DE4319146A1 - Magnetfeldsensor, aufgebaut aus einer Ummagnetisierungsleitung und einem oder mehreren magnetoresistiven Widerständen - Google Patents
Magnetfeldsensor, aufgebaut aus einer Ummagnetisierungsleitung und einem oder mehreren magnetoresistiven WiderständenInfo
- Publication number
- DE4319146A1 DE4319146A1 DE4319146A DE4319146A DE4319146A1 DE 4319146 A1 DE4319146 A1 DE 4319146A1 DE 4319146 A DE4319146 A DE 4319146A DE 4319146 A DE4319146 A DE 4319146A DE 4319146 A1 DE4319146 A1 DE 4319146A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- magnetic field
- magnetoresistive
- layer strips
- field sensor
- strips
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 25
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
- G01R33/096—Magnetoresistive devices anisotropic magnetoresistance sensors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Description
Die Messung von Magnetfeldern geringer Stärke, wie beispielsweise des Erdmagnetfeldes, ist bekanntlich
mit Sensoren möglich, die den anisotropen magnetoresistiven Effekt nutzen. Trotz ausreichender
Magnetfeldempfindlichkeit ergeben sich bei größeren Temperaturänderungen jedoch wegen der nicht
unerheblichen Nullpunktdrift der Sensoren größere Probleme.
Eine Methode zur Eliminierung der Nullpunktdrift bei magnetoresistiven Sensorbrücken wird in der
Technischen Information 901 228 von Philips Components beschrieben. Die magnetoresistive Sensorbrücke
wird in einer gewickelten Spule plaziert. Kurze Stromimpulse abwechselnder Richtung durch die Spule
erzeugen genügend Magnetfeld, um die Eigenmagnetisierung der magnetoresistiven Schichtstreifen in die
entsprechende Richtung einzustellen. Da mit der Umkehr der Magnetisierungsrichtung das Sensorsignal
seine Polarität ändert, ist mit Trennung des magnetfeldproportionalen Wechselanteils vom Gleichanteil, der
die Nullspannung der Sensorbrücke enthält, auch deren Drift eliminiert. Die Herstellung solcher Spulen ist
jedoch aufwendig. Ihre Induktivität begrenzt die Meßfrequenz. Die Justierung der Sensorelemente in der
Spule ist ein aufwendiger Arbeitsvorgang, insbesondere, wenn alle drei Magnetfeldkomponenten im Raum
mit einer Anordnung gemessen werden sollen.
Aufgabe der Erfindung ist es, einen Magnetfeldsensor mit minimaler Nullpunktdrift anzugeben, der
vollständig in Dünnschichttechnik kostengünstig gefertigt werden kann und bei dem Einschränkungen in
der Meßfrequenz durch das Sensorelement nicht verursacht werden.
Die Aufgabe wird durch die in den Ansprüchen beschriebenen Dünnschichtanordnungen gelöst. Im
einfachsten Fall genügt es, einen einzigen magnetfeldabhängigen Widerstand, der aus einem oder mehreren
magnetoresistiven Schichtstreifen besteht, isoliert auf einem zu dessen Längsrichtung senkrechten
hochleitfähigen Dünnschichtleiterstreifen anzuordnen. Der hochleitfähige Dünnschichtleiterstreifen ist
jedoch mäanderförmig strukturiert. Damit trotz der über den nebeneinanderliegenden Mäanderstreifen
abwechselnden Magnetfeldrichtung bei Stromdurchfluß ein Widerstand entsteht, der sich in allen
Teilbereichen unter dem Einfluß eines zu messenden Feldes gleichsinnig ändert, wurden die
magnetoresistiven Schichtstreifen in solche Bereiche zerlegt, die Barberpolstrukturen mit entgegengesetzt
gerichtetem Neigungswinkel zur Streifenlängsrichtung haben. Durch die Mäandrierung des hochleitfähigen
Dünnschichtleiterstreifens ergibt sich vorteilhafterweise, daß für die Umkehr der Magnetisierungsrichtung
nur ein geringer Strom benötigt wird. Weiterhin ist das außerhalb des Sensorchips vorhandene magnetische
Streufeld sehr gering, da sich die Magnetfelder der nebeneinanderliegenden Mäanderstreifen wegen ihrer
entgegengesetzten Richtung weitgehend aufheben. Damit können die Magnetfeldsensoren in unmittelbarer
Nähe zueinander betrieben werden. Aus dem gleichen Grunde hat der Ummagnetisierungsleiter auch eine
sehr geringe Induktivität, so daß Begrenzungen der Meßfrequenz durch diese nicht mehr auftreten.
Bei Betrieb des Magnetfeldsensors mit einem magnetoresistiven Widerstand wird in diesen ein
Konstantstrom eingespeist. Als Ausgangssignal wird die Spannung am magnetoresistiven Widerstand
gemessen. Nach einem Stromimpuls bestimmter Richtung durch den hochleitfähigen
Dünnschichtleiterstreifen ist die Eigenmagnetisierung in den Bereichen des magnetoresistiven Widerstandes
in bestimmter Weise festgelegt. Das zu messende Magnetfeld bewirkt in diesem Zustand eine Zunahme des
Widerstandswertes des magnetoresistiven Widerstandes. Die Ausgangsspannung ist also größer als im
magnetfeldfreien Fall. Wird jetzt in den hochleitfähigen Dünnschichtleiterstreifen ein Stromimpuls mit
entgegengesetzter Richtung zum vorhergehenden eingespeist, kehren sich die Richtungen der
Eigenmagnetisierungen um. Damit bewirkt das zu messende Feld eine Widerstandsverringerung und die
Ausgangsspannung ist kleiner als im magnetfeldfreien Fall. Mit ständig wechselnder Impulsrichtung ist also
am Ausgang eine Wechselspannung vorhanden, deren Amplitude dem zu messenden Magnetfeld
proportional ist. Irgendwelche Einflüsse, wie beispielsweise die Temperatur, die zu einer langsamen Drift
des Widerstandswertes des magnetoresistiven Schichtstreifens führen, haben keinen Einfluß auf die
Ausgangswechselspannung. Allerdings macht sich die Abnahme des magnetoresistiven Effektes mit
steigender Temperatur in der Ausgangswechselspannungsamplitude bemerkbar.
Deshalb ist in einer anderen Ausführung der Erfindung unter jedem magnetoresistiven Schichtstreifen
isoliert in gleicher Richtung ein weiterer hochleitfähiger Schichtstreifen vorhanden. Der Strom durch diese
hochleitfähigen Schichtstreifen wird von der Sensorausgangsspannung so gesteuert, daß das angelegte zu
messende Magnetfeld durch ihn gerade aufgehoben wird. Die dazu notwendige Schaltung ist jedoch nicht
Gegenstand dieser Erfindung. Der magnetoresistive Magnetfeldsensor wirkt in diesem Fall als Nulldetektor.
Ausgangsgröße der Anordnung ist die Größe des Kompensationsstromes, die von der Temperatur der
Anordnung nicht abhängt. Ebenso spielen Nichtlinearitäten in der Sensorkennlinie keine Rolle mehr, da der
Sensor ja nicht ausgesteuert wird.
In einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung wird nicht nur ein einziger magnetoresistiver Widerstand
verwendet, sondern es sind über dem Dünnschichtummagnetisierungsleiter und dem hochleitfähigen
Kompensationsleiter vier parallele aus mehreren Bereichen bestehende magnetoresistive Widerstände
vorhanden, deren Bereiche mit Barberpolstrukturen abwechselnden positiven und negativen Winkels zur
Längsrichtung der magnetoresistiven Schichtstreifen versehen sind, und zwar so, daß sie jeweils
abwechselnd mit Bereichen positiven und negativen Barberpolstrukturwinkels beginnen. Die vier
Widerstände sind zu einer Wheatstone-Brücke verschaltet. Wird der Ummagnetisierungsleiter wieder mit
Impulsen abwechselnd entgegengesetzter Richtung betrieben, so erscheint am Brückenausgang ein
Wechselspannungssignal. Diesem ist jetzt nur ein Gleichspannungssignal überlagert, das sich aus den
möglicherweise ungleichen vier Widerstandswerten der Brücke ergibt. Dieser Gleichspannungsanteil ist
jedoch wesentlich geringer als der bei der Verwendung eines einzigen Widerstandes, was eine einfachere
Auswertung ermöglicht. Selbstverständlich ist die Kompensation des zu messenden Magnetfeldes auch hier
anwendbar.
Die Brückenanordnung kann aus vier Widerständen bestehen, die alle aus einer geraden Zahl von Bereichen
gebildet sind. Nur die Reihenfolge des Winkels der Barberpolstruktur ändert sich von einem Widerstand
zum anderen. Durch einen ersten starken Stromimpuls durch den Ummagnetisierungsleiter wird die
Magnetisierungsrichtung in den Bereichen eingestellt. Damit ist die Sensorbrücke magnetfeldempfindlich
und kann so in üblicher Weise ohne weitere Ummagnetisierung benutzt werden. Da alle vier Widerstände
der Brücke aus gleichen Bereichen bestehen, ist bei veränderlicher Temperatur der Sensoranordnung in allen
Widerständen mit gleichen Änderungen zu rechnen. Das gilt auch für den Änderungsanteil, der über die
veränderlichen Schichtspannungen und in deren Folge durch die Magnetostriktion entsteht. Die
Sensorbrücke hat also eine reduzierte Nullpunktdrift gegenüber bekannten Sensorbrückenanordnungen und
ist deshalb auch im üblichen Betrieb zur Messung kleinerer Felder geeignet. Ein konstanter Strom durch den
Ummagnetisierungsleiter kann jetzt zur Erzeugung eines bestimmten Stabilisierungsmagnetfeldes dienen,
über das eine bestimmte Sensorempfindlichkeit eingestellt wird. Die erfindungsgemäße Anordnung ist also
bei Anwendung unterschiedlicher Auswerteverfahren für die Magnetfeldmessung vorteilhaft einsetzbar.
Die Erfindung wird im folgenden an Ausführungsbeispielen näher erläutert. In Fig. 1 ist dazu ein
magnetoresistiver Widerstand über einem ebenen Ummagnetisierungsleiter dargestellt. Fig. 2 zeigt, wie
zusätzlich dazu ein ebener Kompensationsleiter angeordnet ist. Fig. 3 enthält eine komplexe Anordnung
mit Sensorbrücke, Ummagnetisierungsleiter und Kompensationsleiter.
In Fig. 1 ist ein mäandrierter hochleitfähiger ebener Dünnschichtleiter 6, der sich auf einem Schichtträger
befindet, dargestellt, in den bei Anschluß an beiden Enden ein Strom IM eingespeist werden kann. Über
diesem Dünnschichtleiter 6 sind isoliert Bereiche 1 von magnetoresistiven Schichtstreifen mit ihrer
Längsrichtung senkrecht zu den Mäanderstreifen des Dünnschichtleiters 6 angeordnet. Auf den Bereichen 1
der magnetoresistiven Schichtstreifen befinden sich Barberpolstrukturen, die abwechselnd einen negativen
Winkel 3 und einen positiven Winkel 4 mit der Längsrichtung der Bereiche 1 bilden. Die Bereiche 1 sind
alle durch gut leitfähige, nichtmagnetische Verbindungen 2 elektrisch in Reihe geschaltet, so daß ein
einziger Widerstand vorhanden ist. Die Reihenschaltung ist an den Kontaktflächen 5 elektrisch
anschließbar. Im Betrieb des Magnetfeldsensors wird hier ein Konstantstrom eingespeist. Nach einem
Stromimpuls durch den Ummagnetisierungsleiter 6 in der durch den Pfeil charakterisierten Richtung sind
die Magnetisierungsrichtungen in den Bereichen 1 wie durch die entsprechenden Pfeile angezeigt,
eingestellt. Ein zu messendes externes Magnetfeld He bewirkt bei den gezeichneten
Magnetisierungsrichtungen eine Erhöhung des Widerstandswertes in allen Bereichen 1 gegenüber dem
feldfreien Zustand. Ein Stromimpuls entgegengesetzter Richtung durch den Ummagnetisierungsleiter 6 dreht
die Magnetisierungen aller Bereiche 1 in die entgegengesetzte Richtung. Damit wird durch das externe
Magnetfeld He eine Widerstandsabnahme bewirkt. Am magnetoresistiven Widerstand ist so bei periodischer
Ummagnetisierung eine Wechselspannung abgreifbar, deren Amplitude der Magnetfeldstärke von He
proportional ist. Zur Ummagnetisierung der magnetoresistiven Bereiche ist eine bestimmte
Mindestfeldstärke erforderlich. Die Feldstärke, die durch den Ummagnetisierungsstrom erzeugt wird, ist der
Breite des Dünnschichtleiters umgekehrt proportional. Durch die Mäandrierung wird die Breite wesentlich
herabgesetzt und damit der zum Ummagnetisieren nötige Stromwert drastisch verringert. Durch die
Aufteilung des magnetoresistiven Widerstandsleiters in viele Bereiche 1 kann ohne weiteres ein hoher
Widerstandswert realisiert werden. Da die Widerstandsänderung dem Widerstandswert proportional ist und
diese wiederum als Proportionalitätsfaktor in die Ausgangswechselspannung eingeht, ist auch für eine hohe
Ausgangsspannungsamplitude gesorgt. Daß der magnetoresistive Widerstand durch die Verbindungen 2
ebenfalls in Form eines Mäanders ausgebildet ist, hat den Vorteil, daß das Sensorelement auf Chipflächen
geringer Abmessung untergebracht werden kann.
Die in Fig. 2 gezeigte Anordnung unterscheidet sich von der in Fig. 1 lediglich durch einen zusätzlichen
gut leitenden Schichtmäander 7, der unter den magnetoresistiven Bereichen 1 angeordnet ist. Das
Magnetfeld des Stromes Ik durch diesen Mäander 7 ist dem externen Magnetfeld He am Ort der Bereiche 1
entgegengerichtet. Aus der Ausgangswechselspannung des magnetoresistiven Widerstandes läßt sich ein
Signal ableiten, das dafür sorgt, daß der Strom Ik genau auf einen solchen Wert eingestellt wird, daß das
externe Magnetfeld am Ort der Bereiche 1 aufgehoben ist. Der so eingestellte Kompensationsstrom Ik stellt
nun das Sensorausgangssignal dar. Der magnetoresistive Widerstand wirkt hier nur noch als Nulldetektor.
Temperaturabhängigkeiten und Nichtlinearitäten in seiner Kennlinie sind so eliminiert.
In Fig. 3 sind die Bereiche 1 der magnetoresistiven Widerstände durch Verbindungsleitungen 2 und 10 so
miteinander verbunden, daß eine Brückenschaltung entsteht. Die Kontaktflächen 8 sind für die
Brückenbetriebsspannung, die Kontaktflächen 9 für die Brückenausgangsspannung vorgesehen. Ein
Ummagnetisierungsleiter 6 und eine Kompensationsleitung 7 sind wie in Fig. 2 auch hier vorhanden.
Kompensation des externen zu messenden Magnetfeldes ist hier selbstverständlich ebenso möglich, wenn
zur Regelung des Stromes Ik das Wechselspannungssignal des Brückenausgangs verwendet wird.
In der Fig. 3 besteht jeder Brückenwiderstand aus einer geraden Anzahl von Bereichen 1. Unterschiedlich
ist nur der Winkel der Barberpolstrukturen der jeweils nebeneinander befindlichen Bereiche 1. Die
Brückenwiderstände sind also aus völlig gleichen Bestandteilen zusammengesetzt. Bei
Temperaturänderungen werden sich die Widerstände also auch um gleiche Werte ändern. Das trifft auch für
die sich aus der über die Magnetostriktion erzeugte Widerstandsänderung durch Drehung der
Magnetisierungsrichtung zu. Unterschiede in dieser Größe stellen bei bisher bekannten magnetoresistiven
Brückenanordnungen den Hauptanteil der Nullpunktdrift der Brückenausgangsspannung dar. Deshalb hat
die hier vorgestellte Brücke auch bei Betrieb mit Gleichspannung eine stark reduzierte Nullpunktdrift.
Damit ist auch das Betreiben des Brückensensors ohne ständige periodische Ummagnetisierung der Bereiche
1 vorteilhaft möglich. Ein Gleichstrom durch den Ummagnetisierungsleiter 6 kann in diesem Fall zur
Erzeugung eines magnetischen Gleichfeldes am Ort der Bereiche 1 genutzt werden und so die einmal
eingestellte Magnetisierungsrichtung stabilisieren.
Claims (6)
1. Magnetfeldsensor, aufgebaut aus einer Ummagnetisierungsleitung und einem oder mehreren
magnetoresistiven Widerständen, die durch Schichtstreifen mit Barberpolstruktur gebildet sind,
dadurch gekennzeichnet, daß ein oder mehrere parallel angeordnete magnetoresistive
Schichtstreifen jeweils aus hintereinander geschalteten, magnetisch getrennten Bereichen (1)
bestehen, die Barberpolstrukturen (3; 4) mit abwechselnd positivem (4) und negativem Winkel (3)
zur Schichtstreifenlängsrichtung tragen und daß ein als Ummagnetisierungsleitung dienender
hochleitfähiger Dünnschichtleiterstreifen (6), dessen Längsrichtung mit der Längsrichtung der
magnetoresistiven Schichtstreifen einen Winkel bildet und von diesen isoliert ist, mäanderförmig darunter angeordnet ist.
2. Magnetfeldsensor nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß der Winkel zwischen den Längsrichtungen der
magnetoresistiven Schichtstreifen und der hochleitfähigen Dünnschichtleiterstreifen
90° ist.
3. Magnetfeldsensor nach Anspruch 1 und 2,
dadurch gekennzeichnet, daß mehrere gleiche parallel angeordnete magnetoresistive
Schichtstreifen mäanderförmig verbunden sind, und so alle einen einzigen Widerstand bilden.
4. Magnetfeldsensor nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß zur Kompensation des von außen auf den Sensor
wirkenden Magnetfeldes unter den magnetoresistiven Schichtstreifen weitere hochleitfähige
Schichtstreifen (7), deren Längsrichtung mit der der magnetoresistiven Schichtstreifen
übereinstimmt, isoliert von den anderen Schichten vorhanden sind, und in der Fläche zwischen
jeweils zwei magnetoresistiven Schichtstreifen ein Verbindungsleiter verläuft, so daß ein weiterer
Mäander entsteht.
5. Magnetfeldsensor nach Anspruch 1 oder 4,
dadurch gekennzeichnet, daß vier parallele, aus mehreren Bereichen (1) bestehende
magnetoresistive Schichtstreifen vorhanden sind, die mit Bereichen (1) beginnen, die abwechselnd
Barberpolstrukturen mit positivem (3) und negativem (4) Winkel tragen und die zu einer
Wheatstonebrücke verschaltet sind.
6. Magnetfeldsensor nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet, daß jeder Brückenwiderstand aus mehreren
magnetoresistiven Schichtstreifen besteht.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4319146A DE4319146C2 (de) | 1993-06-09 | 1993-06-09 | Magnetfeldsensor, aufgebaut aus einer Ummagnetisierungsleitung und einem oder mehreren magnetoresistiven Widerständen |
US08/374,795 US5521501A (en) | 1993-06-09 | 1994-05-31 | Magnetic field sensor constructed from a remagnetization line and one magnetoresistive resistor or a plurality of magnetoresistive resistors |
PCT/EP1994/001789 WO1994029740A1 (de) | 1993-06-09 | 1994-05-31 | Magnetfeldsensor, aufgebaut aus einer ummagnetisierungsleitung und einem oder mehreren magnetoresistiven widerständen |
JP50127195A JP3465059B2 (ja) | 1993-06-09 | 1994-05-31 | 磁化反転導体と一又は複数の磁気抵抗レジスタとからなる磁界センサ |
EP94920425A EP0654145A1 (de) | 1993-06-09 | 1994-05-31 | Magnetfeldsensor, aufgebaut aus einer ummagnetisierungsleitung und einem oder mehreren magnetoresistiven widerständen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4319146A DE4319146C2 (de) | 1993-06-09 | 1993-06-09 | Magnetfeldsensor, aufgebaut aus einer Ummagnetisierungsleitung und einem oder mehreren magnetoresistiven Widerständen |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4319146A1 true DE4319146A1 (de) | 1994-12-15 |
DE4319146C2 DE4319146C2 (de) | 1999-02-04 |
Family
ID=6489983
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4319146A Expired - Lifetime DE4319146C2 (de) | 1993-06-09 | 1993-06-09 | Magnetfeldsensor, aufgebaut aus einer Ummagnetisierungsleitung und einem oder mehreren magnetoresistiven Widerständen |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5521501A (de) |
EP (1) | EP0654145A1 (de) |
JP (1) | JP3465059B2 (de) |
DE (1) | DE4319146C2 (de) |
WO (1) | WO1994029740A1 (de) |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0707218A3 (de) * | 1994-10-15 | 1996-08-14 | Lust Antriebstechnik Gmbh | Sensorchip |
DE19521617C1 (de) * | 1995-06-14 | 1997-03-13 | Imo Inst Fuer Mikrostrukturtec | Sensorchip zur Bestimmung eines Sinus- und eines Cosinuswertes sowie seine Verwendung zum Messen eines Winkels und einer Position |
DE19810838A1 (de) * | 1998-03-12 | 1999-09-16 | Siemens Ag | Sensorsubstrat für mangetoresistive Sensoren mit einer Substratschicht und darauf angeordneten Sensorelementen |
DE19648879C2 (de) * | 1996-11-26 | 2000-04-13 | Inst Mikrostrukturtechnologie | Magnetfeldsensor mit parallelen magnetoresistiven Schichtstreifen |
DE102005047413A1 (de) * | 2005-02-23 | 2006-09-14 | Infineon Technologies Ag | Magnetoresistives Sensorelement und Konzept zum Herstellen und Testen desselben |
DE102006046739A1 (de) * | 2006-09-29 | 2008-04-03 | Siemens Ag | Magnetfeldsensor |
DE102006046736A1 (de) * | 2006-09-29 | 2008-04-10 | Siemens Ag | Verfahren zum Betreiben eines Magnetfeldsensors und zugehöriger Magnetfeldsensor |
WO2008146184A2 (en) * | 2007-05-29 | 2008-12-04 | Nxp B.V. | External magnetic field angle determination |
DE102007040183A1 (de) | 2007-08-25 | 2009-03-05 | Sensitec Naomi Gmbh | Magnetfeldsensor zur Erfassung eines äußeren magnetischen Felds, insbesondere des Erdmagnetfelds, sowie mit solchen Magnetfeldsensoren gebildetes Magnetfeldsensorsystem |
US7923987B2 (en) | 2007-10-08 | 2011-04-12 | Infineon Technologies Ag | Magnetic sensor integrated circuit with test conductor |
US8080993B2 (en) | 2008-03-27 | 2011-12-20 | Infineon Technologies Ag | Sensor module with mold encapsulation for applying a bias magnetic field |
US8559139B2 (en) | 2007-12-14 | 2013-10-15 | Intel Mobile Communications GmbH | Sensor module and method for manufacturing a sensor module |
DE19722834B4 (de) * | 1997-05-30 | 2014-03-27 | Sensitec Gmbh | Magnetoresistives Gradiometer in Form einer Wheatstone-Brücke zur Messung von Magnetfeldgradienten sowie dessen Verwendung |
WO2014177436A1 (de) * | 2013-05-02 | 2014-11-06 | Sensitec Gmbh | Magnetfeldsensorvorrichtung |
WO2019185094A1 (de) * | 2018-03-29 | 2019-10-03 | Schaeffler Technologies AG & Co. KG | Magnetfeldsensoranordnung und anordnung zum messen eines drehmomentes sowie verfahren zum herstellen der magnetfeldsensoranordnung |
Families Citing this family (107)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5929636A (en) * | 1996-05-02 | 1999-07-27 | Integrated Magnetoelectronics | All-metal giant magnetoresistive solid-state component |
EP1329695B1 (de) * | 1997-05-09 | 2005-10-05 | Tesa SA | Magnetoresistiver Sensor für Dimensionsbestimmung |
US5976681A (en) * | 1997-06-30 | 1999-11-02 | Ford Global Technologies, Inc. | Giant magnetoresistors with high sensitivity and reduced hysteresis |
DE19747255A1 (de) * | 1997-10-25 | 1999-05-12 | Danfoss As | Schutzimpedanz für eine netzspannungsgespeiste elektronische Schaltung |
US6529114B1 (en) * | 1998-05-27 | 2003-03-04 | Honeywell International Inc. | Magnetic field sensing device |
JP2001028485A (ja) * | 1999-07-15 | 2001-01-30 | Ricoh Co Ltd | 機器の転倒防止装置 |
JP3782915B2 (ja) * | 2000-02-16 | 2006-06-07 | セイコーインスツル株式会社 | 磁気センサを有する電子機器 |
WO2001088677A2 (en) * | 2000-05-18 | 2001-11-22 | Stefaan De Schrijver | Apparatus and method for secure object access |
AU2001261795A1 (en) * | 2000-05-22 | 2001-12-03 | Stefaan De Schrijver | Electronic cartridge writing instrument |
WO2001097165A2 (en) * | 2000-06-16 | 2001-12-20 | Stefaan De Schrijver | Writing pen with piezo sensor |
JP2003075157A (ja) * | 2001-09-06 | 2003-03-12 | Seiko Instruments Inc | 電子機器 |
DE10158053A1 (de) * | 2001-11-27 | 2003-06-05 | Philips Intellectual Property | Sensoranordnung |
US7046117B2 (en) * | 2002-01-15 | 2006-05-16 | Honeywell International Inc. | Integrated magnetic field strap for signal isolator |
JP2004301741A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Denso Corp | 磁気センサ |
US7206693B2 (en) * | 2003-04-15 | 2007-04-17 | Honeywell International Inc. | Method and apparatus for an integrated GPS receiver and electronic compassing sensor device |
US7265543B2 (en) * | 2003-04-15 | 2007-09-04 | Honeywell International Inc. | Integrated set/reset driver and magneto-resistive sensor |
US7239000B2 (en) * | 2003-04-15 | 2007-07-03 | Honeywell International Inc. | Semiconductor device and magneto-resistive sensor integration |
DE102005037036B4 (de) * | 2005-08-06 | 2007-07-12 | Sensitec Gmbh | Magnetoresistiver Sensor mit Offsetkorrektur und dafür geeignetes Verfahren |
JP2007048847A (ja) * | 2005-08-08 | 2007-02-22 | Tokai Rika Co Ltd | 磁気抵抗素子 |
US7420365B2 (en) * | 2006-03-15 | 2008-09-02 | Honeywell International Inc. | Single chip MR sensor integrated with an RF transceiver |
US9823090B2 (en) | 2014-10-31 | 2017-11-21 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor for sensing a movement of a target object |
US7923996B2 (en) * | 2008-02-26 | 2011-04-12 | Allegro Microsystems, Inc. | Magnetic field sensor with automatic sensitivity adjustment |
US8269491B2 (en) | 2008-02-27 | 2012-09-18 | Allegro Microsystems, Inc. | DC offset removal for a magnetic field sensor |
US20090315554A1 (en) * | 2008-06-20 | 2009-12-24 | Honeywell International Inc. | Integrated three-dimensional magnetic sensing device and method to fabricate an integrated three-dimensional magnetic sensing device |
US8063634B2 (en) * | 2008-07-31 | 2011-11-22 | Allegro Microsystems, Inc. | Electronic circuit and method for resetting a magnetoresistance element |
US7973527B2 (en) * | 2008-07-31 | 2011-07-05 | Allegro Microsystems, Inc. | Electronic circuit configured to reset a magnetoresistance element |
US7891102B2 (en) * | 2008-08-01 | 2011-02-22 | Honeywell International Inc. | Nanowire magnetic compass and position sensor |
US7926193B2 (en) * | 2008-08-01 | 2011-04-19 | Honeywell International Inc. | Nanowire magnetic sensor |
WO2010096367A1 (en) * | 2009-02-17 | 2010-08-26 | Allegro Microsystems, Inc. | Circuits and methods for generating a self-test of a magnetic field sensor |
KR101673185B1 (ko) | 2009-07-22 | 2016-11-07 | 알레그로 마이크로시스템스, 엘엘씨 | 자기장 센서의 진단 동작 모드 생성 회로 및 방법 |
US8525514B2 (en) * | 2010-03-19 | 2013-09-03 | Memsic, Inc. | Magnetometer |
TWI467821B (zh) | 2010-12-31 | 2015-01-01 | Voltafield Technology Corp | 磁阻感測器及其製造方法 |
EP2472280A3 (de) * | 2010-12-31 | 2013-10-30 | Voltafield Technology Corporation | Magnetoresistiver Sensor |
JP5885209B2 (ja) | 2011-02-01 | 2016-03-15 | 公立大学法人大阪市立大学 | 電力計測装置 |
CN103718057B (zh) * | 2011-02-03 | 2016-08-10 | 森赛泰克股份有限公司 | 磁场检测装置 |
US20140347047A1 (en) * | 2011-02-22 | 2014-11-27 | Voltafield Technology Corporation | Magnetoresistive sensor |
US8680846B2 (en) | 2011-04-27 | 2014-03-25 | Allegro Microsystems, Llc | Circuits and methods for self-calibrating or self-testing a magnetic field sensor |
US8604777B2 (en) | 2011-07-13 | 2013-12-10 | Allegro Microsystems, Llc | Current sensor with calibration for a current divider configuration |
US9335386B2 (en) * | 2011-09-29 | 2016-05-10 | Voltafield Technology Corp. | Magnatoresistive component and magnatoresistive device |
US8947082B2 (en) | 2011-10-21 | 2015-02-03 | University College Cork, National University Of Ireland | Dual-axis anisotropic magnetoresistive sensors |
US9201122B2 (en) | 2012-02-16 | 2015-12-01 | Allegro Microsystems, Llc | Circuits and methods using adjustable feedback for self-calibrating or self-testing a magnetic field sensor with an adjustable time constant |
US9817078B2 (en) | 2012-05-10 | 2017-11-14 | Allegro Microsystems Llc | Methods and apparatus for magnetic sensor having integrated coil |
US9310446B2 (en) * | 2012-10-18 | 2016-04-12 | Analog Devices, Inc. | Magnetic field direction detector |
US9612262B1 (en) | 2012-12-21 | 2017-04-04 | Neeme Systems Solutions, Inc. | Current measurement sensor and system |
US10197602B1 (en) | 2012-12-21 | 2019-02-05 | Jody Nehmeh | Mini current measurement sensor and system |
US9383425B2 (en) | 2012-12-28 | 2016-07-05 | Allegro Microsystems, Llc | Methods and apparatus for a current sensor having fault detection and self test functionality |
EP2778704B1 (de) * | 2013-03-11 | 2015-09-16 | Ams Ag | Magnetfeldsensorsystem |
US10725100B2 (en) | 2013-03-15 | 2020-07-28 | Allegro Microsystems, Llc | Methods and apparatus for magnetic sensor having an externally accessible coil |
JP6149462B2 (ja) * | 2013-03-29 | 2017-06-21 | Tdk株式会社 | 平面コイル、磁気検出装置および電子部品 |
US9134385B2 (en) | 2013-05-09 | 2015-09-15 | Honeywell International Inc. | Magnetic-field sensing device |
US9810519B2 (en) | 2013-07-19 | 2017-11-07 | Allegro Microsystems, Llc | Arrangements for magnetic field sensors that act as tooth detectors |
US10495699B2 (en) | 2013-07-19 | 2019-12-03 | Allegro Microsystems, Llc | Methods and apparatus for magnetic sensor having an integrated coil or magnet to detect a non-ferromagnetic target |
US10145908B2 (en) | 2013-07-19 | 2018-12-04 | Allegro Microsystems, Llc | Method and apparatus for magnetic sensor producing a changing magnetic field |
DE102013107821A1 (de) | 2013-07-22 | 2015-01-22 | Sensitec Gmbh | Mehrkomponenten-Magnetfeldsensor |
US10488458B2 (en) | 2013-12-26 | 2019-11-26 | Allegro Microsystems, Llc | Methods and apparatus for sensor diagnostics |
US9645220B2 (en) | 2014-04-17 | 2017-05-09 | Allegro Microsystems, Llc | Circuits and methods for self-calibrating or self-testing a magnetic field sensor using phase discrimination |
US9735773B2 (en) | 2014-04-29 | 2017-08-15 | Allegro Microsystems, Llc | Systems and methods for sensing current through a low-side field effect transistor |
US9354284B2 (en) | 2014-05-07 | 2016-05-31 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor configured to measure a magnetic field in a closed loop manner |
US9739846B2 (en) | 2014-10-03 | 2017-08-22 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensors with self test |
US9720054B2 (en) | 2014-10-31 | 2017-08-01 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor and electronic circuit that pass amplifier current through a magnetoresistance element |
US9823092B2 (en) | 2014-10-31 | 2017-11-21 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor providing a movement detector |
US9719806B2 (en) | 2014-10-31 | 2017-08-01 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor for sensing a movement of a ferromagnetic target object |
US10712403B2 (en) | 2014-10-31 | 2020-07-14 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor and electronic circuit that pass amplifier current through a magnetoresistance element |
US9804249B2 (en) | 2014-11-14 | 2017-10-31 | Allegro Microsystems, Llc | Dual-path analog to digital converter |
US10466298B2 (en) | 2014-11-14 | 2019-11-05 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor with shared path amplifier and analog-to-digital-converter |
US9841485B2 (en) | 2014-11-14 | 2017-12-12 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor having calibration circuitry and techniques |
US9322887B1 (en) | 2014-12-01 | 2016-04-26 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor with magnetoresistance elements and conductive-trace magnetic source |
JP2016186476A (ja) * | 2015-03-27 | 2016-10-27 | Tdk株式会社 | 磁気センサ及び磁気式エンコーダ |
US9638764B2 (en) | 2015-04-08 | 2017-05-02 | Allegro Microsystems, Llc | Electronic circuit for driving a hall effect element with a current compensated for substrate stress |
US9632150B2 (en) * | 2015-04-27 | 2017-04-25 | Everspin Technologies, Inc. | Magnetic field sensor with increased field range |
US9851417B2 (en) | 2015-07-28 | 2017-12-26 | Allegro Microsystems, Llc | Structure and system for simultaneous sensing a magnetic field and mechanical stress |
CN105182258A (zh) * | 2015-10-21 | 2015-12-23 | 美新半导体(无锡)有限公司 | 能够实现重置和自检的磁场传感器 |
US10107873B2 (en) | 2016-03-10 | 2018-10-23 | Allegro Microsystems, Llc | Electronic circuit for compensating a sensitivity drift of a hall effect element due to stress |
US11294003B2 (en) | 2016-03-23 | 2022-04-05 | Analog Devices International Unlimited Company | Magnetic field detector |
JP6588371B2 (ja) * | 2016-03-30 | 2019-10-09 | アルプスアルパイン株式会社 | 磁界検出装置およびその調整方法 |
US10132879B2 (en) | 2016-05-23 | 2018-11-20 | Allegro Microsystems, Llc | Gain equalization for multiple axis magnetic field sensing |
US10260905B2 (en) | 2016-06-08 | 2019-04-16 | Allegro Microsystems, Llc | Arrangements for magnetic field sensors to cancel offset variations |
US10012518B2 (en) | 2016-06-08 | 2018-07-03 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor for sensing a proximity of an object |
US10041810B2 (en) | 2016-06-08 | 2018-08-07 | Allegro Microsystems, Llc | Arrangements for magnetic field sensors that act as movement detectors |
CN205861754U (zh) * | 2016-07-08 | 2017-01-04 | 江苏多维科技有限公司 | 一种无需置位和复位装置的各向异性磁电阻电流传感器 |
US10162017B2 (en) | 2016-07-12 | 2018-12-25 | Allegro Microsystems, Llc | Systems and methods for reducing high order hall plate sensitivity temperature coefficients |
DE112018000561T5 (de) * | 2017-01-27 | 2019-10-24 | Mitsubishi Electric Corporation | Element-einheit mit magnetoresistivem effekt und vorrichtung mit element-einheit mit magnetoresistivem effekt |
US10310028B2 (en) | 2017-05-26 | 2019-06-04 | Allegro Microsystems, Llc | Coil actuated pressure sensor |
US10641842B2 (en) | 2017-05-26 | 2020-05-05 | Allegro Microsystems, Llc | Targets for coil actuated position sensors |
US10996289B2 (en) | 2017-05-26 | 2021-05-04 | Allegro Microsystems, Llc | Coil actuated position sensor with reflected magnetic field |
US11428755B2 (en) | 2017-05-26 | 2022-08-30 | Allegro Microsystems, Llc | Coil actuated sensor with sensitivity detection |
US10837943B2 (en) | 2017-05-26 | 2020-11-17 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor with error calculation |
US10324141B2 (en) | 2017-05-26 | 2019-06-18 | Allegro Microsystems, Llc | Packages for coil actuated position sensors |
US10739165B2 (en) * | 2017-07-05 | 2020-08-11 | Analog Devices Global | Magnetic field sensor |
US10520559B2 (en) | 2017-08-14 | 2019-12-31 | Allegro Microsystems, Llc | Arrangements for Hall effect elements and vertical epi resistors upon a substrate |
US10866117B2 (en) | 2018-03-01 | 2020-12-15 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field influence during rotation movement of magnetic target |
JP6900936B2 (ja) * | 2018-06-08 | 2021-07-14 | Tdk株式会社 | 磁気検出装置 |
US11255700B2 (en) | 2018-08-06 | 2022-02-22 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor |
US10823586B2 (en) | 2018-12-26 | 2020-11-03 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor having unequally spaced magnetic field sensing elements |
US11061084B2 (en) | 2019-03-07 | 2021-07-13 | Allegro Microsystems, Llc | Coil actuated pressure sensor and deflectable substrate |
AU2020272196A1 (en) * | 2019-04-11 | 2021-08-05 | Tdw Delaware, Inc. | Pipeline tool with composite magnetic field for inline inspection |
US10955306B2 (en) | 2019-04-22 | 2021-03-23 | Allegro Microsystems, Llc | Coil actuated pressure sensor and deformable substrate |
US11280637B2 (en) | 2019-11-14 | 2022-03-22 | Allegro Microsystems, Llc | High performance magnetic angle sensor |
US11237020B2 (en) | 2019-11-14 | 2022-02-01 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor having two rows of magnetic field sensing elements for measuring an angle of rotation of a magnet |
US11194004B2 (en) | 2020-02-12 | 2021-12-07 | Allegro Microsystems, Llc | Diagnostic circuits and methods for sensor test circuits |
US11169223B2 (en) | 2020-03-23 | 2021-11-09 | Allegro Microsystems, Llc | Hall element signal calibrating in angle sensor |
US11262422B2 (en) | 2020-05-08 | 2022-03-01 | Allegro Microsystems, Llc | Stray-field-immune coil-activated position sensor |
JP7173104B2 (ja) | 2020-07-21 | 2022-11-16 | Tdk株式会社 | 磁気センサ |
US11493361B2 (en) | 2021-02-26 | 2022-11-08 | Allegro Microsystems, Llc | Stray field immune coil-activated sensor |
US11630130B2 (en) | 2021-03-31 | 2023-04-18 | Allegro Microsystems, Llc | Channel sensitivity matching |
US11578997B1 (en) | 2021-08-24 | 2023-02-14 | Allegro Microsystems, Llc | Angle sensor using eddy currents |
US11994541B2 (en) | 2022-04-15 | 2024-05-28 | Allegro Microsystems, Llc | Current sensor assemblies for low currents |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4533872A (en) * | 1982-06-14 | 1985-08-06 | Honeywell Inc. | Magnetic field sensor element capable of measuring magnetic field components in two directions |
DE3931780A1 (de) * | 1988-09-26 | 1990-03-29 | Hl Planartechnik Gmbh | Magnetisches feldeffekt-bauelement mit vier in einer brueckenschaltung angeordneten magnetfeldabhaengigen widerstaenden |
DE4121374A1 (de) * | 1991-06-28 | 1993-01-07 | Lust Electronic Systeme Gmbh | Kompensierter magnetfeldsensor |
EP0544479A2 (de) * | 1991-11-26 | 1993-06-02 | Honeywell Inc. | Magnetfeldfühler |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59214784A (ja) * | 1983-05-20 | 1984-12-04 | Canon Inc | 磁気センサ装置 |
DE3442278A1 (de) * | 1984-11-20 | 1986-05-22 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Magnetfeldmessgeraet |
JPH07105006B2 (ja) * | 1985-11-05 | 1995-11-13 | ソニー株式会社 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
US4851771A (en) * | 1987-02-24 | 1989-07-25 | Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki Seisakusho | Magnetic encoder for detection of incremental and absolute value displacement |
GB2202635B (en) * | 1987-03-26 | 1991-10-30 | Devon County Council | Detection of magnetic fields |
JPH077012B2 (ja) * | 1987-08-18 | 1995-01-30 | 富士通株式会社 | 加速度センサ |
US4847584A (en) * | 1988-10-14 | 1989-07-11 | Honeywell Inc. | Magnetoresistive magnetic sensor |
JPH03223685A (ja) * | 1990-01-29 | 1991-10-02 | Fujitsu Ltd | 外部磁界検出センサ |
US5351005A (en) * | 1992-12-31 | 1994-09-27 | Honeywell Inc. | Resetting closed-loop magnetoresistive magnetic sensor |
-
1993
- 1993-06-09 DE DE4319146A patent/DE4319146C2/de not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-05-31 WO PCT/EP1994/001789 patent/WO1994029740A1/de not_active Application Discontinuation
- 1994-05-31 EP EP94920425A patent/EP0654145A1/de not_active Withdrawn
- 1994-05-31 US US08/374,795 patent/US5521501A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-05-31 JP JP50127195A patent/JP3465059B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4533872A (en) * | 1982-06-14 | 1985-08-06 | Honeywell Inc. | Magnetic field sensor element capable of measuring magnetic field components in two directions |
DE3931780A1 (de) * | 1988-09-26 | 1990-03-29 | Hl Planartechnik Gmbh | Magnetisches feldeffekt-bauelement mit vier in einer brueckenschaltung angeordneten magnetfeldabhaengigen widerstaenden |
DE4121374A1 (de) * | 1991-06-28 | 1993-01-07 | Lust Electronic Systeme Gmbh | Kompensierter magnetfeldsensor |
EP0544479A2 (de) * | 1991-11-26 | 1993-06-02 | Honeywell Inc. | Magnetfeldfühler |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JESSEN, J., PETERSEN, A., KOCH, J.: Eigenschaften und Anwendungen der Magnetfeld- sensoren KMZ, In: Technische Informationen 9012228 von Philips Components, 1990, S. 1-15 * |
Cited By (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5719494A (en) * | 1994-10-15 | 1998-02-17 | Lust Antriebstechnik Gmbh | Sensor assembly |
EP0707218A3 (de) * | 1994-10-15 | 1996-08-14 | Lust Antriebstechnik Gmbh | Sensorchip |
DE19521617C1 (de) * | 1995-06-14 | 1997-03-13 | Imo Inst Fuer Mikrostrukturtec | Sensorchip zur Bestimmung eines Sinus- und eines Cosinuswertes sowie seine Verwendung zum Messen eines Winkels und einer Position |
DE19648879C2 (de) * | 1996-11-26 | 2000-04-13 | Inst Mikrostrukturtechnologie | Magnetfeldsensor mit parallelen magnetoresistiven Schichtstreifen |
DE19722834B4 (de) * | 1997-05-30 | 2014-03-27 | Sensitec Gmbh | Magnetoresistives Gradiometer in Form einer Wheatstone-Brücke zur Messung von Magnetfeldgradienten sowie dessen Verwendung |
DE19810838A1 (de) * | 1998-03-12 | 1999-09-16 | Siemens Ag | Sensorsubstrat für mangetoresistive Sensoren mit einer Substratschicht und darauf angeordneten Sensorelementen |
DE19810838C2 (de) * | 1998-03-12 | 2002-04-18 | Siemens Ag | Sensoreinrichtung mit mindestens einem magnetoresistiven Sensor auf einer Substratschicht eines Sensorsubstrats |
DE102005047413B4 (de) * | 2005-02-21 | 2012-01-05 | Infineon Technologies Ag | Magnetoresistives Sensorelement und Verfaheren zum Durchführen eines On-Wafer-Funktionstests, sowie Verfahren zur Herstellung von Magnetfeldsensorelementen und Verfahren zur Herstellung von Magnetfeldsensorelementen mit On-Wafer-Funktionstest |
DE102005047413A1 (de) * | 2005-02-23 | 2006-09-14 | Infineon Technologies Ag | Magnetoresistives Sensorelement und Konzept zum Herstellen und Testen desselben |
US7323870B2 (en) | 2005-02-23 | 2008-01-29 | Infineon Technologies Ag | Magnetoresistive sensor element and method of assembling magnetic field sensor elements with on-wafer functional test |
DE102005047413B8 (de) * | 2005-02-23 | 2012-05-10 | Infineon Technologies Ag | Magnetfeldsensorelement und Verfahren zum Durchführen eines On-Wafer-Funktionstests, sowie Verfahren zur Herstellung von Magnetfeldsensorelementen und Verfahren zur Herstellung von Magnetfeldsensorelementen mit On-Wafer-Funktionstest |
DE102006046739A1 (de) * | 2006-09-29 | 2008-04-03 | Siemens Ag | Magnetfeldsensor |
DE102006046739B4 (de) * | 2006-09-29 | 2008-08-14 | Siemens Ag | Verfahren zum Betreiben eines Magnetfeldsensors und zugehöriger Magnetfeldsensor |
DE102006046736B4 (de) * | 2006-09-29 | 2008-08-14 | Siemens Ag | Verfahren zum Betreiben eines Magnetfeldsensors und zugehöriger Magnetfeldsensor |
DE102006046736A1 (de) * | 2006-09-29 | 2008-04-10 | Siemens Ag | Verfahren zum Betreiben eines Magnetfeldsensors und zugehöriger Magnetfeldsensor |
WO2008146184A3 (en) * | 2007-05-29 | 2009-01-29 | Nxp Bv | External magnetic field angle determination |
CN101680740B (zh) * | 2007-05-29 | 2011-06-01 | Nxp股份有限公司 | 外部磁场角度确定 |
WO2008146184A2 (en) * | 2007-05-29 | 2008-12-04 | Nxp B.V. | External magnetic field angle determination |
US10209321B2 (en) | 2007-05-29 | 2019-02-19 | Nxp B.V. | External magnetic field angle determination |
DE102007040183A1 (de) | 2007-08-25 | 2009-03-05 | Sensitec Naomi Gmbh | Magnetfeldsensor zur Erfassung eines äußeren magnetischen Felds, insbesondere des Erdmagnetfelds, sowie mit solchen Magnetfeldsensoren gebildetes Magnetfeldsensorsystem |
US7923987B2 (en) | 2007-10-08 | 2011-04-12 | Infineon Technologies Ag | Magnetic sensor integrated circuit with test conductor |
US8559139B2 (en) | 2007-12-14 | 2013-10-15 | Intel Mobile Communications GmbH | Sensor module and method for manufacturing a sensor module |
US8080993B2 (en) | 2008-03-27 | 2011-12-20 | Infineon Technologies Ag | Sensor module with mold encapsulation for applying a bias magnetic field |
WO2014177436A1 (de) * | 2013-05-02 | 2014-11-06 | Sensitec Gmbh | Magnetfeldsensorvorrichtung |
CN105190340A (zh) * | 2013-05-02 | 2015-12-23 | 森斯泰克有限公司 | 磁场传感器装置 |
US9903920B2 (en) | 2013-05-02 | 2018-02-27 | Sensitec Gmbh | Magnetic field sensor device |
WO2019185094A1 (de) * | 2018-03-29 | 2019-10-03 | Schaeffler Technologies AG & Co. KG | Magnetfeldsensoranordnung und anordnung zum messen eines drehmomentes sowie verfahren zum herstellen der magnetfeldsensoranordnung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5521501A (en) | 1996-05-28 |
DE4319146C2 (de) | 1999-02-04 |
WO1994029740A1 (de) | 1994-12-22 |
EP0654145A1 (de) | 1995-05-24 |
JP3465059B2 (ja) | 2003-11-10 |
JPH08503778A (ja) | 1996-04-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE4319146A1 (de) | Magnetfeldsensor, aufgebaut aus einer Ummagnetisierungsleitung und einem oder mehreren magnetoresistiven Widerständen | |
DE69228654T2 (de) | Magnetfeldfühler | |
DE19580095C2 (de) | Sensor mit magnetoresistiven Elementen | |
DE19539722C2 (de) | Vorrichtung zur Erfassung einer Änderung eines Winkels oder der Feldstärke eines magnetischen Feldes | |
DE68912720T2 (de) | Magnetoresistiver Magnetfeldsensor. | |
EP0054626B1 (de) | Magnetoresistiver Stromdetektor | |
DE10342260B4 (de) | Magnetoresistiver Sensor in Form einer Halb- oder Vollbrückenschaltung | |
DE3933311C2 (de) | ||
DE2433645C3 (de) | Magnetoresistives Bauelement | |
DE4208927C2 (de) | Magnetischer Sensor und damit ausgerüsteter Positionsdetektor | |
EP0021291A1 (de) | Mengendurchflussmesser | |
EP0030041A1 (de) | Messwandler zum Messen eines insbesondere von einem Messstrom erzeugten Magnetfeldes | |
EP1324063B1 (de) | Magnetoresistiver Sensor | |
DE2614165A1 (de) | Magnetowiderstandsmagnetkopf | |
DE3440986A1 (de) | Anordnung zum erfassen eines stromes durch einen widerstand sowie anwendung | |
DE4327458C2 (de) | Sensorchip zur hochauflösenden Messung der magnetischen Feldstärke | |
DE19722834A1 (de) | Magnetoresistives Gradiometer in Form einer Wheatstone-Brücke zur Messung von Magnetfeldgradienten | |
EP0201682B1 (de) | Integrierter Drehzahlsensor mit magnetfeldabhängigen Sensorwiderständen | |
DE4212737C1 (en) | Compact bridge-connected sensor - has thin-film resistors on substrate | |
DE19648879C2 (de) | Magnetfeldsensor mit parallelen magnetoresistiven Schichtstreifen | |
EP0188772A2 (de) | Positionsgeber | |
DE112005003226T5 (de) | Verfahren zum Messen eines schwachen Magnetfelds und Magnetfeldsensor mit verbesserter Empfindlichkeit | |
DE29714612U1 (de) | Strom-Meßeinrichtung | |
DE4318716A1 (de) | Magnetfeldsensor in Form einer Brückenschaltung | |
DE4219908C2 (de) | Ferromagnetische Widerstandseinheit in Vollweg-Brückenschaltung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8125 | Change of the main classification |
Ipc: G01R 33/06 |
|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: SENSITEC GMBH, 35633 LAHNAU, DE |
|
R071 | Expiry of right | ||
R071 | Expiry of right |