[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

DE2817480C2 - Hybridschaltung, die mit einer Halbleiterschaltung versehen ist - Google Patents

Hybridschaltung, die mit einer Halbleiterschaltung versehen ist

Info

Publication number
DE2817480C2
DE2817480C2 DE2817480A DE2817480A DE2817480C2 DE 2817480 C2 DE2817480 C2 DE 2817480C2 DE 2817480 A DE2817480 A DE 2817480A DE 2817480 A DE2817480 A DE 2817480A DE 2817480 C2 DE2817480 C2 DE 2817480C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
substrate
semiconductor element
spacers
circuit
conductors
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE2817480A
Other languages
English (en)
Other versions
DE2817480A1 (de
Inventor
Willem Christiaan Hildering
Karl Franz Eindhoven Nickl von Nikelsberg
Gijsbertus Johannes Hendrik Schermer
Hubertus Henricus Alphonsus Winters
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE2817480A1 publication Critical patent/DE2817480A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2817480C2 publication Critical patent/DE2817480C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/50Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/13Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/4985Flexible insulating substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/162Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits the devices being mounted on two or more different substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01019Potassium [K]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01021Scandium [Sc]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01023Vanadium [V]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01046Palladium [Pd]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01075Rhenium [Re]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025Semiconducting materials
    • H01L2924/1026Compound semiconductors
    • H01L2924/1027IV
    • H01L2924/10272Silicon Carbide [SiC]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19043Component type being a resistor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Combinations Of Printed Boards (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Description

35
Die Erfindung betrifft eine Hybridschaltung, bestehend aus einem mit Leitern versehenen isolierenden Substrat, auf dem eine Halbleiterschaltung angebracht ist, die aus einer mit Leiterbahnen versehenen isolierenden Folie besteht, deren Leiterbahnenden mit den Leitern des Substrates verbunden sind und aus einem Halbleiterelement, das mit den Leiterbahnen der Folie verbunden ist und mit der von der Folie abgekehrten Seite am Substrat befestigt ist und Distanzgliedern, die wenigstens teilweise unter dem Halbleiterelement liegen und auf denen das Halbleiterelement ruht.
Aus GB-PS 14 12 363 ist eine Hybridschaltung bekannt, bei welcher ein Halbleiterelement mit Leitern verbunden ist, die auf einem isolierenden Substrat angebracht sind, wobei sich auf dem Substrat Distanzglieder befinden, auf denen das Halbleiterelement ruht. Die Distanzglieder werden mittels eines Fotoätzverfahrens hergestellt. Dieser Prozeß ist kompliziert und daher für eine rationelle Großserienfertigung nicht optimal.
Aus der niederländischen Patentanmeldung 69 15 992 ist eine Hybridschaltung bekannt, bei der das Halbleiterelement mit Hilfe von Lot oder eines leitenden Klebers eo am Substrat befestigt ist, während die Enden der Leiterbahnen auf einer Folie mit Leitern auf dem Substrat verlötet sind. Dabei kann sich das Problem ergeben, daß beim Befestigen Lot oder leitender Kleber unter dem Halbleiterelement weggedrückt wird und einen Kurzschluß mit den Leiterbahnen der Folie bildet. Um bei einer Verbindung zu verhindern, daß Lot oder Kleber zu stark weggedrückt wird, wurde bereits vorgeschlagen, lose Distanzglieder zwischen einem Halbleiterelement und einem Substrat anzuordnen. Diese Lösung arbeitet jedoch nicht mit reproduzierbaren Ergebnissen und eignet sich deshalb auch nicht zur Anwendung bei der Massenherstellung.
Bei gewünschten geringen Abmessungen der Halbleiterschaltung liegen die Enden der Leiterbahnen in der Nähe von Rändern der Folie nahe beieinander. Die Verbindung dieser Leiterenden mit Leitern auf dem Substrat besteht vorzugsweise aus einer Lötverbindung. Auch in diesem Falle ist es sehr schwierig, zu verhindern, daß das Lot während des Verbindungsvorgangs weggedrückt wird, wodurch die Möglichkeit eines Kurzschlusses an der betreffenden Stelle groß ist
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Hybridschaltung der eingangs genannten Art zu schaffen, wobei eine Folie mit einem Halbleiterelement auf einfache Weise auf einem Substrat befestigt werden kann und eine einfache Herstellung der Distanzglieder ermöglicht wird und bei der Kurzschlüsse, die durch die Art der Montage des Halbleiterelementes auf dem Substrat verursacht werden können, vermieden werden.
Diese Aufgabe wird durch die im Patentanspruch 1 gekennzeichneten Merkmale gelöst
Bei einem Substrat für eine Hybridschaltung werden die Leiter, die Widerstände und das Dielektrikum häufig in Dickfilmtechnik mit Hilfe eines Siebdruckverfahrens angebracht Das Anbringen der Distanzglieder kann nun zugleich mit dem Anbringen für weitere Zwecke benötigter Dickfilmschichten erfolgen, so daß bei der Herstellung kein gesonderter Verfahrensschritt erforderlich ist
Die Distanzglieder unter dem Halbleiterelement bilden Tragflächen; ihre Höhe definiert genau den Abstand zwischen dem Halbleiterelement und dem Substrat. Durch diese definierte Höhe kann nun eine derartige Menge Befestigungsmaterial, z. B. Lot oder Kleber, verwendet werden, daß die Befestigungsfläche des Halbleiterelements völlig oder nahezu völlig mit dem Substrat verbunden ist, wobei ein Kurzschluß mit den Leiterbahnen der Folie mit Sicherheit vermieden wird.
Eine Löt- oder Klebverbindung genügender Dicke ist weiter günstig, um eine thermische Ermüdung der Verbindung zu vermeiden. Die langgestreckten Distanzglieder, die zwischen den Leitern auf dem Substrat an der Stelle der Verbindung mit der Folie liegen, verhindern, daß dazwischen liegendes Befestigungsmaterial, z. B. Lot, von der Folie weggedrückt werden kann. Es wird eine Verbindung zwischen den Leitern des Substrates und den Leiterbahnen der Folie hergestellt, wobei ein Kurzschluß zwischen nebeneinanderliegenden Leitern nicht auftreten kann. Eine geeignete Höhe der langgestreckten Distanzglieder setzt weiter das Durchbiegen der Folie und damit die Spannungen in der Folie herab.
Bei einer günstigen Ausführungsform sind die Distanzglieder als ein im wesentlichen rechteckiger Streifen ausgebildet, wobei von jeder der Innenseiten dieser Streifen ein fingerförmiger Teil bis unter das Halbleiterelement reicht, während sich eine Anzahl weiterer fingerförmiger Teile von mindestens zwei einander gegenüberliegenden Außenseiten her in Richtung der Folienränder erstrecken. Diese Ausbildung des Musters von Distanzgliedern weist den Vorteil auf, daß unter dem rechteckigen Streifen ein oder mehrere Leiter liegen können, weil sie nicht mit den Leiterbahnen auf der Folie in Kontakt kommen können.
Bei einem Substrat für eine Hybridschaltung werden die Leiter, die Widerstände und das Dielektrikum meistens in Dickfilmtechnik mit Hilfe eines Siebdruckverfahrens angebracht Nach einer günstigen Ausführungsform der Erfindung sind die Distaniiglieder aus einem dicken Film eines Materials hergestellt, das zugleich für andere Zwecke auf dem Substrat verwendet wird. Das Anbringen der Distanzglieder kann nun zugleich mit dem Anbringen für weitere Zwecke benötigter Dickfilmschichten erfolgen, so daß bei der Herstellung kein gesonderter Verfahrensschritt erforderlich ist
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird anhand der Zeichnung näher erläutert Es zeigt
F i g. 1 einen Schnitt durch einen Teil der Hybridschaltung, wobei eine Befestigungsweise der Folie mit dem Halbleiterelement dargestellt ist,
Fig.2 eine Draufsicht auf einen Teil der Fig. 1, und
F i g. 3 eine Draufsicht auf eine Ausführungsform von Distanzgliedern auf einem Substrat an der Stelle, an der die Folie mit dem Haibleiterelement befestigt wird.
In der Ausführungsform nach Fig.? ist ein isolierendes Substrat 1 mit Leitern 2 und 3 dargestellt, wobei das Substrat z. B. aus Aluminiumoxid besteht und die Leiter z. B. aus einer Palladium-Silberschicht bestehen. Auf einem derartigen Substrat sind meistens weitere nicht dargestellte Überzüge in Dickfilmtechnik, z. B. mit Hilfe eines Siebdrückverfahrens, angebracht Diese Überzüge können aus nach einem gewünschten Muster angebrachten weiteren Leitern, Widerständen und Isolierschichten, wie Glas, bestehen. Zugleich, mit z. B. eurer Isolierschicht kann nun auch ein Muster von Distanzgliedern 6, 7 an der Befestigungsstelle einer Halbleiterschaltung angebracht werden, die aus einer isolierenden biegsamen Folie 4 besteht und ein Halbleiterelement 5 trägt Die Folie 4 besteht z. B. aus einem Polyimid mit einer Dicke von 25 μπι, auf dem sich Leiterbahnen 8 mit einer Dicke von 8 μπτ befinden. Ein Teil eines möglichen Musters von Distanzgliedern 6, 7 aus Isoliermaterial ist in Fig.2 in Draufsicht dargestellt; eine andere to Ausführungsform zeigt F i g. 3.
In den F i g. 1 und 2 sind die Distanzglieder als Balken 6 und 7 ausgebildet. Die Folie 4 wird mit ihren Seitenrändern oberhalb der Distanzglieder 7 angeordnet; das Halbleiterelement 5 ruht auf Enden der Distanzglieder 6. An der Stelle der Befestigung des Halbleiterelements ist auf dem Substrat, z. B. Lot, z. B. mit Hilfe eines Siebdruckverfahrens angebracht. Die Lötoberfläche ist kleiner als die Oberfläche des Halbleiterelements gewählt; die Höhe derselben ist größer als die Dicke der Balken 6. Auch oberhalb der Leiter 2 ist Lot angebracht das den Raum zwischen den Balken 7 ausfüllt
Die von der Folie 4 abgekehrte Seite des Halbleiterelements drückt beim Befestigen am Substrat das Lot weg, bis das Halbleiterelement 5 auf den Distanzgliedern 6 ruht Das Lot wird dann bis zu etwa dem Rande des Halbleiterelements 5 weggedrückt sein; die Möglichkeit eines Kurzschlusses mit Leiterbahnen auf der Folie ist ausgeschlossen.
Die Enden der Leiterbahnen 8 auf der Folie 4 werden an den Leitern 2 des Substrats 1 mit Hilfe zwischen den Balken 7 angebrachten Lots befestigt Die Balken 7 verhindern, daß Lot einen Kurzschluß zwischen benachbarten Leitern 2 bilden kann.
Der Abstand zwischen dem Halbleiterelement 5 und dem Substrat 1 und somit die Dicke der Distanzglieder 6 wird vorzugsweise zwischen 20 und 40 μπι gewählt Die Dicke z.B. einer durch Siebdrucken angebrachten Lötpaste ist dann etwa 150 bis 200 μπι, wobei die Paste 40 Vol.-% Lötpulver enthält Die ursprüngliche Lötoberfläche weist dann vorzugsweise eine Größe von weniger als 50% der Oberfläche des Halbleiterelements auf.
Fig.3 zeigt eine günstige Ausführungsform des Musters von Distanzgliedern. Die Außenabmessungen dieses Musters entsprechen nahezu den Abmessungen der Folie 4. Ein rechteckiger Rahmen 10 enthält vier nach innen hervorragende fingerförmige Teile 11, auf denen das Halbleiterelement zu liegen kommt Auf der Außenseite ist der Rahmen mit fingerförmigen Teilen 12 und Eckteilen 13 versehen, auf denen die Seiten der Folie ruhen. Zwischen den Teilen 12 wird das Lot zum Verbinden der Leiter mit den Folienleiterbahnen angebracht Dieses aus einem Ganzen bestehende Muster läßt sich einfach anbringen. Der Rahmen 10 bildet dabei eine zusätzliche Sicherung gegen Kurzschluß zwischen den Folienleiterbahnen und etwaigen weiteren Leitern auf dem Substrat.
Die Distanzglieder sind in der Zeichnung als langgestreckte Teile dargestellt Für die das Halbleiterelement tragenden Distanzglieder ist dies nicht notwendig; jede gewünschte Form kann dabei Anwendung finden, wie z. B. mindestens drei kleine nur unter dem Halbleiterelement liegende Erhöhungen. Auch braucht dabei das Material der Distanzglieder nicht isolierend zu sein; die Distanzglieder können ohne weiteres aus Widerstandsmaterial oder elektrisch leitendem Material bestehen. Weiter kann statt Lot auch eine Kleberverbindung verwendet werden, die elektrisch und/oder thermisch leitend ist
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (2)

Patentansprüche:
1. Hybridschaltung, bestehend aus einem mit Leitern versehenen isolierenden Substrat, auf dem eine Halbleiterschaltung angebracht ist, die aus einer mit Leiterbahnen versehenen isolierenden Folie besteht, deren Leiterbahnenden mit den Leitern des Substrates verbunden sind und aus einem Halbleiterelement, das mit den Leiterbahnen der Folie verbunden ist und mit der von der Folie abgekehrten 1 Seite am Substrat befestigt ist und Distanzgliedern, die wenigstens teilweise unter dem Halbleiterelement liegen und auf denen das Halbleiterelement ruht, dadurch gekennzeichnet, daß die Distanzglieder (6) auf dem Substrat (1) aus einem, 1S dem gewünschten Abstand entsprechend dicken Film eines Materials gebildet sind, das zugleich für andere Teile der Hybridschaltung verwendet wird, die Distanzglieder (7) auch zwischen den Substratanschlüssen (2) auf der Halbleiterschaltung angeordnet und sowohl der Raum zwischen den Distanzgliedern (7), den Substratanschlüssen (2) und den Anschlüssen auf der Folie (8), als auch zwischen Substrat (1) und Halbleiterelement (5), ganz mit jeweils geeignetem Befestigungsmaterial ausgefüllt ist
2. Hybridschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Distanzglieder als ein im wesentlichen rechteckiger Rahmen (10) ausgebildet sind, von dessen Innenseiten jeweils ein fingerförmiger Teil (11) bis unter das Halbleiterelement reicht und die Außenseiten mit fingerförmigen Teilen (12) und Eckteilen (13) versehen sind.
DE2817480A 1977-05-02 1978-04-21 Hybridschaltung, die mit einer Halbleiterschaltung versehen ist Expired DE2817480C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL7704773A NL7704773A (nl) 1977-05-02 1977-05-02 Hybrideschakeling voorzien van een halfgeleider- schakeling.

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2817480A1 DE2817480A1 (de) 1978-11-09
DE2817480C2 true DE2817480C2 (de) 1984-02-16

Family

ID=19828470

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2817480A Expired DE2817480C2 (de) 1977-05-02 1978-04-21 Hybridschaltung, die mit einer Halbleiterschaltung versehen ist

Country Status (9)

Country Link
US (1) US4180828A (de)
JP (1) JPS593855B2 (de)
AU (1) AU515259B2 (de)
CA (1) CA1110778A (de)
DE (1) DE2817480C2 (de)
FR (1) FR2390006B1 (de)
GB (1) GB1553559A (de)
IT (1) IT1094979B (de)
NL (1) NL7704773A (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3701343A1 (de) * 1986-01-22 1987-07-23 Sharp Kk Verfahren zur montage eines lsi- bzw. ic-bausteins auf einer verdrahtungsunterlage
DE4418679A1 (de) * 1994-05-28 1995-11-30 Telefunken Microelectron Vorrichtung zur Kontaktierung zweier Schaltungsteile

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2435883A1 (fr) * 1978-06-29 1980-04-04 Materiel Telephonique Circuit integre hybride et son procede de fabrication
JPS5568659A (en) * 1978-11-20 1980-05-23 Hitachi Ltd Semiconductor device and manufacturing method thereof
JPS57103430A (en) * 1980-12-18 1982-06-28 Sony Corp Dpcm encoding device
DE3378870D1 (en) * 1982-09-09 1989-02-09 Siemens Ag Cooling device for a plurality of integrated components assembled as a flat structure
DE3378871D1 (en) * 1982-09-09 1989-02-09 Siemens Ag Cooling device for a plurality of integrated components assembled as a flat structure
JPS6080357A (ja) * 1983-10-08 1985-05-08 Ricoh Co Ltd 電子回路担持装置
US4607276A (en) * 1984-03-08 1986-08-19 Olin Corporation Tape packages
GB2167228B (en) * 1984-10-11 1988-05-05 Anamartic Ltd Integrated circuit package
DE3727389A1 (de) * 1987-08-17 1989-03-02 Heidenhain Gmbh Dr Johannes Elektrische verbindung
GB2218847B (en) * 1988-05-16 1991-04-24 Gen Electric Co Plc Carrier for semiconductor devices
DE4132947C2 (de) * 1991-10-04 1998-11-26 Export Contor Ausenhandelsgese Elektronische Schaltungsanordnung
JPH0750762B2 (ja) * 1992-12-18 1995-05-31 山一電機株式会社 Icキャリア
US5512780A (en) * 1994-09-09 1996-04-30 Sun Microsystems, Inc. Inorganic chip-to-package interconnection circuit
DE19529237C1 (de) * 1995-08-09 1996-08-29 Semikron Elektronik Gmbh Schaltungsanordnung
US6168971B1 (en) 1998-05-05 2001-01-02 Fujitsu Limited Method of assembling thin film jumper connectors to a substrate
DE10121970B4 (de) * 2001-05-05 2004-05-27 Semikron Elektronik Gmbh Leistungshalbleitermodul in Druckkontaktierung

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2021484A1 (de) * 1968-10-24 1970-07-24 Inst Halvledarfors
US3811186A (en) * 1972-12-11 1974-05-21 Ibm Method of aligning and attaching circuit devices on a substrate
US3916435A (en) * 1974-09-09 1975-10-28 Gen Motors Corp Heat sink assembly for button diode rectifiers
US4009485A (en) * 1974-12-23 1977-02-22 General Electric Company Semiconductor pellet assembly mounted on ceramic substrate

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3701343A1 (de) * 1986-01-22 1987-07-23 Sharp Kk Verfahren zur montage eines lsi- bzw. ic-bausteins auf einer verdrahtungsunterlage
DE4418679A1 (de) * 1994-05-28 1995-11-30 Telefunken Microelectron Vorrichtung zur Kontaktierung zweier Schaltungsteile

Also Published As

Publication number Publication date
CA1110778A (en) 1981-10-13
NL7704773A (nl) 1978-11-06
DE2817480A1 (de) 1978-11-09
FR2390006B1 (de) 1985-05-17
IT7822877A0 (it) 1978-04-28
IT1094979B (it) 1985-08-10
JPS593855B2 (ja) 1984-01-26
US4180828A (en) 1979-12-25
GB1553559A (en) 1979-09-26
JPS53136481A (en) 1978-11-29
AU515259B2 (en) 1981-03-26
AU3556978A (en) 1979-11-01
FR2390006A1 (de) 1978-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2817480C2 (de) Hybridschaltung, die mit einer Halbleiterschaltung versehen ist
DE68908808T2 (de) Verfahren zum Montieren elektronischer Mikrokomponenten auf einer Unterlage und Zwischenprodukt.
DE2732529C2 (de) Gedruckte Schaltungsplatine
DE19953162B4 (de) Verfahren zum Herstellen von Thermistor-Chips
DE4317125C2 (de) Monolithische Mehrschicht-Chip-Induktivität
DE2103064A1 (de) Vorrichtung zur Herstellung von Modulelementen
DE3322674A1 (de) Kondensator
DE19739495C2 (de) Piezoelektrisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung desselben
DE2929547C2 (de) Mikrowellen-Dämpfungsglied
DE3138743A1 (de) In einem dichten gehaeuse montiertes oberflaechenwellenfilter und dergleichen
DE2536711C3 (de) Hochspannungsgleichrichter für Hochspannungskaskaden
DE112020001355T5 (de) Chip-widerstand
DE9217155U1 (de) Schaltungsanordnung
DE69628630T2 (de) Dielektrisches filter und produktionsverfahren dafür
DE3020466A1 (de) Sammelschiene mit mindestens einem paar langgestreckter, zueinander parallel gefuehrter leiter und verfahren zur herstellung einer solchen sammelschiene
DE3035933C2 (de) Pyroelektrischer Detektor sowie Verfahren zur Herstellung eines solchen Detektors
DE2852355C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines elektrostatischen Druckkopfes
DE3420497C2 (de)
DE3323830C2 (de) Anordnung zum Auflöten einer elektrischen Schaltungsplatte auf einen Grundkörper
DE3731787A1 (de) Anordnung von mehreren ic's auf einem bandstreifen aus isoliermaterial
DE1927387A1 (de) Sonnenbatterie
DE3812922C2 (de)
DE69331649T2 (de) TAB Band und sein Herstellungsverfahren
DE2635747C3 (de) Halterung für scheibenförmige piezoelektrische Kristalle und Verfahren zur Herstellung der Halterung
DE2912493A1 (de) Praezisionswiderstand und verfahren zu seiner herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
8128 New person/name/address of the agent

Representative=s name: NEHMZOW-DAVID, F., PAT.-ASS., 2000 HAMBURG

D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee