DE3930623C2 - - Google Patents
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 70
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 claims description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 11
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011656 manganese carbonate Substances 0.000 claims description 3
- 235000006748 manganese carbonate Nutrition 0.000 claims description 3
- 229910000016 manganese(II) carbonate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N oxo(oxolanthaniooxy)lanthanum Chemical compound O=[La]O[La]=O KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- LEDMRZGFZIAGGB-UHFFFAOYSA-L strontium carbonate Chemical compound [Sr+2].[O-]C([O-])=O LEDMRZGFZIAGGB-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 229910000018 strontium carbonate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 24
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 12
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000013074 reference sample Substances 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100513612 Microdochium nivale MnCO gene Proteins 0.000 description 1
- 241000158147 Sator Species 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- CLDVQCMGOSGNIW-UHFFFAOYSA-N nickel tin Chemical compound [Ni].[Sn] CLDVQCMGOSGNIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
- H01G4/2325—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor characterised by the material of the terminals
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/43—Electric condenser making
- Y10T29/435—Solid dielectric type
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines
monolithischen Keramikkondensators nach dem Oberbegriff des
Anspruchs 1.
Ein derartiges Verfahren ist aus der
DE 35 28 906 A1 bekannt. Beim bekannten Keramikondensator
werden statt der sonst eigentlicher üblichen Außenelektroden
aus Silber solche aus einer Doppelschicht verwendet, wobei
die innere Schicht aus einem leitenden Keramikfilm besteht.
Innenelektroden werden erst eingebracht, wenn ein Keramikkörper
mit den genannten leitenden Keramikfilmen bereits
hergestellt ist. Dies geschieht durch Eintauchen des Körpers
in Blei unter Druck. Bei diesem Vorgang würden herkömmliche
Außenelektroden aus Silber angelöst werden, während die genannten
leitenden Keramikfilme dieser Behandlung standhalten.
Für gewöhnlich werden Innenelektroden zugleich mit einem Keramikkörper
in Schichtbauweise hergestellt. An zwei Endflächen,
an denen die Innenelektroden frei liegen, sind hauptsächlich
aus Silber bestehende Außenelektroden angebracht,
die zum Anschließen des Kondensators durch Löten dienen.
Bei Zuverlässigkeitstests hat sich herausgestellt, daß
sich die elektrischen Eigenschaften des monolithischen
Keramik-Kondensators während des Lötvorgangs dadurch
verschlechtern, daß sich ein im geschmolzenen Lötmittel
enthaltenes Metall, beispielsweise Zinn, in Richtung der
Innenelektroden-Schichten bewegt und daß elektroche
mische Reaktionen oder ähnliches auftreten. Lötmittel
enthalten in erster Linie Zinn, das sich gewöhnlich mit
verschiedenen Metallen leicht legieren läßt und dadurch
bewirkt, daß intermetallische Verbindungen mit den
Außenelektroden auftreten. Ein Teil derartiger interme
tallischer Verbindungen diffundiert allmählich in den
monolithischen Keramik-Kondensator hinein und zwar über
Diffusionswege oder -bahnen der Innenelektroden oder der
Trennschichten zwischen den Innenelektroden und den
dielektrischen Keramikschichten. Dies führt zu einer
extremen Verschlechterung der elektrischen Eigenschaf
ten des Kondensators, beispielsweise des Isolationswi
derstands. Demgemäß besteht ein Bedarf an
zuverlässigen monolithischen Keramik-Kondensatoren, bei
denen die oben beschriebene Diffusion in die oder ent
lang der Innenelektroden nicht mehr auftreten.
In der US-PS 46 04 676 ist ein monolithischer Keramik-
Kondensator offenbart, der zwischen den Außenelektroden
und den beiden Endflächen des Keramik-Schichtkörpers
leitende Keramikfilme (leitende Metalloxidschichten)
aufweist. Diese leitenden Keramikfilme verhindern die
Verschlechterung der elektrischen Eigenschaften, insbe
sondere des Isolationswiderstands, in dem eine Reduktion
eines dielektrischen Keramikmaterials nicht möglich ist.
