[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

DE60007830T2 - Schottky-emissionskathode mit verlängerter lebensdauer - Google Patents

Schottky-emissionskathode mit verlängerter lebensdauer Download PDF

Info

Publication number
DE60007830T2
DE60007830T2 DE60007830T DE60007830T DE60007830T2 DE 60007830 T2 DE60007830 T2 DE 60007830T2 DE 60007830 T DE60007830 T DE 60007830T DE 60007830 T DE60007830 T DE 60007830T DE 60007830 T2 DE60007830 T2 DE 60007830T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
electron
emitter
electron source
memory
source assembly
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE60007830T
Other languages
English (en)
Other versions
DE60007830D1 (de
Inventor
B. James MCGINN
G. Sander DEN HARTOG
S. David JUN
G. Gerald MAGERA
A. Gregory SCHWIND
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
FEI Co
Original Assignee
FEI Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by FEI Co filed Critical FEI Co
Publication of DE60007830D1 publication Critical patent/DE60007830D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE60007830T2 publication Critical patent/DE60007830T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02Main electrodes
    • H01J1/13Solid thermionic cathodes
    • H01J1/20Cathodes heated indirectly by an electric current; Cathodes heated by electron or ion bombardment
    • H01J1/28Dispenser-type cathodes, e.g. L-cathode
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02Main electrodes
    • H01J1/13Solid thermionic cathodes
    • H01J1/14Solid thermionic cathodes characterised by the material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/06Sources
    • H01J2237/063Electron sources
    • H01J2237/06308Thermionic sources
    • H01J2237/06316Schottky emission
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/26Electron or ion microscopes
    • H01J2237/28Scanning microscopes

Landscapes

  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)
  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)

Description

  • Technisches Fachgebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft das Fachgebiet von Elektronenquellen für die Verwendung in Elektronenstrahlanwendungen und insbesondere Schottky-Emissionskathoden.
  • Hintergrund der Erfindung
  • Elektronenemissionskathoden, auf die typischerweise als Elektronenquellen Bezug genommen wird, werden in Vorrichtungen, wie etwa Rasterelektronenmikroskopen, Transmissionselektronenmikroskopen, Halbleiterprüfsystemen und Elektronenstrahl-Lithografiesystemen, verwendet. In derartigen Vorrichtungen liefert eine Elektronenquelle Elektronen, die zu einem intensiven, fein fokussierten Strahl von Elektronen mit Energien in einem engen Bereich gelenkt werden. Um die Bildung eines derartigen Strahls zu erleichtern, sollte die Elektronenquelle eine große Anzahl von Elektronen in einem schmalen Energieband emittieren. Die Elektronen sollten von einem kleinen Oberflächenbereich auf der Quelle in einen schmalen Emissionskegel emittiert werden. Elektronenquellen können durch eine Intensität gekennzeichnet werden, die als der Elektronenstrom dividiert durch das reale oder virtuelle Produkt der Emissionsfläche und dem Raumwinkel, über den die Elektronen emittiert werden, definiert ist. Eine praktische Quelle sollte intensiv sein und sollte für eine verlängerte Zeitdauer mit wenig oder ohne Wartung und mit minimalem Rauschen, das heißt, wenigen Schwankungen der Menge und Energie der emittierten Elektronen, arbeiten.
  • Elektronen werden normalerweise von einer Energiebarriere daran gehindert, die Atome an der Oberfläche eines Objekts zu verlassen. Die Energiemenge, die erforderlich ist, um die Energiebarriere zu überwinden, ist als die "Austrittsarbeit" der Oberfläche bekannt. Eine Art von Elektronenquelle, eine glühelektrische Emissionsquelle, reagiert hauptsächlich auf Wärme, um die Energie zum Überwinden der Energiebarriere und Emittieren von Elektronen zu liefern. Glühelektrische Emissionsquellen sind für die Verwendung in vielen Anwendungen nicht ausreichend intensiv.
  • Eine andere Art von Elektronenquelle, eine Kaltfeld-Emissionsquelle, arbeitet bei Raumtemperatur und ist auf ein starkes elektrisches Feld angewiesen, um die Emission von Elektronen durch Tunneln durch die Energiebarriere zu erleichtern. Eine Feldelektronenquelle enthält typischerweise eine schmale Spitze, an der die Elektronen die Oberfläche verlassen und in das umgebende Vakuum ausgestoßen werden. Während Kaltfeld-Emissionsquellen viel kleiner und intensiver als glühelektrische Emissionsquellen sind, zeigen Kaltfeld-Emissionsquellen Instabilitäten, die in vielen Anwendungen Probleme aufwerfen.
  • Noch eine andere Art von Elektronenquelle wird als Schottky-Emissionskathode oder Schottky-Emitter bezeichnet. Obwohl der Begriff "Schottky-Emission" sich auf eine bestimmte Betriebsart eines Emitters bezieht, wird der Begriff "Schottky-Emissionskathode" allgemeiner verwendet, um eine Art von Elektronenemissionsquelle zu beschreiben, die in der Lage sein kann, in einer Vielfalt an Betriebsarten, einschließlich dem Schottky-Emissionsbetrieb, zu arbeiten. Schottky-Emissionskathoden verwenden eine Beschichtung auf einer erhitzten Emitterspitze, um ihre Austrittsarbeit zu verringern. Die Beschichtung weist typischerweise eine sehr dünne Schicht, wie etwa einen Bruchteil einer Monoschicht aus einem wirksamen Metall, auf. Im Schottky-Emissionsbetrieb verwendet eine Schottky-Emissionskathode eine Kombination aus Wärme und einem elektrischen Feld, um Elektronen zu emittieren, die aus einer virtuellen Punktquelle in der Spitze zu strahlen scheinen. Bei Änderungen der Emittertemperatur und des elektrischen Felds emittiert die Schottky-Emissionskathode in anderen Emissionsbetriebsarten oder Kom binationen aus Emissionsbetriebsarten, einschließlich der erweiterten Schottky-Emissionsbetriebsart und der thermischen Feld-Betriebsart. Schottky-Emissionskathoden sind sehr intensiv und stabiler und einfacher zu handhaben als Kaltfeld-Emissionsquellen. Aufgrund ihrer Leistungs- und Zuverlässigkeitsvorteile sind Schottky-Emissionskathoden eine verbreitete Elektronenquelle für moderne fokussierte Elektronenstrahlsysteme geworden.
  • 1 zeigt einen Teil einer typischen Schottky-Emissionskathode 12 nach bisherigem Stand der Technik, wie etwa die in US-A-3 814 975 ("Electron Emission System", Wolfe et al.) beschriebene. Die Schottky-Emissionskathode 12 enthält einen Heizdraht 14, der einen Emitter 16 mit einer Spitze 22, von der die Elektronen emittiert werden trägt und erwärmt. Die Anmelder verwenden hier den Begriff "Emitter" allein, um auf den Teil der Elektronenquelle Bezug zu nehmen, von dem die Elektronen emittiert werden (z.B. Emitter 16 von 1), und der Begriff "Schottky-Emissionskathode" bezieht sich auf die ganze Elektronenquellenanordnung (z.B. Schottky-Emissionskathode 12), die, wie weiter unten beschrieben, häufig eine Drosselkappe aufweist. Über Elektroden 24, die in einen Sockel 26 eindringen, wird Heizstrom an den Heizdraht 14 geliefert. Ein Heizstrom wird dem Heizdraht 14 durch Elektroden 24, die in einen Sockel 26 eindringen, zugeführt. Die Schottky-Emissionskathode 12 arbeitet typischerweise mit einer Temperatur an der Spitze 22 von etwa 1800 K. Der Emitter 16 ist typischerweise aus einem Einkristall aus Wolfram hergestellt, der in der <100>-, <110>-, <111>- oder <310>-Richtung ausgerichtet ist. Der Emitter 16 könnte auch aus anderen Materialien, wie etwa Molybdän, Iridium oder Rhenium, hergestellt sein. Der Emitter 16 ist mit einem Beschichtungsmaterial beschichtet, um seine Austrittsarbeit zu erniedrigen. Derartige Beschichtungsmaterialien könnten zum Beispiel Verbindungen, wie etwa Oxide, Nitride und Kohlenstoffverbindungen von Zirkonium, Titan, Hafnium, Yttrium, Niob, Vanadium, Thorium, Skandium, Beryllium oder Lanthan umfassen. Zum Beispiel senkt eine Beschichtung einer (100)-Oberfläche aus Wolfram mit Zirkonium und Sauerstoff die Austrittsarbeit der Oberfläche von 4,5 eV auf 2,8 eV. Durch Verringerung der Energie, die zum Emittieren von Elektronen nötig ist, ergibt die Beschichtung auf dem Emitter eine intensivere Elektronenquelle.
  • Bei den hohen Temperaturen, bei denen die Schottky-Emssionskathode 12 arbeitet, neigt das Beschichtungsmaterial dazu, von dem Emitter 16 zu verdampfen, und muß laufend wieder ergänzt werden, um die niedrige Austrittsarbeit an der Spitze 22 aufrecht zu erhalten. Ein Speicher 28 für Beschichtungsmaterial ist typischerweise vorgesehen, um die Beschichtung auf dem Emitter 16 zu ergänzen. Das Material aus dem Speicher 28 diffundiert entlang der Oberfläche und durch das Volumen des Emitters 16 in Richtung der Spitze 22 und ergänzt dadurch kontinuierlich die dortige Beschichtung. Die Schottky-Emissionskathode 12 enthält einen Speicher 28 mit Beschichtungsmaterial, der am Übergang vom Emitter 16 zum Heizdraht 14 positioniert ist. Verfahren zum Beschichten von Emittern und zur Herstellung von Speichern für Beschichtungsmaterialien sind bekannt. Zum Beispiel kann der Speicher 28 durch Hinzufügen eines Pulvers aus einem Vorproduktmaterial, wie etwa Zirkoniumhydrid zu einem Lösungsmittel, wie etwa Wasser oder Isoamylazetat, gebildet werden, um einen Brei herzustellen und den Brei dann an den Emitter 16 zu kleben. Wenn der Emitter erhitzt wird, zersetzt sich das Zirkoniumhydrid in Zirkonium und Wasserstoff, der sich daraus entwickelt. Der Emitter 16 wird dann in einer Atmosphäre aus Sauerstoff erhitzt, um eine Zirkoniumoxidbeschichtung und einen Speicher zu bilden. Es ist klar, daß der Begriff Zirkoniumoxid verwendet wird, um jede Kombination aus Zirkonium- und Sauerstoffatomen anzuzeigen und nicht auf ein bestimmtes Atomverhältnis begrenzt ist.
  • Bei den hohen Betriebstemperaturen der Schottky-Emissionskathode 12 verdampft nicht nur das Beschichtungsmaterial auf dem Emitter 16 und der Spitze 22, sondern das Beschichtungsmaterial verdampft auch direkt von dem Speicher und entleert ihn. Die Verdampfungsrate des Beschichtungsma terials in dem Speicher nimmt exponentiell mit der Temperatur zu. Auf diese Weise hängt die Nutzungslebensdauer des Speichers von der Materialmenge in dem Speicher und dessen Temperatur ab. Bei einer konstanten Temperatur erhöht eine Erhöhung des Masse des Speichers dessen Lebensdauer. Große Erhöhungen der Speichermasse sind jedoch nicht praktisch, weil das Beschichtungsmaterial in einem großen Speicher dazu neigt, sich von dem Emitter zu trennen, dadurch die Speichermasse verringert und Probleme in dem Vakuumsystem verursacht.
  • Wenn der Speicher 28 entleert ist, arbeitet die Schottky-Emissionskathode 12 nicht mehr richtig, und es ist notwendig, das Elektronenstrahlsystem, in dem die Schottky-Emissionskathode 12 installiert ist, herunterzufahren, um den Emitter zu ersetzen. Da derartige Elektronenstrahlsysteme häufig kritische Glieder in der Herstellung von komplexen integrierten Schaltungen sind, kann das Herunterfahren eines Systems die Herstellung verzögern und ist daher kostspielig. Es ist daher wünschenswert, die Lebensdauer des Speichers so weit wie möglich auszudehnen, wodurch die Lebensdauer des Emitters verlängert wird.
  • 2 zeigt einen Teil einer anderen Schottky-Emissionskathode 34 nach bisherigem Stand der Technik ähnlich der in J.E. Wolfe, "Operational Experience with Zirconiated T-F Emitters", J. Vac. Scie. Tech. 16(6) (1979) und US-A-5 449 968 ("Thermal Field Emission Cathode", Terui) beschriebenen. 2 zeigt einen Emitter 36, der an einem Übergang 44 mit einem Heizdraht 38 verbunden ist und in einer Spitze 46 endet. (Der Emitter 12 von 1 enthielt auch einen Übergang, dieser war aber durch den Speicher 28 versteckt.) Da von dem Heizdraht 38 Wärme an den Emitter 36 zugeführt wird, ist der Emitter 36 an dem Übergang 44 am heißesten und ist mit zunehmendem Abstand von dem Übergang 44 kälter. Die Schottky-Emissionskathode 34 enthält einen Speicher 50, der weg von dem Übergang 44 in Richtung der Spitze 46 positioniert ist. Das Positionieren des Speichers 50 weg von dem Übergang 44 ermöglicht, daß der Speicher 50 während des Betriebs kälter bleibt, wodurch die Verdampfung des Beschichtungsmaterials verringert und die Nutzlebensdauer des Emitters erhöht wird. Das Positionieren des Speichers 50 zu nahe an der Spitze 46 beeinflußt jedoch das elektrische Feld, das verwendet wird, um Elektronen aus der Spitze 46 zu ziehen, nachteilig. Gemäß US-A-5 449 968 ist die optimale Position für den Speicher etwa 200 μm weg von dem Übergang 44 in Richtung der Spitze 46.
  • In einer derartigen Position ist der Speicher 50, wenngleich kälter als der Übergang 44, immer noch heißer als die Spitze 46. Die Verdampfung begrenzt immer noch die Lebensdauer des Speichers 50, und dessen Lebensdauer ist immer noch der limitierende Faktor für die Nutzlebensdauer der Schottky-Emissionskathode 34.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Eine Aufgabe der Erfindung ist es daher, einen Elektronenemitter mit einer verlängerten Nutzlebensdauer zur Verfügung zu stellen.
  • Eine andere Aufgabe der Erfindung ist es, einen länger haltenden Speicher für einen Elektronenemitter zur Verfügung zu stellen.
  • Noch eine andere Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zur Herstellung eines Elektronemitters mit einer verlängerten Lebensdauer zur Verfügung zu stellen.
  • Noch eine andere Aufgabe der Erfindung ist es, die Zuverlässigkeit von Elektronenstrahlsystemen, wie etwa Elektronenmikroskopen, zu erhöhen.
  • Noch eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, ein Elektronenstrahlsystem zur Verfügung zu stellen, das aufgrund einer verbesserten Lebensdauer der Elektronenquelle weniger Wartung erfordert.
  • Die Erfindung weist einen Elektronenemitter, bevorzugt eine Schottky-Emissionskathode, mit einer verlängerten Nutzlebensdauer und ein Elektronenstrahlsystem, das den Elektronemitter verwendet, auf. Gemäß der Erfindung umfaßt ein Elektronenemitter einen Emitter und einen an einem Übergang an dem Emitter befestigten Heizdraht. Der Emitter erstreckt sich von dem Übergang vorwärts und endet in einer Spitze, von der Elektronen emittiert werden. Der Emitter erstreckt sich auch von dem Übergang nach hinten, und ein Speicher für Material zum Beschichten des Emitters ist auf dem Teil des Emitters positioniert, der sich von dem Übergang nach hinten erstreckt.
  • Die Anmelder haben entdeckt, daß an der Emitterspitze eine passende Beschichtung aufrecht erhalten wird, wenn der Speicher von der Spitze aus auf der entgegengesetzten Seite des Übergangs positioniert ist, obwohl das Beschichtungsmaterial durch eine größere Entfernung diffundieren muß, um die Spitze zu erreichen, und der Diffusionsweg quer zum Übergang geht, der der heißeste Teil des Emitters ist. Durch Positionieren des Speichers auf dem sich nach hinten erstreckenden Teil des Emitters ist der Abstand zwischen dem Speicher und dem Übergang nicht auf den Abstand zwischen dem Übergang und der Spitze beschränkt, und der Speicher kann weit von dem Übergang weg positioniert werden, ohne das elektrische Feld an der Spitze nachteilig zu beeinflussen. Durch Positionieren des Speichers weiter weg von dem Übergang wird der Speicher auf einer niedrigeren Temperatur gehalten als bei Emittern nach bisherigem Stand der Technik, bei denen der Speicher auf einer Temperatur ist, die typischerweise geringer als die des Übergangs und höher als die der Spitze ist. Das Beschichtungsmaterial in dem Speicher der vorliegenden Erfindung verdampft langsamer, was die Nutzlebensdauer des Emitters erheblich verbessert. In einigen Ausführungsformen ist der Speicher in einem größeren Abstand oder gleich weit positioniert wie der Abstand von dem Übergang zu der Spitze, und der Speicher kann auf einer niedrigeren Temperatur als die der Spitze gehalten werden.
  • Das Vorhergehende hat ziemlich allgemein die Merkmale und technischen Vorteile der vorliegenden Erfindung skizziert, damit die folgende detaillierte Beschreibung der Erfindung besser verstanden werden kann. Zusätzliche Merkmale und Vorteile der Erfindung werden hier im weiteren beschrie ben und bilden den Gegenstand der Ansprüche der Erfindung. Es sollte Fachleuten klar sein, daß die offenbarte Konzeption und spezielle Ausführungsform ohne weiteres als eine Grundlage zur Veränderung oder Konstruktion anderer Strukturen genutzt werden kann, um die gleichen Zwecke der vorliegenden Erfindung auszuführen. Es sollte von Fachleuten ebenfalls erkannt werden, daß äquivalente Aufbauten nicht vom Geist und Schutzbereich der Erfindung abweichen, wie sie in den beigefügten Ansprüchen dargelegt sind.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Für ein vollständigeres Verständnis der vorliegenden Erfindung und deren Vorteile wird nun Bezug auf die folgenden Beschreibungen in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen genommen, wobei:
  • 1 einen Teil einer Schottky-Emissionskathode nach bisherigem Stand der Technik zeigt;
  • 2 einen Teil einer anderen Schottky-Emissionskathode nach bisherigem Stand der Technik zeigt;
  • 3 eine andere Ausführungsform einer Schottky-Emissionskathode gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 4 eine Schottky-Emissionskathode der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 5 eine vergrößerte Ansicht eines Teils der Emissionskathode von 4 ist;
  • 6 ein Diagramm ist, das die Beziehung zwischen dem Partialdruck von Zirkonium und der Temperatur und die Beziehung zwischen der Speicherlebensdauer und der Temperatur zeigt;
  • 7 ein Diagramm ist, das zeigt, wie die sich Temperatur einer typischen Schottky-Emissionskathode mit dem Abstand von dem Übergang ändert;
  • 8 eine schematische Darstellung eines Elektronenstrahlsystems ist, das eine Schottky-Emissionskathode der vorliegenden Erfindung verwendet.
  • Detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
  • 3 zeigt eine Ausführungsform einer Schottky-Emissionskathode 100 der vorliegenden Erfindung mit langer Lebensdauer. Die Schottky-Emissionskathode 100 enthält einen Emitter 102, der zum Beispiel durch Hartlöten an einem Sockel 104 befestigt ist. Der Emitter 102 enthält eine Spitze 118, von der während des Betriebs Elektronen emittiert werden. Eine isolierende Hülle 112, bevorzugt Aluminiumoxid, erstreckt sich von dem Sockel 104 in die gleiche Richtung wie der Emitter 102. Ein oder mehrere Heizdrähte 114 sind bevorzugt durch Hartlöten an einem Übergang 116 an dem Emitter 102 befestigt. Ein elektrischer Strom fließt hindurch und heizt den Heizdraht 114, der seinerseits den Emitter 102 heizt, um die Spitze 118 auf der bevorzugten Temperatur von 1800 K zu halten. Der Emitter 102 enthält einen sich nach vorne erstreckenden Teil 126, der sich von dem Übergang 116 zu der Spitze 118 erstreckt, und einen sich nach hinten erstreckenden Teil 128, der sich von 116 in Richtung des Sockels 104 erstreckt.
  • Ein Speicher 130 eines Beschichtungsmaterials, wie etwa Zirkonium oder Hafnium, ist entlang des sich nach hinten erstreckenden Teils 128 positioniert, um das Beschichtungsmaterial von dem Emitter 102, während es verdampft, kontinuierlich zu ergänzen. Der Sockel 104 ist aus einem Material, wie etwa Zirkonium, Hafnium, Titan, Tantal oder Rhenium, gefertigt, das in der Lage ist, hohen Temperaturen standzuhalten. Der Sockel 104 weist bevorzugt das gleiche Material auf wie der Speicher 130 auf, wodurch ein Konzentrationsgradient geliefert wird, der die Diffusion von dem Speicher 130 eher in Richtung der Spitze 118 als in Richtung des Sockels 104 begünstigt. Der Sockel 104 wirkt auch als eine Wärmesenke, die den Speicher 130 auf einer erheblich niedrigeren Temperatur hält als die der Spitze 118. Ein zylindrisches Wärmeschild 132, das bevorzugt aus dem gleichen Material gefertigt ist wie der Speicher 130 aufweist, isoliert den Emitter 102, um den Energieverbrauch zu minimieren, und enthält Öffnungen 124 für den Durchtritt der Heizdrähte 114. Eine Isolierhülle 112 enthält eine Lippe 134, die von einem bevorzugt aus Titan gefertigten Trägerzylinder 138 getragen wird, welcher wieder um von einem Trägersockel 140, bevorzugt aus Aluminiumoxid, getragen wird. Eine (nicht gezeigte) Drosselkappe kann auf den Trägersockel 140 angeordnet und auf einer geeigneten Spannung gehalten werden, um die Emission von unerwünschten Elektronen von der Schottky-Emissionskathode 100 zu verhindern.
  • Durch Verändern der Länge 144 des Emitters 102, der Tiefe der Isolierhülle 112 und der Position des Speichers 130 entlang des Emitters 102 kann die Temperatur des Speichers 130 gesteuert werden, während die Spitze 118 auf einer gewünschten Temperatur gehalten wird. Fachleute werden ohne übermäßiges Experimentieren in der Lage sein, die Abmessungen entsprechend den Anforderungen einer spezifischen Anwendung anzupassen. Die Anmelder glauben, daß mit einer Emitterlänge 144 von etwa 0,5 cm, wobei etwa 0,025 cm des Emitters 102 in den Sockel 104 eingebettet sind und der Heizdraht 114 etwa auf halber Strecke zwischen dem Sockel 104 und der Spitze 118 befestigt ist, vorteilhafte Ergebnisse erzielt würden. In einer bevorzugten Ausführungsform weist der Emitter 102 einen Einkristall aus Wolfram auf, der in der <100>-Richtung ausgerichtet ist, der Speicher 130 weist Zirkonium und Sauerstoff auf, und der Sockel 104 weist Zirkonium auf.
  • 4 zeigt eine andere Schottky-Emissionskathode 202, welche die vorliegende Erfindung verkörpert. In der Schottky-Emissionskathode 202 ist ein Heizdraht 204 an einem Elektrodenpaar 206 befestigt, das sich durch einen isolierenden Sockel 208 erstreckt. Ein Emitter 218 weist bevorzugt einen Einkristall aus Wolfram aus, der in der <100>-Richtung ausgerichtet ist und typischerweise mittels Punktschweißen an einem Übergang 220 an dem Heizdraht 204 befestigt ist. Während des Betriebs fließt ein elektrischer Strom durch die Elektroden 206 zu dem Heizdraht 204. Der Strom heizt den Heizdraht 204, der die Wärme durch den Übergang 220 an den Emitter 218 überträgt, wodurch eine Spitze 222 des Emitters 218 etwa auf 1800 K gehalten wird. Eine Drosselkappe 224 erstreckt sich von dem isolierenden Sockel 208 und umgibt den größten Teil der Anordnung einschließlich der Elektroden 206, des Heizdrahts 204 und des Emitters 218. Die Drosselkappe 224 wird typischerweise mit einer negativen Spannung aufgeladen, um eine unerwünschte Elektronenemission zu unterdrücken. Eine Öffnung 230 in der Drosselkappe 224 ermöglicht Elektronen, die Elektronenquelle 202 in die (nicht gezeigte) Elektronenoptik des Instruments, in der die Schottky-Emissionskathode 202 angeordnet ist, zu verlassen.
  • 5 zeigt die Schottky-Emissionskathode 202 von 4 vergrößert und mit entfernter Drosselkappe 224. Um die Erfindung deutlicher zu zeigen, sind die Teile der Schottky-Emissionskathode 202 nicht maßstäblich gezeigt. 5 zeigt, daß der Emitter 218 einen sich nach vorne erstreckenden Teil 232, der sich von dem Übergang 220 in eine Richtung weg von dem isolierenden Sockel 208 erstreckt, um in der Spitze 222 zu enden, und einen sich nach hinten erstreckenden Teil 234 enthält, der sich von dem Übergang 220 in eine Richtung nach hinten zu dem isolierenden Sockel 208 erstreckt. Ein Speicher 236 von Beschichtungsmaterial, das die Austrittsarbeit des Emitters 218 herabsetzt, ist auf dem sich nach hinten erstreckenden Teil 234 und bevorzugt etwa 35 Mil (0,9 mm) von dem Übergang 220 weg zentriert positioniert. Der Speicher 236 kann irgendwo auf dem sich nach hinten erstreckenden Teil 234 positioniert werden, aber wird bevorzugt zentriert zwischen 10 Mil (0,25 mm) und 100 Mil (2,5 mm) von dem Übergang 220 positioniert. Der Speicher 236 weist bevorzugt Zirkonium und Sauerstoff auf. Material aus dem Speicher diffundiert durch Oberflächen- oder Volumendiffusion, um die Spitze 222 zu beschichten, wodurch die Austrittsarbeit des Emitters 218 verringert wird. Der Speicher kann auf eine bekannte Weise, wie etwa die weiter oben beschriebene, gebildet werden.
  • Die Nutzlebensdauer der Schottky-Emissionskathode 202 wird oft durch die Lebensdauer des Speichers 236 bestimmt, und die Lebensdauer des Speichers 236 ist durch die Verdampfungsrate des Speichermaterials bestimmt. Die Verdampfungsrate des Speichermaterials wird stark von der Temperatur des Speichers beeinflußt. Es wurde herausgefunden, daß die Verdampfungsrate exponentiell abnimmt, wenn die Tem peratur verringert wird, und daß die Lebensdauer eines Zirkoniumoxid-Speichers sich für jeden Abfall der Temperatur von 25 K etwa verdoppelt. 6 ist ein Diagramm 244, das die Änderung des Partialdrucks von Zirkonium mit der Temperatur und die Beziehung zwischen der Lebensdauer der Schottky-Emissionskathode und der Temperatur zeigt. Eine durch runde Punkte 248 definierte Linie 246 zeigt den Partialdruck von reinem Zirkonium bei verschiedenen Temperaturen. Die Daten für die Linie 246 sind von Smithells Metalls Reference Book, 6. Ausgabe, herausgegeben von Butterworth and Co., 1983, abgeleitet. Die Linie 246 zeigt den Partialdruck für reines Zirkonium, weil Daten, die den Partialdruck von Zirkoniumoxid zeigen, nicht ohne weiteres verfügbar waren. Die Temperaturabhängigkeit des Dampfdrucks von Zirkonium kann auch als Log P = –31820/T – 0,50 log T dargestellt werden, wobei der Druck in Quecksilber-Inch und die Temperatur in Kelvin ist. Eine durch quadratische Punkte 252 definierte zweite Linie 250 zeigt die vorhergesagte Lebensdauer der Schottky-Emissionskathode als eine Funktion der Temperatur im Vergleich zu der Lebensdauer einer Schottky-Emissionskathode, die mit einem Speicher bei 1800 K arbeitet und der ein Wert von 1 zugeordnet ist.
  • 7 zeigt die Temperatur, wie sie von einem Pyrometer an verschiedenen Positionen entlang der Länge von vier verschiedenen Schottky-Emissionskathoden gemessen wurde. Die Horizontalachse zeigt den Abstand von dem Übergang 220 (5), der eine Abszisse von null hat. Abstände in die Richtung von dem Übergang 220 zu der Spitze 222, die eine Abszisse von –25 Mil (0,64 mm) hat, sind als negative Zahlen gezeigt. Abstände in die Richtung von dem Übergang 220 weg von der Spitze 222 sind als positive Zahlen gezeigt. Die Linien 258 zeigen zwei Meßreihen für ähnliche Emitter wie in 4 und 5 gezeigt, aber ohne Speicher 236, die durch rautenförmige Punkte 262 angezeigt sind. Die Linien 264 und 266 zeigen die Temperaturprofile für zwei ähnliche Emitter wie die von 4 und 5, die Speicher 236 haben, welche auf dem sich nach hinten erstreckenden Teil 234 etwa 35 Mil (0,89 mm) von dem Übergang 220 positioniert sind. Pyrometermessungen direkt auf dem Speicher sind aufgrund der Emissionsgraddifferenz des Speichermaterials im Vergleich zu dem Material, aus dem der Emitter 218 besteht, nicht genau. Somit wird die Temperatur am Speicher 236 als das Mittel der zwei Anzeigewerte in gleichen Entfernungen auf entgegengesetzten Seiten des Speichers angenommen, anstatt der von dem Pyrometer angezeigten Temperatur.
  • Wie aus 7 zu sehen, ist der Emitter 218 an dem Übergang 220 am heißesten, und die Temperatur entlang dem Emitter 218 nimmt mit zunehmendem Abstand von dem Übergang 220 ab. Durch Verlängern des Emitters 218 nach hinten und Montieren des Speichers auf dem sich nach hinten erstreckenden Teil 234 wird die Temperatur des Speichers 236 erheblich verringert. Im Gegensatz zu Schottky-Emissionskathoden nach bisherigem Stand der Technik kann der Abstand des Speichers von dem Übergang in der vorliegenden Erfindung vergrößert werden, ohne daß das elektrische Feld an der Spitze 222 nachteilig beeinflußt wird. Im Gegensatz zu Emittern nach bisherigem Stand der Technik kann die Temperatur des Speichers sogar unter die der Spitze 222 verringert werden. Die Linien 264 und 266 zeigen, daß die Temperatur des Speichers 236 im Mittel etwa 1710 K beträgt. Die Anmelder haben die Temperatur von Speichern in Schottky-Emissionskathoden nach bisherigem Stand der Technik gemessen und herausgefunden, daß die Temperatur für eine typische Temperatur der Spitze von 1800 K an den Speichern etwa 1850 K war. Auf diese Weise wurde die Speichertemperatur in der vorliegenden Erfindung um etwa 140 K verringert, was bedeutet, daß die Lebensdauer des Emitters um einen Faktor von 10 oder mehr erhöht sein sollte.
  • Die Anmelder haben herausgefunden, daß die Strom-Spannungs-Kennlinie der Elektronenquelle 202 von 4 und 5 ähnlich denen von Schottky-Emissionskathoden 12 nach bisherigem Stand der Technik sind, die einen Speicher 28 zwischen dem Übergang 44 und der Spitze 222 positioniert haben, was anzeigt, daß das Beschichtungsmaterial in dem Emitter der vorliegenden Erfindung 222 die Austrittsarbeit verringert.
  • Ein anderer Vorteil der Erfindung gegenüber Schottky-Emissionskathoden nach bisherigem Stand der Technik ist die Temperaturstabilität. Der Speicher schrumpft, während Masse verdampft oder weg diffundiert. In Speichern nach bisherigem Stand der Technik bewirkt die Massenverringerung zwischen der Wärmequelle und der Spitze, daß die Temperatur an der Spitze mit der Zeit zunimmt. Da der Speicher der aktuellen Erfindung nicht zwischen dem Heizdraht und der Spitze angeordnet ist, sollten Änderungen der Speichermasse wenig oder keine Auswirkung auf die Temperatur an der Spitze haben. Außerdem wurden Änderungen der Emittertemperatur beobachtet, wobei die Heizdrahttemperatur konstant blieb. Es wird davon ausgegangen, daß diese Schwankungen dem Speicher zugeschrieben werden können und daß ein Bewegen des Speichers auf die Seite des Emitters weg von dem Heizdraht derartige Temperaturschwankungen verringern oder beseitigen kann. Die vorliegende Erfindung ermöglicht auch die Verwendung eines kürzeren Emitters, wobei die Spitze näher an dem Heizdraht positioniert ist als nach bisherigem Stand der Technik. Der kürzere Emitter verbraucht weniger Eingangsleistung und auch kann andere Vorteile, wie etwa verbesserte Stabilität, bieten.
  • Eine Schottky-Emissionskathode kann auch in einem Emissionsbetriebszustand betrieben werden, der eine so hohe Temperatur erfordert, daß das Beschichtungsmaterial verdampft und die Spitze nicht bedeckt. In Schottky-Emissionskathoden nach bisherigem Stand der Technik würde der Betrieb bei derartigen Temperaturen nicht nur das Beschichtungsmaterial von dem Emitter verdampfen, sondern er würde auch den Speicher entleeren. Mit der vorliegenden Erfindung ist es möglich, mit der Spitze auf derartigen Temperaturen zu arbeiten, ohne den Speicher zu entleeren. Wenn die Temperatur des Emitters daraufhin verringert wird, diffundiert wieder Beschichtungsmaterial aus dem Speicher und beschichtet die Spitze, was es dem Emitter ermöglicht, wieder in einer thermischen Feld-Betriebsart zu arbeiten.
  • Die Erfindung ist weder auf irgendwelche bestimmten verwendeten Materialien zur Herstellung des Emitters, der Be schichtung oder des Heizdrahts noch auf eine spezielle Konstruktion des Elektronenemitters beschränkt. Zum Beispiel kann jedes der in dem Abschnitt "Hintergrund der Erfindung" beschriebenen Emitter- oder Beschichtungsmaterialien verwendet werden. Obwohl die bevorzugte Ausführungsform eine Schottky-Emissionskathode ist, kann die Erfindung in jeder Elektronenquelle verwendet werden, die einen ähnlichen Aufbau hat und die eine Beschichtung zur Verringerung der Austrittsarbeit verwendet, welche von einem Speicher ergänzt wird.
  • 8 zeigt eine Elektronenstrahlvorrichtung, die aufgrund verbesserter Lebensdauer der Elektronenquelle eine verringerte Wartung erfordert. Die beispielhafte Elektronenstrahlvorrichtung ist ein Elektronenmikroskop 300. Die Vorrichtung umfaßt eine Elektronenquelle 302, die aufweist: eine Schottky-Emissionskathode der vorliegenden Erfindung wie weiter oben beschrieben, ein Strahlausrichtungssystem 304 und eine Strahlblende 306, eine Kondensorlinse 308, Objektivlinsen 310, ein Strahlabtastsystem 316, einen Objektraum 318 mit einem Probenhalter 320, eine Beugungslinse 324, eine Zwischenlinse 326, eine Projektionslinse 330 und einen Elektronendetektor 334. Die Objektivlinsen 310, die Zwischenlinse 326 und die Projektionslinse 330 bilden zusammen ein Abbildungslinsensystem. Diese Elemente sind in einem Gehäuse 346 untergebracht, das mit einem elektrischen Versorgungsdraht 348 für die Elektronebnquelle 302, einem Sichtfenster 352 und einer Vakuumpumpvorrichtung 354 versehen ist. Die Anregungsspulen für die Objektivlinse 310 sind mit einer Steuerungseinheit 356 verbunden, die angeordnet ist, um die Anregung des Abbildungslinsensystems zu steuern. Das Elektronenmikroskop umfaßt auch eine Aufzeichnungseinheit mit dem Elektronendetektor 334, eine Bildverarbeitungseinheit 360 und eine Videoanzeige 368 zum Beobachten der gebildeten Bilder.

Claims (12)

  1. Elektronenquellenanordnung (202), die aufweist: ein längliches Elektronen emittierendes Element (218) mit einer Elektronen emittierenden Spitze (222), einen Wärmezuführungspunkt (220) auf dem länglichen Elektronen emittierenden Element (218), wo die Temperatur am höchsten ist, einen Materialspeicher (236), der auf dem emittierenden Element (218) plaziert ist, um die Elektronen emittierende Spitze (222) zu beschichten, wobei der Wärmezuführungspunkt (220) das längliche Elektronen emittierende Element (218) in einen sich nach vorne erstreckenden Teil (232), der die Spitze (222) aufweist, und einen zweiten Teil unterteilt, der den sich nach hinten erstreckenden Teil (234) bildet, dadurch gekennzeichnet, daß der Materialspeicher (236) auf dem emittierenden Element auf dem sich nach hinten erstreckenden Teil (234) positioniert ist.
  2. Elektronenquellenanordnung nach Anspruch 1, wobei der Speicher in einem ausreichenden Abstand von dem Wärmezuführungspunkt positioniert ist, um an dem Speicher eine Betriebstemperatur zu erzeugen, die geringer als die an der Spitze ist, um die Nutzlebensdauer der Elektronenquellenanordnung zu erhöhen.
  3. Elektronenquellenanordnung nach Anspruch 1, wobei der Speicher in einem ausreichenden Abstand von dem Wärmezuführungspunkt positioniert ist, um die Temperatur um mindestens 25 Grad Celsius gegenüber der des Emitters an dem Wärmezuführungspunkt zu verringern.
  4. Elektronenquellenanordnung nach Anspruch 1, wobei der Speicher weiter von dem Wärmezuführungspunkt weg positioniert ist als die Spitze.
  5. Elektronenquellenanordnung nach Anspruch 1, wobei der Speicher mindestens 0,25 mm von dem Wärmezuführungspunkt weg positioniert ist.
  6. Elektronenquellenanordnung nach Anspruch 1, wobei der Speicher Zirkonium, Titan, Hafnium, Yttrium, Niob, Vanadium, Thorium, Skandium, Beryllium oder Lanthan enthält.
  7. Elektronenquellenanordnung nach Anspruch 1, die versehen ist mit: einem Sockel (104), wobei das emittierende Element (218) sich von dem Sockel erstreckt und in thermischem Kontakt damit ist, einem Heizdraht, der an dem Wärmezuführungspunkt an dem emittierenden Element (218) befestigt ist.
  8. Elektronenquellenanordnung nach Anspruch 7, die ferner ein Wärmeschild (132) zum thermischen Isolieren des emittierenden Elements aufweist.
  9. Elektronenquellenanordnung nach Anspruch 1, wobei der Emitter Wolfram, Molybdän, Rhenium oder Iridium aufweist, die in der <100>-, <110>-, <111>- oder <310>-Richtung ausgerichtet sind.
  10. Elektronenquellenanordnung nach Anspruch 1, wobei das Material in dem Speicher eine Verbindung aus einem ersten Material aufweist, das aus der Gruppe aus Zirkonium, Titan, Hafnium, Yttrium, Niob, Vanadium, Thorium, Skandium, Beryllium oder Lanthan ausgewählt wird, und einem zweiten Material, das aus der Gruppe aus Stickstoff, Sauerstoff und Kohlenstoff ausgewählt wird, um den Emitter zu beschichten, um dessen Austrittsarbeit zu erniedrigen.
  11. Elektronenstrahlsystem, das eine Elektronenquellenanordnung nach jedem der Ansprüche enthält.
  12. Elektronenstrahlsystem nach Anspruch 11, wobei das Elektronenstrahlsystem ein Elektronenmikroskop ist.
DE60007830T 1999-08-20 2000-08-02 Schottky-emissionskathode mit verlängerter lebensdauer Expired - Lifetime DE60007830T2 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15004799P 1999-08-20 1999-08-20
US150047P 1999-08-20
PCT/EP2000/007518 WO2001015192A1 (en) 1999-08-20 2000-08-02 Schottky emitter having extended life

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE60007830D1 DE60007830D1 (de) 2004-02-26
DE60007830T2 true DE60007830T2 (de) 2004-12-02

Family

ID=22532883

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE60007830T Expired - Lifetime DE60007830T2 (de) 1999-08-20 2000-08-02 Schottky-emissionskathode mit verlängerter lebensdauer

Country Status (4)

Country Link
EP (1) EP1123558B1 (de)
JP (1) JP4656790B2 (de)
DE (1) DE60007830T2 (de)
WO (1) WO2001015192A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE112012003268B4 (de) 2011-09-26 2023-03-23 Hitachi High-Tech Corporation Elektronenquelle vom elektrischen Feldentladungstyp

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3998556B2 (ja) 2002-10-17 2007-10-31 株式会社東研 高分解能x線顕微検査装置
US7218703B2 (en) 2003-11-21 2007-05-15 Tohken Co., Ltd. X-ray microscopic inspection apparatus
EP1557865A1 (de) * 2004-01-23 2005-07-27 Tohken Co., Ltd. Mikrofokus-Röntgenröhre für ein Inspektionsmikroskop
US7176610B2 (en) 2004-02-10 2007-02-13 Toshiba Machine America, Inc. High brightness thermionic cathode
EP1705684A1 (de) * 2005-03-22 2006-09-27 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Stabilisierter Emitter und Methode, diesen zu stabilisieren
US8159118B2 (en) 2005-11-02 2012-04-17 United Technologies Corporation Electron gun
JP4789122B2 (ja) * 2006-09-05 2011-10-12 電気化学工業株式会社 電子源
JP4782736B2 (ja) 2007-07-12 2011-09-28 電気化学工業株式会社 電子源
JP2011514637A (ja) 2008-03-03 2011-05-06 カール ツァイス エヌティーエス エルエルシー コーティングされた先端部を有するガス電界電離イオン源
EP3105773B1 (de) * 2014-02-10 2018-10-10 Luxbright AB Elektronensender für eine röntgenröhre

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3814975A (en) * 1969-08-06 1974-06-04 Gen Electric Electron emission system
US5449968A (en) * 1992-06-24 1995-09-12 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Thermal field emission cathode
JPH0778552A (ja) * 1993-09-09 1995-03-20 Hitachi Ltd 電界放射型陰極およびその製造方法
US5616926A (en) * 1994-08-03 1997-04-01 Hitachi, Ltd. Schottky emission cathode and a method of stabilizing the same
JP3556331B2 (ja) * 1995-07-17 2004-08-18 株式会社日立製作所 電子源の作製法
JPH1031955A (ja) * 1996-07-17 1998-02-03 Hitachi Ltd 熱拡散補給型電子源の製造方法およびその電子源を用いた電子線応用装置
JP3440448B2 (ja) * 1996-11-12 2003-08-25 日本電子株式会社 熱電界放射型電子銃
JP3766763B2 (ja) * 1999-04-05 2006-04-19 日本電子株式会社 電界放射電子銃
FR2795861B1 (fr) * 1999-06-29 2002-11-08 Schlumberger Technologies Inc Cathode emettrice de schottky possedant un reservoir de zro2 , stabilise et procede de stabilisation

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE112012003268B4 (de) 2011-09-26 2023-03-23 Hitachi High-Tech Corporation Elektronenquelle vom elektrischen Feldentladungstyp

Also Published As

Publication number Publication date
JP4656790B2 (ja) 2011-03-23
JP2003507872A (ja) 2003-02-25
DE60007830D1 (de) 2004-02-26
EP1123558B1 (de) 2004-01-21
EP1123558A1 (de) 2001-08-16
WO2001015192A1 (en) 2001-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69608859T2 (de) Kathode mit einem Reservoir und Herstellungsverfahren derselben
DE112009001537B4 (de) Vorrichtung mit geladenem Teilchenstrahl und Verfahren zum Steuern der Vorrichtung
DE69709554T2 (de) Verfahren zum Betreiben einer Elektronenquelle
DE112011102643B4 (de) Gasfeld-Ionenquelle, Ionenstrahl-Vorrichtung und Emitterspitze sowie Verfahren zur Herstellung derselben
DE60007830T2 (de) Schottky-emissionskathode mit verlängerter lebensdauer
DE112010004053B4 (de) Gasfeldionisations-Ionenquelle und Ionenstrahlvorrichtung
DE112009001604B4 (de) Thermionenemitter zur Steuerung des Elektronenstrahlprofils in zwei Dimensionen
DE112009003724B4 (de) Verwendung eines Elektronenstrahlgeräts
DE2129636C2 (de) Feldemissions-Elektronenstrahlerzeugungssystem
DE8502305U1 (de) Halbleiteranordnung zum Erzeugen eines Elektronenstrahles
DE102014111372A1 (de) Iridium-spitze, gasfeld-ionenquelle, einrichtung eines fokussierten ionenstrahls, elektronenquelle, elektronenmikroskop, einrichtung zur analyse unter anwendung eines elektronenstrahls, ionen-elektronen- mehrfachstrahl-einrichtung, abtastsondenmikroskop und masken- reparatureinrichtung
DE112007000045T5 (de) Elektronenkanone, Elektronenstrahl-Bestrahlungsgerät und Bestrahlungsverfahren
DE3717974A1 (de) Gluehkathode
DE112016001009B4 (de) Emitter, Elektronenkanone verwendenden Emitter, die Elektronenkanone verwendende elektronische Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung des Emitters
DE112012003268B4 (de) Elektronenquelle vom elektrischen Feldentladungstyp
DE3039283A1 (de) Feldemissionskathode und verfahren zu ihrer herstellung
DE112016007170B4 (de) Elektronenstrahlvorrichtung
EP1403898B1 (de) Elektronenstrahlquelle und elektronenoptischer Apparat mit einer Elektronenstrahlquelle und Verfahren zum Betrieb einer Elektronenstrahlquelle
DE69506375T2 (de) Partikel-optisches gerät mit einer elektronenquelle versehen die eine nadel und eine membranartige extraktionselektrode aufweist
EP0328757A2 (de) Verfahren zur Herstellung dünner Schichten aus oxydischem Hochtemperatur-Supraleiter
DE2341377A1 (de) Elektronenstrahlroehre mit thermionikfeld-emissionskathode fuer ein abtastendes elektronenmikroskop
DE10210006A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Erzeugen geladener Teilchen
US6680562B1 (en) Schottky emitter having extended life
DE112017007408B4 (de) Ionenquelle und Ionenimplantationsvorrichtung
DE102014104042A1 (de) Emitterstruktur, Gasionenquelle und fokussiertes Ionenstrahl-System

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition