DE3303593A1 - Electronic circuit component - Google Patents
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Abstract
Description
Elektronisches SchaltungsbauteilElectronic circuit component
Die Erfindung betrifft ein elektronisches Schaltungsbauteil mit einem keramischen Kondensatorteil mit hoher Dielektrizitätskonstante, welches mehrere Kondensatoren aufweist und an seinem Umfang mit einem Anschluß versehen ist, einem Substrat aus einem Material mit niedriger Dielektrizitätskonstante, an dem ein Halbleiterelement befestigt ist und das an seinem Umfang Elektroden aufweist, und mit einer Leiterplatte für die Verdrahtung und zum Anschluß des Kondensatorteils mit hoher Dielektrizitätskonstante und des Substrats aus einem Material mit niedriger Dielektritzitätskonstante an andere. elektronische Teile.The invention relates to an electronic circuit component with a ceramic capacitor part with high dielectric constant, which several Has capacitors and is provided on its periphery with a terminal, a Substrate made of a material with a low dielectric constant, on which a semiconductor element is attached and which has electrodes on its periphery, and with a circuit board for wiring and connecting the capacitor part with high dielectric constant and the substrate made of a low dielectric constant material other. electronic parts.
Die Erfindung betrifft insbesondere ein elektronisches Schaltungsbauteil, bei dem ein Kondensator aus Keramikmaterial mit hoher Dielektrizitätskonstante in eine integrierte Dickfilm-Schaltung einbezogen ist, wobei zugleich ein höherer Grad von Integration und eine höhere Dichte bei der Unterbringung der elektronischen Schaltungsbauteile in elektronischen Geräten u.dgl.The invention relates in particular to an electronic circuit component, in which a capacitor made of ceramic material with a high dielectric constant in a thick film integrated circuit is included, wherein simultaneously a higher degree of integration and a higher density in housing the electronic circuit components in electronic devices and the like.
angestrebt wird.is strived for.
Nach dem Stand der Technik ist in einem integrierten Schaltungsbauteil in Dickfilm-Technik ein keramischer Schichtkondensator 1 vorgesehen, der dadurch erzeugt worden ist, daß ein dielektrisches Teil mit einer Elektrode beschichtet worden ist, um einen hohen Integrationsgrad zu erhalten. Dieser Schichtkondensator dient als Basismaterial der integrierten Dickfilm-Schaltung (im folgenden als HIC bezeichnet - high integrated circuit - ), wie in den Fig. 1 bis 3 dargestellt ist. Das bekannte Scha#ltungsbauteil, das oben erläutert wurde, enthAlt ferner ein Dünnfilm-IC-Chip 5, das auf einer durch Aufdrucken auf dem keramischen Schichtkondensator 1 gebildeten Elektrode durch Kleben oder eine andere Verbindungstechnik befestigt ist. Der als Basismaterial verwendete keramische Schichtkondensator 1 weist um seinen Umfang verteilt Elektroden 2 für die HtC-Verdrahtung, Anschluß drähte 4 zur Verbindung des Dünnfilm-IC-Chips 5 mit den Elektroden 2 und eine innere Elektrode 6 auf, die im Innern des keramischen Schichtkondensators 1 angeordnet und mit einem Anschluß 11 verbunden ist, welcher gleichzeitig dazu dient, das Dünnfilm-IC-Chip 5 mit den entsprechenden Elektroden 8 einer Leiterplatte 9 (Fig. 3) zu verbinden. An der Unterseite des keramischen Schichtkondensators 1 befindet sich ein Widerstand 7. Die Unterseite des Kondensators 1 ist mit einer Schicht 21 (bzw. einer Beschichtung) aus einem Material mit niedriger Die lektrizitätskons tante beschichtet, um die parasitäre Kapazität zu verringern, die zwischen den Elektroden 2 und der inneren Elektrode 6 entsteht, sowie ferner zwischen den Elektroden 2 untereinander. Diese parasitäre Kapazität wird durch die hohe Dielektrizitätskonstante des dielektrischen Materials für den keramischen Schichtkondensator 1 hervorgerufen. Eine Bedeckung 3 aus Harzmaterial o.dgl.According to the prior art is in an integrated circuit component in thick film technology a ceramic layer capacitor 1 is provided, which thereby has been produced that a dielectric member is coated with an electrode in order to obtain a high degree of integration. This film capacitor serves as the base material of the integrated thick film circuit (hereinafter referred to as HIC referred to - high integrated circuit -), as shown in FIGS. 1 to 3. The known circuit component, which has been explained above, also contains a thin-film IC chip 5, which is formed on a laminated ceramic capacitor 1 by printing Electrode is attached by gluing or another connection technology. The as Base material used ceramic layer capacitor 1 has around its circumference distributed electrodes 2 for the HtC wiring, connecting wires 4 for connection of the thin film IC chip 5 with the electrodes 2 and an inner electrode 6, the arranged in the interior of the ceramic layer capacitor 1 and with a connection 11 is connected, which also serves to the thin film IC chip 5 with the to connect corresponding electrodes 8 of a circuit board 9 (Fig. 3). On the bottom of the ceramic layer capacitor 1 is a resistor 7. The bottom of the capacitor 1 is with a layer 21 (or a coating) Made of a material with a low dielectric constant, coated in order to achieve the to reduce parasitic capacitance between the electrodes 2 and the inner Electrode 6 is created, and also between electrodes 2 with one another. These Parasitic capacitance is caused by the high dielectric constant of the dielectric Material for the ceramic layer capacitor 1 caused. A covering 3 made of resin material or the like.
ist zum Schutz über das Dünnfilm-IC-Chip gelegt und die Elektroden 2 und der Anschluß 11 sind an die Elektroden 8 der Leiterplatte 9 bei 10 angelötet.is placed over the thin film IC chip and the electrodes for protection 2 and the connection 11 are soldered to the electrodes 8 of the circuit board 9 at 10.
Bei dem bekannten Aufbau wird, obwohl die parasitäre Kapazität durch die Lage oder Schicht 21 aus Glasmaterial o.dgl. zu einem gewissen Grad verringert worden ist, dennoch eine hohe parasitäre Kapazität in Bezug auf die Seitenflächen des keramischen Schichtkondensators 1 erzeugt, weil sich an diesen kein Schichtüberzug befindet. Hierdurch wird die elektronische Schaltung, insbesondere die elektronische Schaltung für das Dünnfilm-IC-Chip 5, nachteilig beeinflußt. Im einzelnen ist der geschilderte Nachteil darauf zurückzuführen, daß selbst die Elektroden 2, die nicht mit der Kondensatorelektrode 6 im keramischen Schichtkondensator 1 verbunden sind, an den Seitenflächen des Kondensators 1 gebildet sind, damit sie an die Elektroden 8 der Leiterplatte 9 angeschlossen werden können. Zur Beseitigung der genannten Schwierigkeiten können auch an den Seitenflächen des keramischen Schichtkondensators 1 Beschichtungen aus Glasmaterial o.dgl. angebracht werden, jedoch bereitet dies Schwierigkeiten bei der Bildung der Beschichtung verbunden mit Schwierigkeiten bei der Herstellung.In the known structure, although the parasitic capacitance is through the layer or layer 21 made of glass material or the like. decreased to some extent nevertheless has a high parasitic capacitance with respect to the side surfaces of the ceramic layer capacitor 1 is generated because there is no layer coating on them is located. As a result, the electronic circuit, in particular the electronic Circuit for the thin film IC chip 5, adversely affected. In detail is the described disadvantage due to the fact that even the electrodes 2, not are connected to the capacitor electrode 6 in the ceramic layer capacitor 1, are formed on the side surfaces of the capacitor 1 so as to adhere to the electrodes 8 of the circuit board 9 can be connected. To eliminate the above Difficulties can also arise on the side surfaces of the ceramic layer capacitor 1 coatings made of glass material or the like. be attached, however, this prepares trouble in the formation of the coating associated with difficulties in manufacture.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde,ein elektronisches Schaltungsbauteil der eingangs genannten Art zu schaffen, bei dem die parasitäre Kapazität mit einer einfachen Konstruktion stark verringert werden kann, wobei gleichzeitig die durch Drucken, Sintern o. dgl. verursachten Herstellungskosten verringert werden. Außerdem sollen die Nachteile vermieden werden, die sich durch die geringe mechanische Festigkeit eines als Basisteil verwendeten Kondensators aus Keramikmaterial mit hoher Dielektrizitötskonstante ergeben.The invention is based on the object of an electronic circuit component to create the type mentioned, in which the parasitic capacitance with a simple construction can be greatly reduced, while at the same time the through Printing, sintering or the like. Manufacturing costs caused can be reduced. aside from that the disadvantages caused by the low mechanical strength should be avoided a capacitor made of ceramic material with a high dielectric constant used as a base part result.
Zur Lösung dieser Aufgabe ist erfindungsgemäß vorgesehen, daß das Kondensatorteil mit hoher Dielektrizitätskonstante in einer obersten Lage angeordnet ist, daß das Substrat aus einem Material mit niedriger Dielektrizitätskonstante in einer mittleren Lage angeordnet ist und daß die Leiterplatte die unterste Schicht bildet, wobei die jeweiligen Elektroden und Anschlüsse untereinander so verbunden sind, daß das elektronische Schaltungsbauteil gebildet wird.To solve this problem, the invention provides that the Capacitor part with a high dielectric constant arranged in a top layer is that the substrate is made of a low dielectric constant material is arranged in a middle layer and that the circuit board is the lowest layer forms, wherein the respective electrodes and connections are connected to one another are that the electronic circuit component is formed.
Die Erfindung schafft ein elektronisches Schaltungsbauteil, das in seinen Abmessungen kompakt und in seiner Funktion stabil ist und das eine hohe Zuverlässigkeit aufweist. Das Schaltungsbauteil kann zur Erzielung von Schaltungen mit hoher Packungsdichte leicht in verschiedene elektrische und elektronische Geräte oder Baugruppen von Geräten eingesetzt werden.The invention provides an electronic circuit component which is shown in its dimensions are compact and functionally stable, and it is highly reliable having. The circuit component can be used to achieve circuits with a high packing density easy into various electrical and electronic devices or assemblies of devices can be used.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist ein elektronisches Schaltungsbauteil vorgesehen, das ein Kondensatorteil aus Keramikmaterial mit hoher Dielektrizitätskonstante aufweist und aus mehreren Einzelkapazitäten bzw. Einzelkondensatoren besteht.According to a preferred embodiment of the invention is an electronic Circuit component provided which has a capacitor part made of ceramic material with high Has dielectric constant and consists of several individual capacitances or individual capacitors consists.
Dieses Kondensatorteil ist mit einem an seinem Umfang angeordneten Anschluß versehen. Ein Substrat aus einem Material mit niedriger Dielektrizitätskonstante ist mit einem Halbleiterelement verbunden und weist an seinem Umfang Elektroden auf. Das Kondensatorteil aus einem Material mit hoher Dielektrizitätskonstante und das Substrat aus einem Material mit niedriger Dielektrizitätskonstante sind elektrisch und mechanisch mit einer Leiterplatte verbunden, um die Verbindungen zu anderen Schaltungselementen herzustellen.This capacitor part is arranged with a on its circumference Provide connection. A substrate made from a low dielectric constant material is connected to a semiconductor element and has electrodes on its periphery on. The capacitor part made of a material with a high dielectric constant and the substrate made of a low dielectric constant material are electrical and mechanically connected to a circuit board to make connections to others Manufacture circuit elements.
Das Kondensatorteil bildet die obere Schicht des Schaltungsbauteils, das Substrat aus einem Material mit niedriger Dielektrizitätskonstante bildet eine Mittelschicht und die Leiterplatte bildet die unterste Schicht, wobei die jeweiligen Elektroden und Anschlüsse der einzelnen Schichten untereinander verbunden sind, um das elektronische Schaltungsbauteil zu bilden.The capacitor part forms the upper layer of the circuit component, the substrate of a low dielectric constant material forms one Middle layer and the printed circuit board forms the bottom layer, being the respective Electrodes and connections of the individual layers are connected to one another, to form the electronic circuit component.
Im einzelnen sind gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ein Dünnfilm-IC-Chip, ein~Widerstand usw. auf einem Substrat angeordnet, das aus keramischen Material mit niedriger Dielektrizitätskonstante besteht, wie z.B. Aluminiumoxid o.dgl., und das eine hohe mechanische Festigkeit, jedoch eine geringe chemische Reaktivität aufweist und an seinem Umfang mit Elektroden versehen ist. Nur die Elektrode und der tatsächlich für die Kondensatorelektrode benötigte Anschluß sind an dem Kondensatorteil aus keramischem Material mit hoher Dielektrizitätskonstante vorgesehen. Zur Bildung des elektronischen Schaltungsbauteils nach der Erfindung wird das Kondensatorteil aus keramischen Material mit hoher Dielektrizitätskonstante in der obersten Schicht angeordnet, das Substrat aus keramischen Material mit niedriger Dielektrizitätskonstante wird in der mittleren Schicht angeordnet und die Leiterplatte für die Verbindung und den Anschluß der beiden obengenannten Teile an andere elektronische Komponenten ist in der untersten Schicht angeordnet, wobei die jeweiligen Anschlüsse und Elektroden miteinander verbunden sind. Hierdurch werden unerwünschte parasitäre Kapazitäten, die durch die Verbindung von nicht mit einer inneren Elektrode des Kondensatorteiles verbundenen Elektroden mit der Leiterplatte entstehen, beträchtlich herabgesetzt.In detail are according to a preferred embodiment of the invention a thin film IC chip, a resistor, etc. placed on a substrate made up of ceramic Material with a low dielectric constant, such as aluminum oxide or the like., And that a high mechanical strength, but a low chemical Has reactivity and is provided with electrodes on its periphery. Just the electrode and the connection actually required for the capacitor electrode are at the Capacitor part made of ceramic material with a high dielectric constant is provided. To form the electronic circuit component according to the invention, the capacitor part Made of ceramic material with a high dielectric constant in the top layer arranged, the substrate made of ceramic material with a low dielectric constant is placed in the middle layer and the circuit board for the connection and the connection of the above two parts to other electronic components is arranged in the lowest layer, with the respective connections and electrodes are connected to each other. This eliminates unwanted parasitic capacitances, the connection of not with an inner electrode of the capacitor part connected electrodes with the printed circuit board arise, considerably reduced.
Bei weiteren bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung wird in dem Substrat aus Material mit niedriger Dielektrizitätskonstante eine Ausnehmung gebildet oder zwischen dem Substrat mit niedriger Dielektrizitätskonstante und dem Kondensatorteil mit hoher Dielektrizitätskonstante wird ein ringförmiger Abstandhalter aus keramischen Material mit niedriger Dielektrizitätskonstante angeordnet, so daß zwischen dem Substrat und dem Kondensatorteil ein geschlossener Raum gebildet wird, in dem das Halbleiterelement angeordnet ist und der entsprechend abgedichtet werden kann.In further preferred embodiments of the invention, in the Substrate formed from material with a low dielectric constant a recess or between the low dielectric constant substrate and the capacitor part with a high dielectric constant is an annular spacer made of ceramic Material with a low dielectric constant arranged so that between the Substrate and the condenser part forms a closed space is, in which the semiconductor element is arranged and sealed accordingly can be.
Mit der beschriebenen Anordnung erhält man ein verbessertes elektronisches Schaltungsbauteil, bei dem die Nachteile der erläuterten vergleichbaren, bekannten Schaltungsbauteile wesentlich verringert sind.The arrangement described provides an improved electronic one Circuit component in which the disadvantages of the explained, comparable, known Circuit components are significantly reduced.
Im folgenden werden unter Bezugnahme auf die Zeichnungen Ausführungsbeispiele der Erfindung näher erläutert.In the following, with reference to the drawings, exemplary embodiments the invention explained in more detail.
Es zeigen: Fig. 1 eine schematische Draufsicht eines (bereits erläuterten) herkömmlichen integrierten Dickfilm-Schaltungsbauteils, Fig. 2 eine schematische Seitenansicht des integrierten Schaltungsbauteils nach Fig. 1 Fig. 3 einen Schnitt des integrierten Schaltungsbauteils der Fig. 1, das auf einer Leiterplatte montiert ist, Fig. 4 einen Schnitt durch eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung, und Fig. 5, 6, 7 und 8 ähnliche Darstellungen wie Fig. 4 von weiteren Ausführungsformen.1 shows a schematic top view of a (already explained) conventional thick film integrated circuit component, Fig. 2 is a schematic Side view of the integrated circuit component according to FIG. 1, FIG. 3 shows a section of the integrated circuit component of Fig. 1 mounted on a printed circuit board Fig. 4 is a section through a preferred embodiment of the invention, and FIGS. 5, 6, 7 and 8 show similar representations as FIG. 4 of further embodiments.
In Fig. 4 ist ein elektronisches Bauteil CA gemäß einer ersten Ausführungsform dargestellt. Das elektronische Bauteil CA gemäß Fig. 4 weist ein Substrat 15 aus einem keramischen Material mit niedriger Dielektrizitätskonstante, z.B. Aluminiumoxid o.dgl., auf, das eine hohe mechanische Festigkeit, jedoch eine geringe chemische Reaktivität hat. Das Substrat 15 weist zwei Elektroden 2 und 12 für HIC-Anschlüsse (Anschlüsse in hochintegrierter Schaltungstechnik) und zur Verbindung mit einem Anschluß 11 eines keramischen Kondensators 1 mit hoher Dielektrizitätkonstante auf. Auf dem Substrat 15 befindet sich eine weitere Elektrode 20, auf der ein Chip 5 mit einer elektronischen Schaltung in Dünnfilmtechnik angeordnet ist, sowie ein Widerstandselement 7.4 shows an electronic component CA according to a first embodiment shown. The electronic component CA according to FIG. 4 has a substrate 15 a low dielectric constant ceramic material such as alumina or the like., which has a high mechanical strength, but a low chemical Has reactivity. The substrate 15 has two electrodes 2 and 12 for HIC connections (Connections in highly integrated circuit technology) and for connection to a Terminal 11 of a ceramic capacitor 1 with high dielectric constant on. On the substrate 15 there is a further electrode 20 on which a chip 5 is arranged with an electronic circuit in thin-film technology, as well as a Resistance element 7.
Das Chip 5 ist mit den Elektroden 2 und 12 über Drähte 4 verbunden. Der Kondensator 1 aus Keramikmaterial mit hoher Dielektrizitätskonstante ist nur mit einer inneren Kondensatorelektrode 6 und dem Anschluß 11 zum Verbinden mit der Elektrode 12 des Substrats 15 versehen und als oberstes Teil über dem Substrat 15 angeordnet. Der Kondensator 1 wird durch einen ringförmigen Abstandhalter 13 aus keramischem Material von niedriger Dielektrizitätskonstante, z.B.The chip 5 is connected to the electrodes 2 and 12 via wires 4. The capacitor 1 made of ceramic material with a high dielectric constant is only with an inner capacitor electrode 6 and the terminal 11 for connection to the Electrode 12 of the substrate 15 is provided and as the uppermost part above the substrate 15 arranged. The capacitor 1 is made up of an annular spacer 13 low dielectric constant ceramic material, e.g.
Aluminiumoxid o.dgl., gehalten, der zwischen dem Substrat 15 und dem Kondensatorteil 1 angeordnet ist und der eine Elektrode 14 aufweist, welche den Anschluß 11 des Kondensatorteils 1 mit der Elektrode 12 des Substrats 15 verbindet. Die Elektroden 2 und 12 des Substrats 15 sind an entsprechende Elektroden 8 auf der Leiterplatte 9 angelötet. Die Lötstellen sind mit 10 bezeichnet. Das Kondensatorteil 1 aus Keramikmaterial mit hoher Dielektrizitätskonstante, der ringförmige Abstandhalter 13 und das Substrat 15 mit niedriger Dielektrizitätskonstante sind durch ein Bindemittel 16 fest und starr miteinander verbunden.Alumina or the like., Held between the substrate 15 and the Capacitor part 1 is arranged and which has an electrode 14 which the Terminal 11 of capacitor part 1 connects to electrode 12 of substrate 15. The electrodes 2 and 12 of the substrate 15 are attached to corresponding electrodes 8 the circuit board 9 is soldered. The soldering points are labeled 10. The condenser part 1 made of high dielectric constant ceramic material, the annular spacer 13 and the low dielectric constant substrate 15 are bound by a binder 16 firmly and rigidly connected to one another.
Das Bindemittel 16, das sich zwischen dem ringförmigen Abstandhalter 13 und dem Substrat 15 sowie ferner zwischen dem Abstandhalter 13 und dem Kondensatorteil 1 befindet, besteht beispielsweise aus Glasmaterial.The binder 16 that is between the annular spacer 13 and the substrate 15 and also between the spacer 13 and the capacitor part 1 is, for example, made of glass material.
Das Dünnfilm-IC-Chip 5 ist auf diese Weise in einem geschlossenen Raum untergebracht, der von dem Kondensatorteil 1, dem ringförmigen Abstandhalter 13 und dem Substrat 15 begrenzt wird.The thin film IC chip 5 is closed in this way Space housed by the capacitor part 1, the annular spacer 13 and the substrate 15 is limited.
Infolge des ringförmigen Abstandshalters 13, der zwischen dem Kondensatorteil 1 und dem Substrat 15 angeordnet ist, wird die Elektrode 2 des Substrats 15 am elektrischen Kontakt im Kondensatorteil 1 gehindert, so daß keine nennenwerte parasitere Kapazität zwischen dem Kondensatorteil 1 und dem Substrat 15 entsteht.As a result of the annular spacer 13 between the capacitor part 1 and the substrate 15 is arranged, the electrode 2 of the substrate 15 is at the electrical Contact in the capacitor part 1 prevented, so that no noteworthy parasitic capacitance arises between the capacitor part 1 and the substrate 15.
Da bei dem Ausführungsbeispiel der Fig. 4 die mechanische Festigkeit vorwiegend durch das aus keramischen Material bestehende Substrat 15 hervorgerufen wird, braucht das Kondensatorteil 1 selbst nicht sehr stark zu sein und braucht demnach keine zusätzlichen Verstärkungsschichten aufzuweisen. Auf diese Weise wird die Anzahl der für die Herstellung erforderlichen Druck- und Sintervorgänge in einem hohen Maße verringert.Since in the embodiment of FIG. 4, the mechanical strength mainly caused by the substrate 15 made of ceramic material the capacitor part 1 itself does not need to be very strong and needs accordingly to have no additional reinforcement layers. That way will the number of printing and sintering processes required for production in one greatly reduced.
In Fig. 5 ist eine Modifizierung des elektronischen Schaltungsbauteils CA der Fig. 4 dargestellt. Bei dem modifizierten Bauteil CB der Fig. 5 ist der ringförmige Abstandhalter 13 fortgelassen. Das Substrat 15 weist eine Ausnehmung V auf, in der das Dünnfilm-IC-Chip 5 angeordnet ist. Die Elektroden 2 und 12 sind soweit verlängert, daß sie sich an der Innenwand der Ausnehmung V bis in die Nähe der Ränder des IC-Chips 5 erstrecken.In Fig. 5 is a modification of the electronic circuit component CA of FIG. 4. In the modified component CB of FIG. 5, the ring-shaped Spacer 13 omitted. The substrate 15 has a recess V in which the thin film IC chip 5 is arranged. The electrodes 2 and 12 are extended so far, that they are on the inner wall of the recess V up to the vicinity of the edges of the IC chip 5 extend.
Bei dem elektronischen Bauteil CB der Fig. 5 wird die Elektrode 2 des Substrats 15 ebenfalls von dem Kondensatorteil 1 durch die Bindemittelschicht 16 getrennt gehalten, so daß zwischen diesen Teilen keine störende parasitäre Kapazität entsteht. Da der Aufbau und die Wirkung des modifizierten elektronischen Bauteils CB im übrigen gleich sind wie bei dem Bauteil CA der Fig. 4,werden sie zur Vermeidung von Wiederholungen hier nicht noch einmal erläutert.In the electronic component CB of FIG. 5, the electrode 2 becomes of the substrate 15 also from the capacitor part 1 through the binder layer 16 kept separate, so that there is no parasitic capacitance between these parts arises. Since the structure and the Effect of the modified electronic Component CB are otherwise the same as in component CA of FIG. 4, they will not explained again here to avoid repetition.
In den Fig. 6 bis 8 sind weitere Ausführungsformen des elektronischen Bauteils CA der Fig. 4 dargestellt.6 to 8 are further embodiments of the electronic Component CA of FIG. 4 is shown.
Bei dem modifizierten elektronischen Bauteil CC der Fig. 6 ist das Substrat 15 aus keramischen Material mit niedriger Dielektrizitätskonstante gemäß Fig. 4 ersetzt worden durch ein laminiertes Kondensatorteil 22 mit niedriger Dielektrizitätskonstante und einer Innenelektrode 23. Das Kondensatorteil 22 ist mit den Elektroden 2 und 12 versehen, und das IC-Chip 5 ist mit den Elektroden durch Drähte 4 verbunden.In the case of the modified electronic component CC of FIG. 6, this is the case Substrate 15 made of ceramic material with a low dielectric constant according to FIG 4 has been replaced by a laminated capacitor part 22 with a low dielectric constant and an inner electrode 23. The capacitor part 22 is with the electrodes 2 and 12 and the IC chip 5 is connected to the electrodes by wires 4.
Der Widerstand 7 usw. ist an dem Kondensatorteil 22 angebracht, und das Kondensatorteil 1 mit hoher Dielektrizitätskonstante ist auf dem Kondensatorteil 22, von diesem durch den ringförmigen Abstandhalter 13 getrennt, in gleicher Weise angeordnet wie bei dem Ausführungsbeispiel der Fig. 4. Bei dem elektronischen Bauteil CC der Fig. 6 dient die Elektrode 2 für das Schichtkondensatorteil 22 mit niedriger Dielektrizitätskonstante außerdem zum Herausführen der inneren Elektrode 23, mit der sie verbunden ist. Das Kondensatorteil 22 eignet sich wegen der kleinen parasitären Kapazität insbesondere als Substrat für Halbleiter und hat im allgemeinen eine hohe mechanische Festigkeit. Ferner können in Abhängigkeit von den jeweiligen Anforderungen Beschichtungen aus Glasmaterial o.dgl. auf die einander gegenüberliegenden Flächen des Kondensatorteils 22 aufgetragen werden.The resistor 7, etc. is attached to the capacitor part 22, and the high dielectric constant capacitor part 1 is on the capacitor part 22, separated from this by the annular spacer 13, in the same way arranged as in the embodiment of FIG. 4. In the electronic component CC of Fig. 6, the electrode 2 is used for the layer capacitor part 22 with lower Dielectric constant also for leading out the inner electrode 23, with to which she is connected. The capacitor part 22 is suitable because of the small parasitic Capacity especially as a substrate for semiconductors and generally has a high capacity Mechanic solidity. Furthermore, depending on the respective requirements Coatings made of glass material or the like. on the opposite surfaces of the capacitor part 22 are applied.
Auch bei dem Ausführungsbeispiel der Fig. 6 werden zwischen dem Kondensatorteil 1 und dem Kondensatorteil 22 keine größeren parasitären Kapazitäten gebildet, weil diese Teile durch den ringförmigen Abstandhalter 13 hinreichend voneinander getrennt sind.In the embodiment of FIG. 6, too, between the capacitor part 1 and the capacitor part 22 no larger parasitic capacitances are formed because these parts are sufficiently separated from one another by the annular spacer 13 are.
Bei dem elektronischen Bauteil CD der Fig. 7 ist der ringförmige Abstandhalter 13 von niedriger Dielektrizitätskonstante, wie bei dem Ausführungsbeispiel CA der Fig. 4, ersetzt worden durch einen Abstandhalter 25, der aus einem Schichtkondensator aus Keramikmaterial mit niedriger Dielektrizitätskonstante besteht. Dieser Kondensator weist eine innere Elektrode 23' auf r die mit einer auf der Außenseite des Kondensators angebrachten Elektrode 24 verbunden ist und über diese mit der Elektrode 2 des Substrats 15 aus Keramikmaterial mit niedriger Dielektrizitätskonstante in Verbindung steht. Da der Kondensator 1 aus Keramikmaterial mit hoher Dielektrizitätskonstante von dem Keramikmaterial des Substrats 15 mit niedriger Dielektrizitätskonstante durch den Abstandhalter 25 getrennt ist, der aus einem Schichtkondensator aus Material mit niedriger Dielektrizitätskonstante besteht, ist die parasitäre Kapazität zwischen dem keramischen Kondensator 1 und dem Substrat 15, wie auch im Falle des Bauteils CC der Fig. 6, hinreichend klein.In the electronic component CD of FIG. 7, the annular spacer is 13 of low dielectric constant, as in the embodiment CA of FIG Fig. 4, has been replaced by a spacer 25, which consists of a film capacitor consists of ceramic material with a low dielectric constant. This capacitor has an inner electrode 23 'with one on the outside of the capacitor attached electrode 24 is connected and via this with the electrode 2 of the substrate 15 is made of ceramic material with a low dielectric constant in connection. Since the capacitor 1 is made of ceramic material with a high dielectric constant of the ceramic material of the low dielectric constant substrate 15 through the spacer 25 is separated, which consists of a sheet capacitor made of material with a low dielectric constant, the parasitic capacitance is between the ceramic capacitor 1 and the substrate 15, as in the case of the component CC of Fig. 6, sufficiently small.
-Die Schaltungsbauteile CC und CD der Fig. 6 und 7 weisen jeweils zwei Arten von Kondensatorteilen auf, nämlich den Schichtkondensator 1 mit hoher Dielektrizitätskonstante und den Schichtkondensator 22 (Fig. 6) oder 25 (Fig. 7) mit niedriger Dielektrizitätskonstante.-The circuit components CC and CD of Figs. 6 and 7 each have two types of capacitor parts, namely the film capacitor 1 with high Dielectric constant and the film capacitor 22 (Fig. 6) or 25 (Fig. 7) with low dielectric constant.
Es können daher Schaltungselemente ausgewählt werden, die eine Kapazität innerhalb eines sehr großen Bereiches aufweisen. Beispielsweise hat der Kondensator 22 oder 25 mit niedriger Dielektrizitätskonstante generell eine Kapazität im Bereich von ca. 10 bis 10 9F (1 pF bis 1000 pF), während der Schichtkondensator 1 mit hoher Dielektrizitätskonstante eine Kapazität im Bereich von 10## 9 bis 10 6 F (1000 pF bis 1 #F) hat, wobei dies jeweils nur die Größenordnungen angibt.It can therefore be selected circuit elements that have a capacitance have within a very large range. For example, the capacitor has 22 or 25 with a low dielectric constant generally have a capacitance in the range from about 10 to 10 9F (1 pF to 1000 pF), while the layer capacitor 1 with high Dielectric constant has a capacitance in the range of 10 ## 9 to 10 6 F (1000 pF to 1 #F), whereby this only indicates the order of magnitude.
In Fig. 8 ist eine weitere Modifizierung des elektronischen Bauteils CA der Fig. 4 dargestellt.In Fig. 8 is another modification of the electronic component CA of FIG. 4.
Bei dem elektronischen Bauteil CE der Fig. 8 ist der Schichtkondensator 1 mit hoher Dielektrizitätskonstante aus dem Ausführungsbeispiel der Fig. 4 zusätzlich noch mit Beschichtungen 21 aus einem Glasmaterial o.dgl.In the electronic component CE of FIG. 8, the film capacitor is 1 with a high dielectric constant from the exemplary embodiment in FIG. 4 in addition nor with coatings 21 made of a glass material or the like.
auf seinen einander entgegengesetzten Hauptflächen versehen, wobei die Elektrode 11 und die Widerstände 26 und 27 in der dargestellten Weise auf diesen Beschichtungen angeordnet sind. Normalerweise muß die Größe des Widerstandes 7 groß im Vergleich zu derjenigen des IC-Chips 5 und des Schichtkondensators 1 sein. In vielen Fällen reicht der an der Unterseite des Substrats 15 mit niedriger Dielektrizitätskonstante angebrachte Widerstand nicht aus. Um hier Abhilfe zu schaffen, dient das Ausführungsbeispiel der Fig. 8.provided on its opposite major surfaces, wherein the electrode 11 and the resistors 26 and 27 in the manner shown on these Coatings are arranged. Usually the size of the resistor 7 needs to be large compared to that of the IC chip 5 and the film capacitor 1. In In many cases, that on the underside of the substrate 15 with a low dielectric constant is sufficient attached resistance. The exemplary embodiment serves to remedy this of FIG. 8.
Insbesondere, wenn die Widerstände in der Reihenfolge angeordnet sind, in der die Schaltungsfunktionen in Gefahr sind, durch parasitäre Kapazitäten nachteilig beeinflußt zu werden (d.h. in der Reihenfolge der kleineren parasitären Kapazität) besteht die Möglichkeit, mehrere Widerstände in Form der Widerstände 7, 26 und 27 in das Schaltungsbauteil CE der Fig. 8 aufzunehmen.Especially when the resistors are arranged in the order in which the circuit functions in Danger are through parasitic Capacities to be adversely affected (i.e. in the order of the smaller parasitic capacitance) there is the possibility of several resistances in the form of the To include resistors 7, 26 and 27 in the circuit component CE of FIG.
Da im übrigen der Aufbau und die Wirkungsweise der elektronischen Bauteile CC bis CE der Fig. 6 bis 8 dem Ausführungsbeispiel des Bauteils CA von Fig. 4 entsprechen, wird deren Erläuterungen nicht noch einmal wiederholt.Since, moreover, the structure and mode of operation of the electronic Components CC to CE of FIGS. 6 to 8 correspond to the exemplary embodiment of component CA of 4, their explanations will not be repeated again.
Bei den beschriebenen Ausführungsbeispielen ist es nicht absolut notwendig, Beschichtungen aus Glasmaterial o.dgl. auf den Ober- und Unterseiten des Kondensatorteils anzubringen, wie dies bei den konventionellen Konstruktionen der Fall ist. Auf diese Weise werden unsichere Verarbeitungsschritte, wie Drucken und Sintern, vermieden, während die parasitäre Kapazität,die die elektronischen Schaltungen nachteilig beeinflußt,auf Zehntel bis Hundertstel heruntergedrückt und somit vernachlässigbar klein gemacht wird. Ferner wird die normalerweise zur Erhöhung der mechanischen Festigkeit erforderliche Erhöhung der Dicke des Materials mit hoher Dielektrizitätskonstante entbehrlich. Es wird auch keine Abdichtung mit Harz usw.In the embodiments described, it is not absolutely necessary Coatings made of glass material or the like. on the top and bottom of the condenser part to be attached, as is the case with conventional constructions. To this In this way, unsafe processing steps such as printing and sintering are avoided, while the parasitic capacitance which adversely affects the electronic circuits Tenth to hundredth pressed down and thus made negligibly small will. Furthermore, it is normally required to increase mechanical strength There is no need to increase the thickness of the high dielectric constant material. There is also no sealing with resin, etc.
zum Schutz des IC-Chips erforderlich.required to protect the IC chip.
Wie sich aus der obigen Beschreibung ergibt, führt die Erfindung zu elektronischen Schaltbausteinen, mit denen es möglich ist, eine verbesserte hybride integrierte Schaltung mit hoher mechanischer Festigkeit bei einfachem Aufbau zu erzielen, wobei die parasitäre Kapazität trotz Einbaus von Kondensatorteilen im hohen Maße reduziert ist. Gleichzeitig werden die Kosten für Drucken, Sintern u.dgl. verringert.As can be seen from the above description, the invention leads to electronic switching modules with which it is possible to create an improved hybrid integrated circuit with high mechanical strength with simple Achieve structure, with the parasitic capacitance despite the installation of capacitor parts is greatly reduced. At the same time the cost of printing, sintering and the like reduced.
Claims (8)
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1581882U JPS58118728U (en) | 1982-02-06 | 1982-02-06 | electronic circuit parts |
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JP58011784A JPS59136961A (en) | 1983-01-27 | 1983-01-27 | Component parts for electronic circuit |
Publications (1)
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DE3303593A1 true DE3303593A1 (en) | 1983-09-08 |
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ID=27455673
Family Applications (1)
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3910518A1 (en) * | 1989-04-01 | 1990-10-04 | Manfred Haller | Printed circuit board for optimum decoupling of circuits having digital ICs |
-
1983
- 1983-02-03 DE DE19833303593 patent/DE3303593A1/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3910518A1 (en) * | 1989-04-01 | 1990-10-04 | Manfred Haller | Printed circuit board for optimum decoupling of circuits having digital ICs |
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8141 | Disposal/no request for examination |