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DE3516755C2 - - Google Patents

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DE3516755C2
DE3516755C2 DE3516755A DE3516755A DE3516755C2 DE 3516755 C2 DE3516755 C2 DE 3516755C2 DE 3516755 A DE3516755 A DE 3516755A DE 3516755 A DE3516755 A DE 3516755A DE 3516755 C2 DE3516755 C2 DE 3516755C2
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DE
Germany
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voltage
current
connection elements
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measurement
Prior art date
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DE3516755A
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Keiichi Itami Hyogo Jp Sawada
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Description

Die Erfindung betrifft ein Testgerät zur Überprüfung logischer und zur Messung elektrischer Eigenschaften von Halbleitereinrichtungen gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Ein konventionelles Testgerät zur Prüfung einer Halbleitereinrichtung, dessen Aufbau und Wirkungsweise nachfolgend anhand der Fig. 1 bis 4 näher beschrieben wird, besitzt Meßschaltungen 1 zur Durchführung von Funktionsmessungen, wobei die Anzahl der Meßschaltungen 1 gleich der Anzahl der Eingangs-Ausgangsstifte der zu überprüfenden Halbleitereinrichtung 2 ist. Darüber hinaus besitzt die Testschaltung mehrere Präzisionsmeßeinrichtungen 3 (nachfolgend als "PMU" bezeichnet) zur Messung elektrischer Gleichstromeigenschaften bzw. Kennwerte der zu überprüfenden Halbleitereinrichtung 2. Ein Testgerät dieser Art ist bereits aus dem Manual: "AS-31502-003, DIC-8035B VLSI TEST SYSTEM, Summit programm language" der Fa. AWOO ELECTRIC CO., LTD. 1st Edition, February 02, 1983, bekannt. Eine Treiberschaltung 4 innerhalb der Meßschaltung 1 dient dazu, eine variable Gleichspannung zu einem Stift bzw. Anschlußelement der zu überprüfenden Halbleitereinrichtung 2 zu liefern. Mit Hilfe einer Vergleichsschaltung 5 kann die Ausgangsspannung an einem Anschlußelement der Halbleitereinrichtung 2 mit einer Referenzspannung verglichen werden. Eine Diodenbrückenschaltung 6 dient zur Lieferung eines variablen bzw. einstellbaren Stroms zu einem Anschlußelement bzw. Anschlußstift der Halbleitereinrichtung 2. Konstantstromquellen 7 und 8 sind mit der Diodenbrückenschaltung 6 verbunden, und zwar jeweils an gegenüberliegenden Brückenzweigen, wobei die Konstantstromquelle 7 mit dem oberen und die Konstantstromquelle 8 mit dem unteren Brückenzweig verbunden ist. Ein Spannungswertregister 9 dient zur Speicherung der Ausgangsspannung der Treiberschaltung 4. Stromwertregister 10 und 12 speichern den Ausgangsstrom der Diodenbrückenschaltung 6. Mittels einer Konstantstromquelle 54 wird eine Referenzspannung an die Diodenbrückenschaltung 6 gelegt. In einem Register 11 wird die Referenzspannung der Diodenbrückenschaltung 6 gespeichert. Ein Referenzspannungswertregister 13 dient zur Lieferung einer Referenzspannung an die Vergleichsschaltung 5. Mittels eines Kontaktelements 14 ist es möglich, ein Anschlußelement bzw. einen Stift der Halbleitereinrichtung 2 mit den Eingangs- und/oder Ausgangsklemmen der Schaltungen 4 bis 6 der Meßschaltung 1 zu verbinden, wie anhand der Fig. 1(a) und 1(b) gezeigt.
In der Fig. 2(a) ist ein Testmuster 15 dargestellt, nach dem das Testgerät Meßoperationen zur Prüfung der Halbleitereinrichtung durchführt. Fig. 2(b) zeigt dasselbe Testmuster 15 im Detail. Durch das Testmuster "PAT" wird eine logische Überprüfung der Halbleitereinrichtung 2 vorgenommen, wobei Adressenzahlen für das Testmuster "PAT" nacheinander eingeschrieben sind. Die Ziffern rechts von jeder "PAT"-Adresse geben logische Pegel an, die an die Anschlußelemente bzw. Stifte der Halbleitereinrichtung 2 angelegt oder von diesen erhalten werden. Rechts davon sind Kontrollprogrammsätze vorhanden, durch die bestimmt wird, ob beispielsweise der durch ein "PAT"-Muster vorgeschriebene Betrieb wiederholt oder ob ein Sprungbefehl ausgegeben bzw. ausgeführt wird. Die rechts in Klammern stehenden Ziffern bestimmen die Adressen von "I/O"-Mustern, "MASK"-Mustern und "HIZ"-Mustern. Durch das Feld "TM" wird bestimmt, in welcher zeitlichen Abfolge die Werte "0" und "1" des "PAT"-Musters ausgegeben bzw. aufgerufen werden, so daß durch das Feld "TM" eine Information zur Bildung einer Signal- bzw. Wellenform geliefert wird.
Das "I/O"-Muster liefert eine Information darüber, welche Anschlußelemente bzw. Anschlußstifte der Halbleitereinrichtung 2 als Eingangsstifte, an denen eine Bitinformation anliegt, und welche als Ausgangsanschlußelemente bzw. Ausgangsstifte dienen sollen. Durch das "MASK"-Muster wird bestimmt, an welchen Anschlußelementen bzw. Anschlußstiften gemessen wird, wobei nur solche Anschlußelemente bzw. Anschlußstifte in Frage kommen, an denen eine Bitinformation anliegt. Das "HIZ"-Muster liefert eine Information darüber, an welchen Anschlußelementen bzw. Anschlußstiften eine hohe Impedanz erscheint.
