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DE3832750A1 - Leistungshalbleiterbauelement - Google Patents

Leistungshalbleiterbauelement

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DE3832750A1
DE3832750A1 DE19883832750 DE3832750A DE3832750A1 DE 3832750 A1 DE3832750 A1 DE 3832750A1 DE 19883832750 DE19883832750 DE 19883832750 DE 3832750 A DE3832750 A DE 3832750A DE 3832750 A1 DE3832750 A1 DE 3832750A1
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power semiconductor
semiconductor component
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ABB AB
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Asea Brown Boveri AB
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Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Leistungshalblei­ terbauelement nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Solche Leistungshalbleiterbauelemente mit einem planaren Randabschluß, der durch ein System von feldbegrenzenden Ringen mit einer Passivierungsschicht gebildet wird, sind beispielsweise aus Proceedings of the IEEE Vol. 55, Nr. 8, Aug. 1967, Seite 1409 bis 1414, insbesondere Fig. 5, bekannt. Im Vergleich zu anderen Lösungsmöglichkeiten für den Randabschluß, bei denen eine Randkonturierung durch Gräben oder Anschrängungen vorgesehen sind, bieten planare Randabschlüsse prozeßtechnische Vorteile. Je nach Anzahl und Anordnung der Feldringe kann eine Sperr­ spannung realisiert werden, die nahe an die theoretisch mögliche Sperrspannung herankommt, die durch die Volu­ mendurchbruchspannung, also durch die Dimensionierung des Bauelementes im Inneren bestimmt ist, jedoch diese nicht ganz erreicht.
Die Feldringe, die auch als Guard-Ringe bezeichnet wer­ den, umschließen als konzentrische Ringe, die in einem Abstand zueinander angeordnet sind, die aktive Fläche des Halbleiterbauelements, z.B. den anodenseitigen Emit­ ter, und zwar ebenfalls in einem Abstand zu diesem.
Diese Feldringe können als sogenannte floatende Guard- Ringe isoliert angeordnet sein, d.h. sie sind im Poten­ tial floatend oder sie können über Widerstandsschichten an der Oberfläche untereinander und mit dem Hauptüber­ gang verbunden sein. Zur weiteren Sperrspannungserhöhung kann das Feldringsystem auch mit sogenannten Feldplatten kombiniert werden.
Bei der Herstellung eines Halbleiterbauelementes geht man von einem Substrat eines ersten Leitfähigkeitstyps, z.B. einem n-leitenden Subtrat aus, und diffundiert in eine erste Hauptfläche einen Dotierungsstoff zur Her­ stellung einer Schicht eines zweiten, z.B. p-leitenden Typs und damit eines sperrenden pn-Übergangs für den aktiven Teil des Bauelements. Dabei werden die Feldringe in einem Masken- und einem Diffusionsschritt gleichzei­ tig mit der p-leitenden Schicht des aktiven Teils, d.h. des anodenseitigen Emitters des Bauelements, herge­ stellt. Dadurch ist die Justierung der Ringe gegenüber dem Hauptübergang, also dem sperrenden pn-Übergang si­ chergestellt.
Die beschriebene Herstellungsweise, wonach die Feldringe gleichzeitig mit der p-leitenden Schicht des aktiven Teils hergestellt werden, hat zur Folge, daß die Ringe das gleiche Dotierungsprofil wie der sperrende pn-Über­ gang aufweisen. Kennzeichnend für den beschriebenen be­ kannten Randabschluß ist auch, daß die höchste Feldstär­ ke im Randbereich auftritt, d.h. das Feldmaximum liegt entweder an der Randkrümmung des Hauptübergangs oder an einem der Guardringe.
Die Diffusionstiefe der Ringe könnte man beeinflussen durch die Wahl von sehr kleinen Maskenöffnungen, wodurch kleinere Ladungsmengen eindiffundiert würden. Dadurch ließe sich zwar der Platzbedarf für die Feldringe etwas reduzieren, jedoch wäre damit kein Vorteil hinsichtlich der Sperrspannung gegeben.
Der Platzbedarf hängt von der Anzahl der Ringe ab, die wiederum abhängt von der verlangten Sperrspannung, also dem gewünschten Anteil der Volumendurchbruchspannung. Die notwendige Anzahl der Ringe ist somit auch stark abhängig vom Dotierungsprofil des sperrenden pn-Über­ gangs. Das bedeutet, wenn aus Gründen, die andere Eigen­ schaften des Bauelements betreffen, eine geringe Tiefe des sperrenden Übergangs, beispielsweise von 5 bis 10µm gefordert wird, eine große Zahl von Ringen, ggf. mehr als 10, mit entsprechendem Platzbedarf erforderlich ist.
Eine Anordnung von feldbegrenzenden Ringen ist auch aus Ghandhi, I. K., Semiconductor Power Devices, Verlag Wi­ ley & Sons, New York, 1977, Kapitel 2, Seite 64, Fig. 2.18 bekannt. Außerdem ist in Fig. 2.17 dieser Ver­ öffentlichung noch eine andere Möglichkeit dargestellt, eine hohe Sperrspannung zu erzielen. Es wird dort eine Avalanche-Diode angegeben, wobei in ein p-leitendes Sub­ strat eine n⁺-leitende Schicht diffundiert ist, die aus einem flachen n⁺-Hauptgebiet besteht, das in einen tie­ fen n⁺-Ring übergeht. Eine solche Maßnahme zur Minderung der Feldstärke an der Oberfläche mag für einige speziel­ le Bauelemente ausreichend sein, ist jedoch nicht gene­ rell als Randabschluß für Leistungshalbleiterbauelemente geeignet. Der pn-Übergang müßte nämlich im Randbereich sehr tief sein, was zu extrem langen Diffusionszeiten führen würde und einen großen Abstand zwischen Anode und Kathode erforderlich macht und somit zu einem großen Durchlaßspannungsabfall führt. Eine denkbare Maßnahme zur Minderung des Durchlaßspannungsabfalls wäre eine strukturierte tiefe Diffusion auf der Kathodenseite, was aber beispielsweise bei EPI-Bauelementen nicht möglich wäre.
Die Erfindung geht von Leistungshalbleiterbauelementen mit einem planaren Randabschluß mit Feldringen aus, wo­ bei die Aufgabe besteht, möglichst 100% der Volumen­ durchbruchspannung als Sperrspannung zu erzielen und trotzdem den Platzbedarf für den Randabschluß kleinzu­ halten.
Diese Aufgabe wird bei einem Leistungshalbleiterbauele­ ment nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 durch dessen kennzeichnende Merkmale gelöst.
Vorteilhafte Ausgestaltungen sind in Unteransprüchen angegeben.
Mit der Erfindung wird vorgeschlagen, eine Diffusion des sperrenden pn-Übergangs in zwei getrennten Diffusions­ schritten durchzuführen. Dadurch kann der eigentliche aktive Bereich hinsichtlich dynamischer Eigenschaften des Bauelements optimiert werden, ohne auf Probleme des Sperrens Rücksicht nehmen zu müssen. Jedenfalls ergibt sich ein relativ großer Bereich, in dem die dynamischen und statischen Eigenschaften des Hauptübergangs ohne wesentliche Einschränkungen durch den Randabschluß opti­ miert werden können. Der für die Sperrspannung wesentli­ che Randbereich wird praktisch allein im Hinblick auf die Sperrspannung optimiert. Das bedeutet, daß für den Randbereich eine größere Eindringtiefe gewählt werden kann, als für den übrigen aktiven pn-Übergang und daß ein anderes Dotierstoffprofil gewählt werden kann. Das Profil für den Randbereich und für die im gleichen Diffusionsprozess hergestellten Feldringe kann also ins­ gesamt sehr verschieden sein von demjenigen des aktiven Teils des pn-Übergangs. Dies ist besonders vorteilhaft bei schnellen Dioden für 500 bis 1000 V Sperrspannung, die im aktiven Teil des pn-Übergangs eine geringe Ein­ dringtiefe der p⁺-Zone und damit ein steiles Dotier­ stoffprofil aufweisen. Auf vorteilhafte Weise kann be­ reits mit wenigen Feldringen, also platzsparend, eine Sperrspannung erreicht werden, die 100% der Volumen­ durchbruchspannung entspricht. Die Erfindung ist nicht auf eine Anwendung bei Dioden begrenzt, sondern kann grundsätzlich auch bei Thyristoren und Transistoren zur Anwendung kommen. Sie ist auch bei Bauelementen auf epi­ taktischem Material anwendbar.
Wie beispielsweise aus White and Coe, Numerical Analysis of multiple Field limiting Ring Systems, Solid State Electronics, Vol. 27, No. 11, Seiten 1021 bis 1027, 1984 bekannt ist, verhindern floatende Guard-Ringe in recht erheblichem Maße ein Absinken der Sperrspannung bei po­ sitiven Oberflächenladungen, die bei Standardprozessen, insbesondere bei Oxidabdeckung, nie ganz zu vermeiden sind. Der Erfinder hat mit eigenen Rechnungen festge­ stellt, daß diese in der Praxis wichtige Eigenschaft bis zu Ladungsdichten von mindestens 2×1011cm-2 auch bei den erfindungsgemäßen tiefen Ringen erhalten bleibt.
Anhand eines in der Zeichnung dargestellten Ausführungs­ beispiels wird die Erfindung näher erläutert.
Es zeigt:
Fig. 1 einen Querschnitt durch den Randbereich einer erfindungsgemäßen Diode,
Fig. 2 Dotierungsprofile des Hauptübergangs im Volu­ men und am Rand und
Fig. 3 das Ergebnis einer Rechnersimulation zur Feld­ stärkeverteilung im Randbereich der in Fig. 1 dargestellten Diode.
Fig. 1 zeigt einen Querschnitt durch den Randbereich einer Diode. Die Diode weist übliche Schichten eines n-leitenden ersten Leitungstyps und eines p-leitenden zweiten Leitungstyps auf. Sie besteht aus einem schwach­ dotierten Substrat des ersten Leitungstyps, also einem n⁻-Substrat 1, das kathodenseitig verstärkt dotiert ist, zur Bildung einer n⁺-Schicht 2, die eine Kathodenmetal­ lisierung 5 trägt. Die Oberfläche der n⁺-Schicht 2 ist als zweite Hauptfläche 4 bezeichnet. Als erste Hauptflä­ che 3 ist die anodenseitige Oberfläche bezeichnet. In die Hauptfläche 3 ist eine p⁺-leitende Schicht 6 diffun­ diert, auf die eine Anodenmetallisierung 7 aufgebracht ist. Die p⁺-leitende Schicht bildet mit der n⁻-Schicht 1 in üblicher Weise einen sperrenden pn-Übergang 10 als Hauptübergang. Im Hinblick auf ein schnelles Schalten der Diode ist nur eine geringe Eindringtiefe der p⁺- Schicht 6 von etwa 5 bis 10µm vorgesehen und eine hohe Oberflächenkonzentration, also z.B. eine Dotierstoffkon­ zentration von 1020cm-3. Ein damit gegebenes typisches Profil des Hauptübergangs 10 ist in Fig. 2 als Linienzug 20 dargestellt.
In einem gesonderten Diffusionsprozeß, der in der Praxis als erster Diffusionsprozeß durchgeführt wird, sind vier konzentrische p⁺-leitende Ringe in die Hauptfläche 3 diffundiert, wovon die äußeren drei Ringe Feldringe 8 sind und der innere Ring, der sich etwas mit der p⁺- Schicht 6 überschneidet, einen Randbereich 9 der p⁺- Schicht bildet. In Fig. 2 ist als gestrichelter Linien­ zug 21 das Profil des Randbereichs 9 des pn-Übergangs dargestellt, das in gleicher Weise für die Feldringe 8 gilt. Dieses Profil 21 unterscheidet sich durch gering­ ere Konzentration C und größere Eindringtiefe x vom Pro­ fil 20 des Hauptübergangs. In Fig. 2 sind beispielhaft Werte für die Konzentration C und die Eindringtiefe x eingetragen.
Die Stelle, an der der pn-Übergang des Randbereichs 9 an die Oberfläche 3 tritt, und auch die Feldringe 8 sind mit einer Passivierungsschicht 11 abgedeckt. Außerdem ist das Bauelement durch einen in die Oberfläche 3 dif­ fundierten Ring vom n⁺-Typ, also einen sogenannten chan­ nel stopper 12 in bekannter Weise begrenzt.
Fig. 3 zeigt das Ergebnis einer Simulationsrechnung für eine 500 V-Diode, bei der bereits mit drei floatenden Ringen die Volumendurchbruchsspannung zu 100% erreicht wird. Dargestellt ist die Feldverteilung in einem Re­ chengebiet, das sich auf das hier interessierende Rand­ gebiet der Diode bezieht. Im oberen Bereich der Abbil­ dung ist die p⁺-leitende Schicht mit geringer Eindring­ tiefe zu erkennen, die übergeht in den tiefer diffun­ dierten Randbereich 9, sowie die drei Feldringe 8. Die zugehörigen p⁺n⁻-Übergänge sind im oberen Bereich der Fig. 3 durch gestrichelte Linien 13 dargestellt. Ein n⁻n⁺-Übergang ist in einem unteren Bereich als gestri­ chelte Linie 14 eingezeichnet. Die durchgezogenen Linien 15 verbinden Orte gleichen Feldstärkebetrages. Eine ge­ punktete Linie 16 zeigt den Weg höchster Beschleunigung der Ladungsträger in Richtung auf das Feldmaximum. Hier sind die Feldmaxima an den Ringen 8 deutlich kleiner als das Maximum am Hauptübergang. Das eigentliche Maximum am Randbereich 9 unterscheidet sich vom Feldmaximum am Hauptübergang 6 um weniger als 1%, so daß praktisch die Volumensperrspannung erreicht wird. Damit ist nachgewie­ sen, daß die gestellte Aufgabe mit den vorgeschlagenen Maßnahmen gelöst werden kann.

Claims (7)

1. Leistungshalbleiterbauelement mit
  • - einer ersten und einer zweiten Hauptfläche,
  • - wenigsten einer ersten Schicht eines ersten Lei­ tungstyps, z.B. n-leitenden Typs, die an die zweite Hauptfläche angrenzt, und wenigstens einer zweiten Schicht eines zweiten Leitungstpys, z.B. p-leiten­ den Typs,
  • - einem pn-Übergang zwischen der ersten und der zwei­ ten Schicht, wobei der pn-Übergang an der ersten Hauptfläche an die Oberfläche tritt, und einem pla­ naren Randabschluß, der durch Feldringe gebildet ist, die an die erste Hauptfläche grenzen,
dadurch gekennzeichnet, daß die Feldringe (8) und ein Randbereich (9) der zweiten Schicht (6) in einem zusätz­ lichen Diffusionsprozeß hergestellt sind, wobei die Do­ tierstoffkonzentration des Randbereichs (9) und der Feldringe (8) an der Oberfläche geringer ist als die Oberflächenkonzentration der zweiten Schicht (6) in ih­ rem Hauptbereich.
2. Leistungshalbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Feldringe (8) und der Randbereich (9) tiefer diffundiert sind als die erste Schicht in ihrem Hauptbereich (6).
3. Leistungshalbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Feldringe (8) sogenannte floatende Feldringe sind, die nicht durch leitende Schichten gekoppelt sind.
4. Leistungshalbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Lei­ stungshalbleiterbauelement eine Diode ist.
5. Leistungshalbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß als Pas­ sivierungsschicht (11) ein Passivierungsglas verwendet ist.
6. Leistungshalbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß als Pas­ sivierungsschicht (11) eine aus mehreren Einzelschichten zusammengesetzte Schicht vorgesehen ist.
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