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DE3853413T2 - Verfahren und Kühlungsanordnung für ein Gehäuse einer integrierten Schaltung. - Google Patents

Verfahren und Kühlungsanordnung für ein Gehäuse einer integrierten Schaltung.

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DE3853413T2
DE3853413T2 DE3853413T DE3853413T DE3853413T2 DE 3853413 T2 DE3853413 T2 DE 3853413T2 DE 3853413 T DE3853413 T DE 3853413T DE 3853413 T DE3853413 T DE 3853413T DE 3853413 T2 DE3853413 T2 DE 3853413T2
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DE
Germany
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tinnable
housing
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Rene Septfons
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Alcatel CIT SA
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Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf die Kühlung von IC-Gehäusen (IC = integrierte Schaltung), insbesondere solchen, die dazu bestimmt sind, auf der Oberfläche hybrider Schaltungen montiert zu werden, bei denen es sich um Montagen mit hoher Dichte der elektronischen Komponenten auf einem flachen Träger handelt, der Substrat genannt wird und im allgemeinen aus einem dünnen Keramikplättchen besteht, das auf einer Seite oder auf beiden Seiten mit einem aufgedruckten Netz aus Widerständen und leitenden Spuren bedeckt ist, das ggf. durch eine glasartige Isolierschicht bedeckt ist, wobei verlötbare Anschlußpunkte an den Spuren enden und zur Befestigung sowie zum Anschließen der Komponenten und Anschlußklemmen der hybriden Schaltung an die äußere Umgebung dienen.
  • Die für diese Benutzungsart vorgesehenen IC-Gehäuse bestehen im allgemeinen aus einer Keramikschale, die durch einen metallischen Deckel verschlossen ist und an ihrem Umfang mit äußeren Anschlußpunkten für die Montage auf einer Oberfläche versehen ist, die über Durchlässe durch die Wand der Schale mit inneren Anschlußpunkten verbunden sind. Letztere sind an ein IC-Chip angeschlossen, das durch Lötung auf einem metallisierten Bereich an der Innenseite des Bodens der Schale befestigt ist.
  • Um solche IC-Gehäuse zu kühlen, ist es bekannt, ein metallisches Wärmeabfuhrelement an der Außenseite des Bodens der Keramikschale des Gehäuses anzukleben oder festzuklemmen, das in direkter thermischer Berührung mit dem Chip des integrierten Schaltkreises steht, und das Gehäuse mit der Rückseite auf dem Substrat einer hybriden Schaltung zu montieren. Diese Lösung hat den Nachteil, daß das IC-Gehäuse das Gewicht des Wärmeabfuhrelements trägt und damit bruchgefährdet wird, ebenso wie die Schweißverbindungen zwischen seinen äußeren Anschlußpunkten und denen der Spuren des Substrats. Sie hat außerdem den Nachteil, daß sie nicht die Verwendung des Substrats als Wärmeabfuhrelement ermöglicht und den Platzbedarf der Höhe nach für die hybride Schaltung beträchtlich vergrößert, die allgemein bereits aufrecht auf einer Druckschaltung montiert ist.
  • Die vorliegende Erfindung hat das Ziel, diese Nachteile zu vermeiden.
  • Es ist im übrigen aus der Druckschrift EP-A-0 180 730 bekannt, ein IC-Gehäuse mit Hilfe eines Wärmeabfuhrelements zu kühlen, wobei das Gehäuse und das Wärmeabfuhrelement auf einem gleichen Platz zu beiden Seiten des Substrats befestigt sind. Gemäß der Druckschrift ist jedoch ein Wärmeübertragungs-Zwischenstück zwischen dem Gehäuse und dem Wärmeabfuhrelement erforderlich. Die vorliegende Erfindung erlaubt es weiter, ein solches Wärmeübertragungs-Zwischenstück zu vermeiden.
  • Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zum Kühlen eines IC-Gehäuses, das auf einem Substrat befestigt werden soll, mit Hilfe eines Wärmeabfuhrelements, wobei das Gehäuse und das Wärmeabfuhrelement auf dem Substrat an derselben Stelle zu beiden Seiten des Substrats befestigt sind,
  • wobei das Verfahren in Anspruch 1 beschrieben ist und im wesentlichen dadurch gekennzeichnet ist, daß es darin besteht:
  • - die äußere Oberfläche des Bodens des IC-Gehäuses mit einem verzinnbaren Bereich zu versehen, der ihre Befestigung durch Lötung ermöglicht,
  • - das Substrat in der Bestückungszone des IC-Gehäuses mit zwei verzinnbaren Bereichen zu versehen, die auf beiden Seiten des Substrats deckungsgleich einander gegenüberliegen, wobei der erste verzinnbare Bereich gegenüber demjenigen des Bodens des IC-Gehäuses liegt und der zweite verzinnbare Bereich mit dem ersten über mindestens ein Loch mit metallisierter Oberfläche verbunden ist, das durch das Substrat verläuft,
  • - die verzinnbaren Bereiche zu verzinnen, wobei sich das metallisierte Loch bzw. die metallisierten Löcher mit Lot füllen,
  • - gleichzeitig mit Hilfe der übereinanderliegenden verzinnbaren Bereiche auf dem Substrat den Boden des IC-Gehäuses bzw. unter dem Substrat in Höhe des IC-Gehäuses ein Wärmeabfuhrklötzchen anzulöten, das mit einer verzinnbaren Oberfläche versehen ist, die ihr Anlöten an den zweiten verzinnbaren Bereich des Substrats ermöglicht, wobei das Klötzchen mindestens einen metallischen Kanal aufweist, der an einem Ende in einer Kapillare, die in die verzinnbare Oberfläche mündet, und am anderen Ende in einem Lotreservoir endet, wobei der Kanal durch das Loch bzw. durch die Löcher mit metallisierter Wand jeden Überschuß an Lot zwischen dem Boden des IC-Gehäuses und dem Substrat aufnehmen kann.
  • Wenn das Substrat zum Abführen der durch das Gehäuses des integrierten Schaltkreises erzeugten Wärme ausreicht, ist das Klötzchen so gestaltet, daß es nur eine kleine Berührungsoberfläche mit dem Substrat aufweist, derart, daß es nach dem Anlöten und Aufnehmen eines eventuellen Lotüberschusses zwischen dem Boden des Gehäuses des integrierten Schaltkreises und dem Substrat leicht durch ein einfaches Zerbrechen der Lötschicht abgelöst werden kann, die es am Substrat befestigt.
  • Gegenstand der Erfindung ist auch eine Kühlvorrichtung zur Durchführung des obengenannten Verfahrens, wobei diese Vorrichtung in Anspruch 3 beschrieben ist.
  • Das Einfügen des Substrats zwischen das Gehäuse des integrierten Schaltkreises und das metallische Wärmeabfuhrklötzchen verhindert, wenn letzteres nicht entfernt wird, die Übertragung von mechanischen Beanspruchungen auf das IC-Gehäuse oder auf die Lötstellen an seinen äußeren Anschlußpunkten. Darüber hinaus kann die Abkühlung des IC-Gehäuses allein durch das Substrat oder mit Hilfe eines unter dem Substrat angelöteten metallischen Klötzchens den sich nach der aufrechten Montage der übrigen Schaltung auf einer Druckschaltung ergebenden endgültigen Platzbedarf verringern, weil das Klötzchen durch ein in der Druckschaltung vorgesehenes Loch hindurch in einer Ausweichhöhe liegt, die für das Klötzchen auf jeden Fall vorgesehen ist.
  • Das Anlöten des IC-Gehäuses auf dem Substrat liefert einen viel besseren Wärmekontakt zwischen den beiden Teilen als eine einfache Klebung oder ein Aufstecken, verursacht aber dafür ein Problem des Überschusses an Lot, dessen Auftragsmenge beim Verzinnen des Substrats nur schwer beherrschbar ist und das entweder eine ungenaue Höhenlage des IC-Gehäuses auf dem Substrat verursachen kann, das die Verlötung aller seiner äußeren Anschlußpunkte mit denen der Leitspuren des Substrats verhindern kann, oder aber Kurzschlußbrücken zwischen diesen Punkten bildet. Das Problem wird durch gleichzeitiges Anlöten eines Anschlußpunktes auf der anderen Seite des Substrats mit dem Anlöten des Gehäuses gelöst, indem das Substrat von mindestens einem Kanal mit metallisierter Wand durchdrungen wird, der an einem Ende in einer Kapillare endet, die in die verzinnbare Oberfläche mündet und in der Nähe des Loches mit metallisierter Wand ankommt, und am anderen Ende in einem Lotreservoir endet, wobei der Kanal die Aufnahme eines Lotüberschusses zwischen dem Boden des Gehäuses und dem Substrat ermöglicht.
  • Dieses Klötzchen ermöglicht so das Abpumpen des Lotüberschusses durch das Loch oder durch die metallisierten Löcher des Substrats aufgrund der Effekte der Oberflächenspannung, die auf das Lot im kapillaren Abschnitt seines Kanals oder seiner Kanäle wirken, wobei das Klötzchen durch das Lot in ausgezeichnetem thermischen Kontakt mit dem Gehäuse des integrierten Schaltkreises gehalten wird.
  • Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung gehen aus der nachfolgende Beschreibung mehrerer Ausführungsbeispiele in Bezug auf die Zeichnung hervor.
  • Figur 1 ist eine schematische, perspektivische, teilweise aufgebrochene Ansicht einer Hybridschaltung, die mit einem IC-Gehäuse bestückt und mit einer Kühlvorrichtung gemäß der Erfindung versehen ist.
  • Figur 2 ist eine perspektivische Unteransicht des in Figur 1 dargestellten IC-Gehäuses.
  • Figur 3 ist eine Teilschnittansicht, die das IC-Gehäuse mit einer Kühleinrichtung gemäß der Erfindung vor ihrem Anlöten am Substrat darstellt.
  • Figur 4 ist eine Teilschnittansicht, die das IC-Gehäuse und seine Kühleinrichtung nach dem Anlöten an das Substrat darstellt.
  • Figur 5 zeigt perspektivisch die in den Figuren 3 und 4 im Schnitt dargestellte Kühlvorrichtung.
  • Figur 6 zeigt im Schnitt eine Variante der in den Figuren 3, 4 und 5 dargestellten Kühlvorrichtung.
  • Die Figuren 7 und 8 zeigen perspektivisch zwei weitere kegelstumpfförmige Varianten.
  • In Figur 1 erkennt man eine Hybridschaltung mit ihrem Substrat 10, das ein gedrucktes Netz aus Widerständen und leitenden Spuren 11 trägt, die zu verzinnbaren Anschlußpunkten 12 für die auf der Oberfläche 13 montierten elektronischen Bauelemente, darunter ein IC-Gehäuse 14, sowie zu Randanschlußpunkten 15 führen, an die Außenanschlußstifte 16 angelötet sind.
  • Das Substrat 10 ist ein dünnes Keramikplättchen, das auf einer seiner Seiten oder auf beiden Seiten durch Siebdruck mit dem aus Widerständen und leitenden Spuren 11 bestehenden Netz bedeckt ist, das eventuell durch eine nicht dargestellte glasige Isolierschicht geschützt ist, mit Ausnahme der zum Verzinnen zugänglich gelassenen Anschlußpunkte 12, 15.
  • Das für die Oberflächenmontage vorgesehene IC-Gehäuse 14 besteht aus einer rechteckigen Schale 20 aus Keramik, die durch einen metallischen Deckel 21 verschlossen und an ihrem Umfang mit äußeren Anschlußpunkten 22 versehen ist, die sich nach unten hin durch rechteckige Kontaktschuhe 23 verlängern, die in Figur 2 sichtbar sind.
  • Die Stifte 16 besitzen einen Kopf 17, der mit Klauen versehen ist, die es ihnen ermöglichen, sich auf den Abschnitt des Substrats 10 im Bereich der Randanschlußpunkte 15 festzuklammern. Senkrecht zum Substrat 10 ausgerichtet können sie später die hybride Schaltung auf einer Druckschaltung größerer Oberfläche und relativ zu dieser leicht überhöht montieren.
  • Die Elemente der betrachteten Hybridschaltung werden gemäß der wohlbekannten, sogenannten Zweifachschmelztechnik montiert, die darin besteht, das Substrat 10 im unbestückten Zustand zu verzinnen, was die Bildung von Löthügeln auf den Anschlußpunkten 12, 15 verursacht, die Bauelemente und die Stifte auf dem Substrat 10 zu positionieren, wobei ihre Anschlußpunkte in Berührung mit den Löthügeln des Substrats 10 stehen, die Bauelemente durch Klebung oder mit Hilfe eines provisorischen Trägers festzuhalten und in einem einzigen Schritt alle Lötungen durchzuführen, indem das Ganze bis zum erneuten Schmelzen der Lothügel des Substrats und zum Wandern des Lots auf die Anschlußpunkte der Bauelemente sowie auf die Klauen der Stifte erwärmt wird.
  • Zusätzlich zu den üblichen elektronischen Bauelementen ist ein kegelstumpfförmiges metallisches Klötzchen 30, das ein Wärmeabfuhrelement bildet, unter der unteren Fläche des Substrats 10 in Höhe des Platzes des IC-Gehäuses 14 angeordnet. Beim zweiten Schmelzvorgang wird das metallische Klötzchen gleichzeitig mit dem Boden des IC-Gehäuses 14 und den anderen Elementen durch drei verzinnbare Bereiche am Substrat 10 angelötet, die in Figur 1 nicht sichtbar sind, von denen der eine in der Mitte der äußeren Oberfläche des Bodens des IC-Gehäuses 14 und die beiden anderen, einander gegenüberliegend, auf den beiden Flächen des Substrats 10 angebracht ist.
  • Figur 2 zeigt die Außenseite des Bodens der rechteckigen Schale 20 des IC-Gehäuses 14 mit den entlang seines Umfangs angebrachten rechteckigen Kontaktschuhen 23, die die äußeren Anschlußpunkte 22 verlängern, welche in der Seitenwand der Schale 20 gefaßt und dazu bestimmt sind, an die Anschlußpunkte 12 des Substrats angelötet zu werden. Weiter sieht man in ihrer Mitte einen verzinnbaren Bereich 24, der hier kreisförmig dargestellt ist, einen abstand von den rechteckigen Kontaktschuhen 23 besitzt und dazu bestimmt ist, das Anlöten des Bodens der Schale 20 auf dem Substrat 10 zu ermöglichen.
  • Figur 3 stellt einen Schnitt durch das Substrat 10 im Bereich eines Lochs 31 mit metallisierter Wand dar, das annähernd in der Mitte des IC-Gehäuses 14 angeordnet ist, und sie zeigt darüber das IC-Gehäuse 14 in der Seitenansicht, sowie darunter ein metallisches Wärmeabfuhrelement 40 im Schnitt.
  • Das Substrat 10 ist im verzinnten Zustand dargestellt. Auf Seiten des IC-Gehäuses 14 trägt das Substrat Anschlußpunkte 12, die dem Schnittpunkt der rechteckigen Kontaktschuhe 23 und der äußeren Anschlußpunkte 22 des IC-Gehäuses 14 gegenüberstehen, und es trägt in der Mitte der Anschlußpunkte 12, die ein Rechteck umschreiben, einen verzinnbaren Bereich 32, der nach Form und Größe dem ihm zugekehrten verzinnbaren Bereich 24 des Bodens des Gehäuses 14 gleicht. Auf der gegenüberliegenden Seite des IC-Gehäuses 14 besitzt das Substrat 10 einen weiteren verzinnbaren Bereich 33, der mit dem vorhergehenden Bereich 32 durch das Loch 31 mit metallisierter Wand sowie eventuell durch weitere Löcher mit metallisierter Wand in Verbindung steht, was von der Größe der Bereiche 32, 33 abhängt. Durch das Verzinnen wird das Loch 31 mit Lot gefüllt, während die Anschlußpunkte 12 und die verzinnbaren Bereiche 32 und 33 mit Lothügeln 35, 36, 37 bedeckt werden.
  • Das zylindrische Wärmeabfuhrklötzchen 40 wird mit einer seiner Basisflächen 41 am hier kreisförmigen verzinnbaren Bereich 33 des Substrats 10 angelötet. Es wird von einem axialen Kanal durchdrungen, der an dieser Basisfläche 41 in einer Kapillare 42 endet, die in der Nähe des Loches 31 mit metallisierter Wand des Substrats 10 mündet und auf seiten der entgegengesetzten Basisfläche in einem Lotreservoir 43 endet, dessen Durchmesser größer als der der Kapillare ist.
  • Im Verlauf des erneuten Lotschmelzens, während dem das IC-Gehäuse 14 und das Wärmeabfuhrklötzchen 40 zu beiden Seiten des Substrats in Höhe der Hügel 36 und 37 anliegen, die die verzinnbaren Bereiche 32, 33 bedecken, wobei das Wärmeabfuhrklötzchen vorher mit einem beizenden Flußmittel behandelt worden ist, wird der in den Hügeln 36, 37 enthaltene Lotüberschuß aufgrund der Wirkungen der Oberflächenspannung durch den kapillaren Abschnitt 42 des Kanals des Klötzchens angesaugt und füllt das Reservoir 43, wie in Figur 4 dargestellt. Dadurch legt sich das Gehäuse 14 des integrierten Schaltkreises eng an die Oberfläche des Substrats an und bringt alle rechteckigen Kontaktschuhe 23 seiner äußeren Anschlußpunkte in Kontakt mit den Lothügeln 35 der Anschlußpunkte des Substrats 10, was in allen Fällen ein richtiges Anlöten der Anschlußpunkte 12 ergibt, ohne daß sich Lotbrücken zwischen letzteren und den verzinnbaren Bereichen 24, 32 bilden.
  • Figur 5 zeigt perspektivisch das zylindrische Wärmeabfuhrklötzchen 40. Dieses kann einen geringen Durchmesser besitzen und Grundflächen geringer Größe aufweisen, damit seine Verlötung am Substrat 10 brüchig ist und leicht zerbrochen werden kann, wenn das Substrat 10 zum Abführen der Wärme ausreicht, die im IC-Gehäuse 14 erzeugt wird.
  • Die Figuren 6, 7 und 8 zeigen weitere Typen zylindrischer oder kegelstumpfförmiger Wärmeabfuhrklötzchen, die von einem oder von mehreren Kanälen durchdrungen sind, welche abgeknickt verlaufen, um die dem Substrat 10 gegenüberliegende Fläche unberührt zu lassen, und um beispielsweise Befestigungsmittel für eine Wärmeabfuhrplatte anzubringen, die die Strahlungsoberfläche vergrößert.
  • Figur 6 stellt einen Schnitt durch ein zylindrisches Wärmeabfuhrklötzchen 50 dar, das zum Anlöten an das Substrat 10 mit einer Basisfläche 51 bestimmt ist. Das Klötzchen 50 ist mit vier abgeknickten Kanälen, von denen drei sichtbar sind, mit jeweils einer Kapillare 52, 53, 54 versehen, die an der Basisfläche 51 in den vier Ecken eines Quadrats münden, und es ist mit drei Lotreservoirs 55, 56, 57 versehen, die in die Seitenfläche münden. Die Basis 51' des Klötzchens, die dem Substrat abgewandt ist, ist mit einem Sack-Gewindeloch 58 versehen, das einer Schraube 58' als Sitz dient, die zur Befestigung einer Wärmeabfuhrplatte 59 benutzt wird.
  • Die Figuren 7 und 8 zeigen im Schnitt kegelstumpfförmige Wärmeabfuhrklötzchen, die dem in Figur 1 dargestellten Klötzchen gleichen und mit ihrer kleinen Basisfläche am Substrat 10 angelötet werden. Das Klötzchen 30 der Figur 7 ist dasjenige, das die in Figur 1 dargestellte hybride Schaltung bestückt. Es wird von einem verzweigten Kanal durchdrungen, der eine axiale Kapillare 61 aufweist, welche außen in der kleinen Basisfläche 62 mündet, die am Substrat 10 angelötet werden soll, und welche innen in einer Kammer 63 mündet, die im Überkreuzungsbereich mehrerer rechtwinklig verlaufender Zweige 64, 65, 66, 67 angeordnet ist, welche in der Seitenwand des Klötzchens münden und als Lotreservoirs dienen. Das Klötzchen 70 der Figur 8 wird, wie das der Figur 6, von vier abgeknickten Kanälen mit jeweils einer Kapillare 71, 72, 73, 74 durchdrungen, die in Achsrichtung des Kegelstumpfs orientiert sind und in die kleine Basisfläche 75 an den vier Ecken eines Quadrates münden. Weiter weist es Lotreservoirs 76, 77, 78, 79 auf, die senkrecht zur Achse des Kegelstumpfes verlaufen und in die Seitenwand münden.
  • Ohne den Rahmen der Erfindung zu verlassen, kann man bestimmten Maßnahmen abändern oder bestimmte Mitte durch äquivalenten Mittel ersetzen. Man kann insbesondere die Form des Wärmeabfuhrklötzchens entsprechend den Bedürfnissen verändern und seine äußere Oberfläche mit Rippen oder Rillen versehen, wie dies bei Wärmestrahlern für Halbleiter üblich ist. Man kann auch die dem Substrat abgewandte Fläche des Klötzchens mit anderen Befestigungsmitteln als einem Gewindeloch versehen, wie etwa mit einem Nietstift oder einem Gewindestummel, die den Vorteil haben, daß kein Material entfernt werden muß, was die Wärmeträgheit und die Wärmeleitfähigkeit verringern würde.

Claims (9)

1. Verfahren zum Kühlen eines IC-Gehäuses (14), das auf einem Substrat (10) befestigt werden soll, mit Hilfe eines Wärmeabfuhrelements, wobei das Gehäuse und das Wärmeabfuhrelement auf dem Substrat an derselben Stelle zu beiden Seiten des Substrats befestigt sind, dadurch gekennzeichnet, daß das Verfahren darin besteht:
- die äußere Oberfläche des Bodens des IC-Gehäuses (14) mit einem verzinnbaren Bereich (24) zu versehen, der ihre Befestigung durch Lötung ermöglicht,
- das Substrat (10) in der Bestückungszone des IC-Gehäuses (14) mit zwei verzinnbaren Bereichen (32, 33) zu versehen, die auf beiden Seiten des Substrats deckungsgleich einander gegenüberliegen, wobei der erste verzinnbare Bereich (32) gegenüber demjenigen (24) des Bodens des IC-Gehäuses (14) liegt und der zweite verzinnbare Bereich (33) mit dem ersten (32) über mindestens ein Loch mit metallisierter Oberfläche (31) verbunden ist, das durch das Substrat (10) verläuft,
- die verzinnbaren Bereiche zu verzinnen, wobei sich das metallisierte Loch bzw. die metallisierten Löcher mit Lot füllen,
- gleichzeitig mit Hilfe der übereinanderliegenden verzinnbaren Bereiche auf dem Substrat (10) den Boden des IC-Gehäuses (14) bzw. unter dem Substrat (10) in Höhe des IC-Gehäuses (14) ein Wärmeabfuhrklötzchen (30, 40) anzulöten, das mit einer verzinnbaren Oberfläche (41) versehen ist, die ihr Anlöten am zweiten verzinnbaren Bereich (33) des Substrats (10) ermöglicht, wobei das Klötzchen mindestens einen metallischen Kanal aufweist, der an einem Ende in einer Kapillare (42), die in die verzinnbare Oberfläche (41) mündet, und am anderen Ende in einem Lotreservoir endet, wobei der Kanal durch das Loch bzw. durch die Löcher (31) mit metallisierter Wand jeden Überschuß an Lot zwischen dem Boden des IC-Gehäuses (14) und dem Substrat (10) aufnehmen kann.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Klötzchen (40) durch eine kleine Oberfläche, die seine Befestigung durch Anlöten auf dem Substrat (10) zerbrechlich macht, in Berührung steht und das vom Substrat (10) durch einfaches Abbrechen abgelöst wird, nachdem es auf dem Substrat angelötet worden war.
3. Vorrichtung zum Kühlen eines IC-Gehäuses (14), die ein Substrat (10), ein IC-Gehäuse (14) und ein Wärmeabfuhrelement (40) aufweist, wobei das Gehäuse und das Wärmeabfuhrelement auf dem Substrat an derselben Stelle zu beiden Seiten des Substrats befestigt sind, dadurch gekennzeichnet, daß
- mindestens ein Loch (31) mit metallisierter Wand durch das Substrat (10) verläuft,
- das Wärmeabfuhrelement (40) die Form eines Klötzchens aufweist, das von mindestens einem Kanal mit metallisierter Wand durchdrungen wird, der an einem Ende in einer Kapillare (42), welche an einer der Basisflächen des Klötzchens mündet, und am anderen Ende in einem Lotreservoir (43) endet,
- verzinnbare Bereiche (24, 32, 33, 41) deckungsgleich einander gegenüberliegend auf dem Boden des IC-Gehäuses, auf jeder der Seiten des Substrats an der Stelle des mindestens einen Lochs mit metallisierter Wand und auf derjenigen Seite der Basisflächen des Wärmeabfuhrklötzchens angeordnet sind, an der die Kapillare mündet, wobei die verzinnbaren Bereiche dazu bestimmt sind, durch Verlötung die Befestigung dieser Basisfläche des Wärmeabfuhrklötzchens am Boden des Gehäuses zu ermöglichen.
4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Wärmeabfuhrklötzchen (50) von mindestens einem geknickten Kanal durchdrungen wird, der eine Kapillare (52, 53, 54), die an der Fläche (51) gegenüber dem Substrat mündet, und ein Lotreservoir (55, 56, 57) aufweist, das an einer Seitenfläche des Klötzchens (50) mündet, um die dem Substrat abgewandte Fläche (51') des letzteren unberührt zu lassen.
5. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Wärmeabfuhrklötzchen (30) von einem verzweigten Kanal durchdrungen ist, der eine Kapillare (61) aufweist, die an der Außenseite des Klötzchens (30) in der dem Substrat (10) abgekehrten Fläche (62) und im Inneren des Klötzchens (30) in eine Kammer (63) mündet, die in der Kreuzung mehrerer Zweige (64, 65, 66, 67) mündet, die Lotreservoire bilden und in der Seitenfläche münden.
6. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Wärmeabfuhrklötzchen (70) von mehreren geknickten Kanälen durchdrungen ist, deren Kapillaren (71, 72, 73, 74) an der Außenseite des Klötzchens (70) in den Ecken eines Quadrates in der dem Substrat (10) zugekehrten Fläche (75) münden und deren Lotreservoire (76, 77, 78, 79) am Umfang der Seitenfläche des Klötzchens (70) münden.
7. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Wärmeabfuhrklötzchen (50) auf seiner dem Substrat (10) abgewandten Fläche (51') Mittel (58, 58') zur Befestigung einer Wärmeabfuhrplatte (59) aufweisen.
8. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Wärmeabfuhrklötzchen (40) zylindrisch ist.
9. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Wärmeabfuhrklötzchen (30, 70) kegelstumpfförmig ist.
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