Diese vorhandenen leitenden Keramikfilme verhindern
also, daß Teile des Lötmittels in die oder entlang der
Innenelektroden eindiffundieren.
Dadurch werden zwar die Innen- und Außenelektroden
elektrisch miteinander verbunden, strukturell aber durch
die Keramikfilme voneinander getrennt, die einen gerin
gen Metalldiffusions-Koeffizienten aufweisen. Es ist
also nicht möglich, daß ein mit den Außenelektroden in
Kontakt gekommenes Lötmittel bzw. das hauptsächlich
darin enthaltene Zinn in die oder entlang der Innen
elektroden eindiffundiert. Dadurch sind die elektrischen
Eigenschaften des geschichteten Keramik-Kondensators
stabil.
Das oben aufgeführte Patent offenbart allerdings ledig
lich ein Verfahren zum Auftragen eines dünnen Films, wie
beispielsweise Kathoden-Zerstäubung oder Sputtern, als
eine Möglichkeit zur Auftragung des leitenden Keramik
films. Ferner ist es notwendig, zur Herstellung der
leitenden Keramikfilme in speziellen Bereichen, wie
beispielsweise die Oberflächenteile des Keramik-
Schichtkörpers, an denen die Innenelektroden freiliegen,
sowohl Masken als auch kostspielige Ausrüstungen zu
verwenden, wie einen Kathodenzerstäubungs-Apparat. Des
weiteren wird zur Ausbildung der leitenden Keramikfilme
eine verhältnismäßig lange Zeit benötigt. Dies alles
verteuert die Herstellung des monolithischen Keramik-
Kondensators erheblich.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein
Verfahren
nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1
zur Herstellung eines monolithischen Keramik-
Kondensators anzugeben, das mit technisch einfachen
Mitteln eine effektive Herstellung eines gegen Eindif
fundieren geschützten Keramik-Kondensators ermöglicht.
Das erfindungsgemäße Verfahren ist durch die Merkmale des
Anspruchs 1 gegeben. Vorteilhafte Weiterbildungen und Ausgestaltungen
sind Gegenstand abhängiger Ansprüche.
Das erfindungsgemäße Verfahren zeichnet sich dadurch aus,
daß zum Herstellen der leitenden Keramikfilme ein leitendes
Keramikmaterial verwendet wird, das mindestens eine Verbindung
aus der Gruppe La₂O₃, SrCO₃ und MnCO₃ enthält. Vorzugsweise
wird entweder eine das leitende Keramikmaterial enthaltende
Paste an den vorgegebenen Endflächen des Keramik-
Schichtkörpers aufgetragen, oder es werden Scheiben dieses
Materials an diesen Flächen befestigt, woraufhin ein Brennvorgang
erfolgt.
Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus
der folgenden Beschreibung einer Ausführungsform und aus der
Zeichnung, auf die Bezug genommen wird. Es zeigt
Fig. 1 einen Querschnitt eines monolithischen Keramikkondensators,
der nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt
worden ist;
Fig. 2 eine Draufsicht auf eine dielektrische Keramikschicht,
die im monolithischen Keramikkondensator gemäß Fig.
1 enthalten ist; und
Fig. 3 eine Explosionszeichnung zur Erläuterung des
in Fig. 1 dargestellten Keramik-Schichtkör
pers.
Der in Fig. 1 dargestellte monolithische Keramik-Kon
densator enthält einen in Schichtbauweise hergestellten
Keramik-Schichtkörper 1, der eine
Mehrzahl von dielektrischen Keramikschichten 2 mit
Innenelektroden 3 enthält. An beiden Endflächen des
Keramik-Schichtkörpers 1 sind auf leitenden Keramikfil
men 5 Außenelektroden 6 aufgeformt. Auf diesen Außen
elektroden 6 können dünne Plattierungslotschichten 7
aufgetragen werden. Dieser monolitische Keramik-Konden
sator ist chipförmig in Form eines rechteckigen Pa
rallelepipeds ausgebildet.
Im folgenden werden die Verfahrensschritte zur Herstel
lung dieses Kondensators beschrieben.
Zuerst wird der Keramik-Schichtkörper 1 hergestellt. Der
Keramik-Schichtkörper 1 wird gebildet durch mehrere
dielektrische Keramikschichten (ungebrannte Scheiben) 2,
die jeweils erhalten werden durch Aufschlämmen eines
Pulvers und durch Ausbreiten dieser Aufschlämmung in
dünnen Schichten. Die jeweiligen Innenelektroden 3
werden gebildet durch Auftragen einer Pd-Paste
(Palladium-Paste) auf einer Oberfläche einer dielektri
schen Keramikschicht 2. Anschließend wird die benötigte
Anzahl derartiger dielektrischer Keramikschichten 2 mit
Innenelektroden 3 aufeinandergestapelt und oben und
unten jeweils durch eine dielektrische Keramikschicht 4
ohne Innenelektroden 3 abgedeckt (siehe Fig. 3). Dieses
Laminat wird gepreßt, geschnitten und gebrannt, wodurch
der Keramik-Schichtkörper 1 erhalten wird.
Anschließend werden beide Endflächen des Keramik-
Schichtkörpers 1 mit leitenden Keramikfilmen 5 abge
deckt, was im folgenden näher beschrieben wird. Die
leitenden Keramikfilme 5 werden gebildet durch Auftragen
einer Paste, die hergestellt wird durch Mischen von
Glasfritte mit beispielsweise La₂O₃, SrCO₃ oder MnCO₃.
Diese Paste wird auf beide Endflächen des Keramik-
Schichtkörpers 1 aufgetragen und diese Anordnung wird
bei einer bestimmten Temperatur gebrannt. Andererseits
können zur Herstellung der leitenden Keramikfilme 5 aus
leitendem Keramikmaterial bestehende Scheiben an beiden
Endflächen des Keramik-Schichtkörpers 1 angebracht wer
den.
Als nächstes werden auf den entsprechenden leitenden
Keramikfilmen 5 die Außenelektroden 6 aufgeformt. Die
Außenelektroden 6 werden gebildet durch Auftragen einer
leitenden Paste, die Pulver eines Metalls wie Silber
enthält. Diese Paste wird auf die leitenden Keramikfilme
5 aufgebracht und es wird diese Anordnung gebrannt.
In einem folgenden Schritt werden dünne Plattierungs
lotschichten 7 auf die Außenelektroden 6 durch Lötme
tallauftragung aufgetragen.
Genauer gesagt, es wird als Bindemittel PVA
(Polyvinylalkohol) einer Mischung zugeführt, die besteht
aus 63 Mol-% Nd₂Ti₂O₇, 14 Mol-% BaTiO₃ und 23 Mol-%
TiO2. Diese Mischung wird unter Hinzufügen eines Netz
mittels, eines Dispergiermittels und von Wasser durch
geknetet, um eine Aufschlämmung zu erhalten, die zur
Herstellung von ungebrannten Scheiben für die dielek
trischen Keramikschichten 2 verwendet wird. Diese Auf
schlämmung wird mit einem Abstreichmesser in 35 µm dicke
ungebrannte Scheiben geschnitten. Anschließend wird auf
einer Oberfläche der ungebrannten Scheiben mittels eines
Siebdruckverfahrens die Pd-Paste aufgedruckt, um die
Innenelektrode 3 (siehe Fig. 2) zu erhalten. Eine
Mehrzahl derartiger ungebrannter Scheiben mit Innen
elektroden 3 werden aufeinandergestapelt in einer
Anzahl, die abhängig ist von der gewünschten elektro
statischen Kapazität. In diesem Fall werden die unge
brannten Scheiben derartig gestapelt, daß Kanten 2a, die
mit ersten Enden der Innenelektroden 3 fluchten, im
Wechsel mit Kanten 2b angeordnet werden, von denen
zweite Enden der Innenelektroden 3 beabstandet sind
(siehe Fig. 3). Anschließend wird diese Anordnung unter
Hitzeeinwirkung gepreßt. Gemäß dieser Ausführungsform
werden 11 ungebrannte Scheiben mit Innenelektroden 3
übereinandergestapelt. Dieses Laminat wird in eine
Chipform geschnitten mit den Abmessungen 7 mm×5 mm,
und es wird daraufhin bei einer Lufttemperatur von
1250°C gebrannt.
Anschließend werden die leitenden Keramikfilme 5 auf den
Endflächen des bereits gebrannten Keramik-Schichtkörpers
1 aufgetragen. Ein leitendes Keramikmaterial für diese
Keramikfilme 5 wird hergestellt durch Hinzufügung von
Glasfritte in eine Mischung, die besteht aus 34 Mol-%
La2O3, 15 Mol-% SrCO3 und 51 Mol-% MnCO3. Diese Mischung
wird zu einer Paste verarbeitet, die auf beiden Endflä
chen des Keramik-Schichtkörpers 1 aufgebracht wird. Der
darauffolgende Brennvorgang wird bei einer Temperatur
von 1200°C durchgeführt.
Durch Auftragen einer Silberpaste auf die leitenden
Keramikfilme 5 und durch eine Wärmebehandlung bei einer
Temperatur von 820°C werden die Außenelektroden 6 auf
geformt. Anschließend werden die Außenelektroden 6 mit
einer dünnen Plattierungslotschicht 7 überzogen, wodurch
der in Fig. 1 dargestellte monolithische Keramik-Kon
densator fertiggestellt ist.
Zum Nachweis der elektrischen Zuverlässigkeit eines
derartig hergestellten monolithischen Keramik-Kondensa
tors wurden eine Probe eines Ausführungsbeispiels und
eine Referenz-Probe unter den gleichen Bedingungen einem
Zuverlässigkeitstest unterzogen. Dabei bestand die
Referenz-Probe aus einem monolithischen Keramik-Konden
sator, der sich vom erfindungsgemäßen Kondensator
lediglich dadurch unterschied, daß keine leitenden
Keramikfilme vorhanden waren. Bei diesem Test wurden die
ursprünglichen Isolationswiderstände der entsprechenden
Proben gemessen. Anschließend wurden diese Proben bei
einer hohen Temperatur einem Schnellade-Lebensdauertest
unterzogen, bei dem die Proben für 2000 Stunden bei
einer Temperatur von 150°C mit einer Spannung von 50 V
beaufschlagt wurden. Nach Ablauf der 2000 Stunden wurden
die Isolationswiderstände erneut gemessen.
In der folgenden Tabelle sind die Meßergebnisse aufge
führt.
Wie aus der Tabelle erkennbar, verschlechterte sich der
Isolations-Widerstand (IR) der Referenz-Probe nach der
Durchführung des Lebensdauertests auf unter 104 Ohm,
während der Isolations-Widerstand (IR) des erfindungs
gemäßen monolithischen Keramik-Kondensators sich kaum
verringerte.
Dadurch hat sich gezeigt, daß in dem erfindungsgemäßen
monolithischen Keramik-Kondensator das in den Plattie
rungslotschichten 7 enthaltene Zinn, das ein großes
Diffusionsvermögen aufweist und mit den Außenelektroden
6 in Kontakt steht, kaum die Innenelektroden 3 oder
Teile dieser Elektroden erreichen kann, da zwischen dem
Keramik-Schichtkörper 1 und den Außenelektroden 6 die
leitenden Keramikfilme 5 angeordnet sind. Dadurch werden
die elektrischen Eigenschaften des durch den Keramik-
Schichtkörper 1 gebildeten Kondensators stabil gehal
ten.
Dieses erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung eines
monolithischen Keramik-Kondensators ist nicht nur auf die
oben beschriebenen Verfahren und Ausführungsformen
beschränkt, sondern kann auf verschiedene Art und Weise
variiert werden.
Beispielsweise kann, obwohl der Herstellungsvorgang der
leitenden Keramikfilme 5 vor dem Brennvorgang des Kera
mik-Schichtkörpers 1 wie oben beschrieben durchgeführt
wird, der Keramik-Schichtkörper 1 gleichzeitig mit den
leitenden Keramikfilmen 5 gebrannt werden.
Da zur besseren Benetzbarkeit mit Lötmittel die Plat
tierungslotschichten 7 aufgetragen sind, können auf den
Außenelektroden 6 Nickel-Zinn-Schichten, Nickel-Lötmit
tel-Schichten, Kupfer-Zinn-Schichten und Kupfer-Lötmit
tel-Schichten aufgetragen werden, um ein Auslaugen des
in den Außenelektroden 6 enthaltenen Silbers zu verhin
dern.
Claims (7)
1. Verfahren zur Herstellung eines monolithischen Keramikkondensators,
bei welchem Verfahren
- - ein Keramikkörper (1) in Schichtbauweise durch einen Brennvorgang hergestellt wird;
- - ein leitender Keramikfilm (5) auf vorgegebene Endflächen des Keramikkörpers durch einen Brennvorgang aufgebracht wird; und
- - eine Außenelektrode (6) auf jeden leitenden Keramikfilm (5) aufgebracht wird;
dadurch gekennzeichnet, daß
- - innere Elektroden (3) zugleich mit dem Keramikkörper (1) hergestellt werden, welche inneren Elektroden (3) an die vorgegebenen Endflächen stoßen; und
- - für die leitenden Keramikfilme (5) ein leitendes Keramikmaterial verwendet wird, das mindestens eine Verbindung aus der Gruppe La₂O₃, SrCO₃ und MnCO₃ enthält.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
der Brennvorgang des Keramikkörpers (1) vor dem Brennvorgang für
die leitenden Keramikfilme (5) erfolgt.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß
für die leitenden Keramikfilme (5) ein leitendes Keramikmaterial
verwendet wird, dessen Brenntemperatur geringer ist als diejenige
für den Keramikkörper (1).
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die leitenden Keramikfilme (5) gleichzeitig mit dem
Keramikkörper (1) gebrannt werden.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß
bei der Ausbildung der leitenden Keramikfilme (5) eine das leitende
Keramikmaterial enthaltende Paste auf die vorgegebenen
Endflächen des Keramikkörpers vor dem Brennvorgang aufgetragen
wird.
6. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß
bei der Ausbildung der leitenden Keramikfilme (5) eine das leitende
Keramikmaterial enthaltende Scheibe auf die jeweilige
vorgegebene Endfläche des Keramikkörpers vor dem Brennvorgang
aufgebracht wird.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63230391A JPH0278211A (ja) | 1988-09-13 | 1988-09-13 | 積層セラミックコンデンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3930623A1 DE3930623A1 (de) | 1990-03-15 |
DE3930623C2 true DE3930623C2 (de) | 1993-03-18 |
Family
ID=16907142
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3930623A Granted DE3930623A1 (de) | 1988-09-13 | 1989-09-13 | Verfahren zur herstellung eines monolitischen keramik-kondensators |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4982485A (de) |
JP (1) | JPH0278211A (de) |
DE (1) | DE3930623A1 (de) |
GB (1) | GB2224392B (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4113576A1 (de) * | 1990-04-26 | 1991-10-31 | Murata Manufacturing Co | Mehrschichtkondensator |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03225810A (ja) * | 1990-01-30 | 1991-10-04 | Rohm Co Ltd | 積層型コンデンサーにおける端子電極膜の構造及び端子電極膜の形成方法 |
JPH07120604B2 (ja) * | 1990-03-26 | 1995-12-20 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品の製造方法 |
US5121288A (en) * | 1990-10-12 | 1992-06-09 | Motorola, Inc. | Capacitive power supply |
JP2967660B2 (ja) * | 1992-11-19 | 1999-10-25 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
US5782240A (en) * | 1994-12-22 | 1998-07-21 | Snap Laboratories, L.L.C. | Method of classifying respiratory sounds |
JP2000277371A (ja) * | 1999-03-29 | 2000-10-06 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層セラミック電子部品 |
JP4423707B2 (ja) * | 1999-07-22 | 2010-03-03 | Tdk株式会社 | 積層セラミック電子部品の製造方法 |
US7068490B2 (en) * | 2004-04-16 | 2006-06-27 | Kemet Electronics Corporation | Thermal dissipating capacitor and electrical component comprising same |
DE102007043098A1 (de) * | 2007-09-10 | 2009-03-12 | Epcos Ag | Verfahren zur Herstellung eines Vielschichtbauelements |
US9558894B2 (en) | 2011-07-08 | 2017-01-31 | Fastcap Systems Corporation | Advanced electrolyte systems and their use in energy storage devices |
BR112014000377A2 (pt) | 2011-07-08 | 2017-10-17 | Fastcap Systems Corp | dispositivo de armazenamento de energia de alta temperatura |
CN104115247B (zh) * | 2011-07-27 | 2018-01-12 | 快帽系统公司 | 用于井下仪器的电源 |
WO2013067540A1 (en) | 2011-11-03 | 2013-05-10 | Fastcap Systems Corporation | Production logging instrument |
US10872737B2 (en) | 2013-10-09 | 2020-12-22 | Fastcap Systems Corporation | Advanced electrolytes for high temperature energy storage device |
EP4325025A3 (de) | 2013-12-20 | 2024-04-24 | Fastcap Systems Corporation | Elektromagnetische telemetrievorrichtung |
KR102469677B1 (ko) | 2015-01-27 | 2022-11-22 | 패스트캡 시스템즈 코포레이션 | 넓은 온도 범위 울트라커패시터 |
KR102059441B1 (ko) | 2017-01-02 | 2019-12-27 | 삼성전기주식회사 | 커패시터 부품 |
JP7070840B2 (ja) * | 2019-03-29 | 2022-05-18 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサおよび積層セラミックコンデンサの製造方法 |
JP2021108328A (ja) * | 2019-12-27 | 2021-07-29 | 太陽誘電株式会社 | 電子部品及び電子部品の製造方法 |
JP7544627B2 (ja) * | 2021-03-08 | 2024-09-03 | Tdk株式会社 | セラミック電子部品 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3612963A (en) * | 1970-03-11 | 1971-10-12 | Union Carbide Corp | Multilayer ceramic capacitor and process |
JPS5236748A (en) * | 1975-09-18 | 1977-03-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of manufacturing semiconductor ceramic capacitor |
JPS54106898A (en) * | 1978-02-09 | 1979-08-22 | Kck Co Ltd | Semi conductor ceramic capacitor |
US4246625A (en) * | 1978-11-16 | 1981-01-20 | Union Carbide Corporation | Ceramic capacitor with co-fired end terminations |
US4353153A (en) * | 1978-11-16 | 1982-10-12 | Union Carbide Corporation | Method of making capacitor with CO-fired end terminations |
JPS6147618A (ja) * | 1984-08-13 | 1986-03-08 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミツクコンデンサ |
US4604676A (en) * | 1984-10-02 | 1986-08-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ceramic capacitor |
EP0183399A3 (de) * | 1984-11-28 | 1987-02-04 | Engelhard Corporation | Verfahren und Zusammensetzung zur Herstellung von Stirnkontakten für keramische Mehrschichtkondensatoren |
DE3503928A1 (de) * | 1985-02-06 | 1986-08-07 | Reimbold & Strick GmbH & Co, 5000 Köln | Verfahren zur herstellung eines metallkeramischen leiters und anwendung des verfahrens |
FR2585174B1 (fr) * | 1985-07-16 | 1987-11-27 | Eurofarad | Procede de fabrication d'un composant capacitif multicouche a dielectrique ceramique du type cordierite, et composant ainsi obtenu |
US4811162A (en) * | 1987-04-27 | 1989-03-07 | Engelhard Corporation | Capacitor end termination composition and method of terminating |
-
1988
- 1988-09-13 JP JP63230391A patent/JPH0278211A/ja active Pending
-
1989
- 1989-09-12 GB GB8920617A patent/GB2224392B/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-09-13 DE DE3930623A patent/DE3930623A1/de active Granted
- 1989-09-13 US US07/406,456 patent/US4982485A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4113576A1 (de) * | 1990-04-26 | 1991-10-31 | Murata Manufacturing Co | Mehrschichtkondensator |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3930623A1 (de) | 1990-03-15 |
JPH0278211A (ja) | 1990-03-19 |
US4982485A (en) | 1991-01-08 |
GB2224392B (en) | 1993-01-13 |
GB2224392A (en) | 1990-05-02 |
GB8920617D0 (en) | 1989-10-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition |