DE3516755C2 - - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft ein Testgerät zur Überprüfung logischer und zur Messung elektrischer Eigenschaften von Halbleitereinrichtungen
gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Ein konventionelles Testgerät zur Prüfung einer Halbleitereinrichtung,
dessen Aufbau und Wirkungsweise nachfolgend
anhand der Fig. 1 bis 4 näher beschrieben wird, besitzt
Meßschaltungen 1 zur Durchführung von Funktionsmessungen,
wobei die Anzahl der Meßschaltungen 1 gleich der
Anzahl der Eingangs-Ausgangsstifte der zu überprüfenden
Halbleitereinrichtung 2 ist. Darüber hinaus besitzt die
Testschaltung mehrere Präzisionsmeßeinrichtungen 3 (nachfolgend
als "PMU" bezeichnet) zur Messung elektrischer
Gleichstromeigenschaften bzw. Kennwerte der zu überprüfenden
Halbleitereinrichtung 2. Ein Testgerät dieser Art ist
bereits aus dem Manual: "AS-31502-003, DIC-8035B
VLSI TEST SYSTEM, Summit programm language" der Fa. AWOO ELECTRIC CO., LTD. 1st Edition, February 02, 1983, bekannt.
Eine Treiberschaltung 4 innerhalb der Meßschaltung 1
dient dazu, eine variable Gleichspannung zu einem Stift
bzw. Anschlußelement der zu überprüfenden Halbleitereinrichtung
2 zu liefern. Mit Hilfe einer Vergleichsschaltung 5
kann die Ausgangsspannung an einem Anschlußelement
der Halbleitereinrichtung 2 mit einer Referenzspannung
verglichen werden. Eine Diodenbrückenschaltung 6 dient
zur Lieferung eines variablen bzw. einstellbaren Stroms
zu einem Anschlußelement bzw. Anschlußstift der Halbleitereinrichtung
2. Konstantstromquellen 7 und 8 sind mit
der Diodenbrückenschaltung 6 verbunden, und zwar jeweils
an gegenüberliegenden Brückenzweigen, wobei die Konstantstromquelle 7
mit dem oberen und die Konstantstromquelle 8
mit dem unteren Brückenzweig verbunden ist. Ein Spannungswertregister 9
dient zur Speicherung der Ausgangsspannung
der Treiberschaltung 4. Stromwertregister 10 und 12 speichern
den Ausgangsstrom der Diodenbrückenschaltung 6.
Mittels einer Konstantstromquelle 54 wird eine Referenzspannung
an die Diodenbrückenschaltung 6 gelegt. In
einem Register 11 wird die Referenzspannung der Diodenbrückenschaltung
6 gespeichert. Ein Referenzspannungswertregister
13 dient zur Lieferung einer Referenzspannung an
die Vergleichsschaltung 5. Mittels eines Kontaktelements
14 ist es möglich, ein Anschlußelement bzw. einen Stift
der Halbleitereinrichtung 2 mit den Eingangs- und/oder
Ausgangsklemmen der Schaltungen 4 bis 6 der Meßschaltung 1
zu verbinden, wie anhand der Fig. 1(a) und 1(b) gezeigt.
In der Fig. 2(a) ist ein Testmuster 15 dargestellt, nach
dem das Testgerät Meßoperationen zur Prüfung der Halbleitereinrichtung
durchführt. Fig. 2(b) zeigt dasselbe Testmuster 15 im Detail. Durch das Testmuster "PAT" wird eine
logische Überprüfung der Halbleitereinrichtung 2 vorgenommen,
wobei Adressenzahlen für das Testmuster "PAT"
nacheinander eingeschrieben sind. Die Ziffern rechts von
jeder "PAT"-Adresse geben logische Pegel an, die an die
Anschlußelemente bzw. Stifte der Halbleitereinrichtung 2
angelegt oder von diesen erhalten werden. Rechts davon
sind Kontrollprogrammsätze vorhanden, durch die bestimmt
wird, ob beispielsweise der durch ein "PAT"-Muster vorgeschriebene
Betrieb wiederholt oder ob ein Sprungbefehl
ausgegeben bzw. ausgeführt wird. Die rechts in Klammern
stehenden Ziffern bestimmen die Adressen von "I/O"-Mustern,
"MASK"-Mustern und "HIZ"-Mustern. Durch das Feld
"TM" wird bestimmt, in welcher zeitlichen Abfolge die
Werte "0" und "1" des "PAT"-Musters ausgegeben bzw. aufgerufen
werden, so daß durch das Feld "TM" eine Information
zur Bildung einer Signal- bzw. Wellenform geliefert
wird.
Das "I/O"-Muster liefert eine Information darüber, welche
Anschlußelemente bzw. Anschlußstifte der Halbleitereinrichtung 2
als Eingangsstifte, an denen eine Bitinformation
anliegt, und welche als Ausgangsanschlußelemente
bzw. Ausgangsstifte dienen sollen. Durch das "MASK"-Muster
wird bestimmt, an welchen Anschlußelementen bzw. Anschlußstiften
gemessen wird, wobei nur solche Anschlußelemente
bzw. Anschlußstifte in Frage kommen, an denen
eine Bitinformation anliegt. Das "HIZ"-Muster liefert
eine Information darüber, an welchen Anschlußelementen
bzw. Anschlußstiften eine hohe Impedanz erscheint.
Im nachfolgenden wird der Betrieb des konventionellen Testgeräts
näher erläutert.
Bei der logischen Überprüfung der Halbleitereinrichtung 2
ist es erforderlich zu überprüfen, ob die Spannungen mit
den Signal- bzw. Wellenformen nach Fig. 4(b) an den Ausgangsstiften
3 und 4 erhalten werden oder nicht, wenn
Spannungen mit den Wellenformen nach Fig. 4(a) an die Eingangsstifte
1 oder 2 angelegt werden. Um die Testschaltung 1
in der genannten Weise betreiben zu können, muß
das Testmuster 15 den anhand der Fig. 2(a) und 2(b) beschriebenen
Aufbau besitzen.
Bei dem konventionellen Testgerät ist das Testmuster 15
beispielsweise auf einer Karte vorhanden und wird mit
Hilfe eines Dekodierers, beispielsweise eines Kartenlegers,
dekodiert. Der Inhalt des auf der Karte vorhandenen
und dekodierten Testmusters wird in einem Speicher
gespeichert. Wird das Testgerät betrieben, so wird zunächst
die Information unter der Adresse Null im "PAT"-
Muster aus dem genannten Speicher mit Hilfe einer nicht
dargestellten Steuereinrichtung ausgelesen. Eingangs-/Ausgangsstifte
der Halbleitereinrichtung 2 sowie Stifte, an
denen gemessen werden soll, werden bestimmt, und jedes
der genannten Register 9 bis 13 in der Meßschaltung 1,
von denen jeweils eine mit einem Anschlußstift verbunden
ist, wird auf einen vorbestimmten Wert gesetzt, wie anhand
des Schritts 16 in Fig. 3(b) zu erkennen ist. Jede
Treiberschaltung 4 liefert eine Spannung mit vorbestimmtem
logischem Pegel, die jeweils an einem Eingangsstift
der Halbleitereinrichtung 2 angelegt wird. Die zugeordnete
Vergleichsschaltung 5 überprüft, ob an jedem Ausgangsstift
der Halbleitereinrichtung 2, an dem eine Messung
durchgeführt wird, eine Spannung mit einem vorbestimmten
logischen Pegel erscheint oder nicht. Aufgrund dieser
Überprüfung stellt die Steuereinrichtung fest, ob das
logische Verhalten der Halbleitereinrichtung 2 normal
oder unnormal ist. Zur selben Zeit wird ein Strom von
der Diodenbrückenschaltung 6 zum Anschlußstift geleitet,
um einen Zustand hoher Impedanz zu messen, wobei durch
die Vergleichsschaltung 5 detektiert wird, ob die Spannung
am Kontaktelement 14 auf einen vorbestimmten Wert
ansteigt. Dabei wird durch die Steuereinrichtung entschieden,
ob der Zustand hoher Impedanz normal oder unnormal
ist. Der Betrieb wird so lange wiederholt, bis die letzte
Adresse erreicht und die Funktionsüberprüfung der Halbleiterleitung
2 abgeschlossen ist, wie Schritt 17 in
Fig. 3(b) zeigt.
Andererseits wird bei der Gleichstrommessung ein Strom zu
demjenigen Anschlußstift mit Hilfe der Präzisionsmeßeinrichtung 3
(PMU) geleitet, der zur Durchführung dieser
Messung vorgesehen ist. Die erhaltene Spannung wird gemessen,
wie in Schritt 18 von Fig. 3(a) angegeben ist.
Danach wird eine Spannung an den genannten Stift angelegt
und der sich einstellende Strom gemessen, wie in Schritt 19
von Fig. 3(a) gezeigt. Diese Operation wird mehrere
Male wiederholt und dann entschieden, ob die elektrischen
Eigenschatten bzw. Kennwerte normal oder unnormal sind.
Das konventionelle Testgerät zur Überprüfung von Halbleitereinrichtungen
2 besitzt für jeden Anschlußstift der
Halbleitereinrichtung 2 eine Funktions-Meßschaltung 1,
um zur selben Zeit für alle Anschlußstifte den Test entsprechend
dem Testmuster 15 durchführen zu können.
Zur Gleichstrommessung sind jedoch nur eine bis vier PMUs
3 vorhanden, so daß die Gleichstrommessung nur unter Zuhilfenahme
dieser geringen Anzahl von PMUs durchgeführt werden
kann. Dies hat zur Folge, daß die Testzeit zur Überprüfung
einer Halbleitereinrichtung 2 mit steigender Anzahl
von Anschlußstiften erheblich ansteigen würde. Bei
Verwendung einer eigenen Präzisionsmeßeinrichtung 3 (PMU)
für jeden Anschlußstift würden sich dagegen aufgrund der
relativ teuren PMUs die Kosten für ein derartiges Testgerät
stark erhöhen.
In der japanischen Patentveröffentlichung Nr. Sho. 57-18593
ist ein Testverfahren zur Überprüfung einer Halbleiterspeichereinrichtung
beschrieben, deren Ausgang drei verschiedene
Zustände einnehmen kann. An eine entsprechende
Ausgangsklemme der Halbleiterspeichereinrichtung wird
über einen Widerstand eine Spannung mit hohem oder niedrigem
logischen Pegel angelegt, während gleichzeitig in
diesem Zustand der Spannungspegel der Ausgangsklemme mit
der genannten Spannung mit hohem oder niedrigem logischem
Pegel verglichen wird. Aufgrund des Ausgangssignals der
Vergleichsschaltung wird entschieden, ob die Halbleiterspeichereinrichtung
normal oder unnormal arbeitet.
Eine weitere Halbleiter-Testeinrichtung ist in dem Artikel
"Programmable Current Load" im Katalog "Sentry 50
Product Description" von Fairchild, 1983, beschrieben. Um
den Ausgangszustand einer zu testenden Einrichtung beurteilen
zu können, wird ein Ladewiderstand Rx von beliebigem
Wert normalerweise extern zwischen der zu testenden
Einrichtung und der Vergleicherschaltung innerhalb der
Testschaltung angeordnet. Der Artikel beschreibt eine
Schaltung, bei der der Ladewiderstand von beliebigem Wert
durch eine dynamische Ladeschaltung einstellbar ist, wobei
durch ein Programm festgesetzt wird, welche Spannung
und welchen Strom die dynamische Ladeschaltung erhält.
Darüber hinaus ist aus der DE-OS 24 07 963 noch eine Schaltungsanordnung zur Abnahmeprüfung von
Schaltungskomponenten bekannt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Testgerät
der eingangs genannten Art zu schaffen, mit dem auch
Halbleitereinrichtungen, die sehr viele Anschlußstifte aufweisen,
in kurzer Zeit getestet werden können, und das gleichzeitig
einer kostengünstigen Aufbau besitzt.
Die Lösung der gestellten Aufgabe ist im kennzeichnenden
Teil des Patentanspruchs 1 angegeben. Vorteilhafte Ausgestaltung
der Erfindung sind den Unteransprüchen zu entnehmen.
Das Testgerät zur Überprüfung logischer und zur Messung
elektrischer Eigenschaften von Halbleitereinrichtungen
nach der Erfindung besitzt jeweils eine einem Anschlußelement
der zu testenden Halbleitereinrichtung zugeordnete
Meßschaltung, die eine Vergleichsschaltung zum Vergleichen
der Ausgangsspannung oder des Ausgangsstroms der
Halbleitereinrichtung mit einer Referenzspannung oder
einem Referenzstrom enthält, eine Speichereinrichtung zur
Speicherung von Information, die zur Überprüfung der logischen
und zur Messung der elektrischen Eigenschaften der
Halbleitereinrichtung erforderlich ist, eine Steuereinrichtung
zur Steuerung des Ablaufs der Überprüfung der
logischen und Messung der elektrischen Eigenschaften, die
eine Zuführung einer Referenzspannung oder eines Referenzstroms
zur Vergleichsschaltung einschließt, sowie eine
Entscheidungseinrichtung, die anhand eines Ausgangssignals
der Vergleichsschaltung entscheidet, ob das Ergebnis der
logischen Überprüfung und/oder das bei der Messung der
elektrischen Eigenschaften erhaltene Ergebnis normal sind
oder nicht.
Das Testgerät ist vorteilhaft so ausgestaltet, daß die jeweilige
Meßschaltung
mit einem einstellbaren Gleichspannungsgenerator,
einem Spannungswertregister zur Speicherung der Augangsspannung
des einstellbaren Gleichspannungsgenerators,
einem einstellbaren Stromgenerator, einem Stromwertregister
zur Speicherung des Ausgangsstroms des einstellbaren
Stromgenerators, einer Vergleichsschaltung zum Vergleichen
der Ausgangsspannung oder des Ausgangsstroms an einem
Anschlußelement der Halbleitereinrichtung mit einer Referenzspannung
oder einem Referenzstrom, sowie mit einem
Referenzwertregister zur Lieferung eines Referenzspannungswerts
oder eines Referenzstromwerts zu der Vergleichsschaltung
ausgewertet ist, jeweils ein mit einem Eingangs-/Ausgangsanschluß
pro Meßschaltung verbundenes Kontaktelement vorhanden ist,
die Speichereinrichtung eine erste Speichereinrichtung zur Speicherung von Information
über Anschlußelemente, die im Rahmen der logischen
Überprüfung als Eingangs- bzw. als Ausgangsanschlußelemente
bestimmt werden, über logische Pegel, die an die
Eingangsanschlußelemente anlegbar sind, über logische
Pegel, die an jedem der Ausgangsanschlußelemente erhalten
werden, über Anschlußelemente unter den Ausgangsanschlußelementen,
die zur logischen Überprüfung herangezogen
werden, sowie über Anschlußelemente, die zur Messung
der elektrischen Eigenschaften der Halbleitereinrichtung
herangezogen werden, aufweist, die Speichereinrichtung eine zweite Speichereinrichtung zur
Speicherung der Werte des Spannungsregisters, des
Stromwertregisters und des Referenzwertregisters, die an
die Eingangsanschlußelemente, die Anschlußelemente zur logischen
Überprüfung und die Anschlußelemente zur Messung
der elektrischen Eigenschaften anlegbar sind, die bei jeder
Messung unter den Anschlußelementen bestimmbar sind,
eine Steuereinrichtung zum Auslesen des Inhalts der ersten
Speichereinrichtung bei jeder Meßoperation sowie zum
Setzen des Spannungswertregisters, des Stromwertregisters
und des Referenzregisters auf die Werte, die in der
zweiten Speichereinrichtung gespeichert sind, aufweist
wobei die Entscheidungseinrichtung, die anhand eines Ausgangssignals
der Vergleichsschaltung entscheidet, ob bei jeder
Meßoperation das Ergebnis der logischen Überprüfung und/
oder das bei der Messung der elektrischen Eigenschaften
erhaltene Ergebnis normal sind oder nicht, ferner
eine Entscheidung über die Art der Messung trifft,
die an jedem Anschlußelement durchgeführt wird.
Die Zeichnung stellt neben dem Stand der Technik Ausführungsbeispiele der Erfindung
dar. Es zeigen:
Fig. 1(a) eine schematische Schaltungsanordnung eines
konventionellen Testgeräts für Halbleitereinrichtungen,
Fig. 1(b) eine schematisch dargestellte und zu testende
Halbleitereinrichtung,
Fig. 2(a) und 2(b) Testmuster zur Durchführung eines
Tests mit Hilfe des Testgeräts nach Fig. 1(a),
Fig. 3(a) und 3(b) Flußdiagramme zur Durchführung von
Gleichstrom- und Funktionsmessungen mit Hilfe
des konventionellen Testgeräts nach Fig. 1(a),
Fig. 4(a) und 4(b) Diagramme zur Erläuterung von Eingangs-
und Ausgangsspannungen für die Durchführung
von Funktionsmessungen mit dem konventionellen
Testgerät nach Fig. 1(a),
Fig. 5 und 6 den schematischen Schaltungsaufbau eines
Testgeräts nach der Erfindung,
Fig. 7 ein der Fig. 2 entsprechendes Testmuster zur
Verwendung innerhalb des Testgeräts nach den
Fig. 5 und 6,
Fig. 8 ein Ablaufdiagramm zur Erläuterung der Wirkungsweise
des Testgeräts nach den Fig. 5 und 6,
Fig. 9 einen schematisch dargestellten Schaltungsaufbau
eines Testgeräts nach einem weiteren Ausführungsbeispiel
der Erfindung, und
Fig. 10(a) und 10(b) Testmuster 52 und 53, von denen das
erste im Zusammenhang mit dem konventionellen
Testgerät und das zweite im Testgerät nach dem
zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung verwendet
wird.
Bei dem konventionellen Testgerät nach Fig. 1(a) bzw. 1(b)
zur Überprüfung von Halbleitereinrichtungen ist es möglich,
die elektrischen Kennwerte bzw. Eigenschaften, beispielsweise
Leck- oder Verlustströme, dadurch zu erfassen, daß
überprüft wird, ob die Spannung oder der Strom oberhalb
eines vorbestimmten Werts liegen. Eine derartige Überprüfung
kann mit Hilfe der bereits erwähnten Vergleichsschaltung 5
innerhalb der Meßschaltung 1 durchgeführt werden.
Es gibt allerdings Anschlußstifte zwischen den oben beschriebenen
Eingangs-/Ausgangsstiften, an denen eine Funktionsmessung
nicht vorgenommen zu werden braucht. Andererseits
sollte berücksichtigt werden, daß bei einer mit einem
Anschlußstift verbundenen Meßschaltung 1 zur selben
Zeit sowohl eine Gleichstrommessung als auch eine Funktionsmessung
durchgeführt werden kann.
Im folgenden wird zunächst anhand der Fig. 5 und 6 ein
erstes Ausführungsbeispiel des Testgeräts nach der Erfindung
beschrieben.
Das Testgerät besitzt Meßschaltungen 1, von denen jeweils
eine einem Anschlußstift der Halbleitereinrichtung 2 zugeordnet
ist. Alle Meßschaltungen 1 werden mit Hilfe einer
zentralen Prozessoreinheit 20 (CPU) gesteuert. In einer
Meßschaltung 1 ist jeweils eine Treiberschaltung 4 (Generator
zur Erzeugung einer einstellbaren Gleichspannung)
vorhanden, dessen einstellbare Gleichspannung an den Anschlußstift
der Halbleitereinrichtung 2 anlegbar ist. Eine
Diodenbrückenschaltung 6 (variabler bzw. einstellbarer
Stromgenerator) dient zur Erzeugung eines einstellbaren
Stroms, der dem Anschlußstift bzw. dem Anschlußelement
der Halbleitereinrichtung 2 zugeführt wird. Eine Spannungsquelle
54 dient zur Lieferung einer Spannung an die
Diodenbrückenschaltung 6. Mittels einer Vergleichsschaltung
21 wird die Ausgangsspannung von der Halbleitereinrichtung
2 mit einer Referenzspannung verglichen. In einem
Spannungswertregister 9 wird der Ausgangsspannungswert
der Treiberschaltung 4 gespeichert. Stromwertregister
10 und 12 dienen zur Speicherung des durch die Diodenbrückenschaltung
6 ausgegebenen Stromwerts. Die Spannungsquelle
54 ist eine Konstantspannungsquelle und liefert
eine Referenzspannung zu der Diodenbrückenschaltung
6. Diese Referenzspannung wird in einem Register 11 gespeichert.
In einem weiteren Referenzwertregister 22
sind weitere Referenzspannungswerte gespeichert, die der
Vergleichsschaltung 21 zugeführt werden. Die Register 9
bis 12 besitzen jeweils einen Speicherbereich, während
das Referenzwertregister 22 zwei Speicherbereiche aufweist,
um den oberen und den unteren Grenzwert eines
vorbestimmten Spannungsbereichs zu speichern, so daß detektiert
werden kann, ob die Ausgangsspannung innerhalb
des Spannungsbereichs liegt, wenn eine Gleichspannungs-
bzw. DC-Messung vorgenommen wird. Das Register 22 kann
allerdings auch nur einen einzigen Speicherbereich aufweisen.
Ein Kontaktelement 14 dient zur Verbindung eines
Anschlußelements bzw. Anschlußstifts der Halbleitereinrichtung
2 mit dem Eingangs- und Ausgangsklemmen der
Schaltungen 4, 6 und 21.
Die Register 9a bis 12a und 22a (zweite Speicher) dienen
zur Speicherung der Werte aus den Registern 9 bis 12 sowie
aus dem Referenzwertregister 22. Diese Register 9 a
bis 12a und 22a besitzen jeweils mehr als 10 bzw. mehrere
10 Speicherbereiche. Ein erster Speicher 23 dient zur
Speicherung von Testmusterinformationen gemäß Fig. 7, die
durch einen Dekoder dekodiert wird. In einem Speicher 24
werden abweichende bzw. unnormale Ergebnisse gespeichert,
die bei der logischen Überprüfung der Halbleitereinrichtung,
bei der Hochimpedanzmessung und bei der Gleichstrommessung
erhalten werden.
Die CPU 20 besitzt Steuereinrichtungen 26 und Entscheidungseinrichtungen
27 oder führt Arbeiten solcher Einrichtungen
aus. Das bedeutet, daß die CPU 20 bei jedem
Meßbetrieb den Inhalt des Speichers 23 ausliest, um die
Eingangsstifte, die "PAT"-Meßstifte, die "HIZ"-Meßstifte
und die Gleichstrom- bzw. "DC"-Meßstifte zu bestimmen.
Darüber hinaus setzt die CPU 20 den Inhalt der Register
9 bis 12 und 22 der mit jedem Anschlußstift verbundenen
Meßschaltung 1 fest, und zwar auf den Wert der jeweils
zugeordneten Steuerregister 9a bis 12a und 22a. Ferner
wird durch die CPU 20 entschieden, ob die durch die "PAT"-
Messung, die "HIZ"-Messung und die "DC"-Messung erhaltenen
Ergebnisse am Ausgang einer jeden Vergleichsschaltung
21 normal sind oder nicht, während sie andererseits entscheidet,
welche Arten von Messungen an den Anschlußstiften
durchgeführt werden.
Im folgenden wird die Wirkungsweise des Testgeräts nach
den Fig. 5 und 6 näher beschrieben.
Die Struktur des Testmusters 28 für das Testgerät nach den
Fig. 5 und 6 ist in Fig. 7 dargestellt. Zusätzlich zu der
konventionellen Anschlußstiftinformation, wie z. B. der
I/O-, MASK- und der HIZ-Information, befindet sich in den
runden Klammern hinter jedem "PAT"-Muster die Adressennummer
0 des "DC"-Musters, das unterhalb des "HIZ"-Musters
zusätzlich aufgeführt ist. Innerhalb dieses "DC"-Musters
ist die Adressennummer 0 oder 1 der Reihe nach eingeschrieben.
Die Anschlußstiftinformation bezüglich jeder
Gleichstrom- bzw. "DC"-Messung befindet sich rechts von
jeder "DC"-Adresse. Darüber hinaus sind die Adressennummern
der Steuerregister 9a bis 12a und 22a zur Auswahl
der vorzugebenden Werte für die Register 9 bis 12 und 22
angegeben.
Ist die Funktionsmessung mit Hilfe des Testmusters 28
nach Fig. 7 ausgeführt, so wird bezüglich der Gleichstrom-
bzw. DC-Messung die Information über die Anschlußstifte
aus dem Steuerspeicher ausgelesen, an denen die DC-Messung
durchgeführt werden soll. Ferner wird Information über die
DC-Adresse, die nicht die Anschlußstiftinformation betrifft,
ausgelesen, so daß die Bedingungen, unter denen
die DC-Messung durchgeführt werden soll, in die Register
9 bis 12 und 22 der Meßschaltung 1 eingegeben werden
können, die mit jedem Anschlußstift verbunden ist, an dem
eine DC-Messung durchzuführen ist. Danach wird dieselbe
Operation wiederholt, wenn das nächste "PAT"-Muster erreicht
ist. Die DC-Messung werden dann an anderen Anschlußstiften
vorgenommen. Im Gegensatz zum konventionellen
Testgerät, bei dem nur einer der Werte der Register
9 bis 12 von der Funktionsprüfung zum Ausführen bzw.
Durchlaufen des Testmusters festgesetzt bzw. bestimmt
wird, bedeutet dies, daß bei dem Testgerät nach der Erfindung
die Werte der Register 9 bis 12 und 22 in Echtzeit
(real time) bzw. in Übereinstimmung mit der Ausführung
oder dem Durchlaufen des Testmusters geändert werden.
Die Gleichstrom- bzw. DC-Messung, die sich von der
logischen Überprüfung unterscheidet, wird zur selben
Zeit durchgeführt, in der der nächste Schritt im Testmuster
erfolgt. Bei der DC-Messung wird dann mit Hilfe der
Vergleichsschaltung 21 ein Entscheidungssignal erzeugt,
wozu ein Strom und eine Spannung an einige Anschlußstifte
angelegt werden. Die gesamte Dauer zur Durchführung
eines Tests einer Halbleitereinrichtung läßt sich somit
erheblich verkürzen.
Der Betrieb der Schaltungen während der Gleichstrom- bzw.
DC-Messung und der Funktionsmessung wird nachfolgend unter
Bezug auf das in Fig. 7 dargestellte Testmuster 28
und anhand des Flußdiagramms in Fig. 8 näher beschrieben.
Bei dem Testgerät nach den Fig. 5 und 6 wird zunächst
das Testmuster 28 dekodiert und der entsprechende Testmusterinhalt
im Speicher 23 gespeichert. Beim Betrieb
des Testgeräts wird die Information der "PAT"-Adresse 0
ausgelesen, und zwar im Schritt 30 des Programms nach
Fig. 8. In diesem Fall werden die Anschlußtiefe 4 und 5
(I/O=1) als Eingangsanschlußstifte bestimmt, während
die Anschlußstifte 1, 2, 3, 6, 7 und 8 (I/O=0) als Ausgangsanschlußstifte
bestimmt werden, da die I/O-Adresse
0 ist (vgl. den ersten Wert im Klammerausdruck rechts neben
der "PAT"-Adresse o). Die Anschlußstifte 1, 2, 3, 6,
7 und 8 (MASK=1) werden als Meßanschlußstifte bestimmt,
da die "MASK"-Adresse 1 ist (vgl. zweite Ziffer von links
im Klammerausdruck rechts neben der "PAT"-Adresse 0). Zur
Durchführung einer "HIZ"-Messung wird im vorliegenden
Fall kein Anschlußstift bestimmt, da die "HIZ"-Adresse
ebenfalls 0 ist. Die Anschlußstifte 3 und 8 (DC=1) werden
zur Durchführung einer Gleichstrom- bzw. DC-Messung
bestimmt, wobei gleichzeitig die Adressen der Steuerregister
9a bis 12a und 22a für die DC-Messung ausgelesen
werden, da die DC-Adresse 0 ist. Dies geschieht im Schritt
31 des Programms nach Fig. 8.
Die Register 9 bis 12 und 22 in einer Meßschaltung 1, die
mit einem bestimmten bzw. ausgewählten Eingangsanschlußstift
oder einem solchen Anschlußstift verbunden ist, an
dem eine "PAT"-Messung durchgeführt wird, werden auf vorbestimmte
Werte gesetzt, während die Register 9 bis 12
und 22, die Anschlußstiften zugeordnet sind, an denen eine
DC-Messung durchgeführt wird, auf Werte gesetzt werden,
die aus den Steuerregistern 9a bis 12a und 22a ausgelesen
werden. Beispielsweise wird das Treiberregister 9 auf den
Wert von -5 V gesetzt, der unter der Adresse "0" in das
Steuerregister 9a gespeichert ist (vgl. Schritte 32 bis
36 in Fig. 8).
Bei Durchführung der Testmessung wird eine Spannung mit
"0"-Pegel an den Eingangsstift 4 und eine Spannung mit
"1"-Pegel an den Eingangsstift 5 angelegt. Dabei wird geprüft,
ob der Reihe nach Spannungen mit "1"-, "0"-, "1"-
und "0"-Pegel an den Ausgangsanschlußstiften 1, 2, 6 und
7 erscheinen oder nicht. Diese Prüfung erfolgt mit Hilfe
der Vergleichsschaltung 21 für jeden Anschlußstift. Zur
selben Zeit wird ein vorbestimmter Strom von der Diodenbrückenschaltung 6
zu den Anschlußstiften 3 und 8 geleitet.
Dabei wird durch einen Komparator 21 ermittelt, ob
die Spannung am Kontaktelement 14 innerhalb eines vorbestimmten
Bereichs ansteigt oder nicht. Beispielsweise
wird geprüft, ob die Anschlußstifte 3 und 8 jeweils auf
"0"-Pegel liegen (vgl. Schritt 37 in Fig. 8). Durch die
zentrale Prozessoreinheit 20 (CPU) wird entschieden, welche
Art von Messung an den jeweiligen Anschlußstiften vorgenommen
wird und ob die am Ausgang der Vergleichsschaltung 21
erhaltenen Ergebnisse der "PAT"-Messung und der
DC-Messung normal sind oder nicht. Sind die Ergebnisse
normal, so gilt das "PAT"-Muster als abgearbeitet, während
bei unnormalen Ergebnissen diese im Speicher 24 gespeichert
werden, was in den Schritten 38 bis 44 des Programms
nach Fig. 8 erfolgt. Im Anschluß daran erfolgt eine
Testmessung mit dem Muster, das unter der "PAT"-Adresse "1"
gespeichert ist, und zwar entsprechend den Schritten 45 und
46 in Fig. 8.
Wie vorstehend klar dargelegt, können sowohl die Funktionsmessung
als auch die Gleichstrom- bzw. DC-Messung zur selben
Zeit durchgeführt werden, wobei die Zeit zur Durchführung
der DC-Messung im Vergleich zur entsprechenden Messung
mit dem konventionellen Testgerät, bei dem zu diesem
Zweck die PMUs benutzt werden, erheblich reduziert ist.
Beim Testgerät nach der Erfindung werden darüber hinaus
die konventionellen Schaltungen zur Durchführung der
Funktionsmessung bzw. der logischen Messung auch dazu benutzt,
eine DC-Messung durchzuführen. Es ist nicht erforderlich,
an allen Anschlußstiften PMUs vorzusehen, so daß
das Testgerät kostengünstiger hergestellt werden kann.
Beim oben beschriebenen Ausführungsbeispiel kann die HIZ-
Messung im Rahmen der Funktionsmessung durchgeführt werden.
Die HIZ-Messung kann dabei auch abgekürzt werden.
Beim Testgerät nach der Erfindung ist es nicht unbedingt
erforderlich, den variablen bzw. einstellbaren Stromgenerator
durch die genannte Diodenbrückenschaltung 6 und
durch die sie umgebenden zusätzlichen Register bzw. Schaltungen
10 bis 12 aufzubauen. Der genannte Stromgenerator
kann vielmehr auch aus einer Konstantstromquelle 47 und
aus einem Steuerregister 48 zur Steuerung der Konstantstromquelle
47 bestehen.
Bei dem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel wird bei
Durchführung der DC-Messung eine Spannung gemessen, während
ein Strom zu den Anschlußstiften geführt wird. Umgekehrt
kann aber auch der Strom gemessen werden, während
eine Spannung an die Anschlußstifte angelegt wird. In einem
solchen Fall sind ein Standardwiderstand 49 und Relais
50 und 51 miteinander verbunden, so daß die Spannung
zwischen beiden Enden des Widerstands 49 durch die Vergleichsschaltung
21 (Komparator) gemessen bzw. in einen
Strom umgewandelt und eine Entscheidung aufgrund des
Stroms getroffen werden kann.
Das Testmuster braucht darüber hinaus nicht als Adressenzugriffssystem
aufgebaut zu sein, wie in Fig. 7 gezeigt,
sondern kann sämtliche erforderlichen Daten unter nur einer
einzigen Adresse enthalten, wie in den Fig. 10(a) und
10(b) dargestellt ist. Fig. 10(a) zeigt dabei ein Testmuster
52 für eine konventionelle Funktionsmessung, während
Fig. 10(b) ein Testmuster 53 für die Funktionsmessung und
die DC-Messung angibt. Beide Testmuster 52 und 53 können
im Testgerät nach der Erfindung verwendet werden.
Claims (3)
1. Testgerät zur Überprüfung logischer und zur Messung
elektrischer Eigenschaften von Halbleitereinrichtungen mit
- a) jeweils einer einem Anschlußelement der zu testenden Halbleitereinrichtung (2) zugeordneten Meßschaltung (1), die eine Vergleichsschaltung (21) zum Vergleichen der Ausgangsspannung oder des Ausgangsstroms der Halbleitereinrichtung (2) mit einer Referenzspannung oder einem Referenzstrom enthält,
gekennzeichnet durch
- b) eine Speichereinrichtung (9a bis 12a, 22 a, 23) zur Speicherung von Information, die zur Überprüfung der logischen und zur Messung der elektrischen Eigenschaften der Halbleitereinrichtung (2) erforderlich ist,
- c) einer Steuereinrichtung (26) zur Steuerung des Ablaufs der Überprüfung der logischen und Messung der elektrischen Eigenschaften, die eine Zuführung einer Referenzspannung oder eines Referenzstroms zur Vergleichsschaltung (21) einschließt, und durch
- d) eine Entscheidungseinrichtung (27), die anhand eines Ausgangssignals der Vergleichsschaltung (21) entscheidet, ob das Ergebnis der logischen Überprüfung und/oder das bei der Messung der elektrischen Eigenschaften erhaltene Ergebnis normal sind oder nicht.
2. Testgerät nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß
- a) die jeweilige Meßschaltung (1) weiterhin folgendes enthält:
- - einen einstellbaren Gleichspannungsgenerator (4),
- - ein Spannungswertregister (9) zur Speicherung der Ausgangsspannung des einstellbaren Gleichspannungsgenerators (4),
- - einen einstellbaren Stromgenerator (6),
- - ein Stromwertregister (10, 12) zur Speicherung des Ausgangsstroms des einstellbaren Stromgenerators (6) und
- - ein Referenzwertregister (22) zur Lieferung eines Referenzspannungswertes oder eines Referenzstromwerts zu der Vergleichsschaltung (21),
- b) jeweils ein mit einem Eingangs-/Ausgangsanschluß pro Meßschaltung (1) verbundenes Kontaktelement (14) vorhanden ist,
- c) die Speichereinrichtung eine erste Speichereinrichtung (23) zur Speicherung von Information über Anschlußelemente, die im Rahmen der logischen Überprüfung als Eingangs- bzw. als Ausgangsanschlußelemente bestimmt werden, über logische Pegel, die an die Eingangsanschlußelemente anlegbar sind, über logische Pegel, die an jedem der Ausgangsanschlußelemente erhalten werden, über Anschlußelemente unter den Ausgangsanschlußelementen, die zur logischen Überprüfung herangezogen werden sowie über Anschlußelemente, die zur Messung der elektrischen Eigenschaften der Halbleitereinrichtung (2) herangezogen werden, aufweist,
- d) die Speichereinrichtung eine zweite Speichereinrichtung (9a, 10a, 11a, 12a, 22a) zur Speicherung der Werte des Spannungswertregisters (9), des Stromwertregisters (10, 12) und des Referenzwertregisters (22) aufweist, die an die Eingangsanschlußelemente, die Anschlußelemente zur logischen Überprüfung und die Anschlußelemente zur Messung der elektrischen Eigenschaften anlegbar sind, die bei jeder Messung unter den Anschlußelementen bestimmbar sind,
- e) die Steuereinrichtung (26) zum Auslesen des Inhalts der ersten Speichereinrichtung (23) bei jeder Meßoperation sowie zum Setzen des Spannungswertregisters (9), des Stromwertregisters (10, 12) und des Referenzwertregisters (22) auf die Werte, die in der zweiten Speichereinrichtung (9a, 10a, 11a, 12a, 22a) gespeichert sind, ausgebildet ist, und
- f) die Entscheidungseinrichtung (27) ferner eine Entscheidung über die Art der Messung trifft, die an jedem Anschlußelement durchgeführt wird.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59094863A JPH0743413B2 (ja) | 1984-05-09 | 1984-05-09 | 半導体試験装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3516755A1 DE3516755A1 (de) | 1985-11-14 |
DE3516755C2 true DE3516755C2 (de) | 1991-04-11 |
Family
ID=14121870
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19853516755 Granted DE3516755A1 (de) | 1984-05-09 | 1985-05-09 | Testgeraet fuer halbleitereinrichtungen |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4651088A (de) |
JP (1) | JPH0743413B2 (de) |
KR (1) | KR900001466B1 (de) |
DE (1) | DE3516755A1 (de) |
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1985
- 1985-04-08 KR KR1019850002337A patent/KR900001466B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1985-05-06 US US06/730,750 patent/US4651088A/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-05-09 DE DE19853516755 patent/DE3516755A1/de active Granted
Also Published As
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8320 | Willingness to grant licences declared (paragraph 23) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |