordernis der Genauigkeit der Positionen der Muster so verstärkt auftrat, dass es nicht durch gewöhnliches Drucken erreicht werden konnte (Nachteil 2).
  • Daher war es, um diesen Nachteil 2 zusätzlich zu Nachteil 1 zu bewältigen, erwünscht, dass eine dielektrische Schicht mit hoher dielektrischer Leitfähigkeit mit reduziertem Wärmeverlust durch Niedertemperaturbrennen bereitgestellt wird, und dass eine ein Dielektrikum ausbildende Zusammensetzung hergestellt wird, die Muster mit höherer dimensionaler Genauigkeit ausbilden kann (Problem 2).
  • Andererseits wurde in den vergangenen Jahren eine geringe dielektrische Leitfähigkeit und ein geringer dielektrischer Verlustfaktor als Eigenschaften der Materialien für Baugruppenplatten in Zusammenhang mit erhöhten Signalfrequenzen erforderlich, und daher wurde die Hauptrichtung für Materialien in Braugruppenplatten von Keramik zu Harzen geändert. Vor einem derartigen Hindergrund enthalten Techniken, die sich auf gedruckte Leiterplatten unter Verwendung von Harzsubstraten beziehen, zum Beispiel eine in der Japanischen Patentveröffentlichung Nr. 4-55555 offenbarte Technik. In dieser Veröffentlichung wird ein Verfahren vorgeschlagen, in welchem eine Harzisolationszwischenschicht auf einer Glasepoxidplatte mit einem inneren, darauf gebildeten Schaltkreis unter Verwendung von Epoxidacrylat gebildet wird, und nachfolgend werden Öffnungen zur Ausbildung für Durchgangslöcher durch ein photolithographische Verfahren ausgebildet, ihre Oberfläche wird einer Rauhigkeitsbehandlung unterzogen und ein Plattierungsphotolack wird darauf vorgesehen, und dann werden äußere Schaltkreise und Durchgangslöcher durch eine Plattierungsbehandlung ausgebildet.
  • Die Harzisolationszwischenschicht bestehend aus einem Harz, wie etwa Epoxidacrylat, muss jedoch, um die Adhäsion des Schaltkreis als ein Leiter sicherzustellen, ihre Oberfläche und die Oberfläche des Schaltkreises aufgeraut werden. Daher gibt es den Nachteil, dass, wenn hochfrequente Signale übermittelt werden, sie nur durch die aufgeraute Oberfläche des Schaltkreises aufgrund des Hauteffekts übermittel werden, und ein Rauschen in dem Signal aufgrund der Unregelmäßigkeiten der Oberfläche auftritt. Dieser Nachteil war besonders signifikant wenn das Harzsubstrat mit geringerer dielektrischer Leitfähigkeit und höherem dielektrischen Verlustfaktor, verglichen mit einer keramischen Platte, verwendet wurde.
  • Zusätzlich hat das Harzsubstrat den Nachteil, dass es dazu neigt, sich zu erwärmen, da seine Wärmeabstrahlung verglichen mit der Schalterplatte und der keramischen Platte schlecht ist, und folglich wird die Diffusionsgeschwindigkeit von Kupferionen, die den Schaltkreis aufbauen erhöht, wodurch eine Wanderung einsetzt, wodurch die Zwischenschichtisolation zerbrochen wird. Dann wurde, zur Lösung der vorher beschriebenen Probleme, eine Technik in dem Japanischen Patent Offenlegungsschrift Nr. 7-45948 und in dem Japanischen Patent Offenlegungsschrift Nr. 7-94865 vorgeschlagen, in welchem ein Harz beschichtet wird, und durch Schleuderbeschichten oder Ähnliches auf einer Seite einer Platte aus einem Harz oder Ähnlichem ausgebildet wird, und ein Metall (Chrom, Nickel, Titan usw.), das in der Lage ist, die Adhäsion an die Leitmuster zu erhöhen, wird auf der Harzschicht vorgesehen.
  • Jedoch ist es in einer Situation, in welcher es stark erwünscht ist, die Größe der gedruckten Leiterplatte mit dem darauf montierten IC zur Verkleinerung der Gesamtvorrichtung, wie etwa einem Mobiltelefon ausgestattet mit der gedruckten Leiterplatte weiter zu verringern, wird die Fläche auf welcher elektronische Teilchen, wie etwa Widerstände und Kondensatoren, die unterschiedlich zu den IC-Chips sind, verringert, was es folglich immer schwieriger macht, diese elektronischen Teilchen auf den gedruckten Leiterplatten zu implementieren.
  • Daher war es erforderlich, dass eine mehrschichtige Schaltkreisplatte mit einer Kondensatorfunktion in einer aufgebauten Leiterschicht vorgesehen werden sollte (Problem 3).
  • Zusätzlich wird eine Leiterplatte mit einer Vielzahl darauf vorgesehener Schichten einschließlich einer Signalschicht, einer Stromschicht, einer Erdungsschicht und Ähnlichem über eine elektrische Isolationsschicht in der Halbleitervorrichtung verwendet. Jüngst müssen selbst Halbleitervorrichtungen mit Kunststoffformteilen mit Signalen mit extrem hoher Geschwindigkeit zurechtkommen, und daher werden die elektrischen Eigenschaften der Haltleitervorrichtung, die mit derartigen Hochgeschwindigkeitssignalen arbeitet, widersprüchlich. Das heißt, dass in der Halbleitervorrichtung zum Beispiel die Fluktuationen von Signalen beim Schalten die Energiezufuhrleitung beeinträchtigen, wodurch Fluktuationen in der Spannung der Stromzufuhr verursacht werden, und Fluktuationen der Versorgungsmaterialseite beeinträchtigen die Erdungsseite und diese Wirkungen werden signifikant, wenn die Geschwindigkeit des Signals erhöht wird.
  • Im Fall einer einschichtigen Leiterplatte ist bekannt, dass für das Strompotential und das Erdungspotential, wenn das Signal in die Schaltung geht, das Strompotential aufgrund des AN-AUS des Schaltsignals signifikant fluktuiert. Als ein Verfahren für das Drosseln von derartigen Fluktuationen in der Spannung ist bekannt einen Entstörkondensator für das Drosseln von Fluktuationen durch Erhöhen einer elektrischen Kapazität zwischen der Stromzufuhrleitung und der Erdungsleitung an einer Position nahe dem Halbleiterchip vorzusehen, um die Fluktuation im Potential durch die elektrische Kapazität zu absorbieren.
  • Jedoch ist es im Zusammenhang mit der herkömmlichen Leiterplatte möglich, einen Anstieg der Geschwindigkeit des übermittelten Signals und das mit der hochdichten Montage verbundene Anwachsen von Stromstörgrößen durch Vergrößerung der Breite der Signalschicht und Erhöhen der Anzahl der montierten Bypass-Kondensatoren beim Entwurf der Leitungen zu meistern, aber die Bewältigung dieser Probleme auf diese Art und Weise resultiert in einem Problem, dass die hochdichte Montage von elektronischen Stromkreiskomponenten auf der Leiterplatte nicht erreicht werden kann. Außerdem werden Leiterplatten mit geringer dielektrischer Leitfähigkeit, wie etwa Fluorharzsubstrate, für die Erhöhung der Signalgeschwindigkeit eingesetzt. Für diese Leiterplatten wird jedoch das gleiche Material wie beim Stromzufuhrsystem eingesetzt, so dass der Bypass-Kondensator verwendet werden muss, um mit dem Stromstörgrößen fertig zu werden. Außerdem werden Techniken, bei denen die Leitungsplatte mit einem Material von hoher dielektrischer Leitfähigkeit beschichtet wird, in dem Japanischen Patent Offenlegungsschrift Nr. 5-37161 und in dem Japanischen Patent Offenlegungsschrift Nr. 5-160334 offenbart, aber die Techniken haben den Nachteil, dass eine ausreichende Kondensatorkapazität nicht erzielt werden kann, wenn die Fläche der Leiterplatte reduziert wird (Problem 4).
  • Die vorliegende Erfindung löst derartige mit dem Stand der Technik verbundene Probleme und hat die folgenden Aufgaben.
  • Die Erfindung löst das mit dem vorher beschriebenen Stand der Technik verbundene Problem (Problem 1), und hat als Aufgabe die Bereitstellung von Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz, die eine dielektrische Schicht mit hoher dielektrischer Leitfähigkeit und reduziertem Wärmeverlust bilden können und die bei niedriger Temperatur gebrannt werden können, eine Zusammensetzung zur Herstellung von Dielektrika, ein Dielektrikum mit auf dieser Zusammensetzung gebildeten, leitfähigen Folien und ein elektronisches Teil mit diesem Dielektrikum (Erfindung 5).
  • Offenbarung der Erfindung
  • Zusätzlich haben die Erfinder als ein Ergebnis der Durchführung aufwendiger Untersuchungen zur Lösung des vorher erwähnten Problems 1 gefunden, dass durch Verwendung einer Zusammensetzung zur Herstellung von Dielektrika, die (i) Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz, aufgebaut aus anorganischen feinsten Teilchen in spezifischen Größen mit einem spezifischen Harzbestandteil und (ii) anorganische Teilchen oder anorganischen Verbundstoffteilchen mit einem leitfähigen Metall, bei denen eine organische Verbindung oder Ähnliches auf einem Teil oder allen Oberflächen der anorganischen Teilchen abgeschieden wird, enthält, ein Dielektrikum gebildet werden kann, das bei einer geringen Temperatur von 500°C oder niedriger gebrannt werden kann und dass eine hohe dielektrische Leitfähigkeit und einen geringen dielektrischen Verlusttangens hat, was zur Vervollständigung der vorliegenden Erfindung führte (Erfindung 5).
  • Genauer ist die vorliegende Erfindung wie folgt.
  • Die Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz gemäß der vorliegenden Erfindung sind (J) anorganische feinste Teilchen mit einem durchschnittlichen Teilchendurchmesser von 0,1 μm oder kleiner, und (B) ein Harzbestandteil, bestehend aus wenigstens einer polymerisierbaren Verbindung oder einem Polymer, wobei ein Teil oder alle Oberflächen der vorher beschriebenen anorganischen feinsten Teilchen (J) mit dem vorher beschriebenen Harzbestandteil (B) überzogen sind, und die vorher beschriebenen organischen feinsten Teilchen (J) sind in einer Menge von 20 Gew.-% oder mehr enthalten.
  • Die vorher beschriebenen, anorganischen feinsten Teilchen (J) bestehen bevorzugt aus einem Metalloxid auf Titanbasis.
  • Das Dielektrikum gemäß der vorliegenden Erfindung wird unter Verwendung der vorher beschriebenen Zusammensetzung zur Herstellung von Dielektrika ausgebildet.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Die 1 ist ein schematisches Diagramm eines Verfahrens (1) zur Ausbildung eines Kondensators umfassend eine erfindungsgemäße dielektrische Schicht mit einer leitfähigen Folie.
  • Die 2 ist ein schematisches Diagramm eines Verfahrens (2) zur Ausbildung eines Kondensators umfassend eine erfindungsgemäße dielektrische Schicht mit einer leitfähigen Folie.
  • Außerdem bezeichnen die Symbole in 1 und 2 die folgenden Dinge.
    • 1
    leitfähige Folie
    2
    elektrochemisch abgeschiedene dielektrische Schicht
    3
    dielektrische Schicht mit einer leitfähigen Folie
    4a
    obere leitfähige Schicht
    4b
    untere leitfähige Schicht
    5
    leitfähiges Substrat
    6
    Substrat
    7
    Photolackschicht
    8
    plattierte leitfähige Folie
    9
    elektrochemisch abgeschiedene dielektrische Schicht
    10
    obere leitfähige Schicht
    10b
    untere leitfähige Schicht
    11
    leitfähiges Substrat
  • Die 3A bis 3F zeigen jeweils einen Teil des Schritts der Herstellung einer mehrschichtigen Schaltplatte gemäß der vorliegenden Erfindung.
  • Die 4A bis 4D zeigen jeweils einen Teil des Schritts der Herstellung der mehrschichtigen Schaltplatte gemäß der vorliegenden Erfindung.
  • Die 5A bis 5D zeigen jeweils einen Teil des Schritts der Herstellung der mehrschichtigen Schaltplatte gemäß der vorliegenden Erfindung.
  • Außerdem bezeichnen die 3 bis 5 die folgenden Dinge:
    • 1
    Substrat
    2
    Kupferfolie
    3
    Durchloch
    4
    aufgeraute Schicht
    5
    leitfähige Paste
    6
    nicht elektrolytisch kupferplattierter Film
    7
    elektrolytische Kupferplattierung
    8
    Ätzphotolack
    9
    Leitungsschaltkreis
    10
    Leiterschicht
    12
    Harzisolationszwischenschicht
    13
    Öffnung zur Ausbildung eines Durchgangsloch
    14
    Öffnung zur Ausbildung einer dielektrischen Schicht
    15
    dielektrische Schicht
    16
    Kupfer-gesputterte Schicht
    17
    Plattierungsphotolack
    18
    elektrolytische plattierter Film
    19
    Durchgangsloch
  • Die 6 ist eine veranschaulichende Ansicht, die ein Beispiel des Aufbaus einer Leiterplatte der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • Die 7 ist eine veranschaulichende Ansicht, die ein Beispiel des Aufbaus einer Leiterplatte der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • Die 8 ist eine veranschaulichende Ansicht, die ein Beispiel des Aufbaus der Leiterplatte der vorliegenden Erfindung zeigt.
    • 1
    Halbleiter
    10
    Signalschicht
    12
    Stromschicht
    14
    Erdungsschicht
    16, 18
    Verbindungsstück
    20
    elektrische Isolationsschicht
    22
    Leiterfolie
    24
    Dielektrikum
    26
    Verbindungsschicht
    30
    leitfähige Bindung
  • Beste Ausführungsform der Erfindung
  • Die erfindungsgemäße Zusammensetzung zur Ausbildung eines Dielektrikums enthält Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz bestehend aus:
    • (J) anorganischen feinsten Teilchen mit einem durchschnittlichen Teilchendurchmesser von 0,1 μm oder kleiner; und
    • (B) einem Harzbestandteil bestehend aus wenigstens einer polymerisierbaren Verbindung oder einem Polymer, wobei ein Teil oder alle Oberflächen der anorganischen feinsten Teilchen (J) mit dem vorher beschriebenen Harzbestandteil (B) überzogen sind, und die vorher beschriebenen anorganischen feinsten Teilchen (J) in einer Menge von 20 Gew.-% oder mehr enthalten sind, und anorganische Teilchen mit einem durchschnittlichen Teilchendurchmesser von 0,1 bis 2 μm und einer dielektrischen Leitfähigkeit von 30 oder höher, oder anorganische Verbundstoffteilchen, in welchen ein leitfähiges Metall, oder eine Verbindung davon, oder eine leitfähige organische Verbindung oder ein leitfähiges anorganisches Material auf einem Teil oder allen Oberflächen der anorganischen Teilchen abgeschieden ist.
  • [Erfindung]
  • Die Erfindung bezieht sich auf eine Zusammensetzung bestehend aus Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz und Verbundstoffteilchen, die eine Dielektrikum ausbilden, und die Zusammensetzung enthält speziell
  • Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz bestehend aus:
    • (J) anorganischen feinsten Teilchen mit einem durchschnittlichen Teilchendurchmesser von 0,1 μm oder kleiner; und
    • (B) ein Harzbestandteil bestehend aus wenigstens einer polymerisierbaren Verbindung und einem Polymer, wobei ein Teil oder alle Oberflächen der vorher beschriebenen anorganischen feinsten Teilchen (J) mit dem vorher beschriebenen Harzbestandteil (B) überzogen sind, und die vorher beschriebenen anorganischen feinsten Teilchen (J) in einer Menge von 20 Gew.-% oder mehr in den Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz enthalten sind, und anorganische Teilchen mit einem durchschnittlichen Teilchendurchmesser von 0,1 bis 2 μm und einer dielektrischen Leitfähigkeit von 30 oder höher, oder anorganische Verbundstoffteilchen (Verbundstoffteilchen für Dielektrika), in welchen ein leitfähiges Metall, oder eine Verbindung davon, oder eine leitfähige organische Verbindung oder ein leitfähiges anorganisches Material auf einem Teil oder allen Oberflächen der anorganischen Teilchen abgeschieden ist.
  • Die Erfindung wird im Folgenden spezifisch beschrieben.
  • [Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz]
  • Die erfindungsgemäßen Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz haben spezifische Teilchengrößen und bestehen aus anorganischen feinsten Teilchen (J) mit spezifischen Teilchengrößen und einem spezifischen Harzbestandteil (B).
  • Anorganische feinste Teilchen (J)
  • Die anorganischen feinsten Teilchen (J) für die Verwendung in der Erfindung haben eine durchschnittliche Teilchengröße von 0,1 μm oder weniger, bevorzugt 0,08 μm oder weniger, weiter bevorzugt 0,05 μm oder weniger. Wenn die durchschnittliche Teilchengröße größer als 0,1 μm ist, kann die Dispergierbarkeit in den Harzteilchen reduziert sein und es erschweren, eine ausreichende Wirkung bei ihrer Zugabe zu erzielen. Ebenfalls ist das untere Limit für die durchschnittliche Teilchengröße nicht spezifiziert, aber es ist bevorzugt 0,001 μm oder größer, weiter bevorzugt 0,005 μm oder größer, weil wenn die durchschnittliche Teilchengröße verringert wird, neigen die Teilchen dazu zu verklumpen, ohne zu dispergieren, wenn sie in dem Harz dispergiert werden.
  • Die dielektrische Leitfähigkeit der anorganischen feinsten Teilchen der vorliegenden Erfindung ist bevorzugt 10 oder größer, bevorzugt 20 oder größer, weiter bevorzugt 30 oder größer.
  • Für diese anorganischen Teilchen werden die aus Metalloxiden bestehenden bevorzugt verwendet und Metalloxide auf Titanbasis sind bevorzugter. Hierbei meint "Metalloxid auf Titanbasis" eine Verbindung, die Titan und Sauerstoff als wesentliche Elemente enthält. Für diese Metalloxide auf Titanbasis können Metalloxide auf Titanbasis, die zum Aufbau einer Kristallstruktur Titan in einer Einzelform als ein metallisches Element enthalten und Mehrfachoxide auf Titanbasis, die Titan und andere Metalle als metallische Elemente enthalten, bevorzugt verwendet werden.
  • Die vorher beschriebenen Einzelmetalloxide auf Titanbasis enthalten zum Beispiel Metalloxide auf Titandioxidbasis. Derartige Metalloxide auf Titandioxidbasis enthalten Metalloxide auf Titandioxidbasis mit Anatas- oder Rutilstruktur.
  • Die vorher beschriebenen mehrfachen Oxide auf Titanbasis enthalten zum Beispiel Metalloxide auf Bariumtitanatbasis, Bleititanatbasis, Strontiumtitanatbasis, Bismuttitanatbasis, Magnesiumtitanatbasis, Neodiumtitanatbasis und Calciumtitanatbasis.
  • Ebenfalls können, zur Verbesserung der Dispergierbarkeit in dem Dispersionsmedium, wie etwa einem alkoholischen Medium, Teilchen mit den Oberflächen der vorher beschriebenen anorganischen Teilchen modifiziert mit Siliciumoxid, Aluminiumoxid oder Ähnlichem in geeigneter Weise verwendet werden.
  • Die Formen der anorganischen feinsten Teilchen der vorliegenden Erfindung sind nicht besonders beschränkt, aber sie beinhalten die Kugelform, die Kornform, die Tafelform, die Flockenform, die Whisker-Form, die Stabform und die Filamentform. Von diesen Formen sind die Kugelform, die Kornform, die Stückform und die Flockenform bevorzugt. Anorganische Teilchen in diesen Formen können allein oder in Kombination von zwei oder mehr Sorten verwendet werden.
  • Anorganische feinste Teilchen für die Verwendung in der Erfindung können zum Beispiel durch das Gasphasenverfahren und das Sol-Gel-Verfahren synthetisiert werden. Für die Dispersion der durch das Gasphasenverfahren synthetisierten anorganischen feinsten Teilchen in einem Lösungsmittel können sie in primäre Teilchen unter Verwendung eines Dispersionsmittel zusammen mit einem bekannten Dispersionsverfahren, einer Kugelmühle, einem Mischverfahren, einem Hochdruckhomogenisator dispergiert werden.
  • Harzbestandteil (B)
  • Der Harzbestandteile (B) für die Verwendung in der Erfindung besteht aus wenigstens einer polymerisierbaren Verbindung oder einem Polymer. Hierbei meint "polymerisierbare Verbindung" eine Verbindung mit einer polymerisierbaren Gruppe und bezieht sich auf eine Verbindung einschließlich eines Vorläuferpolymers vor dem vollständigen Aushärten, ein polymerisierbares Oligomer, ein Monomer oder Ähnliches. Ebenfalls meint "Polymer" eine Verbindung, in welcher eine Polymerisationsreaktion im Wesentlichen abgeschlossen ist. Jedoch kann dieses Polymer mittels Erwärmen, Feuchtigkeit und Ähnlichem nach Ausbildung der dielektrischen Schicht vernetzt werden.
  • Ein derartiger Harzbestandteil besteht bevorzugt aus einer oder mehreren Arten von Harzen ausgewählt aus Harz auf Polyimidbasis, Harz auf Epoxidbasis, Harz auf Acrylbasis, Harz auf Polyesterbasis, Harz auf Fluorbasis und Harz auf Siliconbasis. Zusätzlich zu diesen Harzen können andere Bestandteile enthalten sein. Zusätzlich können diese Harze chemisch aneinander oder an andere Bestandteile gebunden sein.
  • Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz
  • Die Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz gemäß der Erfindung bestehen aus anorganischen feinsten Teilchen (J) und dem Harzbestandteil (B), wie vorher beschrieben, aber sie sind bevorzugt Teilchen, in welchen wenigstens ein Teil der Oberflächen der anorganischen feinsten Teilchen (J) mit dem Harzbestandteil (B) überzogen sind, bevorzugter Teilchen, in welchen alle Oberflächen der anorganischen feinsten Teilchen (J) mit dem Harzbestandteil (B) überzogen sind.
  • Das heißt, in den Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz können die anorganischen feinsten Teilchen (J) in dem Harzbestandteil (B) enthalten sein, und ein Teil der anorganischen feinsten Teilchen (J) können an den Oberflächen der Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz freiliegen, ohne mit dem Harzbestandteil (B) überzogen zu sein.
  • Derartige feinste Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz enthalten bevorzugt 20 Gew.-% oder mehr, bevorzugter 30 bis 70 Gew.-%, weiter bevorzugt 35 bis 50 Gew.-% anorganische feinste Teilchen (J) unter der Annahme, dass die Gesamtmenge der Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz 100 Gew.-% ist. Wenn der Gehalt an den anorganischen feinsten Teilchen in den Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz kleiner als 20 Gew.-% ist, kann die dielektrische Leitfähigkeit nachlassen, und wenn der Gehalt größer als 70 Gew.-% ist, kann die mechanische Festigkeit des Dielektrikums abfallen, wenn das Dielektrikum ausgebildet wird.
  • Die durchschnittliche Teilchengröße dieser Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz ist bevorzugt 0,1 bis 5 μm, bevorzugter 0,1 bis 1 μm, weiter bevorzugt 0,15 bis 0,6 μm. Wenn die durchschnittliche Teilchengröße größer als 5 μm ist, können die Teilchen ausfallen, und die Lagerungsstabilität sich verringern. Ebenfalls kann es, wenn die durchschnittliche Teilchengrößer kleiner als 0,1 μm ist, es schwierig sein, anorganische feinste Teilchen aufzubauen, so dass die Gleichmäßigkeit der dielektrischen Schicht beeinträchtigt wird.
  • Die Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz gemäß der vorliegenden Erfindung können hauptsächlich als eine Emulsion durch ein im Folgenden beschriebenes Verfahren erhalten werden.
  • Diese Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz haben auf den Oberflächen bevorzugt elektrische Ladungen für die Ermöglichung der von elektrochemischen Abscheidung, und die elektrischen Ladungen auf den Oberflächen können vom anionischen Typ oder vom kationischen Typ sein, sie sind aber bevorzugt vom kationischen Typ zur Vermeidung von Oxidation von Elektroden während der elektrochemischen Abscheidung.
  • In der vorliegenden Erfindung wird ein Harzbestandteil mit einem Harz auf Polyimidbasis als ein Hauptbestandteil besonders bevorzugt verwendet, weil er es ermöglicht, ein Dielektrikum mit hoher dielektrischer Leitfähigkeit mit hervorragenden mechanischen, chemischen und elektrischen Eigenschaften durch elektrochemische Abscheidung auszubilden. Außerdem bedeutet "Harz aus Polyimidbasis" den Einschluss von zum Beispiel Vorläuferpolymeren, die durch Erwärmen nach elektrochemischer Abscheidung ausgehärtet werden können, und ähnliche (zum Beispiel Polyaminsäure usw.) Monomere für die Verwendung in der Ausbildung von Harzen auf Polyimidbasis, Oligomere, Copolymerharze von Monomeren für die Verwendung in der Ausbildung von Polyimidharzen und andere Monomeren, oder ihre Vorläuferpolymere, und Reaktionspartner von Polyimidharzen, oder ihre Vorläuferpolymere, und andere Verbindungen, wie vorher beschrieben.
  • [Anorganische Teilchen oder anorganische Verbundstoffteilchen]
  • Die ein Zusammensetzung zur Herstellung von Dielektrika gemäß der vorliegenden Erfindung enthält, wie vorher beschrieben, Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz, zusammen mit anorganischen Teilchen oder anorganischen Verbundstoffteilchen. Die anorganischen Teilchen und anorganischen Verbundstoffteilchen werden im Folgenden beschrieben.
  • Anorganische Teilchen
  • Die anorganischen Teilchen für die Verwendung in der vorliegenden Erfindung haben eine dielektrische Leitfähigkeit von 30 oder mehr, bevorzugt 50 oder mehr, bevorzugter 70 oder mehr. Selbst eine größere dielektrische Leitfähigkeit ist akzeptabel und die obere Grenze davon ist nicht spezifiziert, und es kann zum Beispiel eine dielektrische Leitfähigkeit von etwa 30000 akzeptiert werden.
  • Für diese anorganischen Teilchen werden die bestehend aus Metalloxiden bevorzugt verwendet, und insbesondere Metalloxide auf die Titanbasis werden bevorzugt. Hierbei meint "Metalloxid auf Titanbasis" eine Verbindung, die Titan und Sauerstoff als wesentliche Elemente enthält. Für diese Metalloxide auf Titanbasis können Einzelmetalloxide auf Titanbasis, die Titan in einer einzelnen Form als ein metallisches Element enthalten, das eine Kristallstruktur bildet, und multiple Oxide auf Titanbasis, die Titan und andere metallische Elemente als metallische Elemente enthalten, bevorzugt verwendet werden.
  • Die vorher beschriebenen Einzelmetalloxide auf Titanbasis enthalten zum Beispiel Metalloxide auf Titandioxidbasis. Derartige Metalloxide auf Titandioxidbasis enthalten Metalloxide auf Titandioxidbasis mit Anatas- oder Rutilstruktur.
  • Die vorher beschriebenen multiplen Oxide auf Titanbasis enthalten zum Beispiel Metalloxide auf Bariumtitanatbasis, Bleititanatbasis, Strontiumtitanatbasis, Bismuttitanatbasis, Magnesiumtitanatbasis, Neodiumtitanatbasis und Calciumtitantabasis.
  • Außerdem meint "Metalloxid auf Titandioxidbasis" ein System, das nur Titandioxid enthält, oder ein System, das eine geringe Menge von Zusatzstoffen zusätzlich zu Titandioxid enthält, welches die Kristallstruktur von Titandioxid als ein Hauptbestandteil aufrechterhält, und das gleiche gilt für Metalloxide anderer Systeme.
  • Ebenfalls meint das vorher beschriebene "multiple Oxid auf Titanbasis" ein Oxid, das hergestellt wird aus einer Kombination eines Einzelmetalloxids auf Titanbasis und eines Metalloxids bestehend aus wenigstens einer Sorte eines anderen metallischen Elements, in welchem kein Oxosäureion als eine Einheit der Struktur vorhanden ist.
  • In der vorliegenden Erfindung sind für diese Metalloxide auf Titanbasis, die die anorganischen Teilchen aufbauen, Metalloxide auf Titandioxidbasis mit Rutilstruktur in dem Fall von Einzelmetalloxiden auf Titanbasis bevorzugt, und Metalloxide auf Bariumtitanatbasis können bevorzugt in dem Fall von multiplen Oxiden auf Titanbasis verwendet werden.
  • Zusätzlich dazu, können Metalloxide auf Bariumtitanatbasis besonders bevorzugt verwendet werden.
  • Ebenfalls können für die Verbesserung der Dispergierbarkeit im wässrigen Medium Teilchen mit den Oberflächen der vorher beschriebenen anorganischen Teilchen modifiziert mit Siliciumoxid, Aluminiumoxid oder Ähnlichem in geeigneter Weise verwendet werden.
  • Die durchschnittliche Teilchengröße dieser anorganischen Teilchen ist bevorzugt 0,1 bis 2 μm, bevorzugter 0,1 bis 1 μm, weiter bevorzugt 0,15 bis 0,8 μm. Wenn die durchschnittliche Teilchengröße größer als 1 μm ist, kann die Zusammensetzung der dielektrischen Schicht dazu neigen, einen Mangel in der Gleichmäßigkeit zu haben, wenn die Dicke verringert wird. Wenn die durchschnittliche Teilchengröße kleiner als 0,1 μm ist, kann die dielektrische Leitfähigkeit der dielektrischen Schicht abfallen.
  • Die Formen der anorganischen Teilchen der vorliegenden Erfindung sind nicht besonders beschränkt, aber sie enthalten die Kugelform, die Kornform, die Tafelform, die Flockenform, die Whiskerform, die Stabform und die Filamentform. Und von diesen Formen sind die Kugelform, die Kornform, die Stückform und die Flockenform bevorzugt. Anorganische Teilchen mit diesen Formen können alleine oder in Kombination von zwei oder mehreren Typen verwendet werden.
  • Anorganische Verbundstoffteilchen
  • Anorganische Verbundstoffteilchen für die Verwendung in der vorliegenden Erfindung sind Teilchen, in welchem ein Teil oder die Gesamtheit der Oberflächen der vorhergehenden anorganischen Teilchen mit einem leitfähigen Metall oder einer Verbindung davon, oder einer leitfähigen organischen Verbindung oder einem leitfähigen anorganischen Material (hiernach ebenfalls als leitfähige Überzugsmaterialien bezeichnet) überzogen sind.
  • "Leitfähige Überzugsmaterialien"
  • Leitfähige Überzugsmaterialien, mit welchen die vorher beschriebenen anorganischen Teilchen überzogen werden, enthalten leitfähige Metalle, oder Verbindungen davon, oder leitfähige organische Verbindungen oder leitfähige anorganische Materialien. Für diese leitfähigen Materialien können eine Art von Material oder zwei oder mehr Arten von Materialien auf einem Teil der Oberflächen der vorher beschriebenen anorganischen Teilchen abgeschieden werden.
  • Für das vorher beschriebene leitfähige Metall kann zum Beispiel wenigstens eine Art von Metall ausgewählt aus Gold, Silber, Kupfer, Zinn, Platin, Palladium, Ruthenium, Fe, Ni, Co., Ge, Si, Zn, Ti, Mg und Al verwendet werden. Für das Metall kann eine Legierung dieser Metalle verwendet werden.
  • Für die vorher beschriebene Verbindung des leitfähigen Metalls können Nitride der vorher beschriebenen leitfähigen Metalle verwendet werden. Von diesen kann Titannitrid besonders geeignet verwendet werden.
  • Für die vorher beschriebene leitfähige organische Verbindung kann wenigstens eine Art von Verbindung ausgewählt aus TCNQ (7,7,8,8-Tetracyanchinodinmethan), Polypyrrol, Polyanilinpolythiophen und Ähnliche verwendet werden.
  • Für das vorher beschriebene leitfähige anorganische Material kann wenigstens eine Art von Material ausgewählt aus Kohlenstoff, Graphit und Ähnlichem verwendet werden.
  • "Anorganische Verbundstoffteilchen"
  • Der Gehalt der vorher beschriebenen anorganischen Teilchen enthalten in den anorganischen Verbundstoffteilchen für die Verwendung in der vorliegenden Erfindung ist bevorzugt 70 bis 99 Gew.-%, weiter bevorzugt 85 bis 95 Gew.-%, besonders bevorzugt 80 bis 90 Gew.-%, bezogen auf die Gesamtmenge der anorganischen Verbundstoffteilen. Ebenfalls ist der Gehalt des leitfähigen Metalls oder der leitfähigen organischen Verbindung bevorzugt 1 bis 30 Gew.-%, weiter bevorzugt 5 bis 15 Gew.-% und besonders bevorzugt 10 bis 20 Gew.-%.
  • Wenn der Gehalt des anorganischen Teilchenbestandteils größer als 99 Gew.-% ist, könnte es unmöglich werden, eine hohe dielektrische Leitfähigkeit zu erhalten, wenn ein Dielektrikum aus den Teilchen hergestellt wird. Ebenfalls kann, wenn der Gehalt des anorganischen Teilchenbestandteils kleiner als 70 Gew.-% ist, die Isolationsqualität des Dielektrikums verschlechtert werden.
  • Die durchschnittliche Teilchengröße der anorganischen Verbundstoffteilchen für die Verwendung in der vorliegenden Erfindung ist bevorzugt 0,1 bis 2 μm, bevorzugter 0,1 bis 1 μm, weiter bevorzugt 0,15 bis 0,8 μm. Wenn die durchschnittliche Teilchengröße größer als 2 μm ist, kann die Zusammensetzung der dielektrischen Schicht dazu neigen, einen Mangel in der Gleichmäßigkeit zu haben, wenn die Dicke reduziert wird. Wenn die durchschnittliche Teilchengröße kleiner als 0,1 μm ist, kann die dielektrische Leitfähigkeit der dielektrischen Schicht abfallen.
  • Diese anorganischen Verbundstoffteilchen können unter Verwendung eines bekannten Verfahrens hergestellt werden und sind nicht beschränkt.
  • Zum Beispiel kann in dem Fall, in dem die Oberflächen der anorganischen Teilchen mit einem leitfähigen Material durch Plattieren bzw. Metallisieren und Ähnliches überzogen werden, nicht elektrolytisches Plattieren, wie etwa chemisches Plattieren, angewendet werden.
  • Ebenfalls können zum Beispiel die Oberflächen der anorganischen Teilchen mit einem leitfähigen Metall und einer organischen Verbindung in der Legierungs- oder Verbundstoffform durch ein bekanntes Verfahren, wie etwa dem Gaszerstäubungsverfahren überzogen werden. Zusätzlich kann bei anorganischen Verbundstoffteilchen hergestellt durch das Gaszerstäubungsverfahren die Konzentration des vorher beschriebenen leitfähigen Bestandteils nahe den Oberflächen der Teilchen erhöht werden, um die Oxidation der Oberflächen der Teilchen zu drosseln, zum Beispiel durch Verwendung eines bekannten Verfahrens zur Herstellung von Legierungen.
  • Spezifisch werden anorganische Verbundstoffteilchen bestehend aus anorganischen Teilchen überzogen mit 1 bis 40 Gew.-% des Metallbestandteils mit einem Klassierapparat behandelt, um Pulver mit einer durchschnittlichen Korngröße von 0,1 bis 2 μm zu sammeln, und eine Ultraschalldispersionsbehandlung wird mit den Pulvern in gereinigtem Wasser durchgeführt, um ihre Oberflächen im Wasser ausreichend einzutauchen, gefolgt durch alleinige Elution des Cu-Bestandteils auf den Oberflächen in einem Bad mit 1 bis 10 Vol.-% Schwefelsäure, wodurch anorganische Verbundstoffteilchen erhalten werden können.
  • Ebenfalls können zum Beispiel Verbundstoffteilchen mit einer großen Menge eines leitfähigen Bestandteils nahe den Oberflächen der anorganischen Verbundstoffteilchen hergestellt werden, selbst wenn die Teilchen fein sind oder Stückformen haben.
  • Für derartige anorganische Verbundstoffteilchen können 3 bis 50 Gew.-% Kohlenstoff bezogen auf die anorganischen Teilchen zugegeben und pulverisiert werden, um Kohlenstoff mechanisch an magnetische Pulver zu binden (mechanochemisches Verfahren).
  • Zusätzlich kann durch Schmelzen des vorher beschriebenen leitfähigen Metalls und der anorganischen Teilchen in einem Plasmagas bei hoher Temperatur und ihr schnelles Abkühlen und Verfestigen, die Konzentration des leitfähigen Bestandteils nahe den Oberflächen der anorganischen Verbundstoffteilchen zu der vorhergehenden durchschnittlichen Konzentration erhöht werden.
  • In dem Fall, in dem feine anorganische Verbundstoffsteilchen mit einer durchschnittlichen Teilchengröße von etwa 0,1 bis 2 μm erhalten werden, werden anorganische teilchenförmige Pulver in einer Flüssigkeitsstrahl-Mühlenbehandlung in einer inerten Atmosphäre unterzogen und in primäre Teilchen dispergiert, und die durch Dispersionsbehandlung erhaltenen, anorganischen Teilchen werden unter reduziertem Druck in der inerten Atmosphäre erwärmt, und die anorganischen Teilchen, die der Wärmebehandlung unterzogen wurden, werden in einem rotierenden Behälter mit einem darin enthaltenen leitfähigen Bestandteil als eine Sputterquelle angeordnet, und der Behälter wird in einer festgesetzten Richtung gedreht, um ein Fließbett von anorganischen Teilchen zu bilden, und der leitfähige Bestandteil wird mit dem sich drehenden Behälter gesputtert, um das Überzugsmaterial auf die aufgewirbelten anorganischen Teilchen zu beschichten, und die beschichteten feinen Pulver werden aus dem vorher beschriebenen, sich drehenden Behälter auf der Grundlage des Prinzips eines Staubsaugers durch eine Kombination von Einführen von inertem Gas und Vakuumpumpen herausgenommen, wodurch anorganische Verbundstoffteilchen innerhalb der vorher beschriebenen durchschnittlichen Teilchengrößer erhalten werden können, in welchen die Oberflächen der anorganischen Teilchen stark und gleichmäßig mit einem leitfähigen Bestandteil überzogen worden sind.
  • [Zusammensetzung zur Herstellung von Dielektrika]
  • Die Zusammensetzung zur Ausbildung eines Dielektrikums gemäß der Erfindung enthält die vorher beschriebenen Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz und anorganische Teilchen oder anorganische Verbundstoffteilchen.
  • In der Verbindung ist das Gewichtsverhältnis der vorher beschriebenen Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz zu den anorganischen Teilchen oder anorganischen Verbundstoffteilchen (anorganische Teilchen oder anorganische Verbundstoffteilchen/Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz) bevorzugt 30/70 bis 95/5, weiter bevorzugt 50/50 bis 90/10. Wenn der Gehalt der anorganischen Teilchen oder anorganischen Verbundstoffteilchen kleiner als 30 Gew.-% ist, kann es schwierig sein, ein Dielektrikum mit hoher dielektrischer Leitfähigkeit zu erhalten. Ebenfalls kann, wenn der Gehalt der anorganischen Teilchen oder anorganischen Verbundstoffteilchen größer als 95 Gew.-% ist, die Abscheidungseigenschaft des Dielektrikums beeinträchtigt sein.
  • Diese Zusammensetzung zur Herstellung von Dielektrika ist eine Zusammensetzung, die die Bildung eines Dielektrikums mit einer dielektrischen Leitfähigkeit von 30 oder höher und einem dielektrischen Verlustfaktor von 0,1 oder weniger durch Erwärmen der Zusammensetzung auf eine Temperatur von 500°C oder weniger ermöglicht. Außerdem stellen in dieser Beschreibung die dielektrische Leitfähigkeit und der dielektrische Verlustfaktor Werte dar, die durch das Verfahren in JIS K 6911 (Frequenz 1 MHz) gemessen werden.
  • Ebenfalls kann die vorher beschriebene Zusammensetzung zur Ausbildung eines Dielektrikums weiterhin ein Lösungsmittel und, falls erforderlich, andere Bestandteile, wie etwa einen Füllstoff, enthalten.
  • Füllstoff
  • Die Zusammensetzung zur Ausbildung eines Dielektrikums der Erfindung kann außerdem ein raumeinnehmendes Mittel zusätzlich zu den Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz, und den anorganischen Teilchen oder anorganischen Verbundstoffteilchen enthalten. Füllstoffe zur Verbesserung der dielektrischen Leitfähigkeit enthalten Kohlenstoffpulver, wie etwa Acetylenschwarz und Ketjenschwarz, leitfähige feinste Teilchen, wie etwa Graphitpulver, und feine Teilchen auf Halbleiterbasis, wie etwa Siliciumcarbidpulver. Wie in dem Fall, in dem diese Füllstoffe zur Verbesserung der dielektrischen Leitfähigkeit zugegeben werden, ist ihr Gehalt bevorzugt 0 bis 10 Gew.-%, weiter bevorzugt 0,05 bis 10 Gew.-% und bevorzugter 0,1 bis 5 Gew.-% bezogen auf die anorganischen Teilchen oder anorganischen Verbundstoffteilchen.
  • Andere Zusatzstoffe (Additive)
  • Die Zusammensetzung zur Herstellung von Dielektrika gemäß der vorliegenden Erfindung kann weiterhin zusätzlich zu den vorher beschriebenen Verbindungen ein Härtungsmittel, Glaspulver, ein Kopplungsmittel, polymere Additive, ein reaktives Verdünnungs- bzw. Streckmittel, einen Polymerisationsinhibitor, einen Polymerisationsinitiator, ein Egalisierungsmittel, einen Benetzungsverbesserer, einen oberflächenaktiven Stoff, einen Weichmacher, ein Ultraviolettabsorptionsmittel, ein Antioxidationsmittel, ein antistatisches Mittel, einen anorganischen Füllstoff, ein Antischimmelmittel, ein Feuchtigkeitsregulierungsmittel, ein Farbstofflösungsmittel, eine Pufferlösung, ein Chelatbildner, ein Flammschutzmittel und Ähnliche enthalten. Diese Zusatzstoffe können allein oder in Kombination von zwei oder mehren Typen davon verwendet werden.
  • Außerdem ist es bevorzugt, dass die Zusammensetzung zur Herstellung von Dielektrika gemäß der vorliegenden Erfindung die Form einer elektrochemisch abscheidbaren Flüssigkeit zur Ausbildung von Dielektrika wie im Folgenden beschrieben einnimmt, aber sie kann, falls erforderlich, die Form einer Paste einnehmen.
  • [Elektrochemisch abscheidbare Flüssigkeit zur Ausbildung von Dielektrika]
  • Die elektrochemisch abscheidbare Flüssigkeit zur Ausbildung von Dielektrika gemäß der vorliegenden Erfindung hat die vorher beschriebenen Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz und die anorganischen Teilchen oder anorganische Verbundstoffteilchen, die in einem wässrigen Dispersionsmedium dispergiert sind. Diese elektrochemisch abscheidbare Flüssigkeit zur Ausbildung von Dielektrika wird gewöhnlich durch Herstellung einer wässrigen Emulsion mit den vorher beschriebenen Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz, die in einem wässrigen Medium dispergiert sind, und Mischen dieses wässrigen Mediums mit den vorher beschriebenen anorganischen Teilchen und anorganischen Verbundstoffteilchen erhalten. Zunächst wird diese wässrige Emulsion beschrieben. Außerdem meint in dieser Beschreibung "wässriges Dispersionsmedium" ein Medium, das Wasser enthält, und der Gehalt in Wasser in diesem wässrigen Dispersionsmedium ist gewöhnlich 1 Gew.-% oder mehr, bevorzugt 5 Gew.-% oder mehr.
  • Wässrige Emulsion
  • Im Folgenden werden Verfahren beschrieben zur Herstellung von wässrigen Emulsionen von Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz beschrieben, die hauptsächlich aus anorganischen feinsten Teilchen und Harzen auf Polyimidbasis gebildet werden (hiernach als "Emulsionen aus feinsten Teilchen verbunden mit Harz auf Polyimidbasis" bezeichnet), wässrige Emulsionen von Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz, die hauptsächlich durch anorganische feinste Teilchen und Harze auf Epoxidbasis aufgebaut werden (hiernach als Emulsionen aus feinsten Teilchen verbunden mit Harz auf Epoxidbasis" bezeichnet), wässrige Emulsionen von Verbundstoffteilchen, bestehend aus feinsten Teilchen-Harz, die hauptsächlich durch anorganische feinste Teilchen und Harze auf Acrylbasis aufgebaut werden (hiernach als "Emulsionen aus feinsten Teilchen verbunden mit Harz auf Acrylbasis" bezeichnet), wässrige Emulsionen von Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz, die hauptsächlich durch anorganische feinste Teilchen und Harze auf Polyesterbasis aufgebaut werden (hiernach als "Emulsionen aus feinsten Teilchen verbunden mit Harz auf Polyesterbasis" bezeichnet), wässrige Emulsionen von Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz, die hauptsächlich durch anorganische feinste Teilchen und Harze auf Fluorbasis gebildet werden (hiernach als "Emulsionen von feinsten Teilchen verbunden mit Harz auf Fluorbasis" bezeichnet) und wässrige Emulsionen von Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz, die hauptsächlich durch anorganische feinste Teilchen und Harze auf Siliconbasis gebildet (hiernach bezeichnet als "Emulsionen aus feinsten Teilchen verbunden mit Harz auf Siliconbasis"). Außerdem können diese wässrigen Emulsionen wie erforderlich andere Medien zusammen mit Wasser enthalten. Andere Medien, die wie erforderlich zusammen mit Wasser verwendet werden enthalten zum Beispiel die vorher beschriebene Polyaminsäure, aprotische polare Lösungsmittel für die Verwendung in er Herstellung von Polyimid, Ester, Ketone, Phenole und Alkohole.
  • Ebenfalls besteht in der wässrigen Emulsion der Harzbestandteil (B) bevorzugt aus körnigen organischen Teilchen.
  • (i) Verfahren zur Herstellung von Emulsionen aus feinsten Teilchen verbunden mit Harz auf Polyimidbasis
  • In diesem Fall, in dem der Harzbestandteil für die Verwendung in der vorliegenden Erfindung aus dem Harz auf Polyimidbasis besteht, kann eine Schicht mit hoher dielektrischer Leitfähigkeit auf Polyimidbasis mit hervorragenden mechanischen, chemischen und elektrischen Eigenschaften ausgebildet werden. Als das Verfahren für die Herstellung dieser dielektrischen Schicht durch elektrochemische Abscheidung können die im Folgenden beschriebenen zwei Verfahren bevorzugt verwendet werden.
    • «1» Ein Verfahren, in welchem eine Emulsion aus feinsten Teilchen verbunden mit Harz auf Polyimidbasis, das die vorher beschriebenen anorganischen feinsten Teilchen und ein Harzbestandteil bestehend aus einem in einem organischen Lösungsmittel löslichen Polyimid und einem hydrophilen Polymer enthält, wird als eine elektrochemisch abscheidbare Flüssigkeit verwendet, um die Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz elektrochemisch abzuscheiden.
    • «2» Ein Verfahren, in welchem eine Emulsion aus feinsten Teilchen verbunden mit Harz auf Polyimidbasis, die die vorher beschriebenen anorganischen feinsten Teilchen und einen Harzbestandteil bestehend aus Polyimidsäure und einer hydrophoben Verbindung enthalten, wird als eine elektrochemisch abscheidbare Flüssigkeit verwendet, um die Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz elektrochemisch abzuscheiden, und die elektrochemisch abgeschiedene Polyamidsäure wird einer Dehydrierungs-Ringschluss durch Erwärmen unterzogen.
  • Für das Verfahren zur Herstellung der Harzemulsion auf Polyimidbasis für die Verwendung in diesem Verfahren kann das in dem Japanischen Patent, Offenlegungsschrift Nr. 11-49951 beschriebene Verfahren für das vorher beschriebene Verfahren «1», und das in dem Japanischen Patent, Offenlegungsschrift Nr. 11-60947 beschriebene Verfahren für das vorher beschriebene Verfahren «2» verwendet werden.
  • Das Verfahren zur Herstellung der Harzemulsion auf Polyimidbasis für die Verwendung in dem vorher beschriebenen Verfahren «1» wird ausführlicher beschrieben.
  • Das Verfahren zur Synthese des "in einem organischen Lösungsmittel löslichen Polyimids" ist nicht besonders beschränkt, aber zum Beispiel kann das Polyimid durch Mischen von Tetracarbonsäureanhydrid und einer Diaminverbindung und Polykondensation davon in einem organischen polaren Lösungsmittel synthetisiert werden, um eine Polyamidsäure zu erhalten, gefolgt durch Dehydrierungs-Ringschlussreaktion der Polyamidsäure durch das Wärmeimidisierungsverfahren oder das chemische Imidisierungsverfahren. Ebenfalls kann Polyimid mit einer Blockstruktur durch Polykondensation des Tetracarbonsäuredianhydrids und der Diaminverbindung in mehreren Stadien synthetisiert werden.
  • Dieses in organischen Lösungsmitteln lösliche Polyimid hat bevorzugt eine oder mehre Arten von reaktiven Gruppen (a) wie etwa eine Carboxylgruppe, eine Aminogruppe, eine Hydroxylgruppe, eine Sulfongruppe, eine Amidgruppe, eine Epoxidgruppe und eine Isocyanatgruppe. Verfahren zur Synthese von Polyimid mit der reaktiven Gruppe (a) können zum Beispiel ein Verfahren enthalten, in welchem eine Verbindung mit der reaktiven Gruppe (a) als ein Reaktionsausgangsmaterial in der Synthese von Polyamidsäure verwendet wird, wie etwa Carboxylsäuredianhydrid, die Diaminverbindung, Carboxylsäuremonoanhydrid und die Monoaminverbindung, und die reaktive Gruppe (a) verbleibt nach der Dehydrierungs-Ringschlussreaktion.
  • Das "hydrophile Polymer" hat eine oder mehrere Arten von Gruppen, wie etwa eine Aminogruppe, eine Carboxylgruppe, eine Hydroxylgruppe, eine Sulfongruppe und eine Amidgruppe als Beispiele für eine hydrophile Gruppe, und wird gebildet aus einem hydrophilen Polymer dessen Löslichkeit in Wasser bei 20°C gewöhnlich 0,01 g/100 g oder größer, bevorzugt 0,5 g/100 g oder größer ist. Das hydrophile Polymer hat bevorzugt ein oder mehrere Arten der reaktiven Gruppe (b), die mit der reaktiven Gruppe (a) in den vorher beschriebenen Bestandteil aus in einem organischen Lösungsmittel löslichen Polyimid reagiert, zusätzlich zu der vorher beschriebenen hydrophilen Gruppe. Diese reaktive Gruppe (b) kann zum Beispiel eine Gruppe sein, die ähnlich zu der vorher beschriebenen hydrophilen Gruppe ist, zusätzlich zu einer Epoxidgruppe, einer Isocyanatgruppe und Carboxylgruppe. Dieses hydrophile Polymer kann durch Homopolymerisieren oder Copolymerisieren von Monovinylmonomeren mit der hydrophilen Gruppe und/oder der reaktiven Gruppe (b) erhalten werden, oder durch Copolymerisieren dieser Monovinylmonomere mit anderen Monomeren.
  • Dieses in organischen Lösungsmitteln lösliche Polyimid und das hydrophile Polymer werden so ausgewählt, dass eine Kombination der reaktiven Gruppe (a) und der reaktiven Gruppe (b) in dem hydrophilen Polymer eine geeignete Reaktivität hat, und das Polyimid und das hydrophile Polymer werden zusammengemischt und reagieren miteinander in der Form einer Lösung in, zum Beispiel, einem organischen Lösungsmittel, während sie wie erforderlich erwärmt werden, gefolgt durch Mischen dieser Reaktionslösung und des wässrigen Mediums und Entfernen wenigstens eines Teils des organischen Lösungsmittels in einigen Fällen, wodurch eine Harzemulsion auf Polyimidbasis erhalten werden kann, die aus organischen Teilchen mit dem aneinander gebundenen Polyimid und hydrophilen Polymer, und die in dem gleichen Teilchen enthalten sind, besteht.
  • Das Verfahren zur Herstellung der Harzemulsion auf Polyimidbasis für die Verwendung in dem vorher beschriebenen Verfahren «2» wird nun in weiteren Einzelheiten beschrieben.
  • Das Verfahren zur Synthese von "Polyamidsäure" als ein Vorläufer von Polyimid ist nicht besonders beschränkt, aber zum Beispiel kann Polyamidsäure durch die Polykondensationsreaktion eines Tetracarbonsäuredianhydrids und einer Diaminverbindung in einem organischen polaren Lösungsmittel erhalten werden. Ebenfalls kann durch die Polykondensationsreaktion des Tetracarbonsäuredianhydrids und der Diaminverbindung in einem mehreren Schritten Polyamidsäure mit einer Blockstruktur synthetisiert werden. Außerdem kann Polyamidsäure, die teilweise durch Dehydrierungs-Ringschluss der Polyamidsäure imidisiert ist, ebenfalls verwendet werden.
  • Andererseits ist die "hydrophobe Verbindung" eine Verbindung mit einer Gruppe, die mit wenigstens einer Amidsäuregruppe in der vorher beschriebenen Polyamidsäure (hiernach als "reaktive Gruppe" bezeichnet) reagieren kann. Diese reaktive Gruppe kann zum Beispiel eine Epoxidgruppe, eine Isocyanatgruppe, eine Carbodiimidgruppe, eine Hydroxylgruppe, eine Mercaptogruppe, eine Halogengruppe, eine Alkylsulfonylgruppe, eine Arylsulfonylgruppe, eine Diazogruppe und eine Carbonylgruppe sein. Diese reaktiven Gruppen können in der hydrophoben Verbindung in einer oder mehreren Sorten enthalten sein. Außerdem meint "hydrophob", dass die Löslichkeit in Wasser bei 20°C gewöhnlich kleiner als 0,05 g/100 g, bevorzugt kleiner als 0,01 g/100 g, weiter bevorzugt kleiner als 0,005 g/100 g ist.
  • Für diese hydrophobe Verbindung können eine oder mehrere Sorten von Verbindungen verwendet werden ausgewählt aus zum Beispiel epoxidisiertem Polybutadien, Epoxidharz vom Bisphenol-A-Typ, Epoxidharz auf Naphthalenbasis, Epoxidharz auf Fluorenbasis, Epoxidharz vom Biphenyltyp, Epoxidharz vom Glycidylestertyp, Allylglycidylether, Glycidyl(meta)acrylat, 1,3,5,6-Tetraglycidyl-2,4-hexandiol, N,N,N',N'-Tetraglycidyl-m-xylendiamin, Trylendiisocyanat, Dicyclohexylcarbodiimid, Polycarbondiimid, Cholesterin, Benzylalkohol-p-Toluolsulfonat, Ethylchloracetat, Triazintrithiol, Diazomethan und Diaceton(meta)acrylamid. Diese Polyamidsäure und die hydrophobe Verbindung werden zusammengemischt und reagieren miteinander in der Form einer Lösung in, zum Beispiel, einem organischen Lösungsmittel, gefolgt durch Mischen dieser Reaktionslösung mit dem wässrigen Dispersionsmedium und Entfernen von wenigstens einem Teil des organischen Lösungsmittels in einigen Fällen, wodurch eine Harzemulsion auf Polyimidbasis bestehend aus organischen Teilchen mit der Polyamidsäure und der hydrophoben Verbindung enthalten in den gleichen Teilchen erhalten werden kann.
  • Zudem sind die Tetracarbonsäuredianhdride für die Verwendung in den vorher beschriebenen Verfahren «1» und «2» nicht besonders beschränkt und enthalten zum Beispiel
    aliphatische Tetracarbonsäuredianhydride oder alicyclische Tetracarbonsäuredianhydride wie etwa Butantetracarbonsäuredianhydrid, 1,2,3,4-Cyclobutantetracarbonsäuredianhydrid, 3,3',4,4'-Dicyclohexyltetracarbonsäuredianhydrid, 2,3,5-Tricarboxycyclopentylessigsäuredianhydrid und 1,3,3a,4,5,9A-Hexahydro-5-(tetrahydro-2,5-dioxo-3-furanyl)-naphtho[1,2-c]-furan-1,3-dion; und
    aromatische Tetracarbonsäuredianhydride, wie etwa Pyromellitsäuredianhydrid, 3,3',4,4'-Benzophenontetracarbonsäuredianhydrid und 3,3',4,4'-Biphenylsulfontetracarbonsäuredianhydrid. Diese Tetracarbonsäuredianhydride können alleine oder mit zwei oder mehren Typen davon zusammen gemischt verwendet werden.
  • Ebenfalls sind die Diaminverbindungen für die Verwendung in den vorher beschriebenen Verfahren «1» und «2» nicht besonders beschränkt und können zum Beispiel enthalten
    aromatische Diamine, wie etwa p-Phenylendiamin, 4,4'-Diaminodiphenylmethan und 2,2-Bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propan;
    aliphatische Diamine oder alicyclische Diamine, wie etwa 1,1-Methaxylylendiamin, 1,3-Propandiamin, Tetramethylendiamin und 4,4'-Methylenbis(cyclohexylamin);
    Diamine mit zwei primären Aminogruppen pro Molekül und mit anderen Stickstoffatomen als die primären Aminogruppen, wie etwa 2,3-Diaminopyridin, 2,4-Diamino-6-dimethylamino-1,3,5-triazin, 2,4-Diamino-5-phenylthiazol und Bis (4-aminophenyl)phenylamin;
    monosubstitutierte Phenylendiamine; und
    Diaminoorganosiloxan. Diese Diaminverbindungen können alleine oder zusammengemischt mit zwei oder mehreren Typen davon verwendet werden.
  • In der vorliegenden Erfindung ist es bevorzugt, dass die vorher beschriebenen organischen Teilchen und anorganischen feinsten Teilchen komplexe Teilchen. bilden und als Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz in der elektrochemischen abscheidbaren Flüssigkeit vorhanden sind. Diese "komplexen Teilchen" sind Teilchen, in welchen Verbindungen, die die vorher beschriebenen organischen Teilchen und die anorganischen feinsten Teilchen bilden, chemisch miteinander verbunden sind, oder Teilchen sind, in welchen die anorganischen feinsten Teilchen an die Oberflächen oder im Inneren der vorher beschriebenen organischen Teilchen adsorbiert sind. Das heißt, die anorganischen feinsten Teilchen (J) können in den organischen Teilchen enthalten sein, oder ein Teil der anorganischen feinsten Teilchen (J) können an den Oberflächen der organischen Teilchen freiliegen.
  • Die Menge dieser zu verwendenden anorganischen feinsten Teilchen (J) ist bevorzugt 20 bis 60 Gewichtsteile, weiter bevorzugt 30 bis 50 Gewichtsteile, bezogen auf 100 Gewichtsteile des vorher beschriebenen Harzbestandteils.
  • Diese Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz können durch Emulgieren des vorher beschriebenen Harzbestandteils in der Anwesenheit von organischen feinsten Teilchen dispergiert in einem Dispersionsmedium auf Grundlage eines wasserlöslichen Lösungsmittels hergestellt werden.
  • Durch Dispergieren der anorganischen feinsten Teilchen in dem Dispersionsmedium auf Grundlage eines wasserlöslichen Lösungsmittels unter Verwendung eines Homomischers, eines Ultraschallmischer, einer Kugelmühle oder Ähnlichem, vor Durchführung dieses Verfahrens, können die Dispersionen von anorganischen feinsten Teilchen erhalten werden.
  • (ii) Verfahren zur Herstellung von Emulsionen von feinsten Teilchen verbunden mit Harz auf Epoxidbasis
  • Das Verfahren zur Herstellung von Harzemulsion auf Epoxidbasis für die Verwendung in der vorliegenden Erfindung ist nicht besonders beschränkt und sie können durch bekannte Verfahren hergestellt werden, zum Beispiel die Verfahren, die in den Japanischen Patenten Offenlegungsschriften Nr. 9-235495 und Nr. 9-208865 beschrieben werden.
  • Die Emulsion aus feinsten Teilchen verbunden mit Harz auf Epoxidbasis kann durch Emulgieren des Harzbestandteils in der Anwesenheit der vorher beschriebenen anorganischen feinsten Teilchen in Übereinstimmung mit diesen Verfahren zur Herstellung von Emulsionen auf Epoxidbasis erhalten werden.
  • (iii) Verfahren zur Herstellung von Emulsionen aus feinsten Teilchen verbunden mit Harz auf Acrylbasis
  • Das Verfahren zur Herstellung von Harzemulsionen auf Acrylbasis für die Verwendung in der vorliegenden Erfindung ist nicht besonders beschränkt und sie können durch normale Emulsionspolymerisation hergestellt werden. Wie für Monomere, wird eine oder mehrere Sorten von Monomeren aus allgemeinen Monomeren auf Acryl- und/oder Methacrylbasis ausgewählt. Zu diesem Zeitpunkt ist es für die Ermöglichung der elektrochemischen Abscheidung des Harzbestandteils bevorzugt, dass Monomere mit kationischen Gruppen, wie etwa eine Aminogruppe, eine Amidgruppe und eine Phosphongruppe, oder Monomere mit anionischen Gruppen, wie etwa einer Carboxygruppe und eine Sulfonsäuregruppe copolymerisiert werden, die Menge der copolymerisierten Monomere ist 5 bis 80 Gew.-% (bevorzugter 10 bis 50 Gew.-%), bezogen auf die Gesamtmenge der zu verwendenden Monomere. Für spezifische Beispiele der vorher beschriebenen Monomere mit den vorher beschriebenen Aminogruppen können Dimethylaminomethylacrylat, Dimethylaminopropylacrylamid und Ähnliche bevorzugt verwendet werden.
  • In diesem Fall kann die Emulsion aus feinsten Teilchen verbunden mit Harz auf Acrylbasis in der gleichen Weise wie vorher beschrieben durch Emulgieren des Harzbestandteils in der Anwesenheit der anorganischen feinsten Teilchen erhalten werden.
  • (iv) Verfahren zur Herstellung von Emulsionen aus feinsten Teilchen verbunden mit Harz auf Polyesterbasis
  • Das Verfahren zur Herstellung von Harzemulsionen auf Polyesterbasis für die Verwendung in der vorliegenden Erfindung ist nicht besonders beschränkt, und sie können in Übereinstimmung mit gut bekannten herkömmlichen Verfahren hergestellt werden, zum Beispiel die Verfahren, die in den Japanischen Patenten Offenlegungsschriften Nr. 57-10663, Nr. 57-70153 und Nr. 58-174421 beschrieben werden.
  • In diesem Fall kann die Emulsion aus feinsten Teilchen verbunden mit Harz auf Polyesterbasis in der gleichen Weise wie vorher beschrieben durch Emulgieren des Harzbestandteils in der Anwesenheit der anorganischen feinsten Teilchen erhalten werden.
  • (v) Verfahren zur Herstellung von Emulsionen aus feinsten Teilchen verbunden mit Harz auf Fluorbasis
  • Das Verfahren zur Herstellung von Harzemulsionen auf Fluorbasis für die Verwendung in der vorliegenden Erfindung ist nicht besonders beschränkt, und sie können in Übereinstimmung mit gut bekannten herkömmlichen Verfahren zum Beispiel dem Verfahren, das in dem Japanischen Patent Offenlegungsschrift Nr. 7-268163 beschrieben wird, hergestellt werden.
  • In diesem Fall kann die Emulsion aus feinsten Teilchen verbunden mit Harz auf Fluorbasis in der gleichen Weise wie vorher beschrieben durch Emulgieren des Harzbestandteils in der Anwesenheit der anorganischen feinsten Teilchen erhalten werden.
  • (vi) Verfahren zur Herstellung von Emulsionen aus feinsten Teilchen verbunden mit Harz auf Siliconbasis
  • Das Verfahren zur Herstellung von Harzemulsionen auf Siliconbasis für die Verwendung in der vorliegenden Erfindung ist nicht besonders beschränkt, und sie können in Übereinstimmung mit gut bekannten herkömmlichen Verfahren zum Beispiel dem Verfahren, das in dem Japanischen Patent, Offenlegungsschrift Nr. 10-60280 beschrieben wird, hergestellt werden.
  • In diesem Fall kann die Emulsion aus feinsten Teilchen verbunden mit Harz auf Siliconbasis in der gleichen Weise wie vorher beschrieben durch Emulgieren des Harzbestandteils in der Anwesenheit der anorganischen feinsten Teilchen erhalten werden.
  • Elektrochemisch abscheidbare Flüssigkeit zur Ausbildung der Dielektrika
  • Wie vorher beschrieben, enthält die elektrochemisch abscheidbare Flüssigkeit zur Ausbildung von Dielektrika gemäß der Erfindung Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz, anorganische Teilchen oder anorganische Verbundstoffteilchen, und ein wässriges Dispersionsmedium, in welchen die Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz und die anorganischen Teilchen oder anorganischen Verbundstoffteilchen als Teilchen dispergiert sind, die elektrochemisch abgeschieden werden können. Außerdem ist die Bedeutung des wässrigen Dispersionsmediums gleich zu dem vorher beschriebenen.
  • Diese elektrochemisch abscheidbare Flüssigkeit zur Ausbildung von Dielektrika kann durch Verfahren, wie etwa das Verfahren «1» hergestellt werden, in welchem Dispersionen von anorganischen Teilchen oder anorganischen Verbundstoffteilchen in wasserlöslichen Lösungsmitteln und die wässrige Emulsion von vorher beschriebenen Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz zusammengemischt werden, und durch das Verfahren «2» hergestellt werden, in welchem die anorganischen Teilchen oder anorganischen Verbundstoffteilchen in die wässrige Emulsion der vorher beschriebenen Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz gegeben werden und die gemischt werden. Von diesen wird das Verfahren «1» bevorzugt verwendet.
  • Außerdem ist es bevorzugt, dass der pH der Dispersionen auf Grundlage eines wasserlöslichen Lösungsmittels der anorganischen Teilchen oder anorganischen Verbundstoffteilchen vor dem Mischen mit der wässrigen Emulsion der vorher beschriebenen Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz unter Verwendung einer organischen Säure (zum Beispiel Ameisensäure, Essigsäure, Fumarsäure, Itaconsäure, Phthalsäure usw.) oder einer organischen alkalischen Verbindung (Dimethylaminoethylalkohol, Tetramethylammoniumhydroxid (TMAH), Trimethylhydroxyethylammoniumhydroxid, Monomethylamin, usw.) eingestellt wird, so dass der pH im Bereich von 2 bis 10 ist, um die Stabilität dieser Teilchen, wenn sie gemischt werden, zu verbessern.
  • Der pH der elektrochemisch abscheidbaren Flüssigkeit zur Ausbildung von Dielektrika ist bevorzugt 2 bis 10, bevorzugter 3 bis 9, und der Feststoffgehalt der elektrochemisch abscheidbaren Flüssigkeit zur Ausbildung von Dielektrika ist bevorzugt 1 bis 50 Gew.-%, bevorzugter 5 bis 20 Gew.-%, und die Viskosität der elektrochemisch abscheidbaren Flüssigkeit zur Bildung von Dielektrika bei 20°C ist bevorzugt 1 bis 100 mPa·s. Wenn der pH, der Feststoffgehalt oder die Viskosität von den vorher beschriebenen Bereichen abweichen, kann die Dispergierbarkeit und Ähnliches der Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz und der anorganischen Teilchen oder anorganischen Verbundstoffteilchen reduziert sein, was in einer ungenügenden Konservierungsstabilität oder einer verminderten Verarbeitbarkeit zum Zeitpunkt ihrer Handhabung und Verwendung resultiert.
  • Die elektrochemisch abscheidbare Flüssigkeit zur Ausbildung der Dielektrika der vorliegenden Erfindung kann eine Konservierungsstabilität haben, so dass der Zeitraum über den sie ohne Verursachung von Zwischenschichtabscheidung, signifikante Änderungen in der Viskosität und Ähnliches konserviert werden können, 5 Tage oder länger (bevorzugter 7 Tage oder länger, weiter bevorzugt 10 Tage oder länger, besonders bevorzugt 14 Tage oder länger) bei 20°C ist.
  • Außerdem kann die elektrochemische abscheidbare Flüssigkeit zur Ausbildung von Dielektrika der vorliegenden Erfindung zusätzlich zu den vorher beschriebenen Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz und den vorher beschriebenen anorganischen Teilchen oder anorganischen Verbundstoffteilchen wenigstens eine Art Verbindung enthalten, ausgewählt aus Organosilanen ausgedrückt durch die folgende allgemeine Formel (1): (R1)nSi(OR2)4-n (1)(In der vorhergehenden Formel stellt R1 ein Wasserstoffatom oder eine einwertige organische Säure mit 1 bis 8 Kohlenstoffatomen dar, R2 stellt eine Alkylgruppe mit 1 bis 5 Kohlenstoffatomen oder eine Acylgruppe oder Phenylgruppe mit 1 bis 6 Kohlenstoffatomen dar, und n stellt eine ganze Zahl von 1 oder 2 dar. R1 und R2 können gleich oder unterschiedlich sein.), hydrolysierte Verbindungen, so dass Teile oder alle hydrolysierbaren Gruppen des Organosilans hydrolysiert sind, und teilweise kondensierte Verbindungen, so das die hydrolysierte Verbindung teilweise dehydriert-kondensiert ist (hernach bezeichnet als "Organosilankondensat usw."). Für die dielektrische Schicht bildet aus der elektrochemisch abscheidbaren Flüssigkeit zur Bildung von Dielektrika, die dieses Organosilankondensat oder Ähnliches enthält, insbesondere wenn es thermisch nach der chemischen Abscheidung gehärtet wird, wird das Organosilankondensat usw. in der dielektrischen Schicht vernetzt, wodurch die resultierende dielektrische Schicht hervorragende mechanische, chemische und elektrische Eigenschaften haben kann.
  • In der vorher beschriebenen allgemeinen Formeln (1) kann die organische Gruppe mit 1 bis 8 Kohlenstoffatomen, welche durch R1 dargestellt wird, eine Alkylgruppe mit einer geraden oder verzweigten Kette, eine Halogensubstituierte Alkylgruppe, eine Vinylgruppe, eine Phenylgruppe und eine 3,4-Epoxidcyclohexylethylgruppe einschließen. Ferner kann R1 eine Carbonylgruppe haben. Außerdem ist R1 bevorzugt eine Alkylgruppe oder Phenylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen.
  • In der vorher beschriebenen allgemeinen Formel (1) enthält die die Alkylgruppe mit 1 bis 5 Kohlenstoffatomen oder eine Acylgruppe mit 1 bis 6 Kohlenstoffatomen, welche durch R2 dargestellt wird, eine Methylgruppe, eine Ethylgruppe, eine n-Propylgruppe, eine Isopropylgruppe, eine n-Butylgruppe, eine Isobutylgruppe, eine sec-Butylgruppe, eine tert-Butylgruppe, eine n-Pentylgruppe, eine Acetylgruppe, eine Propionylgruppe und eine Butyrylgruppe. Außerdem ist R2 bevorzugt eine Alkylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen.
  • Beispiele von Organosilanen, die bevorzugt verwendet werden, enthalten Dimethylmethoxysilan, Dimethyldiethoxysilan, Isobutyltrimethoxysilan und Phenyltriethoxysilan. Für diese Organosilane kann nur eine Art verwendet werden, oder zwei oder mehrere Arten können in Kombination verwendet werden.
  • Bevorzugt bilden das vorher beschriebene "Organosilankondensat usw." komplexe Teilchen mit den vorher beschriebenen Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz in der elektrochemischen abscheidbaren Flüssigkeit zur Ausbildung von Dielektrika der vorliegenden Erfindung. Die "komplexen Teilchen" sind Teilchen, in welchem die Verbindung der organischen Teilchen des Harzbestandteils, der die vorher beschriebenen Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz aufbaut und das Organosilankondensat usw., chemisch miteinander verbunden sind, oder Teilchen, in welchem das Organosilankondensat usw. an die Oberflächen oder das Innere der vorher beschriebenen Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz adsorbiert ist.
  • Die Menge des zu verwendenden Organosilankondensats usw. ist bevorzugt 0,1 bis 500 Gewichtsteile, weiter bevorzugt 0,5 bis 250 Gewichtsteile, bezogen auf 100 Gewichtsteile des vorher beschriebenen Harzbestandteils. Wenn die Menge des zu verwendenden Organosilankondensats usw. kleiner als 0,1 Gewichtsteile ist, kann es unmöglich sein, eine erwünschte Wirkung zu erhalten, und andererseits, wenn die Menge größer als 500 Gewichtsteile ist, kann die Adhäsion des Films reduziert sein.
  • Diese komplexen Teilchen können durch die folgenden Verfahren «1» oder «2» oder Ähnliche hergestellt werden. Außerdem können diese Verfahren in Kombination verwendet werden.
    • «1» Das vorher beschriebene Organosilan wird zu der Emulsion der vorher beschriebenen Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz gegeben, um wenigstens einen Teil des Organosilans in den vorher beschriebenen Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz zu absorbieren, gefolgt durch fortschreitende Hydrolyse und Kondensationsreaktionen dieses Organosilans.
    • «2» Eine Reaktion wird durchgeführt, um die vorher beschriebenen Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz in der Anwesenheit des vorher beschriebenen Organosilankondensats usw. dispergiert in dem wässrigen Medium zu erzeugen.
  • Um Organosilan in den Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz in dem vorher beschriebenen Verfahren «1» zu adsorbieren, kann dies gemäß einem Verfahren erfolgen, in welchem Organosilan in die Emulsion gegeben und ausreichend gerührt wird und so weiter. Zu diesem Zeitpunkt wird bevorzugt 10 Gew.-% oder mehr (bevorzugter 30 Gew.-% oder mehr) des zugegebenen Organosilans in den Teilchen absorbiert. Zur Vermeidung der Situation, in welcher die Hydrolyse/Kondensationsreaktion des Organosilans erfolgt wenn das Organosilan nicht ausreichend absorbiert ist, können Einstellungen erfolgen, so dass der pH des Reaktionssystems 4 bis 10, bevorzugt 5 bis 10, weiter bevorzugt 6 bis 8 ist. Die Verfahrenstemperatur, bei welcher Organosilan in den Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz absorbiert wird, ist bevorzugt 70°C oder weniger, bevorzugter 50°C oder weniger, weiter bevorzugt 0 bis 30°C. Die Verfahrenszeit ist gewöhnlich 5 bis 180 Minuten, bevorzugt etwa 20 bis 60 Minuten.
  • Die Temperatur, bei welcher das absorbierte Organosilan hydrolysiert/kondensiert, ist normaler Weise 30°C oder höher, bevorzugt 50 bis 100°C, bevorzugter 70 bis 90°C, und die Polymerisationszeit ist bevorzugt 0,3 bis 15 Stunden, bevorzugter 1 bis 8 Stunden.
  • Ebenfalls wird in dem vorher beschriebenen Verfahren «2» das vorher beschriebene Organosilan in die wässrige Lösung einer stark sauren, wie etwa Alkylbenzolsulfonsäure, unter Verwendung eines Homomischers, eines Ultraschallmischers oder Ähnlichem gemischt, um das Organosilan zu hydrolysieren/kondensieren, wodurch das Organosilankondensat usw. dispergiert in einem wässrigen Medium erhalten wird. Die vorher beschriebenen organischen Teilchen können in der Anwesenheit dieses Organosilankondensats usw. bevorzugt durch Emulsionspolymerisation hergestellt werden.
  • [Dielektrika)
  • Die Zusammensetzung zur Herstellung von Dielektrika gemäß der Erfindung kann wie erforderlich in der Herstellung von Dielektrika mit hoher dielektrischer Leitfähigkeit verwendet werden, die durch Erwärmen der Zusammensetzung zur Herstellung von Dielektrika auf eine bestimmte oder niedrigere Temperatur, direkt oder mit den dazu gegebenen Zusatzstoffen erhalten wird. Ebenfalls kann die Zusammensetzung zur Ausbildung von Dielektrika bei der Herstellung von Dielektrika mit hoher dielektrischer Leitfähigkeit verwendet werden, die durch Beschichten der Zusammensetzung zur Ausbildung von Dielektrika auf ein Substrat und Erwärmen davon auf eine bestimmte oder geringere Temperatur erhalten wird, mit gut bekannten, herkömmlichen wie erforderlich darin gemischten Zusatzstoffen, bevorzugt in der Form der vorher beschriebenen elektrochemisch abscheidbaren Flüssigkeit zur Ausbildung von Dielektrika. Für das Verfahren zur Beschichtung der Zusammensetzung zur Herstellung von Dielektrika können gut bekannte Verfahren verwendet werden, und zum Beispiel Siebdruck, verschiedene Arten von Streichmaschinen (Coater), wie etwa Rakelstreichmaschinen, Schlitzstreichmaschinen, Florstreichmaschinen, Florstreichmaschinen, und Stabstreichmaschinen), das elektrochemische Abscheidungsverfahren und Ähnliche können geeigneterweise verwendet werden. Von diesen ist die elektrochemische Abscheidung hervorragend und in dem Sinne bevorzugt, dass die dielektrische Schicht nur in den leitfähigen Abschnitten selektiv in einer derartigen Art und Weise ausgebildet werden kann, um Verluste zu vermeiden.
  • Ebenfalls variiert die Form der Dielektrika in Abhängigkeit von den Anwendungen und ist nicht besonders beschränkt, aber es ist bevorzugt, dass die Zusammensetzung von Ausbildung von Dielektrika gemäß der vorliegenden Erfindung als eine dünne Film-förmige Schicht mit hoher dielektrischer Leitfähigkeit verwendet wird. Zusätzlich kann in der vorliegenden Erfindung ein dünnes Film-förmiges Dielektrikum auf der leitfähigen Folie ausgebildet werden.
  • Leitfähige Folien
  • Die leitfähige Folie für die Verwendung in der Erfindung ist nicht besonders beschränkt, solange sie elektrische Leitfähigkeit aufweist, und kann Folien hergestellt aus Kupfer, Gold, Silber, Platin, Nickel, rostfreiem Stahl, Aluminium, Eisen und verschiedenen Arten von Legierungen beinhalten. Von diesen Folien sind aus Kupfer, Gold, Silber, Platin, Nickel und Aluminium hergestellte Folien, hinsichtlich der Oxidationsbeständigkeit, der elektrischen Leitfähigkeit und Flexibilität besonders bevorzugt. Ebenfalls kann ein Laminat von zwei oder mehreren leitfähigen Folien, oder eine Platte mit einer auf einem Harzsubstrat oder ein Substrat mit einem mit Harz imprägnierten Vlies laminierte Folie wie erforderlich verwendet werden. Die Dicke dieser leitfähigen Folien ist nicht besonders beschränkt, aber ist gewöhnlich im Bereich von 5 bis 75 μm, bevorzugt von 8 bis 50 μm, insbesondere bevorzugt von 10 bis 25 μm.
  • Verfahren zur Herstellung von Dielektrika
  • Das Dielektrikum der Erfindung kann durch Erwärmen der vorher beschriebenen Zusammensetzung zur Ausbildung von Dielektrika der Erfindung bei einer Temperatur von 500°C oder niedriger erhalten werden, und die Erwärmungstemperatur ist bevorzugt 100 bis 500°C, weiter bevorzugt 150 bis 300°C. Eine ausführlichere Erläuterung wird im Folgenden dargestellt.
  • Die elektrochemisch abscheidbare Flüssigkeit zur Ausbildung von Dielektrika der Erfindung kann, wie erforderlich, direkt oder in der verdünnten oder konzentrierten Form und mit gut bekannten herkömmlichen Zusatzstoffen darin gemischt bei der Ausbildung von Dielektrika verwendet werden. Durch ein herkömmliches elektrochemisches Abscheidungsverfahren unter Verwendung dieser elektrochemisch abscheidbaren Flüssigkeit zur Ausbildung von Dielektrika, können Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz in der elektrochemisch abscheidbaren Flüssigkeit zur Ausbildung von Dielektrika und anorganische Teilchen oder anorganischer Verbundstoffteilchen elektrochemisch auf der Oberfläche von Elektroden und Ähnlichem abgeschieden werden, um Dielektrika herzustellen.
  • Zur Herstellung des Dielektrikums der Erfindung ist es erwünscht, dass der Harzbestandteil der elektrochemisch abgeschiedenen Teilchen weiter thermisch gehärtet wird. Als die Bedingungen des Wärmehärtens wird der Harzbestandteil bei 500°C oder weniger, bevorzugt bei 100 bis 500°C, bevorzugter bei 150 bis 300°C thermisch gehärtet. Die Erwärmungszeit ist bevorzugt im Bereich von 5 Minuten bis 24 Stunden, weiter bevorzugt von 10 Minuten bis 12 Stunden.
  • Eigenschaften der Dielektrika
  • Bei den durch diese Zusammensetzung zur Ausbildung von Dielektrika erhaltenen Dielektrikum der Erfindung, ist die dielektrische Leitfähigkeit 30 oder höher, bevorzugt 100 oder höher, weiter bevorzugt 150 oder höher, insbesondere bevorzugt 200 oder höher, und der dielektrische Verlustfaktor ist 0,1 oder weniger, bevorzugt 0,08 oder weniger, weiter bevorzugt 0,06 oder weniger. Die untere Grenze des dielektrischen Verlustfaktors ist nicht besonders beschränkt. Außerdem ist der Kriechstrom des Dielektrikums 10-8 A/cm2 oder weniger, bevorzugt 10-9 A/cm2 oder weniger, weiter bevorzugt 10-10 A/cm2 oder weniger.
  • Außerdem ist die Dicke des Dielektrikums bevorzugt 50 μm oder weniger, bevorzugter 30 μm oder weniger. Das untere Limit für die Dicke des Dielektrikums ist nicht bestimmt, aber gewöhnlich 1 μm oder mehr.
  • [Elektronische Teile]
  • Das Dielektrikum der vorliegenden Erfindung kann einen Kondensator und Ähnliches ausbilden, der durch Erwärmen und Brennen bei einer Temperatur von 500°C oder weniger, mit einer dielektrischen Leitfähigkeit von 30 oder mehr und einen dielektrischen Verlustfaktor von 0,1 oder weniger, und mit einer reduzierten Dicke und einer erhöhten elektrostatischen Kapazität erhalten werden kann. Außerdem hat das elektronische Teil, wie etwa eine Schaltplatte, eine Halbleiterpackung (semi conductor package), ein Kondensator oder eine Hochfrequenzantenne mit den Dielektrika, eine geringe Größe und eine hohe Dichte.
  • [Mehrschichtige Schaltplatte]
  • Die mehrschichtige Schaltplatte als ein Beispiel des elektronischen Teils der vorliegenden Erfindung ist eine in mehreren Schichten aufgebaute Schaltplatte, in welcher Stromleiterschichten und Harzisloationszwischenschichten abwechselnd auf ein Isolationssubstrat laminiert sind, und die Stromleiterschichten miteinander über ein Durchgangsloch verbunden sind, wobei die vorher beschriebene dielektrische Schicht gemäß der Erfindung zwischen zwei in der vertikalen Richtung benachbarten Stromleiterschichten vorgesehen wird.
  • [Verfahren zur Herstellung einer mehrschichtigen Schaltplatte]
  • Ein Verfahren für die Herstellung der mehrschichtigen Schaltplatte der vorliegenden Erfindung wird nun beschrieben.
  • Das Verfahren zur Herstellung der mehrschichtigen Schaltplatte gemäß der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung einer mehrschichtigen Schaltplatte versehen mit einer aufgebauten Leitungsschicht, in welcher sich Stromleiterschichten und Harzisolationszwischenschichten abwechselnd auf ein Isolationssubstrat laminiert sind, und die Stromleiterschichten miteinander über ein Loch verbunden sind, mit wenigstens den folgenden Schritten (1) bis (4):
    • (1) Schritt zur Ausbildung eines ersten Stromleiterschaltkreises auf dem vorher beschriebenen Isolationsharzsubstrat;
    • (2) Schritt der Ausbildung einer Harzisolationszwischenschicht, mit der der vorher beschriebene Stromleiterschaltkreis bedeckt wird;
    • (3) Schritt zur Ausbildung einer Öffnung, die sich von der vorher beschriebenen Harzisolationszwischenschicht zu dem vorher beschriebenen Stromleiterschaltkreis erstreckt, und Ausbildung einer dielektrischen Schicht durch Aufbringen einer Zusammensetzung zur Ausbildung eines Dielektrikums, die Verbundstoffteilchen für Dielektrika enthält, in welchem Teile oder die Gesamtheit der Oberflächen der anorganischen Teilchen mit einer dielektrischen Leitfähigkeit von 30 oder mehr, mit einem leitfähigen Metall oder einer Verbindung davon oder einer leitfähigen organischen Verbindung oder einem leitfähigen anorganischen Material überzogen sind, in die Öffnung; und
    • (4) Schritt zur Ausbildung eines zweiten Stromleiterschaltkreises auf der Oberfläche der vorher beschriebenen Harzisolationszwischenschicht, mit welcher die vorher beschriebene dielektrische Schicht bedeckt wird.
  • Die Schritte werden im Folgenden spezieller beschrieben.
    • «1» Zuerst wird eine Leitungsplatte mit einem Kupfermuster in der Schicht ausgebildet auf der Oberfläche eines Isolationsharzsubstrates hergestellt. Das Harzsubstrat ist bevorzugt ein Harzsubstrat mit anorganischen Fasern und spezifisch wird wenigstens eine Art von Substrat ausgewählt aus einem Glasgewebe-Epoxidsubstrat, einem Glasgewebe-Polyimidsubstrat, einem Glassgewebe-Bismaleimid-Triazinharzsubstrat, und einem Glasgewebe-Fluorharzsubstrat bevorzugt für das Harzsubstrat verwendet. Die Ausbildung des Kupfermusters auf diesem Harzsubstrat wird durch Ätzen eines Kupferplattierten Laminats mit Kupferfolien, das auf beiden Seiten des Harzsubstrats gebunden ist, durchgeführt. Ebenfalls wird ein Perforationsloch in dieses Substrat durch einen Bohrer gebohrt, und eine nicht elektrolytische Plattierung wird auf der Wandoberfläche des Perforationslochs und den Oberflächen der Kupferfolien aufgebracht, um ein Durchgangsloch auszubilden. Für das nicht elektrolytische Plattieren wird bevorzugt das Verkupfern eingesetzt. Außerdem ist es in dem Fall eines Substrats, wie etwa einem Fluorharzsubstrat, bei welchem Plattieren nicht sanft eingesetzt wird, bevorzugt, dass die Platte mit einer Vorbehandlungsflüssigkeit behandelt wird, die ein organometallisches Natrium (Marke: Tetraetch) enthält, oder einer Oberflächenmodifikationsbehandlung, wie etwa einer Plasmabehandlung, unterzogen wird, und danach wird die nicht elektrolytische Plattierung auf das Substrat angewandt.
  • Dann wird elektrolytisches Plattieren für die Ausbildung in großer Dicke eingesetzt. Für dieses elektrolytische Plattieren ist Verkupfern geeignet. Außerdem kann eine Rauhigkeitsbehandlung bei der inneren Wand des Durchgangslochs und der Oberfläche des elektrolytisch plattierten Films eingesetzt werden. Für die Rauhigkeitsbehandlung kann eine Verdichtungs(Oxidations)-Reduktionsbehandlung, eine Sprühbehandlung mit einer gemischten Wasserlösung einer organischen Säure und eines Kupferkomplexes, eine Behandlung durch Plattieren mit einer Kupfer-Nickel-Phosphor-Nadellegierung oder ähnliches in Betracht gezogen werden. Zusätzlich ist es ebenfalls möglich, das Durchgangsloch mit einer leitfähigen Paste zu füllen und eine leitfähige Schicht zu bilden, mit welcher wie erforderlich die leitfähige Paste durch nicht elektrolytisches Plattieren oder elektrolytisches Plattieren bedeckt wird.
    • «2» Harzisolationszwischenschichten werden auf beiden Seiten der Leiterplatte, die in dem vorher beschriebenen Schritt «1» hergestellt wurden, ausgebildet. Diese Harzisolationsschicht dient als die Harzisolationszwischenschicht der gedruckten Verbundstoff-Leiterplatte. Diese Harzisolationszwischenschicht wird durch Beschichten einer nicht gehärteten Harzflüssigkeit und Warmpressen eines häutigen Harzes, um sie zu laminieren, ausgebildet.
    • «3» Dann wird, wie später beschrieben, in dieser Harzisolationszwischenschicht eine Öffnung für ein Durchgangsloch für die Sicherstellung der elektrischen Verbindung mit dem inneren Stromleiterschaltkreis und eine Öffnung für die Ausbildung der dielektrischen Schicht zur Ausbildung der dielektrischen Schicht zwischen den inneren und äußeren Stromleiterschaltkreisen vorgesehen. Diese Öffnungen werden durch einen Laser gebohrt. Der zu verwendende Laser ist ein Kohlendioxidgaslaser, ein Ultraviolettlaser, ein Excimerlaser, ein UV-Laser oder Ähnliche. Dann, wenn die Öffnung durch den Kohlenstoffdioxidgaslaser gebohrt ist, wird eine Entschmierungsbearbeitung durchgeführt. Diese Entschmierungsbearbeitung kann durch die Verwendung eines Oxidationsmittels bestehend aus einer Lösung von Chromsäure, Permanganat oder Ähnlichem erfolgen, und das Bearbeiten mit Sauerstoffplasma, gemischtem Plasma aus CF4 und Sauerstoff, Koronaentladung oder Ähnliches ist akzeptabel. Ebenfalls kann eine Oberflächenmodifikation unter Verwendung einer Niederdruckquecksilberlampe zur Anwendung von ultraviolettem Licht durchgeführt werden. Insbesondere ist das gemischte Plasma aus CF4 und Sauerstoff vorteilhaft, weil hydrophile Gruppen, wie etwa eine Hydroxylgruppe und eine Carbonylgruppe, in die Harzoberfläche eingebracht werden können, und es folglich ermöglichen, eine nachfolgende CVD- und PVD-Bearbeitung einfach durchzuführen.
    • «4» Die vorher beschriebene Zusammensetzung zur Ausbildung eines Dielektrikums gemäß der Erfindung wird in die in dem vorher beschriebenen Schritt «3» bereitgestellte Öffnung zur Ausbildung der dielektrischen Schichten eingebracht, um eine dielektrische Schicht auszubilden. Für das Verfahren des Aufbringens wird ein Verfahren, in welchem die Öffnung mit der Zusammensetzung zur Ausbildung des Dielektrikums durch ein elektrochemisches Abscheidungsverfahren, ein Druckverfahren, ein Schleuderbeschichtungsverfahren, ein Filmlaminierungsverfahren, ein Verfahren unter Verwendung einer Walzenstreichmaschine, ein Verfahren unter Verwendung einer Florstreichmaschine oder Ähnliche, in geeigneter Weise verwendet. Zu diesem Zeitpunkt ist es für die Öffnung zur Ausbildung der Durchgangslöcher erwünscht, dass die anderen Öffnungen als die Öffnung zur Ausbildung der dielektrischen Schichten durch geeignete Mittel bedeckt sind, zum Beispiel durch das Anheften eines PET-Films.
    • «5» Nachdem die dielektrische Schicht in der im vorher beschriebenen Schritt «4» beschriebenen Weise ausgebildet ist, werden überschüssige Materialien mit hoher dielektrischer Leitfähigkeit, die auf der Oberfläche der Harzisolationszwischenschicht vorhanden sind, durch ein geeignetes Verfahren, wie etwa eine Ätzbehandlung entfernt. Eine derartige Ätzbehandlung enthält Ätzen unter Verwendung von KMnO3, HF-NO3 oder Chromsäure oder Trockenätzen.
    • «6» Dann wird der PET-Film zur Abdeckung des Durchgangslochs, der in dem vorher beschriebenen Schritt «4» angebracht wurde, abgelöst, und danach werden Stromleiterschichten aus Kupfer auf der Oberfläche der dielektrischen Schicht, der Oberfläche der Harzisolationsschicht und der Wandfläche in die Öffnung zur Ausbildung von Durchgangslöchern durch das PVD-Verfahren, das CVD-Verfahren oder das Plattierungsverfahren ausgebildet. Das PVD-Verfahren enthält spezifisch Gasabscheidungsverfahren, wie etwa Sputtern und Ionenstrahlsputtern. Ebenfalls enthält das CVD-Verfahren spezifisch PE-CVD (Plasma verstärkte CVD; Plasma Enhanced CVD) unter Verwendung von Organometallen (MO), wie etwa Allylcyclopentadiphenylpalladium, Dimethylgoldacetylacetat, Zinntetramethylacrylonitril und Dikobaltoctacarbonylacrylonitril als Zufuhrmaterialien.
    • «7» Dann wird weiter eine Stromleiterschicht auf der Kupferstromleiterschicht ausgebildet, die in der im vorher beschriebenen Schritt «6» beschriebenen Weise ausgebildet wurde, um eine dünne Stromleiterschicht bestehend aus zwei Schichten angeordnet in der vertikalen Richtung vorzusehen. Für die obere Stromleiterschicht ist es erwünscht, dass eine Kupferschicht durch Sputtern unter Berücksichtigung der Adhäsion an der in dem vorher beschriebenen Schritt gebildeten Kupferstromleiterschicht und durch Antioxidation ausgebildet wird. Es ist erwünscht, dass die Dicke der dünnen Stromleiterschicht 1 μm oder weniger ist. Zusätzlich kann eine nicht elektrolytisch plattierte Schicht vom gleichen Typ auf der vorher beschriebenen durch Sputtern vorgesehenen Stromleiterschicht ausgebildet werden. Verkupfern ist am meisten geeignet für dieses nicht elektrolytische Plattieren, und es ist erwünscht, dass die Dicke der Schicht im Bereich von 0,1 bis 3 μm ist. Dies ist so, weil die Schicht weggeätzt werden kann, ohne dass die Funktion als eine Stromleiterschicht für das später durchzuführende elektrolytische Plattieren beschädigt wird.
    • «8» Dann wird ein Plattierungsphotolack auf der in dem vorher beschriebenen Schritt «7» gebildeten Stromleiterschicht ausgebildet. Dieser Plattierungsphotolack wird ausgebildet durch Laminieren eines lichtempfindlichen trockenen Films auf die Schicht und Exposition der Schicht mit Licht zur Durchführung des Entwicklungsvorgangs.
    • «9» Dann wird elektrolytisches Plattieren unter Verwendung der oberen Stromleiterschicht erhaltenen im vorher beschriebenen Schritt «7» als Plattierungsleitung durchgeführt, um einen Stromleiterschaltkreis in einer großen Dicke auszubilden, und die Öffnung zur Bildung von Durchgangslöchern zu füllen. Die Dicke dieser elektrolytisch plattierten Schicht ist bevorzugt 5 bis 30 μm.
    • «10» Nach dem elektrolytischen Plattieren im Schritt «9» wird der plattierte Photolack abgelöst und die mit Kupfer gesputterte Schicht, gebildet in dem vorher beschriebenen Schritten «6» und «7», welche sich unterhalb des vorher beschriebenen plattierten Photolacks befindet, wird weggeätzt. Für das Ätzverfahren wird ein gewöhnliches Ätzverfahren, wie etwa Tauchen und Sprühen eingesetzt. Dadurch wird die gesputterte Kupferschicht als eine dünne Stromleiterschicht vollständig entfernt, um eine gedruckte Leiterplatte mit der mit Kupfer gesputterten Schicht vorzusehen, die einen Stromleiterschaltkreis aufbaut und mit der darauf zurückgelassenen elektrolytisch plattierten Kupferschicht.
    • «11» Weiterhin werden die vorher beschriebenen Schritte «2» bis «10» wiederholt, wodurch eine mehrschichtige gedruckte Leiterplatte hergestellt wird.
  • Jeder dieser Schritte wird ausführlich unter Verwendung der 3 bis 5 in Beispielen beschrieben.
  • Außerdem wurde das semi-additive Verfahren als ein Verfahren zur Ausbildung des Stromleiterschaltkreises in der vorher gehenden Erläuterung eingesetzt, aber das voll-additive Verfahren kann ebenfalls eingesetzt werden. In diesem voll-additiven Verfahren wird eine dünne Stromleiterschicht auf der Oberfläche der Harzisolationsschicht durch CVD- oder PVD-Behandlung ausgebildet, und danach wird ein lichtempfindlicher trockener Film laminiert oder ein flüssiges lichtempfindliches Harz wird darauf aufgebracht und mit Licht bestrahlt und entwickelt, um einen Plattierungsphotolack vorzusehen, und wird einer nicht elektrolytischen Plattierungsbehandlung unterzogen, um eine Stromleiterschicht in großer Dicke auszubilden, um einen Stromleiterschaltkreis zu bilden. Alternativ kann der Stromleiterschaltkreis ebenfalls ausgebildet werden durch Ausbildung eines Plattierungsphotolacks auf der Oberfläche der Harzisolationsschicht und danach Vorsehen einer dünnen Stromleiterschicht durch CVD- oder PVD-Behandlung und Entfernung dieser auf der Oberfläche des Plattierungsphotolacks gebundenen Stromleiterschicht durch, zum Beispiel, Abschleifen, um den Plattierungsphotolack selbst zu entfernen, und Durchführung des nicht elektrolytischen Plattierens unter Verwendung dieser Stromleiterschicht als ein Katalysator.
  • [Leiterplatte]
  • Die Leiterplatte als ein Beispiel des elektronischen Teils gemäß der vorliegenden Erfindung ist eine Leiterplatte mit wenigstens einer Signalschicht, einer Stromschicht, einer Erdungsschicht und einer Isolationsschicht, wobei die dielektrische Schicht gemäß der vorher beschriebenen Erfindung zwischen der vorher beschriebenen Stromschicht und der vorher beschriebenen Erdungsschicht vorgesehen wird.
  • [Verfahren zur Herstellung der Leiterplatte]
  • Das Verfahren für die Herstellung der Leiterplatte gemäß der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren für die Herstellung einer Leiterplatte mit wenigstens einer Signalschicht, einer Stromschicht, einer Erdungsschicht und einer Isolationsschicht, in welcher eine dielektrische Schicht zwischen der vorher beschriebenen Stromschicht und der Erdungsschicht vorgesehen wird, wobei die dielektrische Schicht unter Verwendung einer Zusammensetzung zur Ausbildung eines Dielektrikums ausgebildet wird, die Verbundstoffteilchen für die Dielektrika enthält, in welchen ein Teil oder die Gesamtheit der Oberflächen der anorganischen Teilchen mit einer dielektrischen Leitfähigkeit von 30 oder größer mit einem leitfähigen Metall, oder einer Verbindung davon, oder mit einer leitfähigen organischen Verbindung oder einem leitfähigen anorganischen Material überzogen sind.
  • [Verfahren zur Herstellung der Leiterplatte]
  • Ein Verfahren zur Herstellung der Leiterplatte der vorliegenden Erfindung wird beschrieben.
  • Die erfindungsgemäße Leiterplatte wird schematisch in der 6 gezeigt. Außerdem hebt die Figur die Dickerichtung zur Erleichterung der Erläuterung hervor. In der 6 bezeichnet das Bezugszeichen 1 einen Halbleiter, das Bezugszeichen 10 bezeichnet eine Signalschicht, das Bezugszeichen 12 bezeichnet eine Stromschicht und das Bezugszeichen 14 bezeichnet eine Erdungsschicht. Die Stromschicht 12 und eine Stromleitung werden miteinander durch ein Verbindungsstück 16 verbunden und die Erdungsschicht 14 und eine Erdungsleitung werden miteinander durch ein Verbindungsstück 18 verbunden. In der Leiterplatte der vorliegenden Erfindung wird eine dielektrische Schicht 24, die als ein entkoppelnder Kondensator dient, zwischen der Stromschicht 12 und der Erdungsschicht 14 vorgesehen, und diese dielektrische Schicht wird aus der vorher beschriebenen Zusammensetzung zur Ausbildung von Dielektrika gebildet. Diese dielektrische Schicht 24 wird durch Stromleiterfolien 22 festgeklemmt und an die Stromschicht 12 und die Erdungsschicht 14 über eine Verbindungsschicht 26 verbunden. Ebenfalls ist es bevorzugt, dass eine Verbindung zwischen der Signalschicht 10 und der Stromschicht 12 durch eine elektrische Isolationsschicht 20, wie etwa Polyimid, hergestellt wird.
  • Verfahren für das Einbringen der dielektrischen Schicht 24 in die Leiterplatte der vorliegenden Erfindung enthalten:
    • (1) Ein Verfahren, in welchem die dielektrische Schicht 14 als eine separate Komponente ausgebildet wird und danach in die Leiterplatte eingebracht wird.
    • (2) Ein Verfahren, in welchem die dielektrische Schicht 14 ausgebildet wird, während sie in die Leiterplatte eingebracht wird.
  • Als ein Beispiel für das Verfahren (1) wird eine breite Stromleiterfolie mit der Zusammensetzung zur Ausbildung eines Dielektrikums der vorher beschriebenen Erfindung überzogen, und eine Stromleiterfolie wird weiterhin darauf gebildet, wodurch ein Kondensatorkörper mit einem Dielektrikum eingespannt an Mittelpunktposition davon ausgebildet wird, und der Kondensator wird in Ausrichtung mit der Erdungsschicht gestanzt, gefolgt durch elektrisches Verbinden dieses Kondensatorteils durch ein gut bekanntes Verfahren. Dieses Kondensatorteil kann an die Erdungsschicht zum Beispiel durch das Lötverbindungsverfahren durch Blei-Zinn, Gold-Zinn, Silber-Kupfer-Zinn, Silber-Zinn und Ähnliche und durch leitfähige Klebstoffe verbunden werden. Das Kondensatorteil kann als ein separates Teil in Übereinstimmung mit der Größe der Stromschicht 12 und Ähnlichem, wie in der 6 gezeigt, gebildet werden, oder der Kondensatorkörper, welcher in einer großen Größe ausgebildet wird, kann gestanzt werden, um ein Kondensatorteil mit einer vorbestimmten Größe, wie in der 7 gezeigt, herzustellen. Ebenfalls kann das vorher beschriebene Kondensatorteil mit seiner in geeigneter Weise entworfenen Größe und Form in Übereinstimmung mit der Form der Leiterplatte verwendet werden. Zum Beispiel kann durch Ausbildung der Erdungsschicht in einer unterteilten Form eine geeignete elektrische Kapazität in jedem Abschnitt eingestellt werden.
  • Als ein Beispiel des Verfahrens (2) wird die Stromleiterfolie 22, gebildet in Übereinstimmung mit der Größe der Stromschicht 12 und Ähnliches, mit der vorher beschriebenen Zusammensetzung zur Ausbildung von Dielektrika überzogen, um die dielektrische Schicht 24 auszubilden, und wird durch einen leitfähigen Klebstoff 30 oder Ähnliches (8A) elektrisch und mechanisch direkt mit einem Rahmen verbunden, der als eine Erdungsschicht 14 dient. Zusätzlich ist es ebenfalls möglich, eine Maske mit einem Photolack oder Ähnlichem auszubilden, um so, wie erforderlich, eine für die Anwendung bei der Erdungsschicht geeignete Form zu erhalten, und danach die vorher beschriebene Zusammensetzung für die Ausbildung von Dielektrika zu beschichten, um die dielektrische Schicht 24 auszubilden, und danach diese durch den leitfähigen Klebstoff 30 oder Ähnliches elektrisch und mechanisch direkt mit der Stromschicht 12 zu verbinden (8B).
  • Ebenfalls ist in der vorher beschriebenen Leiterplatte die unterste Schicht die Erdungsschicht, aber die Reihenfolge, in welcher die Stromschicht und die Erdungsschicht angeordnet werden, können wie erforderlich eingestellt werden, und die Verbundstoffleiterplatte kann in einer ähnlichen Art und Weise eingesetzt werden. Diese Verbundstoffleiterplatte der vorliegenden Erfindung hat einen in der Leiterplatte enthaltenen entkoppelnden Kondensator, was es folglich durch direktes Montieren des Halbleiterchips auf die Verbundstoffleiterplatte und Harzgießen derselben möglich, eine Halbleitervorrichtung mit dem entkoppelnden Kondensator in der Nähe der Position zu erhalten, in welcher der Halbleiterchip montiert wird, und eine Halbleitervorrichtung zu erhalten, die hervorragend in ihren Eigenschaften bei der Verarbeitung von starken Signalen ist.
  • Industrielle Anwendbarkeit
  • Durch die Verwendung der Zusammensetzung zur Ausbildung von Dielektrika der Erfindung, kann, wie vorher beschrieben, ein Dielektrikum mit hoher dielektrischer Leitfähigkeit mit einem geringem dielektrischen Verlustfaktor von 0,1 oder weniger, und einer hohen dielektrischen Leitfähigkeit von 30 oder mehr bei einer niedrigen Erwärmungstemperatur von 500°C oder weniger gebildet werden.
  • Da ebenfalls das erfindungsgemäße Dielektrikum durch elektrochemische Abscheidung unter Verwendung einer elektrochemisch abscheidbaren Flüssigkeit zur Ausbildung von Dielektrika hergestellt werden kann, ermöglicht es ebenfalls die einfache Steuerung der Dicke durch Einstellung der elektrochemischen Abscheidungsbedingungen und Ähnlichem, und hat eine hervorragende Formbarkeit und Anpassungsfähigkeit an ein Substrat. Zusätzlich kann für das Verfahren zur Ausbildung eines Films durch elektrochemische Abscheidung eine Schicht mit hoher dielektrischer Leitfähigkeit in einer selektiven Art und Weise ausgebildet werden, was es folglich ermöglicht, die Schicht mit hoher dielektrischer Leitfähigkeit bei geringen Kosten mit hoher Genauigkeit, verglichen zur Photolithographie, dem Druckverfahren und Ähnlichem, herzustellen. Das erfindungsgemäße Dielektrikum hat eine verringerte Dicke und eine erhöhte dielektrische Leitfähigkeit und kann folglich in geeigneter Weise in elektronischen Teilen und Ähnlichem, wie etwa einer Druckschaltkreisplatte, einer Hableiterpackung, einem Kondensator und einer Hochfrequenzantenne verwendet werden. Das erfindungsgemäße elektronische Teil hat das Dielektrikum mit hoher dielektrischer Leitfähigkeit und kann folglich verkleinert und verdünnt werden.
  • Beispiele
  • Die vorliegende Erfindung wird im Folgenden spezifischer unter Verwendung von Beispielen beschrieben, aber die vorliegende Erfindung ist nicht auf diese Beispiele beschränkt. Außerdem basieren in der folgenden Beschreibung "Teile" und "%" auf dem Gewicht, wenn nicht anders angegeben. Ebenfalls ist die massegemittelte Molekülmasse (Mw) in den Beispielen die zu Polystyrol äquivalente gemittelte Masse, gemessen durch Gelpermeationschromatographie (GPC) (Marke: HLC-802A), hergestellt durch Toso Co., Ltd.
  • Beispiel H
  • [Beispiel H1]
  • Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz (1); [Herstellung einer Harzemulsion aus feinsten Teilchen aus Titanoxid verbunden mit Harz auf Polyimidbasis] 32,29 g (90 mmol) 3,3',4,4'-Diphenylsulfontetracarbonsäuredianhydrid als Tetracarbonsäuredianhydrid, 3,00 g (10 mmol) 1,3,3a,4,5,9A-Hexyhydro-5(tetrahydro-2,5-dioxo-3-furanyl)-naphtho[1,2-c]-furan-1,3-dion, 36,95 g (90 mmol) 2,2-Bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propan als eine Diaminverbindung und 2,49 g (10 mmol) des Organosiloxans LP 7100 (Marke, hergestellt durch The Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) wurden in 450 g N-Methyl-2-pyrolidon gelöst und reagierten bei Raumtemperatur für 12 Stunden. Danach wurden 32 g Pyridin und 71 g Essigsäureanhydrid zu dieser Reaktionslösung gegeben, um eine Dehydrierungs-Ringschlussreaktion bei 100°C für 3 Stunden durchzuführen. Dann wurde die Reaktionslösung unter reduziertem Druck eingedampft und gereinigt, um eine Polyimidlösung mit einem Feststoffanteil von 10 % zu erhalten.
  • Ein Reaktionsgefäß mit 100 Teilen Diethylenglycolmonoethylether wurde bei 85°C in der Anwesenheit von Stickstoffgas gehalten, und eine Mischung bestehend aus 65 Teilen n-Butylacrylat, 30 Teilen Dimethylaminoethylacrylat, 5 Teilen Glycidylmetaacrylat und 1 Teil Azobisisobutylnitril wurden kontinuierlich in dieses Reaktionsgefäß für 5 Stunden gegeben, während die Mischung einer Lösungsmittelpolymerisation unter Rühren unterzogen wurde. Nachdem die Mischung vollständig zugegeben war, wurde die Mischung weiter kontinuierlich bei 85°C für 2 Stunden gerührt und die Lösungspolymerisation wurde abgeschlossen, um eine Acrylpolymerlösung mit einem Feststoffgehalt von 50 % zu erhalten.
  • 50 Teile (Feststoffgehalt) der Polyimidlösung, 30 Teile (Feststoffgehalt) der Acrylpolymerlösung, 20 Teile Epicoat 828 (Markenname eines Produkts, hergestellt von Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.) und 67 Teile (Feststoffgehalt) Isopropylalkoholdispersionen (Feststoffgehalt: 15 %) von feinsten Teilchen aus Rutil-Titanoxid (durchschnittliche Teilchengröße: 20 nm), hergestellt durch das Sol-Gel-Verfahren, wurden zusammen gemischt und reagierten bei 70°C für 1 Stunde, und danach wurden 3 Teile Essigsäure schrittweise dazugegeben und gemischt, um den pH einzustellen. Dann wurde dies schrittweise in 1300 Teile destilliertes Wasser gegeben und kräftig gerührt, um eine kationische Emulsion (Feststoffgehalt: 7,3 %) von Verbundstoffteilchen aus feinsten Titanoxidteilchen-Harz auf Polyimidbasis zu erhalten. Die durchschnittliche Teilchengröße dieser Teilchen aus feinsten Titanoxidteilchen-Harz auf Polyimidbasis war 0,2 μm.
  • [Beispiel H2]
  • Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz (2);
  • [Herstellung einer Emulsion eines Verbundstoffs aus feinsten Titanoxidteilchen-Harz auf Epoxidbasis]
  • 46,3 Teile Block-Isocyanat bestehend aus Tolylendiisocyanat und 2-Ethylhexanol, 89,3 Teile Epoxidamin-Addukt erhalten durch Reaktion von Epicoat 828 (Markenname eines Produkts, hergestellt von Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.) mit Diethylamin, und 100 Teile (Feststoffgehalt) von Ethanoldispersionen (Feststoffgehalt: 15 %) von feinsten Titanoxidteilchen vom Anatase-Typ (durchschnittliche Teilchengröße: 20 nm), hergestellt durch das Gasphaseverfahren, wurden zusammengemischt und 3,8 Teile Essigsäure wurde dazu als ein pH-Regulator gegeben. Dies wurde unter Rühren in 1500 Teilen Ionen-ausgetauschtes Wasser gegeben, um eine kationische Emulsion (Feststoffgehalt: 10 %) von Teilchen aus feinsten Titanoxidteilchen verbunden mit Harz auf Epoxidbasis mit einem Vorläufer eines Harzes auf Epoxidbasis als ein Hauptbestandteil zu erhalten. Die durchschnittliche Teilchengröße dieser Verbundstoffteilchen aus feinsten Titanoxidteilchen-Harz auf Epoxidbasis war 0,3 μm.
  • [Beispiel H3]
  • Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz (3);
  • [Herstellung einer Verbundstoffemulsion aus feinsten Teilchen aus Bariumtitanat-Harz auf Polyimidbasis]
  • 32,9 g (90 mmol), 3,3',4,4'-Diphenylsulfontetracarbonsäuredianhydrid als Tetracarbonsäuredianhydrid, 3,00 g (10 mmol) 1,3,3a,4,5,9A-Hexahydro-5(tetrahydro-2,5-dioxo-3-furanyl)-naphtho[1,2-c]-furan-1,3-dion, 36,95 g (90 mmol) 2,2-Bis[4-(4-arainophenoxy)phenyl]propan als eine Diaminverbindung, und 2,49 g (10 mmol) des Organosiloxans LP 7100 (Marke, hergestellt durch The Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) wurden in 450 g N-Methyl-2-pyrolidon gelöst und reagierten bei Raumtemperatur für 12 Stunden. Danach wurde 32 g Pyridin und 71 g Essigsäureanhydrid zu dieser Reaktionslösung zugegeben, um eine Dehydrierungs-Ringschlussreaktion bei 100°C für 3 Stunden durchzuführen. Dann wurde die Reaktionslösung unter reduziertem Druck eingedampft und gereinigt, um eine Polyimidlösung mit einem Feststoffgehalt von 10 % zu erhalten.
  • Ein Reaktionsgefäß mit 100 Teilen Diethylenglycolmonoethylether wurde bei 85°C in der Anwesenheit von Stickstoffgas gehalten und eine Mischung bestehend aus 65 Teilen n-Butylacrylat, 30 Teilen Dimethylaminoethylacrylat, 5 Teilen Glycidylmetaacrylat und 1 Teil Azobisisobutylnitril wurden kontinuierlich in diesem Reaktionsgefäß für 5 Stunden gegeben, während die Mischung einer Lösungspolymerisation unter Rühren unterzogen wurde. Nachdem die Mischung vollständig zugegeben war, wurde die Mischung weiter kontinuierlich bei 85°C für 2 Stunden gerührt, und die Lösungspolymerisation wurde abgeschlossen, um eine Acrylpolymerlösung mit einem Feststoffgehalt von 50 % zu erhalten.
  • 50 Teile (Feststoffgehalt) der Polyimidlösung, 30 Teile (Feststoffgehalt) der Acrylpolymerlösung, 20 Teile Epicoat 828 (Markenname eines Produkts hergestellt von Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.) und 67 Teile (Feststoffgehalt) Isopropylalkoholdispersionen (Feststoffgehalt: 15 %) von feinsten Teilchen aus Bariumtitanat (durchschnittliche Teilchengröße: 30 nm), hergestellt durch das Sol-Gel-Verfahren, wurden zusammengemischt und reagierten bei 70°C für 1 Stunde, und danach wurden 3 Teile Essigsäure schrittweise dazugegeben und gemischt, um den pH einzustellen. Dann wurde dieses schrittweise in 1300 Teile destilliertes Wasser gegeben und kräftig gerührt, um eine kationische Emulsion (Feststoffgehalt: 7,3 %) von Verbundstoffteilchen aus feinsten Bariumtitanatteilchen verbunden mit Harz auf Polyimidbasis zu erhalten. Die durchschnittliche Teilchengröße dieser Verbundstoffteilchen aus feinsten Bariumtitanatteilchen-Harz auf Polyimidbasis war 0,2 μm.
  • [Synthesebeispiel H1]
  • [Herstellung einer Harzemulsion auf Polyimidbasis]
  • Eine kationische Emulsion (Feststoffgehalt: 6,5 %) von Harzteilchen auf Polyimidbasis wurde gerade auf die gleiche Art und Weise wie in Beispiel H1 zubereitet, mit der Ausnahme, dass Isopropylalkoholdispersionen (Feststoffgehalt: 15 %) von feinsten Teilchen aus Rutil-Titanoxid (durchschnittliche Teilchengröße: 20 nm), hergestellt durch das Sol-Gel-Verfahren, nicht zugegeben wurden. Die durchschnittliche Teilchengröße dieser Harzteilchen auf Polyimidbasis war 0,2 μm.
  • [Vergleichsbeispiel H1]
  • 29 Teile Isopropylalkoholdispersionen (Feststoffgehalt: 15 %) von feinsten Teilchen aus Rutil-Titanoxid (durchschnittliche Teilchengröße: 20 nm), hergestellt durch das Sol-Gel-Verfahren, wurden zu 100 Teilen der kationischen Emulsion der Harzteilchen auf Polyimidbasis, erhalten in Synthesebeispiel H1, zugegeben, und wurden ausreichend gerührt, um eine Zusammensetzung zur Ausbildung von Dielektrika zu erhalten, die außerhalb des Umfangs der vorliegenden Erfindung ist.
  • [Synthesebeispiel H2]
  • [Synthese von Anorganischen Verbundstoffteilchen]
  • Anorganische Verbundstoffteilchen (1) mit den Oberflächen von Bariumtitanatteilchen (Markenname: "HPBT-1", hergestellt durch Fuji Titanium Co., Ltd., durchschnittliche Teilchengröße: 0,6 μm, dielektrische Leitfähigkeit: 2000), beschichtet mit Silber durch das nicht elektrolytische Silberplattierungsverfahren wurden erhalten.
  • Die Änderungen im Gewicht vor und nach der Abscheidung zeigten, dass der auf dem Bariumtitanat abgeschiedene Silbergehalt 20 % war. Ebenfalls wurde durch SEM-Beobachtung der Pulver gezeigt, dass die feinen Silberteilchen auf den Oberflächen der Teilchen abgeschieden wurden.
  • [Synthesebeispiel H3]
  • [Synthese der Anorganischen Verbundstoffteilchen (2)]
  • Anorganische Verbundstoffteilchen (2) in den Oberflächen von Bariumtitanatteilchen (Markenname: "BT02", hergestellt durch Sakai Chemical Industry Co., Ltd., durchschnittliche Teilchengröße: 0,2 μm, dielektrische Leitfähigkeit: 2000), beschichtet mit Kupfer durch das nicht elektrolytische Kupferplattierungsverfahren wurden erhalten.
  • Die Gewichtsänderungen vor und nach der Abscheidung zeigten, dass der auf dem Bariumtitanat abgeschiedene Kupfergehalt 20 % war. Ebenfalls wurde bei der SEM-Beobachtung der Pulver gezeigt, dass die feinen Kupferteilchen auf den Oberflächen der Teilchen abgeschieden waren.
  • [Beispiel H4]
  • Elektrochemisch abscheidbare Flüssigkeit zur Ausbildung von Dielektrika (1);
  • [Herstellung von wässrigen Dispersionen für die elektrochemische Abscheidung (1)]
  • 10 Gewichtsteile von Bariumtitanatteilchen (Markenname: "HPBT-1", hergestellt durch Fuji Titanium Co., Ltd., durchschnittliche Teilchengröße: 0,6 μm, dielektrische Leitfähigkeit: 2000), wurden mit 70 Gewichtsteilen Methylpropylenglycol durch einen Homomischer gemischt und danach einer Kugelmühlendispersionsbehandlung unterzogen, um Dispersionen von anorganischen Verbundstoffteilchen ohne Verklumpungen zu erhalten (Feststoffgehalt: 12,5 %).
  • Zusätzlich wurden 40 Teile der kationischen Emulsion von Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz (1), erhalten in Beispiel H1, mit 100 Gewichtsteilen der vorher beschriebenen Dispersionen gemischt, um wässrige Dispersionen für die elektrochemische Abscheidung ((1) herzustellen.
  • [Beispiel H5]
  • Elektrochemisch abscheidbare Flüssigkeit zur Ausbildung von Dielektrika F(2);
  • [Zubereitung von wässrigen Dispersionen für die elektrochemische Abscheidung (2)]
  • 15 Gewichtsteile der anorganischen Verbundstoffteilchen (1) erhalten in Synthesebeispiel H2, und 0,1 Gewichtsteile Acetylenschwarz wurden mit 85 Gewichtsteilen Ethyllactat durch einen Homomischer gemischt und wurden danach einer Kugelmühlendispersionsbehandlung unterzogen, um Dispersionen von anorganischen Verbundstoffteilchen ohne Verklumpungen zu erhalten (Feststoffgehalt: 15 %).
  • Zusätzlich wurden 40 Teile der in Beispiel H1 erhaltenen kationischen Emulsion von Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz (1) mit 100 Gewichtsteilen der vorher beschriebenen Dispersionen gemischt, um wässrige Dispersionen für die elektrochemische Abscheidung (H2) herzustellen.
  • [Synthesebeispiel H4]
  • [Herstellung des Polymers: Herstellung von wärmehärtendem Harz (Polymer mit Epoxidgruppen)]
  • In einem Reaktionsbehälter wurden 25 g Glycidylmethacrylat, 10 g Acrylonitril, 15 g Methylmethacrylat und 50 g Dioxan zusammengemischt, um eine gleichmäßige Reaktionsstammlösung zuzubereiten.
  • Diese Reaktionsstammlösung wurde einem Stickstoffeinblasen für 30 Minuten unterzogen, gefolgt durch Zugabe von 1,9 g 2,2-Azobisisobutylnitril als ein Polymerisationsinitiator.
  • Die Temperatur in dem Reaktionsgefäß wurde auf 70°C erhöht, während die Stickstoffeinleitung fortgesetzt wurde. Die Polymerisationsreaktion wurde kontinuierlich bei der gleichen Temperatur für 7 Stunden durchgeführt. Die resultierende Reaktionslösung wurde mit einer großen Menge Hexan gemischt, um das Polymer zu verfestigen, und danach wurde dieses Polymer gesammelt und in Dioxan wieder gelöst. Dieses Verfahren der Verfestigung durch Hexan und wieder Lösen in Dioxan wurde fünfmal wiederholt, um nicht reagierte Monomere zu entfernen. Dann wurde das Dioxan unter reduziertem Druck bei 70°C eingedampft, um ein weißes epoxidgruppenhaltiges Polymer zu erhalten. Die massegemittelte Molekülmasse dieses Polymers wurde unter Verwendung von GPC (Gelpermeationschromatographie) gemessen, um herauszufinden, dass sie 110.000 war.
  • [Beispiel H6]
  • Zusammensetzung zur Ausbildung von Dielektrika (1);
  • [Herstellung der Zusammensetzung zur Ausbildung von Dielektrika (1)]
  • 25 Gewichtsteile der anorganischen Verbundstoffteilchen (2), erhalten in Synthesebeispiel H3, und 0,1 Gewichtsteile Acetylenschwarz wurden mit 75 Gewichtsteilen Methylpropylenglycol durch einen Homomischer gemischt und wurden danach einer Kugelmühlendispersionsbehandlung unterzogen, um Dispersionen von anorganischen Verbundstoffteilchen ohne Verklumpungen zu erhalten (Feststoffgehalt: 25 %).
  • Zusätzlich wurden 40 Teile der kationischen Emulsion von Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz (3), erhalten in Beispiel H3, und 2 Gewichtsteile des Polymers des Synthesebeispiels H4 mit 100 Gewichtsteilen der vorher beschriebenen Dispersionen gemischt, um eine Zusammensetzung zur Ausbildung von Dielektrika (1) zuzubereiten.
  • [Beispiel H7]
  • Elektrochemisch abscheidbare Flüssigkeit zur Ausbildung von Dielektrika (3);
  • [Zubereitung von wässrigen Dispersionen für die elektrochemische Abscheidung (3)]
  • 15 Gewichtsteile der anorganischen Verbundstoffteilchen (2), erhalten in Synthesebeispiel H3, und 0,1 Gewichtsteile Acetylenschwarz wurden mit 85 Gewichtsteilen Methylpropylenglycol durch einen Homomischer gemischt und wurden danach einer Kugelmühlendispersionsbehandlung unterzogen, um Dispersionen von anorganischen Verbundstoffteilchen ohne Agglomerate zu erhalten (Feststoffgehalt: 15 %).
  • Zusätzlich wurden 40 Teile kationische Emulsion von Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz (2), erhalten in Beispiel H2 mit 113 Gewichtsteilen der vorher beschriebenen Dispersionen gemischt, um wässrige Dispersionen für die elektrochemische Abscheidung (3) zuzubereiten.
  • [Vergleichsbeispiel H2]
  • Wässrige Dispersionen für die elektrochemische Abscheidung, die außerhalb des Umfangs der vorliegenden Erfindung liegen, wurde auf die gleiche Art und Weise wie in Beispiel H4 zubereitet, mit der Ausnahme, dass 40 Teile der kationischen Emulsion erhalten in Synthesebeispiel H1 anstelle von 40 Teilen der kationischen Emulsion von Verbundstoffteilchen aus feinstem Teilchen-Harz (1), erhaltenen Beispiel H1, verwendet wurden.
  • [Vergleichsbeispiel H3]
  • Wässrige Dispersionen für die elektrochemische Abscheidung, die außerhalb des Umfangs der vorliegenden Erfindung liegen, wurde auf die gleiche Art und Weise wie in Beispiel H5 zubereitet, mit der Ausnahme, dass 40 Teile der kationischen Emulsion erhalten in Synthesebeispiel H1 anstelle von 40 Teilen der kationischen Emulsion von Verbundstoffteilchen aus feinstem Teilchen-Harz (1), erhaltenen Beispiel H1, verwendet wurden.
  • Ausbildung von Dielektrika
  • [Bildung der dielektrischen Schicht durch das elektrochemische Abscheidungsverfahren]
  • Kupferplatten als Kathoden und SUS-Platten als Gegenelektroden wurden in die wässrigen Dispersionen für die elektrochemische Abscheidung der kationischen Emulsionen von Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz der vorher beschriebenen Beispiele H1 bis H3, der Zusammensetzung zur Ausbildung von Dielektrika des Vergleichsbeispiels H1 und den wässrigen Dispersionen für die elektrochemische Abscheidung der Beispiele H4, H5 und H7 und der Vergleichsbeispiele H2 und H3 gegeben, und die Teilchen wurden elektrochemisch auf der Kupferfolie (Dicke: 13 μm) auf der Kathodenseite durch das Konstantstromverfahren bei 0,5 bis 1 mA/cm2 abgeschieden. Danach wurden sie auf 120°C für 10 Minuten erwärmt und wurden weiterhin für die Beispiele H1 und H3 bis H5 und die Vergleichsbeispiele H1 bis H3 auf 250°C für 30 Minuten, und die Beispiele H2 und H7 auf 150°C für 30 Minuten für erwärmt, um Dielektrika mit Kupferfolien zu erhalten. Die Dicke der erhaltenen Dielektrika wurde in μm-Einheiten durch eine elektromagnetische Dicketestvorrichtung gemessen.
  • [Ausbildung der dielektrischen Schicht durch einen Die Coater]
  • Die Kupferfolie (Dicke: 13 μm) wurde mit der Zusammensetzung zur Ausbildung von Dielektrika (1) des vorher beschriebenen Beispiels H6 durch einen Die Coater beschichtet. Danach wurde die Kupferfolie auf 120°C für 10 Minuten erwärmt und weiter auf 250°C für 30 Minuten erwärmt, um ein Dielektrikum mit einer Kupferfolie zu erhalten. Die Dicke des erhaltenen Dielektrikums wurde in μm-Einheiten durch eine elektromagnetische Dicketestvorrichtung gemessen.
  • Bewertung der Leistung der Dielektrika
  • Die Leistung des Dielektrikums wurde in Übereinstimmung mit den im Folgenden beschriebenen Verfahren bewertet.
  • Die Ergebnisse werden in den Tabellen H1 und H2 gezeigt.
  • [Dielektrische Leitfähigkeit, dielektrischer Verlustfaktor und Kriechstrom]
  • Eine Elektrode mit einem Führungsring (Fläche; 1 cm2, Dicke; 0,5 μm) wurde auf der oberen Fläche des erhaltenen Dielektrikums mit einer Kupferfolie durch das Aluminiumabscheidungsverfahren gebildet. Die dielektrische Leitfähigkeit und der dielektrische Verlustfaktor bei 1 MHz wurden zehnmal zwischen der Kupferfolie und der Elektrode durch eine LCR-Messvorrichtung (HP4284A, hergestellt durch Hewlett-Packard Co., Ltd.), gemessen, und die Mittelwerte davon wurden bestimmt. Ebenfalls wurde die Kriechspannung zwischen der Kupferfolie und der Elektrode zehnmal durch eine Isolationswiderstandsmessvorrichtung (hergestellt durch Advantest Co., Ltd.) gemessen, und die Mittelwerte davon wurden bestimmt.
  • [Widerstand gegen feuchte Wärme (HAST-Test)]
  • Für gehärtete Filme wurde der Test für die Beständigkeit gegenüber feuchter Wärme für 72 Stunden bei 121°C und 100 % Luftfeuchtigkeit und einem Druck von 2 Atmosphären durchgeführt, und Infrarotspektroskopiemessungen wurden vor und nach dem Test durchgeführt, und in Abhängigkeit von dem Grad des Unterschieds wurde ihre Beständigkeit gegenüber feuchter Wärme auf der Grundlage der folgenden Kriterien bewertet.
    • O
    ... kein signifikanter Unterschied und ein befriedigender Grad der Beständigkeit.
    x
    ... ein signifikanter Unterschied und ein unbefriedigender Grad der Beständigkeit
  • Figure 00710001
  • Figure 00720001
  • Wie aus der Tabelle H1 ersichtlich, haben verglichen mit dem Dielektrikum des Vergleichsbeispiels H1 die in den Beispielen H1 bis H3 erhaltenen Dielektrika eine erhöhte dielektrische Leitfähigkeit und einen verringerten Kriechstrom in der Dicke.
  • Ebenfalls haben, wie aus der Tabelle H2 ersichtlich, verglichen zu den Dielektrika der Vergleichsbeispiele H2 und H3, die in den Beispielen H4 bis H7 erhaltenen Dielektrika eine hohe dielektrische Leitfähigkeit und bessere elektrische Eigenschaften.

Claims (4)

  1. Zusammensetzung zur Herstellung von Dielektrika, dadurch gekennzeichnet, dass sie enthält: Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen – Harz, welche umfassen: (J) anorganische feinste Teilchen mit einem durchschnittlichen Teilchendurchmesser von 0,1 μm oder kleiner; und (B) einen Harzbestandteil, bestehend aus wenigstens einer polyermisierbaren Verbindung oder einem Polymer, und wobei ein Teil oder alle Oberflächen der anorganischen feinsten Teilchen (J) mit diesem Harzbestandteil (B) überzogen sind, und die Verbundstoffteilchen aus feinsten Teilchen-Harz 20 Gew.-% oder mehr der anorganischen feinsten Teilchen (J) enthalten; und anorganische Teilchen mit einem durchschnittlichen Teilchendurchmesser von 0,1 bis 2 μm und einer dielektrischen Leitfähigkeit von 30 oder höher, oder anorganische Verbundstoffteilchen, in welchen ein leitfähiges Metall, oder eine Verbindung davon, oder eine leitfähige organische Verbindung oder ein leitfähiges anorganisches Material auf dem Teil oder allen Oberflächen der anorganischen Teilchen abgelagert ist.
  2. Zusammensetzung zur Herstellung von Dielektrika nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die anorganischen feinsten Teilchen (J) aus einem Metalloxid auf Titanbasis hergestellt sind.
  3. Dielektrikum, dadurch gekennzeichnet, dass das Dielektrikum unter Verwendung der Zusammensetzung zur Herstellung von Dielektrika nach Anspruch 1 hergestellt ist.
  4. Elektronisches Teil, dadurch gekennzeichnet, dass es das Dielektrikum nach Anspruch 3 umfasst.
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Families Citing this family (78)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1471540A4 (de) * 2002-01-28 2009-09-23 Jsr Corp Zusammensetzung zur bildung eines lichtempfindlichen dielektrischen materials, transferfilm, dielektrisches material und elektronische teile damit
JP4170734B2 (ja) * 2002-11-13 2008-10-22 信越化学工業株式会社 多孔質膜形成用組成物、多孔質膜とその製造方法、層間絶縁膜及び半導体装置
JP2004161876A (ja) * 2002-11-13 2004-06-10 Shin Etsu Chem Co Ltd 多孔質膜形成用組成物、多孔質膜とその製造方法、層間絶縁膜及び半導体装置
JP4170735B2 (ja) * 2002-11-13 2008-10-22 信越化学工業株式会社 ゼオライトゾルとその製造方法、多孔質膜形成用組成物、多孔質膜とその製造方法、層間絶縁膜及び半導体装置
EP1603158B1 (de) * 2003-03-11 2021-06-09 The Furukawa Electric Co., Ltd. Optisches modul umfassend leiterplatte, optisches halbleiterkomponente, anschlusskammkapselung, und verfahren zu seiner herstellung
TW200726784A (en) * 2003-04-07 2007-07-16 Hitachi Chemical Co Ltd Epoxy resin molding material for sealing use and semiconductor device
DE10324086A1 (de) * 2003-05-27 2004-12-23 Henkel Kgaa Markierte Polymerdispersion und daraus erhältliche Klebstoffe
US7910223B2 (en) 2003-07-17 2011-03-22 Honeywell International Inc. Planarization films for advanced microelectronic applications and devices and methods of production thereof
US7655376B2 (en) * 2003-12-05 2010-02-02 3M Innovative Properties Company Process for producing photonic crystals and controlled defects therein
US20050124712A1 (en) * 2003-12-05 2005-06-09 3M Innovative Properties Company Process for producing photonic crystals
KR101136665B1 (ko) * 2004-03-29 2012-04-18 니폰 가가쿠 고교 가부시키가이샤 복합 유전체 재료
US7575979B2 (en) * 2004-06-22 2009-08-18 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method to form a film
TWM262840U (en) * 2004-10-05 2005-04-21 Harvatek Corp Substrate of semiconductor
US20060081557A1 (en) * 2004-10-18 2006-04-20 Molecular Imprints, Inc. Low-k dielectric functional imprinting materials
KR100594299B1 (ko) * 2004-10-29 2006-06-30 삼성전자주식회사 유연성 인쇄 회로 및 이것이 구비된 하드 디스크 드라이브
JP2006140362A (ja) * 2004-11-15 2006-06-01 Nitto Denko Corp 光半導体素子封止用シートおよび該シートを用いた光半導体装置の製造方法
KR100718923B1 (ko) * 2004-12-30 2007-05-16 주식회사 코오롱 플라즈마 디스플레이 패널용 투명 유전체 페이스트 조성물및 이로부터 형성된 유전체 페이스트층을 포함하는 유전체드라이 필름
KR100632554B1 (ko) * 2004-12-30 2006-10-11 삼성전기주식회사 커패시터 내장형 인쇄회로기판 및 그 제조방법
JP2006226926A (ja) * 2005-02-21 2006-08-31 Seiko Instruments Inc 電波時計用アンテナ構造体及びこれを備えた電波時計
US20060235107A1 (en) * 2005-04-15 2006-10-19 3M Innovative Properties Company Method of reusing flexible mold and microstructure precursor composition
JP2006324637A (ja) * 2005-04-21 2006-11-30 Tdk Corp 共材粒子、その製造方法、電極ペースト、電子部品の製造方法
US7662317B2 (en) * 2005-06-30 2010-02-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Dispersant, paste composition including the dispersant, inorganic device using the paste composition, and display apparatus including the inorganic device
KR101221450B1 (ko) * 2005-07-19 2013-01-11 주식회사 동진쎄미켐 유무기 복합 감광성 수지 조성물
AU2006274548A1 (en) * 2005-08-04 2007-02-08 3Gsolar Ltd Method for production of nanoporous electrodes for photoelectrochemical applications
AU2006274546A1 (en) * 2005-08-04 2007-02-08 3Gsolar Ltd Method for preparation of stable metal oxide nanoparticles suspensions
KR101178053B1 (ko) * 2005-09-27 2012-08-30 삼성전자주식회사 카르복실 에스테르계 분산제 및 그를 포함하는 황화물계 형광체 페이스트 조성물
US7964236B2 (en) * 2005-10-18 2011-06-21 Elantas Pdg, Inc. Use of nanomaterials in secondary electrical insulation coatings
KR101146667B1 (ko) * 2005-11-07 2012-05-24 삼성에스디아이 주식회사 금속산화물 페이스트 조성물 및 그를 이용한 반도체 전극의제조방법
US20070241966A1 (en) * 2006-04-14 2007-10-18 Yung-Shun Chen Conductive antenna structure and method for making the same
JP2008028352A (ja) * 2006-06-02 2008-02-07 Nec Lighting Ltd 電子機器および電子機器の製造方法
KR20090054975A (ko) * 2006-09-01 2009-06-01 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 경화성 페이스트 조성물로 디스플레이 구성요소를 제조하는방법
US20080055178A1 (en) * 2006-09-04 2008-03-06 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Broad band antenna
KR101133057B1 (ko) 2006-12-28 2012-04-04 주식회사 엘지화학 고유전 복합 조성물
KR100847464B1 (ko) * 2007-03-02 2008-07-21 제일모직주식회사 액정배향제　및 이를 이용하여 제조된 액정배향막
US20090001599A1 (en) * 2007-06-28 2009-01-01 Spansion Llc Die attachment, die stacking, and wire embedding using film
KR100882586B1 (ko) * 2007-10-10 2009-02-13 제일모직주식회사 액정 광배향제, 이를 포함하는 액정 광배향막, 및 이를포함하는 액정 표시 장치
US20090118408A1 (en) * 2007-11-05 2009-05-07 Cox G Sidney Dielectric compositions containing coated filler and methods relating thereto
US20090141505A1 (en) * 2007-11-30 2009-06-04 Taiyo Ink Mfg., Co,. Ltd. White heat-hardening resin composition, hardened material, printed-wiring board and reflection board for light emitting device
US8042976B2 (en) * 2007-11-30 2011-10-25 Taiyo Holdings Co., Ltd. White hardening resin composition, hardened material, printed-wiring board and reflection board for light emitting device
AU2009335858B2 (en) * 2008-12-18 2014-10-09 Coatings Foreign Ip Co. Llc Modified titanium dioxide comprising at least one (meth) acrylic polymer
EP2239305A1 (de) * 2009-04-08 2010-10-13 Premix Oy Verfahren, Füllstoff, Polymerzusammensetzung und Produkt
US8216006B2 (en) * 2009-06-09 2012-07-10 Tyco Electronics Corporation Composite assembly for an electrical connector and method of manufacturing the composite assembly
US8784147B2 (en) 2009-06-09 2014-07-22 Tyco Electronics Corporation Composite assembly for an electrical connector and method of manufacturing the composite assembly
JP5637992B2 (ja) * 2009-09-15 2014-12-10 株式会社東芝 セラミックス回路基板の製造方法
KR20110037332A (ko) * 2009-10-06 2011-04-13 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 및 그 제조방법
CN102656646B (zh) * 2009-12-14 2016-08-10 3M创新有限公司 具有非线性介电常数的电介质材料
JP5616070B2 (ja) 2010-01-21 2014-10-29 株式会社フジクラ 電子線硬化用導電性ペースト及びこれを用いた回路基板の製造方法
US8338317B2 (en) * 2011-04-06 2012-12-25 Infineon Technologies Ag Method for processing a semiconductor wafer or die, and particle deposition device
US9159493B2 (en) 2010-03-17 2015-10-13 The Secretary Of State For Defense Dielectrics
CN102844273B (zh) * 2010-04-12 2016-03-02 日东电工株式会社 离子传导性有机无机复合粒子、含有粒子的树脂组合物以及离子传导性成型体
JP5612953B2 (ja) 2010-04-12 2014-10-22 日東電工株式会社 粒子、粒子分散液、粒子分散樹脂組成物および樹脂成形体
US8790144B2 (en) 2010-06-07 2014-07-29 Tyco Electronics Corporation Contact assembly for an electrical connector and method of manufacturing the contact assembly
CN102298998A (zh) * 2010-06-23 2011-12-28 比亚迪股份有限公司 一种绝缘材料及其制备方法
US10763490B2 (en) 2011-09-30 2020-09-01 Ppg Industries Ohio, Inc. Methods of coating an electrically conductive substrate and related electrodepositable compositions including graphenic carbon particles
US8867231B2 (en) * 2012-01-13 2014-10-21 Tyco Electronics Corporation Electronic module packages and assemblies for electrical systems
CN104220630B (zh) 2012-02-23 2017-03-08 特来德斯通技术公司 耐腐蚀且导电的金属表面
JP2013232483A (ja) * 2012-04-27 2013-11-14 Koito Mfg Co Ltd 回路基板及び回路基板の製造方法
TWI513735B (zh) * 2012-09-13 2015-12-21 Daxin Materials Corp 聚醯亞胺前驅物與感光性樹脂組成物
JP6099453B2 (ja) * 2012-11-28 2017-03-22 Ｄｏｗａメタルテック株式会社 電子部品搭載基板およびその製造方法
CN103849008B (zh) * 2012-11-29 2018-04-13 深圳先进技术研究院 杂化颗粒、聚合物基复合材料及其制备方法与应用
US9123780B2 (en) * 2012-12-19 2015-09-01 Invensas Corporation Method and structures for heat dissipating interposers
US20150187608A1 (en) * 2013-12-26 2015-07-02 Sanka Ganesan Die package architecture with embedded die and simplified redistribution layer
JP6761224B2 (ja) * 2014-02-19 2020-09-23 味の素株式会社 プリント配線板、半導体装置及び樹脂シートセット
US9706667B2 (en) * 2014-05-19 2017-07-11 Sierra Circuits, Inc. Via in a printed circuit board
JP2017531210A (ja) * 2014-06-19 2017-10-19 インクロン オサケユキチュアＩｎｋｒｏｎ Ｏｙ 誘電性シロキサン粒子フィルム及びそれを有するデバイス
EP3176225B1 (de) 2014-07-29 2020-02-19 Boe Technology Group Co. Ltd. Funktionsmaterial, herstellungsverfahren dafür, oled-anzeigetafel
EP3176228B1 (de) * 2014-07-29 2019-08-21 Boe Technology Group Co. Ltd. Farbfilmmaterial und farbfilmsubstrat
CN109689943A (zh) * 2016-09-08 2019-04-26 Ppg工业俄亥俄公司 涂覆导电基材的方法和相关的包含石墨烯碳颗粒的可电沉积的组合物
CA3111745C (en) * 2016-12-21 2023-04-04 Viavi Solutions Inc. Particles having a vapor deposited colorant
CA2988904C (en) 2016-12-21 2020-05-05 Viavi Solutions Inc. Hybrid colored metallic pigment
CN110235208B (zh) 2017-01-31 2021-05-11 3M创新有限公司 中压和高压线缆应用的多层应力控制制品及干式接线端
WO2018211614A1 (ja) * 2017-05-17 2018-11-22 株式会社野田スクリーン 薄膜キャパシタ構造、および当該薄膜キャパシタ構造を備えた半導体装置
US10535591B2 (en) * 2017-08-10 2020-01-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
CN110310939B (zh) * 2018-03-27 2021-04-30 矽品精密工业股份有限公司 基板结构及其制法及导电凸块
US20200098674A1 (en) * 2018-09-26 2020-03-26 Intel Corporation Package edge mounted frame structures
JP6643516B1 (ja) * 2019-05-17 2020-02-12 住友化学株式会社 ペレット混合物および射出成形体
CN112899746B (zh) * 2021-02-05 2022-04-08 南京理工大学 降低叠氮化亚铜薄膜静电感度的方法
CN114381782B (zh) * 2021-12-29 2022-10-21 江苏诺德新材料股份有限公司 一种环保型高Tg低介电的覆铜板及其制备工艺

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2322353A (en) * 1939-11-04 1943-06-22 Western Electric Co Dielectric material
FR2261693A5 (de) 1972-09-21 1975-09-12 Cellophane Sa
DE3061159D1 (en) 1979-09-14 1982-12-30 Mitsubishi Metal Corp Electroconductive powder and process for production thereof
JPS5710663A (en) 1980-06-20 1982-01-20 Toyobo Co Ltd Aqueous printing ink
JPS5770153A (en) 1980-10-17 1982-04-30 Toyobo Co Ltd Aqueous polyester resin
JPS58174421A (ja) 1982-04-07 1983-10-13 Toyobo Co Ltd 水溶性ポリエステルの製造法
JPS6051750A (ja) * 1983-08-30 1985-03-23 Murata Mfg Co Ltd 防振複合体
JPS61141616A (ja) 1984-12-11 1986-06-28 Ishihara Sangyo Kaisha Ltd 導電性二酸化チタン微粉末及びその製造方法
US4737446A (en) * 1986-12-30 1988-04-12 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method for making multilayer circuits using embedded catalyst receptors
JPH0787046B2 (ja) * 1990-03-02 1995-09-20 株式会社大真空 高分子複合誘電体
US5296426A (en) * 1990-06-15 1994-03-22 E. I. Du Pont De Nemours And Company Low-fire X7R compositions
JPH0455555A (ja) 1990-06-25 1992-02-24 Misawa Homes Co Ltd 建物の手摺支柱の設置構造
US5374453A (en) * 1991-05-24 1994-12-20 Rogers Corporation Particulate filled composite film and method of making same
JPH0537161A (ja) 1991-07-30 1993-02-12 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 印刷配線板
JP2617639B2 (ja) * 1991-11-06 1997-06-04 松下電工株式会社 複合誘電体および回路用基板
JPH05160334A (ja) 1991-12-09 1993-06-25 Shinko Electric Ind Co Ltd 多層リードフレーム及びこれに用いるコンデンサー部品並びに半導体装置
JP3030387B2 (ja) 1992-09-02 2000-04-10 日本航空電子工業株式会社 高誘電率複合材料
JP2992667B2 (ja) * 1993-03-31 1999-12-20 大塚化学 株式会社 チタン酸金属塩繊維及び高誘電性材料
JPH0745948A (ja) 1993-07-28 1995-02-14 Ibiden Co Ltd 多層配線板及びその製造方法
JP2550881B2 (ja) 1993-09-27 1996-11-06 日本電気株式会社 プリント配線板及びその検査方法
JPH07228611A (ja) 1994-02-15 1995-08-29 Japan Synthetic Rubber Co Ltd ポリマーエマルジョン
JP3175477B2 (ja) 1994-03-30 2001-06-11 ジェイエスアール株式会社 水性フッ素樹脂組成物
JP2873541B2 (ja) 1994-07-28 1999-03-24 大塚化学株式会社 高周波通信機のアンテナ基板材料成形用樹脂組成物
JPH09111135A (ja) * 1995-10-23 1997-04-28 Mitsubishi Materials Corp 導電性ポリマー組成物
JPH09208865A (ja) 1996-02-02 1997-08-12 Daicel Chem Ind Ltd カチオン電着塗料組成物
JPH09235495A (ja) 1996-03-01 1997-09-09 Nippon Paint Co Ltd 低鉛含有カチオン電着塗料
JPH1060280A (ja) 1996-08-14 1998-03-03 Japan Synthetic Rubber Co Ltd 水系分散体
CA2264279A1 (en) * 1996-08-23 1998-02-26 Nittetsu Mining Co., Ltd. Rheological fluid
US6268054B1 (en) * 1997-02-18 2001-07-31 Cabot Corporation Dispersible, metal oxide-coated, barium titanate materials
KR100510815B1 (ko) 1997-05-07 2005-10-24 제이에스알 가부시끼가이샤 무기입자의 수성분산체 및 그의 제조방법
JP3644206B2 (ja) 1997-08-05 2005-04-27 Ｊｓｒ株式会社 ポリイミド系水性分散体およびその製造方法
JP3635883B2 (ja) 1997-08-08 2005-04-06 Ｊｓｒ株式会社 水性分散体およびその製造方法
EP1109758A1 (de) * 1998-06-23 2001-06-27 Cabot Corporation Bariumtitanat-dispersionen
KR100572646B1 (ko) 1998-07-17 2006-04-24 제이에스알 가부시끼가이샤 폴리이미드계 복합체 및 이 복합체를 사용한 전자 부품, 및 폴리이미드계 수성 분산액
US6270395B1 (en) * 1998-09-24 2001-08-07 Alliedsignal, Inc. Oxidizing polishing slurries for low dielectric constant materials
JP2000235933A (ja) * 1999-02-17 2000-08-29 Hokuriku Electric Ind Co Ltd 誘電体粉末及びその製造方法並びにコンデンサ付き回路基板
US6146749A (en) 1999-05-03 2000-11-14 Jsr Corporation Low dielectric composition, insulating material, sealing material, and circuit board
JP4265048B2 (ja) * 1999-10-06 2009-05-20 Ｊｓｒ株式会社 電着用水性分散液、高誘電率フィルムおよび電子部品
KR100390469B1 (ko) * 2000-09-15 2003-07-04 한국과학기술연구원 초미립 티탄산바륨 유전체 세라믹 재료의 제조방법
US6656590B2 (en) * 2001-01-10 2003-12-02 Cabot Corporation Coated barium titanate-based particles and process

Also Published As

Publication number Publication date
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