Im nachfolgenden wird der Betrieb des konventionellen Testgeräts näher erläutert.
Bei der logischen Überprüfung der Halbleitereinrichtung 2 ist es erforderlich zu überprüfen, ob die Spannungen mit den Signal- bzw. Wellenformen nach Fig. 4(b) an den Ausgangsstiften 3 und 4 erhalten werden oder nicht, wenn Spannungen mit den Wellenformen nach Fig. 4(a) an die Eingangsstifte 1 oder 2 angelegt werden. Um die Testschaltung 1 in der genannten Weise betreiben zu können, muß das Testmuster 15 den anhand der Fig. 2(a) und 2(b) beschriebenen Aufbau besitzen.
Bei dem konventionellen Testgerät ist das Testmuster 15 beispielsweise auf einer Karte vorhanden und wird mit Hilfe eines Dekodierers, beispielsweise eines Kartenlegers, dekodiert. Der Inhalt des auf der Karte vorhandenen und dekodierten Testmusters wird in einem Speicher gespeichert. Wird das Testgerät betrieben, so wird zunächst die Information unter der Adresse Null im "PAT"- Muster aus dem genannten Speicher mit Hilfe einer nicht dargestellten Steuereinrichtung ausgelesen. Eingangs-/Ausgangsstifte der Halbleitereinrichtung 2 sowie Stifte, an denen gemessen werden soll, werden bestimmt, und jedes der genannten Register 9 bis 13 in der Meßschaltung 1, von denen jeweils eine mit einem Anschlußstift verbunden ist, wird auf einen vorbestimmten Wert gesetzt, wie anhand des Schritts 16 in Fig. 3(b) zu erkennen ist. Jede Treiberschaltung 4 liefert eine Spannung mit vorbestimmtem logischem Pegel, die jeweils an einem Eingangsstift der Halbleitereinrichtung 2 angelegt wird. Die zugeordnete Vergleichsschaltung 5 überprüft, ob an jedem Ausgangsstift der Halbleitereinrichtung 2, an dem eine Messung durchgeführt wird, eine Spannung mit einem vorbestimmten logischen Pegel erscheint oder nicht. Aufgrund dieser Überprüfung stellt die Steuereinrichtung fest, ob das logische Verhalten der Halbleitereinrichtung 2 normal oder unnormal ist. Zur selben Zeit wird ein Strom von der Diodenbrückenschaltung 6 zum Anschlußstift geleitet, um einen Zustand hoher Impedanz zu messen, wobei durch die Vergleichsschaltung 5 detektiert wird, ob die Spannung am Kontaktelement 14 auf einen vorbestimmten Wert ansteigt. Dabei wird durch die Steuereinrichtung entschieden, ob der Zustand hoher Impedanz normal oder unnormal ist. Der Betrieb wird so lange wiederholt, bis die letzte Adresse erreicht und die Funktionsüberprüfung der Halbleiterleitung 2 abgeschlossen ist, wie Schritt 17 in Fig. 3(b) zeigt.
Andererseits wird bei der Gleichstrommessung ein Strom zu demjenigen Anschlußstift mit Hilfe der Präzisionsmeßeinrichtung 3 (PMU) geleitet, der zur Durchführung dieser Messung vorgesehen ist. Die erhaltene Spannung wird gemessen, wie in Schritt 18 von Fig. 3(a) angegeben ist.
Danach wird eine Spannung an den genannten Stift angelegt und der sich einstellende Strom gemessen, wie in Schritt 19 von Fig. 3(a) gezeigt. Diese Operation wird mehrere Male wiederholt und dann entschieden, ob die elektrischen Eigenschatten bzw. Kennwerte normal oder unnormal sind.
Das konventionelle Testgerät zur Überprüfung von Halbleitereinrichtungen 2 besitzt für jeden Anschlußstift der Halbleitereinrichtung 2 eine Funktions-Meßschaltung 1, um zur selben Zeit für alle Anschlußstifte den Test entsprechend dem Testmuster 15 durchführen zu können.
Zur Gleichstrommessung sind jedoch nur eine bis vier PMUs 3 vorhanden, so daß die Gleichstrommessung nur unter Zuhilfenahme dieser geringen Anzahl von PMUs durchgeführt werden kann. Dies hat zur Folge, daß die Testzeit zur Überprüfung einer Halbleitereinrichtung 2 mit steigender Anzahl von Anschlußstiften erheblich ansteigen würde. Bei Verwendung einer eigenen Präzisionsmeßeinrichtung 3 (PMU) für jeden Anschlußstift würden sich dagegen aufgrund der relativ teuren PMUs die Kosten für ein derartiges Testgerät stark erhöhen.
In der japanischen Patentveröffentlichung Nr. Sho. 57-18593 ist ein Testverfahren zur Überprüfung einer Halbleiterspeichereinrichtung beschrieben, deren Ausgang drei verschiedene Zustände einnehmen kann. An eine entsprechende Ausgangsklemme der Halbleiterspeichereinrichtung wird über einen Widerstand eine Spannung mit hohem oder niedrigem logischen Pegel angelegt, während gleichzeitig in diesem Zustand der Spannungspegel der Ausgangsklemme mit der genannten Spannung mit hohem oder niedrigem logischem Pegel verglichen wird. Aufgrund des Ausgangssignals der Vergleichsschaltung wird entschieden, ob die Halbleiterspeichereinrichtung normal oder unnormal arbeitet.
Eine weitere Halbleiter-Testeinrichtung ist in dem Artikel "Programmable Current Load" im Katalog "Sentry 50 Product Description" von Fairchild, 1983, beschrieben. Um den Ausgangszustand einer zu testenden Einrichtung beurteilen zu können, wird ein Ladewiderstand Rx von beliebigem Wert normalerweise extern zwischen der zu testenden Einrichtung und der Vergleicherschaltung innerhalb der Testschaltung angeordnet. Der Artikel beschreibt eine Schaltung, bei der der Ladewiderstand von beliebigem Wert durch eine dynamische Ladeschaltung einstellbar ist, wobei durch ein Programm festgesetzt wird, welche Spannung und welchen Strom die dynamische Ladeschaltung erhält.
Darüber hinaus ist aus der DE-OS 24 07 963 noch eine Schaltungsanordnung zur Abnahmeprüfung von Schaltungskomponenten bekannt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Testgerät der eingangs genannten Art zu schaffen, mit dem auch Halbleitereinrichtungen, die sehr viele Anschlußstifte aufweisen, in kurzer Zeit getestet werden können, und das gleichzeitig einer kostengünstigen Aufbau besitzt.
Die Lösung der gestellten Aufgabe ist im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 angegeben. Vorteilhafte Ausgestaltung der Erfindung sind den Unteransprüchen zu entnehmen.
Das Testgerät zur Überprüfung logischer und zur Messung elektrischer Eigenschaften von Halbleitereinrichtungen nach der Erfindung besitzt jeweils eine einem Anschlußelement der zu testenden Halbleitereinrichtung zugeordnete Meßschaltung, die eine Vergleichsschaltung zum Vergleichen der Ausgangsspannung oder des Ausgangsstroms der Halbleitereinrichtung mit einer Referenzspannung oder einem Referenzstrom enthält, eine Speichereinrichtung zur Speicherung von Information, die zur Überprüfung der logischen und zur Messung der elektrischen Eigenschaften der Halbleitereinrichtung erforderlich ist, eine Steuereinrichtung zur Steuerung des Ablaufs der Überprüfung der logischen und Messung der elektrischen Eigenschaften, die eine Zuführung einer Referenzspannung oder eines Referenzstroms zur Vergleichsschaltung einschließt, sowie eine Entscheidungseinrichtung, die anhand eines Ausgangssignals der Vergleichsschaltung entscheidet, ob das Ergebnis der logischen Überprüfung und/oder das bei der Messung der elektrischen Eigenschaften erhaltene Ergebnis normal sind oder nicht.
Das Testgerät ist vorteilhaft so ausgestaltet, daß die jeweilige Meßschaltung mit einem einstellbaren Gleichspannungsgenerator, einem Spannungswertregister zur Speicherung der Augangsspannung des einstellbaren Gleichspannungsgenerators, einem einstellbaren Stromgenerator, einem Stromwertregister zur Speicherung des Ausgangsstroms des einstellbaren Stromgenerators, einer Vergleichsschaltung zum Vergleichen der Ausgangsspannung oder des Ausgangsstroms an einem Anschlußelement der Halbleitereinrichtung mit einer Referenzspannung oder einem Referenzstrom, sowie mit einem Referenzwertregister zur Lieferung eines Referenzspannungswerts oder eines Referenzstromwerts zu der Vergleichsschaltung ausgewertet ist, jeweils ein mit einem Eingangs-/Ausgangsanschluß pro Meßschaltung verbundenes Kontaktelement vorhanden ist, die Speichereinrichtung eine erste Speichereinrichtung zur Speicherung von Information über Anschlußelemente, die im Rahmen der logischen Überprüfung als Eingangs- bzw. als Ausgangsanschlußelemente bestimmt werden, über logische Pegel, die an die Eingangsanschlußelemente anlegbar sind, über logische Pegel, die an jedem der Ausgangsanschlußelemente erhalten werden, über Anschlußelemente unter den Ausgangsanschlußelementen, die zur logischen Überprüfung herangezogen werden, sowie über Anschlußelemente, die zur Messung der elektrischen Eigenschaften der Halbleitereinrichtung herangezogen werden, aufweist, die Speichereinrichtung eine zweite Speichereinrichtung zur Speicherung der Werte des Spannungsregisters, des Stromwertregisters und des Referenzwertregisters, die an die Eingangsanschlußelemente, die Anschlußelemente zur logischen Überprüfung und die Anschlußelemente zur Messung der elektrischen Eigenschaften anlegbar sind, die bei jeder Messung unter den Anschlußelementen bestimmbar sind, eine Steuereinrichtung zum Auslesen des Inhalts der ersten Speichereinrichtung bei jeder Meßoperation sowie zum Setzen des Spannungswertregisters, des Stromwertregisters und des Referenzregisters auf die Werte, die in der zweiten Speichereinrichtung gespeichert sind, aufweist wobei die Entscheidungseinrichtung, die anhand eines Ausgangssignals der Vergleichsschaltung entscheidet, ob bei jeder Meßoperation das Ergebnis der logischen Überprüfung und/ oder das bei der Messung der elektrischen Eigenschaften erhaltene Ergebnis normal sind oder nicht, ferner eine Entscheidung über die Art der Messung trifft, die an jedem Anschlußelement durchgeführt wird.
Die Zeichnung stellt neben dem Stand der Technik Ausführungsbeispiele der Erfindung dar. Es zeigen:
Fig. 1(a) eine schematische Schaltungsanordnung eines konventionellen Testgeräts für Halbleitereinrichtungen,
Fig. 1(b) eine schematisch dargestellte und zu testende Halbleitereinrichtung,
Fig. 2(a) und 2(b) Testmuster zur Durchführung eines Tests mit Hilfe des Testgeräts nach Fig. 1(a),
Fig. 3(a) und 3(b) Flußdiagramme zur Durchführung von Gleichstrom- und Funktionsmessungen mit Hilfe des konventionellen Testgeräts nach Fig. 1(a),
Fig. 4(a) und 4(b) Diagramme zur Erläuterung von Eingangs- und Ausgangsspannungen für die Durchführung von Funktionsmessungen mit dem konventionellen Testgerät nach Fig. 1(a),
Fig. 5 und 6 den schematischen Schaltungsaufbau eines Testgeräts nach der Erfindung,
Fig. 7 ein der Fig. 2 entsprechendes Testmuster zur Verwendung innerhalb des Testgeräts nach den Fig. 5 und 6,
Fig. 8 ein Ablaufdiagramm zur Erläuterung der Wirkungsweise des Testgeräts nach den Fig. 5 und 6,
Fig. 9 einen schematisch dargestellten Schaltungsaufbau eines Testgeräts nach einem weiteren Ausführungsbeispiel der Erfindung, und
Fig. 10(a) und 10(b) Testmuster 52 und 53, von denen das erste im Zusammenhang mit dem konventionellen Testgerät und das zweite im Testgerät nach dem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung verwendet wird.
Bei dem konventionellen Testgerät nach Fig. 1(a) bzw. 1(b) zur Überprüfung von Halbleitereinrichtungen ist es möglich, die elektrischen Kennwerte bzw. Eigenschaften, beispielsweise Leck- oder Verlustströme, dadurch zu erfassen, daß überprüft wird, ob die Spannung oder der Strom oberhalb eines vorbestimmten Werts liegen. Eine derartige Überprüfung kann mit Hilfe der bereits erwähnten Vergleichsschaltung 5 innerhalb der Meßschaltung 1 durchgeführt werden. Es gibt allerdings Anschlußstifte zwischen den oben beschriebenen Eingangs-/Ausgangsstiften, an denen eine Funktionsmessung nicht vorgenommen zu werden braucht. Andererseits sollte berücksichtigt werden, daß bei einer mit einem Anschlußstift verbundenen Meßschaltung 1 zur selben Zeit sowohl eine Gleichstrommessung als auch eine Funktionsmessung durchgeführt werden kann.
Im folgenden wird zunächst anhand der Fig. 5 und 6 ein erstes Ausführungsbeispiel des Testgeräts nach der Erfindung beschrieben.
Das Testgerät besitzt Meßschaltungen 1, von denen jeweils eine einem Anschlußstift der Halbleitereinrichtung 2 zugeordnet ist. Alle Meßschaltungen 1 werden mit Hilfe einer zentralen Prozessoreinheit 20 (CPU) gesteuert. In einer Meßschaltung 1 ist jeweils eine Treiberschaltung 4 (Generator zur Erzeugung einer einstellbaren Gleichspannung) vorhanden, dessen einstellbare Gleichspannung an den Anschlußstift der Halbleitereinrichtung 2 anlegbar ist. Eine Diodenbrückenschaltung 6 (variabler bzw. einstellbarer Stromgenerator) dient zur Erzeugung eines einstellbaren Stroms, der dem Anschlußstift bzw. dem Anschlußelement der Halbleitereinrichtung 2 zugeführt wird. Eine Spannungsquelle 54 dient zur Lieferung einer Spannung an die Diodenbrückenschaltung 6. Mittels einer Vergleichsschaltung 21 wird die Ausgangsspannung von der Halbleitereinrichtung 2 mit einer Referenzspannung verglichen. In einem Spannungswertregister 9 wird der Ausgangsspannungswert der Treiberschaltung 4 gespeichert. Stromwertregister 10 und 12 dienen zur Speicherung des durch die Diodenbrückenschaltung 6 ausgegebenen Stromwerts. Die Spannungsquelle 54 ist eine Konstantspannungsquelle und liefert eine Referenzspannung zu der Diodenbrückenschaltung 6. Diese Referenzspannung wird in einem Register 11 gespeichert. In einem weiteren Referenzwertregister 22 sind weitere Referenzspannungswerte gespeichert, die der Vergleichsschaltung 21 zugeführt werden. Die Register 9 bis 12 besitzen jeweils einen Speicherbereich, während das Referenzwertregister 22 zwei Speicherbereiche aufweist, um den oberen und den unteren Grenzwert eines vorbestimmten Spannungsbereichs zu speichern, so daß detektiert werden kann, ob die Ausgangsspannung innerhalb des Spannungsbereichs liegt, wenn eine Gleichspannungs- bzw. DC-Messung vorgenommen wird. Das Register 22 kann allerdings auch nur einen einzigen Speicherbereich aufweisen. Ein Kontaktelement 14 dient zur Verbindung eines Anschlußelements bzw. Anschlußstifts der Halbleitereinrichtung 2 mit dem Eingangs- und Ausgangsklemmen der Schaltungen 4, 6 und 21.
Die Register 9a bis 12a und 22a (zweite Speicher) dienen zur Speicherung der Werte aus den Registern 9 bis 12 sowie aus dem Referenzwertregister 22. Diese Register 9 a bis 12a und 22a besitzen jeweils mehr als 10 bzw. mehrere 10 Speicherbereiche. Ein erster Speicher 23 dient zur Speicherung von Testmusterinformationen gemäß Fig. 7, die durch einen Dekoder dekodiert wird. In einem Speicher 24 werden abweichende bzw. unnormale Ergebnisse gespeichert, die bei der logischen Überprüfung der Halbleitereinrichtung, bei der Hochimpedanzmessung und bei der Gleichstrommessung erhalten werden.
Die CPU 20 besitzt Steuereinrichtungen 26 und Entscheidungseinrichtungen 27 oder führt Arbeiten solcher Einrichtungen aus. Das bedeutet, daß die CPU 20 bei jedem Meßbetrieb den Inhalt des Speichers 23 ausliest, um die Eingangsstifte, die "PAT"-Meßstifte, die "HIZ"-Meßstifte und die Gleichstrom- bzw. "DC"-Meßstifte zu bestimmen. Darüber hinaus setzt die CPU 20 den Inhalt der Register 9 bis 12 und 22 der mit jedem Anschlußstift verbundenen Meßschaltung 1 fest, und zwar auf den Wert der jeweils zugeordneten Steuerregister 9a bis 12a und 22a. Ferner wird durch die CPU 20 entschieden, ob die durch die "PAT"- Messung, die "HIZ"-Messung und die "DC"-Messung erhaltenen Ergebnisse am Ausgang einer jeden Vergleichsschaltung 21 normal sind oder nicht, während sie andererseits entscheidet, welche Arten von Messungen an den Anschlußstiften durchgeführt werden.
Im folgenden wird die Wirkungsweise des Testgeräts nach den Fig. 5 und 6 näher beschrieben.
Die Struktur des Testmusters 28 für das Testgerät nach den Fig. 5 und 6 ist in Fig. 7 dargestellt. Zusätzlich zu der konventionellen Anschlußstiftinformation, wie z. B. der I/O-, MASK- und der HIZ-Information, befindet sich in den runden Klammern hinter jedem "PAT"-Muster die Adressennummer 0 des "DC"-Musters, das unterhalb des "HIZ"-Musters zusätzlich aufgeführt ist. Innerhalb dieses "DC"-Musters ist die Adressennummer 0 oder 1 der Reihe nach eingeschrieben. Die Anschlußstiftinformation bezüglich jeder Gleichstrom- bzw. "DC"-Messung befindet sich rechts von jeder "DC"-Adresse. Darüber hinaus sind die Adressennummern der Steuerregister 9a bis 12a und 22a zur Auswahl der vorzugebenden Werte für die Register 9 bis 12 und 22 angegeben.
Ist die Funktionsmessung mit Hilfe des Testmusters 28 nach Fig. 7 ausgeführt, so wird bezüglich der Gleichstrom- bzw. DC-Messung die Information über die Anschlußstifte aus dem Steuerspeicher ausgelesen, an denen die DC-Messung durchgeführt werden soll. Ferner wird Information über die DC-Adresse, die nicht die Anschlußstiftinformation betrifft, ausgelesen, so daß die Bedingungen, unter denen die DC-Messung durchgeführt werden soll, in die Register 9 bis 12 und 22 der Meßschaltung 1 eingegeben werden können, die mit jedem Anschlußstift verbunden ist, an dem eine DC-Messung durchzuführen ist. Danach wird dieselbe Operation wiederholt, wenn das nächste "PAT"-Muster erreicht ist. Die DC-Messung werden dann an anderen Anschlußstiften vorgenommen. Im Gegensatz zum konventionellen Testgerät, bei dem nur einer der Werte der Register 9 bis 12 von der Funktionsprüfung zum Ausführen bzw. Durchlaufen des Testmusters festgesetzt bzw. bestimmt wird, bedeutet dies, daß bei dem Testgerät nach der Erfindung die Werte der Register 9 bis 12 und 22 in Echtzeit (real time) bzw. in Übereinstimmung mit der Ausführung oder dem Durchlaufen des Testmusters geändert werden. Die Gleichstrom- bzw. DC-Messung, die sich von der logischen Überprüfung unterscheidet, wird zur selben Zeit durchgeführt, in der der nächste Schritt im Testmuster erfolgt. Bei der DC-Messung wird dann mit Hilfe der Vergleichsschaltung 21 ein Entscheidungssignal erzeugt, wozu ein Strom und eine Spannung an einige Anschlußstifte angelegt werden. Die gesamte Dauer zur Durchführung eines Tests einer Halbleitereinrichtung läßt sich somit erheblich verkürzen.
Der Betrieb der Schaltungen während der Gleichstrom- bzw. DC-Messung und der Funktionsmessung wird nachfolgend unter Bezug auf das in Fig. 7 dargestellte Testmuster 28 und anhand des Flußdiagramms in Fig. 8 näher beschrieben.
Bei dem Testgerät nach den Fig. 5 und 6 wird zunächst das Testmuster 28 dekodiert und der entsprechende Testmusterinhalt im Speicher 23 gespeichert. Beim Betrieb des Testgeräts wird die Information der "PAT"-Adresse 0 ausgelesen, und zwar im Schritt 30 des Programms nach Fig. 8. In diesem Fall werden die Anschlußtiefe 4 und 5 (I/O=1) als Eingangsanschlußstifte bestimmt, während die Anschlußstifte 1, 2, 3, 6, 7 und 8 (I/O=0) als Ausgangsanschlußstifte bestimmt werden, da die I/O-Adresse 0 ist (vgl. den ersten Wert im Klammerausdruck rechts neben der "PAT"-Adresse o). Die Anschlußstifte 1, 2, 3, 6, 7 und 8 (MASK=1) werden als Meßanschlußstifte bestimmt, da die "MASK"-Adresse 1 ist (vgl. zweite Ziffer von links im Klammerausdruck rechts neben der "PAT"-Adresse 0). Zur Durchführung einer "HIZ"-Messung wird im vorliegenden Fall kein Anschlußstift bestimmt, da die "HIZ"-Adresse ebenfalls 0 ist. Die Anschlußstifte 3 und 8 (DC=1) werden zur Durchführung einer Gleichstrom- bzw. DC-Messung bestimmt, wobei gleichzeitig die Adressen der Steuerregister 9a bis 12a und 22a für die DC-Messung ausgelesen werden, da die DC-Adresse 0 ist. Dies geschieht im Schritt 31 des Programms nach Fig. 8.
Die Register 9 bis 12 und 22 in einer Meßschaltung 1, die mit einem bestimmten bzw. ausgewählten Eingangsanschlußstift oder einem solchen Anschlußstift verbunden ist, an dem eine "PAT"-Messung durchgeführt wird, werden auf vorbestimmte Werte gesetzt, während die Register 9 bis 12 und 22, die Anschlußstiften zugeordnet sind, an denen eine DC-Messung durchgeführt wird, auf Werte gesetzt werden, die aus den Steuerregistern 9a bis 12a und 22a ausgelesen werden. Beispielsweise wird das Treiberregister 9 auf den Wert von -5 V gesetzt, der unter der Adresse "0" in das Steuerregister 9a gespeichert ist (vgl. Schritte 32 bis 36 in Fig. 8).
Bei Durchführung der Testmessung wird eine Spannung mit "0"-Pegel an den Eingangsstift 4 und eine Spannung mit "1"-Pegel an den Eingangsstift 5 angelegt. Dabei wird geprüft, ob der Reihe nach Spannungen mit "1"-, "0"-, "1"- und "0"-Pegel an den Ausgangsanschlußstiften 1, 2, 6 und 7 erscheinen oder nicht. Diese Prüfung erfolgt mit Hilfe der Vergleichsschaltung 21 für jeden Anschlußstift. Zur selben Zeit wird ein vorbestimmter Strom von der Diodenbrückenschaltung 6 zu den Anschlußstiften 3 und 8 geleitet. Dabei wird durch einen Komparator 21 ermittelt, ob die Spannung am Kontaktelement 14 innerhalb eines vorbestimmten Bereichs ansteigt oder nicht. Beispielsweise wird geprüft, ob die Anschlußstifte 3 und 8 jeweils auf "0"-Pegel liegen (vgl. Schritt 37 in Fig. 8). Durch die zentrale Prozessoreinheit 20 (CPU) wird entschieden, welche Art von Messung an den jeweiligen Anschlußstiften vorgenommen wird und ob die am Ausgang der Vergleichsschaltung 21 erhaltenen Ergebnisse der "PAT"-Messung und der DC-Messung normal sind oder nicht. Sind die Ergebnisse normal, so gilt das "PAT"-Muster als abgearbeitet, während bei unnormalen Ergebnissen diese im Speicher 24 gespeichert werden, was in den Schritten 38 bis 44 des Programms nach Fig. 8 erfolgt. Im Anschluß daran erfolgt eine Testmessung mit dem Muster, das unter der "PAT"-Adresse "1" gespeichert ist, und zwar entsprechend den Schritten 45 und 46 in Fig. 8.
Wie vorstehend klar dargelegt, können sowohl die Funktionsmessung als auch die Gleichstrom- bzw. DC-Messung zur selben Zeit durchgeführt werden, wobei die Zeit zur Durchführung der DC-Messung im Vergleich zur entsprechenden Messung mit dem konventionellen Testgerät, bei dem zu diesem Zweck die PMUs benutzt werden, erheblich reduziert ist.
Beim Testgerät nach der Erfindung werden darüber hinaus die konventionellen Schaltungen zur Durchführung der Funktionsmessung bzw. der logischen Messung auch dazu benutzt, eine DC-Messung durchzuführen. Es ist nicht erforderlich, an allen Anschlußstiften PMUs vorzusehen, so daß das Testgerät kostengünstiger hergestellt werden kann.
Beim oben beschriebenen Ausführungsbeispiel kann die HIZ- Messung im Rahmen der Funktionsmessung durchgeführt werden. Die HIZ-Messung kann dabei auch abgekürzt werden.
Beim Testgerät nach der Erfindung ist es nicht unbedingt erforderlich, den variablen bzw. einstellbaren Stromgenerator durch die genannte Diodenbrückenschaltung 6 und durch die sie umgebenden zusätzlichen Register bzw. Schaltungen 10 bis 12 aufzubauen. Der genannte Stromgenerator kann vielmehr auch aus einer Konstantstromquelle 47 und aus einem Steuerregister 48 zur Steuerung der Konstantstromquelle 47 bestehen.
Bei dem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel wird bei Durchführung der DC-Messung eine Spannung gemessen, während ein Strom zu den Anschlußstiften geführt wird. Umgekehrt kann aber auch der Strom gemessen werden, während eine Spannung an die Anschlußstifte angelegt wird. In einem solchen Fall sind ein Standardwiderstand 49 und Relais 50 und 51 miteinander verbunden, so daß die Spannung zwischen beiden Enden des Widerstands 49 durch die Vergleichsschaltung 21 (Komparator) gemessen bzw. in einen Strom umgewandelt und eine Entscheidung aufgrund des Stroms getroffen werden kann.
Das Testmuster braucht darüber hinaus nicht als Adressenzugriffssystem aufgebaut zu sein, wie in Fig. 7 gezeigt, sondern kann sämtliche erforderlichen Daten unter nur einer einzigen Adresse enthalten, wie in den Fig. 10(a) und 10(b) dargestellt ist. Fig. 10(a) zeigt dabei ein Testmuster 52 für eine konventionelle Funktionsmessung, während Fig. 10(b) ein Testmuster 53 für die Funktionsmessung und die DC-Messung angibt. Beide Testmuster 52 und 53 können im Testgerät nach der Erfindung verwendet werden.

Claims (3)

1. Testgerät zur Überprüfung logischer und zur Messung elektrischer Eigenschaften von Halbleitereinrichtungen mit
  • a) jeweils einer einem Anschlußelement der zu testenden Halbleitereinrichtung (2) zugeordneten Meßschaltung (1), die eine Vergleichsschaltung (21) zum Vergleichen der Ausgangsspannung oder des Ausgangsstroms der Halbleitereinrichtung (2) mit einer Referenzspannung oder einem Referenzstrom enthält,
gekennzeichnet durch
  • b) eine Speichereinrichtung (9a bis 12a, 22 a, 23) zur Speicherung von Information, die zur Überprüfung der logischen und zur Messung der elektrischen Eigenschaften der Halbleitereinrichtung (2) erforderlich ist,
  • c) einer Steuereinrichtung (26) zur Steuerung des Ablaufs der Überprüfung der logischen und Messung der elektrischen Eigenschaften, die eine Zuführung einer Referenzspannung oder eines Referenzstroms zur Vergleichsschaltung (21) einschließt, und durch
  • d) eine Entscheidungseinrichtung (27), die anhand eines Ausgangssignals der Vergleichsschaltung (21) entscheidet, ob das Ergebnis der logischen Überprüfung und/oder das bei der Messung der elektrischen Eigenschaften erhaltene Ergebnis normal sind oder nicht.
2. Testgerät nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
  • a) die jeweilige Meßschaltung (1) weiterhin folgendes enthält:
    • - einen einstellbaren Gleichspannungsgenerator (4),
    • - ein Spannungswertregister (9) zur Speicherung der Ausgangsspannung des einstellbaren Gleichspannungsgenerators (4),
    • - einen einstellbaren Stromgenerator (6),
    • - ein Stromwertregister (10, 12) zur Speicherung des Ausgangsstroms des einstellbaren Stromgenerators (6) und
    • - ein Referenzwertregister (22) zur Lieferung eines Referenzspannungswertes oder eines Referenzstromwerts zu der Vergleichsschaltung (21),
  • b) jeweils ein mit einem Eingangs-/Ausgangsanschluß pro Meßschaltung (1) verbundenes Kontaktelement (14) vorhanden ist,
  • c) die Speichereinrichtung eine erste Speichereinrichtung (23) zur Speicherung von Information über Anschlußelemente, die im Rahmen der logischen Überprüfung als Eingangs- bzw. als Ausgangsanschlußelemente bestimmt werden, über logische Pegel, die an die Eingangsanschlußelemente anlegbar sind, über logische Pegel, die an jedem der Ausgangsanschlußelemente erhalten werden, über Anschlußelemente unter den Ausgangsanschlußelementen, die zur logischen Überprüfung herangezogen werden sowie über Anschlußelemente, die zur Messung der elektrischen Eigenschaften der Halbleitereinrichtung (2) herangezogen werden, aufweist,
  • d) die Speichereinrichtung eine zweite Speichereinrichtung (9a, 10a, 11a, 12a, 22a) zur Speicherung der Werte des Spannungswertregisters (9), des Stromwertregisters (10, 12) und des Referenzwertregisters (22) aufweist, die an die Eingangsanschlußelemente, die Anschlußelemente zur logischen Überprüfung und die Anschlußelemente zur Messung der elektrischen Eigenschaften anlegbar sind, die bei jeder Messung unter den Anschlußelementen bestimmbar sind,
  • e) die Steuereinrichtung (26) zum Auslesen des Inhalts der ersten Speichereinrichtung (23) bei jeder Meßoperation sowie zum Setzen des Spannungswertregisters (9), des Stromwertregisters (10, 12) und des Referenzwertregisters (22) auf die Werte, die in der zweiten Speichereinrichtung (9a, 10a, 11a, 12a, 22a) gespeichert sind, ausgebildet ist, und
  • f) die Entscheidungseinrichtung (27) ferner eine Entscheidung über die Art der Messung trifft, die an jedem Anschlußelement durchgeführt wird.
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Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6144371A (ja) * 1984-08-06 1986-03-04 Mitsubishi Electric Corp 半導体試験装置
US4918385A (en) * 1987-05-18 1990-04-17 Hewlett-Packard Company Method and process for testing the reliability of integrated circuit (IC) chips and novel IC circuitry for accomplishing same
US4857833A (en) * 1987-08-27 1989-08-15 Teradyne, Inc. Diagnosis of faults on circuit board
US4879661A (en) * 1987-10-02 1989-11-07 International Business Machines Corporation Bi-directional circuit to interface between a low current device and high current tester
US4862070A (en) * 1987-10-30 1989-08-29 Teradyne, Inc. Apparatus for testing input pin leakage current of a device under test
US4928062A (en) * 1988-01-20 1990-05-22 Texas Instruments Incorporated Loading and accurate measurement of integrated dynamic parameters at point of contact in automatic device handlers
US6304987B1 (en) 1995-06-07 2001-10-16 Texas Instruments Incorporated Integrated test circuit
JPH04505962A (ja) * 1989-04-05 1992-10-15 ナイツ テクノロジー インコーポレイテッド 集積回路を試験するための接触感知
JP3005250B2 (ja) * 1989-06-30 2000-01-31 テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド バスモニター集積回路
US5068814A (en) * 1989-11-07 1991-11-26 Array Analysis, Inc. Interactive adaptive inference system
US5010297A (en) * 1989-12-01 1991-04-23 Analog Devices, Incorporated Automatic test equipment with active load having high-speed inhibit mode switching
JPH03277983A (ja) * 1990-03-28 1991-12-09 Ando Electric Co Ltd Db型asによるdut負荷切換回路
US5019771A (en) * 1990-05-09 1991-05-28 Knights Technology, Inc. Contact sensing for integrated circuit testing
US5023545A (en) * 1990-06-04 1991-06-11 The United States Of America Circuit probing system
US5049811A (en) * 1990-07-02 1991-09-17 Motorola, Inc. Measuring integrity of semiconductor multi-layer metal structures
KR100217535B1 (ko) * 1990-08-06 1999-09-01 윌리엄 비. 켐플러 이벤트 한정 검사 아키텍춰
JP2956913B2 (ja) * 1991-05-15 1999-10-04 株式会社アドバンテスト Ic試験装置
JP2765771B2 (ja) * 1991-08-07 1998-06-18 ローム株式会社 半導体記憶装置の試験方法
US5278841A (en) * 1991-10-30 1994-01-11 International Business Machines Corporation Method and apparatus for diagnosing net interconnect faults using echo pulsed signals
SE507139C2 (sv) * 1992-08-31 1998-04-06 Asea Brown Boveri Sätt och anordning för funktionskontroll av ljustända halvledarventilenheter i HVDC-ventilanläggningar
DE4242990C1 (de) * 1992-12-18 1994-04-07 Itt Ind Gmbh Deutsche Komparatormeßeinrichtung zur elektrischen Prüfung von monolithisch integrierten Schaltkreisen
US5459738A (en) * 1994-01-26 1995-10-17 Watari; Hiromichi Apparatus and method for digital circuit testing
JPH07218596A (ja) * 1994-02-03 1995-08-18 Mitsubishi Electric Corp 半導体試験装置
US5570012A (en) * 1994-11-08 1996-10-29 Rohm Co. Ltd. Apparatus for testing a semiconductor device by comparison with an identical reference device
DE19506325C1 (de) * 1995-02-23 1996-08-14 Siemens Ag Prüfschaltung und Prüfverfahren zur Funktionsprüfung von elektronischen Schaltungen
US5760596A (en) * 1995-06-07 1998-06-02 Hewlett-Packard Company Testing series passive components without contacting the driven node
US5889789A (en) * 1995-06-30 1999-03-30 Nec Coporation Fault mode estimating system using abnormal current and V-I characteristics
US5889685A (en) * 1996-08-02 1999-03-30 Cirrus Logic, Inc. Method and apparatus for automatically characterizing short circuit current and power consumption in a digital circuit
US5952821A (en) * 1997-08-29 1999-09-14 Credence Systems Corporation Load circuit for integrated circuit tester
JP3426254B2 (ja) * 1997-11-20 2003-07-14 株式会社アドバンテスト Ic試験方法及びこの試験方法を用いたic試験装置
US6408413B1 (en) 1998-02-18 2002-06-18 Texas Instruments Incorporated Hierarchical access of test access ports in embedded core integrated circuits
US6405335B1 (en) 1998-02-25 2002-06-11 Texas Instruments Incorporated Position independent testing of circuits
US7058862B2 (en) * 2000-05-26 2006-06-06 Texas Instruments Incorporated Selecting different 1149.1 TAP domains from update-IR state
US6728915B2 (en) 2000-01-10 2004-04-27 Texas Instruments Incorporated IC with shared scan cells selectively connected in scan path
US6769080B2 (en) 2000-03-09 2004-07-27 Texas Instruments Incorporated Scan circuit low power adapter with counter
US6628398B1 (en) 2000-11-01 2003-09-30 Lexmark International, Inc. Toner patch sensor with integrating optical collection geometry
US6804620B1 (en) * 2003-03-21 2004-10-12 Advantest Corporation Calibration method for system performance validation of automatic test equipment
US7023219B2 (en) * 2004-06-29 2006-04-04 Honeywell International, Inc. A/C generator rotor test apparatus
CN113643998B (zh) * 2021-08-02 2024-03-26 东莞先导先进科技有限公司 一种半导体封装测试系统及方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4055801A (en) * 1970-08-18 1977-10-25 Pike Harold L Automatic electronic test equipment and method
IT983459B (it) * 1973-02-19 1974-10-31 Siemens Spa Italiana Sistema per effettuare prove di collaudo di componenti elettri ci ed elettronici di tipo ana logico
US3976940A (en) * 1975-02-25 1976-08-24 Fairchild Camera And Instrument Corporation Testing circuit
US4092589A (en) * 1977-03-23 1978-05-30 Fairchild Camera And Instrument Corp. High-speed testing circuit
JPS54123054A (en) * 1978-03-17 1979-09-25 Fujitsu Ltd Test piece processor
JPS54136181A (en) * 1978-04-14 1979-10-23 Agency Of Ind Science & Technol Test method for semiconductor memory unit of tri-state output
JPS5585264A (en) * 1978-12-23 1980-06-27 Toshiba Corp Function test evaluation device for integrated circuit
US4500836A (en) * 1980-10-31 1985-02-19 Pacific Western Systems, Inc. Automatic wafer prober with programmable tester interface
US4519076A (en) * 1981-12-28 1985-05-21 National Semiconductor Corporation Memory core testing system

Also Published As

Publication number Publication date
US4651088A (en) 1987-03-17
KR850008222A (ko) 1985-12-13
KR900001466B1 (ko) 1990-03-12
JPS60236240A (ja) 1985-11-25
JPH0743413B2 (ja) 1995-05-15
DE3516755A1 (de) 1985-11-14

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