[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

DE2712543A1 - In harz vergossene halbleitervorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung - Google Patents

In harz vergossene halbleitervorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung

Info

Publication number
DE2712543A1
DE2712543A1 DE19772712543 DE2712543A DE2712543A1 DE 2712543 A1 DE2712543 A1 DE 2712543A1 DE 19772712543 DE19772712543 DE 19772712543 DE 2712543 A DE2712543 A DE 2712543A DE 2712543 A1 DE2712543 A1 DE 2712543A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
resin
semiconductor device
plate
cooling
resin body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19772712543
Other languages
English (en)
Other versions
DE2712543C2 (de
Inventor
Hiroshi Mikino
Susumu Okikawa
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP3125076A external-priority patent/JPS52115173A/ja
Priority claimed from JP3124976A external-priority patent/JPS52115172A/ja
Priority claimed from JP6117176A external-priority patent/JPS52144976A/ja
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Publication of DE2712543A1 publication Critical patent/DE2712543A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2712543C2 publication Critical patent/DE2712543C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
    • H01L23/4006—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
    • H01L23/4334—Auxiliary members in encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
    • H01L23/4006—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws
    • H01L2023/4037—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws characterised by thermal path or place of attachment of heatsink
    • H01L2023/405—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws characterised by thermal path or place of attachment of heatsink heatsink to package
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
    • H01L23/4006—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws
    • H01L2023/4075—Mechanical elements
    • H01L2023/4087—Mounting accessories, interposers, clamping or screwing parts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/35—Mechanical effects
    • H01L2924/351—Thermal stress
    • H01L2924/3511—Warping
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

Beschreibung:
Die Erfindung bezieht sich auf eine in Harz vergossene Halbleitervorrichtung, insbesondere auf eine in Harz vergossene Halbleitervorrichtung mit hoher Leistung, mit einer an einer unteren Oberfläche eines Teils der Harzmasse vorgesehenen Kühlplatte.
Der Stand der Technik und die Erfindung werden anhand der in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiele näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 die perspektivische Ansicht einer bekannten, in Harz vergossenen integrierten Leistungsschaltung mit nach oben gedrehter Unterseite,
Fig. 2 die an einer Montageplatte befestigte Halbleitervorrichtung der Fig. 1,
Fig. 3 die perspektivische Ansicht einer erfindungsgemäßen Halbleitervorrichtung (integrierte Leistungsschaltung),
Fig. 4 die an einer Montageplatte befestigte Halbleitervorrichtung der Fig. 3,
Fig. 5 die perspektivische Ansicht eines zweiten Ausführungsbeispiels der erfindungsgemäßen Halbleitervorrichtung,
Fig. 6 die an einer Montageplatte befestigte Halbleitervorrichtung der Fig. 5,
Fig. 7 eine bekannte, in Harz vergossene Halbleitervorrichtung in zum Teil aufgebrochener Darstellung,
Fig. 8 den Schnitt VIII-VIII der Fig. 7,
Fig. 9 die Seitenansicht der auf einer Montageplatte befestigten Halbleitervorrichtung der Fig. 7 und 8,
Fig. 10 die Draufsicht auf die Anordnung der Fig. 9,
Fig. 11 die perspektivische Ansicht einer Kühlfahne vor deren Einbau in eine Halbleitervorrichtung,
Fig. 12 die Vorderansicht einer auf einer Montageplatte befestigten, in Harz vergossenen Halbleitervorrichtung,
7098 41/0681
Fig. 13 die perspektivische Ansicht einer dritten Ausführungsform der erfindungsgemäßen, in Harz vergossenen Halbleitervorrichtung bei zur klareren Darstellung abgenommener Kühlfahne,
Fig. 14a und 14b die Seitenansicht der auf einer Montageplatte befestigten Halbleitervorrichtung der Fig. 13 und
Fig. 15 den Querschnitt einer vierten AusfUhrungsform der erfindungsgemäßen Halbleitervorrichtung.
Bekanntermaßen wird bei Leistungs-Halbleitervorrichtungen und integrierten Hochleistungsschaltungen wegen des hohen Leistungsverbrauchs bei ihrer Benutzung eine große Wärmemenge erzeugt. Da Halbleitervorrichtungen unter dem Einfluß von Wärme ihre elektrischen Eigenschaften leicht ändern, muß die Wärme so schnell wie möglich abgeführt werden.
Die in Fig. 1 gezeigte bekannte integrierte Leistungsschaltung ist so aufgebaut, daß die in den Halbleiterelementen erzeugte Wärme schnell abgeführt wird. Die in Fig. 1 gezeigte integrierte Leistungsschaltung 1 enthält eine ebene Kühlplatte 2 aus Kupfer, an der Halbleiterelemente befestigt sind. Oberhalb der Platte 2 sind mehrere im wesentlichenparallel zueinander angeordnete Anschlüsse 3 vorgesehen, die an ihren inneren Enden mittels Drähten oder dergleichen an die zugehörigen Halbleiterelemente angeschlossen sind. Der obere Teil der Kühlplatte 2 ist mit einem Harzmaterial abgedeckt. Mit anderen Worten, die inneren Endteile der Anschlüsse 3, die Verbindungsdrähte und die Halbleiterelemente sind mit einem Harzvergußteil 4 abgedeckt. Wenigstens die untere Oberfläche 5 der Kühlplatte 2 liegt, wie in Fig. 1 gezeigt, frei. Die integrierte Leistungsschaltung 1 ist in Fig. 1 umgedreht dargestellt, so daß die untere Oberfläche 5 der Kühlplatte 2 sichtbar ist. Die Kühlplatte 2 und der Harzvergußteil oder -block sind an ihren beiden Enden mit Einschnitten 6 zur Aufnahme von Befestigungsschrauben versehen.
709841/0681
Bei der bekannten integrierten Leistungsschaltung entstehen häufig im mittleren Bereich der oberen Oberfläche des Harzvergußteils Risse; in extremen Fällen reißen auch die Halbleiterelemente in dem Harzvergußteil, wenn die integrierte Leistungsschaltung mittels Klemmschrauben auf einer Montageplatte befestigt wird.
Untersuchungen zur Klärung der Ursachen dieser unerwünschten Erscheinungen haben zu folgendem Ergebnis geführt. Wenn nämlich während der Herstellung der integrierten Halbleiterschaltung der Harzvergußteil ausgebildet wird, so findet das Vergießen bei einer hohen Temperatur statt, die nachfolgend auf Zimmertemperatur abnimmt. Hierbei verbiegt sich die Harzschicht wegen des Unterschieds der thermischen Schrumpfung zwischen Kühlplatte und Harzschicht, sowie zusätzlich wegen der beim Aushärten des Harzes bei absinkender Temperatur eintretenden Schrumpfung. Der Wärmedehnungskoeffizient der aus Kupfer bestehenden Kühlplatte beträgt nämlich 17 χ 10" /0C und ist damit wesentlich kleiner als der von Harz. Der Wärmedehnungskoeffizient von Harz ist normalerweise sehr hoch, er liegt beispielsweise in der Größenordnung von 30 χ 10~ /°C. Aus diesem Grunde wird der Harzteil nach dem Vergießen einer starken Schrumpfung ausgesetzt, was zu Verbiegungen oder Werfungen der Harzschicht führt. Nimmt man beispielsweise an, daß die Breite, Länge und Stärke der Harzschicht 10, 30 bzw. 5 mm beträgt, während die Kühlplatte aus einer Kupferplatte von 1 bis 1,5 mm Stärke bei im wesentlichen gleicher Breite und Länge wie die Harzschicht oder etwas geringeren Abmessungen besteht, so beträgt die in der Harzschicht entstehende Verbiegong a (Fig. 2) der Harzschicht, gemessen an deren Enden, etwa 0,2 mm.
Soll eine integrierte Leistungsschaltung mit verbogenem Harzvergußteil an ihren beiden Enden mittels Klemmschrauben 7 und Muttern 8 an einer Montageplatte 9 befestigt werden,
709841/0681
so entstehen in dem Harzvergußteil angrenzend an dessen obere Oberfläche starke Zugspannungen. Übersteigt diese die Zugfestigkeit des Harzes, die in der Größenordnung von 4000 χ 10 liegt, so entstehen Risse 10, die zu einer verminderten Feuchtigkeitsbeständigkeit der integrierten Leistungsschaltung führen. Bei größeren Verbiegungen werden auch die in den Harzvergußteil eingebetteten Halbleiterelemente zerstört, was zu einer Verschlechterung ihrer elektrischen Eigenschaften und schließlich zu ihrer Uhbrauchbarkeit führt.
In Verbindung mit der vorstehenden Erläuterung ist es verständlich, daß der Harzvergußteil längs seiner Kanten verbogen wird, wenn das vergossene Produkt aus einer defekten Vergießform herausgenommen wird. Eine solche Verbiegung bildet die Ursache für Risse in der oberen Oberfläche des Vergußteils und dergleichen Mangel.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Mängel und Nachteile des Standes der Technik zu beseitigen. Insbesondere sollen eine Halbleitervorrichtung und ein Verfahren zu deren Herstellung sowie eine Anordnung zur Befestigung einer Halbleitervorrichtung mit einer Kühlplatte angegeben werden, deren Wärmedehnungskoeffizient wesentlich höher ist als der eines Harzvergußteils, wobei die Befestigung sanordnung so ausgebildet werden soll, daß die Halbleitervorrichtung fest und dicht mittels Schrauben auf einer Montageplatte befestigt werden kann, ohne daß Beschädigungen oder Zerstörungen des Harzvergußteils und der Halbleiterelemente eintreten.
Erfindungsgemäß werden im Harzvergußteil in der Nähe der Einschnitte zur Aufnahme der Schrauben VorSprünge ausgebildet, oder es wird ein geeignetes Teil, beispielsweise eine Scheibe, zwischen der Befestigungsplatte und der
709841/0681
unteren Oberfläche der integrierten Leistungsschaltung eingelegt, so daß die Deformation des Harzvergußteils entgegengesetzt zu der Biegerichtung, die durch die Klemmkraft der Schraube hervorgerufen wird, auf ein Minimum verringert werden kann. Auf diese Weise wird die dem Harzvergußteil angrenzend an dessen obere Oberfläche beim Montieren der integrierten Leistungsschaltung entstehende Zugspannung auf einen Wert vermindert, der kleiner als die Zugfestigkeit ist. Hierdurch kann die- Entstehung von Rissen im Harzvergußteil und in den Halbleiterelementen sicher verhindert werden.
Fig. 3 zeigt eine erfindungsgemäße Halbleitervorrichtung (integrierte Leistungsschaltung) 11 mit einer Kühlplatte aus Kupfer, an der Halbleiterelemente befestigt sind. Oberhalb der Kühlplatte 12 sind mehrere Anschlüsse 13 angeordnet, die im wesentlichen parallel zueinander liegen und deren innere Enden mittels Drähten elektrisch verbunden sind. Die Kühlplatte 12 ist an ihrer oberen Oberfläche mit einer Harzschicht beschichtet. Hierdurch sind die inneren Enden der Anschlüsse 13, die Anschlußdrähte und die Halbleiterelemente durch einen Harzvergußteil 14 abgedeckt. Wenigstens die untere Oberfläche 15 der Kühlplatte 12 liegt aber gemäß ^Fig. 3 frei, wo die Halbleitervorrichtung 11 mit der Unterseite nach oben dargestellt ist, so daß die untere Oberfläche 15 der Kühlplatte 12 sichtbar ist. Die Kühlplatte 12 und der Harzvergußteil 14 sind mit Einschnitten 16 zur Aufnahme von Klemmschrauben versehen. Im Bereich der äußeren Enden des Harzvergußteils 14 oder an den beiden Enden der freiliegenden Oberfläche der Kühlplatte 12, in der Nähe der Einschnitte 16 für die Klemmschrauben, sind Vorsprünge 17 vorgesehen, deren Stärke je nach Art des Harzes im Bereich von 0,1 bis 0,15 mm liegt. Die Abmessung oder Höhe der Vorsprünge 17 ist weiter abhängig von der Größe der integrierten Leistungsschaltung und von Material und Abmessungen der Kühlplatte 12. Da die Verbiegung an den
7098A1/0681
beiden Enden der integrierten Leistungsschaltung beim Beispiel der Fig. 2 etwa 0,2 mm beträgt, wurde die Höhe der VorsprUnge 17 bei dieser Ausführungsform zu 0,1 bis 0,15 mm gewählt.
Fig. 4 zeigt die Befestigung der integrierten Leistungsschaltung 11 auf einer Montageplatte 18. Durch die Einschnitte 16 werden mit ihren Spitzen Klemmschrauben 19 und durch Durchgangslöcher in der Montageplatte 18 hindurchgeführt. Die integrierte Halbleiterschaltung 11 wird dann mit Hilfe der Schrauben 19 und mittels Muttern 20 an der Montageplatte 18 befestigt. In diesem Zusammenhang sei erwähnt, daß, selbst wenn der Harzvergußteil, gemessen an den beiden Enden der integrierten Leistungsschaltung, einer Verbiegung von 0,2 mm unterworfen wird, die Deformation b des Harzvergußteils 14 entgegen der Biegung auf einen Wert von weniger als 0,05 bis 0,1 mm, gemessen an den beiden Enden der integrierten Leistungsschaltung 11, herabgedrückt werden kann, und zwar wegen der VorSprünge 17, deren Stärke 0,1 bis 0,15 mm beträgt (Figt 4). Auf diese Weise kann die durch die Befestigung der integrierten Halbleiterschaltung auf der Montageplatte hervorgerufene Deformation gegenüber der bei der bekannten integrierten Halbleiterschaltung wesentlich vermindert werden. Auf diese Weise können der Harzvergußteil 14 und die Halbleiterelemente sicher vor jeglicher Beschädigung und Zerstörung, beispielsweise vor Rissen geschützt werden.
Da die Höhe der VorSprünge 17 kleiner gewählt wird als die auftretende Verbiegung der integrierten Leistungsschaltung, kann der Hauptteil der freien unteren Oberfläche der Kühlplatte unter der Klemmwirkung der Schrauben eng an der Montageplatte anliegen, so daß eine befriedigende Wärmeabfuhr gewährleistet ist.
709841/0681
Die Höhe der Vorsprünge kann unter Berücksichtigung der Größe der Halbleitervorrichtung oder der integrierten Leistungsschaltung und der Größe der Verbiegung bestimmt werden.
Statt die Vorsprünge 17 am Harzvergußteil 14 vorzusehen, kann die untere Oberfläche der Kühlplatte 12 an Stellen in der Nähe der Einschnitte 16 zur Aufnahme der Schrauben nach unten vorspringend ausgebildet werden.
Gemäß Fig. 5 können auch statt der Vorsprünge an der Halbleitervorrichtung 21, Vorsprünge 24 längs der Umfangskanten der Durchgangslöcher 23 der Montageplatte 22 ausgebildet werden.
Zusätzlich kann als Einrichtung zur Verhinderung von Rissen im Halbleiterelement und im Harzvergußteil eine oder mehrere Scheiben vorgesehen werden.
Fig. 6 zeigt ein Beispiel des Verfahrens zur Befestigung der Halbleitervorrichtung an einer Montageplatte unter Verwendung von Scheiben. In Fig. 6 sind die gleichen Bezugszeichen wie in Fig. 4 verwendet. Wenn gemäß Fig. 6 die Halbleitervorrichtung 11 mittels Schrauben 19 und Muttern 20 an der Montageplatte 18 befestigt wird, wird zwischen die Montageplatte 18 und die Halbleitervorrichtung 11 eine Scheibe 17' mit einer Stärke von 0,1 mm eingelegt und die Schraube 19 durch dieselbe hindurchgefUhrt. Wenn, gemessen an den beiden Enden, eine Verbiegung c von 0,2 mm in der Halbleitervorrichtung 11 vorhanden ist, dann wird infolge der eingelegten Scheibe von 0,1 mm Stärke die Deformation der Halbleitervorrichtung 11 infolge des Klemmens mit Hilfe der Schrauben und Muttern in Richtung zur Verminderung der Verbiegung auf einen Wert von weniger als 0,1 mm begrenzt. Somit wird, verglichen mit der bekannten Art der
709B41/068
Befestigung, die Deformation der Halbleitervorrichtung 11 beträchtlich vermindert, so daß der Harzvergußteil 14 und die vergossenen Halbleiterelemente gegen Risse geschützt werden.
Da die Stärke der Scheibe 17' kleiner als die Größe der Verbiegung gewählt wird, liegt der Hauptteil der freien unteren Oberfläche der Kühlplatte 12 dicht an der Montageplatte 18 an, so daß eine gute Wärmeleitung von der Kühlplatte 12 zur Montageplatte 18 gewährleistet ist und die elektrischen Eigenschaften der Halbleitervorrichtung nicht verschlechtert werden.können. Natürlich ist die Wärmeleitung umso besser, je dünner die Scheibe 17' ist. Hat beispielsweise der Harzvergußteil 14 einer Halbleitervorrichtung 11 eine Breite, Länge und Stärke von 10, 30 bzw. 5 mm, während die Stärke der Kühlplatte 12 1 bis 1,5 mm beträgt und ihre Breite und Länge gleich der des Harzvergußteils 14 oder etwas geringer sind, so kann mit einer Scheibe von einer Stärke von wenigstens 0,05 mm das Auftreten von Rissen im Harzvergußteil und in den Halbleiterelementen wirksam verhindert werden. In der Praxis wird die Stärke der Scheibe 17' in Abhängigkeit von der Größe der Halbleitervorrichtung und deren Verbiegung gewählt.
Die Scheibe braucht nicht ringröhren- oder ringförmig zu sein. Sie kann auch einfach rechteckig ausgebildet werden. Die Scheiben sollten jedoch an beiden Enden oder Seiten der verbogenen Halbleitervorrichtung vorgesehen werden. Die Scheibe braucht nicht unbedingt rings um den Umfang der Schraube befestigt zu werden. Da aber das auf die Halbleitervorrichtung in den durch die Schrauben geklemmten Bereichen wirkende Biegemoment umso größer wird, je weiter die Scheibe von den geklemmten Bereichen entfernt ist, entsteht die Gefahr der Zerstörung der Halbleitervorrichtung, so daß es wünschenswert ist, die Scheibe rings um den Umfang der zugehörigen Klemmschraube anzuordnen.
709841/0681
Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Befestigung von Halbleitervorrichtungen auf einer Befestigungsplatte werden also Vorsprünge bzw. Scheiben in der Nähe der Schrauben-Auf nähme teile ausgebildet bzv/. angeordnet, und zwar unter Berücksichtigung der durch diß Aushärtschrumpfung des Harzvergußteils hervorgerufenen Verbiegung, so daß die Deformation der Halbleitervorrichtung infolge des Festklemmens vermindert und die Halbleitervorrichtung vor Beschädigungen oder Zerstörungen geschützt wird. Auf diese Weise werden erfindungsgemäß Ausfälle von Halbleitervorrichtungen, die bisher nach ihrer Befestigung auf der Montageplatte häufig auftraten, sowie die sich hierdurch ergebende Verschlechterung der Eigenschaften der Vorrichtung sicher vermieden.
Die Erfindung ist ebenso anwendbar auf andere in Harz vergossene Halbleitervorrichtungen, insbesondere auf in Harz vergossene integrierte Hochleistungsschaltungen, die mehrere äußere Anschlüsse aufweisen, die sich parallel zueinander von wenigstens einer Seitenfläche des Harzblockes erstrecken, sowie eine wärmeleitende Platte zur Kühlung, die von einer anderen Seitenfläche des Harzblockes wegragt, und eine Kühlfahne, deren eines Ende mit dem vorspringenden Teil der wärmeleitenden Platte verbunden ist, wobei der Teil der Kühlfahne zwischen deren beiden Enden sich längs der unteren Oberfläche des Harzblockes erstreckt.
Als derartige Halbleitervorrichtung wurde beispielsweise eine in Harz vergossene integrierte Schaltung mit dem in Fig. 7 gezeigten Aufbau vorgeschlagen. Fig. 8 zeigt den Querschnitt VIII-VIII der Fig. 7. Wie aus diesen Figuren ersichtlich, ragt ein Teil einer wärmeleitenden Platte 32 zur Wärmeabfuhr von einer Seite eines Harzblockes 31 weg, der mehrere äußere Anschlüsse 33 aufweist, die von der gegenüberliegenden Seite des Harzblockes wegragen. Die äußeren Anschlüsse 33 und die wärmeleitende Platte 32 sind aus dem gleichen Metall, das eine gute WärmeIeit-
709841/0681
fähigkeit aufweist, hergestellt, beispielsweise aus sauerstofffreiem Kupfer, mit Zinn legiertem sauerstofffreiem Kupfer, Phosphorbronze, Cobal oder dergleichen in Form eines Bandstreifens mit versilberten Oberflächen. Wegen ihrer hohen Wärmeleitfähigkeit werden für integrierte Hochleistungsschaltungen sauerstofffreies Kupfer und mit Zinn legiertes sauerstoflfreies Kupfer bevorzugt. Ein Element 34 einer integrierten Schaltung ist an einem Teil der wärmeleitenden Platte 32 befestigt, die in einem Harzblock 31 vergossen ist. Die Anschlüsse des Elements 34 der integrierten Schaltung und die inneren Enden der äußeren Anschlüsse 33, die in den Harzblock 31 eingebettet sind, sind mittels dünner Drähte, beispielsweise mittels Golddrähten 35 elektrisch miteinander verbunden. Eine Kühlfahne 36 aus geeignetem Material, beispielsweise Aluminiumblech, ist mit einem Ende mechanisch mit dem vorspringenden Teil der wärmeleitenden Platte 32 verbunden, so daß der wärmeleitende Teil 37 der Kühlfahne 36 zwischen dem einen und dem anderen Ende längs der unteren Oberfläche des Harzblockes 31 verläuft. Die Kühlfahne 36 kann z.B. folgendermaßen an der wärmeleitenden Platte 32 befestigt werden. Der eine Endbereich 38 der Kühlfahne 36 wird zuvor U-förmig gebogen, so daß der vorspringende Teil der wärmeleitenden Platte 32 in den U-förmig gebogenen Teil eingeführt werden kann. Nach dem Einführen wird der U-förmig gebogene Teil mittels einer mechanischen Verstemmeinrichtung oder dergleichen flach gepreßt, so daß die beiden Teile fest miteinander verbunden werden. Der Harzblock 31 ist, in Längsrichtung gesehen, an seinen beiden Enden mit einem Loch 39 und einem Einschnitt 40, jeweils zur Aufnahme einer Schraube, versehen. Nach Befestigung einer solchen Halbleitervorrichtung an einer Montageplatte steht der wärmeleitende Teil 37 der Kühlfahne 36 in direktem Kontakt mit der Montageplatte (Chassisplatte) 41, oder es wird ein elektrisch isolierendes Teil (nicht gezeigt) mit hoher Wärmeleitfähigkeit zwischengelegt,
709841/0681
wie in Fig. 9 und 10 dargestellt. Die Halbleitervorrichtung v/ird an der Montageplatte 41 mittels Schrauben 42, die durch das Loch 39 und den Einschnitt 40 geführt sind, und hiermit zusammenwirkenden Schrauben 43 an der Montageplatte 41 befestigt.
Bei der vorstehend beschriebenen Befestigungsanordnung wird zwischen dem Harzblock 31 und dem wärmeleitenden Teil 37 der Kühlfahne 36 nur schwierig ein enger Kontakt erreicht. Gemäß Fig. 8 und 9 entsteht ein Spalt 44 in der Größenordnung von 0,5 mm zwischen den beiden Teilen, weil die Verbindung zwischen der Kühlfahne 36 und der wärmeleitenden Platte 32 so ausgeführt wird, daß nur das eine Endteil 38 der Kühlfahne 36 mit dem vorspringenden Teil der wärmeleitenden Platte 32 in Verbindung steht. Weiter erstreckt sich die wärmeleitende Platte 32 vom mittleren Bereich der Seitenfläche des Harzblocks 31. Wenn bei dieser Anordnung die Halbleitervorrichtung mit Hilfe der Schrauben 42 festgeklemmt wird, neigen beide Seitenbereiche des Harzblocks 31 dazu, die wärmeleitende Platte 37 gegen die Federkraft der Kühlfahne 36 eng zu berühren. Andererseits wird die im Harzblock 31 befindliche wärmeleitende Platte 32 wegen der Rückstellkraft dauernd einer Kraft ausgesetzt, die nach oben wirkt. Infolgedessen wird auf den Harzteil, der sich längs des Umfanges der in den Harzblock 31 eingebetteten wärmeleitenden Platte 32 erstreckt, eine Scherkraft ausgeübt. Mit anderen Worten, weil die Neigung besteht, daß der Teil des Harzblockes 31, der über der wärmeleitenden Platte 32 liegt, nach oben geschoben wird, wirkt auf den Zwischenbereich zwischen dem Umfangsteil der wärmeleitenden Platte 32 und des erwähnten Harzblockteils eine Scherkraft, die oft zu Rissen 45 im Harzblock (Fig. 10) führt, so daß die Feuchtigkeitsbeständigkeit der integrierten Schaltung verschlechtert wird. Außerdem wird bei breitem Spalt 44 die Deformation (Verbiegung) des Harzblocks 31 entsprechend erhöht, so daß sogar im Schaltungselement schließlich unerwünschte Risse auftreten.
709841/0681
Die Kühlfahne 36 wird normalerweise unter Verwendung einer Stanzpresse aus Aluminiumblech hergestellt. Dabei besteht die Y/ahrscheinlichkeit, daß der Umfangsteil oder Rand der Kühlfahne 36 dünner als ihr restlicher Teil wird, weil Aluminium ein verhältnismäßig weiches Material ist. Insbesondere werden schmale Teile des wärmeleitenden Bereichs 37 wesentlich dünner, wie in Fig. 11 dargestellt. Wenn dabei die integrierte Schaltung mittels Schrauben 42 und Muttern 43 an einer Montageplatte 41 befestigt werden soll (Fig. 12), so entstehen in der Harzmasse in radialer Richtung Zugspannungen, die zu Rissen 46 führen. Bei Verwendung von Epoxyharz als Vergußmasse entstehen Risse, wenn die Zugspannung die Zugfestigkeit von 4000 χ 10 übersteigt.
Zusätzlich werden bei zu hoher Klemmkraft diejenigen Stellen der Kühlfahne infolge der auftretenden Deformation dünner, an denen die Klemmkraft wirkt. Infolgedessen werden im Harzblock 31 in Richtung vom mittleren Bereich zum Umfangsbereich (in radialer Richtung) Zugspannungen erzeugt, die zu Rissen im Harzblock und im darin eingebetteten integrierten Schaltungselement führen.
Um diese Nachteile zu vermeiden, muß eine Einrichtung vorgesehen werden, mit der verhindert wird, daß mechanische Spannungen auf den Harzblock und das integrierte Schaltungselement übertragen werden, wenn die in Harz vergossene integrierte Halbleiterschaltung an der Montageplatte befestigt wird.
Fig. 13 zeigt eine erfindungsgemäße integrierte Hochleistungsschaltung bei abgenommener Kühlfahne. Der aus Epoxyharz hergestellte Harzblock 47 ist mit Einschnitten 48 und 49 zur Aufnahme von Schrauben versehen. Von einer Seitenfläche des Harzblockes 47 ragen parallel zueinander
709841/0681
mehrere äußere Anschlüsse weg; eine wärmeleitfähige Platte 51 erstreckt sich von der gegenüberliegenden Seitenfläche des Harzblockes 47. An der unteren Oberfläche des Harzblockes 47 sind an den Seiten der Einschnitte 48 und 49 Sitzbereiche oder Vorsprünge 52 mit einer Höhe von je 0,1 bis 0,5 mm ausgebildet. In Fig. 13 ist die Halbleitervorrichtung von unten gezeigt, d.h., die Oberfläche, die auf der Montageplatte aufliegen soll, weist nach oben. Eine Kühlplatte 53 aus Aluminium (in gestrichelten Linien dargestellt) ist mit einem Ende über eine mechanische Klemmstelle oder Verstemmung mit 3er wärmeleitenden Platte
51 verbunden. Das andere Ende 54 erstreckt sich längs der unteren Oberfläche des Harzblockes 47, an der die Vorsprünge
52 ausgebildet sind. Die Höhe der VorSprünge 52 wird zuvor in Abhängigkeit von den Abmessungen des zwischen der Kühlfahne 36 und dem Harzblock 47 nach dem Befestigen der Kühlfahne durch mechanische Verstemmung gebildeten Spaltes bestimmt. Die vorspringende Höhe wird etwa gleich der Größe des Spaltes gewählt.
Fig. 14a und 14b zeigen Möglichkeiten der Befestigung der integrierten Schaltung an der Montageplatte 55. Auch wenn zwischen dem mittleren Teil des Harzblockes 47 und der wärmeleitenden Platte 54 infolge der Verbindung über die mechanische Klemmstelle oder Verstemmung ein Spalt von etwa 0,5 mm entsteht, werden gemäß Fig. 14a die VorSprünge oder Füße 52 in Kontakt mit dem wärmeleitenden Teil 54 der Kühlfahne 53 gebracht, so daß eine Wärmeübertragung möglich ist. Dabei verformt sich der Harzblock 47 nach dem Befestigen der integrierten Schaltung mit Hilfe der Schrauben 56 und 57 geringfügig, da die Vorsprünge 52, deren Höhe 0,4 bis 0,5 nun beträgt, angrenzend an die an beiden Enden des Harzblockes 47 angeordneten Einschnitte zur Aufnahme der Schrauben ausgebildet sind. Demzufolge entstehen in der Oberfläche des Harzblockes und in dem Zwischenbereich zwischen der mit der Kühlfahne 53 ver-
709841/0681
bundenen wärmeleitenden Platte 51 und dem Harzblock 47 keine großen Zug- oder Scherbeanspruchungen. Der Harzblock 47 und das darin eingebettete Halbleiterelement werden also vor Beschädigung, Zerstörung oder Ausfall geschützt.
Auch wenn die Endbereiche der Kühlfahne 53 dünn ausgebildet sind oder infolge der durch die Schrauben 46 ausgeübten Klemmkraft dünn werden, wird der Harzblock 47 auf den mittleren Bereich der Kühlfahne 53 gepreßt, ohne daß der Harzblock Biegebeanspruchungen ausgesetzt würde, durch die nach der Befestigung der integrierten Schaltung auf der Platte Fehler eintreten könnten, weil zwischen den mittleren Bereichen der Kühlfahne 53 und dem Harzblock 47 ein Spalt besteht (Fig, 14b).
Aus der vorstehenden Beschreibung geht hervor, daß weder in dem Harzblock noch in dem vergossenen Halbleiterelement Fehler auftreten, wenn die integrierte Schaltung erfindungsgemäß befestigt wird. Dies liegt daran, daß zwischen den mittleren Oberflächenbereichen des Harzblockes und der Kühlfahne ein Spalt gebildet wird, während in den Bereichen angrenzend an die Klemmschrauben ein enger Kontakt erzielt werden kann. Die elektrischen Kennwerte der Halbleitervorrichtung werden daher keiner Verschlechterung unterworfen.
Gemäß einem zusätzlichen Merkmal der Erfindung können die Umfangsbereiche der Schrauben-Aufnahmeeinschnitte der Kühlfahne mit erhöhter Stärke entsprechend dem durch die mechanische Verstemmung oder das mechanische Verklemmen gebildeten Spalt ausgeführt werden. Die integrierte Schaltung muß dann so zusammengebaut werden, daß die mit den abgesetzten Teilen ausgebildete Oberfläche zum Harzblock hinweist.
709841/0681
Alternativ kann gemäß Fig. 15 eine Scheibe 58 eingesetzt und notwendigenfalls mittels eines Klebstoffes befestigt werden, deren Stärke dem zwischen der Kühlfahne 53 und dem Harzblock 47 durch das mechanische Verklemmen gebildeten Spalt entspricht.
Eine übermäßig große Stärke der am Harzblock ausgeführten Sitzteile, der in der Kühlfahne ausgebildeten Vorsprünge oder der Scheibe im Vergleiph zur Größe des Spaltes zwischen Fahne und Harzblock infolge der mechanischen Klemmverbindung ist nicht vorzuziehen, weil die Oberfläche des Harzblockes an der Seite der Kühlfahne unter der Druckkraft nach dem Festklemmen zerstört oder beschädigt wird und/oder der Harzblock geneigt wird. Andererseits wird bei einer übermäßig geringen Stärke der verfolgte Zweck nicht erreicht, so daß infolge der Zug- und Biegebeanspruchungen Fehler im Harzblock und im Halbleiterelement auftreten. Vorzugsweise ist die Stärke der Sitzbereiche oder -teile im wesentlichen gleich der des Spaltes.
Durch die Erfindung werden also in Harz vergossene Halbleitervorrichtungen vor Fehlern des Harzblockes und der Halbleiterelemente geschützt, die durch eine übermäßige Kraft nach der Befestigung der Vorrichtung auf einer Montageplatte entstehen, so daß die Kennwerte der Vorrichtung keinerlei Verschlechterung unterworfen sind.
709841/0681

Claims (16)

PATENTANWÄLTE SCHIFF ν. FÜNER STREHL SCHÜBEL-HOPF EBBINGHAUS MARIAHILFPLATZ 2*3, MÖNCHEN 90 POSTADRESSE: POSTFACH 95 OI 6O, D-8OOO MÜNCHEN 95 KARL LUDWIQ SCHIFF DIPL. CHEM. DR. ALEXANDER V. FÜNER DIPL. INO. PETER STREHL DIPL. CHEM. DR. URSULA SCHÜBEL-HOPP DIPL. INQ. OIETER EBBINQHAUS telefon (o8o) 48 9ob4 telex 5-93 sos auro d auromarcpat München HITACHI, LIMITED DA/G-14113 22. März 1977 In Harz vergossene Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung Patentansprüche;
1.) Halbleitervorrichtung mit einem Harzvergußteil, einer auf der unteren Oberfläche des Harzvergußteils angeordneten Kühlplatte, deren Wärmedehnungskoeffizient kleiner ist als der des Harzkörpers, mit einer Montageplatte zur Befestigung der Kühlplatte an den beiden Enden des Harzkörpers, mit durch den Harzkörper und die Kühlplatte an den beiden Enden des Harzkörpers hindurchverlaufenden Ausnehmungen, und mit durch die Ausnehmungen eingeführten Schrauben zur Befestigung der Kühlplatte auf der Montageplatte, dadurch gekennzeichnet , daß wenigstens in den
709841/0681
ORIGINAL INSPECTED
Umfangsbereichen der Ausnehmungen (16, 39, 40, 48, 49) Vorsprünge (17, 24, 17', 52, 58) ausgebildet sind.
2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorsprünge (17, 52) an den Harzkörper (14, 47) angeformt sind (Fig. 3, 13, 14).
3. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorsprünge an die Kühlplatte (12) angeformt sind.
4. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Vorsprünge (24) an die Montageplatte (22) angeformt sind (Fig. 5).
5. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch ge kennzeichnet , daß die Vorsprünge aus einzelnen plattenförmigen Teilen (17*, 58) bestehen, die unabhängig vom Harzkörper (14, 47) und der Kühlplatte (12, 54) sind.
6. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das plattenförmige Teil aus einer ring- oder ringröhrenförmigen Scheibe (171, 58) besteht (Fig. 6, 15).
709841/0681
7. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das plattenförmige Teil aus einer rechteckigen Scheibe besteht,
8. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit einer metallenen Kühlplatte auf einer unteren Oberfläche eines Harzvergußteils auf einer Montageplatte mittels Schrauben, die durch Ausnehmungen im Harzvergußteil an dessen beiden Enden ausgeführt sind, dadurch gekennzeichnet , daß zuvor wenigstens längs Oberflächenbereichen der Ausnehmungen Vorsprünge ausgebildet werden.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorsprünge an den Harzvergußteil angeformt werden.
10. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorsprünge an die Kühlplatte angeformt werden.
11. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorsprünge an die Montageplatte angeformt werden.
12. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß als Vorsprünge plattenförmige Teile verwendet werden, die zwischen Halbleitervor-
709841/0681
richtung land Montageplatte eingelegt werden.
13. In Harz vergossene Halbleitervorrichtung mit einem Harzvergußteil, mehreren äußeren Anschlüssen, die parallel zueinander von wenigstens einer Seitenfläche des Harzkörpers wegragen, mit einer wärmeleitenden Platte zur Wärmeabfuhr, die von einer Seitenfläche des Harzkörpers wegragt, mit einer Kühlfahne, deren eines Ende mit der wärmeleitenden Platte verbunden ist und deren anderes Ende längs einer unteren Oberfläche des Harzkörpers verläuft, und mit durch den Harzkörper und die Kühlfahne an beiden Enden der Halbleitervorrichtung hindurchverlaufenden Ausnehmungen, dadurch gekennzeichnet , daß die Kühlfahne (53) in engem Kontakt mit dem Harzkörper (47) in der Nähe der Ausnehmungen (48, 49) gehalten und ein Spalt vorgesehen ist, dessen Größe so bemessen ist, daß eine gegenseitige Berührung zwischen KUhlfahne und Harzkörper in Bereichen verhindert wird, die sich zwischen den Ausnehmungen erstrecken (Fig. 13 - 15).
14. Halbleitervorrichtung nach Anspruch I3t dadurch gekennzeichnet, daß untere Oberflächenbereiche (52) des Harzkörpers (47), wo die Schrauben-Auf nahmeausnehmungen (48, 49) ausgebildet sind, zur Bildung des Spaltes teilweise zur Kühlfahne (53) hin vorspringend ausgebildet sind.
709841/0681
27125A3
15. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 13, dadurch
gekennzeichnet , daß obere Oberflächenbereiche der Kühlfahne (53), wo die Schrauben-Aufnähmeausnehmungen (48, 49) ausgebildet sind, zur Bildung
des Spaltes teilweise zum Harzkörper (47) vorspringend ausgebildet sind.
16. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 13, dadurch
gekennzeichnet , daß zwischen die Kühlplatte (54) und den Harzkörper (47) an Stellen, an
denen die Schrauben-Aufnahmeausnehmungen (48, 49) zur Ausbildung des Spaltes ausgebildet sind, plattenförmige Teile (58) eingesetzt sind (Fig. 15).
Beschreibung 709841/0681
DE2712543A 1976-03-24 1977-03-22 Anordnung eines Halbleiterbauelements auf einer Montageplatte Expired DE2712543C2 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3125076A JPS52115173A (en) 1976-03-24 1976-03-24 Mounting method for semiconductor device
JP3124976A JPS52115172A (en) 1976-03-24 1976-03-24 Semiconductor device
JP6117176A JPS52144976A (en) 1976-05-28 1976-05-28 Plastic seal type semiconductor device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2712543A1 true DE2712543A1 (de) 1977-10-13
DE2712543C2 DE2712543C2 (de) 1982-11-11

Family

ID=27287260

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2712543A Expired DE2712543C2 (de) 1976-03-24 1977-03-22 Anordnung eines Halbleiterbauelements auf einer Montageplatte

Country Status (2)

Country Link
US (1) US4100566A (de)
DE (1) DE2712543C2 (de)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT7821073V0 (it) * 1978-03-09 1978-03-09 Ates Componenti Elettron Morsetto per il fissaggio di un dispositivo a semiconduttore ad un dissipatore di calore.
US4301493A (en) * 1979-02-07 1981-11-17 Square D Company Insulator mounting for panelboard
JPS55121654A (en) * 1979-03-13 1980-09-18 Toshiba Corp Compression bonded semiconductor device
DE3232168A1 (de) * 1982-08-30 1984-03-01 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Halbleiterbauelement mit druckkontakt
IT1212711B (it) * 1983-03-09 1989-11-30 Ates Componenti Elettron Dispositivo a semiconduttore aforma di scheda piana con contatti elettrici su ambedue le facce eprocedimento per la sua fabbricazione.
US4720771A (en) * 1985-07-05 1988-01-19 Chrysler Motors Corporation Heat sink assembly for a circuit board mounted integrated circuit
IT1201836B (it) * 1986-07-17 1989-02-02 Sgs Microelettronica Spa Dispositivo a semiconduttore montato in un contenitore segmentato altamente flessibile e fornite di dissipatore termico
US4688152A (en) * 1986-08-11 1987-08-18 National Semiconductor Corporation Molded pin grid array package GPT
IT1235830B (it) * 1989-07-11 1992-11-03 Sgs Thomson Microelectronics Contenitore plastico single in line fornito di asole aperte sul lato opposto alla faccia dalla quale emergono i piedini per ricevere scorrevolmente altrettanti gambi di organi di fissaggio predisposti suun dissipatore esterno di calore
US5299730A (en) * 1989-08-28 1994-04-05 Lsi Logic Corporation Method and apparatus for isolation of flux materials in flip-chip manufacturing
US5175612A (en) * 1989-12-19 1992-12-29 Lsi Logic Corporation Heat sink for semiconductor device assembly
US5399903A (en) * 1990-08-15 1995-03-21 Lsi Logic Corporation Semiconductor device having an universal die size inner lead layout
US5095360A (en) * 1990-10-10 1992-03-10 Kyocera America, Inc. Ceramic chip-resistant chamfered integrated circuit package
JPH04249348A (ja) * 1991-02-05 1992-09-04 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
US5434750A (en) * 1992-02-07 1995-07-18 Lsi Logic Corporation Partially-molded, PCB chip carrier package for certain non-square die shapes
US5438477A (en) * 1993-08-12 1995-08-01 Lsi Logic Corporation Die-attach technique for flip-chip style mounting of semiconductor dies
US5388327A (en) * 1993-09-15 1995-02-14 Lsi Logic Corporation Fabrication of a dissolvable film carrier containing conductive bump contacts for placement on a semiconductor device package
JPH0846104A (ja) * 1994-05-31 1996-02-16 Motorola Inc 表面実装電子素子およびその製造方法
US5621378A (en) * 1995-04-20 1997-04-15 Caddock Electronics, Inc. Heatsink-mountable power resistor having improved heat-transfer interface with the heatsink
US5770889A (en) * 1995-12-29 1998-06-23 Lsi Logic Corporation Systems having advanced pre-formed planar structures
DE19609929B4 (de) * 1996-03-14 2006-10-26 Ixys Semiconductor Gmbh Leistungshalbleitermodul
US6583505B2 (en) * 2001-05-04 2003-06-24 Ixys Corporation Electrically isolated power device package
WO2007138681A1 (ja) * 2006-05-30 2007-12-06 Kokusan Denki Co., Ltd. 樹脂封止型半導体装置及びこの半導体装置を用いた電子装置
CN102683299B (zh) * 2011-01-07 2015-01-07 新电元工业株式会社 树脂密封型半导体装置及树脂密封用模具
EP2814056B1 (de) * 2012-09-13 2017-07-12 Fuji Electric Co., Ltd. Halbleitervorrichtung, verfahren zur befestigung eines wärmeabführungselements an der halbleitervorrichtung sowie verfahren zur herstellung der halbleitervorrichtung
EP3444839A1 (de) * 2017-08-18 2019-02-20 Infineon Technologies Austria AG Anordnung und verfahren zur montage einer elektronischen komponente auf ein substrat
US10971401B2 (en) * 2018-10-16 2021-04-06 Cerebras Systems Inc. Systems and methods for precision fabrication of an orifice within an integrated circuit
US11145530B2 (en) 2019-11-08 2021-10-12 Cerebras Systems Inc. System and method for alignment of an integrated circuit

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3606673A (en) * 1968-08-15 1971-09-21 Texas Instruments Inc Plastic encapsulated semiconductor devices
US3646409A (en) * 1968-07-30 1972-02-29 Philips Corp Heat-sinking package for semiconductor integrated circuit
US3689683A (en) * 1970-10-19 1972-09-05 Ates Componenti Elettron Module for integrated circuits and method of making same

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3423516A (en) * 1966-07-13 1969-01-21 Motorola Inc Plastic encapsulated semiconductor assemblies
US3539875A (en) * 1968-09-25 1970-11-10 Philips Corp Hardware envelope with semiconductor mounting arrangements
US3562404A (en) * 1968-12-31 1971-02-09 Rca Corp Semiconductor device
US3573516A (en) * 1969-04-23 1971-04-06 Gen Electric Rectifier bridge for use with an alternator
US3679946A (en) * 1970-07-06 1972-07-25 Gen Motors Corp Strip mounted semiconductor device
US3654695A (en) * 1970-07-29 1972-04-11 Texas Instruments Inc Method of making an electronic module
US3729573A (en) * 1971-01-25 1973-04-24 Motorola Inc Plastic encapsulation of semiconductor devices

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3646409A (en) * 1968-07-30 1972-02-29 Philips Corp Heat-sinking package for semiconductor integrated circuit
US3606673A (en) * 1968-08-15 1971-09-21 Texas Instruments Inc Plastic encapsulated semiconductor devices
US3689683A (en) * 1970-10-19 1972-09-05 Ates Componenti Elettron Module for integrated circuits and method of making same

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"Integrated Circuits Handbook", Hitachi (1975) Seite 217 *

Also Published As

Publication number Publication date
DE2712543C2 (de) 1982-11-11
US4100566A (en) 1978-07-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2712543A1 (de) In harz vergossene halbleitervorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung
DE69430513T2 (de) Harzvergossenes Halbleiterbauteil und dessen Herstellungsverfahren
DE69637488T2 (de) Halbleiter und Halbleitermodul
DE102006047989B4 (de) Leistungshalbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
DE19926128B4 (de) Leistungs-Halbleiterbauteil-Gehäuse
DE19921109B4 (de) Elektronikbauteil und Elektronikkomponente mit einem Keramikbauteilelement
DE2314247C3 (de) Halbleiteranordnung mit einer biegsamen isolierenden Folie
DE10238037B4 (de) Halbleitereinrichtung mit Gehäuse und Halterung
DE102009061178B3 (de) Leistungshalbleitervorrichtung
DE3913221A1 (de) Halbleiteranordnung
DE3028178C2 (de) Leistungshalbleiter-Modul
DE10129388A1 (de) Elektronisches Bauteil und Verfahren zu seiner Herstellung
EP0718886B1 (de) Leistungshalbleitermodul
DE2653833A1 (de) Halbleitervorrichtung
EP1034555B1 (de) Halbleiterbauelement mit definiertem verhalten bei einem ausfall und verfahren zur herstellung eines solchen
DE69417329T2 (de) In Harz versiegelte Halbleiteranordnung
DE112013007667T5 (de) Leistungshalbleitervorrichtung
DE3343034C2 (de) Gehäuse für Halbleitervorrichtungen
DE69027724T2 (de) Leistungshalbleiteranordnung mit Plastikumhüllung
DE4410455C1 (de) Wasserdichte Kontaktstiftdurchführung durch gegossene Kunststoffteile, insbesondere von Steckergehäusen
DE102017212186A1 (de) Mit Gießharz versiegelte Leistungshalbleiter-Einrichtung
DE2306288A1 (de) Traeger fuer integrierte schaltungen
DE69801752T2 (de) Funkensichere struktur, insbesondere für flugzeuge
DE1279201B (de) Halbleiteranordnung
DE10100460A1 (de) Leistungshalbleitermodul mit Gehäuse und Anschlußelementen

Legal Events

Date Code Title Description
8125 Change of the main classification

Ipc: H01L 23/32

D2 Grant after examination
8328 Change in the person/name/address of the agent

Free format text: VON FUENER, A., DIPL.-CHEM. DR.RER.NAT. EBBINGHAUS, D., DIPL.-ING., PAT.-ANW., 8000 MUENCHEN

8339 Ceased/non-payment of the annual fee