DE2817480C2 - Hybridschaltung, die mit einer Halbleiterschaltung versehen ist - Google Patents
Hybridschaltung, die mit einer Halbleiterschaltung versehen istInfo
- Publication number
- DE2817480C2 DE2817480C2 DE2817480A DE2817480A DE2817480C2 DE 2817480 C2 DE2817480 C2 DE 2817480C2 DE 2817480 A DE2817480 A DE 2817480A DE 2817480 A DE2817480 A DE 2817480A DE 2817480 C2 DE2817480 C2 DE 2817480C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- substrate
- semiconductor element
- spacers
- circuit
- conductors
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/13—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/4985—Flexible insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/162—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits the devices being mounted on two or more different substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01021—Scandium [Sc]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01023—Vanadium [V]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01046—Palladium [Pd]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01075—Rhenium [Re]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/1026—Compound semiconductors
- H01L2924/1027—IV
- H01L2924/10272—Silicon Carbide [SiC]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
- H01L2924/19043—Component type being a resistor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Combinations Of Printed Boards (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Description
35
Die Erfindung betrifft eine Hybridschaltung, bestehend aus einem mit Leitern versehenen isolierenden
Substrat, auf dem eine Halbleiterschaltung angebracht
ist, die aus einer mit Leiterbahnen versehenen isolierenden Folie besteht, deren Leiterbahnenden mit
den Leitern des Substrates verbunden sind und aus einem Halbleiterelement, das mit den Leiterbahnen der
Folie verbunden ist und mit der von der Folie abgekehrten Seite am Substrat befestigt ist und
Distanzgliedern, die wenigstens teilweise unter dem Halbleiterelement liegen und auf denen das Halbleiterelement
ruht.
Aus GB-PS 14 12 363 ist eine Hybridschaltung bekannt, bei welcher ein Halbleiterelement mit Leitern
verbunden ist, die auf einem isolierenden Substrat angebracht sind, wobei sich auf dem Substrat Distanzglieder
befinden, auf denen das Halbleiterelement ruht. Die Distanzglieder werden mittels eines Fotoätzverfahrens
hergestellt. Dieser Prozeß ist kompliziert und daher für eine rationelle Großserienfertigung nicht
optimal.
Aus der niederländischen Patentanmeldung 69 15 992 ist eine Hybridschaltung bekannt, bei der das Halbleiterelement
mit Hilfe von Lot oder eines leitenden Klebers eo am Substrat befestigt ist, während die Enden der
Leiterbahnen auf einer Folie mit Leitern auf dem Substrat verlötet sind. Dabei kann sich das Problem
ergeben, daß beim Befestigen Lot oder leitender Kleber unter dem Halbleiterelement weggedrückt wird und
einen Kurzschluß mit den Leiterbahnen der Folie bildet. Um bei einer Verbindung zu verhindern, daß Lot oder
Kleber zu stark weggedrückt wird, wurde bereits vorgeschlagen, lose Distanzglieder zwischen einem
Halbleiterelement und einem Substrat anzuordnen. Diese Lösung arbeitet jedoch nicht mit reproduzierbaren
Ergebnissen und eignet sich deshalb auch nicht zur Anwendung bei der Massenherstellung.
Bei gewünschten geringen Abmessungen der Halbleiterschaltung
liegen die Enden der Leiterbahnen in der Nähe von Rändern der Folie nahe beieinander. Die
Verbindung dieser Leiterenden mit Leitern auf dem Substrat besteht vorzugsweise aus einer Lötverbindung.
Auch in diesem Falle ist es sehr schwierig, zu verhindern, daß das Lot während des Verbindungsvorgangs
weggedrückt wird, wodurch die Möglichkeit eines Kurzschlusses an der betreffenden Stelle groß ist
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Hybridschaltung der eingangs genannten Art zu
schaffen, wobei eine Folie mit einem Halbleiterelement auf einfache Weise auf einem Substrat befestigt werden
kann und eine einfache Herstellung der Distanzglieder ermöglicht wird und bei der Kurzschlüsse, die durch die
Art der Montage des Halbleiterelementes auf dem Substrat verursacht werden können, vermieden werden.
Diese Aufgabe wird durch die im Patentanspruch 1 gekennzeichneten Merkmale gelöst
Bei einem Substrat für eine Hybridschaltung werden die Leiter, die Widerstände und das Dielektrikum häufig
in Dickfilmtechnik mit Hilfe eines Siebdruckverfahrens angebracht Das Anbringen der Distanzglieder kann
nun zugleich mit dem Anbringen für weitere Zwecke benötigter Dickfilmschichten erfolgen, so daß bei der
Herstellung kein gesonderter Verfahrensschritt erforderlich ist
Die Distanzglieder unter dem Halbleiterelement bilden Tragflächen; ihre Höhe definiert genau den
Abstand zwischen dem Halbleiterelement und dem Substrat. Durch diese definierte Höhe kann nun eine
derartige Menge Befestigungsmaterial, z. B. Lot oder Kleber, verwendet werden, daß die Befestigungsfläche
des Halbleiterelements völlig oder nahezu völlig mit dem Substrat verbunden ist, wobei ein Kurzschluß mit
den Leiterbahnen der Folie mit Sicherheit vermieden wird.
Eine Löt- oder Klebverbindung genügender Dicke ist weiter günstig, um eine thermische Ermüdung der
Verbindung zu vermeiden. Die langgestreckten Distanzglieder, die zwischen den Leitern auf dem Substrat an
der Stelle der Verbindung mit der Folie liegen, verhindern, daß dazwischen liegendes Befestigungsmaterial,
z. B. Lot, von der Folie weggedrückt werden kann. Es wird eine Verbindung zwischen den Leitern des
Substrates und den Leiterbahnen der Folie hergestellt, wobei ein Kurzschluß zwischen nebeneinanderliegenden
Leitern nicht auftreten kann. Eine geeignete Höhe der langgestreckten Distanzglieder setzt weiter das
Durchbiegen der Folie und damit die Spannungen in der Folie herab.
Bei einer günstigen Ausführungsform sind die Distanzglieder als ein im wesentlichen rechteckiger
Streifen ausgebildet, wobei von jeder der Innenseiten dieser Streifen ein fingerförmiger Teil bis unter das
Halbleiterelement reicht, während sich eine Anzahl weiterer fingerförmiger Teile von mindestens zwei
einander gegenüberliegenden Außenseiten her in Richtung der Folienränder erstrecken. Diese Ausbildung
des Musters von Distanzgliedern weist den Vorteil auf, daß unter dem rechteckigen Streifen ein oder
mehrere Leiter liegen können, weil sie nicht mit den Leiterbahnen auf der Folie in Kontakt kommen können.
Bei einem Substrat für eine Hybridschaltung werden die Leiter, die Widerstände und das Dielektrikum
meistens in Dickfilmtechnik mit Hilfe eines Siebdruckverfahrens angebracht Nach einer günstigen Ausführungsform
der Erfindung sind die Distaniiglieder aus einem dicken Film eines Materials hergestellt, das
zugleich für andere Zwecke auf dem Substrat verwendet wird. Das Anbringen der Distanzglieder
kann nun zugleich mit dem Anbringen für weitere Zwecke benötigter Dickfilmschichten erfolgen, so daß
bei der Herstellung kein gesonderter Verfahrensschritt erforderlich ist
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird anhand der Zeichnung näher erläutert Es zeigt
F i g. 1 einen Schnitt durch einen Teil der Hybridschaltung,
wobei eine Befestigungsweise der Folie mit dem Halbleiterelement dargestellt ist,
Fig.2 eine Draufsicht auf einen Teil der Fig. 1, und
F i g. 3 eine Draufsicht auf eine Ausführungsform von Distanzgliedern auf einem Substrat an der Stelle, an der
die Folie mit dem Haibleiterelement befestigt wird.
In der Ausführungsform nach Fig.? ist ein isolierendes
Substrat 1 mit Leitern 2 und 3 dargestellt, wobei das Substrat z. B. aus Aluminiumoxid besteht und die Leiter
z. B. aus einer Palladium-Silberschicht bestehen. Auf einem derartigen Substrat sind meistens weitere nicht
dargestellte Überzüge in Dickfilmtechnik, z. B. mit Hilfe
eines Siebdrückverfahrens, angebracht Diese Überzüge können aus nach einem gewünschten Muster angebrachten
weiteren Leitern, Widerständen und Isolierschichten, wie Glas, bestehen. Zugleich, mit z. B. eurer
Isolierschicht kann nun auch ein Muster von Distanzgliedern 6, 7 an der Befestigungsstelle einer Halbleiterschaltung
angebracht werden, die aus einer isolierenden biegsamen Folie 4 besteht und ein Halbleiterelement 5
trägt Die Folie 4 besteht z. B. aus einem Polyimid mit einer Dicke von 25 μπι, auf dem sich Leiterbahnen 8 mit
einer Dicke von 8 μπτ befinden. Ein Teil eines möglichen
Musters von Distanzgliedern 6, 7 aus Isoliermaterial ist in Fig.2 in Draufsicht dargestellt; eine andere to
Ausführungsform zeigt F i g. 3.
In den F i g. 1 und 2 sind die Distanzglieder als Balken
6 und 7 ausgebildet. Die Folie 4 wird mit ihren Seitenrändern oberhalb der Distanzglieder 7 angeordnet;
das Halbleiterelement 5 ruht auf Enden der Distanzglieder 6. An der Stelle der Befestigung des
Halbleiterelements ist auf dem Substrat, z. B. Lot, z. B. mit Hilfe eines Siebdruckverfahrens angebracht. Die
Lötoberfläche ist kleiner als die Oberfläche des Halbleiterelements gewählt; die Höhe derselben ist
größer als die Dicke der Balken 6. Auch oberhalb der Leiter 2 ist Lot angebracht das den Raum zwischen den
Balken 7 ausfüllt
Die von der Folie 4 abgekehrte Seite des Halbleiterelements drückt beim Befestigen am Substrat das Lot
weg, bis das Halbleiterelement 5 auf den Distanzgliedern 6 ruht Das Lot wird dann bis zu etwa dem Rande
des Halbleiterelements 5 weggedrückt sein; die Möglichkeit eines Kurzschlusses mit Leiterbahnen auf
der Folie ist ausgeschlossen.
Die Enden der Leiterbahnen 8 auf der Folie 4 werden an den Leitern 2 des Substrats 1 mit Hilfe zwischen den
Balken 7 angebrachten Lots befestigt Die Balken 7 verhindern, daß Lot einen Kurzschluß zwischen
benachbarten Leitern 2 bilden kann.
Der Abstand zwischen dem Halbleiterelement 5 und dem Substrat 1 und somit die Dicke der Distanzglieder 6
wird vorzugsweise zwischen 20 und 40 μπι gewählt Die Dicke z.B. einer durch Siebdrucken angebrachten
Lötpaste ist dann etwa 150 bis 200 μπι, wobei die Paste
40 Vol.-% Lötpulver enthält Die ursprüngliche Lötoberfläche weist dann vorzugsweise eine Größe von
weniger als 50% der Oberfläche des Halbleiterelements auf.
Fig.3 zeigt eine günstige Ausführungsform des Musters von Distanzgliedern. Die Außenabmessungen
dieses Musters entsprechen nahezu den Abmessungen der Folie 4. Ein rechteckiger Rahmen 10 enthält vier
nach innen hervorragende fingerförmige Teile 11, auf denen das Halbleiterelement zu liegen kommt Auf der
Außenseite ist der Rahmen mit fingerförmigen Teilen 12 und Eckteilen 13 versehen, auf denen die Seiten der
Folie ruhen. Zwischen den Teilen 12 wird das Lot zum Verbinden der Leiter mit den Folienleiterbahnen
angebracht Dieses aus einem Ganzen bestehende Muster läßt sich einfach anbringen. Der Rahmen 10
bildet dabei eine zusätzliche Sicherung gegen Kurzschluß zwischen den Folienleiterbahnen und etwaigen
weiteren Leitern auf dem Substrat.
Die Distanzglieder sind in der Zeichnung als langgestreckte Teile dargestellt Für die das Halbleiterelement
tragenden Distanzglieder ist dies nicht notwendig; jede gewünschte Form kann dabei Anwendung
finden, wie z. B. mindestens drei kleine nur unter dem Halbleiterelement liegende Erhöhungen. Auch
braucht dabei das Material der Distanzglieder nicht isolierend zu sein; die Distanzglieder können ohne
weiteres aus Widerstandsmaterial oder elektrisch leitendem Material bestehen. Weiter kann statt Lot
auch eine Kleberverbindung verwendet werden, die elektrisch und/oder thermisch leitend ist
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (2)
1. Hybridschaltung, bestehend aus einem mit Leitern versehenen isolierenden Substrat, auf dem
eine Halbleiterschaltung angebracht ist, die aus einer mit Leiterbahnen versehenen isolierenden Folie
besteht, deren Leiterbahnenden mit den Leitern des Substrates verbunden sind und aus einem Halbleiterelement,
das mit den Leiterbahnen der Folie verbunden ist und mit der von der Folie abgekehrten 1
Seite am Substrat befestigt ist und Distanzgliedern, die wenigstens teilweise unter dem Halbleiterelement
liegen und auf denen das Halbleiterelement ruht, dadurch gekennzeichnet, daß die
Distanzglieder (6) auf dem Substrat (1) aus einem, 1S
dem gewünschten Abstand entsprechend dicken Film eines Materials gebildet sind, das zugleich für
andere Teile der Hybridschaltung verwendet wird, die Distanzglieder (7) auch zwischen den Substratanschlüssen
(2) auf der Halbleiterschaltung angeordnet und sowohl der Raum zwischen den Distanzgliedern
(7), den Substratanschlüssen (2) und den Anschlüssen auf der Folie (8), als auch zwischen Substrat (1) und
Halbleiterelement (5), ganz mit jeweils geeignetem Befestigungsmaterial ausgefüllt ist
2. Hybridschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Distanzglieder als ein im
wesentlichen rechteckiger Rahmen (10) ausgebildet sind, von dessen Innenseiten jeweils ein fingerförmiger
Teil (11) bis unter das Halbleiterelement reicht und die Außenseiten mit fingerförmigen Teilen (12)
und Eckteilen (13) versehen sind.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL7704773A NL7704773A (nl) | 1977-05-02 | 1977-05-02 | Hybrideschakeling voorzien van een halfgeleider- schakeling. |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2817480A1 DE2817480A1 (de) | 1978-11-09 |
DE2817480C2 true DE2817480C2 (de) | 1984-02-16 |
Family
ID=19828470
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2817480A Expired DE2817480C2 (de) | 1977-05-02 | 1978-04-21 | Hybridschaltung, die mit einer Halbleiterschaltung versehen ist |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4180828A (de) |
JP (1) | JPS593855B2 (de) |
AU (1) | AU515259B2 (de) |
CA (1) | CA1110778A (de) |
DE (1) | DE2817480C2 (de) |
FR (1) | FR2390006B1 (de) |
GB (1) | GB1553559A (de) |
IT (1) | IT1094979B (de) |
NL (1) | NL7704773A (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3701343A1 (de) * | 1986-01-22 | 1987-07-23 | Sharp Kk | Verfahren zur montage eines lsi- bzw. ic-bausteins auf einer verdrahtungsunterlage |
DE4418679A1 (de) * | 1994-05-28 | 1995-11-30 | Telefunken Microelectron | Vorrichtung zur Kontaktierung zweier Schaltungsteile |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2435883A1 (fr) * | 1978-06-29 | 1980-04-04 | Materiel Telephonique | Circuit integre hybride et son procede de fabrication |
JPS5568659A (en) * | 1978-11-20 | 1980-05-23 | Hitachi Ltd | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JPS57103430A (en) * | 1980-12-18 | 1982-06-28 | Sony Corp | Dpcm encoding device |
DE3378870D1 (en) * | 1982-09-09 | 1989-02-09 | Siemens Ag | Cooling device for a plurality of integrated components assembled as a flat structure |
DE3378871D1 (en) * | 1982-09-09 | 1989-02-09 | Siemens Ag | Cooling device for a plurality of integrated components assembled as a flat structure |
JPS6080357A (ja) * | 1983-10-08 | 1985-05-08 | Ricoh Co Ltd | 電子回路担持装置 |
US4607276A (en) * | 1984-03-08 | 1986-08-19 | Olin Corporation | Tape packages |
GB2167228B (en) * | 1984-10-11 | 1988-05-05 | Anamartic Ltd | Integrated circuit package |
DE3727389A1 (de) * | 1987-08-17 | 1989-03-02 | Heidenhain Gmbh Dr Johannes | Elektrische verbindung |
GB2218847B (en) * | 1988-05-16 | 1991-04-24 | Gen Electric Co Plc | Carrier for semiconductor devices |
DE4132947C2 (de) * | 1991-10-04 | 1998-11-26 | Export Contor Ausenhandelsgese | Elektronische Schaltungsanordnung |
JPH0750762B2 (ja) * | 1992-12-18 | 1995-05-31 | 山一電機株式会社 | Icキャリア |
US5512780A (en) * | 1994-09-09 | 1996-04-30 | Sun Microsystems, Inc. | Inorganic chip-to-package interconnection circuit |
DE19529237C1 (de) * | 1995-08-09 | 1996-08-29 | Semikron Elektronik Gmbh | Schaltungsanordnung |
US6168971B1 (en) | 1998-05-05 | 2001-01-02 | Fujitsu Limited | Method of assembling thin film jumper connectors to a substrate |
DE10121970B4 (de) * | 2001-05-05 | 2004-05-27 | Semikron Elektronik Gmbh | Leistungshalbleitermodul in Druckkontaktierung |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2021484A1 (de) * | 1968-10-24 | 1970-07-24 | Inst Halvledarfors | |
US3811186A (en) * | 1972-12-11 | 1974-05-21 | Ibm | Method of aligning and attaching circuit devices on a substrate |
US3916435A (en) * | 1974-09-09 | 1975-10-28 | Gen Motors Corp | Heat sink assembly for button diode rectifiers |
US4009485A (en) * | 1974-12-23 | 1977-02-22 | General Electric Company | Semiconductor pellet assembly mounted on ceramic substrate |
-
1977
- 1977-05-02 NL NL7704773A patent/NL7704773A/xx not_active Application Discontinuation
-
1978
- 1978-04-21 DE DE2817480A patent/DE2817480C2/de not_active Expired
- 1978-04-24 US US05/899,070 patent/US4180828A/en not_active Expired - Lifetime
- 1978-04-27 CA CA302,144A patent/CA1110778A/en not_active Expired
- 1978-04-28 JP JP53050200A patent/JPS593855B2/ja not_active Expired
- 1978-04-28 FR FR7812641A patent/FR2390006B1/fr not_active Expired
- 1978-04-28 AU AU35569/78A patent/AU515259B2/en not_active Expired
- 1978-04-28 GB GB16953/78A patent/GB1553559A/en not_active Expired
- 1978-04-28 IT IT7822877A patent/IT1094979B/it active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3701343A1 (de) * | 1986-01-22 | 1987-07-23 | Sharp Kk | Verfahren zur montage eines lsi- bzw. ic-bausteins auf einer verdrahtungsunterlage |
DE4418679A1 (de) * | 1994-05-28 | 1995-11-30 | Telefunken Microelectron | Vorrichtung zur Kontaktierung zweier Schaltungsteile |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA1110778A (en) | 1981-10-13 |
NL7704773A (nl) | 1978-11-06 |
DE2817480A1 (de) | 1978-11-09 |
FR2390006B1 (de) | 1985-05-17 |
IT7822877A0 (it) | 1978-04-28 |
IT1094979B (it) | 1985-08-10 |
JPS593855B2 (ja) | 1984-01-26 |
US4180828A (en) | 1979-12-25 |
GB1553559A (en) | 1979-09-26 |
JPS53136481A (en) | 1978-11-29 |
AU515259B2 (en) | 1981-03-26 |
AU3556978A (en) | 1979-11-01 |
FR2390006A1 (de) | 1978-12-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2817480C2 (de) | Hybridschaltung, die mit einer Halbleiterschaltung versehen ist | |
DE68908808T2 (de) | Verfahren zum Montieren elektronischer Mikrokomponenten auf einer Unterlage und Zwischenprodukt. | |
DE2732529C2 (de) | Gedruckte Schaltungsplatine | |
DE19953162B4 (de) | Verfahren zum Herstellen von Thermistor-Chips | |
DE4317125C2 (de) | Monolithische Mehrschicht-Chip-Induktivität | |
DE2103064A1 (de) | Vorrichtung zur Herstellung von Modulelementen | |
DE3322674A1 (de) | Kondensator | |
DE19739495C2 (de) | Piezoelektrisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung desselben | |
DE2929547C2 (de) | Mikrowellen-Dämpfungsglied | |
DE3138743A1 (de) | In einem dichten gehaeuse montiertes oberflaechenwellenfilter und dergleichen | |
DE2536711C3 (de) | Hochspannungsgleichrichter für Hochspannungskaskaden | |
DE112020001355T5 (de) | Chip-widerstand | |
DE9217155U1 (de) | Schaltungsanordnung | |
DE69628630T2 (de) | Dielektrisches filter und produktionsverfahren dafür | |
DE3020466A1 (de) | Sammelschiene mit mindestens einem paar langgestreckter, zueinander parallel gefuehrter leiter und verfahren zur herstellung einer solchen sammelschiene | |
DE3035933C2 (de) | Pyroelektrischer Detektor sowie Verfahren zur Herstellung eines solchen Detektors | |
DE2852355C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines elektrostatischen Druckkopfes | |
DE3420497C2 (de) | ||
DE3323830C2 (de) | Anordnung zum Auflöten einer elektrischen Schaltungsplatte auf einen Grundkörper | |
DE3731787A1 (de) | Anordnung von mehreren ic's auf einem bandstreifen aus isoliermaterial | |
DE1927387A1 (de) | Sonnenbatterie | |
DE3812922C2 (de) | ||
DE69331649T2 (de) | TAB Band und sein Herstellungsverfahren | |
DE2635747C3 (de) | Halterung für scheibenförmige piezoelektrische Kristalle und Verfahren zur Herstellung der Halterung | |
DE2912493A1 (de) | Praezisionswiderstand und verfahren zu seiner herstellung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: NEHMZOW-DAVID, F., PAT.-ASS., 2000 HAMBURG |
|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |