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DE60019592T2 - Festelektrolytkondensatoren und herstellungsverfahren - Google Patents

Festelektrolytkondensatoren und herstellungsverfahren Download PDF

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DE60019592T2
DE60019592T2 DE60019592T DE60019592T DE60019592T2 DE 60019592 T2 DE60019592 T2 DE 60019592T2 DE 60019592 T DE60019592 T DE 60019592T DE 60019592 T DE60019592 T DE 60019592T DE 60019592 T2 DE60019592 T2 DE 60019592T2
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DE
Germany
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porous
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porous body
layer
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David Bovey Tracey HUNTINGTON
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AVX Ltd
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004Details
    • H01G9/008Terminals
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/0029Processes of manufacture

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  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)
  • Electric Double-Layer Capacitors Or The Like (AREA)

Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Festkörperkondensatoren. Insbesondere bezieht sich die Erfindung auf Kondensatoren des Typs, bei dem pulverförmiges Gleichrichtermaterial einen hochporösen Anodenkörperabschnitt eines Kondensators bildet, eine elektrisch isolierende Dielektrikumschicht durch die poröse Struktur des Anodenkörpers gebildet wird, und eine leitfähige Kathodenschicht auf der Dielektrikumschicht gebildet wird, die dann elektrisch mit einem Kathodenanschluss verbunden wird, wobei der Anodenkörper elektrisch mit einem Anodenanschluss verbunden ist.
  • In der Beschreibung des US-Patents Nr. 5 357 399 (Salisbury) wird ein Verfahren zur gleichzeitigen Herstellung von mehreren solcher Kondensatoren aus einer porösen Tantalschicht beschrieben, die auf einem Tantal-Substrat gesintert wird. Die poröse Schicht wird bearbeitet, um von jedem Kondensator die Anodenkörper zu bilden. Nach diesem Prozess wird eine Deckelplatte (Substratdeckel) auf die oberen Enden der Anodenkörper gebondet. Die Schichtstruktur aus Substrat/Anodenkörper/Deckel wird dann zerteilt, um eine Vielzahl von einzelnen Kondensatoren zu separieren, bei denen jeweils das Substratmaterial den Anodenanschluss bildet und das Deckelmaterial den Kathodenanschluss bildet. In der PCT-Anmeldung GB99/03566 (AVX Ltd.) wird eine modifizierte Version des Salisbury-Verfahrens beschrieben, bei der die Volumeneffizienz der produzierten Kondensatoren optimiert wird, indem darauf verzichtet wird, bei jedem Kondensator einen Substratdeckel als Kathodenanschluss vorzusehen, wodurch das spezifische kapazitive Volumen verbessert wird.
  • In EP-A-0 758 788 wird ein Verfahren zur Herstellung von Festkörperkondensatoren beschrieben, bei dem ein poröser Körper auf der Oberseite eines Substrats gebildet wird, Anoden- und Kathodenschichten vorgesehen werden und Anoden- und Kathodenanschlüsse im elektrischen Kontakt mit der Anoden- bzw. Kathodenschicht hergestellt werden. Der Anodenanschluss wird auf der Unterseite des Substrats gebildet, und der Kathodenanschluss wird auf der Oberseite des porösen Körpers gebildet.
  • In US 4 164 005 wird ein Verfahren zur Herstellung eines Kondensators beschrieben, bei dem ein leitfähiger Turm auf der Oberseite des Substrats vorgesehen ist und der Anodenanschluss oben auf dem Turm gebildet wird. Auf diese Art werden sowohl Anodenanschluss als auch Kathodenanschluss in derselben Ebene erzeugt.
  • Die genannten Verfahren ermöglichen die Herstellung von sehr kleinen, aber hocheffizienten Kondensatoren. Auf Grund des ständigen Bestrebens nach Miniaturisierung von Komponenten und Vereinfachung beim Aufbau von elektronischen Schaltkreisen besteht weiterhin der Bedarf nach Verbesserung der Volumeneffizienz bei Kondensatoren und Verringerung der Fenster für die Komponenten (oder der Flächenbedeckung) auf dem Schaltkreis.
  • Mit der vorliegenden Erfindung wird versucht, verbesserte Kondensatoren zu schaffen und verbesserte Verfahren zur Herstellung derartiger Kondensatoren anzugeben.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung von Festkörperkondensatoren angegeben mit: Bereitstellen eines elektrisch leitfähigen Substrats mit mehreren durchgehenden Öffnungen darin, Bilden von mehreren porösen Körpern aus Gleichrichtermaterial auf einer Oberseite des Substrats, wobei ein Teil jedes porösen Körpers von einer entsprechenden Öffnung aufgenommen wird, Bilden einer elektrisch isolierenden Schicht über der freien Fläche der porösen Körper, Bilden einer leitfähigen Kathodenschicht über der elektrisch isolierenden Schicht, die sich auf den porösen Körpern befindet, Erzeugen eines Kathodenanschlusses, wobei der Kathodenanschluss einen elektrischen Kontakt mit der Kathodenschicht bildet, Erzeugen eines Anodenanschlusses auf einer Unterseite des Substrats neben der Öffnung, wobei der Anodenanschluss einen elektrischen Kontakt mit dem Substratmaterial bildet, und Unterteilen des Substrats in einzelne Kondensatoreinheiten, die jeweils einen porösen Körper umfassen, der in einem Abschnitt des Substrats aufgenommen wird, durch den eine Öffnung definiert wird, das dadurch gekennzeichnet ist, dass der Kathodenanschluss auf einer freiliegenden Unterseite jedes porösen Körpers, untergebracht in der Öffnung, vorgesehen ist.
  • Auf diese Art kann eine Vielzahl von Kondensatoren hergestellt werden, wobei die Kondensatoren Anoden- und Kathodenanschlüsse auf einer gemeinsamen Seite des Kondensators aufweisen.
  • Vorzugsweise haben die jeweiligen Anoden- und Kathodenanschlüsse bei jedem Kondensator allgemein koplanar freiliegende Kontaktflächen, so dass der Kondensator mit seiner Unterseite auf einer flachen Oberfläche stehen kann, wobei sich die Kontaktflächen auf der flachen Oberfläche befinden.
  • Die porösen Körper können aus einer Vorformschicht aus porösem Gleichrichtermaterial gebildet werden, das auf eine Oberseite des Substrats gepresst wird. Die Vorformschicht kann bearbeitet oder geschnitten werden, um einzelne poröse Körper durch die Apertur und die Oberseite des Substrats zu bilden. Andere Formgebungsprozesse können jedoch genauso gut verwendet werden.
  • Nach einem Aspekt der Erfindung werden sowohl die freie Fläche des porösen Körpers als auch die freiliegende Substratoberfläche mit der isolierenden Schicht bedeckt, und ein Teil der isolierenden Schicht über dem Substrat wird entfernt, um einen elektrischen Kontakt mit dem Substrat herstellen zu können.
  • Ein Teil der Oberfläche der Unterseite des Substrats kann maskiert werden, um darauf die Bildung einer dielektrischen Schicht und Kathodenschicht zu vermeiden.
  • Vorzugsweise wird eine leitfähige Beschichtung über der Kathodenschicht auf dem porösen Körper vorgesehen. Die leitfähige Beschichtung kann sich über einen wesentlichen Teil der Oberfläche des porösen Körpers erstrecken.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung wird ein leitfähiger Stift in dem porösen Körper gebildet, wobei der Stift leitfähige Schichten elektrisch verbindet, die auf verschiedenen Enden oder Seiten des porösen Körpers aufgebracht wurden. Damit wird der innere ESR des kapazitiven Körpers reduziert und so die Leistungsfähigkeit des Bauteils verbessert.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung wird ein Festkörperkondensator geschaffen mit: einem elektrisch leitfähigen Substratteil, einem porösen Körper aus Gleichrichtermaterial, der sich unmittelbar an einen Abschnitt der Oberseite des Substrats anschließt, einer elektrisch isolierenden Schicht, die über der freien Oberfläche des porösen Körpers gebildet ist, einer leitfähigen Kathodenschicht, die über der elektrisch isolierenden Schicht gebildet ist, die sich auf der freien Fläche des Körpers befindet, und einem Anodenanschluss auf einer Unterseite des Substratteils und einem Kathodenanschluss, der auf einer Oberfläche des porösen Körpers vorgesehen ist, der da durch gekennzeichnet ist, dass der Kathodenanschluss auf einer freiliegenden Unterseite des porösen Körpers vorgesehen ist.
  • Das Substratteil kann auf einer Unterseite des Kondensators einen freiliegenden Rahmen mit einem Anodenanschluss darauf bilden, und der Kathodenanschluss kann auf einem Abschnitt der Oberfläche des porösen Körpers innerhalb des Rahmens gebildet werden.
  • Der Rahmen kann an einem Ende offen sein, so dass er dadurch allgemein die Form eines Hufeisens auf dem Substratteil annimmt.
  • Der Anodenanschlusskörper und der Anodenkörper können jeweils aus einer Vorformschicht aus porösem Gleichrichtermaterial gebildet werden, das auf das Substrat aufgebracht worden ist. Die Vorform kann erzeugt werden durch Aufbringen einer grünen, ungesinterten Mischung aus metallischem Gleichrichterpulver und Bindemittel/Kleber auf dem Substrat. Die Grünmischung kann dann gesintert werden, um das Pulver in eine feste, hochporöse Vorform umzuwandeln, wobei das Bindemittel/der Kleber beim Sintern ausgebrannt wird.
  • Die Vorformschicht kann bearbeitet werden, um die porösen Körper zu bilden. Typischerweise werden longitudinale und laterale Frässchnitte angebracht, um ein Netz von rechteckigen porösen Körpern auf dem Substrat zu erzeugen, die voneinander getrennt sind durch Bahnen, die dem Verlauf des Frässchnittes entsprechen. Natürlich können je nach Bedarf auch kompliziertere Formen mit den konventionellen Bearbeitungstechniken erzeugt werden.
  • Die Isolatorschicht kann eine Dielektrikumschicht aus einem Oxid eines Gleichrichtermetalls sein, die beispielsweise durch konventionelle Anodisierungstechniken erzeugt wird, um nach und nach ein Oxid mit der gewünschten Dicke und Integrität herzustellen. Bei einem Beispiel, bei dem die Gleichrichterschicht aus Tantal besteht, wird eine Schicht aus Tantalpentoxid auf den Körpern aufgebaut.
  • Die Kathodenschicht kann aufgebracht werden durch Eintauchen der Anoden- und Kathodenkörper in eine Precursor-Lösung, beispielsweise aus Mangannitrat. Die Schicht aus Mangannitrat, die auf den Körpern gebildet wird, kann aufgeheizt werden, um zu oxidieren, so dass das Nitrat zu Mangandioxid wird. Es kann notwendig sein, die Eintauchschritte zu wiederholen, um eine optimale Kathodenschicht herzustellen.
  • Es kann notwendig sein, Kathoden- und isolierendes Schichtmaterial von den Teilen des Substrats zu entfernen, die dazu dienen, den Anodenanschluss zu bilden, so dass eine elektrische Verbindung zu dem Gleichrichtermaterial hergestellt werden kann. Das Entfernen der Schichten kann erfolgen durch Bearbeiten, beispielsweise Schleifen, oder durch Ätzen, zum Beispiel HF-Ätzen. Bei einem Beispiel werden Frässchnitte entlang einer Oberseite von jeder Anode angelegt, so dass dadurch Gleichrichtermaterial freigelegt wird. Die Oberseite kann dann einem Anschlussherstellungsprozess unterworfen werden, um den Anodenanschluss zu bilden.
  • Ein Anschlussherstellungsprozess wird auch auf einer Oberfläche des porösen Körpers durchgeführt, bei dem Karbon- und Silberschichten auf der leitfähigen Kathodenschicht der Oberseite erzeugt werden. Diese beiden leitfähigen Schichten stellen einen Anschluss für die elektrische Verbindung dar, beispielsweise für das Verlöten in einem elektrischen oder elektronischen Schaltkreis.
  • Die Räume zwischen den porösen Körpern auf einem Substrat können mit einem Isolatormaterial gefüllt werden, beispielsweise einem flüssigen Plastikharz, das sich verfestigt und eine schützende Einkapselung der Körper bildet. Natürlich müssen die Anschlüsse frei von Harz bleiben. Dies kann es erforderlich machen, Maskierungen über den Anschlusskontakten vorzusehen.
  • Der nächste Schritt, der ausgeführt werden muss, ist das Separieren des oder jeden Kondensators von dem Substrathauptkörper. Dies kann man erreichen durch Bearbeitung, beispielsweise durch Fräsen. Falls notwendig, kann ein stabiler Halteträger für das Substrat vorgesehen werden, um so die notwendige strukturelle Steifigkeit zu gewährleisten und um damit Schnitte zu ermöglichen, ohne die Kondensatoren zu beschädigen. Ein Beispiel für ein geeignetes Material ist Glas, das mit einem geeigneten Kleber an dem Substrat befestigt wird. UV-empfindliche Kleberfolie kann wie gewöhnlich verwendet werden, wobei das Lösen der separierten Kondensatoren durch Bestrahlung des Klebers auf der Folie mit UV erfolgt.
  • Jedes Gleichrichtermaterial, das für die Herstellung eines Festkörperkondensators geeignet ist, kann in dem Prozess eingesetzt werden. Ein bevorzugtes Beispiel ist Tantal, aber andere Metalle, wie zum Beispiel Niob und gleichrichtende Nichtmetalle können ebenfalls eingesetzt werden. Vorzugsweise wird das Substrat aus demselben Material wie die Anode hergestellt, um eine chemische Kompatibilität und die gleichmäßige Ausdehnung beim Aufheizen (Sintern) zu gewährleisten.
  • Nachfolgend wird mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen ein Beispiel für Verfahren zum Umsetzen der vorliegenden Erfindung vorgestellt.
  • Bei den Zeichnungen zeigen die 1 bis 7 schematisch einen Prozess gemäß der vorliegenden Erfindung. Die 8 und 9 zei gen einzelne Kondensatoren, die mit dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt wurden. Die 10 bis 16 zeigen ein weiteres Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung. 17 und 18 zeigen Kondensatoren, die mit diesem Verfahren hergestellt wurden.
  • 1A ist eine Draufsicht auf einen kleinen Teil der Unterseite eines Tantal-Substrats mit einem porösen Körper darauf. 1B zeigt einen Querschnitt von einer Seite desselben Substrats.
  • 2A und 2B zeigen das Aufbringen einer Schutzmaskierung auf das Substrat.
  • 3A und 3B zeigen einen Isolatorschnitt in dem Substrat.
  • 4A und 4B zeigen den Anschlussherstellungsprozess, bei dem Anoden- und Kathodenkontakte erzeugt werden.
  • 5A und 5B zeigen einen Einkapselungsprozess.
  • 6A und 6B zeigen einen Abschlussschritt in dem Anschlussherstellungsprozess, bei dem Lötkügelchen auf die Kontakte aufgebracht werden.
  • 7 zeigt einen Schnittprozess zum Separieren einzelner Kondensatoren.
  • 8A und 8B zeigen ein Beispiel für einen Kondensator, der mit dem Verfahren gemäß der ersten speziellen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung erzeugt wurde.
  • 9A und 9B zeigen ein Beispiel für einen Kondensator, der gemäß dem Verfahren nach der zweiten speziellen Ausführungsform hergestellt wurde.
  • 10 bis 16 zeigen schematisch den Prozess gemäß der dritten speziellen Ausführungsform.
  • 17A ist eine Querschnittsansicht von einer Seite eines Kondensators, der gemäß der dritten Ausführungsform hergestellt wurde.
  • 17B ist eine Ansicht von der Unterseite her.
  • 17A' ist eine vergrößerte Darstellung eines Teils von 17A mit der Schichtstruktur des Kondensators.
  • Spezielle Ausführungsform 1
  • Beispielsweise wird ein Festkörpersubstrat 10 aus einem 0,25 mm dicken Tantal-Wafer verwendet (es ist nur ein lokaler Abschnitt des Substrats dargestellt). Der Wafer wird hergestellt mit einer regelmäßigen Matrix aus quadratischen ebenen Aperturen 11, die in Zeilen und Spalten angeordnet sind (es ist nur eine Apertur gezeigt). Verschieden geformte Aperturen können hergestellt werden, beispielsweise rechteckige oder kreisförmige. Eine Oberseite 12 des Substrats wird mit einer feinen Dispersion aus Tantalpulver-Körnern bedeckt (nicht dargestellt). Die Körner werden zu einer Tantalplatte verschmolzen durch Sintern, so dass sich eine Anfangsschicht (seed layer) bildet. Eine konventionelle "grüne" Mischung aus Tantalpulver und Bindemittel/Kleber wird dann auf die Oberseite aufgepresst. Der Pressvorgang zwingt die Grünmischung in die Aperturen und formt eine gleichmäßige Schicht aus Grünmischung auf der Oberseite des Substrats. Bei dem Pressvorgang befindet sich das Substrat auf einer flachen Oberfläche. Dadurch wird sichergestellt, dass die Grünmi schung, die in die Aperturen eindringt, begrenzt wird, so dass sie nicht über die Ebene hinaus fließen kann, die gebildet wird durch die untere Seite des Substrats.
  • Die Anfangsschicht sorgt für mechanische Vernetzung und verstärkt die Bindung zwischen der grünen (ungesinterten) Mischung und dem Substrat. Die Grünpulvermischung wird dann gesintert, um eine hochgradig poröse Matrix aus verschmolzenen Tantalpulverteilchen für die Zwischenbindung zu bilden. Beim Sinterungsprozess brennt das Bindemittel aus.
  • Der nächste Schritt in dem Prozess ist ein Bearbeitungsprozess. Bei diesem Prozess wird die gesinterte poröse Schicht auf der Oberseite des Substrats durch Fräsen geformt, so dass sich eine Vielzahl von quadratischen ebenen Blöcken 13 bildet. Jeder Block entspricht einer Apertur in dem Substrat. Jeder Block hat einen unteren Verjüngungsabschnitt 14, der in der Apertur aufgenommen wird, wie es in B gezeigt ist, und einen oberen Abschnitt 15, der auf der oberen Oberfläche des Substrats aufsitzt.
  • Sobald die Blöcke geformt worden sind, wird der gesamte Aufbau einem konventionellen Anodisierungsprozess unterworfen, bei dem eine (nicht gezeigte) Dielektrikumschicht aus Tantalpentoxid (Ta2O5) nach und nach auf der freiliegenden Tantaloberfläche des Substrats und in den porösen Blöcken aufgebaut wird.
  • Sobald die Oxidschicht geformt worden ist, wird eine schützende Maskierungsschicht 16 (in 2) auf der Unterseite des Substrats aufgebracht. Die Maske bedeckt nur die freiliegende Oberfläche auf der Unterseite des festen Tantal-Substrats 10, so dass dadurch die obere, 17, und untere, 18, Oberfläche der porösen Blöcke unbedeckt bleibt.
  • Die Substrate werden nun einem Prozess zur Bildung einer Kathodenschicht unterworfen, um eine (nicht gezeigte) leitfähige Schicht auf der vorher aufgebrachten Dielektrikumschicht zu bilden. Die Kathodenschicht wird durch eine Manganisierungsprozedur gebildet, bei der das Substrat in Mangannitrat-Lösung getaucht wird, um das freiliegende Substrat und die porösen Blöcke mit Mangannitrat zu ummanteln. Die Beschichtung wird dann durch Aufheizen in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre oxidiert, um so das Nitrat in Mangandioxid (MnO2) umzuwandeln. Die Eintauch- und Aufheizungsschritte können wiederholt werden, bis eine Bedeckung mit der gewünschten Dicke und Kohärenz entstanden ist.
  • Die Maskierung wird nun von der Unterseite des Substrats entfernt, wobei die Bedeckung der Kathodenschicht von der Oberfläche auf der Unterseite des Tantal-Substrats entfernt wird. Die Maskierung kann die Form einer Resist-Bedeckung haben, die durch chemische oder Umgebungsbehandlung entfernt werden kann, oder eine Folie, die abgezogen werden kann, um die Bedeckung der Kathodenschicht zu entfernen, die sich auf der Folie befindet.
  • Das feste Substratmaterial 10 dient als Anodenabschnitt der fertig gestellten Kondensatoren, und somit ist es notwendig, die Anode von der Kathodenschicht zu isolieren, die auf der Oberseite des Substrats aufgebracht wurde. Hierzu werden Isolierungsschnitte 20 entlang der Zentrallinien der Zeilen und Spalten vorgenommen, die den Raum zwischen den einzelnen Blöcken auf der Oberseite des Substrats darstellen. Die Schnitte werden mit einem feinen Fräswerkzeug vorgenommen, das das Kathodenschichtmaterial wie auch die darunter liegende Tantalpentoxidschicht entfernt.
  • Nachdem die Isolierungsschnitte durchgeführt worden sind, wird ein zweiter Anodisierungsprozess ausgeführt, um die neu freigelegten Isolierungsschnitte mit einer Dielektrikumschicht aus Tantalpentoxid zu bedecken. Das Dielektrikum wird von lokalisierten Oberflächen auf der Unterseite des Substrats entfernt, um direkten Zugang zu dem eigentlichen Metall für die Anodenanschlüsse zu schaffen. Die Entfernung des Dielektrikums kann durch Bearbeitung, Ätzen oder durch einen anderen geeigneten Prozess erfolgen.
  • Der nächste Schritt ist ein Anschlussherstellungsprozess, bei dem Kathoden- und Anodenanschlusskontakte auf Oberflächenbereichen der porösen Blöcke und des Substrats aufgebracht werden. Dieser Prozess ist in 4 dargestellt. Die oberen Endbereiche jedes porösen Blockes werden mit einer leitfähigen Karbonpaste (nicht dargestellt) beschichtet, die dann geheilt wird. Das Beschichten führt dazu, dass die Oberseite 22 von jedem Block 13 wie auch ein oberer Bereich bei jeder der vier Seiten 23, 24 etc. des Blocks bedeckt werden. Sobald die Karbonschicht geheilt worden ist, wird eine Silberpaste 25 auf der Karbonschicht abgeschieden und geheilt. Die Oberfläche 26 auf der Unterseite des Blockes, gerahmt von dem Substrat 10, wird ebenfalls mit Karbon- und Silberschichten 27 auf ähnliche Weise bedeckt. Die Karbon-/Silberkontakte sorgen für elektrischen Kontakt mit der Mangandioxid-Kathodenschicht, die vorher auf den porösen Blöcken abgeschieden wurde, so dass Kathodenanschlüsse entstehen.
  • Bezüglich der Anodenanschlüsse werden mehrere HF-Ätzfenster 30 auf der Unterseite des Substrats erzeugt. Jedes Fenster, das gezeigt ist, hat im Allgemeinen eine dreieckige Konfiguration, wodurch Eckabschnitte des Substratrahmens 10 um den zentralen quadratischen porösen Block belegt werden. Durch Ätzen wird das dielektrische Material von der Oberfläche des Substrats entfernt, so dass man direk ten Zugang zu dem Tantalmetall auf dem Substrat hat. Das neu freigelegte Metall, das durch den Ätzprozess aufgedeckt wurde, wird mit einer konventionellen Kombination aus drei Metallen Sputterbeschichtet, um die Anodenkontakte 31 zu schaffen. Silberkontakte werden auf diesen Anodenkontakten angebracht, um die nachfolgende Integration der Kondensatoren in einem elektrischen oder elektronischen Schaltkreis zu vereinfachen.
  • Ein Einkapselungsprozess (5) wird ausgeführt, bei dem die Räume 34 zwischen den Blöcken 13 auf der Oberseite des Substrats und die Oberseite 22 der Blöcke eingekapselt werden in ein elektrisch isolierendes Schutzharz 35. Eine Anzahl von konventionellen Techniken kann eingesetzt werden, um die Einkapselung vorzunehmen. Bei einem Prozess wird die Unterseite des Substrats mit ihren Anoden- und Kathodenkontaktpunkten mit einer Schutzmembran bedeckt. Die obere Oberfläche wird mit einem zusammengesetzten flüssigen Harz bedeckt, das fließend den freien Raum auffüllt. Der Pegel der Flüssigkeit steigt, bis die Spitzen aller Blöcke bedeckt sind. Dann lässt man sich das Harz setzen.
  • Die Schutzmaskierung (nicht dargestellt) kann nun entfernt werden, so dass die Anoden- und Kathodenkontakt auf der Unterseite des Substrats freigelegt werden. In bestimmten Fällen (abhängig von der Anwendung) können mehrere lötfähige Silberkügelchen 37 den Anoden- und Kathodenkontakten hinzugefügt werden, wie es in 6 gezeigt ist. Diese erzeugen mehrere Kontaktpunkte, so dass die Verbindung mit einer gedruckten Schaltung oder dergleichen flexibel bleibt. Als eine Alternative zu Silberkügelchen kann eine Zinn/Nickel-Plattierung auf den Kontakten vorgenommen werden.
  • Die letzte Stufe, die beschrieben wird, ist die Separierung der einzelnen Kondensatoren von dem Substrat, wobei auf 7 verwiesen wird. Eine Oberseite der eingekapselten oberen Oberfläche 50 des Substrats wird auf einer Glasplatte 60 mit einer UV-lösbaren Klebefolie 61 befestigt. Schneidräder 62, 63 werden verwendet, um in dem Harz Kanäle 64 zu scheiden, die die einzelnen Kondensatoren separieren. Der Schnitt setzt sich durch das Substrat und in der Glasbasis 60 fort. Horizontale und vertikale Schnitte werden kombiniert, um ein Gitter (nicht dargestellt) zu erzeugen aus Schnitten, die jeden einzelnen Kondensator separieren. Die Kondensatoren können von der Glasplatte gelöst werden durch Bestrahlen der Platte mit ultraviolettem Licht. Das UV-Licht beeinträchtigt die Haftung der Folie, so dass die Kondensatoren von der Platte abgenommen werden können. Die Kondensatoren können dann getestet und verpackt werden. Ein Beispiel eines fertig gestellten Kondensators ist in 8 gezeigt, zusammen mit technischen Detailangaben.
  • Spezielle Ausführungsform 2
  • Um die Volumeneffizienz eines Kondensators zu maximieren, sollte das Volumen des porösen Körpers innerhalb des Kondensators so groß sein, wie es praktisch möglich ist. Diese Ausführungsform (gezeigt in 9) schafft einen Kondensator 90 mit höherer Volumeneffizienz. In diesem Fall wird die grüne Tantalpulver/Bindemittel-Mischung auf das Substrat gepresst, so dass die Mischung in die Apertur eintritt. In diesem Fall wird ein Schlitz 93 in der Grünmischung entlang einer Seite des Substrats gebildet, durch das die Grünmischung eingerahmt wird. Dieser Schlitz kann gebildet werden durch Bearbeitung oder einen Gießvorgang. Der Schlitz wird dann im Verlauf des Einkapselungsprozesses mit Harz 94 gefüllt. Das Ergebnis ist ein Kondensator, wie er in 9 gezeigt ist. Dieser hat eine allgemein hufeisenförmige Konfiguration als positive Anode 91 und eine zentrale quadratische Fläche 92 als Kathode. Die Verarbeitungs schritte sind im Übrigen ähnlich zu denen bei der Ausführungsform 1.
  • Spezielle Ausführungsform 3
  • Es hat sich herausgestellt, dass es wünschenswert ist, elektrisch so viele der externen Oberflächenbereiche der porösen Blöcke miteinander zu verbinden wie möglich. Diese Variation (10 bis 16) der Erfindung führt zu verbesserten Kondensatoren, indem ein leitfähiger Stift eingebaut wird, der durch die Mitte von jedem porösen Block verläuft und elektrisch die obere und untere Oberfläche des Blockes verbindet. Die Prozessschritte in den 10 bis 16 entsprechen denen, die in Bezug auf die Ausführungsform 1 beschrieben wurden, mit der Ausnahme, dass die Erzeugung des Loches 100 in jedem porösen Block 13 und nachfolgend das Füllen des Loches zur Herstellung eines Stiftes 101 vorgenommen werden muss. Ein fertig gestellter Kondensator gemäß diesem Aspekt der Erfindung ist in 17 dargestellt. Die Struktur des Dielektrikums, der Kathoden- und leitfähigen Schichten, die während des Prozesses hergestellt werden, ist ebenfalls in den Zeichnungen dargestellt, wobei Bezug auf die Legende genommen wird.
  • Der Stift kann eingebaut werden durch Bohren oder Schlagen eines Loches 100 durch den Block als Teil des Blockbearbeitungsprozesses. Wenn dann eine Karbon-/Silberpaste auf den Kondensator aufgebracht werden soll, wird auch die Karbonpaste auf der Innenoberfläche des Loches aufgebracht. Nachdem die Paste geheilt wurde, wird das Loch mit einer leitfähigen Silberpaste verstopft, die ihrerseits geheilt wird. Die übrigen Prozessschritte laufen wie bei der Ausführungsform 1 ab.

Claims (12)

  1. Verfahren zum Herstellen von Festkörperkondensatoren mit den Schritten: Bereitstellen eines elektrisch leitfähigen Substrats (10) mit mehreren durchgehenden Öffnungen (22) darin, Bilden von mehreren porösen Körpern (13) aus Gleichrichtermaterial auf einer Oberseite (12) des Substrats, wobei ein Teil jedes porösen Körpers von einer entsprechenden Öffnung aufgenommen wird, Bilden einer elektrisch isolierenden Schicht über der freien Fläche der porösen Körper, Bilden einer leitfähigen Kathodenschicht über der elektrisch isolierenden Schicht, die sich auf den porösen Körpern befindet, Erzeugen eines Kathodenanschlusses, wobei der Kathodenanschluss einen elektrischen Kontakt mit der Kathodenschicht bildet, Erzeugen eines Anodenanschlusses (31) auf einer Unterseite des Substrats (10) neben der Öffnung, wobei der Anodenanschluss einen elektrischen Kontakt mit dem Substratmaterial bildet, und Unterteilen des Substrats in einzelne Kondensatoreinheiten, die jeweils einen porösen Körper umfassen, der in einem Abschnitt des Substrats aufgenommen wird, durch den eine Öffnung definiert wird, dadurch gekennzeichnet, dass der Kathodenanschluss (27) auf einer freiliegenden Unterseite (18) jedes porösen Körpers (13), untergebracht in der Öffnung, vorgesehen ist.
  2. Verfahren nach Anspruch 2, bei dem der jeweilige Anoden- und Kathodenanschluss (31; 27) allgemein koplanare, freiliegende Kontaktflächen aufweist, so dass der Kondensator mit seiner Unterseite auf einer flachen Oberfläche stehen kann und sich die Kontaktflächen auf der flachen Seite befinden.
  3. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die porösen Körper aus einer Vorformschicht aus porösem Gleichrichtermaterial gebildet werden, das auf einer Oberseite des Substrats aufgepresst ist.
  4. Verfahren nach Anspruch 3, bei dem die Vorformschicht bearbeitet wird oder auf andere Art geformt wird, so dass die porösen Körper über der Öffnung und der Substratoberseite gebildet werden.
  5. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem sowohl die freien Flächen des porösen Körpers als auch die freiliegenden Substratflächen mit der isolierenden Schicht bedeckt werden und ein Teil der isolierenden Schicht über dem Substrat entfernt wird, um einen elektrischen Kontakt mit dem Substrat herstellen zu können.
  6. Verfahren nach Anspruch 5, bei dem ein Abschnitt der Substratunterseite maskiert wird, um zu verhindern, dass eine Kathodenschicht darauf gebildet wird.
  7. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem über der Kathodenschicht auf dem porösen Körper eine leitfähige Beschichtung vorgesehen ist.
  8. Verfahren nach Anspruch 7, bei dem sich die leitfähige Beschichtung über einen Teil der Oberfläche des porösen Körpers erstreckt.
  9. Verfahren nach Anspruch 7 oder 8, bei dem ein leitfähiger Stift in dem porösen Körper gebildet wird, wobei der Stift die leitfähigen Schichten an den verschiedenen Enden bzw. Seiten des porösen Körpers elektrisch miteinander verbindet.
  10. Festkörperkondensator mit: einem elektrisch leitfähigen Substratteil (10), einem porösen Körper (13) aus Gleichrichtermaterial, der sich unmittelbar an einen Abschnitt (12) der Oberseite des Substrats (10) anschließt, einer elektrisch isolierenden Schicht, die über der freien Oberfläche des porösen Körpers (13) gebildet ist, einer leitfähigen Kathodenschicht, die über der elektrisch isolierenden Schicht gebildet ist, die sich auf der freien Fläche des Körpers befindet, und einem Anodenanschluss (31) auf einer Unterseite des Substratteils (10) und einem Kathodenanschluss (27), der auf einer Oberfläche des porösen Körpers vorgesehen ist, dadurch gekennzeichnet, dass der Kathodenanschluss (27) auf einer freiliegenden Unterseite (18) des porösen Körpers (13) vorgesehen ist.
  11. Kondensator nach Anspruch 10, bei dem das Substratteil einen freiliegenden Rahmen auf einer Unterseite des Kondensators bildet, wobei ein Anodenanschluss darauf gebildet ist und der Kathodenanschluss auf einem Teil der Fläche des porösen Körpers gebildet ist, der sich innerhalb des Rahmens befindet.
  12. Kondensator nach Anspruch 11, bei dem der Rahmen an einem Ende offen ist, so dass sich dadurch eine allgemein hufeisenförmige Konfiguration des Substratteils ergibt.
DE60019592T 1999-07-08 2000-07-07 Festelektrolytkondensatoren und herstellungsverfahren Expired - Fee Related DE60019592T2 (de)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
GB9916048 1999-07-08
GBGB9916048.3A GB9916048D0 (en) 1999-07-08 1999-07-08 Solid state capacitors and methods of manufacturing them
PCT/GB2000/002629 WO2001004919A1 (en) 1999-07-08 2000-07-07 Solid state capacitors and methods of manufacturing them

Publications (2)

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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9824442D0 (en) * 1998-11-06 1999-01-06 Avx Ltd Manufacture of solid state capacitors
EP1372168A4 (de) * 2001-03-23 2007-10-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd Festelektrolytkondensator und verfahren zu seiner herstellung
US6950300B2 (en) * 2003-05-06 2005-09-27 Marvell World Trade Ltd. Ultra low inductance multi layer ceramic capacitor
US20060228855A1 (en) * 2005-03-29 2006-10-12 Intel Corporation Capacitor with co-planar electrodes
US8257463B2 (en) * 2006-01-23 2012-09-04 Avx Corporation Capacitor anode formed from flake powder
US8441777B2 (en) * 2009-05-29 2013-05-14 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor with facedown terminations
US8199461B2 (en) 2009-05-29 2012-06-12 Avx Corporation Refractory metal paste for solid electrolytic capacitors
US8279583B2 (en) * 2009-05-29 2012-10-02 Avx Corporation Anode for an electrolytic capacitor that contains individual components connected by a refractory metal paste
US8218292B2 (en) * 2009-07-31 2012-07-10 Avx Corporation Dry powder stencil printing of solid electrolytic capacitor components
GB2505566A (en) 2012-08-31 2014-03-05 Avx Corp Iterative screening method for electrolytic capacitors
US9966196B2 (en) 2015-03-23 2018-05-08 Avx Corporation Tantalum embedded microchip
US11257629B2 (en) 2018-02-12 2022-02-22 KYOCERA AVX Components Corporation Solid electrolytic capacitor for a tantalum embedded microchip
IL277123B1 (en) 2018-03-05 2025-03-01 Global Advanced Metals Usa Inc Anodes containing spherical powder and capacitors
JP7448955B2 (ja) 2018-03-05 2024-03-13 グローバル アドバンスト メタルズ ユー.エス.エー.,インコーポレイティド 球状タンタル粉末、それを含有する製品、及びその作製方法
US12221678B2 (en) 2018-03-05 2025-02-11 Global Advanced Metals Usa, Inc. Powder metallurgy sputtering targets and methods of producing same
TWI695394B (zh) * 2018-10-12 2020-06-01 鈺冠科技股份有限公司 複合型固態電容器以及其製造方法
US11222754B2 (en) 2018-11-19 2022-01-11 KYOCERA AVX Components Corporation Solid electrolytic capacitor for a tantalum embedded microchip
EP3870382A1 (de) 2018-12-12 2021-09-01 Global Advanced Metals USA, Inc. Kugelförmiges niob-legierungspulver, produkte damit und verfahren zur herstellung davon
TWI877173B (zh) 2019-07-19 2025-03-21 美商環球高級金屬美國公司 球形鉭-鈦合金粉末,包含彼之產品及製備彼之方法
US11448680B2 (en) 2020-03-31 2022-09-20 KYOCERA AVX Components Corporation Screening method for electrolytic capacitors that maintains individual capacitor unit identity

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5357399A (en) * 1992-09-25 1994-10-18 Avx Corporation Mass production method for the manufacture of surface mount solid state capacitor and resulting capacitor
KR100244159B1 (ko) * 1995-03-03 2000-02-01 사토 게니치로 고체전해콘덴서 및 그 제조방법
GB9824442D0 (en) 1998-11-06 1999-01-06 Avx Ltd Manufacture of solid state capacitors

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