DE3545392A1 - Stromspiegelschaltung - Google Patents
StromspiegelschaltungInfo
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
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Description
Beschreibung
Die Erfindung betrifft eine Stromspiegelschaltung nach
dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1. 5
StromspiegeL sind als Mittel bekannt/ beispielsweise in
Vorspaηnungstransist orverstärk er stufen,einen bekannten
Strom zu liefern. Obwohl eine "Stromquelle" durch einen
einfachen Widerstand realisiert werden kann, haben die
Stromspiegel aus verschiedenen Gründen immer mehr an Bedeutung gewonnen. Zunächst einmal bieten sie bessere Ergebnisse
und eine genauere Stromsteuerung, als es mit Widerständen möglich ist. Außerdem erfordern sie auf dem Chip
einer integrierten Schaltung (IC) weniger Fläche. Die am meisten benutzte und einfachste Schaltung eines Stromspiegels
erfordert Transistoren mit hoher Stromverstärkung
(das heißt hohem Wert ß), zumindest aber Transistoren mit übereinstimmenden Werten von ß, damit der erwünschte
Zusammenhang zwischen Ausgangs- und Bezugs- oder Eingangsstrom erreicht wird. Bei der IC-Herstellung bereitet dies
Schwierigkeiten und führt zu hohen Kosten, da der Wert von
ß einer hohen Toleranz unterliegt und die Beschränkung des nutzbaren Bereichs von ß zu einer geringen IC-Ausbeute
führt.
Die Fig. 1 und 2 zeigen schematische Schaltbilder typischer bekannter Stromspiegelschaltungen. In allen Zeichnungen
werden zur Vereinfachung gleiche oder entsprechende Elemente
mit denselben Bezugszeichen bezeichnet.
Fig. 1 zeigt den Prototyp eines Stromspiegels mit PNP-Transistoren
Q1 und Q2, deren Basis-Emitter-Strecken parallel
an eine Sp-ei sespannungs Lei tung 11 mit der Speisespannung
Vcc angeschlossen sind. Transistor Q1 ist als Diode geschaltet,
und sein Kollektor ist mit einer Eingangsstromquelle
12 verbunden. Ein Ausgangsstrom lout wird vom Kollektor des
Transistors Q2 abgenommen.
Dieser Schaltungsaufbau hat den Nachteil, daß ein relativ
großer Fehler zwischen dem von der Eingangsstromquelle 12
gelieferten Eingangsstrom Iin und dem Ausgangsstrom lout
auftritt, der von den Basisströmen der Transistoren Q1 und Q2 herrührt. Dies geht insbesondere auf Unterschiede der
Basisströme Ib1 und Ib2 der Trans.i stören Q1 und Q2 und noch
TO mehr auf den sogenannten Early-Effekt zurück. Wenn man den
Einfluß des Unterschieds zwischen den Basisströmen Ib1 und Ib2 sowie den Early-Effekt berücksichtigt, dann ergibt sich
der Zusammenhang zwischen dem Ausgangsstrom lout und dem Eingangsstrom Iin gemäß nachfolgender Gleichung (1)
1
Iout = · Iin (1)
, . Vce1
C1+JL). _l_v. + JL
ß Λ , Vce2 ß
Va
20
in der Vce1 und Vce2 den Spannungsabfall über der Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors Q1 bzw. Q2 und Va die Early-Spannung bipolarer Transistoren bedeuten.
Fig. 2 zeigt eine verbesserte Stromspiegelschaltung bekannter Art. Diese Schaltung enthält zusätzlich zu den PNP-Stromspiegeltransistoren Q1 und Q2 eine Differenzstufe 15
aus emittergekoppelten NPN-Transistören Q3 und Q4. Der
Transistor Q3 ist mit seinem Kollektor an die Speisespannungs
leitung 11 und mit seiner Basis an den Kollektor des Tran
sistors Q1 angeschlossen. Der Transistor Q4 ist mit seinem
Kollektor an die Basen der Transistoren Q1 und Q2 angeschlossen, während seine Basis mit einer Bezugsspannungsquelle
13 der Bezugsspannung Vref verbunden ist. Die Emitter der
2/3
Strom mit Ics bezeichnet sei/.an Masse angeschLossen. Der
Strom Ics ist so eingesteLLt, daß er höher'als die Summe
der Basisströme Ib1 und Ib2 der Transistoren Q1 und Q2 ist,
so daß gilt Ics>Ib1+Ib2. Der Transistor Q3 dient aLs PegeL-schieber,
weshaLb das PotentiaL Vb3 an der Basis des Transistors
Q3 durch die Bezugsspannung Vref bestimmt wird. Die SchaLtung von Fig. 2 kann mit einer niedrigen Speisespannung
betrieben werden, soLange die Bezugsspannung Vref groß genug ist, aLLe Transistoren im Leitzustand zu haLten.
10
In der SchaLtung von Fig. 2 werden die Basen der Transistoren Q1 und 0.2 nahezu auf gLeichem PotentiaL gehaLten. Die KoLLektor-Emitter-Spannungen
Vce1 und Vce2 der Transistoren Q1 und Q2 gLeichen sich daher an, wenn die Bezugsspannung Vref
dem KoLLektorpotentiaL des Transistors Q2 entspricht. Auf
diese Weise kann der EinfLuß des Ear Ly-Effekts im Transistorpaar
Q1 und Q2 ausgeschaLtet werden. Auch im Transistorpaar
Q3 und Q4 kann der EinfLuß des EarLy-Effekts vernachLässigt
werden, da die EarLy-Spannung Va (NPN) von NPN-Transistören
groß genug ist, so daß die Quotienten Vce3/Va und Vce4/Va vernachLässigt werden können. Daher steLLt sich der Zusammenhang
zwischen dem Ausgangsstrom lout und dem Eingangsstrom
Iin für die SchaLtung von Fig. 2 wie foLgt dar
1 + | 1 | CS |
1 + | 1 | +ßn |
2 |
Iout = '—^—· Iin (2)
ßn»ßp
wobei ßn und ßp die Stromverstärkungsfaktoren der NPN- bzw.
PNP-Transistoren bezeichnen.
Aus GLeichung (2) geht hervor, daß der EinfLuß von ßp sehr gering ist. Andererseits geht in die GLeichung (2) der Strom
Ics der Stromquelle 14 als Fehlerquelle ein. Allerdings
kann der Term Ics/(1+ßn) auch vernachlässigt werden/ da
ßn>>ßp ist, vorausgesetzt, daß Ics auf einen vorgeschriebenen Wert eingestellt ist. Bei der Schaltung von Fig. 2
ist daher der Einfluß eines Fehlers zwischen den Basisströmen Ib1 und Ib2 der Transistoren Q1 und Q2 und derjenige des EarLy-Effekts nahezu ausgeschaltet.
Die Schaltung von Fig. 2 leidet aber an einem anderen Nachteil, daß nämlich der Strom Ics der Stromquelle 14 immer
einen relativ großen Wert haben muß, meistens mehr als momentan tatsächlich erforderlich. Der Strom Ics der Stromquelle 14 muß ja größer als die Summe der Basisströme Ib1
und Ib2 der Transistoren Q1 und Q2 sein, das heißt es muß
gelten Ics>Ib1+Ib2. Wenn der Eingangsstrotn Iin der Eingangsstromquelle 12 variabel ist, dann muß der Strom Ics auf
die Maximalwerte Ib1(max) und Ib2(max) der Basisströme Ib1 und Ib2 ausgelegt werden. Der notwendige Betrag des Stroms
Ics ergibt sich dann ^u Ics>2lin(max)/ßp, wobei Iin(max)
den Maximalwert des Eingangsstroms Iin darstellt. Wenn der
Eingangsstrom Iin tatsächlich kleiner ist, dann ist der Strom Ics für einen solchen Fall unnötig hoch.
Die Schaltung von Fig. 2 hat einen weiteren Nachteil, der darin besteht, daß der Einfluß des Terms Ics/(1+ßn) in
Gleichung (2) auf den Fehler zwischen Ausgangsstrom Iout
und Eingangsstrom Iin dann nicht mehr vernachlässigt werden kann, wenn Iin<
<Ics ist. Mit anderen Worten, die Schaltung von Fig. 2 ist immer noch unbefriedigend für
solche Fälle, wo der Eingangsstrom Iin variabel ist.
Aufgabe der Erfindung ist es, eine Stromspiegelschaltung zu
schaffen, die einen weiten Eingangsstrombereich verarbeiten
kann und einen geringen Fehler zwischen Eingangsstrom und
Ausgangsstrom: aufweist. Die Stromspiegelschaltung soll ins-
4/5
besondere für mit niedriger Spannung betriebene Ics geeignet
sein und geringen Leistungsbedarf aufweisen.
Ausgehend von einer StromspiegeLschaLtung gemäß Oberbegriff
des Patentanspruchs 1 wird diese Aufgabe erfindungsgemäß
durch die MerkmaLe im kennzeichnenden TeiL des Patentanspruchs"!
gelöst.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den
Unteransprüchen gekennzeichnet.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand der Zeichnungen näher
erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 schematisch eine bekannte Stromspiegelschaltung,
Fig. 2 schematisch eine andere bekannte StromspiegeLschaLtung,
die gegenüber derjenigen von Fig. 1 verbessert ist,
Fig. 3 schematisch ein AusführungsbeispieL der
Stromspiegelschaltung gemäß der Erfindung,
Fig. 4 schematisch eine praktische Schaltungsanordnung,
die die Stromspiegelschaltung
von Fig. 3 verkörpert und
Fig. 5 schematisch einen Leistungsverstärker
mit der erfindungsgemäßen Stromspiegelschattung.
Die Erfindung wird nun insbesondere unter bezug auf die Fig. 3 bis 5 beschrieben. In diesen Figuren sind für
gleiche oder entsprechende Teile wieder dieselben Bezugszeichen wie bei den Fig. 1 und 2 gewählt.
Fig. 3 zeigt ein Ausführungsbeispiel der Stromspiegelscha I-tung der Erfindung. Wie die bekannten StromspiegeLschal-
tungen enthält auch diese Schaltung Stromspiegeltransistoren Q1 und Q2 des PNP-Typs, die mit ihren Emittern an eine
mit der Speisespannung Vcc beaufschlagte Stromversorgungsleitung 11 angeschlossen sind und deren Basen zusammenge-
schlossen sind. Der Kollektor des Transistors Q1 ist mit
einer Eingangsstromquelle 12 verbunden, die einen Eingangsstrom Iin liefert. Der Ausgangsstrom Iout der Schaltung
wird vom Kollektor des Transistors Q2 abgenommen. Ein NPN-Transistor Q4 ist zur Kompensation des Stromverstärkungs-
faktors ß der Transistoren vorgesehen. Dieser Transistor
Q4 ist mit seinem Emitter an die Basen der Transistoren Q1
und Q2 und mit seinem Kollektor an die Bezugsspannungsquelle 13 der Bezugsspannung Vref angeschlossen. Ein anderer
NPN-Transistör Q3 dient als Pegelschieber und ist mit
seinem Kollektor an die Stromversorgungsleitung 11, mit
seinem Emitter an den Emitter des Transistors Q4 und mit seiner Basis an den Kollektor des Transistors Q1 angeschlossen. Die Stromquelle 14 zur Lieferung des Stroms Ics ist
zwischen Schaltungsmasse und die zusammengeschlossenen
Emitter der Transistoren Q3 und Q4 geschaltet. Die Stromquelle 14 ist mit der Eingangsstromquelle 12 gekoppelt, wie
durch einen Pfeil in Fig. 3 angedeutet, so daß sich der Strom Ics in Proportion 2um Eingangsstrom Iin ändert.
In der Schaltung von Fig. 3 sind die Transistoren Q1 bis
Q4 ähnlich wie die in der bekannten Schaltung von Fig. 2 geschaltet, und sie arbeiten auch in ähnlicher Weise wie
in der bekannten Schaltung. Das heißt, die Basen beider Transistoren Q1 und Q2 werden nahezu auf gleichem Potential
gehalten. Die Kollektor-Emitter-Spannungen Vce1 und Vce2
6/7/8
der Transistoren Q1 und Q2 sind einander angeglichen,
vorausgesetzt, die Bezugsspannung Vref entspricht dem
KoLLektorpotential des Transistors Q2. ALso kann der Einfluß
des Ear Iy-Effekts in den Transistorpaaren Q1, Q2 und Q3,
Q4 vernachlässigt werden.
Der Zusammenhang zwischen dem Ausgangsstrom Iout und dem
Eingangsstrom Iin in der Schaltung von Fig. 3 ist daher
wie der für die Schaltung von Fig. 2 durch Gleichung (2) wiedergegeben. Der Strom Ics in der Schaltung von Fig. 3
kann jedoch im Verhältnis zum Eingangsstrom Iin verändert
werden. Das heißt, der Strom Ics, der von der Stromquelle
14 geliefert wird, wird automatisch vom Betrag des Eingangsstroms Iin gesteuert. Der Strom Ics wird also klein,
wenn der Eingangsstrom Iin abnimmt. Dadurch kann ein unnötiger
Strom Ics verhindert werden. Für die Schaltung von Fig. 3 kann der Einfluß des Terms Ics/(1+ßn) in Gleichung
(2) für alle Werte des Stroms Ics vernachlässigt werden,
da der Strom Ics immer ausreichend kleiner als der Eingangsstrom
Iin gehalten wird. Der Fehler zwischen dem Eingangsstrom Iin und dem Ausgangsstrom Iout kann deshalb auch
vernachlässigt werden, so daß man einen Ausgangsstrom Iout erhält, der exakt proportional dem Eingangsstrom Iin ist.
Fig. 4 zeigt einen praktischen Aufbau der erfindungsgemäßen
Stromspiegelschaltung. In der Schaltung von Fig. 4 sind die
EingangsstromqueI Ie 12 und die Stromquelle 14 durch NPN-Transistoren
Qin und Qcs gebildet. Die Basen dieser Transistoren Qin und Qcs sind miteinander verbunden, und die
Flächen der Basis-Emitter-Übergänge der beiden Transistoren
Qin und Qcs stehen im Verhältnis N:1. Der Rest der Schaltung
ist rn.it Fig. 3 identisch.
Bei der Schaltung von Fig. 4 wird der Zusammenhang zwischen dem Eingangsstrom Iin der Eingangsstromquelle 12 und dem
Strom Ics der Stromquelle 14 immer konstant gehalten, das
heißt Iin:Ics=N:1. Man erhält also Ics=Iin/N. Ersetzt man in Gleichung (2) Ics durch Iin/N erhält man nachstehende
Gleichung (3)
1 + | N | 1 |
1 + | (1+ßn) | |
2 |
Iout = ' Iin (3)
ßn«ßp
Wie aus Gleichung (3) klar hervorgeht, ist der Ausgangsstrom Iout proportional zum Eingangsstrom Iin, und der
Proportionalitätsfaktor wird weder vom Eingangsstrom Iin
noch vom Strom Ics beeinflußt. Daher können ein unnötig hoher Strom Ics und ein Fehler zwischen dem Ausgangsstrom
Iout und dem Eingangsstrom Iin vermieden werden. Der Strom Ics der Stromquelle 14,das heißt der Kollektorstrom
des Transistors Qcs muß größer als die Summe der Basis
ströme Ib1 und Ib2 der Transistoren Q1 und Q2 sein, das
heißt es gilt wie zuvor, Ics>Ib1+Ib2. Diese Bedingung schränkt den Wert des Verhältnisses der Flächen der Basis-Emitter-Übergänge der Transistoren Qin und Qcs ein, das
heißt N<ßp/2. Tatsächlich ist der Wert von ßp in gewissem
Ausmaß einer Streuung unterworfen. Nimmt man den minimalen
Wert mit ßp(min) an, dann besteht die Forderung, daß N<ßp(min)/2 gelten muß.
Fig. 5 zeigt schematisch das Schaltbild eines mit einem Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Stromspiegelschaltung versehenen Leistungsverstärkers für die Ansteuerung eines Lautsprechers 19. Wie aus Fig. 5 zu erkennen,
ist eine Signalquelle 16 über einen Kondensator C1 mit einer Differenzsstufe 17 verbunden. Die Differenzstufe 17
setzt sich aus NPN-Transistören Q5 und Q6 zusammen, deren
9/10
Emitter zusammengeschlossen und gemeinsam über einen Widerstand R3 an SchaLtungsmasse GND gelegt sind.
Die Kollektoren der Transistoren Q5 und Q6 sind über eine
aktive Last 16 mit einer StromversorgungsLeitung 11 verbunden. Die aktive Last 16 umfaßt PNP-Transistören Q7 und Q8
sowie Widerstände R1 und R2. Die PNP-Transistören Q7 und
Q8 sind parallel zwischen die StromversorgungsLeitung 11
und die NPN-Transistören Q5 und Q6 der Differenzstufe 17
geschattet, und mit ihren Kollektoren über eine Reihenschaltung von Widerständen R1 und R2 zusammengeschlossen.
Außerdem sind die Basen der Transistoren Q7 und Q8 nicht
nur untereinander verbunden, sondern auch mit dem Verbindungspunkt zwischen den Widerständen R1 und R2 verbunden.
Der Kollektor des Transistors Q6, der den ausgangsseitigen
Transistor der Differenzstufe 17 darstellt, ist mit der Basis eines PNP-Transistors Q9 verbunden, während der Kollektor des Transistors Q5, der den eingangsseiti gen Tran-
sistor der Differenzstufe 17 darstellt, mit der Basis eines
PNP-Transistors Q13 verbunden ist. Die Transistoren Q9 und
Q13 sind als EingangsstromqueL len an Stromspiegelschaltungen
18 bz-w. 20 angeschlossen. Die Stromspiegelschaltung 18
enthält einen NPN-Transistör Q10, der als Diode geschaltet
ist und über den Transistor Q9 zwischen der Stromversorgungsleitung 11 und Masse GND liegt. Die Stromspiegelschaltung
18 enthält ferner einen NPN-Transistör Q11, der über einen
Transistor Q2 zwischen der Stromversorgungsleitung 11
und Masse GND liegt. Die Stromspiegelschaltung 20 enthält
einen NPN-Transistör Q14, der als Diode geschaltet ist und
über den Transistor Q13 zwischen der Stromversorgungsleitung 11 und Masse GND liegt, und ferner einen NPN-Transistör
Q16, der über einen Transistor Q1 zwischen der Stromversorgungsleitung 11 und Masse GND liegt.
Die Transistoren Q1 und Q2 bilden zusammen mit der Differenzstufe 15,umfassend die emittergekoppelten NPN-Transistoren Q3 und Q4 die erfindungsgemäße StromspiegeLschaLtung.
Der Transistor Q3 ist mit seinem Kollektor mit der Strom-
Versorgungsleitung 11 und mit seiner Basis mit dem Kollek
tor des Transistors Q1 verbunden. Der Transistor Q4 ist
mit seinem Kollektor mit den Basen der Transistoren Q1 und Q2 verbunden und mit seiner Basis an eine Bezugsspannungsquelle 13 angeschlossen. Die Emitter der Transistoren
Q3 und Q4 sind über einen NPN-Transistor Qcs, der die Stromquelle 14 für die Differenzstufe 15 darstellt, mit Masse
GND verbunden.
Die Bezugsspannungsquelle 13 wird von der Reihenschaltung
einer KonstantstromqueI Ie 23, eines NPN-Transistors Q22,
der als Diode geschaltet ist, und eines Widerstands R6 gebildet. Die Reihenschaltung liegt zwischen der Stromversorgungsleitung 11 und Masse GND. Der Kollektor des Transistors Q22 ist nicht nur mit der Basis des Transistors Q4
der Differenzstufe 15, sondern über einen Widerstand R7
auch mit der Basis des Transistors Q5 der Differenzstufe
17 verbunden.
Die Basis des Transistors Q6 der Differenzstufe 17 ist
nicht nur über einen Widerstand R4 mit dem Kollektor des
Transistors Q11 der Stromspiegelschaltung 18, sondern außerdem über die Reihenschaltung aus einem Widerstand R5 und
einem Kondensator C2 mit Masse GND verbunden. Die zusammengeschalteten Basen der Transistoren Q10 und Q11 der Stromspiegelschaltung 18 sind über einen NPN-Transistor Q12 mit
einem Ende der Erregerspule des Lautsprechers 19 verbunden. Die zusammengeschlossenen Basen der Transistoren Q14 und
Q16 der Stromspiegelschaltung 20 sind über einen NPN-Transistor Q15 mit dem anderen Ende der Erregerspule des Laut-Sprechers 19 verbunden. Die Transistoren Q12 und Q15 liegen
11/12
jeweiLs über den Lautsprecher 19 mit ihren Kollektor-Emitter-Strecken
zwischen der StromversorgungsLeitung 11
und Masse GND. Die ErregerspuLe des Lautsprechers 19 ist mit einer MitteLanzapfung an die StromversorgungsLeitung
11 angeschlossen.
Ein Eingangssignal von einer SignalqueLle 16 gelangt auf
die Differenzstufe 17. Die Komponente der einen Polarität
des Ausgangssignals der Differenzstufe 17 wird vom Kollektor
des Transistors (56 abgenommen und dem Lautsprecher über den Transistor Q9, die Stromspiegelschaltung 18 und
den Transistor Q12 zugeführt. Die Komponente der anderen
Polarität des Ausgangssignals der Differenzstufe 17 wird
vom Kollektor des Transistors Q5 abgenommen und dann über
den Transistor Q13, die Stromspiegelschaltung 20 und den
Transistor Q15 dem Lautsprecher 19 zugeführt. Der Kollektorstrom 116 des Transistors Q16 in der Stromspiegelschaltung
20 stellt den Eingangsstrom Iin für die StromspiegeL-schaltung
mit den Transistoren Qin und Q1 bis Q4 dar. Der
KoI Lektor st rom des Transistors Q2, das heißt der Ausgangsstrom
Iout der Stromspiegelschaltung wird nicht nur an
den Kollektor des Transistors Q11, sondern außerdem über
einen Rückkopp Lungszweig mit den Widerständen R4, R5 und dem Kondensator C2 der Differenzstufe 17 zugeführt. Die
Bezugsspannung Vref, die von der BezugsspannungsquelLe
abgegeben wird, Liegt an der Basis des Transistors Q4 der Differenzstufe 15 der Stromspiegelschaltung an.
- Leerseite -
Claims (5)
1. Stromspiegelschaltung umfassend eine Speisespannungsquelle (11),
eine Bezugsspannungsquelle (13),
einen ersten und einen zweiten Transistor (Q1, Q2) ί
eines ersten Leitungstyps, deren Basen miteinander verbunden sind und deren Emitter an die SpeisespannungsqueI Le (11) angeschlossen
sind,
eine Eingangsstrom liefere inrichtung (12),-di.e mit der
KoLlektor-Emitter-Strecke des ersten Transistors (Q1) in
Reihe geschaltet ist,
eine Ausgangsstromentnahmeeinrichtung, die mit der Kollektor-Emitter-Strecke
des zweiten Transistors (Q2) in Reihe geschaltet ist,
einen dritten Transistor (Q3) eines zweiten, dem ersten
Leitungstyp komplementären Leitungstyps, dessen Kollektor
an die Speisespannungsquelle (11) und dessen Basis an den
Kollektor des ersten Transistors (QD angeschlossen ist,
einen vierten Transistor (Q4) des zweiten Leitungstyps,
dessen Kollektor mit den Basen des ersten und des zweiten Transistors (Q1, Q2) verbunden ist, dessen Basis mit der
Bezugsspannungsquel Le (13) verbunden ist und dessen Emitter
mit dem Emitter des dritten Transistors (Q3) verbunden ist,
ORIGINAL INSPECTED
und
eine Stromquelle (14)/ die zwischen die Emitter des
dritten und des vierten Transistors (Q3, Q4) und Schaltungsmasse (GND) geschaltet ist,
dadurch gekennzeich net,
daß die Stromquelle (14) mit der Eingangsstrom Iiefereinrichtung (12) verbunden ist derart, daß sie von der Eingangsstromliefereinrichtung (12) gesteuert wird.
2. Stromspiegelschaltung nach Anspruch 1, dadurch g ekennzeichnet, daß die Stromquelle (14) von der
EingangsstromMefereinrichtung (12) so gesteuert wird,
daß sich der Strom der Stromquelle (14) proportional zum Strom der Eingangsstrom I iefer einrichtung (12) ändert.
15
3. Stromspiegelschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Eingangsstromliefereinrichtung (12) einen fünften Transistor (Qin) und die Stromquelle (14) einen sechsten Transistor (Qcs) umfassen, die
beide vom ersten Leitungstyp sind und mit ihren Basen zusammengeschaltet sind.
4. Stromspiegelschaltung nach Anspruch 3, dadurch g e -kennzeichnet, daß die Fläche des Basis-Emitter-
Übergangs des fünften Transistors (Qin) größer als diejenige des sechsten Transistors (Qcs) ist.
5. Stromspiegelschaltung nach Anspruch 4, dadurch g e -kennzeichnet, daß das Verhältnis (N) zwischen
den Basis-Emitter-übergangsflachen von fünftem und sechstem
Transistor (Qin, Qcs) kleiner ist als der halbe Verstärkungsfaktor (ßp) der Transistoren des ersten Leitungstyps.
35
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