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DE4034211C1 - Coating interior of pipe-glass tube - comprises coupling HF energy to tube using resonator to deliver pulsed microwave discharges - Google Patents

Coating interior of pipe-glass tube - comprises coupling HF energy to tube using resonator to deliver pulsed microwave discharges

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Publication number
DE4034211C1
DE4034211C1 DE19904034211 DE4034211A DE4034211C1 DE 4034211 C1 DE4034211 C1 DE 4034211C1 DE 19904034211 DE19904034211 DE 19904034211 DE 4034211 A DE4034211 A DE 4034211A DE 4034211 C1 DE4034211 C1 DE 4034211C1
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DE
Germany
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glass tube
frequency
resonators
coating
resonator
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
DE19904034211
Other languages
German (de)
Inventor
Volker Dipl.-Phys. Paquet
Ulrich Dr.Rer.Nat. 6500 Mainz De Ackermann
Hartmut Dipl.-Ing. 6203 Hochheim De Bauch
Ralf Th. Prof. Dr. 6239 Bremthal De Kersten
Juergen Dr.Rer.Nat. 6500 Mainz De Otto
Eberhard Dr.-Ing. 7148 Remseck De Raeuchle
Guenter Dipl.-Ing. 6509 Armsheim De Weidmann
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Schott AG
Original Assignee
Schott Glaswerke AG
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Publication date
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Abstract

In a process for coating the interior of glass tubes, high frequency energy is coupled to the tube via several high frequency resonators arranged adjacent to and spaced from each other in the coating zone. The resonators, which are coaxial with the tube, are independently switched and controlled and pref. operated at 2.45 GH for pulsed microwave discharges in a reaction gas flowing through the tube. ADVANTAGE - Improved axial coating homogeneity.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Innenbeschichtung von Rohren aus Glas durch plasmaimpulsinduzierte chemische Dampfphasenabscheidung (PICVD-Verfahren), bei dem durch eine gepulste Mikrowellenentladung aus einem durch das zu beschichtende Glasrohr fließenden Reaktionsgas eine Folge von Schichten auf der Innenseite des Glasrohres abgeschieden wird. Die Erfindung betrifft auch eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens.The present invention relates to a method for Internal coating of tubes made of glass plasma pulse induced chemical Vapor deposition (PICVD process), in which through a pulsed microwave discharge from a flowing through the glass tube to be coated Reaction gas a sequence of layers on the Is deposited inside the glass tube. The The invention also relates to a device for Execution of the procedure.

Verfahren zur Innenbeschichtung von Glasrohren unter Einsatz eines Plasmas (z. B. PCVD, PICVD) sind allgemeiner Stand der Technik. Dabei werden auf die Innenseite eines Glasrohres dünne Schichten aus dotiertem Quarzglas abgeschieden. Durch die Wahl und die Konzentration des Dotierungsmittels der einzelnen Schichten wird dabei der gewünschte radiale Brechzahlverlauf eingestellt.Process for the interior coating of glass tubes under Use of a plasma (e.g. PCVD, PICVD) general state of the art. In doing so, the Inside of a glass tube from thin layers deposited doped quartz glass. By choosing and the concentration of the dopant individual layers is the desired one radial refractive index curve set.

Ein Verfahren zur Rohrinnenbeschichtung nach dem PICVD-Verfahren ist beispielsweise aus der EP-A-00 36 191 und aus U. Ackermann et al., "Schott: Möglichkeiten eines Spezialfaserherstellers", SPRECHSAAL, Vol. 122, Nr. 5, S. 461-466 (1989) bekannt, wobei bei letzterer die PICVD-Technik zur Fertigung von Lichtwellenleitern angewendet wird, um unterschiedliche Brechzahlverläufe zu realisieren.A method for coating the inside of the pipe PICVD method is for example from the EP-A-00 36 191 and from U. Ackermann et al., "Schott: Possibilities of a special fiber manufacturer ", SPRECHSAAL, Vol. 122, No. 5, pp. 461-466 (1989) known, the latter using the PICVD technology for Manufacturing of optical fibers is applied to to realize different refractive index curves.

Beim PICVD-Verfahren wird das Plasma durch eine gepulste Mikrowellenentladung erzeugt. In the PICVD process, the plasma is pulsed microwave discharge generated.  

Die Reaktionsgase und Dotierungsmittel werden durch das von einem kürzeren inneren und einem längeren äußeren Metallrohr umgebene zu beschichtende Glasrohr geleitet. Dabei hält ein um diese koaxialen Rohre herum angeordneter Ofen die Temperatur im Beschichtungsbereich auf der erforderlichen Höhe von ca. 1373 K.The reaction gases and dopants are through that of a shorter inner and a longer one outer metal pipe to be coated Glass pipe passed. One stops around this coaxial Tubes arranged around the temperature in the Coating area at the required level of approx. 1373 K.

Während eines Mikrowellenpulses zündet das Plasma zunächst am Ende des kürzeren inneren Rohres. Von dort breitet sich das Plasma durch das Glasrohr aus und ermöglicht die Ausbreitung der Mikrowelle durch dieses aus der Plasmasäule und dem metallischen Außenleiter gebildete koaxiale System ("Plasmakabel") hindurch bis zum Ende des Beschichtungsbereiches (vergleiche H. Bauch et al., "Chemical Vapour Deposition in Microwave Produced Plasma for Fibre Preforms", J. Opt. Commun. B, 130-135 (1987)). Die maximale Länge der Plasmasäule wird je nach Betriebsart entweder durch die Dauer des Mikrowellenpulses begrenzt (zeitliche Begrenzung) oder durch die Dämpfung der Mikrowelle bei der Ausbreitung längs des Plasmakabels (räumliche Begrenzung), da bei Unterschreitung eines Schwellwertes der Mikrowellenleistung am Ende der Plasmasäule keine Zündung mehr erfolgt. Eine solche Verfahrensweise ist auch aus der DE 38 30 089 A1 bekannt, bei der eine große Anzahl dünne dielektrische Schichten erzeugt werden, um planare Glassubstrate herzustellen.The plasma ignites during a microwave pulse initially at the end of the shorter inner tube. From there the plasma spreads through the glass tube and allows the microwave to spread through this from the plasma column and the metallic Coaxial system formed outer conductor ("Plasma cable") through to the end of the Coating area (see H. Bauch et al., "Chemical Vapor Deposition in Microwave Produced Plasma for Fiber Preforms ", J. Opt. Commun. B, 130-135 (1987)). The maximum length of the plasma column depending on the operating mode, either by the duration of the microwave pulse limited (temporal Limitation) or by damping the microwave when spreading along the plasma cable (spatial limitation), because when falling below a Threshold value of the microwave power at the end of the Plasma column no longer ignited. Such Procedure is also from DE 38 30 089 A1 known to have a large number of thin dielectric layers are created to be planar To manufacture glass substrates.

Ein Nachteil dieses Verfahrens besteht darin, daß das Plasma auf das zu beschichtende Glasrohr in Abhängigkeit von der axialen Koordinate unterschiedlich lang und stark einwirkt, da sich Amplitude und Einwirkdauer des Mikrowellenpulses wegen der axialen Dämpfung der Mikrowelle und der endlichen Ausbreitungsgeschwindigkeit der Plasmazündfront axial kontinuierlich verkleinern. Als Folge davon werden bei Rohrinnenbeschichtungen z. B. Dotierstoffe, deren Einbaugrad von der Schichttemperatur und der mittleren Mikrowellenleistung abhängt, axial unterschiedlich stark eingebaut. Im Beschichtungsbereich sind dann die Eigenschaften der Beschichtung axial ungleich, was im allgemeinen unerwünscht ist.A disadvantage of this method is that the plasma onto the glass tube to be coated Dependence on the axial coordinate acts differently and strongly because Amplitude and exposure time of the microwave pulse  because of the axial damping of the microwave and the finite rate of propagation of the Reduce the plasma ignition front axially continuously. As a result, pipe interior coatings e.g. B. dopants, the degree of installation of the Layer temperature and the mean Microwave power depends, axially different heavily built. Then in the coating area the properties of the coating are axially unequal, which is generally undesirable.

Außerdem führt die in Richtung der Mikrowellenausbreitung abfallende Mikrowellenleistung zu einer Temperaturverteilung innerhalb des Rohrs, deren Maximum in der Nähe der Mikrowelleneinkopplung liegt. Die maximal zulässige mittlere Mikrowellenleistung wird dadurch begrenzt, daß das Rohr an dieser Stelle bei Überschreitung eines Schwellenwertes Pw der mittleren Mikrowellenleistung infolge der zusätzlichen Ofenhitze erweicht und sich verformt.It also leads towards the Microwave propagation declining Microwave power to a temperature distribution inside the tube, the maximum of which is near the Microwave coupling lies. The maximum allowable mean microwave power is limited that the pipe is exceeded at this point a threshold value Pw of the middle Microwave power due to the additional Oven heat softens and deforms.

Eine Vergrößerung der Länge der Beschichtungszone durch Erhöhen der Mikrowellenpulsleistung ist wegen der oben gen. Überhitzung des Rohres in der Nähe der Einkopplungsstelle nur begrenzt möglich.An increase in the length of the coating zone by increasing the microwave pulse power is due to of the above. Overheating of the pipe near the Coupling point only possible to a limited extent.

Durch den Abfall der Mikrowellenleistung in Ausbreitungsrichtung der Mikrowelle ergibt sich bei vorgegebener Beschichtungslänge eine Begrenzung der maximal möglichen Beschichtungsrate aus folgendem Grund. Um das Plasma am einkoppelfernen Ende zu zünden, muß dort die Leistungsdichte der Mikrowelle über einem Schwellwert Ps liegen. Dieser Schwellwert und auch die Stärke des axialen Leistungsabfalls steigen an, wenn etwa die Beschichtungsrate durch Erhöhung des Drucks vergrößert wird. Da die Mikrowellenleistung am einkoppelseitigen Ende ein Vielfaches von Ps beträgt aber nicht größer als Pw werden darf, ergibt sich eine obere Grenze für die Mikrowellenleistung und damit die Beschichtungsrate. Für viele Beschichtungen ist jedoch eine möglichst hohe Beschichtungsrate erwünscht.Due to the drop in microwave power in The direction of propagation of the microwave results in given coating length a limitation of maximum possible coating rate from the following Reason. To the plasma at the distal end ignite, the power density of the microwave must be there are above a threshold value Ps. This threshold and also the amount of axial power drop increase when the coating rate goes through Increasing the pressure is increased. Since the  Microwave power at the coupling end However, multiples of Ps are not greater than Pw there is an upper limit for the Microwave power and thus the coating rate. However, one is possible for many coatings high coating rate desired.

Ein weiteres Verfahren zur Innenbeschichtung ist das PCVD-Verfahren. Dabei wird zur Verbesserung der axialen Schichthomogenität ein Plasmaerzeuger axial entlang des Glasrohres bewegt und dadurch die Mikrowellenleistung kontinuierlich dem Plasma zugeführt (vergleiche P. Bachmann "Review of plasma deposition applications: preparation of optical waveguides", Pure & Appl. Chem., Vol. 57, 1299-1310 (1985) und H.v.Seefeld "Glasabscheidung aus der Gasphase", PLASMATECHNOLOGIE, Oberfläche + JOT, Heft 3, S. 24/25 (1990) i.V.m. P. Geittner "Low-loss optical fibers prepared by plasma-activated chemical vapor deposition (CVD)", Applied Physics Letters, Vol. 28, Nr. 11, S 645/646 (1976)). So ist aus der DE 32 22 189 C2 ein Plasmaverfahren zur Innenbeschichtung von Rohren bekannt, bei dem die Verschiebung der Abscheidezone durch elektrische Mittel bewirkt wird. Durch ein Hochfrequenzfeld wird eine Plasmasäule erzeugt, deren Länge durch Änderung der eingespeisten Hochfrequenzleistung variiert wird, wobei die Abscheidezone mittels eines Mikrowellengenerators längs der Rohrachse elektrisch bewegt wird. Bei dem PCVD-Verfahren nach D. Küppers et al., "Codeposition of Glassy Silica and Germania Inside a Tube by Plasma-Activated CVD", J. Electrochem. Soc., Vol. 123, Nr. 7, S. 1079-1083 (1976) werden auf diese Weise eine sehr große Anzahl von Schichten erzeugt. Another method for interior coating is that PCVD procedure. Doing so will improve axial layer homogeneity a plasma generator axially moved along the glass tube and thereby the Microwave power continuously the plasma supplied (see P. Bachmann "Review of plasma deposition applications: preparation of optical waveguides ", Pure & Appl. Chem., Vol. 57, 1299-1310 (1985) and H.v.Seefeld "Glass separation from the Gas phase ", PLASMA TECHNOLOGY, surface + JOT, Issue 3, pp. 24/25 (1990) in conjunction. P. Geittner "Low loss optical fibers prepared by plasma-activated chemical vapor deposition (CVD) ", Applied Physics Letters, Vol. 28, No. 11, S 645/646 (1976)). So is from the DE 32 22 189 C2 a plasma process for Inner coating of pipes known in which the Displacement of the separation zone by electrical Means is effected. Through a radio frequency field creates a plasma column, the length of which changes the high-frequency power fed in varies is, the separation zone by means of a Microwave generator along the tube axis electrically is moved. In the PCVD process according to D. Küppers et al., "Codeposition of Glassy Silica and Germania Inside a tube by plasma activated CVD ", J. Electrochemical. Soc., Vol. 123, No. 7, pp. 1079-1083 (1976) become a very large number in this way generated by layers.  

Ein wesentlicher Nachteil dieser PCVD-Technik liegt allerdings in der Tatsache, daß durch diese axiale Bewegung des Mikrowellengenerators entlang des Rohres der Aufbau einer Beschichtung aus sehr dünnen Einzelschichten sehr zeitaufwendig ist. Insbesondere wird bei der Herstellung von Vorformen für Lichtwellenleiter eine solche Apparatur sehr aufwendig und damit auch teuer, da zum einen die mechanische Bewegung bei diesem Prozeß sehr präzise sein muß und zum anderen die elektrischen Zuleitungen des bewegten Plasmaerzeugers durch den den Beschichtungsbereich umgebenden Ofen hindurchgeführt werden müssen.A major disadvantage of this PCVD technology lies however in the fact that through this axial Movement of the microwave generator along the Tube building a coating of very thin Single layers is very time consuming. In particular is used in the manufacture of preforms for Optical fiber such an apparatus very much complex and therefore also expensive, because on the one hand the mechanical movement very precise in this process must be and secondly the electrical Feed lines of the moving plasma generator through the furnace surrounding the coating area must be passed through.

Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren und eine Vorrichtung der eingangs angegebenen Art zu schaffen, mit dem in einfacher Weise die axiale Schichthomogenität verbessert und die Wirtschaftlichkeit des Verfahrens gesteigert werden kann. Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine möglichst hohe Beschichtungsrate im Beschichtungsbereich zu erhalten, ohne daß das zu beschichtende Rohr durch Erweichen und Verformen unbrauchbar wird.The present invention is therefore the object based on a method and an apparatus of to create the type specified at the beginning, with the the axial layer homogeneity in a simple manner improves and the economics of the process can be increased. Another job of The present invention is as high as possible Coating rate in the coating area too obtained without the pipe to be coated through Softening and deforming becomes unusable.

Nach der Erfindung werden diese Aufgaben mit dem Verfahren nach dem Anspruch 1 und der Vorrichtung nach dem Anspruch 10 gelöst.According to the invention, these tasks with the Method according to claim 1 and the device solved according to claim 10.

Erfindungsgemäß werden mehrere Hochfrequenz­ resonatoren im Beschichtungsbereich derart auf dem Glasrohr beabstandet angeordnet, daß ihre Achsen mit der Glasrohrachse zusammenfallen und sich ihre Hochfrequenzfelder teilweise überlagern können. Zur Übertragung der Hochfrequenzleistung in das Plasma können dabei diese Hochfrequenzresonatoren unabhängig geschaltet und gesteuert werden. According to the invention, several radio frequencies resonators in the coating area on the Glass tube spaced that their axes with the glass tube axis coincide and become theirs High frequency fields can partially overlap. To Transmission of the high-frequency power into the plasma can use these high-frequency resonators can be switched and controlled independently.  

Die Übertragung der Hochfrequenzleistung erfolgt also auf diese Weise nicht von einer einzigen Einkoppelstelle aus in axialer Richtung des zu beschichtenden Glasrohres, sondern azimutal von jedem der Resonatoren aus, wobei die Abmessungen der Resonatoren so gewählt werden, daß nur bestimmte Moden im Resonator entstehen können.The radio frequency power is transmitted in this way not from a single one Coupling point in the axial direction of the coating glass tube, but azimuthal from each of the resonators, the dimensions of the Resonators are chosen so that only certain Modes can arise in the resonator.

Dieses Verfahren hat den Vorteil, daß sowohl die Temperaturbelastung für das zu beschichtende Glasrohr deutlich unter der Verformungstemperatur gehalten werden kann als auch gleichzeitig eine gleichmäßige Beschichtung über die gesamte zu beschichtende Rohrlänge erzielt wird.This method has the advantage that both the Temperature load for the thing to be coated Glass tube significantly below the deformation temperature can be held as well as a uniform coating over the entire too coating tube length is achieved.

Der Abstand der Resonatoren voneinander wird dabei so gewählt, daß sich durch die Überlagerung der Hochfrequenzfelder von der Mitte des einen bis zur Mitte des benachbarten Resonators ein im wesentlichen konstantes Plasma im Glasrohr einstellt. Dieser Abstand kann leicht experimentell bestimmt werden.The spacing of the resonators from one another is thereby chosen so that the superimposition of the High frequency fields from the middle of the one to the Middle of the adjacent resonator an im sets substantially constant plasma in the glass tube. This distance can easily be determined experimentally will.

Dazu wird zunächst zwischen den Resonatoren ein Abstand von z. B. einer halben Resonatorbreite eingestellt und eine Beschichtung von z. B. fluordotiertem SiO2 durchgeführt. Dabei fällt der Einbaugrad von Fluor in die Schicht und die so erhaltene Brechzahldifferenz zu undotiertem SiO2 mit wachsender Substrattemperatur ab. Die Substrattemperatur ihrerseits steigt mit der Mikrowellenleistung an.For this purpose, a distance of z. B. half a resonator width and a coating of z. B. fluorine-doped SiO 2 . The degree of incorporation of fluorine into the layer and the refractive index difference to undoped SiO 2 thus obtained decrease with increasing substrate temperature. The substrate temperature in turn increases with the microwave power.

Der axiale Verlauf beispielsweise der Brechzahldifferenz von Schicht und Substratrohr aus Quarzglas wird nun gemessen. Je nach Größe und Öffnungsdurchmesser an den Stirnseiten des Resonators kann die Brechzahldifferenz im Bereich zwischen den Resonatoren (= Zwischenbereich) größer oder kleiner sein als die Brechzahldifferenz im Resonatorbereich.The axial course of the Refractive index difference from layer and substrate tube Quartz glass is now measured. Depending on the size and  Opening diameter at the front of the Resonators can be the difference in refractive index in the range between the resonators (= intermediate area) larger or less than the refractive index difference in Resonator area.

Ist die Brechzahldifferenz im Zwischenbereich größer, ist die Mikrowellenleistung im Zwischenbereich zu klein; um die Mikrowellenleistung zu vergrößern muß der Abstand der Resonatoren verkleinert werden.Is the refractive index difference in the intermediate range the microwave power in the Intermediate area too small; about the microwave power the distance between the resonators must be increased be made smaller.

Ist die Brechzahldifferenz im Zwischenbereich kleiner, dann ist die Mikrowellenleistung im Zwischenbereich zu groß; um die Mikrowellenleistung zu reduzieren, muß der Abstand vergrößert werden.Is the refractive index difference in the intermediate range smaller, then the microwave power in the Intermediate area too large; about the microwave power to reduce, the distance must be increased.

Auf diese Weise kann mit wenigen Versuchen iterativ der Abstand gefunden werden, bei dem der Unterschied der Brechzahl im Resonator und im Zwischenbereich unter einen vorgegenenen Wert gebracht werden kann. Das auf diese oben beschriebene Weise erhaltene axial homogene Plasma entsteht durch Überlagerung der Mikrowellenfelder von mehreren, separat regelbaren Einzelresonatoren. Dies bietet den Vorteil, daß selbst geringe Abweichungen von der Homogenität der Beschichtung durch die Möglichkeit, die einzelnen Resonatoren unabhängig zu schalten und zu steuern, ausgeglichen werden können.This way it can be iterative with a few tries the distance can be found at which the difference the refractive index in the resonator and in the intermediate range can be brought under an opposite value. The one obtained in this manner described above axially homogeneous plasma is created by superimposition the microwave fields of several, separately controllable individual resonators. This offers the Advantage that even slight deviations from the Homogeneity of the coating due to the possibility to switch the individual resonators independently and to control, can be balanced.

Bei einer bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens werden zwei benachbarte Resonatoren gerade so betrieben, daß man bei einem Puls die Leistung des einen um gerade den Wert erniedrigt, um den die Leistung des benachbarten Resonators erhöht wird. Beim nachfolgenden Puls werden die Resonatoren mit vertauschter Leistung betrieben. Dies hat den Vorteil, daß der Zwischenbereich bei geringer thermischer Belastung des Resonatorbereichs gleichmäßiger beschichtet werden kann, da die Mikrowellen stärker auskoppeln.In a preferred embodiment of the inventive method are two neighboring Operated resonators just so that one Pulse the performance of one by just the value degraded by the performance of the neighboring Resonators is increased. At the following pulse become the resonators with reversed power  operated. This has the advantage that the Intermediate area with low thermal load of the resonator area coated more uniformly because the microwaves couple out more.

Zweckmäßigerweise werden dabei solche Resonatoren verwendet, deren elektrische Felder azimutal konstant sind, da dann auch die Beschichtung azimutal homogen ist.Such resonators are expedient used whose electric fields are azimuthal are constant because then the coating is azimuthally homogeneous.

Die Homogenisierung der Beschichtung kann entsprechend dem erfindungsgemäßen Verfahren zusätzlich dadurch verbessert werden, daß man das Rohr um seine Längsachse rotieren läßt.The coating can be homogenized according to the inventive method can also be improved in that the Can rotate tube about its longitudinal axis.

In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung kann das Rohr zusätzlich noch in axialer Richtung durch an sich bekannte Mittel vor- und zurückbewegt werden, wobei eine Verschiebung des Glasrohres um jeweils eine halbe Resonatorbreite besonders bevorzugt ist, da dann eventuell vorhandene Ungleichmäßigkeiten des Plasmas auch im Resonatorbereich ausgeglichen werden können.In a further embodiment of the invention can through the pipe in the axial direction known means to move back and forth be, with a shift of the glass tube by half a resonator width each is preferred, since then possibly existing Irregularities in the plasma also in the Resonator range can be compensated.

Ebenso kann die Vergleichmäßigung der Beschichtung durch eine geeignete Wahl des Öffnungsdurchmessers in den Stirnseiten der Resonatoren erreicht werden, durch die das zu beschichtende Glasrohr hindurch­ geführt ist. Wird z. B. der Öffnungsdurchmesser vergrößert, kann ein stärkeres Mikrowellenfeld austreten, so daß ein größerer Zwischenbereich vergleichmäßigt werden kann. Da durch diese Maßnahme gleichzeitig aber auch das Mikrowellenfeld im Resonator beeinflußt wird, muß je nach Anwendungs­ fall ein Kompromiß gefunden werden.The coating can also be made more uniform through a suitable choice of the opening diameter can be reached in the front sides of the resonators, through which the glass tube to be coated passes is led. Is z. B. the opening diameter enlarged, can have a stronger microwave field emerge so that a larger intermediate area can be equalized. As by this measure but at the same time also the microwave field in the Resonator is affected, depending on the application if a compromise is found.

Durch die Möglichkeit der unabhängigen Steuerung und Schaltung der einzelnen Resonatoren läßt sich eine Verbesserung des Beschichtungsverfahrens auch aufgrund einer zeitlichen Variation der Hochfrequenzleistung der Resonatoren erreichen. Wird beispielsweise der in Gasflußrichtung jeweils benachbarte Resonator um eine bestimmte Zeitspanne später als der vorhergehende geschaltet, so wird eine definierte Ausbreitung der Plasmazündfront und gleiche Brenndauer des Plasmas auf der ganzen Beschichtungslänge gewährleistet. Es kann auch ein beliebiger Resonator zuerst und die jeweiligen Nachbarn um diese bestimmte Zeitspanne versetzt gezündet werden. Diese Zeitspanne sollte im Verhältnis zur Impulsdauer klein sein. Ein bevorzugter Wert für diese Zeitspanne liegt in der Größenordnung von 10 Mikrosekunden.Due to the possibility of independent control and  The individual resonators can be switched Improvement of the coating process too due to a temporal variation of the Achieve high frequency performance of the resonators. Becomes for example, each in the gas flow direction neighboring resonator for a certain period of time switched later than the previous one, so becomes a defined spread of the plasma ignition front and same burning time of the plasma all over Coating length guaranteed. It can also be a any resonator first and the respective one Neighbors offset by this certain amount of time be ignited. This period should be in Ratio to the pulse duration be small. A preferred value for this period is in the Of the order of 10 microseconds.

Die Hochfrequenzresonatoren werden mit einer Frequenz zwischen 800 MHz und 4 GHz, vorzugsweise mit 2,45 GHz betrieben.The high-frequency resonators are equipped with a Frequency between 800 MHz and 4 GHz, preferably operated at 2.45 GHz.

Die Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens weist entlang des Beschichtungsbereiches des Glasrohres mehrere über- oder nebeneinander mit Abstand statisch angeordnete, durch bekannte Befestigungsmittel gehaltene Einzelresonatoren auf, die das zu beschichtende Glasrohr umschließen, so daß deren Achsen mit der Glasrohrachse zusammenfallen.The device for carrying out the inventive method has along the Coating area of the glass tube several over or statically arranged next to each other at a distance, held by known fasteners Individual resonators on that to be coated Enclose the glass tube so that its axes align with the Glass tube axis collapse.

Der Abstand der einzelnen Resonatoren voneinander wird dabei so gewählt, daß sich durch Überlagerung der Hochfrequenzfelder von der Mitte des einen bis zur Mitte des jeweils benachbarten Resonators ein konstantes Plasma einstellt.The distance between the individual resonators is chosen so that by superposition of high frequency fields from the middle of one to to the center of the adjacent resonator sets constant plasma.

Da die gesamte Anordnung in einem Ofenbereich bei Temperaturen zwischen 500 K und 1500 K, bevorzugt 1300 K betrieben wird, bestehen sowohl die Resonatoren als auch die Zuleitungen aus temperaturbeständigem Metall, vorzugsweise aus Platin. An den Zuleitungen wird der Innenleiter des koaxialen Rohrsystems durch Keramikkörper gegen den zylindrischen Außenleiter geschützt. Da die Hochfrequenzresonatoren nicht bewegt werden, kann eine relativ einfache und dadurch kostengünstigere Ofenkonstruktion gewählt werden.Since the entire arrangement in one furnace area  Temperatures between 500 K and 1500 K, preferred 1300 K is operated, both exist Resonators as well as the leads temperature-resistant metal, preferably made of Platinum. The inner conductor of the coaxial pipe system by ceramic body against the cylindrical outer conductor protected. Since the High frequency resonators cannot be moved a relatively simple and therefore cheaper Oven construction can be selected.

Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen in Verbindung mit den Zeichnungen näher erläutert.The invention is based on Embodiments in connection with the Drawings explained in more detail.

Es zeigen:Show it:

Fig. 1 eine schematische Querschnittszeichnung einer erfindungsgemäßen Anordnung von Hochfrequenzresonatoren entlang des Beschichtungsbereichs eines Glasrohres, Fig. 1 is a schematic cross-sectional drawing of an arrangement according to the invention of high-frequency resonators along the coating region of a glass tube,

Fig. 2 einen Querschnitt durch einen einzelnen Resonator, Fig. 2 shows a cross section through a single resonator,

Fig. 3 einen Querschnitt durch das zu beschichtende Glasrohr und einen Hochfrequenzresonator mit der Anordnung der Zuleitungen, und Fig. 3 shows a cross section through the glass tube to be coated and a high-frequency resonator with the arrangement of the leads, and

Fig. 4 ein Diagramm mit dem nach der Erfindung erzielten konstanten Brechzahlverlauf innerhalb des Beschichtungsbereiches für eine Anordnung mit drei Resonatoren. Fig. 4 is a diagram with the achieved according to the invention the constant refractive index profile within the coating area for an arrangement with three resonators.

Nach Fig. 1 liefert ein (nicht gezeigter) Gaserzeuger einen Strom von Reaktionsgasen in das Glasrohr 10, in dem die Reaktion stattfindet. Die Gasflußrichtung 9 wird durch den Pfeil in Fig. 1 dargestellt. Das Glasrohr 10 befindet sich in einer Anordnung 12 von Hochfrequenzresonatoren 14 zur Durchführung der Rohrinnenbeschichtung nach dem bekannten PICVD-Verfahren.According to Fig. 1 (not shown) gas generator provides a stream of reaction gases in the glass tube 10 in which the reaction takes place. The gas flow direction 9 is represented by the arrow in FIG. 1. The glass tube 10 is located in an arrangement 12 of high-frequency resonators 14 for carrying out the inner tube coating according to the known PICVD method.

Für einen Beschichtungsbereich von 60 cm Länge werden acht Einzelresonatoren 14 entlang des Beschichtungsbereiches angeordnet. Für eine Hochfrequenz von 2,45 GHz beträgt die Länge l jedes einzelnen Resonators 14 l=10 cm (siehe Fig. 2). Bei dieser Länge sind axiale Obermoden nicht ausbreitungsfähig. Der Abstand d der Einzelresonatoren 14 wird bis zu 1 cm gewählt. Auf diese Weise ist gewährleistet, daß auch die Randabschnitte des zu beschichtenden Bereichs abgedeckt werden.For a coating area of 60 cm in length, eight individual resonators 14 are arranged along the coating area. For a high frequency of 2.45 GHz, the length l of each individual resonator is 14 l = 10 cm (see FIG. 2). With this length, axial upper modes are not capable of spreading. The distance d between the individual resonators 14 is chosen up to 1 cm. This ensures that the edge portions of the area to be coated are also covered.

Damit nur die TMolo-Mode (azimutal-symmetrische Mode) ausbreitungsfähig ist, wird der Resonatorinnendurchmesser vorzugsweise zu dr=10 cm gewählt (s. Fig. 2).In order that only the TM olo mode (azimuthal-symmetric mode) can be propagated, the resonator inner diameter is preferably chosen to be d r = 10 cm (see FIG. 2).

Wie in Fig. 2 zu sehen ist, weist jeder Resonator 14 an seinen Stirnseiten 4, 5 Öffnungen 2, 3 auf, durch die das Glasrohr 10 hindurchgeführt ist. Die Stirnflächenöffnung eines jeden Resonators beträgt dö=3 cm. In diesem Fall kann ein ausreichend großer Teil der Mikrowellenenergie in benachbarte Resonatoren 14 überkoppeln, was zu einer Homogenisierung der Resonatorrandbereiche bezüglich der Energie führt.As can be seen in FIG. 2, each resonator 14 has on its end faces 4 , 5 openings 2 , 3 through which the glass tube 10 is passed. The face opening of each resonator is d ö = 3 cm. In this case, a sufficiently large part of the microwave energy can couple into adjacent resonators 14 , which leads to a homogenization of the resonator edge regions with regard to the energy.

Jeder einzelne Resonator 14 wird über eine koaxiale Leitung 16 mit einem Außendurchmesser von 30 mm mit Mikrowellenenergie versorgt. Im Mantel 6 des Resonators 14 sind z. B. zwei Einkoppelöffnungen 7, 8 eingebracht, die mit der Zuleitung 16 in Verbindung stehen. Die Komponente Ez der Mikrowellenfelder ist durch den Pfeil gekennzeichnet.Each individual resonator 14 is supplied with microwave energy via a coaxial line 16 with an outer diameter of 30 mm. In the jacket 6 of the resonator 14 z. B. introduced two coupling openings 7 , 8 , which are connected to the feed line 16 . The component E z of the microwave fields is identified by the arrow.

Wie in Fig. 3 zu ersehen ist, werden die Zuleitungen 16 beispielsweise kreisförmig in Winkelabständen von 45° um das Glasrohr 10 und den Resonator 14 herum angeordnet (In dieser Darstellung ist nur der erste Resonator dargestellt).As can be seen in FIG. 3, the feed lines 16 are arranged, for example, in a circle at angular intervals of 45 ° around the glass tube 10 and the resonator 14 (only the first resonator is shown in this illustration).

Die einzelnen Resonatoren werden mit Pulsleistungen zwischen 500 W und 5 kW, bevorzugt 1 kW betrieben, wobei das Taktverhältnis zwischen 1 : 5 und 1 : 10 liegt.The individual resonators are powered by pulses operated between 500 W and 5 kW, preferably 1 kW, the clock ratio is between 1: 5 and 1:10.

Fig. 4 zeigt den Verlauf der Brechzahldifferenz von Schicht und Substrat einer im Beschichtungsbereich mit dem erfindungsgemäßen Verfahren aufgebauten Beschichtung in Abhängigkeit von der Glasrohrlänge. Zum Vergleich ist der Verlauf nach dem Stand der Technik dargestellt. Man erkennt, daß die Beschichtung nach dem erfindungsgemäßen Verfahren eine über die Beschichtungslänge im wesentlichen konstante Brechzahldifferenz aufweist. Fig. 4 shows the profile of the refractive index difference between the substrate layer and a structured in the coating area with the coating process of this invention as a function of the glass tube length. For comparison, the course according to the prior art is shown. It can be seen that the coating according to the method according to the invention has a refractive index difference which is essentially constant over the coating length.

BezugszeichenlisteReference symbol list

 2 Öffnung
 3 Öffnung
 4 Stirnseite
 5 Stirnseite
 6 Außenmantel
 7 Einkoppelöffnung
 8 Einkoppelöffnung
 9 Gasflußrichtung
10 Glasrohr
11 Achse
12 Anordnung
14 Einzelresonator
16 Koaxialleitung
2 opening
3 opening
4 end face
5 end face
6 outer jacket
7 coupling opening
8 coupling opening
9 direction of gas flow
10 glass tube
11 axis
12 arrangement
14 single resonator
16 coaxial line

Claims (18)

1. Verfahren zur Innenbeschichtung von Rohren aus Glas durch plasmaimpulsinduzierte chemische Dampfphasenabscheidung (PICVD-Verfahren), bei dem durch eine gepulste Mikrowellenentladung aus einem durch das zu beschichtende Glasrohr fließenden Reaktiongas eine Folge von Schichten auf der Innenseite des Glasrohres abgeschieden wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Hochfrequenzenergie über mehrere, um das Glasrohr (10) in dessen Beschichtungsbereich nebeneinander beabstandet angeordnete Hochfrequenzresonatoren (14) eingekoppelt wird, deren Achsen mit der Glasrohrachse (11) zusammenfallen, wobei die Hochfrequenzresonatoren (14) unabhängig geschaltet und gesteuert werden.1. A method for the inner coating of glass tubes by plasma pulse-induced chemical vapor deposition (PICVD method), in which a sequence of layers is deposited on the inside of the glass tube by a pulsed microwave discharge from a reaction gas flowing through the glass tube to be coated, characterized in that the high-frequency energy is coupled in via a plurality of high-frequency resonators ( 14 ) arranged around the glass tube ( 10 ) in its coating area and the axes of which coincide with the glass tube axis ( 11 ), the high-frequency resonators ( 14 ) being switched and controlled independently. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Hochfrequenzresonatoren (14) mit einer Hochfrequenz zwischen 800 MHz und 4 GHz betrieben werden.2. The method according to claim 1, characterized in that the high-frequency resonators ( 14 ) are operated at a high frequency between 800 MHz and 4 GHz. 3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Hochfrequenzresonatoren (14) mit einer Hochfrequenz von 2,45 GHz betrieben werden.3. The method according to claim 2, characterized in that the high-frequency resonators ( 14 ) are operated at a high frequency of 2.45 GHz. 4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß benachbarte Hochfrequenzresonatoren (14) mit jeweils unterschiedlicher Leistung getaktet werden. 4. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that adjacent high-frequency resonators ( 14 ) are each clocked with different powers. 5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß bei einem Puls die Leistung des einen Hochfrequenzresonators (14) um gerade den Wert erniedrigt wird, um den die Leistung des benachbarten Hochfrequenzresonators erhöht wird und daß beim nächsten Puls die Hochfrequenzresonatoren mit vertauschter Leistung betrieben werden.5. The method according to claim 4, characterized in that the power of one high-frequency resonator ( 14 ) is reduced by just the value by one pulse, by which the power of the adjacent high-frequency resonator is increased, and that the high-frequency resonators are operated with interchanged power at the next pulse . 6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-5, dadurch gekennzeichnet, daß Hochfrequenzresonatoren (14) verwendet werden, deren elektrische Felder azimutal konstant sind.6. The method according to any one of claims 1-5, characterized in that high-frequency resonators ( 14 ) are used, the electric fields of which are azimuthally constant. 7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-6, dadurch gekennzeichnet, daß das Glasrohr (10) während der Beschichtung um seine Achse (11) rotiert wird.7. The method according to any one of claims 1-6, characterized in that the glass tube ( 10 ) is rotated about its axis ( 11 ) during the coating. 8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß während des Beschichtungsvorgangs das zu beschichtende Glasrohr (10) in axialer Richtung verschoben wird.8. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that the glass tube ( 10 ) to be coated is displaced in the axial direction during the coating process. 9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß das zu beschichtende Glasrohr (10) um eine halbe Resonatorbreite verschoben wird.9. The method according to claim 8, characterized in that the glass tube to be coated ( 10 ) is shifted by half a resonator width. 10. Vorrichtung zur Durchführung der Innenbeschichtung von Rohren aus Glas nach dem PICVD-Verfahren, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere Hochfrequenzresonatoren (14) im Beschichtungsbereich derart um das zu beschichtende Glasrohr (10) und längs des Glasrohrs (10) nebeneinander angeordnet sind, daß ihre Achsen mit der Glasrohrachse (11) zusammenfallen und sich ihre Hochfrequenzfelder teilweise überlagern.10. Apparatus for carrying out the inner coating of glass tubes according to the PICVD method, characterized in that several high-frequency resonators ( 14 ) are arranged in the coating area in such a way around the glass tube ( 10 ) to be coated and along the glass tube ( 10 ) that their Axes coincide with the glass tube axis ( 11 ) and their high-frequency fields partially overlap. 11. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Hochfrequenzresonatoren (14) mit einer Hochfrequenz zwischen 800 MHz und 4 GHz betreibbar sind.11. The device according to claim 10, characterized in that the high-frequency resonators ( 14 ) can be operated with a high frequency between 800 MHz and 4 GHz. 12. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, daß benachbarte Hochfrequenzresonatoren (14) mit unterschiedlichen Leistungen taktbar sind.12. Device according to one of claims 10 or 11, characterized in that adjacent high-frequency resonators ( 14 ) can be clocked with different powers. 13. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10-12 dadurch gekennzeichnet, daß das zu beschichtende Glasrohr (10) während der Beschichtung um seine Längsachse (11) drehbar und/oder in axialer Richtung verschiebbar ist.13. Device according to one of claims 10-12, characterized in that the glass tube ( 10 ) to be coated is rotatable about its longitudinal axis ( 11 ) and / or displaceable in the axial direction during the coating. 14. Vorrichtung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß das Glasrohr (10) um eine halbe Resonatorbreite verschiebbar ist.14. The apparatus according to claim 13, characterized in that the glass tube ( 10 ) is displaceable by half a resonator width. 15. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10-14, dadurch gekennzeichnet, daß die Hochfrequenzresonatoren (14) in ihrem Außenmantel (6) beabstandet zwei Einkoppelöffnungen (7, 8) aufweisen, durch die die Mikrowellen mittels einer koaxialen Zuleitung (16) einkoppelbar sind.15. The device according to any one of claims 10-14, characterized in that the high-frequency resonators ( 14 ) in their outer jacket ( 6 ) spaced two coupling openings ( 7 , 8 ) through which the microwaves can be coupled by means of a coaxial feed line ( 16 ). 16. Vorrichtung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Zuleitungen (16) koaxial zur Glasrohrachse (11) und äquidistant zueinander um die Hochfrequenzresonatoren (14) angeordnet sind.16. The apparatus according to claim 15, characterized in that the supply lines ( 16 ) are arranged coaxially to the glass tube axis ( 11 ) and equidistant from each other around the high-frequency resonators ( 14 ). 17. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 15 oder 16, dadurch gekennzeichnet, daß die Zuleitungen (16) aus Platin gefertigt sind.17. The device according to one of claims 15 or 16, characterized in that the feed lines ( 16 ) are made of platinum. 18. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10-17, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand d der Hochfrequenzresonatoren (14) derart gewählt ist, daß der Unterschied der Brechzahl im Hochfrequenzresonator (14) und im Bereich zwischen den Hochfrequenzresonatoren (14) einen angegebenen Wert unterschreitet.18. Device according to one of claims 10-17, characterized in that the distance d of the high-frequency resonators ( 14 ) is selected such that the difference in the refractive index in the high-frequency resonator ( 14 ) and in the area between the high-frequency resonators ( 14 ) falls below a specified value .
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