DE3508169C2 - - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft eine optische Modulationsvorrichtung
gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Als Flüssigkristall für eine optische Modulationsvorrichtung wird im allgemeinen ein
ferroelektrischer Flüssigkristall mit einer chiralen smek
tischen C-Phase (SmC*) oder H-Phase (SmH*) verwendet. Der
ferroelektrische Flüssigkristall weist Bistabilität auf,
d. h. er hat zwei stabile Zustände, die aus einem ersten
stabilen Zustand und einem zweiten stabilen Zustand beste
hen. Folglich wird der Flüssigkristall
in Abhängigkeit von einem elektrischen Feldvek
tor zu dem ersten stabilen Zustand und in Abhängigkeit von
dem anderen elektrischen Feldvektor zu dem zweiten stabilen
Zustand orientiert. Ferner nimmt diese Flüssigkristallart
in Abhängigkeit von einem daran angelegten elektrischen
Feld sehr schnell einen der zwei vorstehend erwähnten sta
bilen Zustände an und behält den Zustand in Abwesenheit
eines elektrischen Feldes bei.
Damit eine optische Modulationsvorrichtung, bei der der
Flüssigkristall mit Bistabilität verwendet wird, ein ge
wünschtes Betriebsverhalten zeigen kann, ist es jedoch
erforderlich, daß der zwischen ein Paar parallele Grund
platten eingefügte Flüssigkristall in einen derartigen
Zustand der Molekülanordnung gebracht wird, daß der Über
gang zwischen den zwei stabilen Zuständen wirksam eintreten
kann, und zwar unabhängig von der Vorbedingung der Errich
tung eines elektrischen Feldes. Beispielsweise muß bezüg
lich eines ferroelektrischen Flüssigkristalls mit einer
SmC*- oder SmH*-Phase eine Monodomäne gebildet werden, in
der die Schichten des Flüssigkristalls senkrecht zu der
Oberfläche der Grundplatte liegen und infolgedessen die
Molekülachse des Flüssigkristalls zu der Grundplattenober
fläche fast parallel verläuft. In den optischen Modulati
onsvorrichtungen, bei denen ein bistabiler Flüssigkristall
verwendet wird, kann jedoch ein Orientierungszustand eines
Flüssigkristalls mit einer solchen Monodomänenstruktur
nicht in zufriedenstellender Weise ausgbildet werden, was
dazu führt, daß die optische Modulationsvorrichtung tat
sächlich kein zufriedenstellendes Betriebsverhalten zeigen
kann.
Für die Erzielung eines solchen Orientierungszustands sind
aus der US-PS 43 67 924 verschiedene Verfahren bekannt,
wozu ein Verfahren, bei dem ein Magnetfeld
angelegt wird, ein Verfahren, bei dem eine Scherkraft aus
geübt wird, und ein Verfahren, bei dem eine Vielzahl paral
leler Rippen bzw. Stege in geringen Abständen angeordnet
werden, gehören. Diese Verfahren haben nicht notwendiger
weise zufriedenstellende Ergebnisse geliefert. Das Verfah
ren, bei dem ein Magnetfeld errichtet wird, benötigt bei
spielsweise eine Vorrichtung mit großen Abmessungen und ist
mit einer Dünnschichtzelle, die im allgemeinen ein hervor
ragendes Betriebsverhalten zeigt, nicht gut verträglich.
Das Verfahren, bei dem eine Scherkraft ausgeübt wird, ist
nicht mit einem Verfahren verträglich, bei dem zunächst
eine Zellenstruktur gebildet und dann ein Flüssigkristall
in die Zellenstruktur hineingegossen wird. Andererseits
kann durch das Verfahren, bei dem in einer Zelle parallele
Rippen bzw. Stege angeordnet werden, allein keine stabile
Orientierungswirkung erteilt werden.
Aus der US-PS 42 95 712 ist ein Flüssigkristallanzeigegerät
bekannt, das als Abstandshalter zwischen den Grundplatten
eine Honigwabenstruktur aufweist. Diese Vorrichtung
betrifft jedoch nicht ferroelektrische Flüssigkristalle
noch Verfahren zur Erzielung eines Orientierungszustandes.
Die US-PS 43 89 095 betrifft eine Mehrfarbflüssigkristall
anzeigevorrichtung, bei der jeder Abschnitt der Vorrichtung
in eine Vielzahl von Segmenten durch einen Abstandshalter
abgeteilt ist. Auch dieser Stand der Technik befaßt sich
nicht mit ferroelektrischen Flüssigkristallen oder mit
Verfahren, mit denen man bei den entsprechenden
Flüssigkristallverbindungen einen Orientierungszustand
erzielen kann.
In der älteren DE-OS 34 43 011 ist eine Flüssigkristallan
zeigevorrichtung mit einem ferroelektrischen
Flüssigkristall beschrieben, bei der eine
Ausrichtungssteuerung mit einem Temperaturgradienten
vorgenommen wird.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde,
bei einer optischen Modu
lationsvorrichtung, bei der ein bistabiler Flüssigkristall
verwendet wird und die möglicherweise für eine Anzeigevor
richtung, die eine hohe Ansprechgeschwindigkeit zeigt, mit
einer hohen Dichte angeordnete Bildelemente aufweist und
eine große Anzeigefläche hat, oder für einen optischen
Verschluß mit einer hohen Verschlußgeschwindigkeit geeignet
ist, eine Verbesserung der Möglichkeit der Bildung einer
Monodomäne oder eine Verbesserung der anfänglichen Aus
richtung, deren Verbesserung erwünscht war, zu erzielen, um
dadurch zu ermöglichen, daß die optische Modulationsvor
richtung in vollem Maße ihre ausgezeichneten Eigenschaften
zeigt.
Diese Aufgabe wird bei einer gattungsgemäßen optischen Modulationsvorrichtung
durch die kennzeichnenden Merkmale des Patentanspruchs 1 gelöst.
Erfindungsgemäß kann eine Monodomänenstruktur, die mit dem auf der Bistabi
lität eines Flüssigkristalls basierenden Betriebsverhalten
verträglich ist, dadurch erhalten werden, daß man in
Kombination die Wirkung einer einachsigen Orientierungsbe
handlung wie z. B. Reiben und eine Strukturorientierungs-
Steuerungswirkung, die auf Seitenwände aufweisende, strei
fenförmige Strukturelemente zurückzuführen ist, ausnutzt
und die Richtung der einachsigen Orientierungsbehandlung
und die Anordnungsrichtung der Strukturelemente mit einer
bestimmten Wechselbeziehung zueinander reguliert. Besonders
in dem Fall, daß auf die Orientierungseigenschaften eines
Flüssigkristalls während eines Temperatursenkungsschrittes,
der durchgeführt wird, um eine Umwandlung von der choleste
rischen Phase in eine bei niedrigerer Temperatur auftreten
de Phase wie z. B. eine smektische Phase, beispielsweise die
SmA-Phase (die smektische A-Phase), zu bewirken, achtgege
ben wird, ist beobachtet worden, daß eine Monodomäne, wo
Flüssigkristallmoleküle z. B. der smektischen A-Phase in
einer Richtung ausgerichtet sind, dadurch gebildet werden
kann, daß eine Phasenumwandlung von einer bei höherer Tem
peratur auftretenden cholesterischen Phase in eine bei
niedrigerer Temperatur auftretende smektische Phase hervor
gerufen wird, wenn die Phasenumwandlung in Gegenwart einer
den Flüssigkristall berührenden Oberfläche einer Grundplat
te, und zwar einer Oberfläche, der eine Funktion der bevor
zugten Orientierung der Molekülachsen des Flüssigkristalls
in einer Richtung verliehen worden ist, und auch in Gegen
wart von Strukturelementen, die in Form von Streifen zwi
schen den Grundplatten angeordnet sind, bewirkt wird, wo
durch eine optische Modulationsvorrichtung, die in Kombina
tion ein auf der Bistabilität des Flüssigkristalls basie
rendes Betriebsverhalten und Monodomänen-Bildungseigen
schaften der Flüssigkristallschicht zeigt, bereitgestellt
wird.
Die Aufgabe der Erfindung wird auf der Grundlage der vor
stehend erwähnten Feststellung durch eine optische Modula
tionsvorrichtung mit den im kennzeichnenden Teil des Pa
tentanspruchs 1 angegebenen Merkmalen gelöst.
Die bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung werden
nachstehend unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnun
gen näher erläutert.
Fig. 1 und 2 sind schematische perspektivische Ansichten,
die das grundlegende Betriebsprinzip einer im Rahmen der
Erfindung verwendeten Flüssigkristallzelle erläutern.
Fig. 3A ist eine schematische perspektivische Ansicht eines
Beispiels der erfindungsgemäßen optischen Modulationsvor
richtung;
Fig. 3B ist eine Seitenansicht davon im Schnitt;
und
Fig. 3C ist eine Vorderansicht davon im Schnitt.
Flüssigkristallmaterialien, die im Rahmen der Erfindung
verwendet werden können, sind diejenigen, die Ferroelektri
zität zeigen. Im einzelnen stehen Flüssigkristalle, die
eine chirale smektische C-Phase (SmC*), H-Phase (SmH*), I-
Phase (SmI*), J-Phase (SmJ*), K-Phase (SmK*), G-Phase
(SmG*) oder F-Phase (SmF*) zeigen, zur Verfügung.
Nähere Einzelheiten über ferroelektrische Flüssigkristalle
sind z. B. in "Le Journal de Physique Letters" 36 (L-69),
1975, "Ferroelectric Liquid Crystals"; "Applied Physics
Letters" 36 (11), 1980, "Submicro Second Bistable Electro
optic Switching in Liquid Crystals"; "Applied Physics" 16
(141), 1981, "Liquid Crystals" usw. beschrieben. Im Rahmen
der Erfindung können ferroelektrische Flüssigkristalle, die
aus diesen Veröffentlichungen bekannt sind, verwendet wer
den.
Zu Beispielen für ferroelektrische Flüssigkristallverbin
dungen gehören Decycloxybenzyliden-p′-amino-2-methylbutyl
cinnamat (DOBAMBC), Hexyloxybenzyliden-p′-amino-2-chlorpro
pylcinnamat (HOBACPC), 4-o-(2-Methyl)-butylresorcyliden-4′-
octylanilin (MBRA 8) usw.
Eine besonders bevorzugte Gruppe von chiralen smektischen
Flüssigkristallen, die in der erfindungsgemäßen optischen
Modulationsvorrichtung verwendet werden, sind diejenigen,
die bei einer Temperatur, die höher ist als die Temperatur,
die eine smektische Phase ergibt, eine cholesterische Phase
zeigen. Besondere Beispiele des chiralen smektischen Flüs
sigkristalls sind nachstehend aufgeführt:
Flüssigkristall
Nr. 1
Nr. 1
Nr. 2
Nr. 3
Nr. 4
Wenn unter Verwendung dieser Materialien eine Vorrichtung
gebildet wird, kann die Vorrichtung mit einem Block aus
z. B. Kupfer, in den eine Heizeinrichtung eingebettet ist,
gehalten werden, um Temperaturbedingungen zu schaffen, bei
denen die Flüssigkristallverbindungen eine smektische Phase
annehmen.
Unter Bezugnahme auf Fig. 1 wird schematisch ein Beispiel
einer ferroelektrischen Flüssigkristallzelle zur Erläute
rung ihres Betriebs gezeigt. Auf Grundplatten (Glasplatten)
21a und 21b ist eine lichtdurchlässige Elektrode aus z. B.
In₂O₃, SnO₂ oder ITO (Indiumzinnoxid) angeordnet. Ein Flüs
sigkristall in einer SmC*- oder SmH*-Phase, in dem Flüssig
kristall-Molekülschichten 22 senkrecht zu den Oberflächen
der Glasplatten orientiert sind, ist dazwischen angeordnet
und hermetisch abgeschlossen. Flüssigkristallmoleküle 23
sind durch ausgezogene Linien dargestellt. Jedes Flüssig
kristallmolekül 23 hat ein Dipolmoment (P┴) 24 in einer zu
seiner Achse senkrechten Richtung. Wenn zwischen auf den
Grundplatten 21a und 21b gebildeten Elektroden eine Span
nung angelegt wird, die höher ist als ein bestimmter
Schwellenwert, wird eine Helixstruktur des Flüssigkristall
moleküls 23 gelockert oder abgewickelt, wodurch die Rich
tung, in der die einzelnen Flüssigkristallmoleküle 23 aus
gerichtet sind, derart verändert wird, daß alle Dipolmomen
te (┴) 24 in die Richtung des elektrischen Feldes gerichtet
werden. Die Flüssigkristallmoleküle 23 haben eine längliche
Gestalt und zeigen Brechungsanisotropie zwischen ihrer
langen und ihrer kurzen Achse. Infolgedessen ist es leicht
verständlich, daß beisielsweise dann, wenn auf der oberen
und der unteren Oberfläche der Glasplatten Polarisatoren in
der Art gekreuzter Nicolscher Prismen, d. h. derart, daß
ihre Polarisationsrichtungen einander kreuzen, angeordnet
werden, die auf diese Weise angeordnete Flüssigkristallzel
le als Flüssigkristallvorrichtung zum optischen Modulieren
bzw. als optische Modulationsvorrichtung wirkt, deren opti
sche Eigenschaften sich in Abhängigkeit von der Polarität
einer angelegten Spannung ändern.
Die Flüssigkristallschicht in der erfindungsgemäßen opti
schen Modulationsvorrichtung kann mit einer ausreichend
geringen Dicke (z. B. weniger als 10 µm) gestaltet werden.
Wenn die Dicke der Flüssigkristallschicht vermindert wird,
wird die Helixstruktur der Flüssigkristallmoleküle selbst
in Abwesenheit eines elektrischen Feldes gelockert oder
abgewickelt, was dazu führt, daß das Dipolmoment einen von
zwei Zuständen annimmt, d. h. einen Zustand Pa in einer
Richtung 34a nach oben oder einen Zustand Pb in einer
Richtung 34b nach unten, wie es in Fig. 2 gezeigt wird.
Wenn an einer Zelle mit den vorstehend erwähnten Eigen
schaften ein elektrisches Feld Ea oder Eb errichtet wird,
dessen Feldstärke höher ist als ein bestimmter Schwellen
wert, wobei Ea und Eb hinsichtlich ihrer Polarität ver
schieden sind, wie es in Fig. 2 gezeigt wird, wird das
Dipolmoment in Abhängigkeit von dem Vektor des elektrischen
Feldes Ea oder Eb entweder in die obere Richtung 34a oder
in die untere Richtung 34b ausgerichtet. Dementsprechend
werden die Flüssigkristallmoleküle entweder in einem ersten
stabilen Zustand 33a oder in einem zweiten stabilen Zustand
33b orientiert.
Wenn der vorstehend erwähnte ferroelektrische Flüssigkri
stall für eine optische Modulationsvorrichtung verwendet
wird, können zwei Vorteile, wie sie vorstehend kurz berührt
wurden, erzielt werden. Der erste Vorteil besteht darin,
daß die Ansprechgeschwindigkeit sehr hoch ist, während der
zweite darin besteht, daß die Orientierung des Flüssigkri
stalls Bistabilität zeigt. Der zweite Vorteil wird z. B.
unter Bezugnahme auf Fig. 2 näher erläutert. Wenn an die
Flüssigkristallmoleküle das elektrische Feld Ea angelegt
wird, werden sie in den ersten stabilen Zustand 33a orien
tiert. Dieser Zustand bleibt auch dann stabil, wenn das
elektrische Feld aufgehoben wird. Andererseits werden die
Flüssigkristallmoleküle in den zweiten stabilen Zustand 33b
orientiert, wenn das elektrische Feld Eb, dessen Richtung
der Richtung des elektrischen Feldes Ea entgegengesetzt
ist, an die Flüssigkristallmoleküle angelegt wird, wodurch
die Richtungen der Moleküle verändert werden. Dieser Zu
stand bleibt in ähnlicher Weise auch dann stabil, wenn das
elektrische Feld aufgehoben wird. Ferner bleiben die Flüs
sigkristallmoleküle in den jeweiligen Orientierungszustän
den, solange die Stärke des angelegten elektrischen Feldes
Ea oder Eb nicht über einem bestimmten Schwellenwert liegt.
Für eine wirksame Erzielung von hoher Ansprechgeschwindig
keit und Bistabilität ist die Dicke der Zelle vorzugsweise
so gering wie möglich.
Wie vorstehend kurz erwähnt wurde, bestand das schwierigste
Problem, das bei der Bildung einer Vorrichtung unter Ver
wendung eines solchen ferroelektrischen Flüssigkristalls
angetroffen wurde, darin, daß es schwierig war, eine Zelle
zu bilden, die eine in hohem Maße gleichmäßige Monodomäne
hat, in der Flüssigkristallschichten mit einer SmC*- oder
SmH*-Phase senkrecht zu den Grundplattenoberflächen ausge
richtet sind und die Flüssigkristallmoleküle fast parallel
zu den Grundplattenoberflächen ausgerichtet sind. Ein
Hauptzweck der Erfindung besteht in einer Lösung dieses
Problems.
Fig. 3A bis 3C erläutern ein Beispiel der erfindungsgemäßen
optischen Modulationsvorrichtung. Fig. 3A ist eine schema
tische perspektivische Ansicht des Beispiels, bei der die
Darstellung des Flüssigkristalls und der Polarisatoren
weggelassen worden ist, um die Veranschaulichung zu er
leichtern. Fig. 3B ist eine Seitenansicht des Beispiels im
Schnitt, und Fig. 3C ist eine Vorderansicht des Beispiels
im Schnitt.
Das in Fig. 3A bis 3C gezeigte Beispiel enthält eine aus
einer Glasplatte oder Kunststoffplatte hergestellte Grund
platte 101, auf der eine Elektrodengruppe (z. B. eine Ab
tastelektrodengruppe) gebildet ist. Die Elektrodengruppe
enthält eine Vielzahl von Elektroden 102, die, beispielswei
se durch Ätzen, in einem festgelegten Muster gebildet sind.
Ferner ist abwechselnd mit diesen Elektroden 102 und paral
lel dazu eine Vielzahl von Abstandshaltern 104 ausgebildet,
die in Form von Streifen angeordnet sind und Seitenwände
106 und 107 aufweisen.
Diese Abstandshalter können anders gestaltet sein. Die in
diesem Beispiel verwendeten Abstandshalter 104 haben bei
spielsweise einen Querschnitt in Form eines umgekehrten
Trapezes, wie er in Fig. 3C deutlicher gezeigt ist; sie
können jedoch einen rechteckigen Querschnitt haben.
Auf der Grundplatte 101 ist ferner mit Ausnahme der Berei
che der Abstandshalter 104 ein isolierender Film 103 ausge
bildet, der die Elektroden 102 bedeckt.
Die Abstandshalter 104 können vorzugsweise aus einem Mate
rial gebildet sein, das z. B. aus Harzen wie Polyvinylalko
hol, Polyimid, Polyamidimid, Polyesterimid, Poly-p-xylylen,
Polyester, Polycarbonat, Polyvinylacetal, Polyvinylchlorid,
Polyvinylacetat, Polyamiden, Polystyrol, Celluloseharz,
Melaminharz, Harnstoffharz, Acrylharz; lichtempfindlichem
Polyimid, lichtempfindlichem Polyamid, Photoresist in Form
von cyclisiertem Kautschuk, Photoresist in Form von Phenol
novolak und Elektronenstrahl-Photoresists, wozu Polymethyl
methacrylat und epoxidiertes 1,4-Polybutadien gehören, usw.
ausgewählt ist.
Der isolierende Film 103 hat die Funktion, die Injektion
elektrischer Ladungen aus den Elektroden 102 in die Flüs
sigkristallschicht zu verhindern. Solch ein isolierender
Film kann beispielsweise durch Aufdampfen von Verbindungen
wie z. B. Siliciummonoxid, Siliciumdioxid, Aluminiumoxid,
Zirkoniumoxid, Magnesiumfluorid, Ceroxid, Cerfluorid, Sili
ciumnitrid, Siliciumcarbid und Bornitrid gebildet werden.
Ferner kann der isolierende Film 103 als Überzugsfilm aus
Harzen wie z. B. Polyvinylalkohol, Polyimid, Polyamidimid,
Polyesterimid, Poly-p-xylylen, Polyester, Polycarbonat,
Polyvinylacetal, Polyvinylchlorid, Polyvinylacetat, Poly
amid, Polystyrol, Celluloseharz, Melaminharz, Harnstoffharz
und Acrylharz gebildet werden. Die Dicke des isolierenden
Films 103 kann in dem Bereich von im allgemeinen 5,0 nm
bis 5 µm und vorzugsweise 50,0 nm bis 500,0 nm gewählt
werden, hängt jedoch von dem Ladungsinjektions-Verhinde
rungsvermögen des Materials des isolierenden Films und von
der Dicke der Flüssigkristallschicht ab. Andererseits wird
die Dicke der Flüssigkristallschicht in Abhängigkeit von
der Bereitschaft zur Orientierung, die für das Flüssigkri
stallmaterial charakteristisch ist, und von der für die
Vorrichtung erforderlichen Ansprechgeschwindigkeit durch
die Höhe der Abstandshalter 104 festgelegt und in dem
Bereich von im allgemeinen 0,2 bis 200 µm und vorzugsweise
0,5 bis 10 µm gewählt. Die Breite der Abstandshalter 104
wird in dem Bereich von im allgemeinen 0,5 µm bis 50 µm und
vorzugsweise 1 µm bis 20 µm gewählt. Ein zu großer Abstand
oder Zwischenraum zwischen den Abstandshaltern 104 verhin
dert eine gleichmäßige Orientierung oder Ausrichtung der
Flüssigkristallmoleküle, während ein zu geringer Abstand zu
einer Verminderung der wirksamen Oberfläche der optischen
Flüssigkristall-Modulationsvorrichtung führt. Im Hinblick
auf diese Umstände bzw. Faktoren wird die Breite der Ab
standshalter in dem Bereich von im allgemeinen 10 µm bis 2 mm
und vorzugsweise 50 bis 700 µm gewählt.
Die Abstandshalter 104 können durch verschiedene Verfahren,
wozu verschiedene Druckverfahren wie z. B. der Siebdruck
oder vorzugsweise die Photolithographie, die Elektronen
strahl-Lithographie usw. gehören, mit einem vorgeschriebe
nen Muster und vorgeschriebenen Abmessungen gebildet wer
den.
Die erfindungsgemäße optische Modulationsvorrichtung ent
hält eine weitere Grundplatte 110, die über und parallel zu
der Grundplatte 101, die in der vorstehend beschriebenen
Weise behandelt wird, liegt. Auf der Grundplatte 110 sind
eine Elektrodengruppe (z. B. eine Signalelektrodengruppe),
die eine Vielzahl von Elektroden 111 enthält, und darauf
ein isolierender Film 112 angeordnet worden. Die Vielzahl
von (Signal-)Elektroden 111 und die andere Vielzahl von
(Abtast-)Elektroden 102 können mit Anschlußleitungen ver
bunden werden, um eine Matrixelektrodenstruktur zu bilden.
Der isolierende Film 112 hat ähnlich wie der vorstehend
erwähnte isolierende Film 103 die Funktion, das Auftreten
eines in die Flüssigkristallschicht hineinfließenden
Stromes zu verhindern und kann aus einem ähnlichen Material
wie der Film 103 gebildet sein.
Erfindungsgemäß ist die Oberfläche 113, die durch den auf
der Grundplatte 110 befindlichen isolierenden Film 112
bereitgestellt wird, einer einachsigen Orientierungsbehand
lung unterzogen worden, und ihre Orientierungsrichtung wird
derart gewählt, daß sie zu der Richtung, in der sich die
Abstandshalter 104 erstrecken, im wesentlichen parallel
oder im wesentlichen senkrecht verläuft, so daß die beiden
Richtungen einen Winkel R bilden, der vorzugsweise die
Beziehung 0°≦R<15° oder 80°<R<100° erfüllt. Gemäß
Untersuchungen, die im Rahmen der Erfindung durchgeführt
wurden, ist die Orientierung der Flüssigkristallmoleküle an
den Kanten bzw. Rändern der Abstandshalter regellos oder
kann für eine Zelle mit Speicherwirkung ein Wechsel zwi
schen bistabilen Zuständen nicht in zufriedenstellender
Weise bewirkt werden, wenn solch ein paralleler oder senk
rechter Verlauf der beiden Richtungen zueinander nicht
erfüllt ist. Wie aus dem vorstehend erwähnten Bereich er
sichtlich ist, ist es jedoch möglich, daß eine Abweichung
bis zu etwa 15° für die praktische Anwendung kaum zu Prob
lemen führt. Unter der parallelen und der senkrechten An
ordnung der beiden Richtungen zueinander wird die parallele
Anordnung eher bevorzugt, weil bei der senkrechten Anord
nung eine größere Neigung dazu besteht, daß Orientierungs
fehler verursacht werden. Besonders in dem Fall, daß die
einachsige Orientierungsbehandlung durch Reiben bewirkt
wird, was nachstehend erläutert wird, führt die parallele
Anordnung zu einer Flüssigkristallzelle, in der eine Mono
domäne mit weniger Orientierungsfehler gebildet wird.
Die vorstehend beschriebene einachsige Orientierungsbehand
lung kann dadurch bewirkt werden, daß der isolierende Film
112 mit Samt, Tuch oder Papier gerieben wird oder daß der
isolierende Film durch das schräge oder geneigte Aufdamp
fen, das im Zusammenhang mit Flüssigkristallzellen des TN-
Typs bekannt ist, gebildet wird.
Grundsätzlich ist es nicht erforderlich, daß die einachsige
Orientierung bezüglich der Grundplatte 110 durchgeführt
wird, sondern sie kann auch bezüglich der Grundplatte 101
durchgeführt werden. In diesem Fall wird es für die Erzie
lung einer optischen Modulationsvorrichtung mit einer hohen
Ansprechgeschwindigkeit bevorzugt, daß die Wirkung der
einachsigen Orientierungsbehandlung selektiv den Seitenwän
den 106 und 107 der Abstandshalter mitgeteilt wird, indem
eine einachsige Orientierungsbehandlung im wesentlichen
parallel oder senkrecht zu der Richtung, in der sich die
Abstandshalter 104 erstrecken, durchgeführt und dann der
isolierende Film 103 durch Aufdampfen gebildet wird oder
indem der bereits gebildete isolierende Film 103 einer
einachsigen Orientierungsbehandlung unterzogen und dann die
Wirkung der einachsigen Orientierungsbehandlung selektiv
von einer Oberfläche 108 des isolierenden Films 103 besei
tigt bzw. weggenommen wird.
Ein Paar von Polarisationseinrichtungen, d. h. ein Polarisa
tor 114 und ein Analysator 115, können so angeordnet wer
den, daß das Paar Grundplatten 101 und 110 dazwischenge
schichtet ist. Der Polarisator 114 und der Analysator 115
können gewöhnliche Polarisationsplatten oder -filme oder
polarisierende Strahlenteiler sein. Diese Polarisationsein
richtungen können in der Art gekreuzter oder paralleler
Nicolscher Prismen angeordnet sein.
Die erfindungsgemäße optische Modulationsvorrichtung kann
erhalten werden, indem die das Paar bildenden Grundplatten
parallel zueinander so befestigt werden, daß die Richtung,
in der sich die Abstandshalter erstrecken, und die Richtung
der einachsigen Orientierungsbehandlung die vorstehend
erwähnte Beziehung erfüllen, indem der Umfang der paralle
len Grundplatten zur Bildung einer Zelle z. B. mit einem
Klebstoff vom Epoxytyp oder einem niedrigschmelzenden Glas
verschlossen wird, indem ein ferroelektrischer Flüssigkri
stall, der zur Ausbildung seiner isotropen Phase erhitzt
worden ist, in die Zelle eingegossen wird und indem die
Zelle dann unter genauer Temperatursteuerung allmählich
abgekühlt wird. Im Verlauf der allmählichen Abkühlung wird
bei DOBAMBC (Decyloxybenzyliden-p′-amino-2-methylbutylcin
namat) als einem typischen Beispiel eine Phasenumwandlung
von der isotropen Phase über die SmA-Phase in die SmC*-
Phase hervorgerufen. In diesem Fall sollte die Dicke der
Flüssigkristallschicht vorzugsweise 2 bis 3 µm oder weniger
betragen, damit der Flüssigkristall einen bistabilen Zu
stand anstelle eines schraubenförmigen Zustands annimmt,
und die Dicke der Flüssigkristallschicht wird vorzugsweise
auf einen Wert in der Größenordnung von 1 bis 3 µm einge
stellt, indem die Dicke der Abstandshalter 104 eingestellt
wird.
In der vorstehenden Beschreibung ist die Erfindung in bezug
auf eine bevorzugte Ausführungsform erläutert worden.
Selbstverständlich sind jedoch im Rahmen der Erfindung ver
schiedene Abänderungen möglich. Die Strukturelemente, die
in dem vorstehenden Beispiel als Abstandshalter 104 erläu
tert wurden, müssen beispielsweise nicht als Abstands
halter, die die beiden Grundplatten berühren, wirken, so
weit sie Seitenwände aufweisen, die den erforderlichen, auf
den Flüssigkristall einwirkenden Wandeffekt zeigen. Wie aus
der Beschreibung der vorstehenden Ausführungsform ersicht
lich ist, sind die Abstandshalter jedoch eine bevorzugte
Ausbildung der einen Wandeffekt zeigenden Strukturelemente.
Ferner ist die Gestalt der auf den Grundplatten auszubil
denden Elektroden nicht auf Streifen eingeschränkt, wie sie
vorstehend beschrieben wurden, sondern sie können in
irgendeiner anderen Form, z. B. als Siebensegment-Elektro
denstruktur, ausgebildet werden. Entsprechend einer solchen
Abänderung können die Abstandshalter 104 statt der Strei
fenform eine andere Gestalt annehmen, und zwar unter der
Voraussetzung, daß sie ohne sehr unregelmäßige Zwischen
räume dazwischen angeordnet werden und daß sie auf den
Flüssigkristall einen im wesentlichen gleichmäßigen Wandef
fekt ausüben können.
Nachstehend werden einige besondere Herstellungsbeispiele
der erfindungsgemäßen optischen Modulationsvorrichtung er
läutert.
Auf einer Grundplatte eines Paares von Grundplatten, die
jeweils Streifenmusterelektroden aus ITO (Indiumzinnoxid)
aufwiesen, wurde ein Polyimidfilm mit einer Dicke von 100,0 nm
gebildet und in einer Richtung gerieben. Auf der anderen
Grundplatte wurde eine Polyimidfilm mit einer Dicke von 2 µm
gebildet, der dann einer Photoätzung unterzogen wurden,
wobei streifenförmige Abstandshalter mit einer Breite von
20 µm in einem Abstand von 200 µm stehengelassen wurden.
Die Polyimidfilme wurden gebildet, indem eine N-Methylpyr
rolidonlösung eines Polyimid-Vorläufers
durch Eintauchen oder Schleuder-
bzw. Zentrifugenbeschichtung aufgebracht wurde.
Die Ätzung wurde durchgeführt, indem die Grundplatte, auf
der der Polyimidfilm gebildet worden war, in eine Ätzflüs
sigkeit aus einer 1 : 1-Mischung von Hydrazin und NaOH einge
taucht wurde.
Die Grundplatten, die das in der vorstehend beschriebenen
Weise behandelte Paar von Elektroden aufweisenden Grund
platten bzw. Elektrodenplatten bildeten, wurden so aneinan
der befestigt, daß die Richtung, in der sich die streifen
förmigen Abstandshalter erstreckten, und die Reibrichtung
im wesentlichen parallel zueinander verliefen, wodurch eine
Zelle mit einem Zwischeraum von 2 µm gebildet wurde.
In die Zelle wurde DOBAMBC in isotroper Phase eingefüllt,
und die Zelle wurde allmählich abgekühlt, um eine SmC*-
Phasen-Flüssigkristallzelle herzustellen. Die SmC*-Phasen-
Flüssigkristallzelle wurde durch ein Polarisationsmikroskop
beobachtet, wobei festgestellt wurde, daß sich eine nicht
schraubenförmige Monodomäne, die frei von Orientierungsfeh
lern war, gebildet hatte.
Auf einer Grundplatte aus Glas, auf der Streifenmusterelek
troden gebildet worden waren, wurde in der nachstehend
beschriebenen Weise ein Zirkoniumoxidfilm gebildet. Die
Grundplatte und gesintertes Zirkoniumoxid wurden in eine
Elektronenstrahl-Aufdampfvorrichtung hineingebracht, und
der Innendruck wurde auf weniger als 0,13 mPa vermindert.
Das gesinterte Zirkoniumoxid wurde geschmolzen und durch
Bestrahlung mit einem Elektronenstrahl, der unter den Be
dingungen einer Beschleunigungsspannung von 10 kV und eines
Heizstroms von 70 mA erzeugt wurde, verdampft, wodurch in
etwa 10 min ein etwa 100,0 nm dicker Zirkoniumoxidfilm
gebildet wurde.
Auf den Zirkoniumoxidfilm wurde ferner durch Schleuder-
bzw. Zentrifugenbeschichtung (Bedingungen: 2000 U/min;
15 s) eine 1%ige Lösung in Butanol eines Silan-Haftmittels
aufgebracht, die dann unter Erhitzen getrocknet wurde, um
eine Elektrodenplatte (A) zu bilden.
Auf eine Glasplatte, auf der sich Streifenmusterelektroden
befanden, wurde gesondert durch eine Schleuder- bzw. Zen
trifugenbeschichtungsvorrichtung (Bedingungen: 3000 U/min;
10 s) eine Polyimid bildende Lösung
(Gehalt an nicht
flüchtigem Material: 14,5 Gew.-%) aufgebracht. Die Be
schichtung wurde 30 min lang auf 120°C erhitzt, wodurch ein
2 µm dicker Polyimidfilm gebildet wurde. Dann wurde auf den
Polyimidfilm durch eine Schleuder- bzw. Zentrifugenbe
schichtungsvorrichtung (Bedingungen: 3000 U/min; 10 s) eine
Resistlösung des negativen Typs auf Phenolharzbasis
aufgebracht und 20 min lang auf 80°C erhitzt, wodurch ein
Resistfilm mit einer Dicke von etwa 2 µm gebildet wurde.
Der Resistfilm wurde mit einer Streifenmaske bedeckt, die
eine Maskierbreite von 8 µm und einen Abstand von 100 µm
hatte, und durch die Maske hindurch belichtet. Dann wurde
die Grundplatte 85 s lang bei 25°C in eine Entwicklerlösung
eingetaucht, um den Resist zu entwickeln, in destil
liertes Wasser eingetaucht und 5 min lang bei 60°C getrock
net. Dann wurde die Grundplatte 1 min lang bei 23°C in eine
Nach-Spüllösung
eingetaucht, und der Resistfilm wurde mit
einem Ablösemittel ab
gelöst bzw. abgeschält. Dann wurde die Grundplatte 20 min
lang auf 140°C erhitzt, wodurch Abstandshalter gebildet
wurden. Bei der Beobachtung durch ein Rasterelektronenmi
kroskop wurde festgestellt, daß die Abstandshalter einen
Querschnitt in Form eines umgekehrten Trapezes hatten.
Dann wurde die Oberfläche der Grundplatte mit den Abstands
haltern in einer Richtung gerieben, die mit der Richtung,
in der sich die Abstandshalter erstreckten, genau bzw. eng
übereinstimmte, und dann aufeinanderfolgend mit Wasser und
Aceton gewaschen und getrocknet. Auf der geriebenen Ober
fläche wurde ein Zirkoniumoxidfilm gebildet, und auf diesen
wurde ferner in derselben Weise wie bei der Bildung der
Elektrodenplatte (A) ein Silan-Haftmittel aufgebracht,
wodurch eine Elektrodenplatte (B) gebildet wurde.
Die auf diese Weise erhaltenen Elektrodenplatten (A) und
(B) wurden so aneinander befestigt, daß die Reibrichtung
der Elektrodenplatte (A) zu der Richtung, in der sich die
streifenförmigen Abstandshalter der Elektrodenplatte (B)
erstreckten, parallel verlief, wodurch eine Zelle mit einem
Zwischenraum von 2 µm gebildet wurde. DOBAMBC wurde er
hitzt, um die isotrope Phase anzunehmen, und in der Zelle
eingeschlossen. Die Zelle wurde allmählich abgekühlt, um
eine Flüssigkristallzelle herzustellen.
Die Flüssigkristallzelle wurde durch ein Polarisationsmik
roskop beobachtet, wobei festgestellt wurde, daß sich eine
nicht schraubenförmige Monodomäne, die frei von Orientie
rungsfehlern war, gebildet hatte.
Eine Flüssigkristallzelle wurde in derselben Weise wie in
Beispiel 2 hergestellt, außer daß die Elektrodenplatte (A)
nicht gerieben wurde und nur die Elektrodenplatte (B) ge
rieben wurde. Wie in Beispiel 2 wurde festgestellt, daß die
Flüssigkristallzelle eine gleichmäßige Monodomäne aufwies.
Eine Flüssigkristallzelle wurde in derselben Weise wie in
Beispiel 1 hergestellt, außer daß die zu dem Paar gehören
den Elektrodenplatten so aneinander befestigt wurden, daß
die Richtung, in der sich die Abstandshalter erstreckten
und die Reibrichtung senkrecht zueinander verliefen.
Die Flüssigkristallzelle wurde durch ein Polarisationsmi
kroskop beobachtet, wobei in der Nähe der Kanten bzw.
Ränder der Abstandshalter einige Orientierungsfehler beob
achtet wurden.
Andererseits wurde eine andere SmC*-Flüssigkristallzelle
hergestellt, indem in die Zelle, die in diesem Beispiel
erhalten wurde, anstelle von DOBAMBC der vorstehend erwähn
te Flüssigkristall Nr. 1 , der bei einer Temperatur, die
höher ist als die Temperatur, die die SmC*-Phase ergibt,
eine cholesterische Phase zeigt, eingespritzt und ansonsten
die in Beispiel 1 erläuterte Arbeitsweise befolgt wurde.
Wie in Beispiel 1 wurde diese SmC*-Flüssigkristallzelle
durch ein Polarisationsmikroskop beobachtet, wobei festge
stellt wurde, daß sich eine nicht schraubenförmige Monodo
mäne, die frei von Orientierungsfehlern war, gebildet hat
te.
Eine Elektrodenplatte (A) wurde in derselben Weise wie in
Beispiel 2 hergestellt, außer daß anstelle des geriebenen
Zirkoniumoxidfilms durch schräges Aufdampfen ein SiO-Film
mit Orientierungseffekt gebildet wurde. Das schräge Auf
dampfen wurde unter den folgenden Bedingungen durchgeführt:
1,3 mPa; 5 min; Einfallwinkel bezüglich der Grundplatte: 20
bis 30°), wodurch ein SiO-Film mit einer Dicke von 100,0 nm
gebildet wurde. Zu dieser Zeit wurde die Aufdampfrichtung
des SiO mit der Richtung, in der sich die streifenförmigen
Elektroden erstreckten, übereinstimmen gelassen.
Die auf diese Weise erhaltene Elektrodenplatte (A) und die
in Beispiel 2 hergestellte Elektrodenplatte (B) wurden so
aneinander befestigt, daß die Richtung, in der sich die
streifenförmigen Abstandshalter erstreckten, und die Auf
dampfrichtung des SiO miteinander übereinstimmen gelassen
wurden, wodurch eine Zelle gebildet wurde. In die Zelle
wurde DOBAMBC in der isotropen Phase eingefüllt und allmäh
lich abgekühlt, um die SmC*-Phase anzunehmen. Die auf diese
Weise gebildete Flüssigkristallzelle wurde in derselben
Weise wie in Beispiel 1 beobachtet, wobei festgestellt
wurde, daß die Flüssigkristallzelle eine genauso gleichmä
ßige Monodomäne aufwies.
Eine Elektrodenplatte (A) wurde in derselben Weise wie in
Beispiel 2 hergestellt, außer daß als isolierender Film
anstelle des Zirkoniumoxidfilms folgendermaßen ein Ceroxid
film gebildet wurde. In die Elektronenstrahl-Aufdampfvor
richtung wurden eine Grundplatte und festes Ceroxid hinein
gebracht, und der Druck wurde auf weniger als 0,13 mPa
vermindert. Dann wurde das feste Ceroxid geschmolzen und
durch Bestrahlung mit einem Elektronenstrahl, der unter den
Bedingungen einer Beschleunigungsspannung von 10 kV und
eines Heizstroms von 100 mA erzeugt wurde, verdampft, wo
durch in etwa 10 min ein etwa 100,0 nm dicker Ceroxidfilm
gebildet wurde.
Danach wurde das Verfahren von Beispiel 2 befolgt, wobei
eine Flüssigkristallvorrichtung gebildet wurde, die im
wesentlichen dieselben Betriebseigenschaften wie diejenige
von Beispiel 2 gezeigte.
Das Verfahren von Beispiel 2 wurde wiederholt, außer daß
DOBAMBC jeweils durch die vorstehend beschriebenen Flüssig
kristalle Nr. 1 (Beispiel 7), Nr. 2 (Beispiel 8), Nr. 3
(Beispiel 9) und Nr. 4 (Beispiel 10) ersetzt wurde, um
Flüssigkristallvorrichtungen herzustellen, und bei jeder
Flüssigkristallvorrichtung wurde festgestellt, daß sie
eine Flüssigkristallphase mit einer nicht schraubenförmigen
Monodomäne aufwies.
Auf einer Grundplatte eines Paares von Grundplatten, die
jeweils Streifenmusterelektroden aus ITO aufwiesen, wurde
ein Polyimidfilm mit einer Dicke von etwa 100,0 nm gebildet
und in einer Richtung gerieben. Auf der anderen Grundplatte
wurde ein 2 µm dicker Polyimidfilm gebildet, der dann einer
Photoätzung unterzogen wurde, wobei wie in Beispiel 1
streifenförmige Abstandshalter mit einer Breite von 20 µm
in einem Abstand von 200 µm stehengelassen wurden. Auf den
streifenförmigen Abstandshaltern wurde ferner in derselben
Weise wie vorstehend beschrieben ein 100,0 nm dicker Poly
imidfilm gebildet. Der Polyimidfilm wurde dann in einer
Richtung, die zu der Richtung, in der sich die streifen
förmigen Abstandshalter erstreckten, parallel verlief,
gerieben.
Die auf diese Weise hergestellten Elektrodenplatten, die
ein Paar bildeten, wurden so aneinander befestigt, daß ihre
Reibrichtungen parallel zueinander verliefen, wodurch eine
Zelle mit einem Zwischenraum von 2 µm gebildet wurde.
Die Zelle wurde mit DOBAMBC in der isotropen Phase gefüllt
und allmählich abgekühlt, um eine SmC*-Phasen-Flüssigkri
stallzelle herzustellen. Es wurde festgestellt, daß die
Flüssigkristallzelle eine ähnlich gleichmäßige Monodomäne
wie in Beispiel 1 aufwies.
Diese Flüssigkristallzelle behielt ihre stabile Monodomäne,
die frei von Orientierungsfehlern war, auch nach einer
Schnellhaltbarkeitsprüfung, bei der die Zelle 500 h lang
bei einer Temperatur von 80°C und einer relativen Feuchtig
keit von 90% aufbewahrt wurde, bei, und es wurde festge
stellt, daß die Zelle eine Monodomäne aufwies, die im
Vergleich zu denjenigen der vorhergehenden Beispiele beson
ders stabil war.
Eine Flüssigkristallvorrichtung wurde in derselben Weise
wie in Beispiel 11 hergestellt, außer daß anstelle von
DOBAMBC der vorstehend erwähnte Flüssigkristall Nr. 1 ver
wendet wurde. Die auf diese Weise erhaltene Flüssigkri
stallvorrichtung zeigte noch bessere Betriebseigenschaften
als diejenige von Beispiel 11.
Zwei Arten von elektrischen Signalen, die voneinander ver
schiedene Polaritäten hatten, wurden jeweils an die Abtast-
und Signalelektroden, d. h. an die Elektroden auf den ein
zelnen Grundplatten der in den vorstehenden Beispielen 1
bis 12 erhaltenen optischen Modulationsvorrichtungen bzw.
Flüssigkristallvorrichtungen, angelegt, wobei mit den ein
zelnen Vorrichtungen eine gute dynamische Anzeige, die auf
Bistabilität basierte, erhalten wurde.
Eine Flüssigkristallzelle mit nicht schraubenförmiger SmC*-
Phase wurde in derselben Weise wie in Beispiel 1 herge
stellt, außer daß die ein Paar bildenden Elektrodenplatten
so aneinander befestigt wurden, daß die Richtung, in der
sich die streifenförmigen Abstandshalter erstreckten, und
die Reibrichtung einen Winkel R von 25° bildeten.
Die auf diese Weise hergestellte SmC*-Phasen-Flüssigkri
stallzelle wurde in derselben Weise wie in Beispiel 1
beobachtet. Als Ergebnis wurden in der Nähe der Ränder bzw.
Kanten der streifenförmigen Abstandshalter zahlreiche
schwarze Streifen, die auf Orientierungsfehler zurückzufüh
ren waren, beobachtet, und die schwarzen Streifen bedeckten
Elektroden, so daß der schwarze Streifen bildende Bereich
des Flüssigkristalls keine Bistabilität zeigte, wenn zwi
schen dem Paar von Elektroden bzw. Elektrodengruppen die
zwei Arten von elektrischen Signalen angelegt wurden.
Eine Elektrodenplatte, die mit der in Beispiel 11 verwende
ten Elektrodenplatte, die durch einen geriebenen Polyimid
film bedeckte Streifenmusterelektroden aufwies, identisch
war, wurde bereitgestellt.
Andererseits wurde eine Elektrodenplatte, die mit der ande
ren in Beispiel 11 verwendeten Elektrodenplatte, die durch
einen Polyimidfilm bedeckte, streifenförmige Abstandshalter
aufwies, identisch war, bereitgestellt, und der Polyimid
film wurde in einer Richtung, die mit der Richtung, in der
sich die Abstandshalter erstreckten, einen Winkel von 25°
bildete, gerieben.
Die zwei auf diese Weise hergestellten Elektrodenplatten
wurden unter Bildung einer Zelle so aneinander befestigt,
daß ihre Reibrichtungen parallel zueinander verliefen.
Danach wurde das Verfahren von Beispiel 11 befolgt, um eine
Flüssigkristallzelle mit nicht schraubenförmiger SmC*-Phase
herzustellen. Der Flüssigkristall wurde in derselben Weise
wie in Beispiel 11 beobachtet, wobei ähnlich wie in Ver
gleichsbeispiel 1 Orientierungsfehler, die für eine Anzei
gevorrichtung schwerwiegend sind, beobachtet wurden. Ferner
wurde bei den Orientierungsfehlern keine Bistabilität beob
achtet, als zwischen dem Paar von Elektroden bzw. Elektro
dengruppen elektrische Signale angelegt wurden.
Wie es vorstehend beschrieben wurde, werden erfindungsgemäß
auf einer Elektrodenplatte eines Paares von Elektrodenplat
ten streifenförmige Strukturelemente, die eine Seitenwand
aufweisen (und vorzugsweise auch als Abstandshalter wir
ken), ausgebildet; die andere Elektrodenplatte wird einer
einachsigen Orientierungsbehandlung (z. B. durch Reiben)
unterzogen, und die Richtung der Orientierungsbehandlung
wird so eingestellt, da sie zu den vorstehend erwähnten
Strukturelementen im wesentlichen parallel oder senkrecht
verläuft, wodurch selbst in Speicherzuständen, bei denen
eine Neigung zur Erzeugung von Orientierungsfehlern be
steht, Orientierungsfehler an Rändern bzw. Kanten von Ab
standshaltern vermieden werden können.
Claims (26)
1. Optische Modulationsvorrichtung mit einem Paar Grund
platten, bestehend aus einer ersten Grundplatte und einer
zweiten Grundplatte, die parallel zueinander angeordnet
sind, wobei ein ferroelektrischer Flüssigkristall schicht
weise zwischen dem Paar Grundplatten angeordnet ist, und
einer Vielzahl von Strukturelementen, die jeweils Seiten
wände aufweisen und in Form von Streifen auf der den Flüssig
kristall berührenden Oberfläche der ersten Grundplatte
angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, daß die den Flüssig
kristall berührende Oberfläche von mindestens einer des
Paares von Grundplatten einer einachsigen Orientierungs
behandlung in einer Richtung, die zu der Richtung, in
der sich die Vielzahl von Strukturelementen auf der ersten
Grundplatte erstrecken, im wesentlichen parallel oder
senkrecht verläuft, unterzogen wird.
2. Optische Modulationsvorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß die Vielzahl von Struktur
elementen, die Seitenwände aufweisen, auch als Abstandshal
ter wirken und eine Dicke haben, die dafür geeignet ist,
dem ferroelektrischen Flüssigkristall Bistabilität zu
verleihen.
3. Optische Modulationsvorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß die Richtung, in der sich
die Vielzahl von Strukturelementen, die Seitenwände aufwei
sen, erstrecken, und die Richtung der einachsigen Orien
tierungsbehandlung einen Winkel R bilden, der die Beziehung
0°≦R<15° oder 80°<R<100° erfüllt.
4. Optische Modulationsvorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß die den Flüssigkristall berüh
rende Oberfläche der zweiten Grundplatte der einachsigen
Orientierungsbehandlung unterzogen wird.
5. Optische Modulationsvorrichtung nach Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet, daß auch die den Flüssigkristall
berührende Oberfläche der ersten Grundplatte einer ein
achsigen Orientierungsbehandlung in einer Richtung, die
zu der Richtung, in der sich die Strukturelemente, die
Seitenwände aufweisen, erstrecken, im wesentlichen parallel
oder senkrecht verläuft, unterzogen wird.
6. Optische Modulationsvorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß die einachsige Orientierungs
behandlung eine Reibungsbehandlung ist.
7. Optische Modulationsvorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß die Vielzahl von Strukturelemen
ten, die Seitenwände aufweisen, aus mindestens einem Harz
gebildet sind, das aus Polyvinylalkohol, Polyimid, Poly
amidimid, Polyesterimid, Poly-p-xylylen, Polyester, Poly
carbonat, Polyvinylacetal, Polyvinylchlorid, Polyvinylacetat,
Polyamid, Polystyrol, Celluloseharz, Melaminharz, Harnstoff
harz, Acrylharz, lichtempfindlichem Polyimid, lichtempfind
lichem Polyamid, Photoresistharz in Form von cyclisiertem
Kautschuk, Photoresistharz in Form von Phenolnovolak und
Elektronenstrahl-Resistharz ausgewählt ist.
8. Optische Modulationsvorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß die Vielzahl von Struktur
elementen, die Seitenwände aufweisen, eine Dicke von 0,2
bis 200 µm haben.
9. Optische Modulationsvorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß die Vielzahl von Strukturele
menten, die Seitenwände aufweisen, eine Dicke von 0,5 bis
10 µm haben.
10. Optische Modulationsvorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß die Vielzahl von Struktur
elementen, die Seitenwände aufweisen, eine Breite von
0,5 bis 50 µm haben.
11. Optische Modulationsvorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß die Vielzahl von Struktur
elementen, die Seitenwände aufweisen, eine Breite von
1 bis 20 µm haben.
12. Optische Modulationsvorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß die Vielzahl von Strukturele
menten, die Seitenwände aufweisen, in einem Abstand von
10 µm bis 2 mm angeordnet sind.
13. Optische Modulationsvorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß die Vielzahl von Struktur
elementen, die Seitenwände aufweisen, in einem Abstand
von 50 bis 700 µm angeordnet sind.
14. Optische Modulationsvorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß der ferroelektrische Flüssig
kristall ein Flüssigkristall mit einer chiralen smekti
schen Phase ist.
15. Optische Modulationsvorrichtung nach Anspruch 14,
dadurch gekennzeichnet, daß sich der Flüssigkristall mit
einer chiralen smektischen Phase in der C-Phase, H-Phase,
I-Phase, J-Phase, K-Phase, G-Phase oder F-Phase befindet.
16. Optische Modulationsvorrichtung nach Anspruch 14
oder 15, dadurch gekennzeichnet, daß sich der Flüssigkristall
mit einer chiralen smektischen Phase in einer Flüssig
kristallphase befindet, die eine nicht schraubenförmige
Struktur annimmt.
17. Optische Modulationsvorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß der ferroelektrische Flüssig
kristall ein Flüssigkristall ist, der bei einer Temperatur,
die höher liegt als der Temperaturbereich, in dem Ferro
elektrizität gezeigt wird, eine cholesterische Phase zeigt.
18. Optische Modulationsvorrichtung nach Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche der zweiten
Grundplatte an der Seite, die den Flüssigkristall berührt,
mit einem isolierenden Film bedeckt ist und daß die den
Flüssigkristall berührende Oberfläche des isolierenden
Films einer Reibungsbehandlung in einer Richtung, die
zu der Richtung, in der sich die Vielzahl von Struktur
elementen erstrecken, im wesentlichen parallel oder senk
recht verläuft, unterzogen wird.
19. Optische Modulationsvorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der Vielzahl von
Strukturelementen ein erster isolierender Film vorgesehen
ist, der in einer Richtung, die zu der Richtung, in der
sich die Strukturelemente erstrecken, im wesentlichen
parallel verläuft, gerieben wird, und daß auf der Ober
fläche der zweiten Grundplatte an der Seite, die den Flüssig
kristall berührt, ein zweiter isolierender Film gebildet
ist, der in einer Richtung, die zu der Richtung, in der
sich die Vielzahl von Strukturelementen auf der ersten
Grundplatte erstrecken, im wesentlichen parallel verläuft,
gerieben wird.
20. Optische Modulationsvorrichtung nach Anspruch 18
oder 19, dadurch gekennzeichnet, daß der isolierende Film
aus mindestens einer Verbindung gebildet ist, die aus
Siliciummonoxid, Siliciumdioxid, Aluminiumoxid, Zirkonium
oxid, Magnesiumfluorid, Ceroxid, Cerfluorid, Silicium
nitrid, Siliciumcarbid und Bornitrid ausgewählt ist.
21. Optische Modulationsvorrichtung nach Anspruch 18
oder 19, dadurch gekennzeichnet, daß der isolierende Film
aus mindestens einem Harz gebildet ist, das aus Polyvinyl
alkohol, Polyimid, Polyamidimid, Polyesterimid, Poly-p-xyly
len, Polyester, Polycarbonat, Polyvinylacetal, Polyvinyl
chlorid, Polyvinylacetat, Polystyrol, Polyamid, Celluloseharz, Melamin
harz, Harnstoffharz und Acrylharz ausgewählt ist.
22. Optische Modulationsvorrichtung nach Anspruch 18
oder 19, dadurch gekennzeichnet, daß der isolierende Film
eine Dicke von 5,0 nm bis 5 µm hat.
23. Optische Modulationsvorrichtung nach Anspruch 18
oder 19, dadurch gekennzeichnet, daß der isolierende Film
eine Dicke von 50,0 bis 500,0 nm hat.
24. Optische Modulationsvorrichtung nach einem der
vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
der Abstand zwischen der ersten Grundplatte und der zweiten
Grundplatte 3 µm oder weniger beträgt und daß der ferro
elektrische Flüssigkristall eine nicht schraubenförmige
Struktur in einer Dicke von 3 µm oder darunter annimmt
und eine Monodomäne bildet, die während einer Temperatur
verminderungsstufe durch eine cholesterische Phase hindurch
gehend gebildet wird.
25. Optische Modulationsvorrichtung nach Anspruch 24,
dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand zwischen der ersten
und der zweiten Grundplatte 1 bis 3 µm beträgt.
26. Optische Modulationsvorrichtung nach Anspruch 24,
dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand zwischen der ersten
und der zweiten Grundplatte 2 µm oder weniger beträgt.
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