DE3786152T2 - Fluessigkristallanzeigevorrichtung. - Google Patents
Fluessigkristallanzeigevorrichtung.Info
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Description
- Die Erfindung bezieht sich auf eine Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung, bei welcher Flüssigkristalle verwendet werden. Insbes andere bezieht sie sich auf eine Aktivmatrix-Anzeigevorrichtung, die einen Dünnschichttransistor als Schaltvorrichtung verwendet.
- In den jüngsten Jahren ist amorphes Silizium (a-Si) als Material verwendet worden, das einen Dünnschichttransistor bildet, welcher als Schalteinrichtung für das Treiben von Flüssigkristall- Anzeigeeinrichtungen funktioniert.
- Fig. 5 der beigefügten Zeichnungen zeigt eine konventionelle Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung, welche ein Paar durchsichtige isolierende Substrate 101 und 102, einen Dünnschichttransistor 111, der auf der Innenseite des durchsichtigen isolierenden Substrats 101 angeordnet ist, eine durchsichtige Bildelementelektrode 110, die mit dem Dünnschichttransistor 111 auf dem durchsichtigen isolierenden Substrat 101 verbunden ist, eine Schutzschicht 104, die sowohl auf dem Dünnschichttransistor 111, als auch der durchsichtigen Bildelementelektrode 110 angeordnet ist, Farbfilter 109, die auf der Innenseite des durchsichtigen isolierenden Substrats 102 angeordnet sind, eine durchsichtige Gegenelektrode 108, die auf den Farbfiltern 109 angeordnet ist, ein Paar flüssigkristallorientierende Schichten 105 und 106, die auf der Schutzschicht 104 beziehungsweise der durchsichtigen Gegenelektrode 108 angeordnet sind und einen Flüssigkristall umfaßt, der zwischen den flüssigkristallorientierenden Schichten 105 und 106 angeordnet ist. Der Dünnschichttransistor 111 umfaßt eine Metallschicht 112, die eine Gatterelektrode und Gattersamelleitungen bildet, eine isoliernde Gatterschicht 103, eine a- Si-Halbleiterschicht 113, eine Metallschicht 114, die eine Senkenelektrode bildet und eine Metallschicht 115, die eine Quellenelektrode und Quellen-Sammelleitungen bildet. Spannung wird an das Flüssigkristall, das zwischen den durchsichtigen Elektroden 108 und 110 positioniert ist, durch die Schaltoperation des Dünnschichttransistors 111 angelegt. Fig. 6 zeigt eine konventionelle Aktivmatrix-Anzeigevorrichtung, welche die vorstehend erwähnte Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung umfaßt, wobei ein Paar polarisierende Platten 121 und 122, die auf der Außenseite der durchsichtigen isolierenden Substrate 101 beziehungsweise 102 der Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung angeordnet ist. Die Dünnschichttransistoren 111 werden mit Licht A von einer Beleuchtung von hinten bestrahlt, das hinter der polarisierenden Platte 121 angeordnet ist.
- Die vorstehend erwähnte Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung hat die folgenden Nachteile:
- Erstens ändert sich die Strom-Spannungs-Kennlinie des Dünnschichttransistors 111 unter Verwendung von a-Si mit dem aufgestrahlten Licht, weil sich die elektrische Leitfähigkeit von a-Si mit dein aufgestrahlten Licht erhöht. Fig. 7 zeigt die Strom-Spannungs-Kennlinie des Dünnschichttransistors 111 mit a- Si, bei welcher die Abszisse die Gatterspannung, die Ordinate den Senkenstrom, Kurve a die Strom-Spannungs-Kennlinie zu der Zeit, zu der der Dünnschichttransistor nicht mit Licht bestrahlt wird und Kurve c die Strom-Spannungs-Kennlinie zu der Zeit zeigt, zu der der Dünnschichttransistor mit Licht bestrahlt wird. Man kann aus Fig. 7 sehen, daß der Widerstand des Dünnschichttransistors im Sperrzustand durch Bestrahlen mit Licht von der Lichtquelle dahinter gesenkt wird, was Schwierigkeiten bei der normalen Schaltoperation des Dünnschichttransistors verursacht. Das Ergebnis ist, daß die Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung eine dürftige Bildqualität schafft. Um dieses Problem zu lösen, ist eine lichtabschirmende Substanz über dem Kanal des Dünnschichttransistors plaziert worden. Jedoch erreicht Licht von der Lichtquelle dahinter den Dünnschichttransistor 111, da ja das Licht infolge der polarisierenden Platte 121 nur auf ungefähr 40% geschwächt wird, obwohl Außenlicht den Dünnschichttransistor 111 nicht erreicht, da es ja ausreichend infolge der Polarisationsplatte 122 und einer schwarzen Streifenschicht 214 (Fig. 8) abgeschwächt wird, die an den Farbfiltern 109 ausgebildet ist. Folglich tritt ein optoelektischer Strom (Fotostrom) in dem Dünnschichttransistor 111 auf, welcher ein Absenken des Widerstands des Dünnschichttransistors 111 im Sperrzustand verursacht.
- Zweitens gelangt Licht A von der Lichtquelle dahinter durch die Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung, und man kann das übertragene Licht durch die Farbfilter (rot, grün und blau) 109 sehen. Ein Teil des Lichts A von der Lichtquelle dahinter gelangt durch den Spalt zwischen Bildelementen, die die rote, grüne und blaue Farbe jedes Farbfilters 109 bilden, was Schwierigkeiten bei der Ausbildung deutlicher und kontrastreicher Bilder verursacht. Um dieses Problem zu lösen, wird, wie in Fig. 8 gezeigt, ein Metall, wie beispielsweise Cr usw. zwischen den roten, grünen und blauen Bildelementen 213 auf dem Substrat 102 auf der Farbfilterseite aufgedampft, was zu einer schwarzen Streifenschicht 214 führt, die verhütet, daß Licht durch den Spalt zwischen den Bildelementen 213 hindurchgelangt. Jedoch führt die Bildung einer solchen schwarzen Streifenschicht 214 zu den folgenden Problemen: die Genauigkeit der Positionsausrichtung zwischen dem vorderen Ausgabefeld, auf welchem die Farbfilter ausgebildet sind und dem hinteren Ausgabefeld, auf welchem aktive Einrichtungen, wie beispielsweise Dünnschichttransistoren, ausgebildet sind, muß 10 um oder geringer sein, so daß die Linienbreite des schwarzen Streifens 214 um den vorstehend erwähnten Wert von ungefähr 10 um oder weniger breiter als der Spalt zwischen den Bildelementen sein muß, die auf dem Feld auf der aktiven Seite der Einrichtung angeordnet sind. Dementsprechend nimmt die Fläche jedes Bildelements ab, was zu einer Abnahme bei der Menge des übertragenen Lichts (d.h. einer Abnahme bei der Durchlässigkeit (d.h. der Helligkeit) des vorderen Feldes) führt.
- Es ist auch aus EP-A-0179915 eine Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung bekannt, bei welcher die einzelnen Dünnschichttransistoren zum Zweck des Schützens dieser Transistoren vor einer direkten Lichtbestrahlung über lichtundurchlässigen Metallflächen angeordnet sind. Jedoch werden die lichtundurchlässigen Metallflächen auf dem stützenden Substrat nur in den Bereichen des Substrats gebildet, wo die Dünnschichttransistoren gebildet sind, so daß die lichtabschirmende Wirkung begrenzt ist. Das Ergebnis ist, daß die Einrichtung von EP-A-0179915 ebenfalls eine lichtblockierende Schicht um die Farbfilter herum erfordert, die auf einem Gegensubstrat angeordnet sind.
- JP-A-58 159 520 und US-A-4601097 beschreiben ähnliche Anordnungen, wie die von EP-A-0179915, bei welchen lichtabschirmende Schichten, die beispielsweise aus Metall oder einem metallischen Silizid hergestellt sind, nur über den speziellen Bereichen des Substrats angeordnet sind, die die Dünnschichttransistoren tragen.
- Es ist ein Gegenstand der vorliegenden Erfindung, für eine Aktivmatrix-Anzeigevorrichtung zu sorgen, welche die vorstehend diskutierten und andere Nachteile und Mängel der bekannten Einrichtungen überwindet.
- Eine Aktivmatrix-Anzeigevorrichtung in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung umfaßt eine Mehrzahl von durchsichtigen Bildelement-Elektroden und eine Mehrzahl von. Dünnschicht-Transistoren, die so angeordnet sind, daß sie eine Matrix auf einem isolierenden Substrat bilden, wobei die Transistoren mit Hilfe einer lichtundurchlässigen Schicht, die eine schwarze Streifenschicht einschließt, so abgeschirmt sind, daß sie vollständig gegen eine Bestrahlung mit Licht durch das isolierende Substrat abgeschirmt sind, Farbfilter, die gegenüber dem isolierenden Substrat und diesem zugewandt angeordnet sind und eine Flüssigkristall-Schicht, die zwischen das isolierende Substrat und die Farbfilter eingelagert ist, dadurch gekennzeichnet, daß die schwarze Streifenschicht über dem isolierenden Substrat angeordnet ist und eine Vielzahl von darin gebildeten Öffnungsbereichen aufweist; daß jeder Dünnschichttransistor über der schwarzen Streifenschicht gebildet ist, wobei jeder aus der Mehrzahl der Dünnschichttransistoren angrenzend an einen entsprechenden aus der Mehrzahl der Öffnungsbereiche angeordnet ist; daß der Randbereich jeder der durchsichtigen Bildelement-Elektroden über einen entsprechenden Öffnungsbereich gelegt ist, um diesen Öffnungsbereich vollständig zu umschließen und daß die Farbfilter keine darauf angeordnete schwarze Streifenschicht haben.
- Bei einer bevorzugten Ausführungsform umfaßt die Aktiv-Anzeigevorrichtung weiterhin eine zweite schwarze Streifenschicht, wobei diese zweite schwarze Streifenschicht über der Mehrzahl von Dünnschicht-Transistoren auf der Seite angeordnet ist, die der ersterwähnten schwarzen Streifenschicht gegenüberliegt.
- Bei einer bevorzugten Ausführungsform ist die schwarze Streifenschicht aus einer amorphen Silizium-Halbleiterschicht, einer Metallschicht oder einer schwarzgefärbten Kunstharzschicht hergestellt.
- Bei einer bevorzugten Ausführungsform sind die Dünnschichttransistoren in einer umgekehrt versetzten Struktur hergestellt.
- Folglich macht die hierin beschriebene Erfindung möglich: das Bereitstellen (1) einer Aktivmatrix-Anzeigevorrichtung, bei welcher eine schwarze Streifenschicht, die aus einer a-Si- Halbleiterschicht, einer Metallschicht oder einer schwarzgefärbten Kunststoffschicht hergestellt ist, zwischen jedem Dünnschicht-Transistor und dem isolierenden Substrat angeordnet ist, auf welcher der Dünnschicht-Transistor in einer solchen Art und Weise angebracht ist, daß die schwarze Streifenschicht den gesamten Bereich mit Ausnahme der Bildelemente bedeckt und dadurch verhütet, daß der Transistor mit Licht von einer Lichtquelle bestrahlt wird, die hinter dem isolierenden Substrat plaziert ist und eine Fehlfunktion des Transistors verhütet; (2) eine Aktivmatrix-Anzeigevorrichtung, bei welcher die vorstehend erwähnte schwarze Streifenschicht nicht auf dem Substrat auf der Farbfilterseite angeordnet ist, sondern auf dem Substrat auf der Dünnschicht-Transistorseite angeordnet ist und demzufolge die Genauigkeit der positionellen Ausrichtung zwischen der Bildelement-Elektrode der schwarzen Streifenschicht nicht von dem Spalt zwischen den Bildelementen des Farbfilters abhängt, sondern von der Herstellungsgenauigkeit der schwarzen Streifenschicht und der Rasterungsgenauigkeit der schwarzen Streifenschicht abhängt, so daß die Linienbreite des schwarzen Streifens schmaler gemacht werden kann (das heißt, die Fläche jedes Bildelements kann größer gemacht werden), was eine Erhöhung bei der Menge des übertragenen Lichts, nämlich einer Verbesserung der Helligkeit des vorderen Anzeigefelds führt, woraus sich ein Bild höherer Qualität ergibt; und (3) eine Aktivmatrix-Anzeigevorrichtung, bei welcher eine hohe Genauigkeit der positionellen Ausrichtung zwischen dem Substrat auf Seite der Dünnschicht-Transistoren und dem Substrat auf der Farbfilterseite nicht erforderlich ist, was zu einer verbesserten Produktionsausbeute der Aktivmatrix-Anzeigevorrichtung führt.
- Die Erfindung wird weiter im Nachstehenden, nur in Form eines Beispiels, unter Verweis auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben, bei welchen:
- Fig. 1 eine Seiten-Schnittansicht ist, die einen Teil einer Aktivmatrix-Anzeigevorrichtung dieser Erfindung zeigt;
- Fig. 2 eine Bodenansicht ist, die die Positionsbeziehung zwischen den Dünnschichttransistoren und den durchsichtigen Bildelementelektroden einer Aktivmatrix-Anzeigevorrichtung entsprechend dieser Erfindung zeigt;
- Fig. 3 eine Seiten-Schnittansicht ist, die eine Aktivmatrix- Anzeigevorrichtung dieser Erfindung zeigt;
- Fig. 4 Kennlinien umfaßt, die die Beziehung zwischen der Gatterspannung und dem Senkenstrom (Drainstrom) bezogen auf eine Aktivmatrix-Anzeigevorrichtung dieser Erfindung und eine konventionelle Aktivmatrix-Anzeigevorrichtung zeigen;
- Fig. 5 eine Seiten-Schnittansicht ist, die eine konventionelle Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung zeigt;
- Fig. 6 eine Seiten-Schnittansicht ist, die eine konventionelle Aktivmatrix-Anzeigevorrichtung unter Verwendung einer Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung zeigt;
- Fig. 7 Kennlinien umfaßt, die die Beziehung zwischen der Gatterspannung und dem Drainstrom bezogen auf die konventionelle Aktivmatrix-Anzeigevorrichtung zeigen; und
- Fig. 8 eine Grundrißansicht ist, die einen Teil einer konventionellen Aktivmatrix-Anzeigevorrichtung zeigt.
- Fig. 1 zeigt einen Teil einer Aktivmatrix-Anzeigevorrichtung dieser Erfindung, welche umfaßt ein Glassubstrat 1 als hinteres Anzeigefeld, Dünnschicht-Transistoren 7, die auf dem Glassubstrat 1 angeordnet sind und durchsichtige Bildelementelektroden 5, die mit den Dünnschicht-Transistoren 7 verbunden sind. Jeder Dünnschicht-Transistor 7 umfaßt eine Gatterelektrode 8, eine das Gatter isolierende Schicht 4, eine a-Si-Halbleiterschicht 9, mit Phosphor dotierte a-Si-Schichten 10 und 11 und Quellen- und Senkenelektroden 12 und 13. Der Dünnschicht-Transistor 7 ist in einer umgekehrt versetzten Struktur hergestellt, bei welcher die Gatterelektrode 8 auf der Substratseite positioniert ist.
- Wie in Fig. 2 gezeigt, sind die Dünnschicht-Transistoren 7 und die durchsichtigen Bildelementelektroden 5 in einer Matrix auf dem Glassubstrat 1 angeordnet. Eine schwarze Streifenschicht 55, die zwischen ein Paar isolierende Schichten 2 und 3 eingelagert ist, ist zwischen dem Dünnschicht-Transistor 7 und dem Glassubstrat 1 so angeordnet, daß die schwarze Streifenschicht 55 den gesamten Bereich mit Ausnahme des für die durchsichtigen Bildelementelektroden 5 abdeckt.
- Die schwarze Streifenschicht 55 wird dadurch gebildet, daß eine a-Si-Halbleiterschicht 6 so gerastert wird, daß eine a-Si-Halbleiterschicht 6 um die durchsichtigen Bildelementelektroden 5 herum entlang der Gatter- und Quellen-Sammelleitungen 33 und 44 angeordnet ist. Folglich kann man nur die schwarze Streifenschicht 55 und die durchsichtigen Bildelementelektroden 5 von dem hinteren Anzeigefeld auf der Seite der Dünnschicht-Transistoren der Aktivmatrix-Anzeigevorrichtung aus beobachten. Der Randbereich der schwarzen Streifenschicht 55 und der Randbereich jeder durchsichtigen Bildelementelektrode 5 überlappen sich um ungefähr 1 - 2 um, um auf diese Weise eine gegebene Ausrichtungsgenauigkeit zwischen diesen zu erreichen. Die Dicke der a- Si-Halbleiterschicht 6, die die schwarze Streifenschicht 55 bildet, wird auf den Bereich von 0,1 um bis 1,0 um festgesetzt, was in ausreichender Weise dünner als die Dicke jedes Dünnschicht-Transistors ist. Durch die schwarze Streifenschicht 55 können 99 % der Menge an Licht von einer Lichtquelle dahinter, die auf der Transistorseite plaziert ist, absorbiert werden, und demzufolge wird das Licht, das auf die schwarze streifenschicht 55 auftrifft, nicht auf die Farbfilterseite der Aktivmatrix- Anzeigevorrichtung übertragen.
- Die isolierenden Schichten 2 und 3, zwischen die die a-Si- Halbleiterschicht 6 eingelagert ist, funktionieren als Ätz-Stopschicht, wenn die a-Si-Halbleiterschicht 6 mit Hilfe einer geeigneten Ätztechnik zu einem gewünschten Streifen gerastert wird.
- Die Isolierschichten 2 und 3 werden beispielsweise aus SiNx beziehungsweise Ta&sub2;O&sub3; hergestellt.
- Fig. 3 zeigt die Aktivmatrix-Anzeigevorrichtung, die die vorstehend erwähnten durchsichtigen Bildelementelektroden 5 und die Dünnschicht-Transistoren 7 hat. Diese Aktivmatrix-Anzeigevorrichtung umfaßt ein Paar Glassubstrate 1 und 28, ein Paar polarisierende Platten 21 und 22, die auf den Außenseiten des Glassubstrats 1 beziehungsweise 28 angeordnet sind, eine Vielzahl von Dünnschicht-Transistoren 7, die auf dem Glassubstrat 1 angeordnet sind, von denen jeder mit einer durchsichtigen Bildelementelektrode verbunden ist, eine Flüssigkristalle orientierende Schicht 23, die auf dem Glassubstrat 1 angeordnet ist, das die Dünnschicht-Transistoren 7 und die durchsichtigen Bildelementelektroden 5 beinhaltet, eine Vielzahl von Farbfiltern 27, die auf dem Glassubstrat 28 angeordnet sind, eine durchsichtige Gegenelektrode 26, die auf dem Glassubstrat 28 angeordnet sind, das die Farbfilter 27 einschließt, eine Flüssigkristalle orientierende Schicht 25, die an der durchsichtigen Gegenelektrode 26 angeordnet ist und einen Flüssigkristall 24 beinhaltet, der zwischen den die Flüssigkristalle orientierenden Schichten 23 und 25 angeordnet ist. Ein rückseitiges Licht ist hinter der polarisierenden Platte 21 auf der Transistorseite plaziert. Die Anzeigevorrichtung wird mit Licht A von dem dahinterliegenden Licht bestrahlt. Die a-Si-Halbleiterschicht 6 (Fig. 1), die die schwarze Streifenschicht 55 bildet (Fig. 2), welche zwischen dem Dünnschicht-Transistor 7 und dem Glassubstrat 1 in der vorstehend erwähnten Weise angeordnet ist, schirmt die Dünnschicht-Transistoren 7 gegenüber Licht von der dahinterliegenden Lichtquelle ab.
- Fig. 4 zeigt die Spannungs-Strom-Kennlinien, die durch den Dünnschichttransistor 7 erreicht werden, wobei die Abszisse die Gatterspannung und die Ordinate den Drainstrom anzeigt, und außerdem zeigt Kurve a die Strom-Spannungs-Kennlinie zu der Zeit, zu der der Dünnschicht-Transistor nicht mit Licht bestrahlt wird, zeigt Kurve b die Strom-Spannungs-Kennlinie zu der Zeit, zu der der Dünnschicht-Transistor mit Licht von der dahinterliegenden Lichtquelle bestrahlt wird und zeigt Kurve c die Strom-Spannungs-Kennlinie zu der Zeit, zu der ein konventioneller Dünnschicht-Transistor, welcher keine lichtabschirmende Schicht aus einer a-Si-Halbleiterschicht hat, mit Licht von der dahinterliegenden Quelle bestrahlt wird. Fig. 4 zeigt, daß die Strom-Spannungs-Kennlinie des Dünnschicht-Transistors dieser Erfindung, die Kurve b zeigt, dieselbe ist, wie jene des von Kurve a gezeigten Dünnschicht-Transistors. Dies bedeutet, daß die Transistor-Kennwerte des Dünnschicht-Transistors dieser Erfindung in bestrahltem Zustand dieselben sind, wie jene des Dünnschicht-Transistors im nichtbestrahlten Zustand und daß sogar dann, wenn der Dünnschicht-Transistor dieser Erfindung mit Licht von einer Quelle dahinter bestrahlt wird, der Widerstand desselben im Sperrzustand nicht abnimmt. Das Verhältnis des Widerstands desselben im Sperrzustand zu dem in leitfähigem Zustand beträgt 10&sup5; oder mehr. Deshalb führt die Bestrahlung mit Licht von einer Quelle dahinter nicht zu einer unerwünschten Funktionsweise des Dünnschicht-Transistors der Aktivmatrix-Anzeigevorrichtung dieser Erfindung.
- Statt der a-Si-Halbleiterschicht 6 (Fig. 1) von Beispiel 1 wird eine Metallschicht, die eine Dicke von 0,01 bis 1,0 um hat oder eine schwarzgefärbte Kunstharzschicht, die eine Dicke von 0,05 - 2,0 um hat, für eine schwarze Streifenschicht verwendet, und man kann dieselben Effekte wie jene, die bei Beispiel 1 beschrieben werden, erreichen.
- Die Aktivmatrix-Anzeigevorrichtung dieser Erfindung wird mit einer schwarzen Streifenschicht versehen, die über dem oberen Teil, der die Quellen- und die Senkenelektroden der Dünnschichttransistoren von Beispiel 1 enthält, in derselben Weise wie bei Beispiel 1 zusätzlich zu einer solchen schwarzen Streifenschicht angeordnet, die zwischen dem Dünnschicht-Transistor und dem isolierenden Substrat angeordnet ist, das den Transistor hat, der in Beispiel 1 - 2 beschrieben ist, wodurch die Wirkung erreicht wird, daß effektiver Licht von der Lichtquelle dahinter abgeschirmt wird. Die beiden schwarzen Streifenschichten werden dadurch gebildet, daß eine a-Si-Halbleiterschicht, eine Metallschicht oder eine schwarzgefärbte Kunstharzschicht zwischen isolierende Schichten eingelagert wird, wie in den Beispielen 1 - 2 beschrieben.
- Es ist selbstverständlich, daß verschiedene andere Modifikationen für jene, die mit der Technik vertraut sind, offensichtlich sind und von diesen vorgenommen werden können, ohne von dem Geltungsbereich dieser Erfindung abzuweichen, wie sie durch die beigefügten Ansprüche definiert wird.
Claims (4)
1. Aktivmatrix-Anzeigevorrichtung mit:
einer Mehrzahl von durchsichtigen Bildelement-Elektroden
(5) und einer Mehrzahl von Dünnschicht-Transistoren (7), die
zur Bildung einer Matrix auf einem isolierenden Substrat (1)
angeordnet sind, wobei die Transistoren (7) mit Hilfe einer
lichtundurchlässigen Schicht, einschließlich einer schwarzen
Streifenschicht, abgeschirmt sind, so daß sie vollständig
gegen eine Bestrahlung mit Licht durch das isolierende
Substrat (1) geschützt sind,
Farbfilter (27), die dem isolierenden Substrat (1)
gegenüberliegend und diesem zugewandt angeordnet sind, und
einer Flüssigkristall-Schicht (24), die zwischen das
isolierende Substrat (1) und die Farbfilter (27)
zwischengeschichtet ist, dadurch gekennzeichnet, daß
die schwarze streifenschicht (55) über dem isolierenden
Substrat angeordnet ist und eine Mehrzahl von darin
gebildeten Öffnungsbereichen aufweist;
jeder Dünnschicht-Transistor (7) über der schwarzen
Streifenschicht (55) gebildet ist, wobei jeder aus der
Mehrzahl der Dünnschicht-Transistoren (7) benachbart zu einem
entsprechenden aus der Mehrzahl der Öffnungsbereiche
angeordnet ist;
der Randbereich von jeder der durchsichtigen
Bildelement-Elektroden (5) über einen entsprechenden der
Öffnungsbereiche gelegt ist, um diesen Öffnungsbereich vollständig zu
umschließen; und
die Farbfilter (27) keine darauf angeordnete schwarze
Streifenschicht (55) haben.
2. Aktivmatrix-Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, weiterhin
mit einer zweiten schwarzen Streifenschicht, wobei die
zweite schwarze streifenschicht über der Mehrzahl von
Dünnschicht-Transistoren (7) und über einer Mehrzahl von Source-
Elektroden (12) und Drain-Elektroden (13), auf der
gegenüberliegenden Seite der zuerst genannten schwarzen
Streifenschicht (55) angeordnet ist.
3. Aktivmatrix-Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei
die zuerst genannte schwarze Streifenschicht (55) aus einer
amorphen Silicium-Halbleiterschicht, einer Metallschicht
oder einer schwarzgefärbten Kunstharzschicht hergestellt
ist.
4. Aktivmatrix-Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, 2 oder 3,
wobei die Dünnschicht-Transistoren (7) in einer umgekehrt
versetzten Struktur, in der die Gate-Elektrode (8) auf der
Substrat-(1)-Seite angeordnet ist, gestaltet sind.
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