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DE3103785A1 - Halbleiteranordnung mit hoher durchbruchspannung - Google Patents

Halbleiteranordnung mit hoher durchbruchspannung

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DE3103785A1
DE3103785A1 DE19813103785 DE3103785A DE3103785A1 DE 3103785 A1 DE3103785 A1 DE 3103785A1 DE 19813103785 DE19813103785 DE 19813103785 DE 3103785 A DE3103785 A DE 3103785A DE 3103785 A1 DE3103785 A1 DE 3103785A1
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Description

BESCHREIBUNG
Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung mit hoher Durchbruchspannung, insbesondere eine Halbleiteranordnung, die bei einer integrierten Schaltung einen höheren Durchbruch —Spannungswert beim PN-Übergang aufweist. Ein wichtiger Faktor, der die Erhöhung der Durchbruchspannung einer monolithischen integrierten Schaltung oder eines monolithischen IC beeinträchtigt, ist die Verringerung der Durchbruchspannung, die einer Verbindungsschicht innerhalb eines Chips zuzuschreiben ist.
Unter Bezugnahme auf Figur 1A und 1B wird die Verringerung des Durchbruch - Spannungswertes eines PN-überganges zwischen einer Verunreinigungszone 2 und einem Halbleiterkörper 1 näher erläutert, wobei diese Verringerung mit einer Verbindungsschicht 5 innerhalb des Chips zusammenhängt.
Figur 1A ist eine Draufsicht, während Figur 1B einen Schnitt darstellt. Hierbei wird angenommen, daß die Polarität des Halbleiterkörpers eine Leitfähigkeit vom N-Typ ist. Der Bereich 2 ist eine P-leitende Diffusionsschicht, die als Basisbereich eines NPN-Transistors, als Emitter oder Kollektorbereich eines PNP-Transistors oder als Widerstandskörper in eint τη normalen IC verwendet wird.
Wenn beabsichtigt ist, die Durchbruchspannung hoch zu machen, wird der Durchbruchspannungswert der Diffusionsschicht selbst hauptsächlich durch die Krümmung des PN-Über- ganges bestimmt, die sie mit dem Halbleiterkörper 1 bildet. In dem Falle, wo der Halbleiterkörper 1 einen spezifischen Widerstand von 20 Ω«cm und die Diffusionsschicht 2 eine Diffusionstiefe von 2,5 ym und einen Flächenwiderstand von 200 Ω/q besitzt, beträgt der Wert der Durchbruchspannung der Diffusionsschicht ungefähr 140 V. Um den Wert der Durchbruchspannung der Diffusionsschicht selbst zu steigern, hat
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man solche Maßnahmen ergriffen, wie 1. Erhöhung der Diffusionstiefe und 2. Ausbildung von Bereichen 3 von demselben Leitungstyp und mit geringerer Verunreinigungskonzentration als die Diffusionsschicht 2 um diese Schicht, wie es in den Figuren 2A und 2B dargestellt ist, wobei Figur 2A eine Draufsicht und Figur 2B einen Schnitt zeigen. Wenn beispielsweise die Diffusionstiefe auf einen Wert von 5 ym gebracht wird, kann man den Durchbruch—Spannungswert auf etwa 250 V bringen. Im Falle von niedrig dotierten Bereichen 3 werden die Bereiche 3, die einen Flächenwiderstand in der Größenordnung von 10 kn/p um den Bereich 2 mit einer Breite von 10 ym oder mehr ausgebildet, so daß die Durchbruchspannung zwischen dem Bereich 2 und dem Halbleiterkörper 1 auf etwa 200 V angehoben werden kann*
In dem Falle jedoch, wo eine Metallverbindungsschicht sich über einer Isolierschicht 4, z.B. aus SiO2, in der in Figur 1B und 2B dargestellten Weise auf der Diffusionsschicht 2 erstreckt, wird es unmöglich, den oben erwähnten Durchbruchs-Spannungswert zu halten. Genauer gesagt, wenn die Dicke der Isolierschicht 4 1 ym beträgt und das elektrische Potential der Verbindungsschicht 5 gleich dem des Halbleiterkörpers 1 ist, beträgt der Durchbruch—Spannungswert des Bereiches 2 etwa 90 V, und geht auf etwa 140 V, wenn man die Maßnahme ergreift, niedrig dotierte Bereiche 3 hinzuzufügen, wie es in den Figuren 2A und 2B dargestellt ist. Der Grund hierfür ist folgender: Da die Verbindungsschicht 5 wegen ihres Potentials verhindert, daß sich eine Verarmungsschicht vom Verunreinigungsbereich 2 auf die Seite des Halbleiterkörpers 1 ausbreitet, wird die Feldstärke des Oberflächenteiles des Halbleiterkörpers so hoch, daß der Wert der Durchbruchspannung niedriger wird als der ursprüngliche Wert. Im Falle der Figuren 2A und 2B kann der Wert der Durchbruchspannung im Vergleich zu dem Wert bei der Anordnung nach Figur 1A und 1B in Abhängigkeit von der Verunreinigungskonzentration der Verunreinigungsbereiche 3 erhöht werden. Jedoch wird das
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elektrische Feld des Oberflächenteiles an der Grenze zwischen den Verunreinigungsbereichen 2 und 3 in gleicher Weise . intensiv, mit dem Ergebnis, daß der Wert der Durchbruch-
spannung absinkt. '
Als Verfahren, um die Verschlechterung der Durchbruchspannung zu vermeiden, hat man die Maßnahme ergriffen, die Dicke der Isolierschicht 4 zu erhöhen. Beim Herstellungsverfahren ist es jedoch schwierig, bei der derzeitigen Situation die Schichtdicke größer als 1 ym zu machen.
Figur 3A zeigt ein Widerstandselement, das bei einer integrierten Schaltung mit hoher Durchbruchspannung verwendet wird. Die Bezugszeichen 2 und 21 bezeichnen P-leitende Diffusionsschichten, die als Widerstandskörper dienen und die in einem N-leitenden Halbleiterkörper ausgebildet sind, der in den Figuren 3B und 3C mit dem Bezugszeichen 1 versehen ist. Die Bezugszeichen 51 und 52 bezeichnen Leitungselektroden für den Widerstandskörpers 2, wobei die Elektrode 51 eine Elektrode hohen Potentials und die Elektrode 52 eine Elektrode niedrigen Potentials sind. Ein Merkmal dieses Halbleiterkörpers besteht darin, daß ein Ausdehnungsbereich 51' der Elektrode 51 hohen Potentials sich über den Widerstandskörper 2 erstreckt. Das Ausdehnungsteil ist zu dem Zweck vorgesehen, um einen parasitären MOS-Transistor zu verhindern, der zwischen dem Widerstandskörper 2 und dem anderen Widerstauchkörper 21 in dessen Nähe auftritt. Figur 3B zeigt einen Schnitt längs der Linie A-A1 in Figur 3A. Die Wirkung der Metallplatte 51' wird nachstehend unter Bezugnahme auf Figur 3B näher erläutert. In Abwesenheit der Metallplatte 51' hat der Aufbau im Schnitt längs der Linie A-A1 eine Struktur, wie sie in Figur 3C dargestellt ist. In dem Falle, wo eine Potentialdifferenz zwischen den Widerstandskörpern 2 und 21 vorhanden ist und wo Ladungen 6 mit einem höheren Potential als die Schwellwertspannung V_H des von den Widerstandskörpern 2 und 21 gebildeten MOS-Transistors auf einen Isolierfilm 4 gelangt sind, fällt der parasitäre MOS-Tran-
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sistor in den leitenden Zustand, und es fließt ein Strom durch die Widerstandskörper 2 und 21. Die Ladungen 6 werden durch den sogenannten Effekt der beweglichen Ladungen erzeugt, der in der Weise auftritt, daß hauptsächlich Elektronen von — einem bloßen Halbleiter oder einer Metallverbindungsschicht sich auf einem Isolierfilm bewegen. Dieser Effekt tritt mehr bei einem intensiveren elektrischen Feld auf und ist unvermeidlicherweise mit einem IC hoher Durchbruchspannung verknüpft. Darüber hinaus muß darauf geachtet werden, daß das Potential der Ladungen das niedrigste Potential (höchster Absolutwert) eines IC-Chips erreicht. Bei einem IC, das 50 V überschreitet, muß dementsprechend eine Maßnahme gegen parasitäre MOS-Transistoren ergriffen werden.
Ein Mittel, um das Auftreten eines parasitären MOS-Transistors aufgrund von beweglichen Ladungen auf der Oberfläche zu verhindern, stellt die Metallplatte 51' in Figur 3B dar. Wie in Figur 3B dargestellt, die einen Schnitt längs der Linie A-A1 in Figur 3A zeigt, tritt auch in Anwesenheit von beweglichen Ladungen 6 der parasitäre MOS-Transistor zwischen den Widerstandskörpern 2 und 21 nicht auf, wenn das Potential der Metallplatte 51' auf das höchste Potential des Widerstandskörpers 2 gebracht wird und außerdem höher ist als das Potential des Widerstandskörpers 21 vorher. Umgekehrt kann in dem Falle, wo das Potential des Widerstandskörpers 21 höher ist als das des Widerstandskörpers 2, der Widerstandskörper 21 mit einer Metallplatte des höchsten Potentials des Widerstandskörpers 21 überzogen werden. Dementsprechend besteht das zuverlässigste Mittel, um parasitäre MOS-Transistoren zu verhindern, darin, den Widerstandskörper mit einer Metallplatte zu überziehen, welche das höchste Potential innerhalb des IC besitzt. Ein Problem besteht in diesem Falle darin, daß der Wert der Durchbruchspannung zwischen dem Widerstandskörper und dem Halbleiterkörper in der oben angegebenen Weise absinkt. Außerdem ist ,auch in dem Falle, wo die Metallplatte 51' gemäß Figur 3A verwendet wird, festzuhalten, daß die Verringerung der Durchbruchspannung zwischen dem Wider-
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Standskörper und dem Halbleiterkörper auftritt, wenn eine Spannung an den beiden Enden des Widerstandes hoch ist. " Aufgabe der Erfindung ist es daher, eine Halbleiteranordnung mit einem Aufbau anzugeben, die zur Herstellung einer integrierten Schaltung mit hoher Durchbruchspannung geeignet ist. Damit soll gemäß der Erfindung eine Halbleiteranordnung mit einem Verunreinigungsbereich und einer Verbindungsschicht, die einen Transistor, einen Widerstand oder dergleichen bilden, zu einem Aufbau gemacht werden, der eine hohe Durchbruchspannung besitzt.
Die erfindungsgemäße Halbleiteranordnung verhindert dabei in vorteilhafter Weise das Auftreten von parasitären MOS-Transistoren und besitzt gleichzeitig eine hoch Durchbruchspannung .
Zur Erreichung dieses Zieles hat die erfindungsgemäße Halbleiteranordnung um einen Verunreinigungsbereich, der einen Transistor, einen Widerstand oder dergleichen bildet, einen niedrig dotierten Bereich oder einen Bereich geringer Verunreinigungskonzentration vom gleichen Leitungstyp wie der Verunreinigungsbereich; außerdem liegt eine Verbindungsschicht und/oder plattenförmige Schicht, die sich von einer ausgehenden Leitungselektrode erstreckt, nicht über dem Verunreinigungsbereich sondern über dem niedrig dotierten Bereich. Bei der erfindungsgemäßen Anordnung kann die Elektrode tar den Verunreinigungsbereich in gleicher Weise ausgebildet sein wie bei einer herkömmlichen Anordnung. Die Verbindungsschicht und/oder plattenförmige Schicht, auf die sich die Erfindung bezieht, stellt eine Verbindungsschicht dar, die eine Kontaktelektrode mit einer anderen Elektrode verbindet, z.B. einer anderen Kontaktelektrode oder einer Verbindungsstelle, einer plattenförmigen Schicht, die sich von einer Kontaktelektrode erstreckt, um einen parasitären MOS-Transistor zu verhindern, usw.
Die Figuren 4A und 4B sowie 5A und 5B zeigen den grundsätzlichen Aufbau der Anordnung zwischen einer Verunreini-
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gungsschicht und einer Verbindungsschicht und/oder plattenförmigen Schicht in einer erfindungsgemäßen Halbleiteranordnung. Figur 4A und 4B zeigen einen ersten grundsätzlichen Aufbau, wobei Figur 4A eine Draufsicht und Figur 4B einen Schnitt darstellen. In Figur 4A und 4B ist eine Verbindungsschicht und/oder plattenförmige Schicht 5 nur über einem niedrig dotierten Bereich 3 um einen Verunreinigungsbereich 2 angeordnet und endet dort. Die Figuren 5A und 5B zeigen einen zweiten grundsätzlichen Aufbau, wobei Figur 5A eine Draufsicht und Figur 5B einen Schnitt darstellen. In Figur 5A und 5B erstreckt sich eine Verbindungsschicht und/oder plattenförmige Schicht 5 über einen niedrig dotierten Bereich 3, der um die Verunreinigungsbereiche 2 angeordnet ist, und durch den Zwischenraum zwischen den Verunreinigungsbereichen 2. In den Figuren 4B und 5B bezeichnet das Bezugszeichen 1 einen Halbleiterkörper vom entgegengesetzten Leitungstyp wie der Verunreinigungsbereich 2 und der niedrig dotierte Bereich 3.
Mit einem grundsätzlichen Aufbau der oben beschriebenen Art kann eine erfindungsgemäße Halbleiteranordnung zur Realisierung einer integrierten Halbleiterschaltung mit hoher Durchbruchspannung verwendet werden.
Die Erfindung wird nachstehend anhand der Beschreibung von Ausführungsbeispielen und unter Bezugnahme auf die beiliegende Zeichnung näher erläutert. Die Zeichnung zeigt in Figur 1A und 1B eine Draufsicht bzw. einen Schnitt zur Erläuterung der Anordnung zwischen einem Verunreinigungsbereich und einer Verbindungsschicht bei einer herkömmlichen Halbleiteranordnung; Figur 2A und 2B eine Draufsicht bzw. einen Schnitt zur Erläuterung der Anordnung zwischen einem Verunreinigungsbereich und einer Verbindungsschicht bei einer anderen herkömmlichen Halbleiteranordnung;
Figur 3A, 3B und 3C Darstellungen zur Erläuterung der Zusammenhänge zwischen einem Verunreinigungsbereich und einer Metallplatte bei einem Widerstandselement;
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Figur 4A und 4B sowie Figur 5A und 5B grundsätzliche Darstellungen zur Erläuterung der Zusammenhänge zwischen Verunreinigungsbereichen und Verbindungsschichten und/oder plattenförmigen Schichten bei erfindungsgemäßen Halbleiteranordnungen;
Figur 6A und 6B eine Draufsicht bzw. einen Schnitt zur Erläuterung des Aufbaus eines erfindungsgemäßen Widerstandselementes;
Figur 7 eine Draufsicht zur Erläuterung des Aufbaus eines Widerstandselementes gemäß einer anderen erfindungsgemäßen Ausführungsform; und in Figur 8A, 8B und 8C Darstellungen zur Erläuterung des Aufbaus eines PNP-Transistors gemäß einer weiteren erfindungsgemäßen Ausführungsform.
Die Figuren 6A und 6B zeigen eine Ausführungsform eines Widerstandselementes, das den Aufbau einer erfindungsgemäßen Halbleiteranordnung mit hoher Durchbruchspannung aufweist. Figur 6A zeigt eine Draufsicht und Figur 6B einen Schnitt längs der Linie A-A1 der Figur 6A. Das Widerstandselement bei dieser Ausführungsform hat einen Aufbau, der das Auftreten eines parasitären MOS-Transistors der oben angegebenen Art verhindert und keine Verringerung der Druchbruchspannung erfährt. Das Widerstandselement verwendet einen Aufbau für eine hohe Durchbruchspannung, wie in Figur 4A und 4B dargestellt ist.
In der Zeichnung bezeichnet das Bezugszeichen 1 einen N-leitenden (oder P-leitenden) Si-KÖrper mit einer Verunreinigungskonzentration von 5-10 cm , die Bezugszeichen 2 und 21 bezeichnen P-leitende (oder N-leitende) Verunreinigungsbereiche mit einer Verunreinigungskonzentration von
19 —3
1 - 10 cm und einer Tiefe von 3 ym, welche als Widerstandskörper dienen; die Bezugszeichen 3 und 31 bezeichnen P-leitende (oder N-leitende) Bereiche geringer Verunreinigungskonzentration (niedrig dotierte Bereiche) mit einer Verunreinigungskonzentration von 1 * 10 cm und einer
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Tiefe von 1 μΐη, das Bezugs zeichen 4 bezeichnet einen Isolierfilm aus SiO^ oder dergleichen, und die Bezugszeichen 51 und
52 bezeichnen Elektroden aus Al oder dergleichen.
Außerdem ist beim Widerstandselement nach Figur 6A und 6B die Elektrode 51 die Elektrode hohen Potentials des Verunreinigungsbereiches 2, der als Widerstandskörper dient und eine Leitfähigkeit vom entgegengesetzten Typ wie der Halbleiterkörper 1 besitzt. Das Widerstandselement ist das gleiche wie bei den Figuren 3A und 3B im Hinblick darauf, daß der parasitäre MOS-Transistor durch das elektrische Potential des Ausdehnungsbereiches 51' der Elektrode 51 verhindert wird. Das Charakteristische besteht darin, daß der Ausdehnungsbereich oder der Ansatz 51' nur über dem niedrig dotierten Bereich 3 an einer Stelle liegt, die eine große Potentialdifferenz gegenüber dem darunter liegenden Widerstandskörper 2 besitzt, so daß die Verringerung der Durchbruchspannung des Verunreinigungsbereiches 2 verhindert wird.
Figur 7 zeigt einen Fall, bei dem Metallplattenschichten
53 und 54 aus Al oder dergleichen verwendet werden und ein höheres Potential haben als die Elektrode 51 für das hohe Potential. Die Metallplattenschichten 53 und 54 brauchen nicht immer dasselbe Potential zu haben.
Mit einem Aufbau der oben beschriebenen Art können die Erhöhung des Durchbruch-Spannungswertes und das Verhindern eines parasitären MOS-Transistors bei einem Widerstandselement in einer integrierten Schaltung erreicht werden, ohne irgendwelche komplizierten Schritte zu unternehmen.
Nachstehend wird eine Ausführungsform eines PNP-Transistors beschrieben, der den Aufbau einer erfindungsgemäßen Halbleiteranordnung mit hoher Durchbruchspannung verwendet. Figur 8A zeigt eine Draufsicht und Figur 8B einen Schnitt längs der Linie A-A1 in Figur 8A, während Figur 8C einen Schnitt längs der Linie B-B1 in Figur 8A zeigt. Der PNP-Transistor gemäß dieser Ausführungsform verwendet einen Aufbau für die hohe Durchbruchspannung gemäß Figur 5A und 5B.
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In Figuren 8A, 8B und 8C bezeichnen die Bezugszeichen 22 und 23 P-leitende Verunreinigungsbereiche mit einer Verunreinigungskonzentration von etwa 5 · 10 cm"3, welche einen Emitterbereich bzw. einen Kollektorbereich eines Lateral-PNP-Transistors bilden. Ein N-leitender Halbleiterkörper 1, z.B. ein Si-Körper, dient als Basisbereich mit
14 —3 einer Verunreinigungskonzentration von etwa 10 cm . Mit dem Bezugszeichen 7 ist ein N-leitender Bereich hoher Verunreinigungskonzentration (hochdotierter Bereich) mit einer Ver-
20 —3
unreinigungskonzentration von etwa 10 cm für eine Basiselektrode bezeichnet.
Eine mit einer strichpunktierten Linie angedeutete Elektrode 50, die mit dem Emitterbereich verbunden ist und die aus Al oder dergleichen besteht, erstreckt sich hinüber über einen P-leitenden Bereich 32 geringer Verunreinigungskonzentration (niedrig dotierter Bereich) mit einer Verunreinigungs-
12 —3
konzentration von etwa 10 cm , der sich vom Kollektorbereich 23 aus erstreckt. Außerdem ist eine mit einer strichpunktierten Linie angedeutete Verbindungsschicht 50' vorgesehen, die sich nicht über den Kollektorbereich 23 erstreckt, wie es beim Schnitt längs der Linie B-B1 in Figur 8C dargestellt ist. Aufgrund dieses Aufbaus kann die Kollektor-Emitter -Durchbruchspannung gesteigert werden. Da außerdem ein Basisbreitenbereich zwischen den Bereichen 22 und 32 beim Schmitt längs der Linie A-A1 in Figur 8B vollständig von der Verbindungsschicht 50 auf Emitterpotential überzogen ist, wird der PNP-Transistor nicht durch bewegliche Ladungen oder Ionen beeinflusst und erzielt damit eine gesteigerte Zuverlässigkeit.
Außerdem wird es durch richtige Steuerung des Wertes der Basisbreite, also des Abstandes zwischen den Bereichen 22 und 32 beim Schnitt A-A1 in Figur 8B, sowie der Länge des Bereiches 32 möglich, die Durchbruchspannung durch den Abstand zwischen den Bereichen 22 und 23 zu bestimmen und den Stromverstärkungsfaktor des PNP-Transistors durch die Basisbreite zu bestimmen. Dies bedeutet, daß die Steigerung
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der Durchbruchspannung und die Erhöhung der Gleichstromverstärkung h„E bei geerdeten Emitter kompatibel sind, wobei diese Kompatibilität bei herkömmlichen PNP-Transistoren schwierig ist. Da darüber hinaus die Basisbreite ohne irgendeine direkte Relation mit der Durchbruchspannung eingestellt werden kann, läßt sich außerdem das Frequenzverhalten verbessern.
Wie oben beschrieben, kann unter Verwendung des Aufbaus gemäß Figur 8A, 8B und 8C ohne weiteres ein PNP-Transistor realisiert werden, der eine höhere Durchbruchspannung aufweist als ein herkömmlicher Transistor und der eine hohe Gleichstromverstärkung hpE bei geerdetem Emitter sowie Stromverstärkungs-Bandbreitenfrequenz f„ sowie eine ausgezeichnete Zuverlässigkeit besitzt.
In den Figuren 8A, 8B und 8C bezeichnen die Bezugszeichen 55 und 56 eine Kollektorelektrode bzw. eine Basiselektrode aus Al oder dergleichen, während das Bezugszeichen 4 einen Isolierfilm aus SiO2 oder dergleichen bezeichnet.
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Claims (4)

  1. PATENTANWÄLTE ' .
    SCHIFF ν. FÜNER STREHL SCHÜBEL-HOPF EBBINGHAUS FINCK
    MARIAHILFPLATZ 2 Λ 3, MÖNCHEN SO 310378S
    POSTADRESSE: POSTFACH 95O160, D-8OOO MDNCHEN 95 V ! V ■ -
    HITACHI, LTD. 4. Februar 19 81
    DEA-25 400
    Halbleiteranordnung mit hoher Durchbruchspannung PATENTANS PRÜCHE
    Ό
    / 1/ Halbleiteranordnung mit hoher Durchbruchspannung, nut einem Halbleiterkörper vom ersten Leitungstyp, mit einem Verunreinigungsbereich vom zweiten Leitungstyp, der in einem Hauptoberflächenbereich des Körpers angeordnet ist, und mit einer Verbindungsschicht und/oder plattenförmigen Schicht auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers unter Zwischenschaltung einer Isolierschicht, dadurch gekennzeichnet, daß ein gering dotierter Bereich (3, 31) vom zweiten Leitungstyp um den Verunreinigungsbereich (2, 21) angeordnet ist und daß die Verbindungsschicht und/oder plattenförmige Schicht (5, 51) über dem gering dotierten Bereich (3, 31) in der Weise liegt, daß sie einen Teil über dem Verunreinigungsbereich (2, 21) vermeidet.
  2. 2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß der Verunreinigungsbereich (2, 21)
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    "2" 3103795
    einen Widerstandskörper eines Widerstandselementes bildet und daß die plattenförmige Schicht (51) einen Ausdehnungsbereich (51·) einer Elektrode hohen Potentials des Widerstandselementes bildet.
  3. 3. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Verunreinxgungsbereich ein Kollektorbereich (23) eines Lateral-PNP-Transistor,s ist, daß die plattenförmige Schicht (50, 50') ein Ausdehnungsbereich einer Emitterelektrode (22) des Lateral-PNP-Transistors ist und daß die plattenförmige Schicht (50, 50') sich über den gering dotierten Bereich (32) erstreckt, der zwischen den Kollektorbereich (23) liegt.
  4. 4. Anordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet , daß die plattenförmige Schicht (50, 50') als Ausdehnungsbereich der Emitterelektrode (22) einen Hauptteil des Körperoberflächenbereiches zwischen dem Emitter (22) und dem Kollektor (23) des PNP-Transistors überdeckt und über dem gering dotierten Bereich (32) um den Kollektorbereich (23) endet.
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DE19813103785 1980-02-04 1981-02-04 Halbleiteranordnung mit hoher durchbruchspannung Granted DE3103785A1 (de)

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